JPS62229799A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPS62229799A JPS62229799A JP61072865A JP7286586A JPS62229799A JP S62229799 A JPS62229799 A JP S62229799A JP 61072865 A JP61072865 A JP 61072865A JP 7286586 A JP7286586 A JP 7286586A JP S62229799 A JPS62229799 A JP S62229799A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- synchrotron
- accelerator
- electrons
- light
- storage ring
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- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Particle Accelerators (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、電子ビームを加速し、これを偏向することに
より得られるシンクロトロン光を、つlハ処理のための
光源として用いる半導体製造装置に関する。
より得られるシンクロトロン光を、つlハ処理のための
光源として用いる半導体製造装置に関する。
(従来の捜VFi)
半導体製造技術の1つにリソグラフィー手法がある。こ
のリソグラフィー手法はマスク上に作成した回路パター
ンを光によりウェハ上に焼付ることにより、LSI(大
規模集積回路)を製造する手法である。このリソグラフ
ィー手法にあって集積化の限界を決める要因の一つに光
の波長があげられる。現状では波長が数千人の遠紫外光
が使われているが、光源として波長が10人程度のX線
を使用すれば、波長が大幅に短縮されるため、LSIの
集積度をさらに向上することが可能となる。
のリソグラフィー手法はマスク上に作成した回路パター
ンを光によりウェハ上に焼付ることにより、LSI(大
規模集積回路)を製造する手法である。このリソグラフ
ィー手法にあって集積化の限界を決める要因の一つに光
の波長があげられる。現状では波長が数千人の遠紫外光
が使われているが、光源として波長が10人程度のX線
を使用すれば、波長が大幅に短縮されるため、LSIの
集積度をさらに向上することが可能となる。
このX1&光源には充分な強度という条件が必要となり
、この条件を満足する光源発生装置としてシンクロI・
ロン光放射VLIl!がある。この装置は、電子を相対
論的wARまで加速し、磁場等でその軌道を偏向すると
、電子のエネルギーと偏向半径とに応じた波長の光が発
生するものであり、これをシンクロトロン(放射)光と
いう。シンクロトロン光では、波長は、エネルギーと偏
向半径で与えられ、強度は電子数で与えられる。したが
って、充分な数の電子に必要なエネルギーを与え偏向す
ることにより必要な強度を有する10〜20人のxlI
I光を得ることができる。
、この条件を満足する光源発生装置としてシンクロI・
ロン光放射VLIl!がある。この装置は、電子を相対
論的wARまで加速し、磁場等でその軌道を偏向すると
、電子のエネルギーと偏向半径とに応じた波長の光が発
生するものであり、これをシンクロトロン(放射)光と
いう。シンクロトロン光では、波長は、エネルギーと偏
向半径で与えられ、強度は電子数で与えられる。したが
って、充分な数の電子に必要なエネルギーを与え偏向す
ることにより必要な強度を有する10〜20人のxlI
I光を得ることができる。
ここで、シンクロトロン光放射装置は、電子を加速し必
要なエネルギーを与える要素である加速器と、加速され
た電子を蓄積し、その軌道を偏向する部分からシンクロ
トロン光を得る蓄積リングとからなる。
要なエネルギーを与える要素である加速器と、加速され
た電子を蓄積し、その軌道を偏向する部分からシンクロ
トロン光を得る蓄積リングとからなる。
(発明の解決しようとする問題点)
加速器としては、直線状の電子線型加速器やリング状の
シンクロトロンが使用される。またここで用いる加速器
は、電子を加速し蓄積する時間が数十分程度なのに対し
、?jt積時開時間時間から数日に及ぶ。この場合蓄積
中には加速器は運転する必要はないため、加速器の運転
効率の悪いものとなっている。
シンクロトロンが使用される。またここで用いる加速器
は、電子を加速し蓄積する時間が数十分程度なのに対し
、?jt積時開時間時間から数日に及ぶ。この場合蓄積
中には加速器は運転する必要はないため、加速器の運転
効率の悪いものとなっている。
そこで、本発明の目的は、運転効率の良いシンクロトロ
ン光放射装置を光源として有する半導体製造装置を提供
することにある。
ン光放射装置を光源として有する半導体製造装置を提供
することにある。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
本発明は上記問題点を解決し且つ目的を達成するために
次のような手段を講じたことを特徴としている。すなわ
ち、電子を加速する加速器、並びにこの加速された電子
を導入してこれを蓄積し、シンクロトロン光を発生する
蓄積リングからなるシンクロトロン光放射装置と、この
シンクロトロン光を用いてウェハ処理する露光装置とか
ら構成される半導体製造装置において、上記加速器と蓄
積リングとの接続手段として偏向磁石を用いたことを特
徴とする。
次のような手段を講じたことを特徴としている。すなわ
ち、電子を加速する加速器、並びにこの加速された電子
を導入してこれを蓄積し、シンクロトロン光を発生する
蓄積リングからなるシンクロトロン光放射装置と、この
シンクロトロン光を用いてウェハ処理する露光装置とか
ら構成される半導体製造装置において、上記加速器と蓄
積リングとの接続手段として偏向磁石を用いたことを特
徴とする。
(作 用)
このような手段を講じたことにより、1台の加速器に対
し複数の蓄積リングと露光装置とを接続できるようにし
、もって加速器の運転効率の向上と生産能力の向上を図
ることを特徴とする。
し複数の蓄積リングと露光装置とを接続できるようにし
、もって加速器の運転効率の向上と生産能力の向上を図
ることを特徴とする。
(実施例)
以下本発明を第1図に示す一実施例にもとづいて説明す
る。本実施例は加速器としてシンクロトロン1を使用し
たものであり、電、子を加速するためのシンクロトロン
1の出射部2の後におかれた偏向磁石3を介して複数の
蓄積リング4a。
る。本実施例は加速器としてシンクロトロン1を使用し
たものであり、電、子を加速するためのシンクロトロン
1の出射部2の後におかれた偏向磁石3を介して複数の
蓄積リング4a。
4b・・・がつながれ、蓄積リング4a、4b・・・に
は露光装置5が接続される。
は露光装置5が接続される。
次に上記の如く構成された本実施例の作用について説明
する。すなわち、シンクロトロン1で加速された電子は
、出射部2から取り出され、ここで偏向磁石3の磁場を
制御することにより電子の進行方向が制御される。した
がってシンクロトロン1に対し?!数の蓄積リング4a
、4b・・・を接続し、偏向磁石3の磁場を変えること
で、まず蓄積リング4aに電子を入射させ、次に蓄積リ
ング4b、ざらに40と順次蓄積リングに電子を入射で
きる。
する。すなわち、シンクロトロン1で加速された電子は
、出射部2から取り出され、ここで偏向磁石3の磁場を
制御することにより電子の進行方向が制御される。した
がってシンクロトロン1に対し?!数の蓄積リング4a
、4b・・・を接続し、偏向磁石3の磁場を変えること
で、まず蓄積リング4aに電子を入射させ、次に蓄積リ
ング4b、ざらに40と順次蓄積リングに電子を入射で
きる。
ここで、蓄積リング4a、4b・・・の1台の電子を蓄
積する時間をTAx蓄積リング中で、電子が蓄積された
光を出し続ける時間をTsとすると、TA<Tsである
から、蓄積リングの台数をT s / T Aに近い整
数に選ぶことにより、シンクロトロン1は蓄積リング4
a 、 4b 、・・・、に次々と電子を入射させるた
めに運転しつづけられる。
積する時間をTAx蓄積リング中で、電子が蓄積された
光を出し続ける時間をTsとすると、TA<Tsである
から、蓄積リングの台数をT s / T Aに近い整
数に選ぶことにより、シンクロトロン1は蓄積リング4
a 、 4b 、・・・、に次々と電子を入射させるた
めに運転しつづけられる。
従って、シンクロトロンの使用効率が向上する。
またシンクロトロン1台に接続される蓄積リングの台数
を増加できるためそれに取り付けられる露光装置もふえ
、生産能力も向上する。
を増加できるためそれに取り付けられる露光装置もふえ
、生産能力も向上する。
以上述べたように本実施例では、1台のシンクロトロン
1に複数の蓄積リングの48,4b・・・を接続するこ
とにより、シンクロトロン1の使用効率の向上と、生産
能力の向上という効果が得られる。
1に複数の蓄積リングの48,4b・・・を接続するこ
とにより、シンクロトロン1の使用効率の向上と、生産
能力の向上という効果が得られる。
本発明は次のように変形して実施してもよい。
第2図は他の実施例であって、第1図と同じ作用をする
部分には同一符号をつけ説明は省略する。
部分には同一符号をつけ説明は省略する。
本実施例では、加速器として電子線形加速器6を使用す
ることにより、1回で加速される電子数が増加するため
、蓄積リング4に電子をためる時間が短かくなり、この
ため接続可能な蓄積リング数が増加する。従って、露光
袋W!5の台数も増加し生産能力がさらに増加する。
ることにより、1回で加速される電子数が増加するため
、蓄積リング4に電子をためる時間が短かくなり、この
ため接続可能な蓄積リング数が増加する。従って、露光
袋W!5の台数も増加し生産能力がさらに増加する。
[発明の効果丁
以上詳述したように本発明は、電子を加速する加速器、
並びにこの加速された電子を導入してこれを蓄積し、シ
ンクロトロン光を発生する蓄積リングからなるシンクロ
トロン光放射装置と、このシンクロトロン光を用いてウ
ェハ処理する露光装置とから構成される半導体製造装置
において、上記加速器と蓄積リングとの接続手段として
偏向磁石を用いた構成である。
並びにこの加速された電子を導入してこれを蓄積し、シ
ンクロトロン光を発生する蓄積リングからなるシンクロ
トロン光放射装置と、このシンクロトロン光を用いてウ
ェハ処理する露光装置とから構成される半導体製造装置
において、上記加速器と蓄積リングとの接続手段として
偏向磁石を用いた構成である。
この構成によれば、1台の加速器に対し複数の蓄積リン
グと露光装置とが接続できるようになり、もって加速器
の運転効率の向上とウェハ処理能力の向上とを図ること
ができる半導体製造装置が提供できるものである。
グと露光装置とが接続できるようになり、もって加速器
の運転効率の向上とウェハ処理能力の向上とを図ること
ができる半導体製造装置が提供できるものである。
第1図は本発明の一実施例を示す構成図、第2図は本発
明の他の実施例を示す構成図である。 1・・・シンクロトロン、2・・・出射部、3・・・偏
向磁石、4・・・蓄積リング、5・・・露光装置、6・
・・電子線形加速器。 第1図
明の他の実施例を示す構成図である。 1・・・シンクロトロン、2・・・出射部、3・・・偏
向磁石、4・・・蓄積リング、5・・・露光装置、6・
・・電子線形加速器。 第1図
Claims (1)
- 電子を加速する加速器、並びに加速された電子を導入し
てこれを蓄積し、シンクロトロン光を発生する蓄積リン
グからなるシンクロトロン光放射装置と、このシンクロ
トロン光を用いてウェハ処理する露光装置とから構成さ
れる半導体製造装置において、上記加速器と蓄積リング
との接続手段として偏向磁石を用いたことを特徴とする
半導体製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61072865A JPS62229799A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61072865A JPS62229799A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62229799A true JPS62229799A (ja) | 1987-10-08 |
Family
ID=13501655
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61072865A Pending JPS62229799A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62229799A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020085812A (ja) * | 2018-11-30 | 2020-06-04 | 株式会社日立製作所 | X線・中性子ハイブリッド撮像装置 |
-
1986
- 1986-03-31 JP JP61072865A patent/JPS62229799A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020085812A (ja) * | 2018-11-30 | 2020-06-04 | 株式会社日立製作所 | X線・中性子ハイブリッド撮像装置 |
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