JPS62242258A - 記憶装置 - Google Patents

記憶装置

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JPS62242258A
JPS62242258A JP61085704A JP8570486A JPS62242258A JP S62242258 A JPS62242258 A JP S62242258A JP 61085704 A JP61085704 A JP 61085704A JP 8570486 A JP8570486 A JP 8570486A JP S62242258 A JPS62242258 A JP S62242258A
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parity
correction circuit
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勉 坂本
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正美 若林
Shunichi Kato
俊一 加藤
Kenji Yoshida
賢司 吉田
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Iwaki Electronics Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、記憶モジュール内にデータと誤り検出・訂正
ビットとパリティビットとを共存させ、データの誤り検
出・訂正を行う記憶装置に関し、更に詳しくは、部分書
込み(パーシャル・ライト)時にパリティエラーが検出
されなければ直ちに書込みサイクルに切換えて記憶モジ
ュールからの読出しデータと実際に書込むべきデータと
でワードを構成し記憶モジュールに書込むことにより、
アクセスタイムの短縮と信鯨性の向上を同時に実現する
記憶装置に関するものである。
[従来の技術] コンピュータシステムは、情報処理量が大規模化し、ま
たサービス形態がオンライン・リアルタイム処理へと発
展するにつれて、ますます高信頼度と高速化が要求され
る。このためにはデータの記憶動作や入出力動作が高速
であり且つ高信頬性を有する記憶装置が必要となる。
記憶装置を高信親度化する技術として、誤り検出・訂正
(ECC)回路を組み込み、記憶モジュールから続出し
た情報について誤りの有無を検査し、誤りが有る場合に
は訂正する機能を有するものがある。
また記憶モジュール内にデータと共にパリティビットを
記憶させ、読出し時にパリティチェックを行って誤りの
検出を行うものもある。
[発明が解決しようとする問題点] 誤り検出・訂正回路には様々な方式があるが、主記憶装
置では高速性が要求されることから単−誤り訂正・2重
誤り検出コードが用いられることが多い、しかしこの誤
り検出・訂正コードを用いても誤りの検出・訂正を行う
ための時間が必要であり、記憶装置を高速化する上で大
きな障害となっている。
例えばlワード−32ビツト(4バイト)十ECCビッ
ト(7ビツト)構成の記憶装置の場合、必ずしも常に3
2ビツトでアクセスするとは限らない、マイクロプロセ
ッサの命令等で記憶装置への書込み動作のバイト長はラ
ンダム(1,2,3,・・・バイトであり、1ワードの
あるバイトだけを書き換える動作(これを「部分書込み
」という)が必要になる。特にこのような部分書込み動
作の場合には、通常、以下のようなアクセス手順による
ためアクセスタイムが長くなる問題がある。
il+記憶モジュールからデータを読出す(メモリ・リ
ードサイクル)。
(2)読出したデータを誤り検出・訂正回路に入力し、
データの検査をおこなう。
(3)誤り検出・訂正回路の出力データと実際に書込む
べきデータとを組み合わせてワードを構成する。
(4)このようにして構成したデータを記憶モジエール
に書込む(メモリ・ライトサイクル)。
これに対してパリティチェックによって誤りを検出する
方式は、通常動作時のアクセスタイムの高速化を図るこ
とができるが、誤りの検出しか行わないからパリティエ
ラーが生じただけでシステムダウンになってしまう虞れ
があり、(8$1性の高い記憶装置を実現することはで
きない、パリティエラーが検出されると、誤り検出ある
いは内容の報告と記憶保持を行い、以降の動作が一旦打
ち切られるからである。
本発明の目的は、上記のような従来技術の欠点を解消し
、高信頼性で且つ部分書込み時における高速動作を同時
に実現できるような記憶装置を提供することにある。
[問題点を解決するための手段] 上記のような目的を達成することのできる本発明は、誤
り検出・訂正ビットとパリティビットがデータと共存す
る記憶モジュールを用い、パリティチェックを誤り検出
・訂正動作に優先させ、パリティエラーが発生した時の
み誤り検出・訂正回路でデータの訂正を行うようにした
記憶装置である。
本発明に係る記憶装置は、データと誤り検出・訂正ビッ
トとパリティビットが記憶される記憶モジュールと、記
憶モジュールへのパリティビット書込み手段と、記憶モ
ジュールから読出した情報のパリティチェック手段と、
記憶モジュールへの誤り検出・訂正ビットの書込みおよ
び記憶モジュールから読出したデータの誤り検出・訂正
を行う誤り検出・訂正回路と、データバスからの書込み
データと誤り検出・訂正回路からの出力データとを選択
して出力する第1のマルチプレクサと、該第1のマルチ
プレクサの出力を保持する書込みデータレジスタと、書
込みデータレジスタの出力と前記記憶モジュールからの
読出しデータとを選択して誤り検出・訂正回路に供給す
、る第2のマルチプレクサを具備している。
記憶モジュールへの部分書込み時に、記憶モジュールか
らの読出し情報にパリティエラーが無ければ直ちに書込
みサイクルに切換えて記憶モジュールからの続出しデー
タと実際に書込むべきデータとでワードを構成し、パリ
ティエラーが生じた時には記憶モジュールからの読出し
データを誤り検出・訂正回路に入力し訂正したデータと
実際に書込むべきデータとでワードを構成する。
[作用] 本記憶装置における部分書込みのアクセス手順は次の如
くである。
1)記憶モジエールから情報を読出しパリティチェック
を行う (メモリ・リードサイクル)。
このステップで万一パリティエラーが検出された場合に
は、従来技術と同様の手順となる。
ii a )読出したデータを誤り検出・訂正回路に入
力し、データの誤り検出と訂正を行う。
iii a )訂正したデータと実際に書込むべきデー
タとを組み合わせてワード構成を行い、再度誤り検出・
訂正回路に人力する。
iv a )誤り検出・訂正回路を通したデータと誤り
検出・訂正ビット(誤り検出・訂正回路で発生)でパリ
ティビットを作成する。そしてデータ、誤り検出・訂正
ビット、パリティビットを記憶モジュールに1込む。
正常動作では前記1のステップでパリティエラーは検出
されない、この場合には、前記iiのステップが省略さ
れ、 1ub)記憶モジエールから読出したデータと実際に書
込むべきデータとを組み合わせてワード構成を行い誤り
検出・訂正回路に入力する。
iv b )誤り検出・訂正回路を通したデータと誤り
検出・訂正ピントでパリティビットを作成する。そして
データ、誤り検出・訂正ビット、パリティビットを記憶
モジュールに書込む(前記iv aのステップと同じ)
このように、正常動作時には、記憶モジュールから読出
したデータと実際に書込むべきデータとでワード構成を
行うので、誤り検出・訂正回路でのデータチェックのた
めの時間的損失がなくなり高速化を図ることができる。
また万一異常が生じた時には誤り検出・訂正回路の動作
によって誤り検出とその訂正が行われるため、高い信鎖
性を維持することができる。
[実施例] 第1図は本発明に係る記憶装置の一実施例を示すブロッ
ク図である。多数の記憶素子の集合体である記憶モジュ
ールlOは、その一部がデータ領域10a、10bであ
り、残りは誤り検出・訂正ビット用領域10c及びパリ
ティピット用領域10dとなる。つまり本発明では記憶
モジュール10内にデータビットと誤り検出・訂正ビッ
トとパリティビットとが共存している状態にある。
本発明はこのような記憶モジュール1oと、記憶モジュ
ール10へのパリティピット書込み手段12と、記憶モ
ジュール10から読出した情報のパリティチェック手段
14と、記憶モジュール10への誤り検出・訂正ビット
の書込み及び記憶モジュール10から読出したデータの
誤り検出・訂正を行う誤り検出・訂正回路(ECC)1
6を具備している。更にデータバス18からの書込みデ
ータと誤り検出・訂正回路16からの出力データとを選
択して出力する第1のマルチプレクサ20と、該第1の
マルチプレクサ20の出力を保持する書込みデータレジ
スタ22と、書込みデータレジスタ22の出力と前記記
憶モジュールIOからの続出しデータとを選択して誤り
検出・訂正回路16に供給する第2のマルチプレクサ2
4を備えている。
この実施例では記憶モジュール10からのデータ及び誤
り検出・訂正ビットは一旦読出しデータレジスタ26で
ラッチされる。従ってこの続出しデータレジスタ26も
データ領域(上位□は26a、下位は26b)と誤り検
出・訂正コード領域26cとを有する。そしてこの読出
しデータレジスタ26の出力が第2のマルチプレクサ2
4(上位は24a、下位は24b)、誤り検出・訂正回
路16、及び読出し用の第3のマルチプレクサ28に供
給される。
誤り検出・訂正回路16は、単−誤り訂正・2重誤り検
出方式が用いられており、2重誤りの検出信号は割込み
発生回路(図示せず)に送られ割り込み信号を発生する
。第3のマルチプレクサ28の出力はドライバ30を介
してデータバス18に供給され、逆にデータバス18に
よって送られてきたデータはレシーバ32を介して第1
のマルチプレクサ20に送られる。
次に本記憶装置の動作について説明する。
■、全桁書込み(・フルライト)時 データバス18で送られてきたデータはレシーバ32、
第1のマルチプレクサ20を介して書込みデータレジス
タ22にラッチされる。その出力は第2のマルチプレク
サ24を通って誤り検出・訂正回路16に送られる。誤
り検出・訂正回路16からのデータ及び誤り検出・訂正
ビットによってパリティビット書込み手段12でパリテ
ィビットを作成し、前記データと誤り検出・訂正ビット
とパリティビットとが記憶モジュールlOの所定の領域
に書込まれる。
■、上位桁部分書込み時 データバス18で送られてきた上位データをレシーバ3
2、第1のマルチプレクサ20を介して書込みデータレ
ジスタ22の上位側22aにラッチし、また記憶モジエ
ールlOからのデータを読出しデータレジスタ26にラ
ッチする。
この時、記憶モジュール10からの読出し情報をパリテ
ィチェック手段14に送り、パリティチェックを行う、
パリティチェックの結果によって次の二つのデータフロ
ーに分かれる。
(II−1)パリティエラー無し: バリティエラー信号をインバータ34によって反転した
信号(パリティエラー無しを示す信号)とps+ru 
<上位桁書込み)信号とがアンド回路36aに送られ、
それによって制御された読出しデータレジスタ26bの
下位データと、書込みデータレジスタ22aの上位デー
タとで第2のマルチプレクサ24によりワード構成が丘
ねれる。ワード構成したデータが誤り検出・訂正回路1
6に入力する。これ以降は前記■の全桁書込みのデータ
フローと同じである。誤り検出・訂正回路16からのデ
ータ及び誤り検出・訂正ビットはパリティビット書込み
手段12に送られパリティビットを作成し、前記データ
と誤り検出・訂正ビットとパリティビットとを記憶モジ
ュール10の所定の領域に書込む。
(II −2)パリティエラー発生時:読出しデータレ
ジスタ26の出力を第2のマルチプレクサ26を介して
、また誤り検出・訂正ビットを直接誤り検出・訂正回路
16に入力する。そして誤り検出・訂正回路16にてデ
ータの訂正を行う、訂正されたデータを第1のマルチプ
レクサ20を介して書込みデータレジスタ22の下位側
22bにラッチする。ラッチしたデータを第2のマルチ
プレクサ24を介して誤り検出・訂正回路16に再度入
力する。これ以降はIの全桁書込みのデータフローと同
じであり、誤り検出・訂正回路16からのデータ及び誤
り検出・訂正ビットはパリティビット書込み手段12に
送られパリティビットを発生させ、前記データと誤り検
出・訂正ビットとパリティビットとを記憶モジエール1
0の所定の領域に書込む。
なお2ビツトエラーの検出は、記憶素子のアクセス禁止
時間(第2図参照)でラッチデータを誤り検出・訂正回
路16に入力することにより行う。
■、下位桁部分書込み時 基本的には上記■で述べた上位桁部分書込み時と同様で
ある。データバス18から送られてきた下位データは書
込みデータレジスタ22の下位側22bにラッチされる
。記憶モジュール10からのデータは読出しデータレジ
スタ26にラッチされる。この時、記憶モジュール10
からの読出し情報のパリティチェックが行われ、その結
果によって、次の二つのデータフローに分かれる。
(II+−1)パリティエラー無し: パリティエラー信号をインバータ34で反転した信号と
ITL (下位桁書込み)信号とがアンド回路36bに
送られ、それによって制御された読出しデータレジスタ
26aの上位データと、書込みデータレジスタ22bの
下位データとで第2のマルチプレクサ24によりワード
構成が行われる。ワード構成したデータが誤り検出・訂
正回路16に入力する。これ以降は1の全桁書込みのデ
ータフローと同じである。
(II−2)パリティエラー発生時: 読出しデータレジスタ26の出力を第2のマルチプレク
サ26を介して、また誤り検出・訂正ビットを直接誤り
検出・訂正回路16に入力する。そして誤り検出・訂正
回路16にてデータの訂正を行い訂正されたデータを第
1のマルチプレクサ20を介して書込みデータレジスタ
22の上位側22aにラッチする。ラッチしたデータを
第2のマルチプレクサ24を介して誤り検出・訂正回路
16に再度入力する。これ以降は■の全桁書込みのデー
タフローと同じである。
第2図は書込み時におけるタイムチャートである。ここ
で符号* MWTCはプロセッサが記憶装置に対して発
行する負論理のメモリ書込み指令信号、符号* XAC
Kは記憶装置が書込み動作を開始したことをプロセッサ
側に通知する負論理の応答信号、符号*RAS 、  
+kCASは記憶素子に対してのアドレス切換えを指示
する負論理の信号、符号*−Eは記憶素子に対する負論
理の書込み信号である。
同図Aはパリティエラーが発生した時の部分書込み動作
を示し、同図Bはパリティエラーが無い時の部分書込み
動作を示す0両者を比較すれば明らかなように、同図B
の場合は同図Aに対して時間Tだけ*−E信号が早く生
じ、*RAS。
*CAS 、  *WEの立上がりが早くなっている。
これば同図Aの■(ECC・・・誤り検出・訂正回路に
よるデータチェック)の期間が同図Bでは省かれている
からである。このようにして本発明では正常時(パリテ
ィエラー無し)の高速化を実現しているのである。
■、読出し時 記憶モジュール10からの読出し時には、続出したデー
タと誤り検出・訂正ビットとが読出しデータレジスタ2
6にセットされると同時に、読出された情報がパリティ
チェック手段14でパリティチェックされる。読出しデ
ータレジスタ26の出力は第3のマルチプレクサ28と
誤り検出・訂正回路16とに人力される。パリティエラ
ーが検出されなければ続出しデータレジスタ20からの
データがそのまま第3のマルチプレクサ28で有効とさ
れドライバ30を介してデータバス18に送出される。
もしパリティエラーが検出されたならば誤り検出・訂正
回路16からの出力が第3のマルチプレクサ28で有効
とされ、訂正されたデータがドライバ30によってデー
タバス18に送出される。なお2ビット以上のエラーが
生じた時には割込み発生回路(図示せず)に信号が送ら
れ割込み信号を発生してプロセッサに通知する。
以上本発明の好ましい一実施例について詳述したが、本
発明はかかる構成のみに限定されるものでないこと無論
である。記憶モジュールはデータと誤り検出・訂正ビッ
トとパリティビットを記憶させつる領域を存していれば
よく、必ずしも物理的に単一の記憶モジュールを必要と
するものではない、誤り検出・訂正回路における誤り検
出・訂正方式は単−誤り訂正・2重誤り検出方式に限ら
れるものではなく、任意の誤り検出・訂正方式を採用し
うる。
[発明の効果] 本発明は上記のように記憶モジュールにデータと誤り検
出・訂正ビットとパリティビットを記憶させ、パリティ
チェック手段と誤り検出・訂正回路を設けてマルチプレ
クサによってデータを選択制御しているから、部分書込
み動作において、正常時(パリティエラーがない時)に
は誤り検出・訂正動作を省略した分だけ高速動作が実現
できるし、また異常時(パリティエラーが発生した時)
でも以降の動作が打ち切られることなく誤り検出・訂正
回路を通った訂正済みのデータが使用されるため高い信
幀性が実現できる。
従って本発明による記憶装置は、高速性と高信鎖性とを
兼ね備えており、大量の情報をリアルタイムで処理する
ような場合にシステムの高性能化を図ることができると
共にエラーの発生によるシステムダウンを最小限度に抑
えることができる優れた効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る記憶装置の一実施例を示すブロッ
ク図、第2図A、Bはその部分書込み動作のタイムチャ
ートである。 10・・・記憶モジュール、12・・・パリティピット
書込み手段、14・・・パリティチェック手段、16・
・・誤り検出・訂正回路、18・・・データバス、20
・・・第1のマルチプレクサ、22・・・書込みデータ
レジスタ、24・・・第2のマルチプレクサ。 特許出願人  いわき電子株式会社 代  理  人     茂  見     積第2図 /マリアイチェック 昭和61年7月5日

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、データと誤り検出・訂正ビットとパリティビットが
    記憶される記憶モジュールと、記憶モジュールへのパリ
    ティビット書込み手段と、記憶モジュールから読出した
    情報のパリティチェック手段と、記憶モジュールへの誤
    り検出・訂正ビットの書込みおよび記憶モジュールから
    読出したデータの誤り検出・訂正を行う誤り検出・訂正
    回路と、データバスからの書込みデータと誤り検出・訂
    正回路からの出力データとを選択して出力する第1のマ
    ルチプレクサと、該第1のマルチプレクサの出力を保持
    する書込みデータレジスタと、書込みデータレジスタの
    出力と前記記憶モジュールからの読出しデータとを選択
    して誤り検出・訂正回路に供給する第2のマルチプレク
    サを具備し、部分書込み時に、記憶モジュールからの読
    出し情報にパリティエラーが無ければ書込みサィクルに
    切換えて記憶モジュールからの読出しデータと実際に書
    込むべきデータとでワードを構成し、パリティエラーが
    生じた時には記憶モジュールからの読出しデータを誤り
    検出・訂正回路に入力し訂正したデータと実際に書込む
    べきデータとでワードを構成することを特徴とする記憶
    装置。
JP61085704A 1986-04-14 1986-04-14 記憶装置 Granted JPS62242258A (ja)

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JPH0316655B2 JPH0316655B2 (ja) 1991-03-06

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01194046A (ja) * 1988-01-29 1989-08-04 Hitachi Ltd メモリアクセス方式
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