JPH0661000A - 円形加速器及び円形加速器の運転方法並びに半導体露光装置 - Google Patents
円形加速器及び円形加速器の運転方法並びに半導体露光装置Info
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- JPH0661000A JPH0661000A JP4211240A JP21124092A JPH0661000A JP H0661000 A JPH0661000 A JP H0661000A JP 4211240 A JP4211240 A JP 4211240A JP 21124092 A JP21124092 A JP 21124092A JP H0661000 A JPH0661000 A JP H0661000A
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- deflecting
- magnets
- electron beam
- circular accelerator
- deflection
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H7/00—Details of devices of the types covered by groups H05H9/00, H05H11/00, H05H13/00
- H05H7/06—Two-beam arrangements; Multi-beam arrangements storage rings; Electron rings
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明の目的は、小型で、輝度の高い放射光を
発生できる円形加速器及び円形加速器の運転方法、並び
に高輝度の放射光を利用できる半導体露光装置を提供す
ることにある。 【構成】前段加速器１１から出射した電子ビーム１２を
入射器１３により蓄積リング内に入射させ、加速・蓄積
する。その後、主偏向磁石１４と補助偏向磁石１５の間
の直線軌道部に設置した挿入光源１８を励磁し、その内
部に交番磁界を発生させる。この交番磁界で電子ビーム
を蛇行又は螺旋運動させ、蛇行軌道の頂点又は螺旋軌道
上から放出される放射光を重ね合わせることによって、
輝度の高い放射光１９を発生させる。
発生できる円形加速器及び円形加速器の運転方法、並び
に高輝度の放射光を利用できる半導体露光装置を提供す
ることにある。 【構成】前段加速器１１から出射した電子ビーム１２を
入射器１３により蓄積リング内に入射させ、加速・蓄積
する。その後、主偏向磁石１４と補助偏向磁石１５の間
の直線軌道部に設置した挿入光源１８を励磁し、その内
部に交番磁界を発生させる。この交番磁界で電子ビーム
を蛇行又は螺旋運動させ、蛇行軌道の頂点又は螺旋軌道
上から放出される放射光を重ね合わせることによって、
輝度の高い放射光１９を発生させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子又は陽電子の円形
加速器に係り、特に小型で、輝度の高い放射光を発生す
るのに好適な円形加速器及びその運転方法に関する。
加速器に係り、特に小型で、輝度の高い放射光を発生す
るのに好適な円形加速器及びその運転方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の円形加速器に関しては、技術雑誌
月刊フィジクス Vol.５ No.１１，１９８４，p.７１１
〜p.７２１に記載のシンクロトロン放射光発生装置等が
ある。図２に示すシンクロトロン放射光発生装置の概略
図を用いて、従来例を説明する。前段加速器２１から出
射した電子又は陽電子ビーム（以下、電子ビーム等と呼
ぶ）を入射器系２２により蓄積リングに入射させる。入
射した電子ビーム等は、収束又は発散用４極磁石２６，
軌道補正用ステアリング磁石２７，偏向磁石２３により
周回軌道２８上に保持される。その後、電子ビーム等は
加速機能を有する蓄積リングの場合、高周波加速空胴２
５により所望のエネルギーまで蓄積リング内で加速され
る。また、所望エネルギーで入射する場合はそのエネル
ギーのまま蓄積される。所望エネルギーで蓄積された電
子ビーム等は、蓄積リング内を周回するとき、偏向磁石
２３により偏向される毎にそのエネルギーの一部を放射
光２４として放出する。この放射光を半導体の微細加工
等に使用する。この放射光の放出により失われるエネル
ギーを、蓄積リング内に設けられた高周波加速空胴２５
で補償することにより、所望エネルギーの電子ビーム等
を蓄積リング内の周回軌道２８上に保持することができ
る。偏向磁石２３から放出される放射光２４のうち長波
長域の輝度を高くする方法として、蓄積リング内の周回
軌道２８に沿って交番磁界を印加し、電子ビーム等に蛇
行又は螺旋運動をさせることにより、蛇行軌道の頂点又
は螺旋軌道上から放出される放射光を重ね合わせる挿入
型発光装置（以下、挿入光源と呼ぶ）１８が用いられて
いる。
月刊フィジクス Vol.５ No.１１，１９８４，p.７１１
〜p.７２１に記載のシンクロトロン放射光発生装置等が
ある。図２に示すシンクロトロン放射光発生装置の概略
図を用いて、従来例を説明する。前段加速器２１から出
射した電子又は陽電子ビーム（以下、電子ビーム等と呼
ぶ）を入射器系２２により蓄積リングに入射させる。入
射した電子ビーム等は、収束又は発散用４極磁石２６，
軌道補正用ステアリング磁石２７，偏向磁石２３により
周回軌道２８上に保持される。その後、電子ビーム等は
加速機能を有する蓄積リングの場合、高周波加速空胴２
５により所望のエネルギーまで蓄積リング内で加速され
る。また、所望エネルギーで入射する場合はそのエネル
ギーのまま蓄積される。所望エネルギーで蓄積された電
子ビーム等は、蓄積リング内を周回するとき、偏向磁石
２３により偏向される毎にそのエネルギーの一部を放射
光２４として放出する。この放射光を半導体の微細加工
等に使用する。この放射光の放出により失われるエネル
ギーを、蓄積リング内に設けられた高周波加速空胴２５
で補償することにより、所望エネルギーの電子ビーム等
を蓄積リング内の周回軌道２８上に保持することができ
る。偏向磁石２３から放出される放射光２４のうち長波
長域の輝度を高くする方法として、蓄積リング内の周回
軌道２８に沿って交番磁界を印加し、電子ビーム等に蛇
行又は螺旋運動をさせることにより、蛇行軌道の頂点又
は螺旋軌道上から放出される放射光を重ね合わせる挿入
型発光装置（以下、挿入光源と呼ぶ）１８が用いられて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、挿入光源は電
子ビーム等の直線軌道部に設置する必要があるので、小
型化を要求されるような蓄積リングでは、挿入光源を多
数設置できないという問題がある。即ち、小型蓄積リン
グは直線軌道部が少なく、その直線軌道部には前述した
ように４極磁石，ステアリング磁石，入射器系、及び高
周波加速空胴等が設置されるため、小型のまま多数の挿
入光源を設置して、輝度を高くすることはできない。
子ビーム等の直線軌道部に設置する必要があるので、小
型化を要求されるような蓄積リングでは、挿入光源を多
数設置できないという問題がある。即ち、小型蓄積リン
グは直線軌道部が少なく、その直線軌道部には前述した
ように４極磁石，ステアリング磁石，入射器系、及び高
周波加速空胴等が設置されるため、小型のまま多数の挿
入光源を設置して、輝度を高くすることはできない。
【０００４】本発明の目的は、小型で、輝度の高い放射
光を発生できる円形加速器及び円形加速器の運転方法、
並びに高輝度の放射光を利用できる半導体露光装置を提
供することにある。
光を発生できる円形加速器及び円形加速器の運転方法、
並びに高輝度の放射光を利用できる半導体露光装置を提
供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の第１の発明は、電子ビーム又は陽電子ビームの偏向を
行う偏向部に放射光を重ね合わせる手段を設けたもので
ある。
の第１の発明は、電子ビーム又は陽電子ビームの偏向を
行う偏向部に放射光を重ね合わせる手段を設けたもので
ある。
【０００６】上記目的を達成するための第２の発明は、
電子ビーム又は陽電子ビームの偏向を行う偏向部に複数
の偏向磁石を設け、該偏向磁石は励磁量が異なる隣合う
偏向磁石の組を有し、該偏向磁石の間に挿入光源を設け
たものである。
電子ビーム又は陽電子ビームの偏向を行う偏向部に複数
の偏向磁石を設け、該偏向磁石は励磁量が異なる隣合う
偏向磁石の組を有し、該偏向磁石の間に挿入光源を設け
たものである。
【０００７】第３の発明は、電子ビーム又は陽電子ビー
ムの偏向を行う偏向部に複数の偏向磁石を設け、該偏向
磁石は偏向半径が異なる隣合う偏向磁石の組を有し、該
偏向磁石の間に挿入光源を設けたものである。
ムの偏向を行う偏向部に複数の偏向磁石を設け、該偏向
磁石は偏向半径が異なる隣合う偏向磁石の組を有し、該
偏向磁石の間に挿入光源を設けたものである。
【０００８】第４の発明は、電子ビーム又は陽電子ビー
ムの偏向を行う偏向部に複数の偏向磁石を設け、該偏向
磁石は偏向角度が異なる隣合う偏向磁石の組を有し、該
偏向磁石の間に挿入光源を設けたものである。
ムの偏向を行う偏向部に複数の偏向磁石を設け、該偏向
磁石は偏向角度が異なる隣合う偏向磁石の組を有し、該
偏向磁石の間に挿入光源を設けたものである。
【０００９】第５の発明は、電子ビーム又は陽電子ビー
ムの偏向を行う偏向部に複数の偏向磁石を設け、該偏向
磁石は励磁量が異なる隣合う偏向磁石の組と、励磁量が
等しい隣合う偏向磁石の組とを有し、該励磁量が等しい
偏向磁石の間に挿入光源を設けたものである。
ムの偏向を行う偏向部に複数の偏向磁石を設け、該偏向
磁石は励磁量が異なる隣合う偏向磁石の組と、励磁量が
等しい隣合う偏向磁石の組とを有し、該励磁量が等しい
偏向磁石の間に挿入光源を設けたものである。
【００１０】第６の発明は、電子ビーム又は陽電子ビー
ムの偏向を行う偏向部から放射される放射光のうち、輝
度が最大となるピーク波長より長波長域の放射光を利用
するようにしたものである。
ムの偏向を行う偏向部から放射される放射光のうち、輝
度が最大となるピーク波長より長波長域の放射光を利用
するようにしたものである。
【００１１】第７の発明は、電子ビーム又は陽電子ビー
ムの入射時に挿入光源を動作させ、ビームのベータトロ
ン振動の放射減衰時間を短縮するようにしたものであ
る。
ムの入射時に挿入光源を動作させ、ビームのベータトロ
ン振動の放射減衰時間を短縮するようにしたものであ
る。
【００１２】第８の発明は、電子ビーム又は陽電子ビー
ムの偏向を行う偏向部に複数の偏向磁石を設け、該偏向
磁石は励磁量が異なる隣合う偏向磁石の組を有し、該偏
向磁石の間に挿入光源を設けた円形加速器と、前記偏向
部から放射される放射光を反射又は集光する手段と、該
手段で反射又は集光された放射光を用いて半導体基板上
に所望のパターンを転写するパターン転写装置とで構成
したものである。
ムの偏向を行う偏向部に複数の偏向磁石を設け、該偏向
磁石は励磁量が異なる隣合う偏向磁石の組を有し、該偏
向磁石の間に挿入光源を設けた円形加速器と、前記偏向
部から放射される放射光を反射又は集光する手段と、該
手段で反射又は集光された放射光を用いて半導体基板上
に所望のパターンを転写するパターン転写装置とで構成
したものである。
【００１３】
【作用】第１の発明では、放射光を重ね合わせる手段を
偏向部に設けることによって、偏向部で電子ビーム等か
ら放出される放射光を重ね合わせることができるので、
輝度の高い放射光を発生することができる。
偏向部に設けることによって、偏向部で電子ビーム等か
ら放出される放射光を重ね合わせることができるので、
輝度の高い放射光を発生することができる。
【００１４】第２の発明及び第５の発明では、励磁量が
異なる隣合う偏向磁石の組を有する複数の偏向磁石を偏
向部に設けることによって、偏向磁石の励磁量を適切に
選択すれば、偏向部の軌道長をほとんど変えずに、偏向
磁石間に直線軌道部を設けることができる。この偏向磁
石間の直線軌道部に挿入光源を設けることによって、挿
入光源内で電子ビーム等に蛇行又は螺旋運動をさせ、蛇
行軌道の頂点又は螺旋軌道上から放出される放射光を重
ね合わせることができるので、小型蓄積リングの大きさ
を変えずに輝度の高い放射光を発生することができる。
異なる隣合う偏向磁石の組を有する複数の偏向磁石を偏
向部に設けることによって、偏向磁石の励磁量を適切に
選択すれば、偏向部の軌道長をほとんど変えずに、偏向
磁石間に直線軌道部を設けることができる。この偏向磁
石間の直線軌道部に挿入光源を設けることによって、挿
入光源内で電子ビーム等に蛇行又は螺旋運動をさせ、蛇
行軌道の頂点又は螺旋軌道上から放出される放射光を重
ね合わせることができるので、小型蓄積リングの大きさ
を変えずに輝度の高い放射光を発生することができる。
【００１５】第３の発明では、偏向半径が異なる隣合う
偏向磁石の組を有する複数の偏向磁石を偏向部に設ける
ことによって、偏向磁石の偏向半径を適切に選択すれ
ば、偏向部の軌道長をほとんど変えずに、偏向磁石間に
直線軌道部を設けることができる。従って、この偏向磁
石間の直線軌道部に挿入光源を設けることによって、小
型蓄積リングの大きさを変えずに輝度の高い放射光を発
生することができる。
偏向磁石の組を有する複数の偏向磁石を偏向部に設ける
ことによって、偏向磁石の偏向半径を適切に選択すれ
ば、偏向部の軌道長をほとんど変えずに、偏向磁石間に
直線軌道部を設けることができる。従って、この偏向磁
石間の直線軌道部に挿入光源を設けることによって、小
型蓄積リングの大きさを変えずに輝度の高い放射光を発
生することができる。
【００１６】第４の発明では、偏向角度が異なる隣合う
偏向磁石の組を有する複数の偏向磁石を偏向部に設ける
ことによって、偏向磁石の偏向角度を適切に選択すれ
ば、偏向部の軌道長をほとんど変えずに、偏向磁石間に
直線軌道部を設けることができる。従って、この偏向磁
石間の直線軌道部に挿入光源を設けることによって、小
型蓄積リングの大きさを変えずに輝度の高い放射光を発
生することができる。
偏向磁石の組を有する複数の偏向磁石を偏向部に設ける
ことによって、偏向磁石の偏向角度を適切に選択すれ
ば、偏向部の軌道長をほとんど変えずに、偏向磁石間に
直線軌道部を設けることができる。従って、この偏向磁
石間の直線軌道部に挿入光源を設けることによって、小
型蓄積リングの大きさを変えずに輝度の高い放射光を発
生することができる。
【００１７】第６の発明では、偏向部から放射される放
射光のうち、輝度が最大となるピーク波長より長波長域
の放射光を利用することによって、ミラー等の反射手段
を適切に選択すれば、広範囲な反射角に渡って放射光を
反射・集光できるので、輝度の高い放射光とすることが
できる。
射光のうち、輝度が最大となるピーク波長より長波長域
の放射光を利用することによって、ミラー等の反射手段
を適切に選択すれば、広範囲な反射角に渡って放射光を
反射・集光できるので、輝度の高い放射光とすることが
できる。
【００１８】第７の発明では、電子ビーム等の入射時に
挿入光源を動作させ、ビームのベータトロン振動の放射
減衰時間を短縮することによって、低エネルギーの電子
ビーム等を多数回蓄積リング内に入射できる。従って、
蓄積リング内の蓄積電流を増加させ、輝度の高い放射光
を発生することができる。
挿入光源を動作させ、ビームのベータトロン振動の放射
減衰時間を短縮することによって、低エネルギーの電子
ビーム等を多数回蓄積リング内に入射できる。従って、
蓄積リング内の蓄積電流を増加させ、輝度の高い放射光
を発生することができる。
【００１９】第８の発明では、励磁量が異なる隣合う偏
向磁石の組を有する複数の偏向磁石を偏向部に設けるこ
とにより、偏向磁石の励磁量を適切に選択すれば、偏向
部の軌道長をほとんど変えずに偏向磁石間に直線軌道部
を設けることができる。従って、この偏向磁石間の直線
軌道部に挿入光源を設けることにより小型蓄積リングの
大きさを変えずに輝度の高い放射光を発生することがで
き、この放射光を用いることにより高輝度の半導体露光
処理を行うことができる。
向磁石の組を有する複数の偏向磁石を偏向部に設けるこ
とにより、偏向磁石の励磁量を適切に選択すれば、偏向
部の軌道長をほとんど変えずに偏向磁石間に直線軌道部
を設けることができる。従って、この偏向磁石間の直線
軌道部に挿入光源を設けることにより小型蓄積リングの
大きさを変えずに輝度の高い放射光を発生することがで
き、この放射光を用いることにより高輝度の半導体露光
処理を行うことができる。
【００２０】
【実施例】図１を用いて本発明の第１の実施例を説明す
る。図１は、電子ビームを用いたレーストラック型のシ
ンクロトロン放射光発生装置の概略図を示す。同図は、
電子ビームを加速・蓄積する蓄積リングと、蓄積リング
に電子ビーム１２を入射させる前段加速器１１からな
る。蓄積リングは、電子ビーム１２の入射器１３と、収
束又は発散用の４極磁石１６と、エネルギー供給用の高
周波加速空胴１７と、偏向用の偏向部とからなる。偏向
部は、主偏向磁石１４と補助偏向磁石１５とで構成さ
れ、主偏向磁石１４の励磁量を補助偏向磁石１５の励磁
量よりも大きくして、主偏向磁石１４と補助偏向磁石１
５の間に作った直線軌道部に４ケの挿入光源１８を配置
している。前段加速器１１から出射した電子ビーム１２
を入射器１３により蓄積リング内に入射させた後、主偏
向磁石１４，補助偏向磁石１５，４極磁石１６、及び高
周波加速空胴１７をパターン運転することによって、所
望のエネルギーまで電子ビームをシンクロトロン加速
し、蓄積リング内に蓄積する。電子ビームを蓄積後、主
偏向磁石１４と補助偏向磁石１５の間の直線軌道部に設
置した挿入光源１８を励磁することにより挿入光源内に
交番磁界を発生させる。この交番磁界で電子ビームを蛇
行又は螺旋運動させ、蛇行軌道の頂点又は螺旋軌道上か
ら放出される放射光を重ね合わせることにより、輝度の
高い放射光１９を発生させることが可能となる。尚、挿
入光源として永久磁石を用い、その磁極幅を狭めること
により、上記放射光の重ね合わせを行うこともできる。
る。図１は、電子ビームを用いたレーストラック型のシ
ンクロトロン放射光発生装置の概略図を示す。同図は、
電子ビームを加速・蓄積する蓄積リングと、蓄積リング
に電子ビーム１２を入射させる前段加速器１１からな
る。蓄積リングは、電子ビーム１２の入射器１３と、収
束又は発散用の４極磁石１６と、エネルギー供給用の高
周波加速空胴１７と、偏向用の偏向部とからなる。偏向
部は、主偏向磁石１４と補助偏向磁石１５とで構成さ
れ、主偏向磁石１４の励磁量を補助偏向磁石１５の励磁
量よりも大きくして、主偏向磁石１４と補助偏向磁石１
５の間に作った直線軌道部に４ケの挿入光源１８を配置
している。前段加速器１１から出射した電子ビーム１２
を入射器１３により蓄積リング内に入射させた後、主偏
向磁石１４，補助偏向磁石１５，４極磁石１６、及び高
周波加速空胴１７をパターン運転することによって、所
望のエネルギーまで電子ビームをシンクロトロン加速
し、蓄積リング内に蓄積する。電子ビームを蓄積後、主
偏向磁石１４と補助偏向磁石１５の間の直線軌道部に設
置した挿入光源１８を励磁することにより挿入光源内に
交番磁界を発生させる。この交番磁界で電子ビームを蛇
行又は螺旋運動させ、蛇行軌道の頂点又は螺旋軌道上か
ら放出される放射光を重ね合わせることにより、輝度の
高い放射光１９を発生させることが可能となる。尚、挿
入光源として永久磁石を用い、その磁極幅を狭めること
により、上記放射光の重ね合わせを行うこともできる。
【００２１】ここで、図１の構成を用いたときの輝度の
増加について説明する。前段加速器１１としてレースト
ラックマイクロトロンを使用し、電子を２０ＭｅＶ程度
に加速して入射し、その後、蓄積リング内で１ＧｅＶま
で加速して蓄積する場合を考える。このとき、偏向磁石
の磁場Ｂは、 Ｂ＝Ｅ／（０.３ρ） …（数１） Ｂ：偏向磁場（Ｔ） Ｅ：電子のエネルギー（ＧｅＶ） ρ：偏向磁石の曲率半径（ｍ） となる。また、挿入光源１８から放出される放射光のピ
ーク波長λは、 λ＝λ0（１＋ｃＫ2）／２γ2 …（数２） λ ：挿入光源から放出される放射光のピーク波長
（ｍ） λ0 ：挿入光源のピッチ（ｍ） ｃ ：挿入光源の型で決まる定数 ｃ＝１／２ プレーナ型 ｃ＝１ ヘリカル型 Ｋ：挿入光源を特徴づける定数 Ｋ＝９３.４Ｂλ0 γ：相対論のガンマ（＝電子のビームエネルギー／電子
の静止エネルギー） と表わすことができる。挿入光源としてはアンジュレー
タとウイグラーとがあり、挿入光源内での電子ビームの
振動回数が多いものをアンジュレータ、振動回数が少な
いものをウイグラーと呼んでいる。数２に示した定数Ｋ
を用いれば、Ｋ≦１なるものがアンジュレータ、１≪Ｋ
なるものがウイグラーである。アンジュレータとウイグ
ラーとでは振動回数の差により、輝度を高める効果に違
いが生じる。即ち、アンジュレータでは図３の３３で示
すように、特定の波長の輝度を選択的に高めることがで
きる。これは、アンジュレータ内での振動回数が多いの
で、放射光の重ね合わせが十分に行われることにより、
波長が揃ってくるためである。これに対して、ウイグラ
ーでは図３の３２で示すように、アンジュレータのよう
な波長選択性はなく、広い波長域に渡って輝度が高くな
る。特に、偏向磁石のスペクトル３１に比べて、短波長
側の輝度を高くできることが特徴である。これは、ウイ
グラー内での振動回数が少ないので、放射光の重ね合わ
せが十分に行われないことによる。
増加について説明する。前段加速器１１としてレースト
ラックマイクロトロンを使用し、電子を２０ＭｅＶ程度
に加速して入射し、その後、蓄積リング内で１ＧｅＶま
で加速して蓄積する場合を考える。このとき、偏向磁石
の磁場Ｂは、 Ｂ＝Ｅ／（０.３ρ） …（数１） Ｂ：偏向磁場（Ｔ） Ｅ：電子のエネルギー（ＧｅＶ） ρ：偏向磁石の曲率半径（ｍ） となる。また、挿入光源１８から放出される放射光のピ
ーク波長λは、 λ＝λ0（１＋ｃＫ2）／２γ2 …（数２） λ ：挿入光源から放出される放射光のピーク波長
（ｍ） λ0 ：挿入光源のピッチ（ｍ） ｃ ：挿入光源の型で決まる定数 ｃ＝１／２ プレーナ型 ｃ＝１ ヘリカル型 Ｋ：挿入光源を特徴づける定数 Ｋ＝９３.４Ｂλ0 γ：相対論のガンマ（＝電子のビームエネルギー／電子
の静止エネルギー） と表わすことができる。挿入光源としてはアンジュレー
タとウイグラーとがあり、挿入光源内での電子ビームの
振動回数が多いものをアンジュレータ、振動回数が少な
いものをウイグラーと呼んでいる。数２に示した定数Ｋ
を用いれば、Ｋ≦１なるものがアンジュレータ、１≪Ｋ
なるものがウイグラーである。アンジュレータとウイグ
ラーとでは振動回数の差により、輝度を高める効果に違
いが生じる。即ち、アンジュレータでは図３の３３で示
すように、特定の波長の輝度を選択的に高めることがで
きる。これは、アンジュレータ内での振動回数が多いの
で、放射光の重ね合わせが十分に行われることにより、
波長が揃ってくるためである。これに対して、ウイグラ
ーでは図３の３２で示すように、アンジュレータのよう
な波長選択性はなく、広い波長域に渡って輝度が高くな
る。特に、偏向磁石のスペクトル３１に比べて、短波長
側の輝度を高くできることが特徴である。これは、ウイ
グラー内での振動回数が少ないので、放射光の重ね合わ
せが十分に行われないことによる。
【００２２】以下、一例としてヘリカル型アンジュレー
タを用いて説明する。ヘリカル型アンジュレータを用い
た場合の放射光の輝度Ｐは、 Ｐ＝６.５×１０11Ｅ2Ｎ2 …（数３） Ｐ：挿入光源を用いた時の輝度 Ｎ：挿入光源の周期数 と表わすことができる。挿入光源を用いないときの放射
光の輝度Ｐ´は、 Ｐ´＝２×１０11Ｅ2 …（数４） であるから、挿入光源を用いた場合、従来の輝度を挿入
光源の周期数の２乗に比例して増加させることができ
る。
タを用いて説明する。ヘリカル型アンジュレータを用い
た場合の放射光の輝度Ｐは、 Ｐ＝６.５×１０11Ｅ2Ｎ2 …（数３） Ｐ：挿入光源を用いた時の輝度 Ｎ：挿入光源の周期数 と表わすことができる。挿入光源を用いないときの放射
光の輝度Ｐ´は、 Ｐ´＝２×１０11Ｅ2 …（数４） であるから、挿入光源を用いた場合、従来の輝度を挿入
光源の周期数の２乗に比例して増加させることができ
る。
【００２３】次に小型化について説明する。放射光の波
長を一例として約１５０Åとする。放射光の輝度をでき
るだけ落とさないようにするため電子のエネルギーをＥ
＝１ＧｅＶ一定として、従来装置と本発明を図２と図１
を用いて比較する。
長を一例として約１５０Åとする。放射光の輝度をでき
るだけ落とさないようにするため電子のエネルギーをＥ
＝１ＧｅＶ一定として、従来装置と本発明を図２と図１
を用いて比較する。
【００２４】まず、従来装置の大きさを見積もる。従来
装置で偏向磁石から放出される放射光のピーク波長λ´
は、 λ´＝１８.６／（Ｅ2Ｂ） …（数５） λ´：偏向磁石から放出される放射光のピーク波長
（Å） で与えられる。ピーク波長をλ´＝１５０Åとするため
に必要な偏向磁石の磁場は数５より、Ｂ＝０.１２ Ｔと
なる。これに対応する偏向磁石の曲率半径は数１より、
ρ＝２７.８ ｍで、この偏向磁石を用いて図２のような
蓄積リングを構成すると蓄積リングの周長は最低でも約
１７０ｍと非常に大きくなる。そこで、輝度の低下を多
少認めても小型化することを優先させ、ピーク波長より
長波長域の放射光を利用することを考える。蓄積リング
を小型化するためには、偏向磁石の曲率半径ρを小さく
する必要がある。数１より曲率半径ρを小さくするため
には、偏向磁場Ｂを大きくする必要があり、これに伴
い、数５で表わされる放射光のピーク波長λ´は小さく
なる。いま、ピーク波長をλ´＝１０Åとすれば、図３
の３１で示した放射光のスペクトル特性から、波長１５
０Åにおける輝度はピーク波長における輝度Ｐ´の１／
３〜１／２程度に低下する。この輝度低下を認めれば、
数５より偏向磁場はＢ＝１.９Ｔ となり、これと数１よ
り曲率半径はρ＝１.８ｍ となる。これにより、蓄積リ
ング周長を直線軌道部を含めて約１７ｍと小さくでき
る。
装置で偏向磁石から放出される放射光のピーク波長λ´
は、 λ´＝１８.６／（Ｅ2Ｂ） …（数５） λ´：偏向磁石から放出される放射光のピーク波長
（Å） で与えられる。ピーク波長をλ´＝１５０Åとするため
に必要な偏向磁石の磁場は数５より、Ｂ＝０.１２ Ｔと
なる。これに対応する偏向磁石の曲率半径は数１より、
ρ＝２７.８ ｍで、この偏向磁石を用いて図２のような
蓄積リングを構成すると蓄積リングの周長は最低でも約
１７０ｍと非常に大きくなる。そこで、輝度の低下を多
少認めても小型化することを優先させ、ピーク波長より
長波長域の放射光を利用することを考える。蓄積リング
を小型化するためには、偏向磁石の曲率半径ρを小さく
する必要がある。数１より曲率半径ρを小さくするため
には、偏向磁場Ｂを大きくする必要があり、これに伴
い、数５で表わされる放射光のピーク波長λ´は小さく
なる。いま、ピーク波長をλ´＝１０Åとすれば、図３
の３１で示した放射光のスペクトル特性から、波長１５
０Åにおける輝度はピーク波長における輝度Ｐ´の１／
３〜１／２程度に低下する。この輝度低下を認めれば、
数５より偏向磁場はＢ＝１.９Ｔ となり、これと数１よ
り曲率半径はρ＝１.８ｍ となる。これにより、蓄積リ
ング周長を直線軌道部を含めて約１７ｍと小さくでき
る。
【００２５】一方、図１に示す本発明の場合、放射光の
ピーク波長λ＝１５０Åを実現するための挿入光源は、
例えばピッチ５cm、周期数１０，Ｋ＝１.１４(挿入光源
磁場＝０.２Ｔ）、全長０.８ｍとなる。いま、従来装置
との比較のために補助偏向磁石１５の磁場は従来と同じ
Ｂ＝１.９Ｔ とする。この場合、主偏向磁石の磁場を４
Ｔとすると、主偏向磁石と補助偏向磁石の間に挿入光源
を設置するための直線軌道部を約１ｍ作り出すことがで
きる。この蓄積リングの周長は約１７ｍであり、ピーク
波長を１０Åとした従来型のリングと同程度になる。ま
た、補助偏向磁石１５の磁場を強くしたり、磁場に勾配
をつけたりする（弱収束型とする）ことにより、さらに
小型のシステムを構成することが可能となる。この場
合、挿入光源から放出される放射光の輝度は、数３，数
４より従来型の約３２５倍となり、約３２５倍の電流を
蓄積することと等価になる。以上のように、本実施例に
よれば、小型で、輝度の高い放射光を発生することがで
きる。
ピーク波長λ＝１５０Åを実現するための挿入光源は、
例えばピッチ５cm、周期数１０，Ｋ＝１.１４(挿入光源
磁場＝０.２Ｔ）、全長０.８ｍとなる。いま、従来装置
との比較のために補助偏向磁石１５の磁場は従来と同じ
Ｂ＝１.９Ｔ とする。この場合、主偏向磁石の磁場を４
Ｔとすると、主偏向磁石と補助偏向磁石の間に挿入光源
を設置するための直線軌道部を約１ｍ作り出すことがで
きる。この蓄積リングの周長は約１７ｍであり、ピーク
波長を１０Åとした従来型のリングと同程度になる。ま
た、補助偏向磁石１５の磁場を強くしたり、磁場に勾配
をつけたりする（弱収束型とする）ことにより、さらに
小型のシステムを構成することが可能となる。この場
合、挿入光源から放出される放射光の輝度は、数３，数
４より従来型の約３２５倍となり、約３２５倍の電流を
蓄積することと等価になる。以上のように、本実施例に
よれば、小型で、輝度の高い放射光を発生することがで
きる。
【００２６】尚、上記実施例では、主偏向磁石１４の励
磁量を補助偏向磁石１５の励磁量よりも大きくしたもの
について説明したが、主偏向磁石１４の曲率半径又は偏
向角度を、補助偏向磁石１５の曲率半径又は偏向角度よ
りも大きくして、主偏向磁石１４と補助偏向磁石１５の
間に直線軌道部を作り、ここに挿入光源１８を設置して
も同様の効果が得られる。また、上記実施例では、レー
ストラック型蓄積リングの例について説明したが、これ
以外の構造の蓄積リングにおいても同様の効果が得られ
る。
磁量を補助偏向磁石１５の励磁量よりも大きくしたもの
について説明したが、主偏向磁石１４の曲率半径又は偏
向角度を、補助偏向磁石１５の曲率半径又は偏向角度よ
りも大きくして、主偏向磁石１４と補助偏向磁石１５の
間に直線軌道部を作り、ここに挿入光源１８を設置して
も同様の効果が得られる。また、上記実施例では、レー
ストラック型蓄積リングの例について説明したが、これ
以外の構造の蓄積リングにおいても同様の効果が得られ
る。
【００２７】次に、図４を用いて本発明の第２の実施例
を説明する。本実施例の基本構成は図１と同じで、図１
の主偏向磁石１４が２個の主偏向磁石１４１とその間に
設置した挿入光源１８とに置き変わっている。その他の
構成は図１と同じなので、ここでは説明を省略する。図
１に示した第１の実施例において、補助偏向磁石１５，
挿入光源１８、及び主偏向磁石１４により構成される偏
向部の電子軌道は、主偏向磁石１４の中心線に対して対
称となっている。従って、主偏向磁石１４をその中心線
で分割しても他の部分の電子軌道にはほとんど影響しな
い。主偏向磁石を中心線で２分割したものが図４に示す
第２の実施例である。２分割した主偏向磁石１４１の間
には直線軌道部が生じるので、ここにも挿入光源１８を
設置することが可能となる。従って、２ケ所の偏向部を
本実施例のように構成することにより、蓄積リングの周
長をあまり変化させずに蓄積リングに６個の挿入光源を
設置できるので、小型の蓄積リングで、輝度の高い放射
光を発生できると共に、放射光の取り出し領域を拡大で
きる。これにより、発生させた放射光を同時に、複数の
用途に利用することができる。
を説明する。本実施例の基本構成は図１と同じで、図１
の主偏向磁石１４が２個の主偏向磁石１４１とその間に
設置した挿入光源１８とに置き変わっている。その他の
構成は図１と同じなので、ここでは説明を省略する。図
１に示した第１の実施例において、補助偏向磁石１５，
挿入光源１８、及び主偏向磁石１４により構成される偏
向部の電子軌道は、主偏向磁石１４の中心線に対して対
称となっている。従って、主偏向磁石１４をその中心線
で分割しても他の部分の電子軌道にはほとんど影響しな
い。主偏向磁石を中心線で２分割したものが図４に示す
第２の実施例である。２分割した主偏向磁石１４１の間
には直線軌道部が生じるので、ここにも挿入光源１８を
設置することが可能となる。従って、２ケ所の偏向部を
本実施例のように構成することにより、蓄積リングの周
長をあまり変化させずに蓄積リングに６個の挿入光源を
設置できるので、小型の蓄積リングで、輝度の高い放射
光を発生できると共に、放射光の取り出し領域を拡大で
きる。これにより、発生させた放射光を同時に、複数の
用途に利用することができる。
【００２８】次に、図５を用いて本発明の第３の実施例
を説明する。本実施例では、蓄積リングの外側に偏向磁
石から放出される放射光を集光するミラー５１と、ミラ
ー５１で集光した放射光を用いて半導体基板上に所望の
パターンを転写するパターン転写装置５２とを設置して
いる。また、図１では蓄積リングの外側に配置していた
前段加速器１１を蓄積リングの内側に配置した。本実施
例の蓄積リングの基本構成は図１と同じであるので、こ
こでは説明を省略する。放射光のうちピーク波長以外の
輝度は、図３の３１で示したように低下するが、主偏向
磁石１４又は補助偏向磁石１５から放出される放射光の
うち、ピーク波長より長波長域の放射光をミラー５１で
集光することにより、この輝度低下を改善することがで
きる。即ち、長波長域の放射光を用いることにより、広
範囲な反射角に渡ってミラーを用いて放射光を反射・集
光できるので、放射光の輝度を高くすることができる。
こうして、輝度を高めた長波長域の放射光をパターン転
写装置５２に導くことにより、縮小露光処理などに利用
することができる。また、本実施例では偏向磁石から放
出される放射光を集光する例を示したが、挿入光源から
放出される放射光を集光することによって、複数の挿入
光源の放射光を重ね合わせて、より高輝度の放射光とす
ることもできる。更に、本実施例では前段加速器１１を
蓄積リングの内側に配置することにより、装置全体を小
型にすると共に、放射光の取り出し領域を広範囲に拡大
できるので、発生させた放射光を同時に、複数の用途に
利用できる。
を説明する。本実施例では、蓄積リングの外側に偏向磁
石から放出される放射光を集光するミラー５１と、ミラ
ー５１で集光した放射光を用いて半導体基板上に所望の
パターンを転写するパターン転写装置５２とを設置して
いる。また、図１では蓄積リングの外側に配置していた
前段加速器１１を蓄積リングの内側に配置した。本実施
例の蓄積リングの基本構成は図１と同じであるので、こ
こでは説明を省略する。放射光のうちピーク波長以外の
輝度は、図３の３１で示したように低下するが、主偏向
磁石１４又は補助偏向磁石１５から放出される放射光の
うち、ピーク波長より長波長域の放射光をミラー５１で
集光することにより、この輝度低下を改善することがで
きる。即ち、長波長域の放射光を用いることにより、広
範囲な反射角に渡ってミラーを用いて放射光を反射・集
光できるので、放射光の輝度を高くすることができる。
こうして、輝度を高めた長波長域の放射光をパターン転
写装置５２に導くことにより、縮小露光処理などに利用
することができる。また、本実施例では偏向磁石から放
出される放射光を集光する例を示したが、挿入光源から
放出される放射光を集光することによって、複数の挿入
光源の放射光を重ね合わせて、より高輝度の放射光とす
ることもできる。更に、本実施例では前段加速器１１を
蓄積リングの内側に配置することにより、装置全体を小
型にすると共に、放射光の取り出し領域を広範囲に拡大
できるので、発生させた放射光を同時に、複数の用途に
利用できる。
【００２９】次に、低エネルギーの電子ビーム入射時の
運転方法について説明する。工業用途を目指した放射光
発生装置では、設置面積の小さいことは第一に要求され
ることである。そのためには、蓄積リング内で所望のエ
ネルギーまで電子を加速する機能を有することは必須で
あり、これに応じて入射エネルギーを低くすることがで
きる。入射直後、電子ビームは大きなベータトロン振動
を有している。この振幅は、電子ビームが偏向磁石を通
過するとき放射光を放出することにより次第に減衰して
ゆく。しかし、電子ビームのエネルギーが小さいときに
は放出される放射光の波長が長く、放射パワーも小さい
ためこの減衰時間は非常に長い（数分〜数十分）。従っ
て、入射を多数回繰り返すことはできない。放射光のピ
ーク波長は、数１，数５より、電子のエネルギーの３乗
に逆比例し、偏向磁石の曲率半径に比例する。そこで、
図１に示す構成の蓄積リングに電子ビームを入射したと
きに主偏向磁石と補助偏向磁石の間に設置した挿入光源
を励磁し入射電子を蛇行又は螺旋運動させて放射光の放
出を促進させることによって、放射減衰時間を短縮する
ことができる。放射減衰時間が短縮されると入射電子ビ
ームの空間的広がり（エミッタンス）を小さくでき、入
射電子ビームの損失を抑えることができる。さらに、低
エネルギー状態でも多数回の電子ビーム入射が可能とな
り、蓄積電流を大電流化できる。従って、輝度の高い放
射光を発生することができる。
運転方法について説明する。工業用途を目指した放射光
発生装置では、設置面積の小さいことは第一に要求され
ることである。そのためには、蓄積リング内で所望のエ
ネルギーまで電子を加速する機能を有することは必須で
あり、これに応じて入射エネルギーを低くすることがで
きる。入射直後、電子ビームは大きなベータトロン振動
を有している。この振幅は、電子ビームが偏向磁石を通
過するとき放射光を放出することにより次第に減衰して
ゆく。しかし、電子ビームのエネルギーが小さいときに
は放出される放射光の波長が長く、放射パワーも小さい
ためこの減衰時間は非常に長い（数分〜数十分）。従っ
て、入射を多数回繰り返すことはできない。放射光のピ
ーク波長は、数１，数５より、電子のエネルギーの３乗
に逆比例し、偏向磁石の曲率半径に比例する。そこで、
図１に示す構成の蓄積リングに電子ビームを入射したと
きに主偏向磁石と補助偏向磁石の間に設置した挿入光源
を励磁し入射電子を蛇行又は螺旋運動させて放射光の放
出を促進させることによって、放射減衰時間を短縮する
ことができる。放射減衰時間が短縮されると入射電子ビ
ームの空間的広がり（エミッタンス）を小さくでき、入
射電子ビームの損失を抑えることができる。さらに、低
エネルギー状態でも多数回の電子ビーム入射が可能とな
り、蓄積電流を大電流化できる。従って、輝度の高い放
射光を発生することができる。
【００３０】尚、以上の実施例では電子ビームを用いた
例について説明したが、陽電子ビームを用いても同様の
効果は得られる。
例について説明したが、陽電子ビームを用いても同様の
効果は得られる。
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、小型で、輝度の高い放
射光を発生できる円形加速器及び円形加速器の運転方
法、並びに高輝度の放射光を利用できる半導体露光装置
を提供することができる。また、放射光の取り出し領域
を拡大できるので、発生させた放射光を同時に、複数の
用途に利用できる。
射光を発生できる円形加速器及び円形加速器の運転方
法、並びに高輝度の放射光を利用できる半導体露光装置
を提供することができる。また、放射光の取り出し領域
を拡大できるので、発生させた放射光を同時に、複数の
用途に利用できる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す概略図。
【図２】従来のシンクロトロン放射光発生装置を示す概
略図。
略図。
【図３】偏向磁石及び挿入光源から放出される放射光の
スペクトル特性を示す図。
スペクトル特性を示す図。
【図４】本発明の第２の実施例を示す概略図。
【図５】本発明の第３の実施例を示す概略図。
１１…前段加速器、１２…電子ビーム、１３…入射器、
１４…主偏向磁石、１５…補助偏向磁石、１６…４極磁
石、１７…高周波加速空胴、１８…挿入光源、１９…放
射光、３１…偏向磁石から放出される放射光スペクト
ル、３２…ウィグラーから放出される放射光スペクト
ル、３３…アンジュレータから放出される放射光スペク
トル、５１…ミラー、１４１…２分割した主偏向磁石。
１４…主偏向磁石、１５…補助偏向磁石、１６…４極磁
石、１７…高周波加速空胴、１８…挿入光源、１９…放
射光、３１…偏向磁石から放出される放射光スペクト
ル、３２…ウィグラーから放出される放射光スペクト
ル、３３…アンジュレータから放出される放射光スペク
トル、５１…ミラー、１４１…２分割した主偏向磁石。
Claims (11)
- 【請求項１】電子ビーム又は陽電子ビームを加速・蓄積
する円形加速器において、前記電子ビーム又は陽電子ビ
ームの偏向を行う偏向部に放射光を重ね合わせる手段を
設けたことを特徴とする円形加速器。 - 【請求項２】電子ビーム又は陽電子ビームを加速・蓄積
する円形加速器において、前記電子ビーム又は陽電子ビ
ームの偏向を行う偏向部に複数の偏向磁石を設け、該偏
向磁石は励磁量が異なる隣合う偏向磁石の組を有し、該
偏向磁石の間に挿入光源を設けたことを特徴とする円形
加速器。 - 【請求項３】電子ビーム又は陽電子ビームを加速・蓄積
する円形加速器において、前記電子ビーム又は陽電子ビ
ームの偏向を行う偏向部に複数の偏向磁石を設け、該偏
向磁石は偏向半径が異なる隣合う偏向磁石の組を有し、
該偏向磁石の間に挿入光源を設けたことを特徴とする円
形加速器。 - 【請求項４】電子ビーム又は陽電子ビームを加速・蓄積
する円形加速器において、前記電子ビーム又は陽電子ビ
ームの偏向を行う偏向部に複数の偏向磁石を設け、該偏
向磁石は偏向角度が異なる隣合う偏向磁石の組を有し、
該偏向磁石の間に挿入光源を設けたことを特徴とする円
形加速器。 - 【請求項５】電子ビーム又は陽電子ビームを加速・蓄積
する円形加速器において、前記電子ビーム又は陽電子ビ
ームの偏向を行う偏向部に複数の偏向磁石を設け、該偏
向磁石は励磁量が異なる隣合う偏向磁石の組と、励磁量
が等しい隣合う偏向磁石の組とを有し、該励磁量が等し
い偏向磁石の間に挿入光源を設けたことを特徴とする円
形加速器。 - 【請求項６】請求項２乃至請求項５の何れかに記載の円
形加速器において、前記挿入光源として、プレーナ型又
はヘリカル型のアンジュレータ、若しくは、プレーナ型
又はヘリカル型のウィグラーを用いたことを特徴とする
円形加速器。 - 【請求項７】電子ビーム又は陽電子ビームを加速・蓄積
する円形加速器において、前記電子ビーム又は陽電子ビ
ームの偏向を行う偏向部から放射される放射光のうち、
輝度が最大となるピーク波長より長波長域の放射光を利
用することを特徴とする円形加速器。 - 【請求項８】請求項７に記載の円形加速器において、前
記ピーク波長より長波長域の放射光を反射・集光する手
段を設けたことを特徴とする円形加速器。 - 【請求項９】請求項１乃至請求項８の何れかに記載の円
形加速器において、前記電子ビーム又は陽電子ビームの
前段加速器を蓄積リングの内側に設けたことを特徴とす
る円形加速器。 - 【請求項１０】請求項２乃至請求項６の何れかに記載の
円形加速器の運転方法において、前記電子ビーム又は陽
電子ビームの入射時に前記挿入光源を動作させることに
より、ビームのベータトロン振動の放射減衰時間を短縮
することを特徴とする円形加速器の運転方法。 - 【請求項１１】放射光を用いて半導体の露光処理を行う
半導体露光装置において、電子ビーム又は陽電子ビーム
の偏向を行う偏向部に複数の偏向磁石を設け、該偏向磁
石は励磁量が異なる隣合う偏向磁石の組を有し、該偏向
磁石の間に挿入光源を設けた円形加速器と、前記偏向部
から放射される放射光を反射又は集光する手段と、該手
段で反射又は集光された放射光を用いて半導体基板上に
所望のパターンを転写するパターン転写装置とで構成し
たことを特徴とする半導体露光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4211240A JPH0661000A (ja) | 1992-08-07 | 1992-08-07 | 円形加速器及び円形加速器の運転方法並びに半導体露光装置 |
| US08/102,737 US5477056A (en) | 1992-08-07 | 1993-08-06 | Circular accelerator, operation method thereof, and semiconductor irradiation system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4211240A JPH0661000A (ja) | 1992-08-07 | 1992-08-07 | 円形加速器及び円形加速器の運転方法並びに半導体露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0661000A true JPH0661000A (ja) | 1994-03-04 |
Family
ID=16602612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4211240A Pending JPH0661000A (ja) | 1992-08-07 | 1992-08-07 | 円形加速器及び円形加速器の運転方法並びに半導体露光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5477056A (ja) |
| JP (1) | JPH0661000A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000286097A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 加速器施設の操作制御装置 |
| WO2019223053A1 (zh) * | 2018-05-24 | 2019-11-28 | 新瑞阳光粒子医疗装备(无锡)有限公司 | 同步加速器 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2600109B2 (ja) * | 1994-09-05 | 1997-04-16 | 高エネルギー物理学研究所長 | 正イオン、負イオン両用入射装置 |
| JP3736343B2 (ja) * | 2000-03-09 | 2006-01-18 | 三菱電機株式会社 | 直流電子ビーム加速装置およびその直流電子ビーム加速方法 |
| JP2005228489A (ja) * | 2004-02-10 | 2005-08-25 | Japan Atom Energy Res Inst | 大強度狭帯域の軌道放射光を同時に複数のビームラインで利用可能にする方法 |
| US9000660B2 (en) * | 2010-11-15 | 2015-04-07 | Laurence H. Cooke | Uses of hydrocarbon nanorings |
| WO2012078242A1 (en) * | 2010-12-06 | 2012-06-14 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Methods of detection and identification of carbon-and nitrogen-containing materials |
| US10193300B2 (en) * | 2017-02-21 | 2019-01-29 | Lyncean Technologies, Inc. | Compact storage ring extreme ultraviolet free electron laser |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4491948A (en) * | 1981-02-13 | 1985-01-01 | Deacon David A G | Isochronous free electron laser |
| US4442522A (en) * | 1982-01-26 | 1984-04-10 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Circular free-electron laser |
| SE436962B (sv) * | 1983-06-17 | 1985-01-28 | Scanditronix Instr | Race-track mikrotron for lagring av en energirik elektronstrale |
| US4631743A (en) * | 1983-09-22 | 1986-12-23 | Agency Of Industrial Science & Technology | X-ray generating apparatus |
| EP0253283A3 (de) * | 1986-07-15 | 1988-07-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Anordnung zur Belichtung von Halbleiterscheiben mittels Synchrotronstrahlung in einem Lithographiegerät |
| US4992746A (en) * | 1988-04-26 | 1991-02-12 | Acctek Associates | Apparatus for acceleration and application of negative ions and electrons |
| JP2627543B2 (ja) * | 1988-09-05 | 1997-07-09 | キヤノン株式会社 | Ｓｏｒ露光システム |
| JPH03280586A (ja) * | 1990-03-29 | 1991-12-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 自由電子レーザ装置 |
-
1992
- 1992-08-07 JP JP4211240A patent/JPH0661000A/ja active Pending
-
1993
- 1993-08-06 US US08/102,737 patent/US5477056A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000286097A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 加速器施設の操作制御装置 |
| WO2019223053A1 (zh) * | 2018-05-24 | 2019-11-28 | 新瑞阳光粒子医疗装备(无锡)有限公司 | 同步加速器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5477056A (en) | 1995-12-19 |
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