JPS62230826A - シリコン変性ポリイミドの製造法 - Google Patents
シリコン変性ポリイミドの製造法Info
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- JPS62230826A JPS62230826A JP7137986A JP7137986A JPS62230826A JP S62230826 A JPS62230826 A JP S62230826A JP 7137986 A JP7137986 A JP 7137986A JP 7137986 A JP7137986 A JP 7137986A JP S62230826 A JPS62230826 A JP S62230826A
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- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 title claims abstract description 32
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 claims abstract description 20
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 claims abstract description 7
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 3
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims abstract description 3
- YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N naphthalenetetracarboxylic dianhydride Chemical compound C1=CC(C(=O)OC2=O)=C3C2=CC=C2C(=O)OC(=O)C1=C32 YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 125000006158 tetracarboxylic acid group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 4
- 125000005650 substituted phenylene group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 2
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 abstract description 18
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 5
- -1 tetracarboxylic acid dianhydride Chemical class 0.000 abstract description 4
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 abstract description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract 1
- 238000007363 ring formation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 8
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 241001428214 Polyides Species 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 3
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 3
- 125000005462 imide group Chemical group 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 3
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHABMANUFPZXEB-UHFFFAOYSA-N O-demethyl-aloesaponarin I Natural products O=C1C2=CC=CC(O)=C2C(=O)C2=C1C=C(O)C(C(O)=O)=C2C MHABMANUFPZXEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007112 amidation reaction Methods 0.000 description 2
- 125000002529 biphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N m-cresol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1 RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical group CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000006798 ring closing metathesis reaction Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 2
- CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 1,4-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=C(N)C=C1 CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPXCORHXFPYJEH-UHFFFAOYSA-N 3-[[3-aminopropyl(dimethyl)silyl]oxy-dimethylsilyl]propan-1-amine Chemical compound NCCC[Si](C)(C)O[Si](C)(C)CCCN GPXCORHXFPYJEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OJXULZRBAPPHNY-UHFFFAOYSA-N 4-[[(4-aminophenyl)-dimethylsilyl]oxy-dimethylsilyl]aniline Chemical compound C=1C=C(N)C=CC=1[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C1=CC=C(N)C=C1 OJXULZRBAPPHNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ILCGTNBULCHWOE-UHFFFAOYSA-N 4-[[4-aminobutyl(dimethyl)silyl]oxy-dimethylsilyl]butan-1-amine Chemical compound NCCCC[Si](C)(C)O[Si](C)(C)CCCCN ILCGTNBULCHWOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004042 4-aminobutyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])N([H])[H] 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005260 alpha ray Effects 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical group 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-f][2]benzofuran-1,3,5,7-tetrone Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC2=C1C(=O)OC2=O ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000012456 homogeneous solution Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 125000004957 naphthylene group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000007142 ring opening reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 125000005760 substituted naphthylene group Chemical group 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Landscapes
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、新規なシリコン変性ポリイミドを製造する
だめの方法に関する。
だめの方法に関する。
[従来の技術]
一般に、ポリイミド樹脂は耐熱性、耐薬品性、機械的強
度あるいは電気的特性等において優れた性能を有し、ま
た、これをシリコンやシロキサンで変性したシリコン変
性ポリイミドは、それがシリコンを含有することにより
種々のシリコン含有材料に対する接着性が期待でき、半
導体製造用保護膜やα線遮蔽膜等としての用途も期待さ
れる。
度あるいは電気的特性等において優れた性能を有し、ま
た、これをシリコンやシロキサンで変性したシリコン変
性ポリイミドは、それがシリコンを含有することにより
種々のシリコン含有材料に対する接着性が期待でき、半
導体製造用保護膜やα線遮蔽膜等としての用途も期待さ
れる。
このため、従来においても、シリコンやシロキサンで変
性したポリイミド樹脂が提案されており、例えば、3,
3°、4,4°−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
及び/又は3,3°、4,4−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物を主成分とするテトラカルボン酸二無
水物と、芳8族ジアミンとシリコン系ジアミンの混合物
とをフェノール系溶剤中で加熱してアミド化反応を行う
と共に、副生ずる水を反応系外に除去しなからイミド化
反応を行う脱水重縮合反応でシリコン変性ポリイミドを
製造する方法が知られている(特開昭59−43. o
2eq公報)。
性したポリイミド樹脂が提案されており、例えば、3,
3°、4,4°−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
及び/又は3,3°、4,4−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物を主成分とするテトラカルボン酸二無
水物と、芳8族ジアミンとシリコン系ジアミンの混合物
とをフェノール系溶剤中で加熱してアミド化反応を行う
と共に、副生ずる水を反応系外に除去しなからイミド化
反応を行う脱水重縮合反応でシリコン変性ポリイミドを
製造する方法が知られている(特開昭59−43. o
2eq公報)。
[発明が解決しようとする問題点]
しかしながら、従来のシリコン変性ポリイドは、五員環
イミド構造をしており、耐熱性の面でその性能が不足す
る。
イミド構造をしており、耐熱性の面でその性能が不足す
る。
また、従来のシリコン変性ポリイドにおいては、その前
駆体であるポリアミック酸からポリイミドへ閉環させる
際に通常200〜300℃程度の加熱温度が必要になり
、この前駆体のポリアミック酸の状態で有機溶剤に溶解
し、これを塗装あるいは加工した後に加熱処理してシリ
コン変性ポリイドの被膜やフィルムを形成せしめる方法
を採用すると、その際の加熱処理が高温かつ長時間にな
らざるを得ず、また、完全に閉環し切れずに形成された
被膜あるいはフィルム中にアミド構造のカルボン酸が残
存し易く、その結果、例えば゛電子材料用の保護膜や絶
縁膜としての用途で重要な耐湿性が低下し、用途上の制
限を受けるという問題があった。
駆体であるポリアミック酸からポリイミドへ閉環させる
際に通常200〜300℃程度の加熱温度が必要になり
、この前駆体のポリアミック酸の状態で有機溶剤に溶解
し、これを塗装あるいは加工した後に加熱処理してシリ
コン変性ポリイドの被膜やフィルムを形成せしめる方法
を採用すると、その際の加熱処理が高温かつ長時間にな
らざるを得ず、また、完全に閉環し切れずに形成された
被膜あるいはフィルム中にアミド構造のカルボン酸が残
存し易く、その結果、例えば゛電子材料用の保護膜や絶
縁膜としての用途で重要な耐湿性が低下し、用途上の制
限を受けるという問題があった。
従って、本発明の目的は、優れた耐熱性を有し、しかす
、溶剤可溶性を有してシリコン変性ポリイミドの溶剤溶
液を調製し得るほか、前駆体であるポリアミック酸から
ポリイミドへの閉環温度が低くて広範囲の用途に使用可
能なシリコン変性ポリイミドの製造法を提供することに
ある。
、溶剤可溶性を有してシリコン変性ポリイミドの溶剤溶
液を調製し得るほか、前駆体であるポリアミック酸から
ポリイミドへの閉環温度が低くて広範囲の用途に使用可
能なシリコン変性ポリイミドの製造法を提供することに
ある。
[問題点を解決するための手段]
すなわち、本発明は、4.4’、5,5°−シナフタレ
ンチトラカルボン酸二無水物及び/又は1,4,5.8
−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物からなるテトラ
カルボン酸二無水物と、下記一般式 (但し、式中R1は炭素数1〜4のアルキレン基、フェ
ニレン基又は買換フェニレン基を示し、R2〜R5はア
ルキル基、フェニル基又は置換フェニル基であって互い
に同じであっても異なっていてもよく、Yは酸素原子、
フェニレン基又は置換フェニレン基を示す。)で表され
るシリコン含有ジアミンと又はこのシリコン含有ジアミ
ンと芳香族ジアミンとを反応させてシリコン変性ポリイ
ミドを製造する方法である。
ンチトラカルボン酸二無水物及び/又は1,4,5.8
−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物からなるテトラ
カルボン酸二無水物と、下記一般式 (但し、式中R1は炭素数1〜4のアルキレン基、フェ
ニレン基又は買換フェニレン基を示し、R2〜R5はア
ルキル基、フェニル基又は置換フェニル基であって互い
に同じであっても異なっていてもよく、Yは酸素原子、
フェニレン基又は置換フェニレン基を示す。)で表され
るシリコン含有ジアミンと又はこのシリコン含有ジアミ
ンと芳香族ジアミンとを反応させてシリコン変性ポリイ
ミドを製造する方法である。
本発明方法で使用するテトラカルボン酸二無水物は、4
.4’、5.5’−シナフタレンチトラカルボン酸二無
水物(以下、DNTCと略称する)と1.4,5゜8−
ナフタレンテトラカルボン酸二無水物(以下、NTCA
と略称する)であり、そのいずれか一方のみを単独で使
用してもよく、また、その両者を適当な割合で混合して
使用してもよい。
.4’、5.5’−シナフタレンチトラカルボン酸二無
水物(以下、DNTCと略称する)と1.4,5゜8−
ナフタレンテトラカルボン酸二無水物(以下、NTCA
と略称する)であり、そのいずれか一方のみを単独で使
用してもよく、また、その両者を適当な割合で混合して
使用してもよい。
また、ジアミン成分として使用される芳香族ジアミンと
しては、ポリイミドの製造原料として公知のジアミンで
あり、一般式H2N−B−NH2(但し、式中Bはフェ
ニレン基、置換フェニレン基、ビフェニレン基、置換ビ
フェニレン基、ナフチレン基、置換ナフチレン基又は(
NZξ(但し、式中7は−CH2−1−o−1−8−又
は−802−を示す。))で表されるものが好ましい。
しては、ポリイミドの製造原料として公知のジアミンで
あり、一般式H2N−B−NH2(但し、式中Bはフェ
ニレン基、置換フェニレン基、ビフェニレン基、置換ビ
フェニレン基、ナフチレン基、置換ナフチレン基又は(
NZξ(但し、式中7は−CH2−1−o−1−8−又
は−802−を示す。))で表されるものが好ましい。
このような芳香族ジアミンとしては、例えばp−フェニ
レンジアミン、トフエニレンジアミン、ベンチジン、3
.3′−ジメチルベンチジン、3.3°−ジメトキシベ
ンチジン、1,6−ジアミツナフタレン、4.4°−ジ
アミノジフェニルメタン、4,4゛−ジアミノジフェニ
ルエーテル、2.2’−ビス(4−アミノフェニル)プ
ロパン、3.3°−ジアミノジフェニルスルフォン、4
.4’−ジアミノジフェニルスルフィド等を挙げること
ができる。
レンジアミン、トフエニレンジアミン、ベンチジン、3
.3′−ジメチルベンチジン、3.3°−ジメトキシベ
ンチジン、1,6−ジアミツナフタレン、4.4°−ジ
アミノジフェニルメタン、4,4゛−ジアミノジフェニ
ルエーテル、2.2’−ビス(4−アミノフェニル)プ
ロパン、3.3°−ジアミノジフェニルスルフォン、4
.4’−ジアミノジフェニルスルフィド等を挙げること
ができる。
さらに、単独で又は上記芳香族ジアミンと共に使用され
るジアミン成分のシリコン含有ジアミンとしては、例え
ば、1,3−ビス(3−アミノプロピル)−1,1,3
,3−テトラメチルジシロキサン、1.3−ビス(4−
アミノブチル) −1,1,3,3−テトラメチルジシ
ロキサン、1.3−ビス(4−アミノブチル) −1,
1,3゜3−テトラフェニルジシロキサン、1.3−ビ
ス(p−アミノフェニル) −1,1,3,3−テトラ
メチルジシロキサン、1.3−ビス(アミノトリル)
−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン類、1.
4−ビス((3−アミノプロピル)ジメチルシラノ)ベ
ンゼン等を挙げることができる。
るジアミン成分のシリコン含有ジアミンとしては、例え
ば、1,3−ビス(3−アミノプロピル)−1,1,3
,3−テトラメチルジシロキサン、1.3−ビス(4−
アミノブチル) −1,1,3,3−テトラメチルジシ
ロキサン、1.3−ビス(4−アミノブチル) −1,
1,3゜3−テトラフェニルジシロキサン、1.3−ビ
ス(p−アミノフェニル) −1,1,3,3−テトラ
メチルジシロキサン、1.3−ビス(アミノトリル)
−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン類、1.
4−ビス((3−アミノプロピル)ジメチルシラノ)ベ
ンゼン等を挙げることができる。
上記シリコン含有ジアミンの使用量は、製造されるシリ
コン変性ポリイミドの用途や要求される種々の性能等に
よって異なるが、芳香族ジアミン及びシリコン含有ジア
ミンからなるジアミン成分中、通常0.1モル%以上、
好ましくは5〜80モル%の範囲である。
コン変性ポリイミドの用途や要求される種々の性能等に
よって異なるが、芳香族ジアミン及びシリコン含有ジア
ミンからなるジアミン成分中、通常0.1モル%以上、
好ましくは5〜80モル%の範囲である。
本発明方法において、上記テトラカルボン酸二無水物と
ジアミン成分とを反応させる方法については、例えば、
これら両成分の等モルをトメチル−2−ピロリドン(N
MP)やジメチルアセトアミド(DMAc)等の極性溶
媒中に溶解し、80℃以下、好ましくは50℃以下の温
度で2〜10時間反応させ、ポリイミドの前駆体である
ポリアミック酸の極性溶媒溶液を調製し、このポリアミ
ック酸溶液を使用して適当な塗装あるいは加工を行っだ
後、100〜200℃の温度で加熱処理し、ポリアミッ
ク酸からポリイミドへ閉環さIて目的のシリコン変性ポ
リイミドの被膜あるいはフィルム等を形成せしめる方法
や、トラレゾール等の溶媒中で等モルのテトラカルボン
酸二無水物とジアミン成分とを加熱してアミド化反応を
行うと共に、引続いて副生ずる水を反応系外に除去して
脱水しイミド化反応を行う脱水重縮合反応をさせる方法
(特開昭59−43.029号公報)等を挙げることが
できる。
ジアミン成分とを反応させる方法については、例えば、
これら両成分の等モルをトメチル−2−ピロリドン(N
MP)やジメチルアセトアミド(DMAc)等の極性溶
媒中に溶解し、80℃以下、好ましくは50℃以下の温
度で2〜10時間反応させ、ポリイミドの前駆体である
ポリアミック酸の極性溶媒溶液を調製し、このポリアミ
ック酸溶液を使用して適当な塗装あるいは加工を行っだ
後、100〜200℃の温度で加熱処理し、ポリアミッ
ク酸からポリイミドへ閉環さIて目的のシリコン変性ポ
リイミドの被膜あるいはフィルム等を形成せしめる方法
や、トラレゾール等の溶媒中で等モルのテトラカルボン
酸二無水物とジアミン成分とを加熱してアミド化反応を
行うと共に、引続いて副生ずる水を反応系外に除去して
脱水しイミド化反応を行う脱水重縮合反応をさせる方法
(特開昭59−43.029号公報)等を挙げることが
できる。
[作用]
本発明方法によって製造されるシリコン変性ポリイミド
は、そのイミド構造が六員環構造になっており、従来の
五員環イミド構造の場合に比べ、ポリアミック酸からポ
リイミドに閉環させる際のm層温度が低くてその開環効
率がより高くなり、また、構造上その歪みが少なくて熱
的により安定になると考えられる。
は、そのイミド構造が六員環構造になっており、従来の
五員環イミド構造の場合に比べ、ポリアミック酸からポ
リイミドに閉環させる際のm層温度が低くてその開環効
率がより高くなり、また、構造上その歪みが少なくて熱
的により安定になると考えられる。
[実施例]
以下、実施例及び比較例に基いて、本発明方法を具体的
に説明する。
に説明する。
実施例1
m−クレゾール5g中にジアミン成分として4,4゜−
ジアミノジフェニルエーテル183#y(0,9mmo
l)と1,3−ビス(3−アミノプロピル)−1,1゜
3.3−テトラメチルジシロキサン25mg(0,1m
mol)とを溶解し、この溶液中に撹拌下に4,4′,
5,5′−ジナフタレンテトラカルボン酸二無水物([
1NTC) 400111!J (1,01■ol)を
加え、窒素雰囲気下30℃で5時間撹拌して反応させ、
この時反応温度は上昇するが、さらに30分で180℃
まで昇温させ、10時間反応させた。この反応中、反応
混合物は100℃付近で褐色の均一な溶液になった。
ジアミノジフェニルエーテル183#y(0,9mmo
l)と1,3−ビス(3−アミノプロピル)−1,1゜
3.3−テトラメチルジシロキサン25mg(0,1m
mol)とを溶解し、この溶液中に撹拌下に4,4′,
5,5′−ジナフタレンテトラカルボン酸二無水物([
1NTC) 400111!J (1,01■ol)を
加え、窒素雰囲気下30℃で5時間撹拌して反応させ、
この時反応温度は上昇するが、さらに30分で180℃
まで昇温させ、10時間反応させた。この反応中、反応
混合物は100℃付近で褐色の均一な溶液になった。
反応終了後、得られた粘稠な溶液をメタノール250d
中に滴下し、生成した固形分を濾過して取出し、さらに
100dのメタノールで2回洗浄し、減圧下100℃で
2時間及び窒素雰囲気下200℃で1時間それぞれ乾燥
させ、目的のシリコン変性ポリイミドを得た。
中に滴下し、生成した固形分を濾過して取出し、さらに
100dのメタノールで2回洗浄し、減圧下100℃で
2時間及び窒素雰囲気下200℃で1時間それぞれ乾燥
させ、目的のシリコン変性ポリイミドを得た。
得られた実施例1のポリイミドについて、そのトラレゾ
ール及びN−メチル−2−ピロリドンに対する溶解性、
熱重聞分析による5z重固減少温度、トウレゾール中0
.597100m (30℃)の条件で測定した固有粘
度及び赤外線吸収スペクトルを測定した。溶解性、5x
重量減少温度及び固有粘度の結果を第1表に示し、また
、赤外線吸収スペクトルを第1図に示す。
ール及びN−メチル−2−ピロリドンに対する溶解性、
熱重聞分析による5z重固減少温度、トウレゾール中0
.597100m (30℃)の条件で測定した固有粘
度及び赤外線吸収スペクトルを測定した。溶解性、5x
重量減少温度及び固有粘度の結果を第1表に示し、また
、赤外線吸収スペクトルを第1図に示す。
実施例2〜6
第1表に示すテトラカルボン酸二無水物、芳香族ジアミ
ン及びシリコン含有ジアミンを第1表に示す割合で使用
し、第1表に示す反応条件で実施例1と同様に反応させ
、目的の実施例2〜6のシリコン変性ポリイミドを得た
。
ン及びシリコン含有ジアミンを第1表に示す割合で使用
し、第1表に示す反応条件で実施例1と同様に反応させ
、目的の実施例2〜6のシリコン変性ポリイミドを得た
。
得られた実施例2〜6のポリイミドについて、実施例1
と同様にその溶解性、5%tJ fi減少温度、固有粘
度及び赤外線吸収スペクトルを測定した。
と同様にその溶解性、5%tJ fi減少温度、固有粘
度及び赤外線吸収スペクトルを測定した。
溶解性、5z重量減少温度及び固有粘度の結果を第1表
に示し、また、赤外線吸収スペクトルを第2〜6図に示
す。
に示し、また、赤外線吸収スペクトルを第2〜6図に示
す。
実施例7
窒素ガスを流しながらN−メチル−2−ピロリドン20
戴中にジアミン成分として4,4°−ジアミノジフェニ
ルエーテル1.93g(9,Orp a+ol)と1.
3−ビス(3−アミノプロピル) −1,1,3,3−
テトラメチルジシロキサン0.259 (1,0−10
1)とを溶解し、この溶液中に撹拌下に1.4,5.8
−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物(NTCA)
2.68g(10mmOI)を少量づつ加え、反応温度
を30℃以下におさえて窒素雰囲気下で10時間撹拌し
ながら反応させた。この反応によって得られた反応混合
物は均一な濃褐色の溶液であり、これはポリアミック酸
のトメチル−2−ピロリドン溶液であった。得られたポ
リアミック酸の溶解性及びN−メチル−2−ピロリドン
中0.597100m (30℃)の条件で測定した固
有粘度の結果を第1表に示し、また、赤外線吸収スペク
トルを第7図に示ず。
戴中にジアミン成分として4,4°−ジアミノジフェニ
ルエーテル1.93g(9,Orp a+ol)と1.
3−ビス(3−アミノプロピル) −1,1,3,3−
テトラメチルジシロキサン0.259 (1,0−10
1)とを溶解し、この溶液中に撹拌下に1.4,5.8
−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物(NTCA)
2.68g(10mmOI)を少量づつ加え、反応温度
を30℃以下におさえて窒素雰囲気下で10時間撹拌し
ながら反応させた。この反応によって得られた反応混合
物は均一な濃褐色の溶液であり、これはポリアミック酸
のトメチル−2−ピロリドン溶液であった。得られたポ
リアミック酸の溶解性及びN−メチル−2−ピロリドン
中0.597100m (30℃)の条件で測定した固
有粘度の結果を第1表に示し、また、赤外線吸収スペク
トルを第7図に示ず。
次に、このようにして得られたポリアミック酸のN−メ
チル−2−ピロリドン溶液をガラス板上に塗布し、15
0℃で2時間及び200℃で1時間加熱処理し、このガ
ラス板上でポリアミック酸を閉環させ、ガラス板上にシ
リコン変性ポリイミドの被膜を形成せしめた。このガラ
ス板上に得られたシリコン変性ポリイミドの被膜はその
剥離が困難であった。
チル−2−ピロリドン溶液をガラス板上に塗布し、15
0℃で2時間及び200℃で1時間加熱処理し、このガ
ラス板上でポリアミック酸を閉環させ、ガラス板上にシ
リコン変性ポリイミドの被膜を形成せしめた。このガラ
ス板上に得られたシリコン変性ポリイミドの被膜はその
剥離が困難であった。
このようにしてガス板上で得られた実施例7のポリイミ
ドについてその赤外線吸収スペクトルを測定した結果、
実施例6に相当する赤外線吸収スペクトルが得られた。
ドについてその赤外線吸収スペクトルを測定した結果、
実施例6に相当する赤外線吸収スペクトルが得られた。
比較例
窒素を通しながら4,4°−ジアミノジフェニルエーテ
ル10.09 (0,05mol)をフラスコ中にイ」
込み、これに乾燥ジメチルアセトアミド(DMAc)1
60gを加えて溶解させ、この溶液を激しく撹拌しなが
ら無水ピロメリット酸10.9g(0,05mol)を
2〜3分間で添加し、反応混合物を室温で1時間撹拌し
、固有粘度1.5〜3.0 (0,5%DMAC溶液、
30℃)のポリアミック酸のDMAC溶液を得た。
ル10.09 (0,05mol)をフラスコ中にイ」
込み、これに乾燥ジメチルアセトアミド(DMAc)1
60gを加えて溶解させ、この溶液を激しく撹拌しなが
ら無水ピロメリット酸10.9g(0,05mol)を
2〜3分間で添加し、反応混合物を室温で1時間撹拌し
、固有粘度1.5〜3.0 (0,5%DMAC溶液、
30℃)のポリアミック酸のDMAC溶液を得た。
このポリアミックMDMAc溶液をガラス板上に塗布し
、80℃の通風(窒素ガス下)乾燥器で乾燥し、次いで
200℃で1時間及び300℃で1時間の加熱処理を行
ってガラス板上にポリイミドの被膜を形成した。
、80℃の通風(窒素ガス下)乾燥器で乾燥し、次いで
200℃で1時間及び300℃で1時間の加熱処理を行
ってガラス板上にポリイミドの被膜を形成した。
この比較例の場合にはポリアミック酸を閉環させるため
に300℃までの加熱処理が必要であった。
に300℃までの加熱処理が必要であった。
[発明の効果]
本発明方法によれば、優れた耐熱性を有し、しかも、溶
剤可溶性を有するほか、前駆体であるポリアミック酸か
らポリイミドへの閉環温度が低く、生産性や省エネルギ
ーの観点から有利であるばかりでなく、例えばアモルフ
ァスシリコンウェハ用の保護膜形成用ポリマーとして特
に有用である等、広範囲の用途に使用可能なシリコン変
性ポリイミドを製造することができる。
剤可溶性を有するほか、前駆体であるポリアミック酸か
らポリイミドへの閉環温度が低く、生産性や省エネルギ
ーの観点から有利であるばかりでなく、例えばアモルフ
ァスシリコンウェハ用の保護膜形成用ポリマーとして特
に有用である等、広範囲の用途に使用可能なシリコン変
性ポリイミドを製造することができる。
第1〜7図は実施例1〜7のポリマーについて測定した
赤外線吸収スペクトルを示すグラフ図である。 特許出願人 新日鐵化学株式会社代 理 人
弁理士 成 瀬 勝 夫(外2
名) 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 第7図
赤外線吸収スペクトルを示すグラフ図である。 特許出願人 新日鐵化学株式会社代 理 人
弁理士 成 瀬 勝 夫(外2
名) 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 第7図
Claims (1)
- (1)4,4′,5,5′−ジナフタレンテトラカルボ
ン酸二無水物及び/又は1,4,5,8−ナフタレンテ
トラカルボン酸二無水物からなるテトラカルボン酸二無
水物と、下記一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (但し、式中R_1は炭素数1〜4のアルキレン基、フ
ェニレン基又は置換フェニレン基を示し、R_2〜R_
5はアルキル基、フェニル基又は置換フェニル基であっ
て互いに同じであっても異なっていてもよく、Yは酸素
原子、フェニレン基又は置換フェニレン基を示す。)で
表されるシリコン含有ジアミンと又はこのシリコン含有
ジアミンと芳香族ジアミンとを反応させて製造すること
を特徴とするシリコン変性ポリイミドの製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7137986A JPS62230826A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | シリコン変性ポリイミドの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7137986A JPS62230826A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | シリコン変性ポリイミドの製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62230826A true JPS62230826A (ja) | 1987-10-09 |
Family
ID=13458808
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7137986A Pending JPS62230826A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | シリコン変性ポリイミドの製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62230826A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0263747A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-05 | Toshiba Corp | 樹脂被覆金属基体の製造方法およびサーマルヘッドの製造方法 |
JPH0346559A (ja) * | 1989-07-14 | 1991-02-27 | Hitachi Cable Ltd | 石英ガラスキャピラリ |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58152018A (ja) * | 1982-03-05 | 1983-09-09 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置の保護被膜材料用組成物 |
JPS6071662A (ja) * | 1983-09-28 | 1985-04-23 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 導電性銀ペ−スト組成物 |
-
1986
- 1986-03-31 JP JP7137986A patent/JPS62230826A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58152018A (ja) * | 1982-03-05 | 1983-09-09 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置の保護被膜材料用組成物 |
JPS6071662A (ja) * | 1983-09-28 | 1985-04-23 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 導電性銀ペ−スト組成物 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0263747A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-05 | Toshiba Corp | 樹脂被覆金属基体の製造方法およびサーマルヘッドの製造方法 |
JPH0346559A (ja) * | 1989-07-14 | 1991-02-27 | Hitachi Cable Ltd | 石英ガラスキャピラリ |
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