JPS62198100A - 荷電粒子蓄積装置 - Google Patents
荷電粒子蓄積装置Info
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- JPS62198100A JPS62198100A JP3985286A JP3985286A JPS62198100A JP S62198100 A JPS62198100 A JP S62198100A JP 3985286 A JP3985286 A JP 3985286A JP 3985286 A JP3985286 A JP 3985286A JP S62198100 A JPS62198100 A JP S62198100A
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- charged particle
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- charged particles
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- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims description 37
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 26
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 claims description 20
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 8
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 5
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
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- Particle Accelerators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はシンクロトロン放射光を利用して、リソグラ
フィや物性研究を行うための荷電粒子蓄積装置に関する
ものである。
フィや物性研究を行うための荷電粒子蓄積装置に関する
ものである。
第2図は例えば「ダレスベリの2GeVシンクロトロン
放射源のプログレス レポート」、スラー、トンプソン
; ニエークリア インストルメント アンド メソッ
ド、 152.1978.1−7(rProgres
s Report on the 2GeV 5ync
hrotronRadiation 5ource (
SR5) at DARESBIIRYJ + V。
放射源のプログレス レポート」、スラー、トンプソン
; ニエークリア インストルメント アンド メソッ
ド、 152.1978.1−7(rProgres
s Report on the 2GeV 5ync
hrotronRadiation 5ource (
SR5) at DARESBIIRYJ + V。
P、 5IILLI!II and D、J、 THO
MPSON ; Nuclear In5tru*en
t and Method、 152.1978.1
−7 )に示されたシンクロトロン放射光を利用するた
めの荷電粒子蓄積装置を示し、また第3図は例えば「X
線リソグラフィ用蓄積リング設計」、パン・ステイーン
バーゲン、グローブマン;プロシーデインダスオプ 5
PTE−ザ インタナショナル ソサイエティ フォア
オプティカル エンジニアリング、 448475
(rStorage ring design fo
r X−ray 1ithography J +A
、van Steenbergen and W、G
robman ; Proceedings of
5PIE −the Internati。
MPSON ; Nuclear In5tru*en
t and Method、 152.1978.1
−7 )に示されたシンクロトロン放射光を利用するた
めの荷電粒子蓄積装置を示し、また第3図は例えば「X
線リソグラフィ用蓄積リング設計」、パン・ステイーン
バーゲン、グローブマン;プロシーデインダスオプ 5
PTE−ザ インタナショナル ソサイエティ フォア
オプティカル エンジニアリング、 448475
(rStorage ring design fo
r X−ray 1ithography J +A
、van Steenbergen and W、G
robman ; Proceedings of
5PIE −the Internati。
nal 5ociety for 0ptica
l Engeneering、Vol、448)に示
された他の荷電粒子蓄積装置を示す。両図において、1
は荷電粒子を入射するためのライナック、2は荷電粒子
を所定のエネルギまで加速するシンクロトロン、3は荷
電粒子を貯蓄する貯蓄槽、4は荷電粒子の進行方向を変
える偏向電磁石、5はシンクロトロン放射光を導くビー
ムライン、6は荷電粒子を収束する収束マグネット、ρ
は偏向電磁石4の曲率半径である。荷電粒子蓄積装置は
偏向電磁石の数とその曲率半径に応じているいろなもの
がある。
l Engeneering、Vol、448)に示
された他の荷電粒子蓄積装置を示す。両図において、1
は荷電粒子を入射するためのライナック、2は荷電粒子
を所定のエネルギまで加速するシンクロトロン、3は荷
電粒子を貯蓄する貯蓄槽、4は荷電粒子の進行方向を変
える偏向電磁石、5はシンクロトロン放射光を導くビー
ムライン、6は荷電粒子を収束する収束マグネット、ρ
は偏向電磁石4の曲率半径である。荷電粒子蓄積装置は
偏向電磁石の数とその曲率半径に応じているいろなもの
がある。
次に動作について第2図をもとに説明する。
ライナック1である程度のエネルギまで加速された荷電
粒子は、該ライナック1に続くビーム輸送系を通ってシ
ンクロトロン2へ導びかれ、該シンクロトロン2でもっ
と大きなエネルギ例えば0゜8X10’eVにまで加速
される。加速された荷電粒子は、貯蓄槽3へ貯蓄される
。このとき、加速された荷電粒子に力が働きその加速度
が変化すると、荷電粒子はフォトンすなわちシンクロト
ロン放射光を出して自らのエネルギを失うが、上記貯蓄
槽3のストレジリングに蓄えられた荷電粒子は、偏向電
磁石4で進行方向を変えられることにより進行方向にシ
ンクロトロン放射光を発生する。発生したシンクロトロ
ン放射光は、ビームライン5により外部へ導かれ、リソ
グラフィや物性研究に利用されることとなる。このとき
、荷電粒子を曲げる偏向電磁石の曲率半径ρは式(1)
で示され、Pは荷電粒子の運動量 qは電荷 Bは偏向電磁石が作る磁界 これより、磁界Bを強くすれば荷電粒子は急激に曲げら
れることとなる。一方、シンクロトロン放射光の臨界ス
ペクトルλCには、式(2)で示される関係がある。
粒子は、該ライナック1に続くビーム輸送系を通ってシ
ンクロトロン2へ導びかれ、該シンクロトロン2でもっ
と大きなエネルギ例えば0゜8X10’eVにまで加速
される。加速された荷電粒子は、貯蓄槽3へ貯蓄される
。このとき、加速された荷電粒子に力が働きその加速度
が変化すると、荷電粒子はフォトンすなわちシンクロト
ロン放射光を出して自らのエネルギを失うが、上記貯蓄
槽3のストレジリングに蓄えられた荷電粒子は、偏向電
磁石4で進行方向を変えられることにより進行方向にシ
ンクロトロン放射光を発生する。発生したシンクロトロ
ン放射光は、ビームライン5により外部へ導かれ、リソ
グラフィや物性研究に利用されることとなる。このとき
、荷電粒子を曲げる偏向電磁石の曲率半径ρは式(1)
で示され、Pは荷電粒子の運動量 qは電荷 Bは偏向電磁石が作る磁界 これより、磁界Bを強くすれば荷電粒子は急激に曲げら
れることとなる。一方、シンクロトロン放射光の臨界ス
ペクトルλCには、式(2)で示される関係がある。
λC〔人) =5.59p (m) /E’ (G
eV ) −(2)〔発明が解決しようとする問題点〕 従来の荷電粒子蓄積装置は以上のように構成されている
ので、同じ曲率半径を待つ偏向1!磁石が円周状に配置
されているために、放射光を利用施設へ導くためのビー
ムラインの本数をあまり多く取れず、また円形状の貯蓄
槽が入る敷地を用意しなければならなかった。そのため
、ビームラインを多く取ろうとすれば必然的に貯蓄槽の
径を大きくしなければならず、敷地及びシンクロトロン
放射光の有効利用という点で問題があった。さらに、従
来装置では各ビームラインから得られるスペクトルが決
まっており、リソグラフィや物性研究に際して適切なス
ペクトルを自由に得ることが困難であ−るという問題点
があった。
eV ) −(2)〔発明が解決しようとする問題点〕 従来の荷電粒子蓄積装置は以上のように構成されている
ので、同じ曲率半径を待つ偏向1!磁石が円周状に配置
されているために、放射光を利用施設へ導くためのビー
ムラインの本数をあまり多く取れず、また円形状の貯蓄
槽が入る敷地を用意しなければならなかった。そのため
、ビームラインを多く取ろうとすれば必然的に貯蓄槽の
径を大きくしなければならず、敷地及びシンクロトロン
放射光の有効利用という点で問題があった。さらに、従
来装置では各ビームラインから得られるスペクトルが決
まっており、リソグラフィや物性研究に際して適切なス
ペクトルを自由に得ることが困難であ−るという問題点
があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、貯蓄槽を収容するための敷地とシンクロトロ
ン放射光とを有効に利用でき、かつ必要なスペクトルの
シンクロトロン放射光を得ることのできる荷電粒子蓄積
装置を得ろことを目的とする。
たもので、貯蓄槽を収容するための敷地とシンクロトロ
ン放射光とを有効に利用でき、かつ必要なスペクトルの
シンクロトロン放射光を得ることのできる荷電粒子蓄積
装置を得ろことを目的とする。
この発明に係る荷電粒子蓄積装置は、曲率半径の異なる
多数の偏向電磁石を適宜配置して荷電粒子を所要の周回
軌道上を周回させるように貯蓄槽を形成したものである
。
多数の偏向電磁石を適宜配置して荷電粒子を所要の周回
軌道上を周回させるように貯蓄槽を形成したものである
。
この発明においては、曲率半径の異なる多数の偏向電磁
石を適宜配置して荷電粒子が所要の周回軌道上を周回す
るようにしたので、敷地の形状に見合った貯蓄槽を形成
でき、かつ多くのビームラインを得ることができ、さら
には偏向電磁石の磁界の強さが異なるために種々の放射
光スペクトルを得ることができる。
石を適宜配置して荷電粒子が所要の周回軌道上を周回す
るようにしたので、敷地の形状に見合った貯蓄槽を形成
でき、かつ多くのビームラインを得ることができ、さら
には偏向電磁石の磁界の強さが異なるために種々の放射
光スペクトルを得ることができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第1図はこの発明の一実施例による荷電粒子蓄積装置を
示し、図において、1〜3は第2図と同じものを示し、
5は貯N模3の内側あるいは外側に接して設けられ、シ
ンクロトロン放射光を導くビームライン、7は荷電粒子
が通過するチャンバ、4は荷電粒子の進行方向を変える
偏向電磁石で、これらはすべて曲率半径が異なり、従っ
て磁界の強さが異なるものであり、これらは敷地の形状
に合った荷電粒子周回軌道が得られるようにできるだけ
多(配置されている。また該電磁石の電源はすべて同一
で、そのコイルの巻き数は曲率半径に反比例するように
巻かれており、各偏向電磁石の磁界の強さは変えること
ができるようになっている。
示し、図において、1〜3は第2図と同じものを示し、
5は貯N模3の内側あるいは外側に接して設けられ、シ
ンクロトロン放射光を導くビームライン、7は荷電粒子
が通過するチャンバ、4は荷電粒子の進行方向を変える
偏向電磁石で、これらはすべて曲率半径が異なり、従っ
て磁界の強さが異なるものであり、これらは敷地の形状
に合った荷電粒子周回軌道が得られるようにできるだけ
多(配置されている。また該電磁石の電源はすべて同一
で、そのコイルの巻き数は曲率半径に反比例するように
巻かれており、各偏向電磁石の磁界の強さは変えること
ができるようになっている。
このような本実施例装置では、従来装置がその貯蓄槽が
同じ曲率半径の偏向電磁石からなる円形状であるために
敷地が有効に利用できず、また放射光ビームラインの本
数が偏向電磁石の個数に比例するため、ビームラインの
本数を増やすには偏向電磁石の個数を増やし、従って貯
蓄槽を大きくしなければならなかったのに比べ、曲率半
径の異なる多数の偏向電磁石を用いて貯蓄槽を所要の形
状に形成するようにしたので、 吋腕テレ手敷地を有効に利用することができ、かつ偏向
電磁石の個数が多いためにビームラインの本数を増やす
ことができシンクロトロン放射光を有効に利用できる。
同じ曲率半径の偏向電磁石からなる円形状であるために
敷地が有効に利用できず、また放射光ビームラインの本
数が偏向電磁石の個数に比例するため、ビームラインの
本数を増やすには偏向電磁石の個数を増やし、従って貯
蓄槽を大きくしなければならなかったのに比べ、曲率半
径の異なる多数の偏向電磁石を用いて貯蓄槽を所要の形
状に形成するようにしたので、 吋腕テレ手敷地を有効に利用することができ、かつ偏向
電磁石の個数が多いためにビームラインの本数を増やす
ことができシンクロトロン放射光を有効に利用できる。
さらに偏向電磁石の半径が異なり、磁界の強さも異なる
ので、発生するシンクロトロン放射光は種々のスペクト
ルのものを得ることができ、最も適切なスペクトルを選
択して物性研究に有効に利用できるばかりでなく、リソ
グラフィについても複数の種類の露光を一台の装置で行
うことが可能である。
ので、発生するシンクロトロン放射光は種々のスペクト
ルのものを得ることができ、最も適切なスペクトルを選
択して物性研究に有効に利用できるばかりでなく、リソ
グラフィについても複数の種類の露光を一台の装置で行
うことが可能である。
なお、上記実施例では、多数の偏向電磁石を同一平面内
に配置しているが、これは立体的に配置してよい。また
、偏向電磁石がら次の偏向電磁石までは直線のチャンバ
を用いているが、2つ以上の偏向電磁石を連結して配置
し、チャンバを用いなくてもよい。また、第1図では偏
向電磁石に続くビームラインを2本しか記していないが
、曲率半径が変わると1つの偏向電磁石から取ることの
できるビームラインの本数も変化するものであり、1つ
の偏向電磁石からできるだけ多くのビームラインを取る
ようにすることもできる。
に配置しているが、これは立体的に配置してよい。また
、偏向電磁石がら次の偏向電磁石までは直線のチャンバ
を用いているが、2つ以上の偏向電磁石を連結して配置
し、チャンバを用いなくてもよい。また、第1図では偏
向電磁石に続くビームラインを2本しか記していないが
、曲率半径が変わると1つの偏向電磁石から取ることの
できるビームラインの本数も変化するものであり、1つ
の偏向電磁石からできるだけ多くのビームラインを取る
ようにすることもできる。
以上のように、この発明によれば、曲率半径の異なる多
数の偏向1!磁石を適宜配置して荷電粒子を所要の周回
軌道上を周回させるように貯蓄槽を形成したので、貯蓄
槽を収容するための敷地をを効に利用でき、かつ多くの
ビームラインを設けてシンクロトロン放射光を有効に利
用できる。さらに、種々のスペクトルを有するシンクロ
トロン放射光を得ることができる効果がある。
数の偏向1!磁石を適宜配置して荷電粒子を所要の周回
軌道上を周回させるように貯蓄槽を形成したので、貯蓄
槽を収容するための敷地をを効に利用でき、かつ多くの
ビームラインを設けてシンクロトロン放射光を有効に利
用できる。さらに、種々のスペクトルを有するシンクロ
トロン放射光を得ることができる効果がある。
第1図はこの発明の一実施例による荷電粒子蓄積装置を
示す平面図、第2図は従来の荷電粒子蓄積装置を示す平
面図、第3図は従来の他の荷電粒子蓄積装置を示す平面
図である。 図において、1はライナック、2はシンクロトロン、3
は貯蓄槽、4は偏向電磁石、5はビームライン、6は収
束マグネット、7はチャンバである なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 第2図 j/7″klI 第3図 弓 6:佼jfη7.,1
示す平面図、第2図は従来の荷電粒子蓄積装置を示す平
面図、第3図は従来の他の荷電粒子蓄積装置を示す平面
図である。 図において、1はライナック、2はシンクロトロン、3
は貯蓄槽、4は偏向電磁石、5はビームライン、6は収
束マグネット、7はチャンバである なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 第2図 j/7″klI 第3図 弓 6:佼jfη7.,1
Claims (3)
- (1)曲率半径の異なる多数の偏向電磁石を適宜配置し
て荷電粒子を所要の周回軌道上を周回させるようにして
なる貯蓄槽と、 該貯蓄槽に荷電粒子を供給する荷電粒子供給装置と、 上記貯蓄槽の内側あるいは外側にこれに接して設けられ
放射光を取り出すための複数の放射光取り出し装置とを
備えたことを特徴とする荷電粒子蓄積装置。 - (2)上記貯蓄槽は多数の偏向電磁石が立体的に配置さ
れてなることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
荷電粒子蓄積装置。 - (3)上記偏向電磁石はすべて同一電源で駆動されるも
のであることを特徴とする特許請求の範囲第1項又は第
2項記載の荷電粒子蓄積装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3985286A JPS62198100A (ja) | 1986-02-24 | 1986-02-24 | 荷電粒子蓄積装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3985286A JPS62198100A (ja) | 1986-02-24 | 1986-02-24 | 荷電粒子蓄積装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62198100A true JPS62198100A (ja) | 1987-09-01 |
Family
ID=12564495
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3985286A Pending JPS62198100A (ja) | 1986-02-24 | 1986-02-24 | 荷電粒子蓄積装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62198100A (ja) |
-
1986
- 1986-02-24 JP JP3985286A patent/JPS62198100A/ja active Pending
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