JPS6220876A - 二酸化珪素被膜の製造方法 - Google Patents
二酸化珪素被膜の製造方法Info
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- JPS6220876A JPS6220876A JP60159457A JP15945785A JPS6220876A JP S6220876 A JPS6220876 A JP S6220876A JP 60159457 A JP60159457 A JP 60159457A JP 15945785 A JP15945785 A JP 15945785A JP S6220876 A JPS6220876 A JP S6220876A
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- soln
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C2/00—Hot-dipping or immersion processes for applying the coating material in the molten state without affecting the shape; Apparatus therefor
- C23C2/04—Hot-dipping or immersion processes for applying the coating material in the molten state without affecting the shape; Apparatus therefor characterised by the coating material
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- Removal Of Specific Substances (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は酸化珪素被膜の製造方法に関し、特に珪弗化水
素酸の酸化珪素飽和水溶液と基材とを接触させて基材表
面に酸化珪素被膜を析出させる方法(以後析出法と略称
する)の改良法に関する。
素酸の酸化珪素飽和水溶液と基材とを接触させて基材表
面に酸化珪素被膜を析出させる方法(以後析出法と略称
する)の改良法に関する。
任意の基板表面に酸化珪素被膜を製造する方法として、
O,S〜3.0モル/lの濃度の珪弗化水素酸に酸化珪
素を飽和させ、その後この珪弗化水素酸の酸化珪素飽和
水溶液llにつきホウ酸を2.0×10−2モル以上添
加して酸化珪素を過飽和とした処理液に基材を浸漬し、
基材表面に酸化珪素被膜を製造する方法(特開昭57−
7り47IIII)、および該処理液にホウ酸を添加し
続けることにより、酸化珪素の過飽和状態をある程度持
続させ、酸化珪素被膜をくり返し析出させる方法(特開
昭jl−/乙/ワIItI)等が知られている。
O,S〜3.0モル/lの濃度の珪弗化水素酸に酸化珪
素を飽和させ、その後この珪弗化水素酸の酸化珪素飽和
水溶液llにつきホウ酸を2.0×10−2モル以上添
加して酸化珪素を過飽和とした処理液に基材を浸漬し、
基材表面に酸化珪素被膜を製造する方法(特開昭57−
7り47IIII)、および該処理液にホウ酸を添加し
続けることにより、酸化珪素の過飽和状態をある程度持
続させ、酸化珪素被膜をくり返し析出させる方法(特開
昭jl−/乙/ワIItI)等が知られている。
上記析出法は低温で膜形成可能であり、かつあらゆる形
状の基材に膜形成可能であるという利点を持つが、使用
後の処理液を廃棄する際廃液の無害化処理が繁雑である
という問題点があった。
状の基材に膜形成可能であるという利点を持つが、使用
後の処理液を廃棄する際廃液の無害化処理が繁雑である
という問題点があった。
一般にフッ素を含む廃液は、Ca(OH)、を添加して
フッ素をCaF2沈殿として分離除去する。しかしなが
ら上記析出法の廃液はCa(OH)2を添加処理しても
一回ではなかなか廃液中のフッ素濃度が下がらず、Ca
(OH)2添加、沈殿、分離の作業を何回もくり返す必
要があった。
フッ素をCaF2沈殿として分離除去する。しかしなが
ら上記析出法の廃液はCa(OH)2を添加処理しても
一回ではなかなか廃液中のフッ素濃度が下がらず、Ca
(OH)2添加、沈殿、分離の作業を何回もくり返す必
要があった。
本発明は上記問題点を解決するために、添加剤を加えて
二酸化珪素を過飽和状態とした珪弗化水素酸溶液と基材
とを接触させて基材表面に二酸化珪素被膜を析出させる
二酸化珪素被膜の製造方法において、添加剤としてアル
ミニウム化合物、カルシウム化合物、マグネシウム化合
物、ノくリウム化合物、ニッケル化合物、コバルト化合
物、亜鉛化合物、銅化合物からなる群より選ばれた少な
くとも1種の化合物および/または金属をルいている0 本発明に使用する金属は珪弗化水素酸溶液と反応し珪弗
化水素酸溶液中に溶解するものでなければならず、Pt
、Rh等の貴金属以外の金属が使用でき、例えばA#
、Fe 、Mg等があげられる。内でもAlがその廃液
処理が簡単なため好まれる。
二酸化珪素を過飽和状態とした珪弗化水素酸溶液と基材
とを接触させて基材表面に二酸化珪素被膜を析出させる
二酸化珪素被膜の製造方法において、添加剤としてアル
ミニウム化合物、カルシウム化合物、マグネシウム化合
物、ノくリウム化合物、ニッケル化合物、コバルト化合
物、亜鉛化合物、銅化合物からなる群より選ばれた少な
くとも1種の化合物および/または金属をルいている0 本発明に使用する金属は珪弗化水素酸溶液と反応し珪弗
化水素酸溶液中に溶解するものでなければならず、Pt
、Rh等の貴金属以外の金属が使用でき、例えばA#
、Fe 、Mg等があげられる。内でもAlがその廃液
処理が簡単なため好まれる。
又本発明に使用するアルミニウム化合物、カルシウム化
合物、マグネシウム化合物、バリウム化合物、ニッケル
化合物、コバルト化合物、亜鉛化合物、銅化合物LLJ
(Fと反応する化合物であり例えば7)化物以外の化合
物である塩化物、硝酸塩、硫酸塩等が使用でき、内でも
塩化物が好んで用いられる。
合物、マグネシウム化合物、バリウム化合物、ニッケル
化合物、コバルト化合物、亜鉛化合物、銅化合物LLJ
(Fと反応する化合物であり例えば7)化物以外の化合
物である塩化物、硝酸塩、硫酸塩等が使用でき、内でも
塩化物が好んで用いられる。
金属と接触させられるか又は化合物が添加される珪弗化
水素酸溶液は、該操作によってすぐに酸化珪素の過飽和
状態となる溶液つまり酸化珪素の飽和状態の珪A(ビ水
素配溶液であることが好ましい。この酸化珪素の飽和し
;さ珪弗化水素酸溶液は、珪弗化水素酸溶液に酸化珪素
源(シリカゲル、シリカガラス等)を溶解することによ
り得られる。
水素酸溶液は、該操作によってすぐに酸化珪素の過飽和
状態となる溶液つまり酸化珪素の飽和状態の珪A(ビ水
素配溶液であることが好ましい。この酸化珪素の飽和し
;さ珪弗化水素酸溶液は、珪弗化水素酸溶液に酸化珪素
源(シリカゲル、シリカガラス等)を溶解することによ
り得られる。
金属と珪弗化水素酸溶液との接触は、金属粉末を溶液中
に添加する方法および金属片を溶液中に浸漬する方法等
の形態で行なわれる。珪弗化水素酸中の酸化珪素の過飽
和度は金属の添加量(反応により消費した量)および添
加前の溶液の状態により決定され、その添加量は該金属
と接触させる前の珪弗化水素酸1モルに対して0.0/
−/倍のモル数であることが好ましい。
に添加する方法および金属片を溶液中に浸漬する方法等
の形態で行なわれる。珪弗化水素酸中の酸化珪素の過飽
和度は金属の添加量(反応により消費した量)および添
加前の溶液の状態により決定され、その添加量は該金属
と接触させる前の珪弗化水素酸1モルに対して0.0/
−/倍のモル数であることが好ましい。
該金属の添加量が溶液中の珪弗化水素酸1モルに対して
0.0/倍のモル数より少ない量であると、該溶液とし
て上記酸化珪素の飽和状態の珪弗化水素酸を用いた場合
であっても、酸化珪素の過飽和度が少ないため二酸化珪
素被膜の析出が行なわれにくい。又該試薬添加前の珪弗
化水素酸のモル数よりも多いモル数の金属を添加反応さ
せると溶液中に酸化珪素の沈殿を生じやすくなるため好
ましくない。
0.0/倍のモル数より少ない量であると、該溶液とし
て上記酸化珪素の飽和状態の珪弗化水素酸を用いた場合
であっても、酸化珪素の過飽和度が少ないため二酸化珪
素被膜の析出が行なわれにくい。又該試薬添加前の珪弗
化水素酸のモル数よりも多いモル数の金属を添加反応さ
せると溶液中に酸化珪素の沈殿を生じやすくなるため好
ましくない。
珪弗化水素酸溶液に前記化合物を添加する方法としては
、粉体等の固体を添加することもできるが水溶液として
添加することが取扱上、容易であったり又混合しやすい
などの理由で好まれる。
、粉体等の固体を添加することもできるが水溶液として
添加することが取扱上、容易であったり又混合しやすい
などの理由で好まれる。
珪弗化水素酸に添加される化合物量は、前記同様、試薬
添加前の溶液中の珪弗化水素酸1モルに対して0.0/
〜/倍のモル数であることが好ましい。
添加前の溶液中の珪弗化水素酸1モルに対して0.0/
〜/倍のモル数であることが好ましい。
前記従来の析出法は、
H2S1F 6 +2H20、6HF + 5i02
(1)H3BO3+ #HF −HBF4
+JH20(21衝 の2つの平X式を利用したものであり、H3BO3を添
加することにより5102を過飽和として基材表面に析
出させるものであった。
(1)H3BO3+ #HF −HBF4
+JH20(21衝 の2つの平X式を利用したものであり、H3BO3を添
加することにより5102を過飽和として基材表面に析
出させるものであった。
しかしながら上記反応で生成するHBF4(BF4−イ
オン)はB−Fの結合エネルギーが高く、廃液の無害化
処理の際のCa(OH)2との反応効率が悪く、沈殿分
離後の廃液中にフッ素含有イオンとして残留することが
わかった。
オン)はB−Fの結合エネルギーが高く、廃液の無害化
処理の際のCa(OH)2との反応効率が悪く、沈殿分
離後の廃液中にフッ素含有イオンとして残留することが
わかった。
本発明による酸化珪素被膜の製造方法は、上記計
(1)の平X式および
M + xHF →MFx +x/2 H2(3)
(Mは金属を表わす) A13” + JHF −+AlF3 + J
H+ (4)Oa2+ + 2HF
−> CaF、2 + 2H+ (5)Mg
+ jHF −+MgF2 + 2H+(6)等
の反応式を利用している。そこで本発明による析出法の
廃液中に含まれるフッ素含有イオンは、主としてF−(
HF)およびSiF6”−(H2SiF6)の各イオン
であり、HFおよびH2SiF6は、l!HF + C
a(OH)g →CaF2 + 2H20(61H2S
iF6 + Ca(OH)2 → CaSiF6
+、2H20(7)の各反応式により簡単に溶液から分
離できる。
(Mは金属を表わす) A13” + JHF −+AlF3 + J
H+ (4)Oa2+ + 2HF
−> CaF、2 + 2H+ (5)Mg
+ jHF −+MgF2 + 2H+(6)等
の反応式を利用している。そこで本発明による析出法の
廃液中に含まれるフッ素含有イオンは、主としてF−(
HF)およびSiF6”−(H2SiF6)の各イオン
であり、HFおよびH2SiF6は、l!HF + C
a(OH)g →CaF2 + 2H20(61H2S
iF6 + Ca(OH)2 → CaSiF6
+、2H20(7)の各反応式により簡単に溶液から分
離できる。
2モル/lの濃度の珪弗化水素酸溶液に酸化珪素(工業
用シリカゲル)を溶解させ、酸化珪素の飽和状態とした
。この溶液から各々300m1lの10の溶液を分取し
その内のjつの溶液にそれぞれ■0.006モルのホウ
酸、■0.0/乙gモルの塩化アルミニウム、00.1
31モルの塩化カルシウム、◎0./ /l1モルの硫
酸マグネシウム、■o、ooqモルノ塩化バリウム、[
F]0.51モルの塩化ニッケ)kJ■0..372
モルの塩化コバルト、00.24モルの塩化亜鉛、■
0.19tモルの塩化銅を添加した。又残りの7つの溶
液に■長さj;Qtntn、巾29麓、厚さ3謂のアル
ミニウム板(約0.3gモル)を添加した。
用シリカゲル)を溶解させ、酸化珪素の飽和状態とした
。この溶液から各々300m1lの10の溶液を分取し
その内のjつの溶液にそれぞれ■0.006モルのホウ
酸、■0.0/乙gモルの塩化アルミニウム、00.1
31モルの塩化カルシウム、◎0./ /l1モルの硫
酸マグネシウム、■o、ooqモルノ塩化バリウム、[
F]0.51モルの塩化ニッケ)kJ■0..372
モルの塩化コバルト、00.24モルの塩化亜鉛、■
0.19tモルの塩化銅を添加した。又残りの7つの溶
液に■長さj;Qtntn、巾29麓、厚さ3謂のアル
ミニウム板(約0.3gモル)を添加した。
アルミニウム板の添加の際には水素の発生が起こるため
、換気には十分注意をはらいながら反応を行なわせた。
、換気には十分注意をはらいながら反応を行なわせた。
各々の溶液は上記試薬の添加によって酸化珪素の過飽和
状態の珪弗化水素酸溶液となった。
状態の珪弗化水素酸溶液となった。
作成した上記5種の処理液を直ちに3!;”Cの水浴上
に移し、こ、の中へあらかじめ十分洗浄乾燥したj a
m角厚さ/ amのソーダライムガラスフッ枚ヲそれぞ
れ浸漬した。
に移し、こ、の中へあらかじめ十分洗浄乾燥したj a
m角厚さ/ amのソーダライムガラスフッ枚ヲそれぞ
れ浸漬した。
水溶上で16時間保った後浸漬したガラス板を引きあげ
洗浄乾燥を行なった。
洗浄乾燥を行なった。
各々浸漬したガラス表面には、均一な酸化珪素被膜が析
出していたあ各処理液により作成された酸化珪素被膜の
膜淳を膜厚計(タリサー7)で測定した結果を第1表に
示す。
出していたあ各処理液により作成された酸化珪素被膜の
膜淳を膜厚計(タリサー7)で測定した結果を第1表に
示す。
第7表からもあきらかなように上記操作によってほぼ同
一厚みの酸化珪素被膜がガラス板表面上に形成されてい
た。
一厚みの酸化珪素被膜がガラス板表面上に形成されてい
た。
次に上記操作でガラス板を引きあげた後の各処理液な7
0倍に希釈した後、Ca(OH)2を各溶液にPHが/
jKなるまでかくはんを行ないながら添加した。各溶液
を濾紙を用いて濾過し濾液中の弗素濃度を弗素イオンメ
ーターを用いて定量したところ第1表に示すような分析
値を得た。
0倍に希釈した後、Ca(OH)2を各溶液にPHが/
jKなるまでかくはんを行ないながら添加した。各溶液
を濾紙を用いて濾過し濾液中の弗素濃度を弗素イオンメ
ーターを用いて定量したところ第1表に示すような分析
値を得た。
第1表からホウ酸を用いた■の処理液以外は弗素イオン
濃度が低く廃液中の弗素イオンの処理が簡単であること
がわかる。
濃度が低く廃液中の弗素イオンの処理が簡単であること
がわかる。
第 l 表
〔発明の効果〕
本発明によれば、実施例からもあきらかなとうつ従来法
と同様基材表面に均一な酸化珪素被膜を析出でき、しか
もその廃液処理が簡単である。
と同様基材表面に均一な酸化珪素被膜を析出でき、しか
もその廃液処理が簡単である。
廃液処理が簡単に行なえる事は、その製造コストの低下
ひいては環境保護に効果を有することは言うまでもない
。
ひいては環境保護に効果を有することは言うまでもない
。
Claims (2)
- (1)添加剤を加えて二酸化珪素を過飽和状態とした珪
弗化水素酸溶液と基材とを接触させて基材表面に二酸化
珪素被膜を析出させる二酸化珪素被膜の製造方法におい
て、添加剤としてアルミニウム化合物、カルシウム化合
物、マグネシウム化合物、バリウム化合物、ニッケル化
合物、コバルト化合物、亜鉛化合物、銅化合物からなる
群より選ばれた少なくとも1種の化合物および/または
金属を用いることを特徴とする二酸化珪素被膜の製造方
法。 - (2)添加剤を、該添加剤添加前の珪弗化水素酸溶液中
の珪弗化水素酸1モルに対して0.01〜1モル加える
特許請求の範囲第1項記載の二酸化珪素被膜の製造方法
。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60159457A JPH0627347B2 (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 二酸化珪素被膜の製造方法 |
US06/882,428 US4693916A (en) | 1985-07-19 | 1986-07-07 | Method of depositing a silicon dioxide film |
DE3624057A DE3624057C2 (de) | 1985-07-19 | 1986-07-16 | Verfahren zur Aufbringung eines Siliciumdioxid-Films |
GB8617274A GB2179371B (en) | 1985-07-19 | 1986-07-16 | Methods of depositing a silicon dioxide film |
FR868610483A FR2585038B1 (fr) | 1985-07-19 | 1986-07-18 | Procede pour deposer un film de dioxyde de silicium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60159457A JPH0627347B2 (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 二酸化珪素被膜の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6220876A true JPS6220876A (ja) | 1987-01-29 |
JPH0627347B2 JPH0627347B2 (ja) | 1994-04-13 |
Family
ID=15694180
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60159457A Expired - Lifetime JPH0627347B2 (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 二酸化珪素被膜の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4693916A (ja) |
JP (1) | JPH0627347B2 (ja) |
DE (1) | DE3624057C2 (ja) |
FR (1) | FR2585038B1 (ja) |
GB (1) | GB2179371B (ja) |
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- 1986-07-07 US US06/882,428 patent/US4693916A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-07-16 DE DE3624057A patent/DE3624057C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-07-16 GB GB8617274A patent/GB2179371B/en not_active Expired
- 1986-07-18 FR FR868610483A patent/FR2585038B1/fr not_active Expired - Lifetime
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