JPS62227437A - 粒状物のペレツト化又はそれに類似した処理をする装置及び前記処理を実施する方法 - Google Patents

粒状物のペレツト化又はそれに類似した処理をする装置及び前記処理を実施する方法

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JPS62227437A
JPS62227437A JP62062798A JP6279887A JPS62227437A JP S62227437 A JPS62227437 A JP S62227437A JP 62062798 A JP62062798 A JP 62062798A JP 6279887 A JP6279887 A JP 6279887A JP S62227437 A JPS62227437 A JP S62227437A
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  • Devices And Processes Conducted In The Presence Of Fluids And Solid Particles (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は粒状物、特に薬剤又はそれに類似した物質のペ
レット化又はそれに類似した処理をする装置であって、
渦動層容器を有し、この渦動層容器内で下方から上方に
向けられたガス流が被処理物質と一緒に上昇させられ、
渦動層容器内に他の処理装置が設けられている形式のも
のに関する。
従来技術 これまでのペレット化方法においては粉末状の物質がミ
キサ内でこねられる。このこねられた物質は押出機にお
いて成形される。押出された物質はげラム又は回転する
ペレット化皿でベレット、つまシはぼ球状の粒状体に成
形される。
まだ湿っているベレットは別の作業過程、例えば渦動層
方法で乾燥される。
全体としてこのようなペレット化方法はまだ比較的に面
倒でかつ著しい装置的な費用を必要とし、特に1つの加
工ステージョンから次の加工ステージョンへの必要な転
換(例えばミキサー押出機−ペレット化皿)が欠点であ
る。
発明が解決しようとする問題点 本発明の課題は冒頭に述べた形式の装置においてベレッ
トの製造もしくは粒状物の処理を簡易化し、このために
必要な装置的な費用を減少させることである。
問題を解決するだめの手段 本発明の課題は冒頭に述べた装置において渦動層容器の
上方範囲にロータ円板が設けられていることによって解
決された。
発明の効果 本発明によって設けられたロータ円板は粒状物の偏向円
板として役立ち、粒状物は上方に向けられたガス流でロ
ータ円板の下面に衝突させられる。この粒状物は遠心力
の作用で助勢されて外方へ移動しかつ必要な場合には再
び渦動層に供給される。従ってロータ円板はペレット化
皿の機能を有する。粒状物はロータ円板の下面に衝突す
るときはまだ比較的に可塑性であるので、粒状物はそこ
で良好に丸められる。
実施態様 有利には渦動層容器内にはロータ円板の下方にガス流と
被処理物質とのために少なくとも1つの上昇管が設けら
れている。この場合には上昇管は高さ調節可能であると
有利である。これによって上昇管の範囲により強いガス
流が形成される流動案内路が形成される。従って被処理
物質の供給はロータ円板のほぼ中央に向かって行なわれ
、これによって循環する渦動層が得られる。高さ調節可
能であることによって一方では流動状態に対してかつ他
方ではその都度の処理物質に対して良好な適合が可能で
ある。
さらに本発明の別の1実施態様によれば上昇管の長さは
可変でありかつ上昇管区分は有利には薄膜処理区分とし
て役立つよ5になっている。
これによってもその都度の被処理物もしくは処理中に変
化する物質に対する適合を可能にする。
特に高さ調節可能性と相俟ってシーブ底に対してもロー
タ円板に対しても間隔が変化させられろ。これによって
種々異なる粒子の大きさと種々異なる流動速度と種々異
なるスプレー媒体とに対する適合が可能である。
有利には各上昇管には少な(とも1つの、特に同軸的で
有利には高さ調節可能なスプレーノズルが配属されてい
る。高さ調節可能なスプレーノズルによっては種々異な
る生産速度に対する調節が可能であるのでノズルはノズ
ルが材料密度のもつとも大きい範囲にスプレーするよう
になる。
本発明の別の1実施態様によればロータ円板の、処理室
に面した案内面に有利にはほぼ半径方向に延びる連行体
を宵している。これによって一方では塊が除かれ、他方
では回転方向への連行作用が強められる。これによって
ベレット又はそれに類似したものの丸めが助勢される。
有利には処理室の下側を制限する孔あき底には横断面が
可変である通過開口が設けられている。これによつ1プ
ロセス中にもガス速度及び量の変化が可能であり、ガス
速度が次第に大きくなるベレットに適合させられ得るよ
うになる。
有利には、ロータ円板を取囲むリングギャップ面は処理
室の下側のガス流入口の横断面よりも太き(選ばれてい
る。この場合にはリングギャップ面はガス流入口の横断
面よりも少なくとも1.1倍大きいと有利である。この
横断面比によってリングギャップ面の範囲におけるガス
流過速度の増加が回避されるので、細かい粒子もほぼ処
理室内に留まることになる。
本発明は粒状物、特に薬剤又はそれに類似したものを渦
動層方法を用いてペレット化又は処理する方法にも関す
る。この場合には少な(とも1つの下方から上方へ向け
られるガス流で被処理粒状物が上昇させられ、場合によ
っては他の処理が行なわれる。本発明による前記方法の
特徴はまだ可塑性の粒状物が上方に向けられたガス流で
ガス流の上端のあたりで回転する円板に供給されること
である。
既に本発明の装置との関係で記述したようにスプレー、
被覆、乾燥等を行なう渦動要処理と同時にペレット化と
圧縮とを行なうことができる。
本発明の他の特徴は特許請求の範囲の他の従属項に記載
されている。
次に図面について本発明を説明する: 第1図に示された渦動層装置は流動化できる粒子をペレ
ット処理又はその他の処理をするために役立つ。この装
置は外側のケーシング2を有し、このケーシング2は中
央範囲に渦動層容器3を形成している。この渦動層容器
3の下側は孔あき底生によって制限あれており、この孔
あき底4を通ってガス、例えば空気又は窒素が矢印PF
I(Figl)に応じて供給される。渦動層容器3の内
部では被処理物質は供給されたガスによって矢印PF2
で示すように移動させられろ。
渦動層容器3内には上昇管5があり、この上昇管5はケ
ーシング2に対してほぼ同心的にかつ孔あき板4に対し
て間隔をおいて配置されている。このような上昇管5は
矢印PF2で示された回転する渦動層の形成を助勢する
。この上昇管5には孔あき底生の中央に配置されたスプ
レーノズル6が配属されていた。
さらに本発明によれば渦動層容器3の上方範囲にはロー
タ円板7が配置されている。これによって一般的な渦動
層及び乾燥プロセスの他に同時にこの装置でペレット化
と圧縮とを行な5ことができる0この場合にはまず粒子
の大きさが0.011から3電までである流動可能な出
発材料が渦動層容器3に供給される。ガス流(PF2)
によって出発材料は上昇管5において上昇させられ、ス
プレーノズル6から噴出されるスプレー霧と接触させら
れる。このスプレー霧は固体分成分と・Zインダとを有
している。い(らか可塑性の粒子は渦動層の上方範囲に
おいて回転するロータ円板7に供給され、このロータ円
板7の下面8においてほぼ半径方向外方へ導かれ、再び
上昇管5における下方の入口範囲に供給される。これに
よってベレット化円板を用いた処理に相応する処理が行
なわれる。この場合に特に有利であるのはペレット化の
他に同時に他の流動化、圧縮及び乾燥が行なわれること
である。粒子はロータ円板7に当たるときにまだ比較的
に塑性であるので、粒子はそこで十分に丸められる。こ
の過程は数度繰返えもれ、粒子は2〜4倍に拡大される
。処理しよつとする粒子のプロセス中に増大する種々異
なる大きさに適合させるためには上昇管5、ロータ円板
7とスプレーノズル6は個々にかつ一緒に、有利1/C
は互いに無関係に高さ調節可能である。これは第1図に
半分ずつ異った位置で前述の部分が図示されていること
で示されている。上昇管5の高さ調節可能性は特に種々
異なる粒子の大きさ、種々異なる流動速度と種々異なる
スプレー媒体に適合させるために役立。スプレーノズル
が調節可能であることによって種々異なる粒子密度に調
節することができる。この場合にはスプレーノズル6は
有利には被処理物質の粒子密度が最大である範囲に合わ
せて調節される。この調節はチャージプロセス中に行な
われる。上昇管5の高さ位置を調節することによって孔
あき底生に対する間隔が拡大されるので、上昇管入口に
おいて相応のスゾース状態が形成される。同様にロータ
円板7を調節することによつ℃上昇管5の上端に対する
間隔の適合が得られる。さらに上昇管乙の長さをテレス
コープ式に変化させることもできる。これは他の装置の
前述の高さ調節可能性と組合わせて行なうこともできる
上昇管5の長さを増大させることによって特に、粒状物
容積が粒状物レベルの増大にともなって増大した場合に
粒状物が上昇管5内に落下して戻されることが回避され
る。
上昇管5及び(又は)ロータ円板7及び(又は)スプレ
ーノズル6を調節するためには有利にはプロセス計算機
を備えた装置が設けられていると有利である。これらの
装置によって生産もしくは処理に関連した制御を処理プ
ロセス中にも行なうことができろようになる。又、ロー
タ円板7の回転数も可変であると有利である。
上昇管区分は特に薄膜処理区分としても働くと有利であ
る。
第2図から第5図までにはロータ円板70種々異なる実
施例が示されている。第2図と第3図はロータ円板7の
下面8を示しており、そこにはほぼ半径方向で直線的(
第2図)に又は彎曲して延びる連行体9が示されている
。これによって被処理物質はコータ円板7に衝突したと
きにより良(回転方向に連行されるので、これによって
遠心力を受けた半径方向外方への運動が助勢される。こ
れは被レット化過程もしくは圧縮過程にとって有利であ
る。
ロータ円板7は最も簡単な実施例においては平らな円板
として構成されている。第1図ならびに第4図と第5図
においてはロータ円板7の変化実施例が示されている。
この場合には吊鐘状(第1図と第4図)又は円錐状に上
方に先細に(第5図)構成されている。このように彎曲
した又は傾斜した案内下面8を有する構成によって循環
させられた被処理物質を有する空気流の良好な偏向が得
られる。
ロータ円板7を取囲む、ロータ円板7の外壁とケーシン
グ壁11との間のリングギャップ面10は有利には孔あ
き底Φにおけるガス入口の横断面よりも太きい。この場
合にはガス入口の横断面は通過開口の相によって与えら
れる。これによって空気速度が高められることによって
リングギャップ面10の範囲において細かい粒子が渦動
層範囲から外へその上に配置されたフィルタ12に吸引
されろことが阻止される。有利であることはリングギャ
ップ面10がガス入口よりも少なくとも1.1倍大きい
ことである。
さらに唯一の上昇管50代つに複数の上昇管が1つの渦
動層容器3内に設けられていてもよい。又、複数のロー
タ円板と複数のスプレーノズル6が設けられていてもよ
い。この場合にはスプレーノズル6はマルチヘッドノズ
ルとして構成されていてもよい。これは単滴の大きさを
拡大することなしに、吹込まれた液体の総量を拡大した
い場合に有利である。
上昇管5内にはさらに流動方向を変向させるために案内
面13が配置されていてもよい。この案内面はスプレー
範囲における粒子に所定の密度を与えろため及び粒子と
スプレー媒体とを良好に接触させるために役立つ。
第6図には断面して示されたケーシング壁11と上昇管
5と共に孔あき底4が平面図で示されて℃・るーこの場
合には中央にスプレーノズル6のための開口14が示さ
れている。さらにこの場合には通過開口の横断面は孔あ
き底生の半径方向で見て異っていることが判る。上昇管
50投影面の外側の通過開口15aは、上昇管5の内部
にある通過開口15bよりも小さな直径を有している。
この異なる通過横断面によって循環する渦動層の形成が
助勢される。ケーシング壁11と孔あき底生との間の外
側のコーナ範囲においである程「デッド域」を回避する
ためには容器壁11に隣接して通過開口15aに比して
拡大された通過開口15Cが設けられている。この構成
は被処理物質“馨中央に戻すことを助ける。中央に戻さ
れた被処理物質は中央の主流ガスによって再び捉えられ
かつ上方へ運搬される。種々の半径範囲に種々異なる直
径の通過開口を設ける代りに、同様の効果は第7図に示
すように場合によっては同じ大きさの孔0)種々異なる
数で得ることもできろ。
処理室の下側を制限する孔あき底Φは第7図に示されて
いるように通過横断面を変化させることもできる。この
実施例においては上昇管5の投影面内の通過横断面だけ
が変化させられるようになっているが、孔あき底生の面
全体に亘って通過横断面を変化させることもできる。こ
れは有利には孔底が少なくとも2つの、有利には同じ大
きさの、互いに整合させることのできる通過開口15を
備えた、互いに相対的に調節可能な、特に回動可能な孔
あき円板を有していることによって行なうことができる
この両方の孔あき円板は第7図においてはいくらか相互
に回動させられている。この図示された位置ではまだ通
過横断面の半分が残っている。さらに孔あき底の直上に
は図示されていない細目シーブが配置されていてもよい
。この細目シーブによっては細かい粒子が通過開口15
を通って落下することを阻止する0孔あき底生の通過開
口15を変化させることによって処理プロセス中にも空
気速度を変化させることができ、ひいては処理中に拡大
するペレットに応じた適合が可能である。この場合には
通常はペレットが大きくなるにつれてガス速度が高めら
れる0 ロータ円板7の上方に示されたフィルタ12は有利には
複室のフィルタとして構成されている。これによってロ
ータ円板7の保持装置1駆動装置、制御装置等は好まし
い状態で配置できるO ケーシング2はこの実施例においては第1図に示すよう
に渦動屑処理室の範囲で円筒状に構成されかつ円錐状に
拡大する上方の付加部を有している。この図示された実
施例以外に容器は孔あき底生から出発して一貫して拡大
するように構成されていてもよい。拡大する形状は流動
方向に弛緩状態を得るために役立つ。
スプレーノズル6としてはいわゆる多物質ノズルを設け
ておくこともできる。この多物質ノズルによっては液状
の成分の他にガス状の成分をも渦動層に供給することが
可能である0このガスによっては液体ノズルから噴出さ
れる液体の加速を行なうことができる。この場合にはガ
ス流は有利にはリング状にかつほぼ同心的に液体ノズル
から噴出される。ガス流はこの場合には液滴の加速より
細かい懸濁状態、方向付は及びゾーン形成に役立つ。又
、スプレーノズル6はスプレー媒体の凝固を避けるため
に加熱可組であると有利である。
第8図においてはスプレーノズル6として複数のノズル
口を有するマルチヘッドノズルが設けられている。この
ようなマルチヘッドノズルはより多量のスプレー媒体を
噴出させると同時に極めて細かい噴霧状態を得ようとす
る場合に使用される。このような場合にシングルへツー
ノズルを用いると、不都合な形式で噴霧滴の中に比較的
に粒子の大きい噴霧滴が存在することになる。つまりマ
ルチヘッドノズルは噴出量が大きいにも拘らず、きわめ
て細かい噴霧状憐をもたらす。特にこのようなマルチヘ
ッドノズルは上昇管か大きい場合に使用される。
第8図においては外側ケーシング2は円錐状に上方に向
かって拡大されて構成部れている。
これによって所定の使用分計においてはより好ましい流
動状態が得られ、特に下方範囲において上昇管の下方の
入口に対する供給状態が改善される。
第9図に示された全体図にはロータ円板7の上方にある
フィルタ12の良好な配置が示されている。
渦動床における静電帯荷を阻止するためにはイオン化又
は空気湿化装置を設けておくことができる。
さらに第1図との関係で付言すれば、渦動層容器3にお
ける個々の構成部材(スプレーノズル6、上昇管5、ロ
ータ円板7)の相対位置と寸法は、被処理物質がロータ
円板7に衝突した場合に可塑性状態を維持し、所望のペ
レット化が可能であるように選ばれている。上昇管5の
周囲に形成された戻しベッドに達するまでの下方に向け
られた戻し搬送に際して、乾燥過程は少なくとも個々の
粒子が互いに付着し合わないようになるまで進行してい
なければならない。
又、既に述べたように複数の上昇管5と複数のスプレー
ノズル6とを設けておくこともできる。これはロータ円
板7についてもあてはまる。
このようなロータ円板7は単数又は複数の上昇管5をカ
バーするか又は各上昇管がそれぞれ個個のロータ円板を
有していることができる。
下から供給されたガス流(PFI)は分割された部分ガ
ス流で供給することもできる。この場合には一方では中
央範囲に上昇管の横断面に相応する部分ガス流を形成し
、それを取巻くリング範囲に第2の部分流を供給するこ
ともできる。第1図と第8図からは孔あき底生の下方で
既に相応のガス供給が行なわれていることが示されてい
る。これによって特に油脂をコーティングする場合に中
央範囲において外側範囲よりも温度の高い空気を供給す
ることができるようになる。この結果、上昇管5の内部
ではコーティングに必要な温度を与え、油脂をまだ液状
態に保つことができる。しかしこの被覆層はロータ円板
7の下面に衝突したときにはこのロータ円板において塑
性変形が可能になるまで硬化させられていなければなら
ない。このためには相応の冷却プロセスが必要であるが
、この冷却プロセスはリング範囲に温度の低い空気を供
給することで助勢される。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の複数の実施例を示すものであって、゛第
1図は本発明の渦動層装置の部分側面図、第2図と第3
図は互いに異なる構造を有する連行体を備えたロータ円
板の下面図、第4図と第5図は互いに異なる形状を有す
るロータ円板の横断面図、第6図は容器壁と上昇管と共
に示した孔あき底の上面図、第7図は通過横断面が減少
している上昇管範囲と共に示された孔あき底の、第6図
に相当する上面図、第8図は上方に円錐状に拡大するケ
ーシングを有する渦動層装置の、第1図に相当する図、
第9図は渦動層装置の全体側面図である。 1・・・渦動層装置、2・・・ケーシング、3・・・渦
動層容器、Φ・・・孔あき板、5・・・上昇管、6・・
・スプレーノズル、7・・・ロータ円板、8・・・下面
、9・・・連行体、10・・・リングギャップ面、ll
・・・ケーシング壁、13・・・案内面、14・・・開
口、15・・・通過開口 2  、、、、。 3  、、、、。 4  、、、、。 S  、、、、。 二IME ニ&? ’、 、、、、、          Is 、、、、
。 4a 、、、、、          15a 、、、
、。 S  、、、、、          ISb、、、、
。 11 、、、、、         15c 、、、、
。 14  、、、、。 i  、、、、。 2  、、、、。 3  、、、、。 /+  、、、、。 5  、、、、。 6  、、、、。 7  、、、、。 12  、、、、。 PFI 、、、、。 PF2 、、、、。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、粒状物、特に薬剤又はそれに類似した物質のペレッ
    ト化又はそれに類似した処理をする装置であつて、渦動
    層容器を有し、この渦動層容器内で下方から上方に向け
    られたガス流が被処理物質と一緒に上昇させられ、渦動
    層容器内に他の処理装置が設けられている形式のものに
    おいて、渦動層容器(3)の上方範囲にロータ円板(7
    )が設けられていることを特徴とする、粒状物のペレッ
    ト化又はそれに類似した処理をする装置。 2、渦動層容器(3)のロータ円板(7)の下方にガス
    流と被処理物質とのために少なくとも1つの上昇管(5
    )が設けられていて、この上昇管(5)が有利には高さ
    調節可能である、特許請求の範囲第1項記載の装置。 3、上昇管(5)の長さが可変でかつ上昇管区分が有利
    には薄膜処理区分として用いられている、特許請求の範
    囲第1項又は第2項記載の装置。 4、複数の、有利には高さ及び(又は)長さ調節可能な
    上昇管(5)が設けられている、特許請求の範囲第1項
    から第3項までのいずれか1つの項に記載の装置。 5、有利には各上昇管(5)に少なくとも1つの、特に
    同軸でかつ有利には高さ調節可能なスプレーノズル(6
    )が配属されている、特許請求の範囲第1項から第4項
    までのいずれか1つの項に記載の装置。 6、ロータ円板(7)が平らな円板として構成されてい
    る、特許請求の範囲第1項から第5項までのいずれか1
    つの項に記載の装置。 7、ロータ円板(7)の処理室に面した側が湾曲又は傾
    斜した案内面(8)として構成され、有利には吊鐘状の
    又は円錐状に上方に向かつて先細の輪郭を有している、
    特許請求の範囲第1項から第7項までのいずれか1つの
    項に記載の装置。 8、ロータ円板(7)の周囲のリングギャップ面(10
    )が処理室の下方のガス流入口よりも大きく、有利には
    1.1倍だけ大きい、特許請求の範囲第1項から第7項
    までのいずれか1つの項に記載の装置。 9、ロータ円板(7)が高さ調節可能に配置され、有利
    には回転数が可変である、特許請求の範囲第1項から第
    8項までのいずれか1つの項に記載の装置。 10、ロータ円板(7)の、処理室に面した案内面(8
    )が有利にはほぼ半径方向に延びる連行体(9)を有し
    ている、特許請求の範囲第1項から第9項までのいずれ
    か1つの項に記載の装置。 11、上昇管(5)に流動方向の変向又はそれに類似し
    たことを目的とした案内面(13)が配置されている、
    特許請求の範囲第1項から第10項までのいずれか1つ
    の項に記載の装置。 12、処理室の下側を制限する孔あき底(4)が横断の
    可変な通過開口(15)を有している、特許請求の範囲
    第1項から第11項までのいずれか1つの項に記載の装
    置。 13、孔あき底(4)が少なくとも2つの有利には同じ
    、互いに整合させることのできる通過開口(15)を備
    えた、互いに相対的に調節可能な、特に回動可能な孔あ
    き円板を有している、特許請求の範囲第12項記載の装
    置。 14、孔あき底の通過開口(15)の横断面及び(又は
    )数が孔あき底の半径方向の寸法に亘つて異つており、
    中央の孔あき底範囲に、つまりその上にある上昇管の横
    断面にほぼ相応する範囲に、半径方向で見て外方に、減
    少させられた通過横断面を有する範囲が接続され、この
    範囲に、特に容器壁(11)の近くにさらに通過横断面
    の拡大された範囲が接続されている、特許請求の範囲第
    1項から第13項までのいずれか1つの項に記載の装置
    。 15、有利には孔あき底(4)のすぐ上方に細目シーブ
    が配置されている、特許請求の範囲第1項から第14項
    までのいずれか1つの項に記載の装置。 16、少なくとも1つの有利には複室式のフィルタ(1
    2)がロータ円板(7)の上方に設けられている、特許
    請求の範囲第1項から第15項までのいずれか1つの項
    に記載の装置。 17、容器(2)が孔あき底(4)から出発して少なく
    とも区分的にほぼロータ円板の高さまで又はその上に円
    錐形に拡大する形を有している、特許請求の範囲第1項
    から第16項までのいずれか1つの項に記載の装置。 18、容器が少なくとも範囲的に円筒形であつて、その
    内部に場合によつては流動方向に円錐状に拡大する区分
    が接続されている、特許請求の範囲第1項から第17項
    までのいずれか1つの項に記載の装置。 19、スプレーノズルがマルチヘツドノズル及び(又は
    )ばあいによつては多物質ノズルとして構成されている
    、特許請求の範囲第1項から第18項までのいずれか1
    つの項に記載の装置。 20、有利には1つのプロセス計算機を備えた装置が生
    産及び(又は)処理に関連した、高さ及び(又は)長さ
    調節可能な上昇管(5)及び(又は)ロータ円板(7)
    及び(又は)スプレーノズル(6)及びそれに類似した
    ものの制御のために設けられている、特許請求の範囲第
    1項から第19項までのいずれか1つの項に記載の装置
    。 21、イオン化又は空気湿化装置が設けられている、特
    許請求の範囲第1項から第20項までのいずれか1つの
    項に記載の装置。 22、スプレーノズル(6)が加熱可能である、特許請
    求の範囲第1項から第21項までのいずれか1つの項に
    記載の装置。 23、下方から供給されるガス流のためにほぼ中央範囲
    にある供給部とこの範囲を取囲むリング範囲にある供給
    部とが別々に設けられている、特許請求の範囲第1項か
    ら第22項までのいずれか1つの項に記載の装置。 24、中央で供給された空気の温度がリング範囲で供給
    された空気の温度よりも高い、特許請求の範囲第23項
    記載の装置。 25、中央で供給された空気の容積流及び(又は)空気
    速度がリング範囲において供給された空気のそれよりも
    大きい、特許請求の範囲第23項記載の装置。 26、粒状物、特に薬剤又はそれに類似した物質のペレ
    ット化又はそれに類似した処理を渦動層方法を用いて行
    なう方法であつて、少なくとも1つの下方から上方に向
    けられたガス流で被処理粒状物を上昇させ、ばあいによ
    つては他の処理過程を行なう形式のものにおいて、まだ
    可塑性の粒状物を上方に向けられたガス流で上方の端部
    個所において、回転する円板に対して導くことを特徴と
    する、粒状物のペレット化又はそれに類似した処理をす
    る方法。 27、被処理物質を有利にはまだ可塑性の状態で渦動層
    の上方範囲で機械的に丸めかつ(又は)機械的に全渦動
    層に亘つて分配する、特許請求の範囲第26項記載の方
    法。 28、上昇管(5)又はそれに類似した案内を、処理中
    に被処理物質の大きさが増大するにつれて孔あき底に対
    する間隔を拡大するために上方に移動させる、特許請求
    の範囲第26項又は第27項記載の方法。 29、ロータ円板(7)を被処理物質の大きさが増大す
    るにつれて上方へ移動させる、特許請求の範囲第26項
    から第28項までのいずれか1つの項に記載の方法。 30、スプレーノズル(6)の高さ位置とスプレー強度
    を有利にはチヤージプロセスの進行中に物質密度が最大
    である範囲に合わせて調節する、特許請求の範囲第26
    項から第29項までのいずれか1つの項に記載の方法。 31、上方に向かつてロータ円板(7)に導かれた物質
    が外方へ変向させられる、特許請求の範囲第26項から
    第30項までのいずれか1つの項に記載の方法。 32、上方に向けられた空気流の少なくとも主要な部分
    を少なくとも一時的に1つの高さ区分の上に導き、被処
    理物質のスプレー処理の主要部分を案内された渦動層範
    囲で行ない、スプレー処理ゾーンを種々異なる渦動状態
    に応じて調節する、特許請求の範囲第26項から第31
    項記載の方法。 33、渦動層への被処理物質の流入量及び(又は)流入
    速度が変えられる、特許請求の範囲第26項から第32
    項までのいずれか1つの項に記載の方法。 34、被処理物質を区分的にかつ少なくとも一時的に圧
    縮し、圧縮した区分を少なくとも一時的に被覆剤のスプ
    レー円錐に適合させる、特許請求の範囲第26項から第
    33項までのいずれか1つの項に記載の方法。 35、処理開始にあたつて粒子の大きさがほぼ0.00
    1mm〜3mm、有利にはほぼ0.004mm〜ほぼ1
    mmである流動可能な材料を供給する、特許請求の範囲
    第26項から第34項までのいずれか1つの項に記載の
    方法。 36、下方から種々異なる温度に調節されたガス流を供
    給し、一方のガス流を中央範囲、上昇管の横断面に相応
    する範囲に供給しかつ他方のガス流をこれを取囲むリン
    グ範囲に供給する、特許請求の範囲第26項から第35
    項記載の方法。 37、下方から種々異なる空気速度を有する種々異なる
    容積流を供給し、一方のガス流を中央のほぼ上昇管の横
    断面に相応する範囲に供給し、他方の部分流を周囲のリ
    ング範囲に供給する、特許請求の範囲第26項から第3
    6項までのいずれか1つの項に記載の方法。
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