JPS5926609Y2 - 光半導体表示装置 - Google Patents
光半導体表示装置Info
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- JPS5926609Y2 JPS5926609Y2 JP13171578U JP13171578U JPS5926609Y2 JP S5926609 Y2 JPS5926609 Y2 JP S5926609Y2 JP 13171578 U JP13171578 U JP 13171578U JP 13171578 U JP13171578 U JP 13171578U JP S5926609 Y2 JPS5926609 Y2 JP S5926609Y2
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- Japan
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- light
- display device
- emitting element
- light emitting
- reflector
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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Description
【考案の詳細な説明】
この考案は光半導体表示装置にか・す、特に高品位にし
て製造に益する構造の光半導体表示装置に関する。
て製造に益する構造の光半導体表示装置に関する。
従来光半導体表示装置（以降表示装置と略称）を用い数
字表示、文字表示、記号表示を構成する場合、次の如き
構造が用いられている。
字表示、文字表示、記号表示を構成する場合、次の如き
構造が用いられている。
まず、第１の構造は第１図に断面図にて、また第２図ａ
−ｄに形成方法の断面図にて示される如く、所定の導電
パターンｌａ、ｌｂが配線された配線基台２に発光素子
３がその１電極にて一方の導電パターン２ａに配設され
、他方の電極はボンディングワイヤ４にて他方の導電パ
ターン２ｂに配線されてなり、前記配線基台上に発光素
子に対し機能表示面となる光反射体５、発光面の均一性
を得る光拡散フィルム６、内部半導体組立体を保護する
とともに高いコントラストを得るためのケース７の順に
組立てされる。
−ｄに形成方法の断面図にて示される如く、所定の導電
パターンｌａ、ｌｂが配線された配線基台２に発光素子
３がその１電極にて一方の導電パターン２ａに配設され
、他方の電極はボンディングワイヤ４にて他方の導電パ
ターン２ｂに配線されてなり、前記配線基台上に発光素
子に対し機能表示面となる光反射体５、発光面の均一性
を得る光拡散フィルム６、内部半導体組立体を保護する
とともに高いコントラストを得るためのケース７の順に
組立てされる。
次に第２の構造は第３図の断面図、第４図に形成方法を
説明するための断面図にて示される如く、リードフレー
ム１１ ａ、１１ ｂに発光素子３がその１電極にて一
方のリードフレーム１１ａに、他電極をボンディングワ
イヤ１４にて他方のリードフレーム１１ ｂに配設され
てなり、上記発光素子に対応し機能表示面を形成する光
反射体１５がセットされ、リードレームと光反射体との
固定、および発光面均一性を得るため光拡散体を混入し
た一例のエポキシ樹脂１０を充填して形成される。
説明するための断面図にて示される如く、リードフレー
ム１１ ａ、１１ ｂに発光素子３がその１電極にて一
方のリードフレーム１１ａに、他電極をボンディングワ
イヤ１４にて他方のリードフレーム１１ ｂに配設され
てなり、上記発光素子に対応し機能表示面を形成する光
反射体１５がセットされ、リードレームと光反射体との
固定、および発光面均一性を得るため光拡散体を混入し
た一例のエポキシ樹脂１０を充填して形成される。
上述の如き従来の表示装置には次に挙げる欠点がある。
まず前者については、
（１）組立て方式および部品数が多く複雑である。
（２）発光素子と発光放射面との間が中空であるため、
発光素子から発する光の量の有効利用が不可能である。
発光素子から発する光の量の有効利用が不可能である。
（３）光拡散フィルムを光反射体の上部に配するので、
文字形状のシャープ性が損ぜられる。
文字形状のシャープ性が損ぜられる。
次に後者については、
（１）熱硬化性樹脂体で全体が充填されるため、熱スト
レス、合成樹脂のひずみ等による発光素子ボンディング
ワイヤ間のオープン、劣化促進等の信頼性の低下がある
。
レス、合成樹脂のひずみ等による発光素子ボンディング
ワイヤ間のオープン、劣化促進等の信頼性の低下がある
。
（２）熱硬化性樹脂体で充填されるため、不良部分の回
収が不能である。
収が不能である。
この考案は上記従来の表示装置の欠点に対し、この改良
構造を備えた表示装置を提供するものである。
構造を備えた表示装置を提供するものである。
この考案にか・る表示装置は、開口反射面を有する白色
合成樹脂製の光反射体およびこの開口内に充填されその
反射面全体に密着され底面に凹部を有する光透過性樹脂
製光透過体を一体形成してなる発光表示機能体と、発光
素子を配設した配線基台とを備え、前記発光素子を前記
凹部に収納するように前記発光表示機能体と配線基台と
を重ね合わせて形成したことを特徴とする。
合成樹脂製の光反射体およびこの開口内に充填されその
反射面全体に密着され底面に凹部を有する光透過性樹脂
製光透過体を一体形成してなる発光表示機能体と、発光
素子を配設した配線基台とを備え、前記発光素子を前記
凹部に収納するように前記発光表示機能体と配線基台と
を重ね合わせて形成したことを特徴とする。
次にこの考案を一実施例の表示装置につき図面を参照し
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
第５図は断面図にて示す表示装置、また第６図に形成方
法を説明するための断面図によって示される如く、導電
パターン２１ ａ、２１ ｂが配設された配線基台２２
に、一例のＧａＰ赤色の発光素子３がその一方の電極に
て一方の導電パターン２１ ａに、また他方の電極を他
方の導電パターン２１ ｂにボンディングワイヤ４にて
接続される。
法を説明するための断面図によって示される如く、導電
パターン２１ ａ、２１ ｂが配設された配線基台２２
に、一例のＧａＰ赤色の発光素子３がその一方の電極に
て一方の導電パターン２１ ａに、また他方の電極を他
方の導電パターン２１ ｂにボンディングワイヤ４にて
接続される。
次に２５は発光表示機能体で、機能表示（数字、文字、
記号等）用反射、透過構造をなし反射面を形成する反射
体２５ ａの内部が光透過、光散乱性を示す合成樹脂体
２５ ｂによって一体化形成されたものである。
記号等）用反射、透過構造をなし反射面を形成する反射
体２５ ａの内部が光透過、光散乱性を示す合成樹脂体
２５ ｂによって一体化形成されたものである。
そして、上記反射体２５ ａはポリカーボネート、ＡＢ
Ｓ、ノニル等の一例の白色合成樹脂で光反射性を備えて
なり、この反射体の開口反射面間を熱可塑性のポリカー
ボネート、ポリエステル、スチロール、アクリル等の合
成樹脂に光拡散材のＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ａ １２０３
等を１〜１０％充填した光透過性樹脂で反射面の少なく
とも一部を囲み一体に形成される。
Ｓ、ノニル等の一例の白色合成樹脂で光反射性を備えて
なり、この反射体の開口反射面間を熱可塑性のポリカー
ボネート、ポリエステル、スチロール、アクリル等の合
成樹脂に光拡散材のＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ａ １２０３
等を１〜１０％充填した光透過性樹脂で反射面の少なく
とも一部を囲み一体に形成される。
前記配線基台の発光素子に対応する如く形成された発光
表示機能を接合して適用される。
表示機能を接合して適用される。
なお、上記光透過性樹脂部が発光素子に対応する部位に
はボンディングワイヤの架設部を含む凹部２５ Ｃを形
成し、接合にあたって発光素子と光透過合成樹脂体２５
ｂとのワンタッチ等の防止をはかる如くなる。
はボンディングワイヤの架設部を含む凹部２５ Ｃを形
成し、接合にあたって発光素子と光透過合成樹脂体２５
ｂとのワンタッチ等の防止をはかる如くなる。
上記構成の表示装置には次にあげる顕著な利点がある。
（１）部品数が大幅に減少するばかりでなく、製造工程
が配線基板と発光表示機能体のみの構成となるため、品
質管理、製品歩留、量産性（製造工程の簡素化、短縮な
ど）が著しく向上する。
が配線基板と発光表示機能体のみの構成となるため、品
質管理、製品歩留、量産性（製造工程の簡素化、短縮な
ど）が著しく向上する。
（２）従来の第１例に示した装置の約１．５倍明るい表
示装置が得られる。
示装置が得られる。
（３）光透過樹脂部が反射体の厚さに相当し、光拡散性
も著しく改善できコーティング方式と同水準を維持する
ことができる。
も著しく改善できコーティング方式と同水準を維持する
ことができる。
（４）装置表面が一体化された反射体の発光表示機能体
で構成されるため、きわめて高品位となる。
で構成されるため、きわめて高品位となる。
第１図は従来の表示装置の断面図、第２図ａ〜ｄは従来
の表示装置の製造を示すいずれも断面図、第３図は従来
の表示装置の断面図、第４図は第３図に示す表示装置の
製造を説明するための断面図、第５図および第６図はこ
の考案の一実施例の表示装置にか・す、第５図は発光表
示機能体の断面図、第６図は表示装置の断面図を示す。 なお図中同一符号は同一または相当部分を夫々示すもの
とする。 ３・・・・・・発光素子、４・・・・・・ポンチ゛イン
グワイヤ、２１ａ。 ２１ ｂ・・・・・・導電パターン、２２・・・・・・
配線基台、２５°°゛°°。 発光表示機能体、２５ ａ・・・・・・反射体、２５
ｂ・・・・・・合成樹脂体。
の表示装置の製造を示すいずれも断面図、第３図は従来
の表示装置の断面図、第４図は第３図に示す表示装置の
製造を説明するための断面図、第５図および第６図はこ
の考案の一実施例の表示装置にか・す、第５図は発光表
示機能体の断面図、第６図は表示装置の断面図を示す。 なお図中同一符号は同一または相当部分を夫々示すもの
とする。 ３・・・・・・発光素子、４・・・・・・ポンチ゛イン
グワイヤ、２１ａ。 ２１ ｂ・・・・・・導電パターン、２２・・・・・・
配線基台、２５°°゛°°。 発光表示機能体、２５ ａ・・・・・・反射体、２５
ｂ・・・・・・合成樹脂体。
Claims (1)
- 開口反射面を有する白色合成樹脂製の光反射体およびこ
の開口内に充填されその反射面全体に密着され底面に凹
部を有する光透過性樹脂製光透過体を一体形成してなる
発光表示機能体と、発光素子を配設した配線基台とを備
え、前記発光素子を前記凹部に収納するように前記発光
表示機能体と配線基台とを重ね合わせて形成したことを
特徴とする光半導体表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13171578U JPS5926609Y2 (ja) | 1978-09-27 | 1978-09-27 | 光半導体表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13171578U JPS5926609Y2 (ja) | 1978-09-27 | 1978-09-27 | 光半導体表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5549503U JPS5549503U (ja) | 1980-03-31 |
| JPS5926609Y2 true JPS5926609Y2 (ja) | 1984-08-02 |
Family
ID=29098564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13171578U Expired JPS5926609Y2 (ja) | 1978-09-27 | 1978-09-27 | 光半導体表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5926609Y2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58153987U (ja) * | 1982-04-06 | 1983-10-14 | 日本トレ−ルモ−ビル株式会社 | 冷凍コンテナ |
| JPS62143165U (ja) * | 1986-03-06 | 1987-09-09 | ||
| JPH0449653Y2 (ja) * | 1986-05-09 | 1992-11-24 | ||
| JP2525500Y2 (ja) * | 1991-06-17 | 1997-02-12 | 株式会社東芝 | 電子機器 |
-
1978
- 1978-09-27 JP JP13171578U patent/JPS5926609Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5549503U (ja) | 1980-03-31 |
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