JPS62221163A - 薄膜トランジスタの作成方法 - Google Patents
薄膜トランジスタの作成方法Info
- Publication number
- JPS62221163A JPS62221163A JP6538486A JP6538486A JPS62221163A JP S62221163 A JPS62221163 A JP S62221163A JP 6538486 A JP6538486 A JP 6538486A JP 6538486 A JP6538486 A JP 6538486A JP S62221163 A JPS62221163 A JP S62221163A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- gate insulating
- thin film
- insulating film
- amorphous silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 26
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 52
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 25
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 19
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 11
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 13
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 abstract description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 6
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 18
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JCLFHZLOKITRCE-UHFFFAOYSA-N 4-pentoxyphenol Chemical compound CCCCCOC1=CC=C(O)C=C1 JCLFHZLOKITRCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010893 electron trap Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000013341 scale-up Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ダイナミック駆動の液晶表示装置や光センサ
ー等に用いられる薄膜トランジスタの作成方法に関する
。
ー等に用いられる薄膜トランジスタの作成方法に関する
。
（従来の技術とその問題点）
電界効果型の薄膜トランジスタは、ダイナミック駆動の
液晶表示装置のスイッチング素子として賞用される気運
にある。第２図は、この薄膜トランジスタのうち最も一
般的な形とされる逆スタガード型を示す断面図であるが
、図において、基板（１）の上に金属クロム等からなる
ゲート電極（２）を設け、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）等か
らなるゲート絶縁膜（３）、アモル７７ ス’／すニア
ン（ａ−３ｉ ：Ｈ） 層（４１を順次積層し、この
上にオーミックコンタクト層（５）を介して左右にソー
ス電極（６）とドレイン電極（７）を配置してなる。こ
のような薄膜トランジスタを作成する時、ゲート絶縁膜
（３）およびアモルファスシリコン膜（４）を堆積形成
する場合、同一チャンバー内で原料ガスの入れ換えを行
ない、連続的に行なうことが一般的であった。このよう
にチャンバー内から基板試料を出さずに連続的に行なう
ことは。
液晶表示装置のスイッチング素子として賞用される気運
にある。第２図は、この薄膜トランジスタのうち最も一
般的な形とされる逆スタガード型を示す断面図であるが
、図において、基板（１）の上に金属クロム等からなる
ゲート電極（２）を設け、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）等か
らなるゲート絶縁膜（３）、アモル７７ ス’／すニア
ン（ａ−３ｉ ：Ｈ） 層（４１を順次積層し、この
上にオーミックコンタクト層（５）を介して左右にソー
ス電極（６）とドレイン電極（７）を配置してなる。こ
のような薄膜トランジスタを作成する時、ゲート絶縁膜
（３）およびアモルファスシリコン膜（４）を堆積形成
する場合、同一チャンバー内で原料ガスの入れ換えを行
ない、連続的に行なうことが一般的であった。このよう
にチャンバー内から基板試料を出さずに連続的に行なう
ことは。
外気の汚れた雰囲気に汚染されないことを意味するから
、それ自体好都合である。しかし、将来的に見て、薄膜
トランジスタを形成する基板の大形化あるいは量産化を
考えると、ひとつのチャンバーではゲート絶縁膜（３）
のみを堆積し１次のチャンバーでアモルファスシリコン
層（４）を堆積する不連続方式が、原料ガスの交換を行
なう手間がなく、かつ作成条件も一定化しやすいので、
実際的である。
、それ自体好都合である。しかし、将来的に見て、薄膜
トランジスタを形成する基板の大形化あるいは量産化を
考えると、ひとつのチャンバーではゲート絶縁膜（３）
のみを堆積し１次のチャンバーでアモルファスシリコン
層（４）を堆積する不連続方式が、原料ガスの交換を行
なう手間がなく、かつ作成条件も一定化しやすいので、
実際的である。
この不連続方式では、基板試料は、一時的にもせよ外気
と接触することＫなり、汚染されて、その物性が劣化す
ることが予想される。具体的にはゲート絶縁膜（３）の
汚染された表面の上にアモルファスシリコン膜（４）を
堆積すれば、ゲート絶縁膜（３）とアモルファスシリコ
ン膜（４）の界面に、電子のトラップ（たまり場）がで
き、薄膜トランジスタの特性を劣化させる。具体的には
しきい値電圧ＶＴが増加する方向にシフトする。
と接触することＫなり、汚染されて、その物性が劣化す
ることが予想される。具体的にはゲート絶縁膜（３）の
汚染された表面の上にアモルファスシリコン膜（４）を
堆積すれば、ゲート絶縁膜（３）とアモルファスシリコ
ン膜（４）の界面に、電子のトラップ（たまり場）がで
き、薄膜トランジスタの特性を劣化させる。具体的には
しきい値電圧ＶＴが増加する方向にシフトする。
また、アモルファスシリコン薄膜トランジスタは、大型
の壁かけテレビや、フラット・パネルディスプレイ（コ
ンピュータ用端末機）となる液晶表示装置の駆動用素子
として実用化が進んでいるが、現在のところ、薄膜トラ
ンジスタの長期間使用による経時劣化が問題になってい
る。第３図に示す曲線Ｂは、かかる経時劣化を示すもの
で、横・初をとると、この割合の値は１時間の経過にし
たがって低下していることが理解される。
の壁かけテレビや、フラット・パネルディスプレイ（コ
ンピュータ用端末機）となる液晶表示装置の駆動用素子
として実用化が進んでいるが、現在のところ、薄膜トラ
ンジスタの長期間使用による経時劣化が問題になってい
る。第３図に示す曲線Ｂは、かかる経時劣化を示すもの
で、横・初をとると、この割合の値は１時間の経過にし
たがって低下していることが理解される。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は、液晶表示装置パネルの大型化や量産化に適す
る不連続方式で薄膜トランジスタを作成する方法を採用
し、しかも薄膜トランジスタのしきい値電圧ＶＴの高電
圧側へのシフトを抑え、かつ長期使用に際してもＯＮ
ｔ Ｋ Ｉｏｎの低下が起こりにくい、経時変化のない
薄膜トランジスタの作成方法を提供するものである。
る不連続方式で薄膜トランジスタを作成する方法を採用
し、しかも薄膜トランジスタのしきい値電圧ＶＴの高電
圧側へのシフトを抑え、かつ長期使用に際してもＯＮ
ｔ Ｋ Ｉｏｎの低下が起こりにくい、経時変化のない
薄膜トランジスタの作成方法を提供するものである。
（問題点を解決するための具体的手段）すなわち１本発
明は、プラズマ気相成長法を用いてゲート絶縁膜の上に
アモルファスシリコン層を堆積する工程を含む薄膜トラ
ンジスタの作成方法において、アモルファスシリコン膜
の堆積に先立って、ゲート絶縁膜の表面に対してエツチ
ング性を有するガスを接触させることを特徴とする薄膜
トランジスタの作成方法である。
明は、プラズマ気相成長法を用いてゲート絶縁膜の上に
アモルファスシリコン層を堆積する工程を含む薄膜トラ
ンジスタの作成方法において、アモルファスシリコン膜
の堆積に先立って、ゲート絶縁膜の表面に対してエツチ
ング性を有するガスを接触させることを特徴とする薄膜
トランジスタの作成方法である。
（作用）
エツチング性を有するガスを接触させたゲート絶縁膜の
表面は清浄化され、その表面層は若干エツチングされる
から新鮮で活性な表面となり、その上に形成されるアモ
ルファスシリコン層との接合性が良好となるから、トラ
ンジスタとして特性の優れたものが得られる。
表面は清浄化され、その表面層は若干エツチングされる
から新鮮で活性な表面となり、その上に形成されるアモ
ルファスシリコン層との接合性が良好となるから、トラ
ンジスタとして特性の優れたものが得られる。
（実施例）
以下に本発明の実施例を示す図面に基いて詳細に説明す
ると、第１図は、本発明の薄膜トランジスタを作成する
際に用いるプラズマＣＶＤ装置の一例を示す説明図であ
り、図において、ＣＶＤ装置のチャンバーｆ８１内には
、試料基板（９）を保持するホルダー（１１が設置され
、該ホルダー〇〇に対向して例えば１５．５６ ＭＨｚ
の高周波電源（１１１に連らなる高周波電極（１２１を
配蓋する。高周波を電極ｆ１２１より発振させることに
より基板試料（９）の近傍にプラズマ領域を発生させる
ことができる。導入管（１３１は原料ガスまたは原料ガ
スとエツチング性を有するガスの混合ガスを導入するも
のであり、この導入管Ｑ３１とは流路管ａ９に水素ガス
を流し、途中にマイクロ波を発生させれば、水素ラジカ
ル（Ｈ”）をチャンバー内に導入することができる。水
素ラジカルは、ゲート絶縁膜に対してエツチング性を有
するガスの一種として用いることができる。チャンバー
力８）内のガス雰囲気は、左側の排出管畑に連なる真空
排気系（図示せず）により、排出されるものであり、ガ
ス体は右から左へ流れるものである。説明が前後したが
、ホルダーａ■には基板試料（９）を加熱するためのヒ
ーターａηを備えており、また堆積の均一化のためにホ
ルダーαα自体を回転させる機構を付属させると良い。
ると、第１図は、本発明の薄膜トランジスタを作成する
際に用いるプラズマＣＶＤ装置の一例を示す説明図であ
り、図において、ＣＶＤ装置のチャンバーｆ８１内には
、試料基板（９）を保持するホルダー（１１が設置され
、該ホルダー〇〇に対向して例えば１５．５６ ＭＨｚ
の高周波電源（１１１に連らなる高周波電極（１２１を
配蓋する。高周波を電極ｆ１２１より発振させることに
より基板試料（９）の近傍にプラズマ領域を発生させる
ことができる。導入管（１３１は原料ガスまたは原料ガ
スとエツチング性を有するガスの混合ガスを導入するも
のであり、この導入管Ｑ３１とは流路管ａ９に水素ガス
を流し、途中にマイクロ波を発生させれば、水素ラジカ
ル（Ｈ”）をチャンバー内に導入することができる。水
素ラジカルは、ゲート絶縁膜に対してエツチング性を有
するガスの一種として用いることができる。チャンバー
力８）内のガス雰囲気は、左側の排出管畑に連なる真空
排気系（図示せず）により、排出されるものであり、ガ
ス体は右から左へ流れるものである。説明が前後したが
、ホルダーａ■には基板試料（９）を加熱するためのヒ
ーターａηを備えており、また堆積の均一化のためにホ
ルダーαα自体を回転させる機構を付属させると良い。
ここで言う原料ガスとは、アモルファスシリコン層を堆
積することのできるガスであって、モノシラン（ＳｉＨ
４）を水素ガス（Ｆ２）をキャリヤーガスとする混合ガ
スであることが多い。エツチング性を有するガスは、四
フフ化ケイ素（ＳｉＦ４）、フッ素ガス（Ｆ２ ）、水
素ガス（Ｆ２）などが例示でき、これらは、上記の原料
ガスと混合して入れられるか、もしくはそれ自体単独で
チャンバー（８）に導入される。
積することのできるガスであって、モノシラン（ＳｉＨ
４）を水素ガス（Ｆ２）をキャリヤーガスとする混合ガ
スであることが多い。エツチング性を有するガスは、四
フフ化ケイ素（ＳｉＦ４）、フッ素ガス（Ｆ２ ）、水
素ガス（Ｆ２）などが例示でき、これらは、上記の原料
ガスと混合して入れられるか、もしくはそれ自体単独で
チャンバー（８）に導入される。
本発明は、アモルファスシリコン層をゲート絶縁層の上
に堆積するに先立って、ゲート絶縁層の表面にエツチン
グ性のあるガスを接触させるのであり、初期条件として
は、エツチング性を有するガス単独あるいは、エツチン
グ性を有するガスを原料ガスまたは水素ガスと混合した
ガス雰囲気をチャンバー（８）内に導入し、高周波電極
（１２１に電圧を印加してプラズマ放電を基板試料（９
）の近傍で起こし、しかる後、ある時期から、あるいは
除々に。
に堆積するに先立って、ゲート絶縁層の表面にエツチン
グ性のあるガスを接触させるのであり、初期条件として
は、エツチング性を有するガス単独あるいは、エツチン
グ性を有するガスを原料ガスまたは水素ガスと混合した
ガス雰囲気をチャンバー（８）内に導入し、高周波電極
（１２１に電圧を印加してプラズマ放電を基板試料（９
）の近傍で起こし、しかる後、ある時期から、あるいは
除々に。
エツチング性を有するガスを原料ガスに置き換えて、ア
モルファスシリコン層の堆積を行なうものである。
モルファスシリコン層の堆積を行なうものである。
エラチングル堆積の条件は１例えばチャンバー内の気圧
（キャリアーガスの気圧）を０，２〜０．４Ｔｏｒｒに
設定し、原料もしくはエツチング性を有するガスのガス
流量を２０〜６０ ＳＣＣＭ、高周波出力１０〜４０Ｗ
１５インチ径、基板温度２００〜４００℃に設定すると
良い。
（キャリアーガスの気圧）を０，２〜０．４Ｔｏｒｒに
設定し、原料もしくはエツチング性を有するガスのガス
流量を２０〜６０ ＳＣＣＭ、高周波出力１０〜４０Ｗ
１５インチ径、基板温度２００〜４００℃に設定すると
良い。
原料ガスとしてＳｉＨ４、エツチング性を有するガスと
してＳｉＦ４を用い、キャリアーガスとして水素ガスを
用いた場合を述べると、まず始めに、ガラス基板上に金
属クロムのゲート電極をパターン状に形成した基板試料
を、第１図に示すプラズマＣＶＤ装置のホルダーに設置
し、キャリアーガスを水素とし、ＳｉＨ４とＮＨ５を原
料ガスとするプラズマＣＶＤ法により、ＳｉＮｘのゲー
ト絶縁膜を堆積する。
してＳｉＦ４を用い、キャリアーガスとして水素ガスを
用いた場合を述べると、まず始めに、ガラス基板上に金
属クロムのゲート電極をパターン状に形成した基板試料
を、第１図に示すプラズマＣＶＤ装置のホルダーに設置
し、キャリアーガスを水素とし、ＳｉＨ４とＮＨ５を原
料ガスとするプラズマＣＶＤ法により、ＳｉＮｘのゲー
ト絶縁膜を堆積する。
次に、ゲート絶縁膜に対してエツチング性を有するガス
としてＳｉＦ４を用い、 ＳｉＦ４をｑ ＳＣＣＭ。
としてＳｉＦ４を用い、 ＳｉＦ４をｑ ＳＣＣＭ。
ＳｉＨ４を８ ＳＣＣＭの流量にて、５〜２０分間にわ
たってゲート絶縁膜の表面をエツチングし、プラズマ放
電を切らずに、続いて原料ガスのＳｉＨ４を１７ ＳＣ
ＣＭの流量で流し、エツチング性のあるガスを原料ガス
に置換する。このようにして得られたアモルファスシリ
コン層の上にオーミックコンタクト層、ドレイン、ソー
スの両電極を形成して。
たってゲート絶縁膜の表面をエツチングし、プラズマ放
電を切らずに、続いて原料ガスのＳｉＨ４を１７ ＳＣ
ＣＭの流量で流し、エツチング性のあるガスを原料ガス
に置換する。このようにして得られたアモルファスシリ
コン層の上にオーミックコンタクト層、ドレイン、ソー
スの両電極を形成して。
その薄膜トランジスタとしてＯＮ電流の経時変化をみた
ところ、第３図の曲線Ａに示すような特性を示し、明ら
かに、ゲート絶縁膜をエツチングしないでアモルファス
シリコン層を形成した従来例（曲線Ｂ）よりも優れた特
性であった。
ところ、第３図の曲線Ａに示すような特性を示し、明ら
かに、ゲート絶縁膜をエツチングしないでアモルファス
シリコン層を形成した従来例（曲線Ｂ）よりも優れた特
性であった。
上記の例の他に、エツチング性を有するガスの例として
水素ラジカル（Ｈｅ）を用いることもできる。この場合
は、第１図に示すプラズマＣＶＤ装置の流路管（１９を
通してキャリアーガスであるヘリウム（Ｈｅ ）と水素
ガス（Ｆ２）を流し、途中のマイクロ波発振電極（１４
）より発生したマイクロ波により水素ラジカルを得るこ
とになる。流路管ｆ１５１の流量としては、ヘリウム（
Ｈｅ） ０．２８ Ｔｏｒｒに、水素ガス１ＳＣＣＭ程
度で充分で、これでエツチング性のあるガスになりうる
。エツチング性を有するガスとしては、上述のほか、フ
ッ素ガス（Ｆ２）があげられる。
水素ラジカル（Ｈｅ）を用いることもできる。この場合
は、第１図に示すプラズマＣＶＤ装置の流路管（１９を
通してキャリアーガスであるヘリウム（Ｈｅ ）と水素
ガス（Ｆ２）を流し、途中のマイクロ波発振電極（１４
）より発生したマイクロ波により水素ラジカルを得るこ
とになる。流路管ｆ１５１の流量としては、ヘリウム（
Ｈｅ） ０．２８ Ｔｏｒｒに、水素ガス１ＳＣＣＭ程
度で充分で、これでエツチング性のあるガスになりうる
。エツチング性を有するガスとしては、上述のほか、フ
ッ素ガス（Ｆ２）があげられる。
第４図は、本発明の薄膜トランジスタの作成方法によっ
て得られる薄膜トランジスタの模式断面図を示すが、２
１ｇ２図の従来例とは異なり、ゲート絶縁膜（３）とア
モルファスシリコン層（４）の間に、エツチング操作と
堆積操作が共存していたアモルファスシリコン中間層（
４）′が介在することが示されている。
て得られる薄膜トランジスタの模式断面図を示すが、２
１ｇ２図の従来例とは異なり、ゲート絶縁膜（３）とア
モルファスシリコン層（４）の間に、エツチング操作と
堆積操作が共存していたアモルファスシリコン中間層（
４）′が介在することが示されている。
（発明の効果）
本発明によれば、ゲート絶縁膜の表面をエツチングし、
しかるのち、アモルファスシリコン層ヲ堆積するもので
あるから、ゲート絶縁膜とアモルファスシリコン層の界
面に、電子のたまり場（トラップ準位）ができに＜＜、
シたがってしきい値電圧ＶＴの高電圧側へのシフトおよ
びＯＮ電流の経時劣化といった特性の悪化が抑えられる
ことがたしかめられた。しかも１本発明の作成方法によ
れば、ゲート絶縁膜を堆積した段階で、真空チャンバー
から基板試料を取り出し、外気にさらすようなことがあ
っても、外気によって汚染されたゲート絶縁膜の表面は
エツチングにより清浄化されるのであり、ゲート絶縁膜
とアモルファスシリコン層の堆積を別個の真空チャンバ
ーで行なう場合のような、を量化、大型化に対応する実
用的な作成方法でもある。
しかるのち、アモルファスシリコン層ヲ堆積するもので
あるから、ゲート絶縁膜とアモルファスシリコン層の界
面に、電子のたまり場（トラップ準位）ができに＜＜、
シたがってしきい値電圧ＶＴの高電圧側へのシフトおよ
びＯＮ電流の経時劣化といった特性の悪化が抑えられる
ことがたしかめられた。しかも１本発明の作成方法によ
れば、ゲート絶縁膜を堆積した段階で、真空チャンバー
から基板試料を取り出し、外気にさらすようなことがあ
っても、外気によって汚染されたゲート絶縁膜の表面は
エツチングにより清浄化されるのであり、ゲート絶縁膜
とアモルファスシリコン層の堆積を別個の真空チャンバ
ーで行なう場合のような、を量化、大型化に対応する実
用的な作成方法でもある。
第１図は１本発明の薄膜トランジスタの作成方法に用い
られるプラズマＣＶＤ装置の一例を示す説明図であり、
第２図は従来の薄膜トランジスタの一例を示す断面図で
あり、第３図は本発明の作成方法による薄膜トランジス
タと従来の薄膜トランジスタのＯＮ電流の経時劣化を比
較して示すグラフ図であり、櫂４図は本発明の作成方法
による薄膜トランジスタの一例を示す断面図である。
られるプラズマＣＶＤ装置の一例を示す説明図であり、
第２図は従来の薄膜トランジスタの一例を示す断面図で
あり、第３図は本発明の作成方法による薄膜トランジス
タと従来の薄膜トランジスタのＯＮ電流の経時劣化を比
較して示すグラフ図であり、櫂４図は本発明の作成方法
による薄膜トランジスタの一例を示す断面図である。
Claims (4)
- （１）プラズマ気相成長法を用いてゲート絶縁膜の上に
アモルファスシリコン層を堆積する工程を含む薄膜トラ
ンジスタの作成方法において、アモルファスシリコン層
の堆積に先立って、ゲート絶縁膜の表面に対してエッチ
ング性を有するガスを接触させることを特徴とする薄膜
トランジスタの作成方法。 - （２）エッチング性を有するガスが、それ自体単独でゲ
ート絶縁膜の表面に接触する特許請求の範囲第１項記載
の薄膜トランジスタの作成方法。 - （３）エッチング性を有するガスが、アモルファスシリ
コンの原料となるガスと混合した状態でゲート絶縁膜の
表面に接触する特許請求の範囲第１項記載の薄膜トラン
ジスタの作成方法。 - （４）エッチング性を有するガスが、水素ガスと混合し
た状態でゲート絶縁膜の表面に接触する特許請求の範囲
第１項記載の薄膜トランジスタの作成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6538486A JPS62221163A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 薄膜トランジスタの作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6538486A JPS62221163A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 薄膜トランジスタの作成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62221163A true JPS62221163A (ja) | 1987-09-29 |
Family
ID=13285434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6538486A Pending JPS62221163A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 薄膜トランジスタの作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62221163A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63306668A (ja) * | 1987-06-09 | 1988-12-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| US5067437A (en) * | 1988-03-28 | 1991-11-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for coating of silicon semiconductor surface |
| JP2015043456A (ja) * | 2009-03-10 | 2015-03-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5948961A (ja) * | 1982-09-14 | 1984-03-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-03-24 JP JP6538486A patent/JPS62221163A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5948961A (ja) * | 1982-09-14 | 1984-03-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63306668A (ja) * | 1987-06-09 | 1988-12-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| US5067437A (en) * | 1988-03-28 | 1991-11-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for coating of silicon semiconductor surface |
| JP2015043456A (ja) * | 2009-03-10 | 2015-03-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4791637B2 (ja) | Ｃｖｄ装置とこれを用いた処理方法 | |
| JP2938361B2 (ja) | 薄膜トランジスタのための多段階ｃｖｄ法 | |
| JPH05163573A (ja) | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 | |
| JP2009054996A (ja) | 表示装置の作製方法 | |
| EP0637837A2 (en) | Method for fabricating a thin film transistor | |
| JPH07230960A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH04218928A (ja) | 薄膜半導体装置とその製造方法及びシリコン薄膜堆積法 | |
| JPS62221163A (ja) | 薄膜トランジスタの作成方法 | |
| JPH11224858A (ja) | Ｃｖｄ装置のクリーニング方法 | |
| JP3055782B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方 | |
| JPH05335335A (ja) | 水素化アモルファスシリコン薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPH0443642A (ja) | ゲート絶縁膜の形成方法 | |
| JP3221129B2 (ja) | 半導体装置の製法 | |
| JPS58148458A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JPS5927575A (ja) | セルフアライメント形薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JP3730185B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPS59177919A (ja) | 薄膜の選択成長法 | |
| JPH0629536A (ja) | 多結晶シリコン薄膜トランジスタ | |
| JPH0653503A (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
| JP3038898B2 (ja) | 薄膜半導体装置の製造方法 | |
| JPH0645593A (ja) | トランジスタの製造方法 | |
| JPH02196470A (ja) | 薄膜トランジスタとその製造方法 | |
| JPH08288282A (ja) | 半導体装置用絶縁膜の製造方法 | |
| JP2002329869A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6277466A (ja) | 薄膜形成方法 |