JPH0763609B2 - 粒状物のペレツト化又はそれに類似した処理をする装置及び前記処理を実施する方法 - Google Patents

粒状物のペレツト化又はそれに類似した処理をする装置及び前記処理を実施する方法

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JPH0763609B2
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グラツト・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は粒状物、特に薬剤又はそれに類似した物質のペ
レツト化又はそれに類似した処理をする装置であつて、
渦動層容器を有し、この渦動層容器内で下方から上方に
向けられたガス流が被処理物質と一緒に上昇させられ、
渦動層容器内に他の処理装置が設けられている形式のも
のに関する。
従来技術 これまでのペレツト化方法においては粉末状の物質がミ
サキ内でこねられる。このこねられた物質は押出機にお
いて成形される。押出された物質はドラム又は回転する
ペレツト化皿でペレツト、つまりほぼ球状の粒状体に成
形される。まだ湿つているペレツトは別の作業過程、例
えば渦動層方法で乾燥される。
全体としてこのようなペレツト化方法はまだ比較的に面
倒でかつ著しい装置的な費用を必要とし、特に１つの加
工ステーシヨンから次の加工ステーシヨンへの必要な転
換（例えばミキサー押出機−ペレツト化皿）が欠点であ
る。
発明が解決しようとする問題点 本発明の課題は冒頭に述べた形式の装置においてペレツ
トの製造もしくは粒状物の処理を簡易化し、このために
必要な装置的な費用を減少させることである。
問題を解決するための手段 本発明の課題は冒頭に述べた装置において渦動層容器の
上方範囲にロータ円板が設けられていることによつて解
決された。
発明の効果 本発明によつて設けられたロータ円板は粒状物の偏向円
板として役立ち、粒状物は上方に向けられたガス流でロ
ータ円板の下面に衝突させられる。この粒状物は遠心力
の作用で助勢されて外方へ移動しかつ必要な場合には再
び渦動層に供給される。従つてロータ円板はペレツト化
皿の機能を有する。粒状物はロータ円板の下面に衝突す
るときはまだ比較的に可塑性であるので、料状物はそこ
で良好に丸められる。
実施態様 有利には渦動層容器内にはロータ円板の下方にガス粒と
被処理物質とのために少なくとも１つの上昇管が設けら
れている。この場合には上昇管は高さ調節可能であると
有利である。これによつて上昇管の範囲により強いガス
流が形成される流動案内路が形成される。従つて被処理
物質の供給はロータ円板のほぼ中央に向かつて行なわ
れ、これによつて循環する渦動層が得られる。高さ調節
可能であることによつて一方では流動状態に対してかつ
他方ではその都度の処理物質に対して良好な都合が可能
である。
さらに本発明の別の１実施例態様によれば上昇管の長さ
は可変でありかつ上昇管区分は有利には薄膜処理区分と
して役立つようになつている。これによつてもその都度
の被処理物もしくは処理中に変化する物質に対する都合
を可能にする。特に高さ調節可能性と相俟つてシーブ底
に対してもロータ円板に対しても間隔が変化させられ
る。これによつて種々異なる粒子の大きさと種々異なる
流動速度と種々異なるスプレー媒体とに対する適合が可
能である。
有利には各上昇管には少なくとも１つの、特に同軸的で
有利には高さ調節可能なスプレーノズルが配属されてい
る。高さ調節可能なスプレーノズルによつては種々異な
る生産速度に対する調節が可能であるのでノズルはノズ
ルが材料密度のもつとも大きい範囲にスプレーするよう
になる。
本発明の別の１実施例態様によればロータ円板の、処理
室に面した案内面に有利にはほぼ半径方向に延びる連行
体を有している。これによつて一方では塊が除かれ、他
方では回転方向への連行作用が強められる。これによつ
てペレツト又はそれに類似したものの丸めが助勢され
る。
有利には処理室の下側を制限する孔あき底には横断面が
可変である通過開口が設けられている。これによつてプ
ロセス中にもガス速度及び量の変化が可能であり、ガス
速度が次第に大きくなるペレツトに適合させられ得るよ
うになる。
有利には、ロータ円板を取囲むリングギヤツプ面は処理
室の下側のガス流入口の横断面よりも大きく選ばれてい
る。この場合にはリングギヤツプ面はガス流入口の横断
面よりも少なくとも1.1倍大きいと有利である。この横
断面比によつてリングギヤツプ面の範囲におけるガス流
過速度の増加が回避されるので、細かい粒子もほぼ処理
室内に留まることになる。
本発明は粒状物、特に薬剤又はそれに類似したものを渦
動層方法を用いてペレツト化又は処理する方法にも関す
る。この場合には少なくとも１つの下方から上方へ向け
られるガス流で被処理粒状物が上昇させられ、場合によ
つては他の処理が行なわれる。本発明による前記方法の
特徴はまだ可塑性の粒状物が上方に向けられたガス流で
ガス流の上端のあたりで回転する円板に供給されること
である。
既に本発明の装置との関係で記述したようにスプレー、
被覆、乾燥等を行なう渦動層処理と同時にペレツト化と
圧縮とを行なうことができる。
本発明の他の特徴は特許請求の範囲の他の従属項に記載
されている。
次に図面について本発明を説明する： 第１図に示された渦動層装置は流動化できる粒子をペレ
ツト処理又はその他の処理をするために役立つ。この装
置は外側のケーシング２を有し、このケーシング２は中
央範囲に渦動層容器３を形成している。この渦動層容器
３の下側は孔あき底４によつて制限あれており、この孔
あき底４を通つてガス、例えば空気又は窒素が矢印PF1
（Fig1）に応じて供給される。渦動層容器３の内部では
被処理物質は供給されたガスによつて矢印PF2で示すよ
うに移動させられる。
渦動層容器３内には上昇管５があり、この上昇管５はケ
ーシング２に対してほぼ同心的にかつ孔あき板４に対し
て間隔をおいて配置されている。このような上昇管５は
矢印PF2で示された回転する渦動層の形成を助勢する。
この上昇管５には孔あき底４の中央に配置されたスプレ
ーノズル６が配属されていた。
さらに本発明によれば渦動層容器３の上方範囲にはロー
タ円板７が配置されている。これによつて一般的な渦動
層及び乾燥プロセスの他に同時にこの装置でペレツト化
と圧縮とを行なうことができる。この場合にはまず粒子
の大きさが0.01mmから3mmまでである流動可能な出発材
料が渦動層容器３に供給される。ガス流（PF2）によつ
て出発材料は上昇管５において上昇させられ、スプレー
ノズル６から噴出されるスプレー霧と接触させられる。
このスプレー霧は固体分成分とバインダとを有してい
る。いくらか可塑性の粒子は渦動層の上方範囲において
回転するロータ円板７に供給され、このロータ円板７の
下面８においてほぼ半径方向外方へ導かれ、再び上昇管
５における下方の入口範囲に供給される。これによつて
ペレツト化円板を用いた処理に相応する処理が行なわれ
る。この場合に特に有利であるのはペレツト化の他に同
時に他の流動化、圧縮及び乾燥が行なわれることであ
る。粒子はロータ円板７に当たるときにまだ比較的に塑
性であるので、粒子はそこで十分に丸められる。この過
程は数度繰返えられ、粒子は２〜４倍に拡大される。処
理しようとする粒子のプロセス中に増大する種々異なる
大きさ適合させるためには上昇管５、ロータ円板７とス
プレーノズル６は個々にかつ一緒に、有利には互いに無
関係に高さ調節可能である。これは第１図に半分ずつ異
つた位置で前述の部分が図示されていることで示されて
いる。上昇管５の高さ調節可能性は特に種々異なる粒子
の大きさ、種々異なる流動速度と種々異なるスプレー媒
体に適合させるために役立。スプレーノズルが調節可能
であることによつて種々異なる粒子密度に調節すること
ができる。この場合にはスプレーノズル６有利には被処
理物質の粒子密度が最大である範囲に合わせて調節され
る。この調節はチヤージプロセス中に行なわれる。上昇
管５の高さ位置を調節することによつて孔あき底４に対
する間隔が拡大されるので、上昇管入口において相応の
スプース状態が形成される。同様にロータ円板７を調節
することによつて上昇管５の上端に対する間隔の適合が
得られる。さらに上昇管５の長さをテレスコープ式に変
化させることもできる。これは他の装置の前述の高さ調
節可能性と組合わせて行なうこともできる。上昇管５の
長さを増大させることによつて特に、粒状物容積が粒状
物レベルの増大にともなつて増大した場合に粒状物が上
昇管５内に落下して戻されることが回避される。
上昇管５及び（又は）ロータ円板７及び（又は）スプレ
ーノズル６を調節するためには有利にはプロセス計算機
を備えた装置が設けられていると有利である。これらの
装置によつて生産もしくは処理に関連した制御を処理プ
ロセス中にも行なうことができるようになる。又、ロー
タ円板７の回転数も可変であると有利である。上昇管区
分は特に薄膜処理区分としても働くと有利である。
第２図から第５図までにはロータ円板７の種々異なる実
施例が示されている。第２図と第３図はロータ円板７の
下面８を示しており、そこにはほぼ半径方向で直線的
（第２図）に又は彎曲して延びる連行体９が示されてい
る。これによつて被処理物質はロータ円板７に衝突した
ときにより良く回転方向に連行されるので、これによつ
て遠心力を受けた半径方向外方への運動が助勢される。
これはペレツト化過程もしくは圧縮過程にとつて有利で
ある。
ロータ円板７は最も簡単な実施例においては平らな円板
として構成されている。第１図ならびに第４図と第５図
においてはロータ円板７の変化実施例が示されている。
この場合には吊鐘状（第１図と第４図）又は円錐状に上
方に先細に（第５図）構成されている。このように彎曲
した又は傾斜した案内下面８を有する構成によつて循環
させられた被処理物質を有する空気流の良好な偏向が得
られる。
ロータ円板７を取囲む、ロータ円板７の外壁とケーシン
グ壁11との間のリングギヤツプ面10は有利には孔あき底
４におけるガス入口の横断面よりも大きい。この場合に
はガス入口の横断面は通過開口の和によつて与えられ
る。これによつて空気速度が高められることによつてリ
ングギヤツプ面10の範囲において細かい粒子が渦動層範
囲から外へその上に配置されたフイルタ12に吸引される
ことが阻止される。有利であることはリングギヤツプ面
10がガス入口よりも少なくとも1.1倍大きいことであ
る。
さらに唯一の上昇管５の代りに複数の上昇管が１つの渦
動層容器３内に設けられていてもよい。又、複数のロー
タ円板と複数のスプレーノズル６が設けられていてもよ
い。この場合にはスプレーノズル６はマルチヘツドノズ
ルとして構成されていてもよい。これは単滴の大きさを
拡大することなしに、吸込まれた液体の総量を拡大した
い場合に有利である。
上昇管５内にはさらに流動方向を変向させるために案内
面13が配置されていてもよい。この案内面はスプレー範
囲における粒子に所定の密度を与えるため及び粒子とス
プレー媒体とを良好に接触させるために役立つ。
第６図には断面して示されたケーシング壁11と上昇管５
と共に孔あき底４が平面図で示されている。この場合に
は中央にスプレーノズル６のための開口14が示されてい
る。さらにこの場合には通過開口の横断面は孔あき底４
の半径方向で見て異つていることが判る。上昇管５の投
影面の外側の通過開口15aは、上昇管５の内部にある通
過開口15bよりも小さな直径を有している。この異なる
通過横断面によつて循環する渦動層の形成が助勢され
る。ケーシング壁11と孔あき底４との間の外側のコーナ
範囲においてある程「デツド域」を回避するためには容
器壁11に隣接して通過開口15aに比して拡大された通過
開口15cが設けられている。この構成は被処理物質を中
央に戻すことを助ける。中央に戻された被処理物質は中
央の主流ガスによつて再び捉えられかつ上方へ運搬され
る。種々の半径範囲に種々異なる直径の通過開口を設け
る代りに、同様の効果は第７図に示すように場合によつ
ては同じ大きさの孔の種々異なる数で得ることもでき
る。
処理室の下側を制限する孔あき底４は第７図に示されて
いるように通過横断面を変化させることもできる。この
実施例においては上昇管５の投影面内の通過横断面だけ
が変化させられるようになつているが、孔あき底４の面
全体に亘つて通過横断面を変化させることもできる。こ
れは有利には孔底が少なくとも２つの、有利には同じ大
きさの、互いに整合させることのできる通過開口15を備
えた、互いに相対的に調節可能な、特に回動可能な孔あ
き円板を有していることによつて行なうことができる。
この両方の孔あき円板は第７図においてはいくらか相互
に回動させられている。この図示された位置ではまだ通
過横断面の半分が残つている。さらに孔あき底の直上に
は図示されていない細目シーブが配置されていてもよ
い。この細目シーブによつては細かい粒子が通過開口15
を通つて落下することを阻止する。孔あき底４の通過開
口15を変化させることによつて処理プロセス中にも空気
速度を変化させることができ、ひいては処理中に拡大す
るペレツトに応じた適合が可能である。この場合には通
常はペレツトが大きくなるにつれてガス速度が高められ
る。
ロータ円板７の上方に示されたフイルタ12は有利には複
室のフイルタとして構成されている。これによつてロー
タ円板７の保持装置、駆動装置、制御装置等は好ましい
状態で配置できる。
ケーシング２はこの実施例においては第１図に示すよう
に渦動層処理室の範囲で円筒状に構成されかつ円錐状に
拡大する上方の付加部を有している。この図示された実
施例以外に容器は孔あき底４から出発して一貫して拡大
するように構成されていてもよい。拡大する形状は流動
方向に弛緩状態を得るために役立つ。
スプレーノズル６としてはいわゆる多物質ノズルを設け
ておくこともできる。この多物質ノズルによつては液状
の成分の他にガス状の成分をも渦動層に供給することが
可能である。このガスによつては液体ノズルから噴出さ
れる液体の加速を行なうことができる。この場合にはガ
ス流は有利にはリング状にかつほぼ同心的に液体ノズル
から噴出される。ガス流はこの場合には液滴の加速より
細かい懸濁状態、方向付け及びゾーン形成に役立つ。
又、スプレーノズル６はスプレー媒体の凝固を避けるた
めに加熱可組であると有利である。
第８図においてはスプレーノズル６として複数のノズル
口を有するマルチヘツドノズルが設けられている。この
ようなマルチヘツドノズルはより多量のスプレー媒体を
噴出させると同時に極めて細かい噴霧状態を得ようとす
る場合に使用される。このような場合にシングルヘツド
ノズルを用いると、不都合な形式で噴霧滴の中に比較的
に粒子の大きい噴霧滴が存在することになる。つまりマ
ルチヘツドノズルは噴出量が大きいにも拘らず、きわめ
て細かい噴霧状憐をもたらす。特にこのようなマルチヘ
ツドノズルは上昇管が大きい場合に使用される。
第８図においては外側ケーシング２は円錐状に上方に向
かつて拡大されて構成されている。これによつて所定の
使用分野においてはより好ましい流動状態が得られ、特
に下方範囲において上昇管の下方の入口に対する供給状
態が改善される。
第９図に示された全体図にはロータ円板７の上方にある
フイルタ12の良好な配置が示されている。
渦動床における静電帯荷を阻止するためにはイオン化又
は空気湿化装置を設けておくことができる。
さらに第１図との関係で付言すれば、渦動層容器３にお
ける個々の構成部材（スプレーノズル６、上昇管５、ロ
ータ円板７）の相対位置と寸法は、被処理物質がロータ
円板７に衝突した場合に可塑性状態を維持し、所望のペ
レツト化が可能であるように選ばれている。上昇管５の
周囲に形成された戻しベツドに達するまでの下方に向け
られた戻し搬送に際して、乾燥過程は少なくとも個々の
粒子が互いに付着し合わないようになるまで進行してい
なければならない。又、既に述べたように複数の上昇管
５と複数のスプレーノズル６とを設けておくこともでき
る。これはロータ円板７についてもあてはまる。このよ
うなロータ円板７は単数又は複数の上昇管５をカバーす
るか又は各上昇管がそれぞれ個個のロータ円板を有して
いることができる。
下から供給されたガス流（PFI）は分解された部分ガス
流で供給することもできる。この場合には一方では中央
範囲に上昇管の横断面に相応する部分ガス流を形成し、
それを取巻くリング範囲に第２の部分流を供給すること
もできる。第１図と第８図からは孔あき底４の下方で既
に相応のガス供給が行なわれていることが示されてい
る。これによつて特に油脂をコーテイングする場合に中
央範囲において外側範囲よりも温度の高い空気を供給す
ることができるようになる。この結果、上昇管５の内部
ではコーテイングに必要な温度を与え、油脂をまだ液状
態に保つことができる。しかしこの被覆層はロータ円板
７の下面に衝突したときにはこのロータ円板において塑
性変形が可能になるまで硬化させられていなければなら
ない。このためには相応の冷却プロセスが必要である
が、この冷却プロセスはリング範囲に温度の低い空気を
供給することで助勢される。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の複数の実施例を示すものであつて、第１
図は本発明の渦動層装置の部分側面図、第２図と第３図
は互いに異なる構造を有する連行体を備えたロータ円板
の下面図、第４図と第５図は互いに異なる形状を有する
ロータ円板の横断面図、第６図は容器壁と上昇管と共に
示した孔あき底の上面図、第７図は通過横断面が減少し
ている上昇管範囲と共に示された孔あき底の、第６図に
相当する上面図、第８図は上方に円錐状に拡大するケー
シングを有する渦動層装置の、第１図に相当する図、第
９図は渦動層装置の全体側面図である。 １……渦動層装置、２……ケーシング、３……渦動層容
器、４……孔あき板、５……上昇管、６……スプレーノ
ズル、７……ロータ円板、８……下面、９……連行体、
10……リングギヤツプ面、11……ケーシング壁、13……
案内面、14……開口、15……通過開口

Claims (37)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】粒状物、特に薬剤又はそれに類似した物質
    のペレツト化又はそれに類似した処理をする装置であつ
    て、渦動層容器を有し、この渦動層容器内で下方から上
    方に向けられたガス流が被処理物質と一緒に上昇させら
    れ、渦動層容器内に他の処理装置が設けられている形式
    のものにおいて、渦動層容器（３）の上方範囲にロータ
    円板（７）が設けられていることを特徴とする、粒状物
    のペレツト化又はそれに類似した処理をする装置。
  2. 【請求項２】渦動層容器（３）のロータ円板（７）の下
    方にガス流と被処理物質とのために少なくとも１つの上
    昇管（５）が設けられていて、この上昇管（５）が有利
    には高さ調節可能である、特許請求の範囲第１項記載の
    装置。
  3. 【請求項３】上昇管（５）の長さが可変でかつ上昇管区
    分が有利には薄膜処理区分として用いられている、特許
    請求の範囲第１項又は第２項記載の装置。
  4. 【請求項４】複数の、有利には高さ及び（又は）長さ調
    節可能な上昇管（５）が設けられている、特許請求の範
    囲第１項から第３項までのいずれか１つの項に記載の装
    置。
  5. 【請求項５】有利には各上昇管（５）に少なくとも１つ
    の、特に同軸でかつ有利には高さ調節可能なスプレーノ
    ズル（６）が配属されている、特許請求の範囲第１項か
    ら第４項までのいずれか１つの項に記載の装置。
  6. 【請求項６】ロータ円板（７）が平らな円板として構成
    されている、特許請求の範囲第１項から第５項までのい
    ずれか１つの項に記載の装置。
  7. 【請求項７】ロータ円板（７）の処理室に面した側が湾
    曲又は傾斜した案内面（８）として構成され、有利には
    吊鐘状の又は円錐状に上方に向かつて先細の輪郭を有し
    ている、特許請求の範囲第１項から第７項までのいずれ
    か１つの項に記載の装置。
  8. 【請求項８】ロータ円板（７）の周囲のリングギヤツプ
    面（10）が処理室の下方のガス流入口よりも大きく、有
    利には1.1倍だけ大きい、特許請求の範囲第１項から第
    ７項までのいずれか１つの項に記載の装置。
  9. 【請求項９】ロータ円板（７）が高さ調節可能に配置さ
    れ、有利には回転数が可変である、特許請求の範囲第１
    項から第８項までのいずれか１つの項に記載の装置。
  10. 【請求項１０】ロータ円板（７）の、処理室に面した案
    内面（８）が有利にはほぼ半径方向に延びる連行体
    （９）を有している、特許請求の範囲第１項から第９項
    までのいずれか１つの項に記載の装置。
  11. 【請求項１１】上昇管（５）に流動方向の変向又はそれ
    に類似したことを目的とした案内面（13）が配置されて
    いる、特許請求の範囲第１項から第10項までのいずれか
    １つの項に記載の装置。
  12. 【請求項１２】処理室の下側を制限する孔あき底（４）
    が横断の可変な通過開口（15）を有している、特許請求
    の範囲第１項から第11項までのいずれか１つの項に記載
    の装置。
  13. 【請求項１３】孔あき底（４）が少なくとも２つの有利
    には同じ、互いに整合させることのできる通過開口（1
    5）を備えた、互いに相対的に調節可能な、特に回動可
    能な孔あき円板を有している、特許請求の範囲第12項記
    載の装置。
  14. 【請求項１４】孔あき底の通過開口（15）の横断面及び
    （又は）数が孔あき底の半径方向の寸法に亘つて異つて
    おり、中央の孔あき底範囲に、つまりその上にある上昇
    管の横断面にほぼ相応する範囲に、半径方向で見て外方
    に、減少させられた通過横断面を有する範囲が接続さ
    れ、この範囲に、特に容器壁（11）の近くにさらに通過
    横断面の拡大された範囲が接続されている、特許請求の
    範囲第１項から第13項までのいずれか１つの項に記載の
    装置。
  15. 【請求項１５】有利には孔あき底（４）のすぐ上方に細
    目シーブが配置されている、特許請求の範囲第１項から
    第14項までのいずれか１つの項に記載の装置。
  16. 【請求項１６】少なくとも１つの有利には複室式のフイ
    ルタ（12）がロータ円板（７）の上方に設けられてい
    る、特許請求の範囲第１項から第15項までのいずれか１
    つの項に記載の装置。
  17. 【請求項１７】容器（２）が孔あき底（４）から出発し
    て少なくとも区分的にほぼロータ円板の高さまで又はそ
    の上に円錐形に拡大する形を有している、特許請求の範
    囲第１項から第16項までのいずれか１つの項に記載の装
    置。
  18. 【請求項１８】容器が少なくとも範囲的に円筒形であつ
    て、その内部に場合によつては流動方向に円錐状に拡大
    する区分が接続されている、特許請求の範囲第１項から
    第17項までのいずれか１つの項に記載の装置。
  19. 【請求項１９】スプレーノズルがマルチヘツドノズル及
    び（又は）ばあいによつては多物質ノズルとして構成さ
    れている、特許請求の範囲第１項から第18項までのいず
    れか１つの項に記載の装置。
  20. 【請求項２０】有利には１つのプロセス計算機を備えた
    装置が生産及び（又は）処理に関連した、高さ及び（又
    は）長さ調節可能な上昇管（５）及び（又は）ロータ円
    板（７）及び（又は）スプレーノズル（６）及びそれに
    類似したものの制御のために設けられている、特許請求
    の範囲第１項から第19項までのいずれか１つの項に記載
    の装置。
  21. 【請求項２１】イオン化又は空気湿化装置が設けられて
    いる、特許請求の範囲第１項から第20項までのいずれか
    １つの項に記載の装置。
  22. 【請求項２２】スプレーノズル（６）が加熱可能であ
    る、特許請求の範囲第１項から第21項までのいずれか１
    つの項に記載の装置。
  23. 【請求項２３】下方から供給されるガス流のためにほぼ
    中央範囲にある供給部とこの範囲を取囲むリング範囲に
    ある供給部とが別々に設けられている、特許請求の範囲
    第１項から第22項までのいずれか１つの項に記載の装
    置。
  24. 【請求項２４】中央で供給された空気の温度がリング範
    囲で供給された空気の温度よりも高い、特許請求の範囲
    第23項記載の装置。
  25. 【請求項２５】中央で供給された空気の容積流及び（又
    は）空気速度がリング範囲において供給された空気のそ
    れよりも大きい、特許請求の範囲第23項記載の装置。
  26. 【請求項２６】粒状物、特に薬剤又はそれに類似した物
    質のペレツト化又はそれに類似した処理を渦動層方法を
    用いて行なう方法であつて、少なくとも１つの下方から
    上方に向けられたガス流で被処理粒状物を上昇させ、ば
    あいによつては他の処理過程を行なう形式のものにおい
    て、まだ可塑性の粒状物を上方に向けられたガス流で上
    方の端部個所において、回転する円板に対して導くこと
    を特徴とする、粒状物のペレツト化又はそれに類似した
    処理をする方法。
  27. 【請求項２７】被処理物質を有利にまだ可塑性の状態で
    渦動層の上方範囲で機械的に丸めかつ（又は）機械的に
    全渦動層に亘つて分配する、特許請求の範囲第26項記載
    の方法。
  28. 【請求項２８】上昇管（５）又はそれに類似した案内
    を、処理中に被処理物質の大きさが増大するにつれて孔
    あき底に対する間隔を拡大するために上方に移動させ
    る、特許請求の範囲第26項又は第27項記載の方法。
  29. 【請求項２９】ロータ円板（７）を被処理物質の大きさ
    が増大するにつれて上方へ移動させる、特許請求の範囲
    第26項から第28項までのいずれか１つの項に記載の方
    法。
  30. 【請求項３０】スプレーノズル（６）の高さ位置とスプ
    レー強度を有利にはチヤージプロセスの進行中に物質密
    度が最大である範囲に合わせて調節する、特許請求の範
    囲第26項から第29項までのいずれか１つの項に記載の方
    法。
  31. 【請求項３１】上方に向かつてロータ円板（７）に導か
    れた物質が外方へ変向させられる、特許請求の範囲第26
    項から第30項までのいずれか１つの項に記載の方法。
  32. 【請求項３２】上方に向けられた空気流の少なくとも主
    要な部分を少なくとも一時的に１つの高さ区分の上に導
    き、被処理物質のスプレー処理の主要部分を案内された
    渦動層範囲で行ない、スプレー処理ゾーンを種々異なる
    渦動状態に応じて調節する、特許請求の範囲第26項から
    第31項記載の方法。
  33. 【請求項３３】渦動層への被処理物質の流入量及び（又
    は）流入速度が変えられる、特許請求の範囲第26項から
    第32項までのいずれか１つの項に記載の方法。
  34. 【請求項３４】被処理物質を区分的にかつ少なくとも一
    時的に圧縮し、圧縮した区分を少なくとも一時的に被覆
    剤のスプレー円錐に適合させる、特許請求の範囲第26項
    から第33項までのいずれか１つの項に記載の方法。
  35. 【請求項３５】処理開始にあたつて粒子の大きさがほぼ
    0.001mm〜3mm、有利にはほぼ0.004mm〜ほぼ1mmである流
    動可能な材料を供給する、特許請求の範囲第26項から第
    34項までのいずれか１つの項に記載の方法。
  36. 【請求項３６】下方から種々異なる温度に調節されたガ
    ス流を供給し、一方のガス流を中央範囲、上昇管の横断
    面に相応する範囲に供給しかつ他方のガス流をこれを取
    囲むリング範囲に供給する、特許請求の範囲第26項から
    第35項記載の方法。
  37. 【請求項３７】下方から種々異なる空気速度を有する種
    々異なる容積流を供給し、一方のガス流を中央のほぼ上
    昇管の横断面に相応する範囲に供給し、他方の部分流を
    周囲のリング範囲に供給する、特許請求の範囲第26項か
    ら第36項までのいずれか１つの項に記載の方法。
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