JPS62219959A - 集積回路装置 - Google Patents

集積回路装置

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JPS62219959A
JPS62219959A JP61062846A JP6284686A JPS62219959A JP S62219959 A JPS62219959 A JP S62219959A JP 61062846 A JP61062846 A JP 61062846A JP 6284686 A JP6284686 A JP 6284686A JP S62219959 A JPS62219959 A JP S62219959A
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JP
Japan
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capacitor
output
potential
vss
level
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JP61062846A
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Takumi Miyashita
工 宮下
Hirotoshi Okada
岡田 宏稔
Sumisada Yanagida
柳田 純貞
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Fujitsu Ltd
Fujitsu Micom System Co Ltd
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Fujitsu Ltd
Fujitsu Micom System Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はMOS集積回路、特にプロセッサなどのM O
S 39理ICの出カバソファに関する。
〔従来の技術〕
半導体集積回路は半導体チップ内に多数の人出カバッフ
ァ等を構成しており、そしてこれらのバッファ等は電源
V cc、  V ss間に接続している。第1図はプ
ロセッサのVss配線部分の一例を示し、10は半導体
チップ、12はVss配線である。14はアドレスデー
タバッファ又はその出力端子で、CLはその負荷容量で
ある。このプロセッサは端子14を時分割してアドレス
用にもデータ用にも使用する。16はアドレスラッチイ
ネーブル(ALE)信号の出カバソファであり、18は
Vss電源端子である*Vss配線12はこのVss端
子18を通して外部(プリント基板)のVss線に接続
され、バッファ14.16等にVss電位(電源低電位
、例えばO電位)を与える。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところでアドレスなどはFF・・・・・・を出していて
次はOO・・・、・・・を出すなどの変化をすることが
ある。
この場合、FF・・・・・・つまりオールH(ハイ)で
充電されていた負荷容量CL、 CL、・・・・・・は
オール0で一斉に放電することになり、これはVss配
線12、端子18、等を通って図示しない電源低電位端
へ流れるので、配線抵抗等によりVss線12の電位上
昇をもたらす。この放電電流は800mA〜IAにも及
ぶことがあり、そして抵抗はVss線12の抵抗r +
 +  r 21  r 3 +・・・・・・、パッケ
ージとチップ間で行なわれるボンディングの抵抗RB。
パッケージ内配線の抵抗Rp、パッケージ外部の抵抗R
oなど各種あるので、Vss線12の電位上昇はかなり
なものになる。
Vss線に電位上昇があると、Hレベルの入力信号がL
レベルと判定されたりする誤動作が生じる恐れがある。
また第5図に示すようにバッファ16のALE出力の立
下りでアドレスラッチが行なわれ、このサイクルTIに
続くサイクルT2.T3゜T4ではデータ入出力が行な
われるが、負荷容量CLの放電でVS3線に電位上昇(
グリッチ)があると、その立上りで再びアドレスのラッ
チが行なわれ、誤動作を生じる恐れがある。
本発明はか−る点を改善し、出カバソファが一斉にHか
らLへの変化を行なってもVss線電位の過度の上昇、
回路誤動作が生じないようにしようとするものである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、電源Vcc線とVss線との間に接続され、
出力端を出力端子へ接続した多数の出力バッファを備え
るMO5@積回路において、該出力端子と、出力バッフ
ァの出力段のV 55(11JM OS )ランジスタ
のゲート又は駆動段のV ccllJM OS )ラン
ジスタのゲートとの間に接続されて、該出力段のV 5
sllJ M OS )ランジスタの急激なターンオン
を抑える負帰還用コンデンサを設けたことを特徴とする
ものである。
〔作用〕
この構成によれば、コンデンサによる負帰還という簡単
な手段でVss線に生じるグリッチを低減でき、しかも
出力ディレィ、出力フォールタイムを損ねることが少な
い利点が得られる。
〔実施例〕
第1図および第2図は本発明の実施例を示す。
Ql、C2は出力バッファの出力段MOsトランジスタ
、C3,Qlは同駆動段MOSトランジスタである11
S1.S2はH,L逆の入力信号、14はアドレス/デ
ータ出力端子、CLはその容量である。信号S1がHS
S2がLのときC4オン、C3オフ、従って駆動段の出
力はLlこのためC2はオフ、Qlはオン(このゲート
信号は図示しないがHレベル)、従って出力段の出力は
Hレベルで容11cLはVccまたはその近傍に充電さ
れている。この状態で信号SIがり、S2がHになると
C4はオフ、C3はオン、C2オン、Q+オフとなり容
NCLはC2を通して放電する。この放電電流が前述の
Vss線のグリッチを生じる6本発明ではこれを出力段
の出力端からVss側トランジスタQ2のゲートへ接続
してコンデンサCIにより抑制する。
このコンデンサC1があると、動作は次のようになる。
即ち、出力端子14がHレベルで容量CLが充電されて
いるとき、C+、Qa+  Vssの経路テC+ カf
g l(レベルに充電されている。この状態でS + 
=L、 S 2 =Hで駆動段の出力電位が上昇しよう
とするとこれはコンデンサC+により抑えられ、直ちに
は上昇できない。コンデンサc1の放電につれてトラン
ジスタQ2のゲート電位は上昇し、トランジスタQ2は
オンし始め、これによりコンデンサCIの放電は促進さ
れ、やがてQ1オフ、C2オン、端子14はLレベルに
なるが、コンデンサC1による抑制で放電電流は急激に
は流れないのでグリッチは低減できる。
第2図はコンデンサの接続位置を変えたもので、このコ
ンデンサC2は出力端子14と、駆動段の前段の出力端
との間に接続する。この前段はデブリーシッンMOSト
ランジスタQ6とエンハンスメントMOS)ランジスタ
Q5で構成され、インバータとして動作する。信号SI
がHならC5オン、C4オン、C3オフ、02オフ、Q
1オンで出力端子14はHレベル、コンデンサCL及び
C2はVccに充電される。信号S1がLに変るとQ 
5 。
C4オフ、C3オン、C2オン、Q1オフ、出力端子1
4はLになり、コンデンサCLの電荷はC2を通して放
電するが、このときコンデンサC2によりC3のゲート
電位の上昇は抑えられ、C2は急速にはオンにならない
のでコンデンサCLの放電はなだらかに行なわれ、Vs
s線に発生するグリ7チは低減される。
このコンデンサ01又はC2による負帰還による放電抑
制、Vss線電位上昇の低減は、他の方法例えば出力段
Vss側トランジスタQ2のゲート電圧の上限を下げる
、立上りを遅くする、C2の電流増幅率βを小さくする
等を比べて有効である。
即ち放電々流のピークを抑え、かつ出力遅延・出力フォ
ールタイムを損ねる事が少ない。第4図はこれを説明す
る図で、第2図の回路の前段の出力端a、駆動段の出力
端すの電位変化は出力端子A/DのH−L変化時に図示
の如くなるが、コンデンサC2による押下げ効果でこれ
らは点線の如くなり、つれてA/DはC2なしからC2
ありに変り、なだらかな変化になる。しかも変化終了時
点は、どちらも余り変らない。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によればコンデンサによる負
帰還という簡単な手段でVss線に生じるグリッチを低
減でき、しかも出力ディレィ、出力フォールタイムを損
ねることが少ない利点が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は本発明の実施例を示す回路図、第
3図はVss線の電位上昇を説明する図、第4図および
第5図は動作説明用波形図である。 図面で、Ql、C2は出力バッファの出力段MOS)ラ
ンジスタ、C3,C4は同駆動段MOSトランジスタ、
CI、C2は負帰還用コンデンサである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 電源Vcc線とVss線との間に接続され、出力端を出
    力端子へ接続した多数の出力バッファを備えるMOS集
    積回路において、 該出力端子と、出力バッファの出力段のVss側MOS
    トランジスタのゲート又は駆動段のVcc側MOSトラ
    ンジスタのゲートとの間に接続されて、該出力段のVs
    s側MOSトランジスタの急激なターンオンを抑える負
    帰還用コンデンサを設けたことを特徴とするMOS集積
    回路。
JP61062846A 1986-03-20 1986-03-20 集積回路装置 Expired - Fee Related JPH0793408B2 (ja)

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JPS62219959A true JPS62219959A (ja) 1987-09-28
JPH0793408B2 JPH0793408B2 (ja) 1995-10-09

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5788774A (en) * 1980-11-25 1982-06-02 Hitachi Ltd Semiconductor device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS5788774A (en) * 1980-11-25 1982-06-02 Hitachi Ltd Semiconductor device

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