JPS6222557B2 - - Google Patents
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- JPS6222557B2 JPS6222557B2 JP55150147A JP15014780A JPS6222557B2 JP S6222557 B2 JPS6222557 B2 JP S6222557B2 JP 55150147 A JP55150147 A JP 55150147A JP 15014780 A JP15014780 A JP 15014780A JP S6222557 B2 JPS6222557 B2 JP S6222557B2
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 31
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 6
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004043 dyeing Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
この発明は半導体発光装置とその製造方法にか
かり、特に発光面の全面に均一な発光輝度が得ら
れるように改良された構造の半導体発光装置とそ
の製造方法に関する。 半導体発光装置（以降発光装置と略称する）
に、これらを１平面上に隣接させて配置し面発光
を行なわせるものがある。このためには個個の発
光装置の発光面の全面が均一な発光輝度であるこ
とが必要である。従来の発光装置は例えば第１図
と第２図で示す構造、または第３図と第４図で示
す構造であつた。すなわち、第１図に斜視図で、
また第２図に第１図におけるリード線を含む平面
の断面図で示す構造はリード線１，２の一方のリ
ード１の一端部には皿状の光反射面１ａが設けら
れ、そこにペレツト状の発光素子３がマウントさ
れている。そして発光素子３とこの発光素子がマ
ウントされていない他方のリード２とは金属細線
４で接続され、発光素子組立体５が構成されてい
る。また、発光素子組立体５はリードの遊離端を
残して透光性樹脂６でモールド封止されている。
次に第３図、第４図に示される従来の構造のもの
は反射面７ａを有する反射体７に発光素子組立体
５がモールド樹脂６で組付けられると同時に、こ
の反射体がモールドの際の型として用いられてい
る。 上に述べた従来例において、第１図および第２
図に示す例ではリード１に皿状の光反射面が設け
られているものの発光素子の発光がモールド樹脂
に配合された光散乱剤によつて発光装置の側面か
ら放散され光損失があるため、発光面の輝度が低
減するという重大な欠点がある。また、このよう
な損失を低減するにはモールド樹脂中の光散乱剤
を減らせばよいが、発光面の輝度の均一が損なわ
れる（一般に発光面の周縁が暗くなる）傾向があ
る。次に、第３図、第４図に示す例では反射体そ
のものをモールド型として用いるため、発光面に
型の端縁が露出し発光のない部分を生ずる。すな
わち発光面全域を均一に発光させることができな
い欠点がある。また、反射体７における反射面と
反対側の端縁はモールド樹脂の封入側となりこの
端縁にモールド樹脂がいわゆるバリのように不所
望に附着するため、これを点灯装置にセツトする
と第５図い示すように傾斜する。なお、図におけ
るθは傾斜を示す角度である。セツトにあたつて
傾斜があると発光面の視感による輝度が均一を欠
くと同時に、隣接の発光装置の発光面と段差をな
すため外観が悪いなどの欠点がある。 この発明は従来の欠点を改良するためになされ
たもので、発光面の発光輝度の均一化をはかるた
めに反射体の構造、モールド樹脂によるモールド
形状に良を施した発光装置と、上記構造の改良さ
れた製造方法を提供するものである。 以下にこの発明を１実施例につき図面を参照し
て詳細に説明する。第６図に一部を切欠断面で示
す斜視図、第７図に断面図、また第８図、第９図
に反射体を各反対側の端面から視た斜視図で示す
ように、反射面１７ａを備え白色のたとえば
ABS樹脂でモールド形成された反射体１７に素
子組立体５が組付けられるように配置され、さら
にこの反射体には素子組立体のリード方向に延長
して形成された反射体基部１７ｂと、この反射体
基部の外側に設けられたバルジ１７ｃと、反射体
基部をリード方向（反射面と反対方向）にさらに
延長して形成された突出部１７ｄが設けられてい
る。上記バルジは例えば図示の如く４隅に設けら
れ、反射面側は薄く形成されてこの反射体を発光
素子の製造において函型のモールド治具に挿入す
るのを容易にする。また、上記突出部は反射体に
樹脂モールドを施すにあたり、この反射体を函型
のモールド治具に挿入したとき、モールド治具か
ら突出させてモールド樹脂の附着を防止する。次
にモールド樹脂体１６は例えばエポキシ樹脂のよ
うなモールド用樹脂に光散乱剤、着色剤、さらに
は硬化促進剤等を添加したもので、素子組立体５
を反射体１７に一体に固着させるとともに反射体
の周側面を少なくともバルジ１７ｃの厚さに包囲
し、かつ反射面端から所定の厚さｔにこのモール
ド樹脂層１７ｅを設け、さらにその表面を微細で
均一なレンズ集合面に形成し発光面１７ｆとして
いる。上記発光面におけるモールド樹脂層の厚さ
ｔは発光面に向つて開拡する反射面の角度や、反
射面端部の厚さ等から実験的に求まるものであ
る。また、発光面のレンズは半径が0.1〜1.0mmの
範囲が好適する。次に前記モールド樹脂層１７ｅ
の部分ではモールド樹脂に添加された光散乱剤の
濃度（散乱剤粒子の密度）が他の部分よりも大に
なつている。これは次に述べる製造方法によつて
達成されるが、発光色の濃度もモールド樹脂層部
分のみ所望の大きさにすることができる。これは
光散乱剤に発光色の染色を施し、あるいは発光色
の色素で沈降性の（比重の大きい）ものを選択し
て用いる、などによつて達成される。 次にこの半導体発光装置の製造方法を１実施例
につき説明する。この発光装置のモールドには上
面が開放された函型のモールド型が用いられる。
このモールド型は発光装置の組立工程の一部を示
す第１０図の斜視図、第１１図の断面図に示され
るように、上面が開放された合成樹脂の函型で、
その内底面が微細かつ均一な凹のレンズ集合面に
形成されたものである。そしてこのモールド型１
０に内装される反射体１７は例えば白色のABS
樹脂で形成され、これに組付ける素子組立体のリ
ード方向に延長して反射体基部１７ｂと、またそ
の外側に膨出したバルジ１７ｃと、さらに延長し
た突出部１７ｄとを備え、第１０図において矢印
で示すように反射体１７をその反射面１７ａから
モールド型１０に挿入して行き、モールド型の開
端縁部の内側面にバルジを接触させて定位させ
る。このとき突出部１７ｄはほぼその突出長に相
当する分だけモールド型の開端縁より突出するよ
うになつている。また反射面の端縁はモールド型
の内底面よりｔなる間隔に保たれる。次に第１２
図に示すように素子組立体５を挿入して行き、リ
ードをフレーム状に固定するタイバー２０，２
０′の一方を支持するようにモールド型１０の開
端に取着された支持部１０ａ（第１３図）に一方
のタイバー２０を挾持支持させ、第１４図に示す
ようにモールド樹脂６を注入する。なお、このモ
ールド樹脂はモールド樹脂注入用ノズル１６によ
つて注入される。ついでモールド樹脂を加熱固化
させて素子組立体、反射体等を一体に構成したの
ちモールド型から抜出す。さらにタイバーを切断
除去して発光装置が得られる。 この発明によれば、発光面が均一で高輝度の発
光装置が得られる。また同時に発光装置を点灯装
置にセツトしたときモールド樹脂のバリによる傾
斜を生じない。このため、個々の発光装置を複数
個隣接させて広域の発光面を形成し均一な輝度を
得るのに好適する利点もある。なお、反射体にお
ける反射面の端縁の厚さをl1、反射体の外側のモ
ールド樹脂層の厚さをl2、反射面の端縁から発光
面との距離、すなわち発光面におけるモールド樹
脂層の厚さをｔにて表わし、発光面にレンズ形成
の有無との視感による評価を行ない次表の結果が
得られた。
かり、特に発光面の全面に均一な発光輝度が得ら
れるように改良された構造の半導体発光装置とそ
の製造方法に関する。 半導体発光装置（以降発光装置と略称する）
に、これらを１平面上に隣接させて配置し面発光
を行なわせるものがある。このためには個個の発
光装置の発光面の全面が均一な発光輝度であるこ
とが必要である。従来の発光装置は例えば第１図
と第２図で示す構造、または第３図と第４図で示
す構造であつた。すなわち、第１図に斜視図で、
また第２図に第１図におけるリード線を含む平面
の断面図で示す構造はリード線１，２の一方のリ
ード１の一端部には皿状の光反射面１ａが設けら
れ、そこにペレツト状の発光素子３がマウントさ
れている。そして発光素子３とこの発光素子がマ
ウントされていない他方のリード２とは金属細線
４で接続され、発光素子組立体５が構成されてい
る。また、発光素子組立体５はリードの遊離端を
残して透光性樹脂６でモールド封止されている。
次に第３図、第４図に示される従来の構造のもの
は反射面７ａを有する反射体７に発光素子組立体
５がモールド樹脂６で組付けられると同時に、こ
の反射体がモールドの際の型として用いられてい
る。 上に述べた従来例において、第１図および第２
図に示す例ではリード１に皿状の光反射面が設け
られているものの発光素子の発光がモールド樹脂
に配合された光散乱剤によつて発光装置の側面か
ら放散され光損失があるため、発光面の輝度が低
減するという重大な欠点がある。また、このよう
な損失を低減するにはモールド樹脂中の光散乱剤
を減らせばよいが、発光面の輝度の均一が損なわ
れる（一般に発光面の周縁が暗くなる）傾向があ
る。次に、第３図、第４図に示す例では反射体そ
のものをモールド型として用いるため、発光面に
型の端縁が露出し発光のない部分を生ずる。すな
わち発光面全域を均一に発光させることができな
い欠点がある。また、反射体７における反射面と
反対側の端縁はモールド樹脂の封入側となりこの
端縁にモールド樹脂がいわゆるバリのように不所
望に附着するため、これを点灯装置にセツトする
と第５図い示すように傾斜する。なお、図におけ
るθは傾斜を示す角度である。セツトにあたつて
傾斜があると発光面の視感による輝度が均一を欠
くと同時に、隣接の発光装置の発光面と段差をな
すため外観が悪いなどの欠点がある。 この発明は従来の欠点を改良するためになされ
たもので、発光面の発光輝度の均一化をはかるた
めに反射体の構造、モールド樹脂によるモールド
形状に良を施した発光装置と、上記構造の改良さ
れた製造方法を提供するものである。 以下にこの発明を１実施例につき図面を参照し
て詳細に説明する。第６図に一部を切欠断面で示
す斜視図、第７図に断面図、また第８図、第９図
に反射体を各反対側の端面から視た斜視図で示す
ように、反射面１７ａを備え白色のたとえば
ABS樹脂でモールド形成された反射体１７に素
子組立体５が組付けられるように配置され、さら
にこの反射体には素子組立体のリード方向に延長
して形成された反射体基部１７ｂと、この反射体
基部の外側に設けられたバルジ１７ｃと、反射体
基部をリード方向（反射面と反対方向）にさらに
延長して形成された突出部１７ｄが設けられてい
る。上記バルジは例えば図示の如く４隅に設けら
れ、反射面側は薄く形成されてこの反射体を発光
素子の製造において函型のモールド治具に挿入す
るのを容易にする。また、上記突出部は反射体に
樹脂モールドを施すにあたり、この反射体を函型
のモールド治具に挿入したとき、モールド治具か
ら突出させてモールド樹脂の附着を防止する。次
にモールド樹脂体１６は例えばエポキシ樹脂のよ
うなモールド用樹脂に光散乱剤、着色剤、さらに
は硬化促進剤等を添加したもので、素子組立体５
を反射体１７に一体に固着させるとともに反射体
の周側面を少なくともバルジ１７ｃの厚さに包囲
し、かつ反射面端から所定の厚さｔにこのモール
ド樹脂層１７ｅを設け、さらにその表面を微細で
均一なレンズ集合面に形成し発光面１７ｆとして
いる。上記発光面におけるモールド樹脂層の厚さ
ｔは発光面に向つて開拡する反射面の角度や、反
射面端部の厚さ等から実験的に求まるものであ
る。また、発光面のレンズは半径が0.1〜1.0mmの
範囲が好適する。次に前記モールド樹脂層１７ｅ
の部分ではモールド樹脂に添加された光散乱剤の
濃度（散乱剤粒子の密度）が他の部分よりも大に
なつている。これは次に述べる製造方法によつて
達成されるが、発光色の濃度もモールド樹脂層部
分のみ所望の大きさにすることができる。これは
光散乱剤に発光色の染色を施し、あるいは発光色
の色素で沈降性の（比重の大きい）ものを選択し
て用いる、などによつて達成される。 次にこの半導体発光装置の製造方法を１実施例
につき説明する。この発光装置のモールドには上
面が開放された函型のモールド型が用いられる。
このモールド型は発光装置の組立工程の一部を示
す第１０図の斜視図、第１１図の断面図に示され
るように、上面が開放された合成樹脂の函型で、
その内底面が微細かつ均一な凹のレンズ集合面に
形成されたものである。そしてこのモールド型１
０に内装される反射体１７は例えば白色のABS
樹脂で形成され、これに組付ける素子組立体のリ
ード方向に延長して反射体基部１７ｂと、またそ
の外側に膨出したバルジ１７ｃと、さらに延長し
た突出部１７ｄとを備え、第１０図において矢印
で示すように反射体１７をその反射面１７ａから
モールド型１０に挿入して行き、モールド型の開
端縁部の内側面にバルジを接触させて定位させ
る。このとき突出部１７ｄはほぼその突出長に相
当する分だけモールド型の開端縁より突出するよ
うになつている。また反射面の端縁はモールド型
の内底面よりｔなる間隔に保たれる。次に第１２
図に示すように素子組立体５を挿入して行き、リ
ードをフレーム状に固定するタイバー２０，２
０′の一方を支持するようにモールド型１０の開
端に取着された支持部１０ａ（第１３図）に一方
のタイバー２０を挾持支持させ、第１４図に示す
ようにモールド樹脂６を注入する。なお、このモ
ールド樹脂はモールド樹脂注入用ノズル１６によ
つて注入される。ついでモールド樹脂を加熱固化
させて素子組立体、反射体等を一体に構成したの
ちモールド型から抜出す。さらにタイバーを切断
除去して発光装置が得られる。 この発明によれば、発光面が均一で高輝度の発
光装置が得られる。また同時に発光装置を点灯装
置にセツトしたときモールド樹脂のバリによる傾
斜を生じない。このため、個々の発光装置を複数
個隣接させて広域の発光面を形成し均一な輝度を
得るのに好適する利点もある。なお、反射体にお
ける反射面の端縁の厚さをl1、反射体の外側のモ
ールド樹脂層の厚さをl2、反射面の端縁から発光
面との距離、すなわち発光面におけるモールド樹
脂層の厚さをｔにて表わし、発光面にレンズ形成
の有無との視感による評価を行ない次表の結果が
得られた。
【表】
例
次にこの発明にかかる製造方法には上述の利点
を有す構造の発光装置の製造を容易ならしめる顕
著な利点もある。
次にこの発明にかかる製造方法には上述の利点
を有す構造の発光装置の製造を容易ならしめる顕
著な利点もある。
第１図ないし第５図は従来の発光装置の構造に
かかり、第１図は一例を示す斜視図、第２図は第
１図の断面図、第３図は別の一例の斜視図、第４
図は第３図の断面図、第５図は従来の構造の問題
点を説明するための側面図、第６図以降はこの発
明の発光装置にかかり、第６図は１実施例の斜視
図、第７図は断面図、第８図は反射体を反射面側
の端面から視た図、第９図は反射体を第８図と反
対側の端面から視た図、第１０図ないし第１２図
および第１４図は発光装置の組立工程を示す第１
０図は斜視図で第１１図、第１２図、第１４図は
いずれも断面図、第１３図はモールド型の支持部
を示す側面図である。 １，２…リード線、５…発光素子組立体、６，
１６…透光性樹脂、７，１７…反射体、１０…モ
ールド型、１０ａ…モールド型における支持部、
１７ｂ…反射体基部、１７ｃ…バルジ、１７ｄ…
突出部、１７ｅ…モールド樹脂層、ｔ…モールド
樹脂層の厚さ。
かかり、第１図は一例を示す斜視図、第２図は第
１図の断面図、第３図は別の一例の斜視図、第４
図は第３図の断面図、第５図は従来の構造の問題
点を説明するための側面図、第６図以降はこの発
明の発光装置にかかり、第６図は１実施例の斜視
図、第７図は断面図、第８図は反射体を反射面側
の端面から視た図、第９図は反射体を第８図と反
対側の端面から視た図、第１０図ないし第１２図
および第１４図は発光装置の組立工程を示す第１
０図は斜視図で第１１図、第１２図、第１４図は
いずれも断面図、第１３図はモールド型の支持部
を示す側面図である。 １，２…リード線、５…発光素子組立体、６，
１６…透光性樹脂、７，１７…反射体、１０…モ
ールド型、１０ａ…モールド型における支持部、
１７ｂ…反射体基部、１７ｃ…バルジ、１７ｄ…
突出部、１７ｅ…モールド樹脂層、ｔ…モールド
樹脂層の厚さ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 発光素子を電極導出リードに取着け構成され
た素子組立体を反射体にモールド樹脂で組付けた
半導体発光装置において、反射体に、これに組付
ける素子組立体のリード方向に延長して形成され
た反射体基部と、前記反射体基部の外側に設けら
れたバルジと、前記反射体基部をリード方向にさ
らに延長して形成された突出部とを設け、この反
射体に素子組立体を内装し一体に固着するモール
ド樹脂で反射体を包囲させるとともに反射体にお
ける反射面端から所定の厚さでモールド樹脂の他
の部分よりも光散乱剤を高濃度に有するモールド
樹脂層の表面を微細かつ均一なレンズ集合面をな
す発光面に形成し、反射体の他端にリードと反射
体基部の突出部とを突出させたことを特徴とする
半導体発光装置。 ２ 上面が開放されかつ内底面が微細かつ均一な
凹のレンズ集合面に形成された函型のモールド型
の内端縁に密接するように予め反射体基部の外側
にバルジとこの基部の端縁に突出部とを有する反
射体を用意し、反射体をその突出部を除いてモー
ルド型に内装しバルジをモールド型の開放端部の
内壁に密接保持させ、ついで素子組立体を前記反
射体に取付けし、モールド樹脂を充填し加熱固化
させたのち、モールド型から抜出すことを特徴と
する半導体発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55150147A JPS5773985A (en) | 1980-10-28 | 1980-10-28 | Semiconductor light emitting device and manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55150147A JPS5773985A (en) | 1980-10-28 | 1980-10-28 | Semiconductor light emitting device and manufacture thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5773985A JPS5773985A (en) | 1982-05-08 |
| JPS6222557B2 true JPS6222557B2 (ja) | 1987-05-19 |
Family
ID=15490515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55150147A Granted JPS5773985A (en) | 1980-10-28 | 1980-10-28 | Semiconductor light emitting device and manufacture thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5773985A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2565726B1 (fr) * | 1984-06-08 | 1987-11-27 | Radiotechnique Compelec | Procede de realisation d'un panneau lumineux de signalisation a diodes electroluminescentes et panneau ainsi obtenu. |
| AU1307999A (en) * | 1997-11-06 | 1999-05-31 | Donnelly Corporation | Light emitting element having an optical element molded in surface thereof |
| JP3892030B2 (ja) * | 2004-02-26 | 2007-03-14 | 松下電器産業株式会社 | Ｌｅｄ光源 |
| JP4757477B2 (ja) * | 2004-11-04 | 2011-08-24 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 光源ユニット、それを用いた照明装置及びそれを用いた表示装置 |
-
1980
- 1980-10-28 JP JP55150147A patent/JPS5773985A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5773985A (en) | 1982-05-08 |
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