JPS62229934A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS62229934A JPS62229934A JP7112986A JP7112986A JPS62229934A JP S62229934 A JPS62229934 A JP S62229934A JP 7112986 A JP7112986 A JP 7112986A JP 7112986 A JP7112986 A JP 7112986A JP S62229934 A JPS62229934 A JP S62229934A
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- Granted
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にコンタクト
部の形成に改良を施したものである。
部の形成に改良を施したものである。
（従来の技術）
従来、半導体装置を例えば第２図（ａ）〜（Ｃ）に示す
如く形成されている。
如く形成されている。
まず、例えばＮ型のシリコン基板１の表面にフィールド
酸化１１！２を形成する。つづいて、このフィールド酸
化ＩＩ ２で囲まれた前記基板１の島領域３上に第１の
熱酸化膜４を形成する（第２図（ａ）図示）。なお、同
図（ａ）において、５（点部分）は結晶欠陥層である。
酸化１１！２を形成する。つづいて、このフィールド酸
化ＩＩ ２で囲まれた前記基板１の島領域３上に第１の
熱酸化膜４を形成する（第２図（ａ）図示）。なお、同
図（ａ）において、５（点部分）は結晶欠陥層である。
次いで、前記第１の熱酸化膜４を癲して前記島ｗＡ域３
にＢＦ２をイオン注入し、Ｐ＋型の拡散ｓｄを形成する
（第２図（ｂ）図示）。更に、全面に層間絶縁膜７を形
成した後、前記拡散層６上の眉間絶縁１１１７を選択的
に開孔してコンタクトホール８を形成する。この後、こ
のコンタクトボール８に取出し配［１９を形成して半導
体装置を製造する（第２図（Ｃ）図示）。
にＢＦ２をイオン注入し、Ｐ＋型の拡散ｓｄを形成する
（第２図（ｂ）図示）。更に、全面に層間絶縁膜７を形
成した後、前記拡散層６上の眉間絶縁１１１７を選択的
に開孔してコンタクトホール８を形成する。この後、こ
のコンタクトボール８に取出し配［１９を形成して半導
体装置を製造する（第２図（Ｃ）図示）。
しかしながら、従来技術によれば、第１の熱酸化膜４を
通してＢＦ２をイオン注入するため、拡Ｗ１層６中には
照射損傷により結晶欠陥層５が生じる。そこで、この結
晶欠陥層５を除去せずに層間絶縁膜７のコンタクトボー
ル８に取出し配線を形成すると、結晶欠陥に起因する３
ｉの析出が増大してコンタクト抵抗が大ぎくなり、信頼
性が低下する。
通してＢＦ２をイオン注入するため、拡Ｗ１層６中には
照射損傷により結晶欠陥層５が生じる。そこで、この結
晶欠陥層５を除去せずに層間絶縁膜７のコンタクトボー
ル８に取出し配線を形成すると、結晶欠陥に起因する３
ｉの析出が増大してコンタクト抵抗が大ぎくなり、信頼
性が低下する。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、ＢＦ２のイ
オン注入により生じた拡散層中の結晶欠陥層を除去し、
コンタクト抵抗の増加を抑制しえる半導体装置の製造方
法を提供することを目的とする。
オン注入により生じた拡散層中の結晶欠陥層を除去し、
コンタクト抵抗の増加を抑制しえる半導体装置の製造方
法を提供することを目的とする。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段と十令作用）本発明は、
第１の熱酸化膜を通してＢＦ２をイオン注入した時に基
板の島領域中に生じる結晶欠陥層を、−口笛１の熱酸化
膜を除去した後、ト（２３０４、Ｈ２Ｏ２，１−ＩＦ系
の薬品処理を施し、更に基板の島領域−Ｆに第２の熱酸
化膜を形成することにより、前記結晶欠陥層を除去し、
コンタクト抵抗の増加の抑制を図ったことを骨子とする
。
第１の熱酸化膜を通してＢＦ２をイオン注入した時に基
板の島領域中に生じる結晶欠陥層を、−口笛１の熱酸化
膜を除去した後、ト（２３０４、Ｈ２Ｏ２，１−ＩＦ系
の薬品処理を施し、更に基板の島領域−Ｆに第２の熱酸
化膜を形成することにより、前記結晶欠陥層を除去し、
コンタクト抵抗の増加の抑制を図ったことを骨子とする
。
即ち、本発明は、第１の熱酸化膜の除去後１−１２８０
４ 、Ｈ２Ｏ２系の薬品処理を施して化学吸着酸化する
ことによりＢＦ２をイオン注入時に発生した結晶欠陥層
の一部を酸化膜中に取込んだ後、ＨＦ系薬品処理を施す
ことにより結晶欠陥層を軽減し、更に第２の熱酸化膜の
形成により結晶欠陥層を該第２の熱酸化膜中に取込み欠
陥層を島領域から排除するものである。
４ 、Ｈ２Ｏ２系の薬品処理を施して化学吸着酸化する
ことによりＢＦ２をイオン注入時に発生した結晶欠陥層
の一部を酸化膜中に取込んだ後、ＨＦ系薬品処理を施す
ことにより結晶欠陥層を軽減し、更に第２の熱酸化膜の
形成により結晶欠陥層を該第２の熱酸化膜中に取込み欠
陥層を島領域から排除するものである。
（実施例）
以下、本発明の一実施例を第１図（ａ）〜（ｄ）を参照
して説明する。なお、従来と同部材は同符号を付して説
明を省略する。
して説明する。なお、従来と同部材は同符号を付して説
明を省略する。
まず、Ｎ型のシリコン基板１の表面にフィールド酸化Ｉ
Ｉ ２を形成した後、このフィールド酸化膜２で囲まれ
た島領域３に第１の熱酸化膜４を形成した。つづいて、
この熱酸化膜４を通して前記島領域３にＢＦ２をイオン
注入したく第１図（ａ）図示）。次いで、前記第１の熱
酸化膜４を除去した後、Ｈ２８０４、Ｈ２Ｏ２系の薬品
で処理を施し、結晶欠陥層５を化学吸着酸化して薄い酸
化膜（図示せず）中に取込む。しかる後、ｌ−Ｉ Ｆ系
薬品処理で上記結晶欠陥層５の上部を除去した（第１図
（ｂ）図示）。更に、９００℃、０２雰囲気で熱処理を
行なうことにより、前記島領域３上に厚さ２Ｏ０人の第
２の熱酸化膜１１を形成するとともに、島領１ｉｉ！３
にＮ型の拡散層６を形成した（第１図（Ｃ）図示）。な
お、この第２の熱酸化膜１１の形成により、一部残存す
る前記結晶欠陥層５は第２の熱酸化膜１１に完全に取込
まれ、拡散ＷａＧ中から除外される。以下、従来と同様
、全面に層間絶縁！！！７を形成した後、所定の箇所に
コンタクトホール８を形成し、更に取出し配＄１１９を
形成して半導体装置を製造した（第１図（ｄ）図示）。
Ｉ ２を形成した後、このフィールド酸化膜２で囲まれ
た島領域３に第１の熱酸化膜４を形成した。つづいて、
この熱酸化膜４を通して前記島領域３にＢＦ２をイオン
注入したく第１図（ａ）図示）。次いで、前記第１の熱
酸化膜４を除去した後、Ｈ２８０４、Ｈ２Ｏ２系の薬品
で処理を施し、結晶欠陥層５を化学吸着酸化して薄い酸
化膜（図示せず）中に取込む。しかる後、ｌ−Ｉ Ｆ系
薬品処理で上記結晶欠陥層５の上部を除去した（第１図
（ｂ）図示）。更に、９００℃、０２雰囲気で熱処理を
行なうことにより、前記島領域３上に厚さ２Ｏ０人の第
２の熱酸化膜１１を形成するとともに、島領１ｉｉ！３
にＮ型の拡散層６を形成した（第１図（Ｃ）図示）。な
お、この第２の熱酸化膜１１の形成により、一部残存す
る前記結晶欠陥層５は第２の熱酸化膜１１に完全に取込
まれ、拡散ＷａＧ中から除外される。以下、従来と同様
、全面に層間絶縁！！！７を形成した後、所定の箇所に
コンタクトホール８を形成し、更に取出し配＄１１９を
形成して半導体装置を製造した（第１図（ｄ）図示）。
本発明によれば、第１の熱酸化膜４を通してＢＦ２をイ
オン注入した後、第１の熱酸化膜４を除去し、更にＨ２
８０４、Ｈ２Ｏ２、ＨＦ系の薬品処理を施した後、第２
の熱酸化１！１１１を形成するため、上記薬品処理によ
り結晶欠陥層５を島領域３の表面に見掛Ｃプ上移動させ
、かつ第２の熱酸化膜１１中に結晶欠陥層５を取込むこ
とができろ。
オン注入した後、第１の熱酸化膜４を除去し、更にＨ２
８０４、Ｈ２Ｏ２、ＨＦ系の薬品処理を施した後、第２
の熱酸化１！１１１を形成するため、上記薬品処理によ
り結晶欠陥層５を島領域３の表面に見掛Ｃプ上移動させ
、かつ第２の熱酸化膜１１中に結晶欠陥層５を取込むこ
とができろ。
従って、結晶欠陥に起因するＳｉの析出が抑制され、低
いコンタクト抵抗を有する拡ｌｔＩ！層６と取出し配線
９の接続が可能となる。事実、本発明及び従来の半導体
装置によるコンタクト抵抗とコンタクトサイズ（正方形
のコンタクトにおける一辺の長さ）との関係を調べたと
ころ、第３図に示す結果が得られた。同図で、（イ）は
本発明の場合、（ロ）は従来の場合を夫々示す。同図に
より、本発明の場合が従来の場合と比ベコンタクト抵抗
が約１桁低下していることが確認できる。
いコンタクト抵抗を有する拡ｌｔＩ！層６と取出し配線
９の接続が可能となる。事実、本発明及び従来の半導体
装置によるコンタクト抵抗とコンタクトサイズ（正方形
のコンタクトにおける一辺の長さ）との関係を調べたと
ころ、第３図に示す結果が得られた。同図で、（イ）は
本発明の場合、（ロ）は従来の場合を夫々示す。同図に
より、本発明の場合が従来の場合と比ベコンタクト抵抗
が約１桁低下していることが確認できる。
［発明の効果１
以上詳述した如く本発明によれば、結晶欠陥層を除去し
てコンタクト抵抗を低減できる半導体装置の￥Ｊ造方法
を提供できる。
てコンタクト抵抗を低減できる半導体装置の￥Ｊ造方法
を提供できる。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例に係る半導体
装置の製造方法を工程順に示す断面図、第２図（ａ）〜
（Ｃ）は従来の半導体装置の製造方法を工程順に示す断
面図、第３図は本発明及び従来法による半導体装置のコ
ンタクトサイズとコンタクト抵抗との関係を示す特性図
である。 １・・・Ｎ型のシリコン基板、２・・・フィールド酸化
ｍ＜素子分離領域〉、３・・・島領域、４．１１・・・
熱酸化層（絶縁膜）、５・・・結晶欠陥層、６・・・拡
散層、７・・・層間絶縁膜、８・・・コンタクトホール
、９・・・取出し配線。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第 １ 図 第２図 １１２ １．４ １．６（シ）コンダ
グトサイス゛□ 第３図
装置の製造方法を工程順に示す断面図、第２図（ａ）〜
（Ｃ）は従来の半導体装置の製造方法を工程順に示す断
面図、第３図は本発明及び従来法による半導体装置のコ
ンタクトサイズとコンタクト抵抗との関係を示す特性図
である。 １・・・Ｎ型のシリコン基板、２・・・フィールド酸化
ｍ＜素子分離領域〉、３・・・島領域、４．１１・・・
熱酸化層（絶縁膜）、５・・・結晶欠陥層、６・・・拡
散層、７・・・層間絶縁膜、８・・・コンタクトホール
、９・・・取出し配線。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第 １ 図 第２図 １１２ １．４ １．６（シ）コンダ
グトサイス゛□ 第３図
Claims (1)
- 半導体基板の表面に素子分離領域を形成する工程と、こ
の素子分離領域で囲まれた島領域上に第１の熱酸化膜を
形成する工程と、この第１の熱酸化膜を通して前記島領
域にＢＦ＿２をイオン注入する工程と、前記第１の熱酸
化膜を除去する工程と、Ｈ＿２ＳＯ＿４、Ｈ＿２Ｏ＿２
、ＨＦ系の薬品処理を施す工程と、前記島領域上に第２
の熱酸化膜を形成する工程とを具備し、イオン注入時に
前記島領域中に発生した結晶欠陥層を除去することを特
徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7112986A JPS62229934A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7112986A JPS62229934A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62229934A true JPS62229934A (ja) | 1987-10-08 |
| JPH0587016B2 JPH0587016B2 (ja) | 1993-12-15 |
Family
ID=13451653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7112986A Granted JPS62229934A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62229934A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02153525A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH04273142A (ja) * | 1991-02-28 | 1992-09-29 | Fujitsu Ltd | イオン注入モニタリング方法 |
| JPH08130252A (ja) * | 1994-11-02 | 1996-05-21 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5238385A (en) * | 1975-09-23 | 1977-03-24 | Osamu Nakagawa | Accelerateefiring device for casttangling |
| JPS55102227A (en) * | 1979-01-29 | 1980-08-05 | Hitachi Ltd | Ion implantation |
-
1986
- 1986-03-31 JP JP7112986A patent/JPS62229934A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5238385A (en) * | 1975-09-23 | 1977-03-24 | Osamu Nakagawa | Accelerateefiring device for casttangling |
| JPS55102227A (en) * | 1979-01-29 | 1980-08-05 | Hitachi Ltd | Ion implantation |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02153525A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH04273142A (ja) * | 1991-02-28 | 1992-09-29 | Fujitsu Ltd | イオン注入モニタリング方法 |
| JPH08130252A (ja) * | 1994-11-02 | 1996-05-21 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0587016B2 (ja) | 1993-12-15 |
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