JPH02168723A - 出力回路 - Google Patents

出力回路

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Publication number
JPH02168723A
JPH02168723A JP63324181A JP32418188A JPH02168723A JP H02168723 A JPH02168723 A JP H02168723A JP 63324181 A JP63324181 A JP 63324181A JP 32418188 A JP32418188 A JP 32418188A JP H02168723 A JPH02168723 A JP H02168723A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
output
buffer
signal
changes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63324181A
Other languages
English (en)
Inventor
Misao Higuchi
樋口 三佐男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP63324181A priority Critical patent/JPH02168723A/ja
Publication of JPH02168723A publication Critical patent/JPH02168723A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/003Modifications for increasing the reliability for protection
    • H03K19/00346Modifications for eliminating interference or parasitic voltages or currents
    • H03K19/00361Modifications for eliminating interference or parasitic voltages or currents in field effect transistor circuits

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はMOS  IC1特にCMO5ICの出力回路
に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の出力回路は、第7図に示すように、電源
と接地間にPチャネル型トランジスタ11とNチャネル
型l・ランジスタ12が直列に配置され、トランジスタ
11のゲートにはIC内部の出力信号S1と制御信号S
2を入力するナントゲート13の出力が入力され、トラ
ンジスタ12のゲートにはIC内部の出力信号S1とイ
ンバータ14による制御信号S2の反転信号Sを入力と
するノアゲート15の出力が入力され、ゲート入力によ
り一方のトランジスタがオンの状態、また、両方共オフ
したハイ・インピーダンス状態となるトライ・ステート
型出力回路として広く知られている。
(発明が解決しようとする課題) 」二連した従来の出力回路は、近年高速化の要求により
ゲート幅が大きくなり、その出力がオン/オフと変化す
る時に出力負荷容量の充放電電流が瞬時に流れ、大きな
ピーク電流を発生する。特に出力端子が多いICにおい
ては、その出力が同時に変化′1−る場合、電源および
接地ラインの電位変動を起こし、パッケージへ搭載する
ことによるホンディンダワイヤやリードに寄生するイン
タフタンスによりIC内部の誤動作、入力レベルの悪化
、出力のリンキングといフた欠点を有している。
〔課題を解決するだめの手段〕 本発明の出力回路は、 電源と接地間に直列に配置され、第1のバッファを形成
する1対のPチャネル型トランジスタおよびNチャネル
型トランジスタと、 第1のバッファとは独立して、または一方のトランジス
タを第1のバッファと共有して、電源と接地間に直列に
配置され、第2のバッファを形成する1対のPチャネル
型トランジスタおよびNチャネル型トランジスタと、 第2のバッファを構成するトランジスタのうち、第1の
バッファのトランジスタと共通でないトランジスタのゲ
ートに出力か接続され、当該トランジスタをオフからオ
ンへ変化させる入力に対して、こわを有効に遅延させる
遅延回路とからなり、 第1のバッファと第2のバッファの出力は共通に接続さ
れて出力となり、第2のバッファのトランジスタを形成
するトランジスタのうち、第1のバッファのトランジス
タと共通でないトランジスタのオン抵抗は第1のバッフ
ァのトランジスタよりもオン抵抗が小さく、第1のバッ
ファを形成するトランジスタのゲートにはIC内部から
の出力信号が接続され、第2のバッファを形成するトラ
ンジスタのうち第1のバッファのトランジスタと共通で
ないトランジスタのゲートにはIC内部の出力信号が前
記遅延回路を経て接続される。
〔作  用〕
電源と接地間に直列に配置されたトランジスタを1つの
出力に対し、2対配置し、第2のバッファのトランジス
タのオン抵抗を第1のバッファのトランジスタのオン抵
抗より小さくし、出力回路の変化はまず、オン抵抗の大
きいトランジスタを動作させ、遅れてオン抵抗の小さい
トランジスタを動作させるので、出力信号の負荷のチャ
ージ、ディスチャージはゆるやかに始まり、第2のバッ
ファのトランジスタが動作し始めるとチャージ、ディス
チャージが加速される。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
第1図は本発明の出力回路の第1の実施例の回路図、第
2図は第1図の回路の動作を示すタイミング、第5図、
第6図は遅延回路8.9の一例の回路図である。
この出力回路は、電源Vccと接地間に直列に配置され
、第1のバッファを形成する1対のPチャネル型トラン
ジスタ1とNチャネル型トランジスタ2と、同じく電源
Vccと接地間に直列に配置され、第2のバッファを形
成する1対のPチャネル型トランジスタ3とNチャネル
型トランジスタ3と、IC内部の出力信号S1と制御信
号S2を入力とするナントゲート5と、制御信号S、を
反転するインバータ6と、出力信号S1とインバータ6
の出力信号S2を入力とするノアゲート7と、遅延回路
8,9とから構成され、第2のバッファのトランジスタ
3,4は第1のバッファのトランジスタ1.2に比ベオ
ン抵抗が小さく、第1のバッファと第2のバッファは共
通に接続されて出力となり、第1のバッファのゲートへ
は→−ントゲート5、ノアゲート7の出力信号S3.S
、Iか入力され、第2のバッファのグー]・には出力信
号S3.S、1か遅延回路8,9をそれぞれ経た信号S
5.S、、か入力される。なお、遅延回路9は、例えば
第4し1に示すように構成され、入力信号の低レベルか
ら高レベルの変化の場合にのみ出力信号に有効に遅れか
生じるものであり、遅延回路8は、例えば第5図に承ず
ように構成され、入力信号の高レベルから低レベルの変
化の場合にのみ出力信号に有効に遅れか生じるものであ
る。
次に、本実施例の動作を説明する。
出力b’+号S1か低レベルから高レベルに変化1−る
場合、信号S3.S、は共に高レベルから低レベルへ変
化する。このとき、トランジスタ1はオフからオンへ、
トランジスタ2はオンからオフへ変化し、出力信号S7
は高レベルへ変化し始める。続いて、遅延回路8にて遅
らされた信号S5によりトランジスタ3がオンし、出力
信号S7は高レベルへさらに加速される。一方、遅延回
路9は信号S4の高レベルから低レベルへの変化に対し
て殆ど遅延動作しないので、トランジスタ4はトランジ
スタ3のオフからオンへの変化よりも早くオンからオフ
へ変化する。これは、出力トランジスタの変化時に電源
から接地への貫通電流を防ぐためである。
次に、入力信号S、が高レベルから低レベルへと変化す
る場合、信号S3.S4は低レベルから高レベルへと変
化し、トランジスタ1はオフへ、]・ランジスタ2はオ
ンへと変化する。この結果、出力信号S7は低レベルへ
変化をはじめる。続いて、遅延回路9により遅らされた
信号S6によりトランジスタ4がオンし、出力信号S7
は低レベルへさらに加速される。ここて、遅延回路8は
入力信号S3の低レベルから高レベルへの変化に対して
は殆ど遅延動作しないので、トランジスタ3のオンから
オフへの変化はトランジスタ4のオフからオンへの変化
より早くなる。
以上の動作により、出力信号S7の負荷に対し、トラン
ジスタ1,2はオン抵抗が大きいため、チャージ、ディ
スチャージはゆるやかに始まり、オン抵抗の小さいi・
ランジスタ3.4により、チャージ、ディスチャージは
加速される。したがって、出力変化直後の電流変化を抑
えることになる。
第3図は本発明の出力回路の第2の実施例の回路図、第
4図は第3図の回路の動作を示すタイミング図である。
本実施例は、内部信号S1の高レベルから低レベルの変
化の場合にのみ有効となる例て、第1図からトランジス
タ3と遅延回路8が除かれている。
動作は第1の実施例と同様て、内部出力S1の高レベル
出力から低レベル出力への変化時に出力信号S7の変化
、すなわち出力負荷のディスチャージ時の電流変化を抑
えるものである。
さらに、第1図の実施例からトランジスタ4と遅延回路
9を除き、内部信号S、の低レベル出力から高レベル出
力への変化の場合のみに有効となる例も同様な効果が期
待できる。
〔発明の効果] 以上説明したように本発明は、出力回路のトランジスタ
のオン抵抗を制御し、出力変化時に発生するピーク電流
を抑えることにより、電流ノイズによるIC内部の誤動
作1人カレベルの悪化、出力のリンキングによるデータ
の遅れを防止てきる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の出力回路の第1の実施例の回路図、第
2図は第1図の出力回路の動作タイミング図、第3図は
本発明の出力回路の第2の実施例の回路図、第4図は第
3図の出力回路の動作タイミング図、第5図、第6図は
遅延回路の回路図、第7図は従来の出力回路の回路図で
ある。 1.3・・・Pチャネル型トランジスタ、2.4・・・
Nチャネル型トランジスタ、5・・・ナントゲート、 
  6・・・インバータ、7・・・ノアゲート、  8
,9・・・遅延回路、Sl・・・内部出力信号、 S2・・・制御信号、 S3〜S7・・・信号。 丈 l111□口

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、電源と接地間に直列に配置され、第1のバッファを
    形成する1対のPチャネル型トランジスタおよびNチャ
    ネル型トランジスタと、 第1のバッファとは独立して、または一方のトランジス
    タを第1のバッファと共有して、電源と接地間に直列に
    配置され、第2のバッファを形成する1対のPチャネル
    型トランジスタおよびNチャネル型トランジスタと、 第2のバッファを構成するトランジスタのうち、第1の
    バッファのトランジスタと共通でないトランジスタのゲ
    ートに出力が接続され、当該トランジスタをオフからオ
    ンへ変化させる入力に対して、これを有効に遅延させる
    遅延回路とからなり、 第1のバッファと第2のバッファの出力は共通に接続さ
    れて出力となり、第2のバッファのトランジスタを形成
    するトランジスタのうち、第1のバッファのトランジス
    タと共通でないトランジスタのオン抵抗は第1のバッフ
    ァのトランジスタよりもオン抵抗が小さく、第1のバッ
    ファを形成するトランジスタのゲートにはIC内部から
    の出力信号が接続され、第2のバッファを形成するトラ
    ンジスタのうち第1のバッファのトランジスタと共通で
    ないトランジスタのゲートにはIC内部の出力信号が前
    記遅延回路を経て接続される出力回路。
JP63324181A 1988-12-21 1988-12-21 出力回路 Pending JPH02168723A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63324181A JPH02168723A (ja) 1988-12-21 1988-12-21 出力回路

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JP63324181A JPH02168723A (ja) 1988-12-21 1988-12-21 出力回路

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ID=18162989

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63324181A Pending JPH02168723A (ja) 1988-12-21 1988-12-21 出力回路

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JP (1) JPH02168723A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04159812A (ja) * 1990-10-24 1992-06-03 Nec Corp 出力バッファ回路

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04159812A (ja) * 1990-10-24 1992-06-03 Nec Corp 出力バッファ回路

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