JPS62201461A - 電子写真感光体 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は2表面に保護層を有する正帯電型電子写真感光
体に関する。
体に関する。
(従来の技術)
光導電性物質を感光材料として利用する電子写真感光体
において、光導電性物質としては、従来。
において、光導電性物質としては、従来。
セレン、酸化亜鉛、酸化チタン、硫化カドミウム等の無
機系光導電性物質が主に用いられてきた。
機系光導電性物質が主に用いられてきた。
しかしこれらの多くは、一般に毒性が強く廃棄する方法
にも問題がある。
にも問題がある。
一方、有機光導′1性化合物を使用した感光材料は、無
機系光導電性物質を使用する場合に比べて一般に、毒性
が弱く、更に透明性、可撓性、軽量性2表面平滑性2価
格等の点において有利であるので、近年広く研究され、
実用化されつつある。
機系光導電性物質を使用する場合に比べて一般に、毒性
が弱く、更に透明性、可撓性、軽量性2表面平滑性2価
格等の点において有利であるので、近年広く研究され、
実用化されつつある。
その中で電荷の発生と輸送という機能を分離した複合型
感光体は、従来、有機光導電性化合物を使用した感光体
の大きな欠点であった感度を大幅に向上させることがで
きるため、近年急速な進歩を遂げつつある。
感光体は、従来、有機光導電性化合物を使用した感光体
の大きな欠点であった感度を大幅に向上させることがで
きるため、近年急速な進歩を遂げつつある。
これらの複合型感光体をカールソン法による電子写真装
置に適用した場合には、まず感光体表面に静電潜像を形
成し1次に異符号に帯電した一般にトナーと称する現像
剤により現像し、トナー画像を他の基体1例えば紙等に
転写、定着し、コピーを得ることができる。
置に適用した場合には、まず感光体表面に静電潜像を形
成し1次に異符号に帯電した一般にトナーと称する現像
剤により現像し、トナー画像を他の基体1例えば紙等に
転写、定着し、コピーを得ることができる。
(発明が解決しようとする問題点)
従来の有機光導電性化合物を使用した電子写真感光体は
、一般に導電層の上に電荷発生層及び正孔移動型電荷輸
送層を順次積層しているため、感光体表面を負に帯電し
て使用する。コロナ放電により負帯電を行うと、正帯電
の場合に比べてオゾンの発生量が多く、帯電も不均一に
なりやすい。
、一般に導電層の上に電荷発生層及び正孔移動型電荷輸
送層を順次積層しているため、感光体表面を負に帯電し
て使用する。コロナ放電により負帯電を行うと、正帯電
の場合に比べてオゾンの発生量が多く、帯電も不均一に
なりやすい。
その点で、できれば正帯電で機能しうる感光体。
即ち正帯電型電子写真感光体が望ましい。
また、前記の電子写真装置では、感光体表面に残存して
いるトナーをブラシやブレード等を用いて除去(クリー
ニング)する工程が必要で、現像。
いるトナーをブラシやブレード等を用いて除去(クリー
ニング)する工程が必要で、現像。
転写、クリーニングの工程を繰り返すことにより呂光体
の表面は摩耗し損傷を受け、その結果、転写画像が不鮮
明になシ、感光体の寿命は著しく短くなるという問題が
ある。したがって感光体には強固な耐久性が必要になる
。
の表面は摩耗し損傷を受け、その結果、転写画像が不鮮
明になシ、感光体の寿命は著しく短くなるという問題が
ある。したがって感光体には強固な耐久性が必要になる
。
このように、正帯電で使用でき、かつ耐久性の高い電子
写真感光体への要求が近年急速に高まっている。
写真感光体への要求が近年急速に高まっている。
正帯電型電子写真感光体には(1)導電層の上に電荷発
生層及び電子受容性電荷輸送性物質を含む電荷輸送層を
順次積層した感光体、(2)導電層の上に電子供与性電
荷輸送性物質を含む電荷輸送層及び電荷発生層を順次積
層した感光体、(3)導電層の上に電荷発生材料単独又
は電荷発生材料と電荷輸送材料等を混合した一層のみの
感光層を設けた感光体(この場合には正負両帯電性を示
す)などがあるが、これら感光体の耐久性は現在のとこ
ろまだ十分ではない。したがって耐久性を向上させるた
めに表面に保護層を設けることが考えられる。しかし従
来の保護層のように熱可塑性樹脂を用いた場合には耐摩
耗性向上の効果が十分でなく、また熱硬化性樹脂を用い
ると保護層形成時に高温、長時間の硬化反応が必要なた
め、その間に下層の感光層が熱劣化し、′M、子写真特
性が低下してしまうこと、更に耐摩耗性を向上するため
保護層の膜厚をわずかでも厚くすると、電子写真特性の
低下。
生層及び電子受容性電荷輸送性物質を含む電荷輸送層を
順次積層した感光体、(2)導電層の上に電子供与性電
荷輸送性物質を含む電荷輸送層及び電荷発生層を順次積
層した感光体、(3)導電層の上に電荷発生材料単独又
は電荷発生材料と電荷輸送材料等を混合した一層のみの
感光層を設けた感光体(この場合には正負両帯電性を示
す)などがあるが、これら感光体の耐久性は現在のとこ
ろまだ十分ではない。したがって耐久性を向上させるた
めに表面に保護層を設けることが考えられる。しかし従
来の保護層のように熱可塑性樹脂を用いた場合には耐摩
耗性向上の効果が十分でなく、また熱硬化性樹脂を用い
ると保護層形成時に高温、長時間の硬化反応が必要なた
め、その間に下層の感光層が熱劣化し、′M、子写真特
性が低下してしまうこと、更に耐摩耗性を向上するため
保護層の膜厚をわずかでも厚くすると、電子写真特性の
低下。
特に残留電位の増加や感度の低下を招きやすいという欠
点がちシミ子写真特性を損わない耐摩耗性の高い正帯電
型電子写真感光体用の保護層の開発が望まれている。
点がちシミ子写真特性を損わない耐摩耗性の高い正帯電
型電子写真感光体用の保護層の開発が望まれている。
したがって本発明は前記のような要求を満足し。
電子写真特性及び耐久性の優れた正帯電型電子写真感光
体を提供することを目的とする。
体を提供することを目的とする。
(問題点を解決するための手段)
本発明は、正帯電で機能しうる電子写真感光体において
、その表面に fat 数平均分子11500以下で、メラミン核1
個轟りに結合ホルムアルデヒド数が2〜4個及びメチロ
ール基数が1〜2個であるブチルエーテル化メラミン・
ホルムアルデヒド樹脂。
、その表面に fat 数平均分子11500以下で、メラミン核1
個轟りに結合ホルムアルデヒド数が2〜4個及びメチロ
ール基数が1〜2個であるブチルエーテル化メラミン・
ホルムアルデヒド樹脂。
(b) ポリビニルアセタール樹脂。
(C) 水酸基含有フッ素重合体
並びに
(d) 電子受容性カルボン酸化合物及び/又は電子
受容性ポリカルボン酸無水物 の硬化皮膜を含有する保護層を有してなる正帯電型電子
写真感光体に関する。
受容性ポリカルボン酸無水物 の硬化皮膜を含有する保護層を有してなる正帯電型電子
写真感光体に関する。
本発明に係る正帯電型電子写真感光体は、導電層の上に
、光導電層及び上記保護層を順次積層してなるものであ
る。
、光導電層及び上記保護層を順次積層してなるものであ
る。
本発明の導電層としては、導電処理した紙又はプラスチ
ックフィルム、アルミニウムのような金属箔を積層した
プラスチックフィルム、アルミニウム等の導電性金属か
らなる金属板又は金属ドラム等の導電体である。
ックフィルム、アルミニウムのような金属箔を積層した
プラスチックフィルム、アルミニウム等の導電性金属か
らなる金属板又は金属ドラム等の導電体である。
本発明の光導電層は、それ自体、正帯電で機能しうるも
のであって、一層でその機能をはたすものでも、主に電
荷発生機能を有する層と主に電荷輸送機能を有する層か
らなる機能分離型の複合型光導電層でもよい。以下に1
本発明の光導電層の態様について説明する。
のであって、一層でその機能をはたすものでも、主に電
荷発生機能を有する層と主に電荷輸送機能を有する層か
らなる機能分離型の複合型光導電層でもよい。以下に1
本発明の光導電層の態様について説明する。
(1) 本発明の光導電層の一例は、電荷を発生する
有機顔料を含有する電荷発生層及び電子受容性電荷輸送
性物質を含有する電荷輸送層を順次、導′FL層の上に
積層したものである。
有機顔料を含有する電荷発生層及び電子受容性電荷輸送
性物質を含有する電荷輸送層を順次、導′FL層の上に
積層したものである。
電荷発生層に含まれる電荷を発生する有機顔料としては
、アゾキシベンゼン系、ジスアゾ系、トリスアゾ系、ベ
ンズイミダゾール系、多環式キノリン系、インジゴイド
系、キナクリドン系、フタロシアニン系、ペリレン系、
メチン系等の電荷を発生することが知られている顔料を
使用できる。
、アゾキシベンゼン系、ジスアゾ系、トリスアゾ系、ベ
ンズイミダゾール系、多環式キノリン系、インジゴイド
系、キナクリドン系、フタロシアニン系、ペリレン系、
メチン系等の電荷を発生することが知られている顔料を
使用できる。
これらの顔料は1例えば、特開昭47−37453号。
特開昭47−37544号、特開昭47−18543号
。
。
特開昭47−18544号、特開昭48−43942号
。
。
特開昭48−70538号、特開昭49−1231号、
特開昭49−105536号、特開昭50−75214
号。
特開昭49−105536号、特開昭50−75214
号。
特開昭50−92738号公報等に開示されている。
特に特開昭58−182640号公報及びヨーロッパ特
許出願公開第92255号公報に記載されているτ、τ
′、η及びη′型型金金属フタロシアニン長波長にまで
高感度を有し、ダイオードレーザ−を搭載したプリンタ
ー用の電子写真感光体としても有効である。このような
もののほか光照射により電荷担体を発生する任意の有機
顔料を使用することができる。
許出願公開第92255号公報に記載されているτ、τ
′、η及びη′型型金金属フタロシアニン長波長にまで
高感度を有し、ダイオードレーザ−を搭載したプリンタ
ー用の電子写真感光体としても有効である。このような
もののほか光照射により電荷担体を発生する任意の有機
顔料を使用することができる。
また電荷発生層に、電子写真感光体に通常使用される結
合剤、可塑剤、流動性付与剤、ピンホール抑制剤等の添
加剤を必要に応じて用いることができる。結合剤として
は、シリコーン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹
脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリケトン樹脂
、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリメタ
クリル酸メチル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂等が挙げ
られる。また、熱及び/又は光硬化性樹脂も使用できる
。いずれにしても電気絶縁性で通常の状態で皮膜を形成
しうる樹脂であれば特に制限はない。
合剤、可塑剤、流動性付与剤、ピンホール抑制剤等の添
加剤を必要に応じて用いることができる。結合剤として
は、シリコーン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹
脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリケトン樹脂
、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリメタ
クリル酸メチル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂等が挙げ
られる。また、熱及び/又は光硬化性樹脂も使用できる
。いずれにしても電気絶縁性で通常の状態で皮膜を形成
しうる樹脂であれば特に制限はない。
電荷発生層中、結合剤は、前記有機顔料に対して300
重量%以下の量で使用する。300?を量チを越えると
、電子写真特性が低下する。
重量%以下の量で使用する。300?を量チを越えると
、電子写真特性が低下する。
可塑剤としてはハロゲン化パラフィン、ジメチルナフタ
リン、ジブチルフタレート等が挙げられる。流動性付与
剤としては、モダフロー(モンサントケミカル社製)、
アクロナール4F(パスフ社製)等が挙げられ、ピンホ
ール抑制剤としては。
リン、ジブチルフタレート等が挙げられる。流動性付与
剤としては、モダフロー(モンサントケミカル社製)、
アクロナール4F(パスフ社製)等が挙げられ、ピンホ
ール抑制剤としては。
ベンゾイン、ジメチルフタレート等が挙げられる。
これらは、各々、前記有機顔料に対して5重量−以下で
使用するのが好ましい。
使用するのが好ましい。
前記電荷輸送層に用いる電子受容性電荷輸送性物質は、
電子輸送の機能を有するもので、具体的には、フルオレ
ン、フルオレノン、2.7−シニトロー9−フルオレノ
ン、ス4.7− トリニトロ−9−フルオレノン、4H
−インデノ(1,2,6)チオフェン−4−オン、λ7
−シニトロージベンゾチオフエンー5−オキシド、テト
ラクロル無水フタル酸、2.5−ジクロル−1,4−ベ
ンゾキノン、46−ジクロル−1,4−ベンゾキノン、
ス3.5.6−テトラクロル−1,4−ベンゾキノン、
アントラキノン、2−クロルアントラキノン、1.8−
ジクロルアントラキノン、1.5−ジクロルアントラキ
ノン、1,2,5.8−テトラヒドロキシアントラキノ
ン。
電子輸送の機能を有するもので、具体的には、フルオレ
ン、フルオレノン、2.7−シニトロー9−フルオレノ
ン、ス4.7− トリニトロ−9−フルオレノン、4H
−インデノ(1,2,6)チオフェン−4−オン、λ7
−シニトロージベンゾチオフエンー5−オキシド、テト
ラクロル無水フタル酸、2.5−ジクロル−1,4−ベ
ンゾキノン、46−ジクロル−1,4−ベンゾキノン、
ス3.5.6−テトラクロル−1,4−ベンゾキノン、
アントラキノン、2−クロルアントラキノン、1.8−
ジクロルアントラキノン、1.5−ジクロルアントラキ
ノン、1,2,5.8−テトラヒドロキシアントラキノ
ン。
2−メチルアントラキノン、1.4−ナフトキノン。
λ3−ジクロルー1.4−ナフトキノン、ス315−ト
リクロルー1.4−ナフトキノン、ス3−ジクロルー5
−ブロム−1,4−ナフトキノン、2−ニトロー3−メ
チル−1,4−ナフトキノン、2.3−ジブロム−5−
メチル−1,4−ナフトキノン、2.3−ジブロム−5
−エチル−1,4−ナフトキノン。
リクロルー1.4−ナフトキノン、ス3−ジクロルー5
−ブロム−1,4−ナフトキノン、2−ニトロー3−メ
チル−1,4−ナフトキノン、2.3−ジブロム−5−
メチル−1,4−ナフトキノン、2.3−ジブロム−5
−エチル−1,4−ナフトキノン。
テトラシアノエチレン、トリニトロベンゼン、テトラシ
アノキノジメタン等並びにこれらの誘導体などの電子受
容性化合物である。
アノキノジメタン等並びにこれらの誘導体などの電子受
容性化合物である。
電荷輸送層にも電荷発生層と同様な結合剤、可塑剤、流
動性付与剤、ピンホール抑制剤等を必要に応じて用いる
ことができる。この中で結合剤は電荷輸送性物質に対し
、電子写真特性が低下しないように400重量−以下が
好ましく、低分子電荷輸送性物質に対しては被膜特性の
関係上50重量−以上が好ましい。その他の添加剤は、
各々。
動性付与剤、ピンホール抑制剤等を必要に応じて用いる
ことができる。この中で結合剤は電荷輸送性物質に対し
、電子写真特性が低下しないように400重量−以下が
好ましく、低分子電荷輸送性物質に対しては被膜特性の
関係上50重量−以上が好ましい。その他の添加剤は、
各々。
電荷輸送性物質に対して5重i%以下が好ましい。
光導電層のこの態様において、電子供与性電荷輸送性物
質を含有する電荷輸送層を前記電荷発生層のすぐ下に積
層してもよい。
質を含有する電荷輸送層を前記電荷発生層のすぐ下に積
層してもよい。
ここで、電子供与性電荷輸送性物質は、正孔輸送の機能
を有するもので、具体的には、ボ9−N−ビニルカルバ
ゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルピラゾリン等の
高分子化合物、カルバゾール、3−フェニルカルバゾー
ル、2−フェニルインドール、オキサジアゾール、1−
フェニル−3−(4−ジエチルアミノスチリル)−5−
(4−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、ヒドラゾ
ン、2−フェニル−4−(4−ジエチルアミノフェニル
)−5−フェニルオキ? 7’−ル、ト177mニルア
ミン、イミダゾール等の低分子化合物及びこれらの誘導
体等の電子供与性化合物である。この電荷輸送層には、
前記した結合剤及び可塑剤。
を有するもので、具体的には、ボ9−N−ビニルカルバ
ゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルピラゾリン等の
高分子化合物、カルバゾール、3−フェニルカルバゾー
ル、2−フェニルインドール、オキサジアゾール、1−
フェニル−3−(4−ジエチルアミノスチリル)−5−
(4−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、ヒドラゾ
ン、2−フェニル−4−(4−ジエチルアミノフェニル
)−5−フェニルオキ? 7’−ル、ト177mニルア
ミン、イミダゾール等の低分子化合物及びこれらの誘導
体等の電子供与性化合物である。この電荷輸送層には、
前記した結合剤及び可塑剤。
流動性付与剤、ピンホール抑制剤等の添加剤を前記した
電子受容性電荷輸送性物質を含有する電荷輸送層の場合
と同様に使用することができる。ただし、電子供与性電
荷輸送性物質が高分子化合物の場合は、結合剤は使用し
なくてもよい。
電子受容性電荷輸送性物質を含有する電荷輸送層の場合
と同様に使用することができる。ただし、電子供与性電
荷輸送性物質が高分子化合物の場合は、結合剤は使用し
なくてもよい。
(2)本発明の光導電層の他の例は、電子供与性電荷輸
送性物質を含有する電荷輸送層及び電荷を発生する有機
顔料を含有する電荷発生層を順次。
送性物質を含有する電荷輸送層及び電荷を発生する有機
顔料を含有する電荷発生層を順次。
導電層の上に積層したものである。
ここで、電子供与性電荷輸送性物質、これを含有する電
荷輸送層、電荷を発生する有機顔料及びこれを含有する
電荷発生層については、前記(1)項と同じである。
荷輸送層、電荷を発生する有機顔料及びこれを含有する
電荷発生層については、前記(1)項と同じである。
(3)本発明の光導電層について、さらに他の例は、電
荷を発生する有機顔料を含有する層の一層又はこれの積
層体からなる。また、該層は、電荷輸送性物質を含んで
いてもよい。
荷を発生する有機顔料を含有する層の一層又はこれの積
層体からなる。また、該層は、電荷輸送性物質を含んで
いてもよい。
ここで、電荷を発生する有機顔料及びこれを含む層に含
有させてもよい結合剤及び可塑剤、i動性付与剤、ピン
ホール抑制剤等の添加剤は、前記(1)の電荷発生層に
使用できるものと同様のものが使用できる。また、電荷
輸送性物質としては、前記(1)項に記載した電子供与
性電荷輸送性物質及び/又は電子受容性電荷輸送性物質
が使用できる。
有させてもよい結合剤及び可塑剤、i動性付与剤、ピン
ホール抑制剤等の添加剤は、前記(1)の電荷発生層に
使用できるものと同様のものが使用できる。また、電荷
輸送性物質としては、前記(1)項に記載した電子供与
性電荷輸送性物質及び/又は電子受容性電荷輸送性物質
が使用できる。
この例において、光導電層は、電荷を発生する有機顔料
に対して、該有機顔料を電荷輸送性物質と共に使用しな
いときは、結合剤を100〜900重f1%使用するの
が好ましく2%に200〜400重f%使用するのが好
ましい。このとき、結合剤が多すぎると感光体の感度が
低下しやすくなり。
に対して、該有機顔料を電荷輸送性物質と共に使用しな
いときは、結合剤を100〜900重f1%使用するの
が好ましく2%に200〜400重f%使用するのが好
ましい。このとき、結合剤が多すぎると感光体の感度が
低下しやすくなり。
少なすぎると帯電性が低下しやすくなる。
また、この例に督いて、光導電層中に、電荷を発生する
有機顔料と電荷輸送性物質を共に含有させる場合、結合
剤の使用量は、1!荷輸送性物質に対して450重量%
以下が好ましく、特に300重量%以下が好ましい。結
合剤が多すぎると感光体の感度が低下しやすくなる。ま
た、結合剤の使用量は、電荷輸送性物質が低分子化合物
のときは。
有機顔料と電荷輸送性物質を共に含有させる場合、結合
剤の使用量は、1!荷輸送性物質に対して450重量%
以下が好ましく、特に300重量%以下が好ましい。結
合剤が多すぎると感光体の感度が低下しやすくなる。ま
た、結合剤の使用量は、電荷輸送性物質が低分子化合物
のときは。
該化合物に対して、80重量%以上が好ましく。
特に100重量−以上が好ましい。このとき、結合剤が
少なすぎると光導電層が十分に強度を保持できず、また
、帯電性が低下する傾向がある。電荷輸送性物質が高分
子化合物のときも、帯電性の点から、結合剤を該化合物
に対して80重i−1以上使用するのが好ましく、特に
100重量%以上使用するのが好ましい。電荷を発生す
る有機顔料は、電荷輸送性物質及び結合剤のitに対し
て。
少なすぎると光導電層が十分に強度を保持できず、また
、帯電性が低下する傾向がある。電荷輸送性物質が高分
子化合物のときも、帯電性の点から、結合剤を該化合物
に対して80重i−1以上使用するのが好ましく、特に
100重量%以上使用するのが好ましい。電荷を発生す
る有機顔料は、電荷輸送性物質及び結合剤のitに対し
て。
0.1〜20重量%使用するのが好ましく、特に0.5
〜5重量%使用するのが好ましい。これが少なすぎると
感光体の感度が低下しゃすくなシ、多すぎると帯電性が
低下する傾向がある。さらに。
〜5重量%使用するのが好ましい。これが少なすぎると
感光体の感度が低下しゃすくなシ、多すぎると帯電性が
低下する傾向がある。さらに。
他の添加剤は、光導電層中に0〜5重量%の範囲で使用
されるのが好ましい。
されるのが好ましい。
これらの各層の膜厚は(1)及び(2)の光導電層の場
合、電荷発生層が0.001〜10μmが好ましく。
合、電荷発生層が0.001〜10μmが好ましく。
特に0.2〜5μmが好ましい。電荷輸送層は、いずれ
のものも5〜50μn1が好ましく2%に8〜20μm
が好ましい。電荷発生層の膜厚が0.001μm未満で
は感度が劣る傾向があり、10μmを越えると残留電位
が増加する傾向がある。また電荷輸送層の膜厚が5μm
未満では帯電性が劣る傾向がある。50μmを越えると
感度が低下する傾向がある。(3)の感光体の光導電層
の膜厚は5〜50μmが好ましく1%に8〜20μmが
好ましい。
のものも5〜50μn1が好ましく2%に8〜20μm
が好ましい。電荷発生層の膜厚が0.001μm未満で
は感度が劣る傾向があり、10μmを越えると残留電位
が増加する傾向がある。また電荷輸送層の膜厚が5μm
未満では帯電性が劣る傾向がある。50μmを越えると
感度が低下する傾向がある。(3)の感光体の光導電層
の膜厚は5〜50μmが好ましく1%に8〜20μmが
好ましい。
5μm未満では帯電性が劣シやすくなり、50μmを越
えると感度が低下する傾向がある。
えると感度が低下する傾向がある。
次に各層の形成法について述べる。
(1)及び(2)の光導電層の場合、!荷発生層を形成
する方法として、有機顔料のみを用いる場合には。
する方法として、有機顔料のみを用いる場合には。
真空蒸着で行うこともできるが、有機顔料、結合剤及び
場合により添加剤をアセトン、メチルエチルケトン、テ
トラヒドロフラン、トルエン、キシレン、塩化メチレン
、トリクロルエタン等の溶剤に均一に溶解又は分散させ
た後、塗布し乾燥して形成することもできる。
場合により添加剤をアセトン、メチルエチルケトン、テ
トラヒドロフラン、トルエン、キシレン、塩化メチレン
、トリクロルエタン等の溶剤に均一に溶解又は分散させ
た後、塗布し乾燥して形成することもできる。
電荷輸送層を形成する場合には、いずれのものも電荷輸
送性物質、結合剤及び添加剤等を前記の電荷発生層の場
合と同様な溶剤に均一に溶解した後、塗布し乾燥して形
成することができる。
送性物質、結合剤及び添加剤等を前記の電荷発生層の場
合と同様な溶剤に均一に溶解した後、塗布し乾燥して形
成することができる。
また、(3)の光導電層の場合には、11を荷発生材料
並びに場合によシミ荷輸送性物質、結合剤及び添加剤等
を前記の電荷発生層の場合と同様な溶剤に均一に溶解又
は分散させた後、塗布し乾燥して形成することができる
。
並びに場合によシミ荷輸送性物質、結合剤及び添加剤等
を前記の電荷発生層の場合と同様な溶剤に均一に溶解又
は分散させた後、塗布し乾燥して形成することができる
。
本発明の感光体は導電層のすぐ上に薄い接着層又はバリ
ヤ層を有していてもよい。
ヤ層を有していてもよい。
次に、保護層について説明する。
本発明の保護層は2%定のブチルエーテル化メラミン・
ホルムアルデヒド樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、水
酸基含有フッ素重合体並びに電子受容性カルボン酸化合
物及び/又は電子受容性ポリカルボン酸無水物の硬化皮
膜によって主に形成されるが、この硬化皮膜はこれらを
含む塗膜を加熱により硬化させて得ることができる。
ホルムアルデヒド樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、水
酸基含有フッ素重合体並びに電子受容性カルボン酸化合
物及び/又は電子受容性ポリカルボン酸無水物の硬化皮
膜によって主に形成されるが、この硬化皮膜はこれらを
含む塗膜を加熱により硬化させて得ることができる。
本発明において用いられるブチルエーテル化メラミン・
ホルムアルデヒド樹脂の数平均分子量は1500以下で
あシ、数平均分子量が1500を越えると反応性が低下
する。また該樹脂はメラミン核1個当り結合ホルムアル
デヒドを2〜4個有する。4個を越えると反応性が低下
し、2個未満では該樹脂の貯蔵安定性が悪くなり、硬化
塗膜がもろくなる。更に該樹脂はメラミン核1個あたり
メチロール基を1〜2個有するものである。メチロール
基の数が2個を越えると該樹脂の貯蔵安定性が劣シ、硬
化塗膜がもろくなる。また、1個未満では反応性が劣る
。
ホルムアルデヒド樹脂の数平均分子量は1500以下で
あシ、数平均分子量が1500を越えると反応性が低下
する。また該樹脂はメラミン核1個当り結合ホルムアル
デヒドを2〜4個有する。4個を越えると反応性が低下
し、2個未満では該樹脂の貯蔵安定性が悪くなり、硬化
塗膜がもろくなる。更に該樹脂はメラミン核1個あたり
メチロール基を1〜2個有するものである。メチロール
基の数が2個を越えると該樹脂の貯蔵安定性が劣シ、硬
化塗膜がもろくなる。また、1個未満では反応性が劣る
。
このようなブチルエーテル化メラミン・ホルムアルデヒ
ド樹脂は、メラミンをブタノールに溶解し、これにホル
ムアルデヒドを滴下することによって付加反応及びブチ
ルエーテル化反応を行う方法、或いはメラミン及びホル
ムアルデヒドをブタノールに溶解させ、この溶液を加熱
して付加反応及びブチルエーテル化反応を行う方法によ
って製造できる。これらの方法において反応は硝酸、塩
酸、硫酸、燐酸、p−)ルエンスルホン酸等の酸性触媒
を添加し、酸性下、好ましくはpH3〜6で行うのが好
ましく1反応温度はブタノールの還流温度、好ましくは
約90〜100℃であるのが好ましい。本発明において
は、メラミン1モルに対してブタノール4〜5モル及び
ホルムアルデヒド3〜7モルを使用して、前記の反応を
実施するのが好ましい。
ド樹脂は、メラミンをブタノールに溶解し、これにホル
ムアルデヒドを滴下することによって付加反応及びブチ
ルエーテル化反応を行う方法、或いはメラミン及びホル
ムアルデヒドをブタノールに溶解させ、この溶液を加熱
して付加反応及びブチルエーテル化反応を行う方法によ
って製造できる。これらの方法において反応は硝酸、塩
酸、硫酸、燐酸、p−)ルエンスルホン酸等の酸性触媒
を添加し、酸性下、好ましくはpH3〜6で行うのが好
ましく1反応温度はブタノールの還流温度、好ましくは
約90〜100℃であるのが好ましい。本発明において
は、メラミン1モルに対してブタノール4〜5モル及び
ホルムアルデヒド3〜7モルを使用して、前記の反応を
実施するのが好ましい。
本発明の保護層に用いられるブチルエーテル化メラミン
・ホルムアルデヒド樹脂は、従来のメラミン樹脂に比べ
て低温硬化が可能になるため保護層形成前に電子写真感
光体を熱劣化させることなく、かつ、耐摩耗性の高い保
護層が形成できる。
・ホルムアルデヒド樹脂は、従来のメラミン樹脂に比べ
て低温硬化が可能になるため保護層形成前に電子写真感
光体を熱劣化させることなく、かつ、耐摩耗性の高い保
護層が形成できる。
本発明におけるポリビニルアセタールm脂は。
数平均分子量がs、ooo〜250,000のものが好
ましく、下記の式I−■又kl 1〜■の繰り返し単位
を有するものである。
ましく、下記の式I−■又kl 1〜■の繰り返し単位
を有するものである。
1.ビニルアセタールグループ
(ただし、Rは水素又はメチル基等のアルキル基である
) ■、酢酸ビニルグループ 式ト4の繰り返し単位は、ビニルアセタールグループが
70ft%以上、ビニルアルコールグループが4〜25
重量%及び酢酸ビニルグループが26重量%以下の樹脂
が用いられるのが好ましい。この中で特にビニルアセタ
ールグループノ比率は重要で4重量係未満であると前記
のブチルエーテル化メラミン・ホルムアルデヒド樹脂と
組み合わせて加熱硬化により保護層を形成する際の硬化
反応が遅く、保護層の耐摩耗性も悪くなシやすい。また
25重量%を越えると保1lllSがもろくなる傾向が
ある。ポリビニルアセタール樹脂の製造法の一例を述べ
るとまず酢酸ビニルモノマーを重合しポリ酢酸ビニルを
合成する。ポリ酢酸ビニルをケン化してポリビニルアル
コールを’H造す;b。
) ■、酢酸ビニルグループ 式ト4の繰り返し単位は、ビニルアセタールグループが
70ft%以上、ビニルアルコールグループが4〜25
重量%及び酢酸ビニルグループが26重量%以下の樹脂
が用いられるのが好ましい。この中で特にビニルアセタ
ールグループノ比率は重要で4重量係未満であると前記
のブチルエーテル化メラミン・ホルムアルデヒド樹脂と
組み合わせて加熱硬化により保護層を形成する際の硬化
反応が遅く、保護層の耐摩耗性も悪くなシやすい。また
25重量%を越えると保1lllSがもろくなる傾向が
ある。ポリビニルアセタール樹脂の製造法の一例を述べ
るとまず酢酸ビニルモノマーを重合しポリ酢酸ビニルを
合成する。ポリ酢酸ビニルをケン化してポリビニルアル
コールを’H造す;b。
この際、一部に酢酸ビニルグループが残存する。
次にブチルアルデヒドやホルムアルデヒドなどのアルデ
ヒド類を加えてアセタール化を行うことによりポリビニ
ルアセタール樹脂を製造することができる。
ヒド類を加えてアセタール化を行うことによりポリビニ
ルアセタール樹脂を製造することができる。
保護層の材料として用いられる水酸基含有フッ素重合体
とは9分子中に水酸基及びフッ素を有する重合体であっ
て、水酸基は1重合体の水酸基価が5〜100になるよ
うに分子中に存在するのが好ましく、特に水酸基価が8
〜70になるようにするのが好ましい。水酸基価が小さ
すぎるとブチルエーテル化メラミン・ホルムアルデヒド
樹脂トの架橋密度が上がらず、保護層の耐摩耗性が向上
しに<<、大きすぎるとブチルエーテル化メラミン・ホ
ルムアルデヒド樹脂との相溶性が劣る。
とは9分子中に水酸基及びフッ素を有する重合体であっ
て、水酸基は1重合体の水酸基価が5〜100になるよ
うに分子中に存在するのが好ましく、特に水酸基価が8
〜70になるようにするのが好ましい。水酸基価が小さ
すぎるとブチルエーテル化メラミン・ホルムアルデヒド
樹脂トの架橋密度が上がらず、保護層の耐摩耗性が向上
しに<<、大きすぎるとブチルエーテル化メラミン・ホ
ルムアルデヒド樹脂との相溶性が劣る。
上記水酸基含有フッ素重合体は、クロロトリフルオロエ
チレン、トリフルオロエチレン、テトラフルオロエチレ
ン等のフルオロエチレンとエチルビニルエーテル、フロ
ビルビニルエーテル、7’チルビニルエーテル、ヘキシ
ルビニルエーテル等ノアルキルビニルエーテル(これは
フッ素置換されていてもよい)若しくはシクロヘキシル
ビニルエーテル等のシクロアルキルビニルエーテル(こ
れはフッ素置換されていてもよい)及びヒドロキシエチ
ルビニルエーテル、ヒドロキシフロビルビニルエーテル
、ヒドロキシブチルビニルエーテル等のヒドロキシアル
キルビニルエーテル、を共重合させることKよって得る
ことができ、他にカルボキシエチルビニルエーテル等の
カルボキシアルキルビニルエーテル、エチレン、フロピ
レン、インブチレン、塩化ビニル、塩化ビニリデン、酢
酸ビニルtnJ2+酸ビニル、メチルメタクリレート。
チレン、トリフルオロエチレン、テトラフルオロエチレ
ン等のフルオロエチレンとエチルビニルエーテル、フロ
ビルビニルエーテル、7’チルビニルエーテル、ヘキシ
ルビニルエーテル等ノアルキルビニルエーテル(これは
フッ素置換されていてもよい)若しくはシクロヘキシル
ビニルエーテル等のシクロアルキルビニルエーテル(こ
れはフッ素置換されていてもよい)及びヒドロキシエチ
ルビニルエーテル、ヒドロキシフロビルビニルエーテル
、ヒドロキシブチルビニルエーテル等のヒドロキシアル
キルビニルエーテル、を共重合させることKよって得る
ことができ、他にカルボキシエチルビニルエーテル等の
カルボキシアルキルビニルエーテル、エチレン、フロピ
レン、インブチレン、塩化ビニル、塩化ビニリデン、酢
酸ビニルtnJ2+酸ビニル、メチルメタクリレート。
メタクリル酸、アクリル酸等を共重合成分とじて含んで
いてもよい。
いてもよい。
フルオロオレフィンは、前記成分の総量中、30〜70
モルチ含むのが好ましい。
モルチ含むのが好ましい。
ま念、前記アルキルビニルエーテル及ヒシクロアルキル
ビニルエーテルは、前記成分の総量中。
ビニルエーテルは、前記成分の総量中。
あわせて5〜60モルチになるように使用するのが好ま
しい。これらが少なすぎると有機溶剤に溶解しにくくな
92層の形成が行いにくくなる。
しい。これらが少なすぎると有機溶剤に溶解しにくくな
92層の形成が行いにくくなる。
他の共重合成分は、前記成分の総量中30モル5、00
0〜150,000(液体クロマトグラフィーにおける
標準ポリスチレン換算)であるのが好ましい。分子量が
小さすぎると皮膜が弱くなり、大きすぎると溶剤に溶解
したときに粘度が高くなり。
0〜150,000(液体クロマトグラフィーにおける
標準ポリスチレン換算)であるのが好ましい。分子量が
小さすぎると皮膜が弱くなり、大きすぎると溶剤に溶解
したときに粘度が高くなり。
層の形成が行いにくくなる。
本発明の水酸基含有フッ素重合体は2次のものも包含さ
れる。
れる。
すなわち2反応性の炭素−炭素二重結合を樹脂100g
当り0.001〜0.025モル有する7ツるグラフト
共重合体であって、水酸基を有するものも2本発明の水
酸基含有フン素重合体に包含される。
当り0.001〜0.025モル有する7ツるグラフト
共重合体であって、水酸基を有するものも2本発明の水
酸基含有フン素重合体に包含される。
該フッ素含有樹脂は、該樹脂100g当シ9反応性の炭
素−炭素二重結合を0.001〜0.025モル、好ま
しくは0.003〜0.015モル有する。
素−炭素二重結合を0.001〜0.025モル、好ま
しくは0.003〜0.015モル有する。
0、 OO1モル未満では、(B)成分と共に重合させ
る際、グラフト重合が困難になfi、O,025モルを
越えると重合の際、ゲル化が起こり易くなる。また、該
フッ素含有樹脂は、アルコキシ基またはシクロアルキル
オキシ基を有する。これにより、キシレン、トルエン、
酢酸ブチル、メチルイノブチルケトン等の有機溶剤に可
溶とすることができる。
る際、グラフト重合が困難になfi、O,025モルを
越えると重合の際、ゲル化が起こり易くなる。また、該
フッ素含有樹脂は、アルコキシ基またはシクロアルキル
オキシ基を有する。これにより、キシレン、トルエン、
酢酸ブチル、メチルイノブチルケトン等の有機溶剤に可
溶とすることができる。
さらに、フッ素を含有することにより1本発明により得
られるグラフト共重合体を使用した保護層の耐久性が向
上する。
られるグラフト共重合体を使用した保護層の耐久性が向
上する。
上記フッ素含有樹脂としては1分子量が約1,000〜
200.000であるものが好ましく、特に約10、
OOO〜100. OOOのものが好ましい。分子量が
低過ぎると耐久性が低下する傾向にあり。
200.000であるものが好ましく、特に約10、
OOO〜100. OOOのものが好ましい。分子量が
低過ぎると耐久性が低下する傾向にあり。
高過ぎるとフッ素含有樹脂の存在下にエチレン性不飽和
単量体を重合させる際、ゲル化しやすくなる傾向がある
。
単量体を重合させる際、ゲル化しやすくなる傾向がある
。
(A)成分であるフッ素含有樹脂は、水酸基を有す(儂
) る下記共重合体−に無水マレイン酸、アクリル酸。
) る下記共重合体−に無水マレイン酸、アクリル酸。
メタクリル酸、無水アクリル酸、無水メタクリル酸、こ
れらの酸クロライド等のα、β−不飽和カルボン酸また
はその水酸基と反応性の誘導体を反応させて得ることが
できる。゛ この場合、α、β−不飽和カルボン酸またはその水酸基
と反応性の誘導体は、水酸基を有する共(ぺ) 重合体V1100gに対して0.001〜0.025モ
ル反応させられる。
れらの酸クロライド等のα、β−不飽和カルボン酸また
はその水酸基と反応性の誘導体を反応させて得ることが
できる。゛ この場合、α、β−不飽和カルボン酸またはその水酸基
と反応性の誘導体は、水酸基を有する共(ぺ) 重合体V1100gに対して0.001〜0.025モ
ル反応させられる。
(べ)
共重合体団は、前記した水酸基含有フッ素重合体と同様
のものであり2分子中に水酸基及びフッ素を有する重合
体であって、水酸基は1重合体の水酸基が0.57〜1
00になるように分子中に存在するのが好ましく、特に
水酸基価が3〜70になるようにするのが好寸しい。水
酸基価が小さすぎると二重結合を充分に導入できない。
のものであり2分子中に水酸基及びフッ素を有する重合
体であって、水酸基は1重合体の水酸基が0.57〜1
00になるように分子中に存在するのが好ましく、特に
水酸基価が3〜70になるようにするのが好寸しい。水
酸基価が小さすぎると二重結合を充分に導入できない。
また、水酸基価が大きすぎると有機溶剤への溶解性が限
られやすくなる。
られやすくなる。
(媛)
共重合体ンは、具体的には、前記した水酸基含有フッ素
重合体と同様に、フルオロオレフィン。
重合体と同様に、フルオロオレフィン。
アルキルビニルエーテル若シくはシクロアルキルビニル
エーテル及ヒヒドロキシアルキルビニルエーテルを共重
合させて得ることができ、他に共重合成分を含有してい
てもよい。これらの成分及び使用量は、前記した場合と
同様であるが、ヒドロキシアルキルビニルエーテルは、
共重合体(a)の水酸基価が0.57〜100になるよ
うに使用されるのが好ましく、特に3〜70になるよう
に使用されるのが好ましい。
エーテル及ヒヒドロキシアルキルビニルエーテルを共重
合させて得ることができ、他に共重合成分を含有してい
てもよい。これらの成分及び使用量は、前記した場合と
同様であるが、ヒドロキシアルキルビニルエーテルは、
共重合体(a)の水酸基価が0.57〜100になるよ
うに使用されるのが好ましく、特に3〜70になるよう
に使用されるのが好ましい。
前記エチレン性不飽和単量体としては、メチルアクリレ
ート、エチルアクリレート、ブチルアクリレート、イソ
プロピルアクリレート、2−エチルへキシルアクリレー
ト等のアルキルアクリレート、同様のアルキルメタクリ
レート、スチレン若シ<ハビニルトルエン、α−メチル
ス’PV7. クロロスチレン等の置換スチレン、アク
リロニトリル、メタクリロニトリル、塩化ビニル、酢酸
ビニル、マレイン酸ジアルキルエステルを使用すること
ができ、さらに、2−ヒドロキシエチルアクリレート、
2−ヒドロキシアルキルアクリレート。
ート、エチルアクリレート、ブチルアクリレート、イソ
プロピルアクリレート、2−エチルへキシルアクリレー
ト等のアルキルアクリレート、同様のアルキルメタクリ
レート、スチレン若シ<ハビニルトルエン、α−メチル
ス’PV7. クロロスチレン等の置換スチレン、アク
リロニトリル、メタクリロニトリル、塩化ビニル、酢酸
ビニル、マレイン酸ジアルキルエステルを使用すること
ができ、さらに、2−ヒドロキシエチルアクリレート、
2−ヒドロキシアルキルアクリレート。
2−ヒドロキシブチルアクリレート等のヒドロキシアル
キルアクリレート、同様のとドロ中ジアルキルメタクリ
レート、グリセリン、トリメチa −ルプロパン等の多
価アルコールのモノアクリレートまたはモノメタクリレ
ート、N−メチロールアクリルアミド、N−メチロール
メタクリルアミドなどの水酸基を有するエチレン性不飽
和単量体を用いることができる。また、必要に応じアク
リルアミド、メタクリルアミド等の不飽和アミド、グリ
シジルメタクリレート、グリシジルアクリレート等のオ
キシラン基を有する不飽和単量体、アクリル酸、メタク
リル酸、マレイン酸モノアルキルエステル等のα、β−
不飽和カルボン酸を用いることができる。不飽和アミド
およびオキシラン基を含有する不飽和単量体は多すぎる
と塗膜の耐水性が低下したり2反応溶媒が限定されたシ
する傾向が生じるため、前記フッ素含有樹脂及びエチレ
ン性不飽和単量体の総量に対して30重量−以下で使用
するのが好ましく、α、β−不飽和カルボン酸は多すぎ
ると塗膜の耐水性が低下する傾向があるため、10重量
%以下で使用するのが好ましい。
キルアクリレート、同様のとドロ中ジアルキルメタクリ
レート、グリセリン、トリメチa −ルプロパン等の多
価アルコールのモノアクリレートまたはモノメタクリレ
ート、N−メチロールアクリルアミド、N−メチロール
メタクリルアミドなどの水酸基を有するエチレン性不飽
和単量体を用いることができる。また、必要に応じアク
リルアミド、メタクリルアミド等の不飽和アミド、グリ
シジルメタクリレート、グリシジルアクリレート等のオ
キシラン基を有する不飽和単量体、アクリル酸、メタク
リル酸、マレイン酸モノアルキルエステル等のα、β−
不飽和カルボン酸を用いることができる。不飽和アミド
およびオキシラン基を含有する不飽和単量体は多すぎる
と塗膜の耐水性が低下したり2反応溶媒が限定されたシ
する傾向が生じるため、前記フッ素含有樹脂及びエチレ
ン性不飽和単量体の総量に対して30重量−以下で使用
するのが好ましく、α、β−不飽和カルボン酸は多すぎ
ると塗膜の耐水性が低下する傾向があるため、10重量
%以下で使用するのが好ましい。
また、水酸基を有するエチレン性不飽和単量体は、得ら
れるグラフト共重合体の水酸基価が5〜100になるよ
うに、特に、8〜70になるように、適宜使用される。
れるグラフト共重合体の水酸基価が5〜100になるよ
うに、特に、8〜70になるように、適宜使用される。
前記フッ素含有樹脂とエチレン性不飽和単量体は、前者
/後者が2重量比で、50150〜99.510.5の
範囲で使用されるのが好ましい。この比が50150以
上であることによシ、耐久性、特に長期使用時の耐久性
に優れる。また、有機溶剤の溶解性の点から、上記重量
比が99.5 / 0.5以下が好ましい。上記重量比
は1%に60/40〜9515が好ましい。
/後者が2重量比で、50150〜99.510.5の
範囲で使用されるのが好ましい。この比が50150以
上であることによシ、耐久性、特に長期使用時の耐久性
に優れる。また、有機溶剤の溶解性の点から、上記重量
比が99.5 / 0.5以下が好ましい。上記重量比
は1%に60/40〜9515が好ましい。
前記フッ素含有樹脂の存在下でのエチレン性不 ゛飽和
単量体の重合は、必要に応じてトルエン、キシレン、メ
チルインブチルケトン、酢酸ブチル。
単量体の重合は、必要に応じてトルエン、キシレン、メ
チルインブチルケトン、酢酸ブチル。
酢酸エチル、酢酸セロソルブ、ブチルセロソルブ。
1−ブタノール、2−ブタノール、1−プロパツール、
2−プロパツール等の有機溶剤を反応溶媒とし2重合触
媒として、過酸化ベンゾイル、ジターシャリ−ブチルパ
ーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド等の過酸
化物、アゾビスイソブチロニトリル等のアゾビス系化合
物を用い、50〜200℃で1〜10時間力σ熱反応さ
せることKより行うことができる。反応は、窒素ガス等
の不活性ガスの雰囲気または気流下に行うのが好ましく
1重合触媒としてはグラフト化率をよくする点で過酸化
物が好ましく、残存モノマーを少なくするためには、過
酸化物とアゾビス系化合物を併用するのが好ましい。重
合は、このように塊状重合および溶液重合だけでなく、
必要に応じ懸濁重合。
2−プロパツール等の有機溶剤を反応溶媒とし2重合触
媒として、過酸化ベンゾイル、ジターシャリ−ブチルパ
ーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド等の過酸
化物、アゾビスイソブチロニトリル等のアゾビス系化合
物を用い、50〜200℃で1〜10時間力σ熱反応さ
せることKより行うことができる。反応は、窒素ガス等
の不活性ガスの雰囲気または気流下に行うのが好ましく
1重合触媒としてはグラフト化率をよくする点で過酸化
物が好ましく、残存モノマーを少なくするためには、過
酸化物とアゾビス系化合物を併用するのが好ましい。重
合は、このように塊状重合および溶液重合だけでなく、
必要に応じ懸濁重合。
乳化重合等により行うことができる。
前記ブチルエーテル化メラミン・ホルムアルデヒド樹脂
とポリビニルアセタール樹脂からなる硬化皮膜でも、耐
摩耗性に優れた保護層を形成することができるが、前記
水酸基含有フッ素重合体を保護層の一材料として使用す
ることにより、さらに耐摩耗性を向上させることができ
、また、より薄い層で耐摩耗性が優れるようになる。
とポリビニルアセタール樹脂からなる硬化皮膜でも、耐
摩耗性に優れた保護層を形成することができるが、前記
水酸基含有フッ素重合体を保護層の一材料として使用す
ることにより、さらに耐摩耗性を向上させることができ
、また、より薄い層で耐摩耗性が優れるようになる。
前記ブチルエーテル化メラミン・ホルムアルデヒド樹脂
、ポリビニルアセタール樹脂及び水酸基含有フッ素重合
体は、各々、30〜95重量%。
、ポリビニルアセタール樹脂及び水酸基含有フッ素重合
体は、各々、30〜95重量%。
3〜60重flS及び2〜40重量%で全体が100重
量%になるように配合して使用されるのが好ましく、特
に、各々、60〜90重量%、5〜40重fチ及び5〜
30重量%で全体が100重量%になるように配合して
使用されるのが好ましい。
量%になるように配合して使用されるのが好ましく、特
に、各々、60〜90重量%、5〜40重fチ及び5〜
30重量%で全体が100重量%になるように配合して
使用されるのが好ましい。
このような範囲以外では、保護層の耐摩耗性は十分に向
上しない。
上しない。
本発明は、さらに、保護層の材料として電子受容性カル
ボン酸化合物及び/又は電子受容性ポリカルボン酸無水
物を使用することにより、下記の特長を付加するもので
ある。
ボン酸化合物及び/又は電子受容性ポリカルボン酸無水
物を使用することにより、下記の特長を付加するもので
ある。
(1)電子受容性カルボン酸化合物及び/又は電子受容
性ポリカルボン酸無水物が硬化反応を促進するので、よ
シ低温、短時間で硬化反応を完了させることができる。
性ポリカルボン酸無水物が硬化反応を促進するので、よ
シ低温、短時間で硬化反応を完了させることができる。
この結果、硬化反応中の加熱による光導電層の熱劣化に
伴う感光体の電子写真特性の低下を著しく小さくできる
。
伴う感光体の電子写真特性の低下を著しく小さくできる
。
答
(2)上記の龜うに硬化反応が促進されるため。
保護層の耐摩耗性がさらに向上し、感光体を長寿命にで
きる。
きる。
(3)上記カルボン酸及び酸無水物は電子受容性である
ため、この性質が保護層に導入される。この結果として
保護層への電子の注入が効率よく行われ、感度の低下及
び光照射後の残留電位の増加を極めて小さくできる。従
って、保護層を厚くすることができ、感光体の寿命をよ
り長くすることができる。
ため、この性質が保護層に導入される。この結果として
保護層への電子の注入が効率よく行われ、感度の低下及
び光照射後の残留電位の増加を極めて小さくできる。従
って、保護層を厚くすることができ、感光体の寿命をよ
り長くすることができる。
前記電子受容性カルボン酸化合物としては、カルボキシ
ル基を1個以上有する化合物で、電子受容性を示す化合
物であり、該化合物中に、ニトロ基、ニトリル基、カル
ボニル基等の電子吸引基を有していてもよい。具体的に
は、酪酸、吉草酸。
ル基を1個以上有する化合物で、電子受容性を示す化合
物であり、該化合物中に、ニトロ基、ニトリル基、カル
ボニル基等の電子吸引基を有していてもよい。具体的に
は、酪酸、吉草酸。
ヘプタン酸、アクリル酸、メタクリル酸、チグリン酸、
コハク酸、アジピン酸、グルタル酸、セバシン酸、ウン
デカンニ酸、マレイン酸、グルタコン酸、プロパン−1
,2,3−トリカルボン酸、ブタン−1,1,4−トリ
カルボン酸、ペンタン−1,3,3゜5−テトラカルボ
ン酸、キノバ酸、フェニルプロピオン酸、フェニル酢酸
、安息香酸、フタル酸。
コハク酸、アジピン酸、グルタル酸、セバシン酸、ウン
デカンニ酸、マレイン酸、グルタコン酸、プロパン−1
,2,3−トリカルボン酸、ブタン−1,1,4−トリ
カルボン酸、ペンタン−1,3,3゜5−テトラカルボ
ン酸、キノバ酸、フェニルプロピオン酸、フェニル酢酸
、安息香酸、フタル酸。
イソフタル酸、テレフタル酸、トリメリット酸。
ヘミメリット酸、トリメシン酸、メロファン酸。
ピロメリット酸、ケイ皮酸、シンナミリデン酸。
ベンジルアクリル酸、α−フェニルクロトン酸。
ペンザルプaピオン酸、ビフェニル−2−カルボン酸、
ジフェン酸、α−ナフトエ酸、β−ナフトエ酸、ナフタ
リン−1,2−ジカルホン酸、ナフタル酸、ナフタリン
−1,4,5−ト!Jカルボン酸、ナフタリン−1,4
,5,8−テトラカルボン酸、アントラセン−1−カル
ボン酸、アントラセン−1,9−ジカルボン酸、アント
ラセンース3−ジカルボン酸、フェナントレン−1−カ
ルボン酸、フェナントレン−9−カルボン酸、ジベンゾ
チオフェン−1−カルボン酸、チアナフテンース3−ジ
カルボン酸、ペリレン−3,4,9,10−テトラカル
ボン酸。
ジフェン酸、α−ナフトエ酸、β−ナフトエ酸、ナフタ
リン−1,2−ジカルホン酸、ナフタル酸、ナフタリン
−1,4,5−ト!Jカルボン酸、ナフタリン−1,4
,5,8−テトラカルボン酸、アントラセン−1−カル
ボン酸、アントラセン−1,9−ジカルボン酸、アント
ラセンース3−ジカルボン酸、フェナントレン−1−カ
ルボン酸、フェナントレン−9−カルボン酸、ジベンゾ
チオフェン−1−カルボン酸、チアナフテンース3−ジ
カルボン酸、ペリレン−3,4,9,10−テトラカル
ボン酸。
3−ニトロへブタン酸、2−ニトロアシヒン酸。
4−ニトロ安息香酸、2.3−ジニトロ安息香酸。
2.4.6−ドリニトロ安息香酸、3−ニトロフタル酸
、4.6−シニトロインフタルL2.6−シニトロテレ
フタル酸、4−シアノ安息香酸、4.6−ジシアツイン
フタル酸、ペンゾフェノンース2′−ジカルボン酸、ベ
ンゾフェノン−2,4,2: 4’−テトラカルボン酸
、4−ニトロ−2−ナフトエ酸、8−二トロー1−、ナ
フトエ酸、アントロン−9−カルボンM、2−ニトロ−
アントラセン−1−カルボン酸、2−カルボキシ−1,
4−ベンゾキノン、p−ベンゾキノイル酢酸、5−カル
ボキシ−1,4−ナフトキノン、2−ニトロ−5−カル
ボキシ−1゜4−ナフトキノン、1−カルボキシ−アン
トラキノン、2−カルボキシ−4,7−シニトロフルオ
レノンなどがある。
、4.6−シニトロインフタルL2.6−シニトロテレ
フタル酸、4−シアノ安息香酸、4.6−ジシアツイン
フタル酸、ペンゾフェノンース2′−ジカルボン酸、ベ
ンゾフェノン−2,4,2: 4’−テトラカルボン酸
、4−ニトロ−2−ナフトエ酸、8−二トロー1−、ナ
フトエ酸、アントロン−9−カルボンM、2−ニトロ−
アントラセン−1−カルボン酸、2−カルボキシ−1,
4−ベンゾキノン、p−ベンゾキノイル酢酸、5−カル
ボキシ−1,4−ナフトキノン、2−ニトロ−5−カル
ボキシ−1゜4−ナフトキノン、1−カルボキシ−アン
トラキノン、2−カルボキシ−4,7−シニトロフルオ
レノンなどがある。
前記電子受容性ポリカルボン酸無水物とは、上記電子受
容性カルボン酸化合物のうち、カルボキシル基を2個以
上有するものの酸無水物であシ。
容性カルボン酸化合物のうち、カルボキシル基を2個以
上有するものの酸無水物であシ。
具体的には、コハク酸無水物、グルタル酸無水物。
マレイン酸無水物、フタル酸無水物、トリメリド酸無水
物、ピロメリト酸無水物、ナフタル酸無水物、ナフタリ
ン−1,4,5−)ジカルボン酸無水物。
物、ピロメリト酸無水物、ナフタル酸無水物、ナフタリ
ン−1,4,5−)ジカルボン酸無水物。
ナフタリン−1,4,5,8−テトラカルボン酸無水物
。
。
アントラセン−2,3−ジカルボン酸無水物、3−性ポ
リカルボン酸無水物は、これらのうち1種以上が使用さ
れ、その使用量は、前記ブチルエーテル化メラミン・ホ
ルムアルデヒド樹脂、ポリビニルアセタール樹脂及び水
酸基含有フッ素重合体の総量に対して0.1〜40重量
%が好ましく1%に1〜20重量%が好ましい。この使
用量が少なすぎると前記特長を発揮しかたくなシやすく
、多すぎると保護層の耐湿性が低下する傾向がある。
リカルボン酸無水物は、これらのうち1種以上が使用さ
れ、その使用量は、前記ブチルエーテル化メラミン・ホ
ルムアルデヒド樹脂、ポリビニルアセタール樹脂及び水
酸基含有フッ素重合体の総量に対して0.1〜40重量
%が好ましく1%に1〜20重量%が好ましい。この使
用量が少なすぎると前記特長を発揮しかたくなシやすく
、多すぎると保護層の耐湿性が低下する傾向がある。
本発明の保護層には、前記光導電層の説明の(1)項に
記載した添加剤を適宜含有させてもよい。
記載した添加剤を適宜含有させてもよい。
本発明の保護層の厚さは0.01〜10μmが好ましく
、特に0.1〜5μmが好ましい。0.01μm未満で
は保護層としての効果が小さくなりやすく、10μmを
越えると感度の低下及び残留電位の増大の傾向がある。
、特に0.1〜5μmが好ましい。0.01μm未満で
は保護層としての効果が小さくなりやすく、10μmを
越えると感度の低下及び残留電位の増大の傾向がある。
保護層を形成するには、前記のブチルエーテル化メラミ
ン・ホルムアルデヒド樹脂、ポリビニルアセタール樹脂
、水酸基含有フッ素重合体並びに電子受容性カルボン酸
化合物及び/又は電子受容性ポリカルボン酸無水物、さ
らに場合によシ添加剤を溶剤に均一に溶解した後、光導
電層の上に塗布し、加熱乾燥して行うことができる。加
熱は90〜140℃になるようにされるのが好ましい。
ン・ホルムアルデヒド樹脂、ポリビニルアセタール樹脂
、水酸基含有フッ素重合体並びに電子受容性カルボン酸
化合物及び/又は電子受容性ポリカルボン酸無水物、さ
らに場合によシ添加剤を溶剤に均一に溶解した後、光導
電層の上に塗布し、加熱乾燥して行うことができる。加
熱は90〜140℃になるようにされるのが好ましい。
本発明に係る1と子写真感光体を用いて複写又は印刷を
行う場合には、従来と同様に表面に正帯電。
行う場合には、従来と同様に表面に正帯電。
露光を施した後、現像を行い、普通紙等の被転写物上に
画像を転写し、定着すればよい。
画像を転写し、定着すればよい。
(実施例)
次に実施例に基づいて本発明を詳述するが2本発明はこ
れに限定されるものではない。
れに限定されるものではない。
以下の例中に用いる各材料を次に列記する。括弧内には
略号を示す。
略号を示す。
(11電荷を発生する有機顔料
τ型無金属フタロシアニン(τ−HzPC)+2+
’!M荷輸送性物質 o′JL子受容柱受容性 化合物、5−トリクロル−1,4−ナフトキノンO電子
供与性化合物 2−(1)−ジメチルアミノ)フェニル−4−(p−ジ
メチルアミノ)フェニル−5−(o−90ロフエニル)
−1,3−:tキfソール (OXZ) (3)結合剤 うシリコーンワニス : KR−255[信越化学工
業■商品名〕 Oシリコーンワニス : トスガードT510〔東芝シ
リコーン■商品名〕 クポリエステル樹脂: バイロン200〔東洋紡績■
商品名〕 (4)保護層用材料 (Al ブチルエーテル化メラミン・ホルムアルデヒ
ド樹脂 (BMF) (BMF−1の合成) 攪拌機、還流冷却器、温度計を装着したフラスコ中にメ
ラミン1269.n−ブタノール4449及び61%硝
酸水溶液0.29を入れ、100℃に昇温した後、パラ
ホルムアルデヒド169 g全30分間に6回に分けて
等間隔で添加し、その後還流温度で30分間反応させ、
水分を除去し、加熱残分が50%になるように脱溶剤を
行った。得られた樹脂溶液の粘度は、ガードナー(25
℃]でBであった。
’!M荷輸送性物質 o′JL子受容柱受容性 化合物、5−トリクロル−1,4−ナフトキノンO電子
供与性化合物 2−(1)−ジメチルアミノ)フェニル−4−(p−ジ
メチルアミノ)フェニル−5−(o−90ロフエニル)
−1,3−:tキfソール (OXZ) (3)結合剤 うシリコーンワニス : KR−255[信越化学工
業■商品名〕 Oシリコーンワニス : トスガードT510〔東芝シ
リコーン■商品名〕 クポリエステル樹脂: バイロン200〔東洋紡績■
商品名〕 (4)保護層用材料 (Al ブチルエーテル化メラミン・ホルムアルデヒ
ド樹脂 (BMF) (BMF−1の合成) 攪拌機、還流冷却器、温度計を装着したフラスコ中にメ
ラミン1269.n−ブタノール4449及び61%硝
酸水溶液0.29を入れ、100℃に昇温した後、パラ
ホルムアルデヒド169 g全30分間に6回に分けて
等間隔で添加し、その後還流温度で30分間反応させ、
水分を除去し、加熱残分が50%になるように脱溶剤を
行った。得られた樹脂溶液の粘度は、ガードナー(25
℃]でBであった。
(BMF−2の合成)
BMF−1の合成と同様の装置を用い、メラミン126
g、n−ブタノール4449,61チ硝酸水溶液0.2
9及びパラホルムアルデヒド1699を混合して仕込み
、100℃に昇温後、30分間反応させた。その後、還
流脱水を30分行い。
g、n−ブタノール4449,61チ硝酸水溶液0.2
9及びパラホルムアルデヒド1699を混合して仕込み
、100℃に昇温後、30分間反応させた。その後、還
流脱水を30分行い。
水分を除去すると共に、加熱残分が50%になるように
脱溶剤を行った。得られた樹脂溶液の粘度は、ガードナ
ー(25℃)でCであった。
脱溶剤を行った。得られた樹脂溶液の粘度は、ガードナ
ー(25℃)でCであった。
(BMF−3の合成)
BMF−1の合成と同様の装置を用い、パラホルムアル
デヒド217.59.n−ブタノール4449及びメラ
ミン126gを秤υ取り、90〜100℃で30分間付
加反応を行った。その後40〜45℃に冷却しフタル酸
0.19を加え、酸性条件下で還流脱水及び脱溶を行っ
た。この後、加熱残分が50%になるよう調整した。こ
のときの粘度は(ガードナー725℃)Bであった。
デヒド217.59.n−ブタノール4449及びメラ
ミン126gを秤υ取り、90〜100℃で30分間付
加反応を行った。その後40〜45℃に冷却しフタル酸
0.19を加え、酸性条件下で還流脱水及び脱溶を行っ
た。この後、加熱残分が50%になるよう調整した。こ
のときの粘度は(ガードナー725℃)Bであった。
BMF−1,BMF−2及びFIMI’−3のメラミン
核1個当りの結合ホルムアルデヒド数、ブチルエーテル
基数及びメチロール基数並びに数平均分子量を下記の表
1に示す。
核1個当りの結合ホルムアルデヒド数、ブチルエーテル
基数及びメチロール基数並びに数平均分子量を下記の表
1に示す。
但し、結合ホルムアルデヒド数は、仕込み量と亜硫酸ソ
ーダ法による未反応ホルムアルデヒド量の測定により求
め、ブチルエーテル基数はブタノールの仕込み量と内部
標準液として5ec−ブチルアルコールを使用したガス
クロマトグラフィーによる未反応のブタノールの測定に
より求め、メチロール基は、上記ブチルエーテル基数と
NMRスペクトルから求めた。また、数平均分子量はゲ
ルパーミェーションクロマトグラフィーにより標準ポリ
スチレンの検量線を利用して行った。
ーダ法による未反応ホルムアルデヒド量の測定により求
め、ブチルエーテル基数はブタノールの仕込み量と内部
標準液として5ec−ブチルアルコールを使用したガス
クロマトグラフィーによる未反応のブタノールの測定に
より求め、メチロール基は、上記ブチルエーテル基数と
NMRスペクトルから求めた。また、数平均分子量はゲ
ルパーミェーションクロマトグラフィーにより標準ポリ
スチレンの検量線を利用して行った。
表1 ブチルエーテル化メラミン・ホ
ルムアルデヒド樹脂の特性
(B)ポリビニルアセタール樹脂
0ポリビニルブチラール樹脂(All:デンカプチラー
ルナ3000−1 [電気化学工業■]Oポリビニルホ
ルマール樹脂(A2):デンカホルマールナ20〔電気
化学工業■〕 (各樹脂の特性を表2に示す) 表2 ポリビニルアセタール樹脂の特性(C1水酸基含
有フッ素重合体 共重合体(1) ・・・ルミフロンLP−200Dl:旭硝子■〕但し、
ルミフロンLP −200Dは上記の樹脂をキシレンと
メチルインブチルケトンの混合溶媒に溶解され、固形分
が50Jxf%の溶液となっている。
ルナ3000−1 [電気化学工業■]Oポリビニルホ
ルマール樹脂(A2):デンカホルマールナ20〔電気
化学工業■〕 (各樹脂の特性を表2に示す) 表2 ポリビニルアセタール樹脂の特性(C1水酸基含
有フッ素重合体 共重合体(1) ・・・ルミフロンLP−200Dl:旭硝子■〕但し、
ルミフロンLP −200Dは上記の樹脂をキシレンと
メチルインブチルケトンの混合溶媒に溶解され、固形分
が50Jxf%の溶液となっている。
グラフト重合体(11)
上記の共重合体(1)、すなわちルミフロンLF−20
0D、100質量部、無水マレイン酸l質量部及びキシ
レン1質量部を攪拌機及び還流冷却器を備えたフラスコ
に仕込み、50’Cで1時間、ついで120℃で2時間
反応させて重合性炭素−炭素二重結合を樹脂1009あ
たシ0.02モル有するフッ素含有樹脂を合成し、キシ
レンで固形分を調整し、固形分50質量チの樹脂溶液を
得た。
0D、100質量部、無水マレイン酸l質量部及びキシ
レン1質量部を攪拌機及び還流冷却器を備えたフラスコ
に仕込み、50’Cで1時間、ついで120℃で2時間
反応させて重合性炭素−炭素二重結合を樹脂1009あ
たシ0.02モル有するフッ素含有樹脂を合成し、キシ
レンで固形分を調整し、固形分50質量チの樹脂溶液を
得た。
次にこの樹脂溶液60質量部(固形分30質量部)及び
溶剤7(ソルベッン100.エッソ石油化学、商品名)
60質量部、n−ブタノール1o質量部をフラスコに仕
込み、120℃に保温しながら、2−ヒドロキシエチル
メタクリレート12質量部、ブチルメタクリレート25
質量部、エチルアクリレート12.5質量部、スチレン
18質量部。
溶剤7(ソルベッン100.エッソ石油化学、商品名)
60質量部、n−ブタノール1o質量部をフラスコに仕
込み、120℃に保温しながら、2−ヒドロキシエチル
メタクリレート12質量部、ブチルメタクリレート25
質量部、エチルアクリレート12.5質量部、スチレン
18質量部。
メタクリル酸25質量部、アゾビスイソブチロニトリル
z5質量部及びジ−t−ブチルパーオキサイド0.5質
量部の混合液を2時間かけて滴下したのち、更に同温度
で1時間保温し、ついで140℃に昇温して4時間反応
させて、グラフト重合体(1)を得た。得られたグラフ
ト重合体(11)が約50質i%の固形分になるようn
−ブタノールを加えた。
z5質量部及びジ−t−ブチルパーオキサイド0.5質
量部の混合液を2時間かけて滴下したのち、更に同温度
で1時間保温し、ついで140℃に昇温して4時間反応
させて、グラフト重合体(1)を得た。得られたグラフ
ト重合体(11)が約50質i%の固形分になるようn
−ブタノールを加えた。
得られたグラフト重合体(11)の水酸基価は32であ
った。
った。
FD+ 分子内にカルボキシル基及び/又は酸無水物
の構造を1つ以上、場合により更に電子吸引基を1つ以
上有するカルボン酸及び/又は酸無水物。
の構造を1つ以上、場合により更に電子吸引基を1つ以
上有するカルボン酸及び/又は酸無水物。
Oピロメリト酸無水物
03−ニトロフタル酸
Oナフタリン−1,4,5,8−テトラカルボン酸比較
例1 τ−H2PC2,0g、 シリコーンフェス(KR−
255)4.09及びテトラヒドロフラン949をボー
ルミル(日本化学陶業製3寸ボットミル)を用いて8時
間混練した。得られた顔料分散液をアプリケーターによ
りアルミニウム板(厚さ0.IM)上に塗工し、90℃
で1時間乾燥して厚さ約1.0μmの電荷発生層を形成
した。
例1 τ−H2PC2,0g、 シリコーンフェス(KR−
255)4.09及びテトラヒドロフラン949をボー
ルミル(日本化学陶業製3寸ボットミル)を用いて8時
間混練した。得られた顔料分散液をアプリケーターによ
りアルミニウム板(厚さ0.IM)上に塗工し、90℃
で1時間乾燥して厚さ約1.0μmの電荷発生層を形成
した。
次に2.3.5− トリクロル−1,4−ナフトキノン
49、ホIJエステル樹脂(バイロン200)89及び
ジクロルメタン/ジクロルエタン=1/1の混合溶媒8
8gを完全に溶解させた。得られた溶液をアプリケータ
ーにより前記の電荷発生層の上に塗工し、90℃で1時
間乾燥して15μmの電荷輸送層を形成した。
49、ホIJエステル樹脂(バイロン200)89及び
ジクロルメタン/ジクロルエタン=1/1の混合溶媒8
8gを完全に溶解させた。得られた溶液をアプリケータ
ーにより前記の電荷発生層の上に塗工し、90℃で1時
間乾燥して15μmの電荷輸送層を形成した。
比較例2
0XZ109とパイロン200 109をテトラヒドロ
フラン809に混合し、完全に溶解させた。得られた溶
液をアプリケーターによりアルミニウム板上に塗工し、
90℃で1時間乾燥して15μmの電荷輸送層を形成し
た。
フラン809に混合し、完全に溶解させた。得られた溶
液をアプリケーターによりアルミニウム板上に塗工し、
90℃で1時間乾燥して15μmの電荷輸送層を形成し
た。
次にτ−H2PC2,0g 、 シリコーンフェス(
トスガードT510)6.7g及びトルエン/イソプロ
パツール=4/6 (重量比)の混合溶媒949をボー
ルミルを用いて15時間混練して得られた顔料分散液を
前記の電荷輸送層の上にアプリケーターにより塗工し、
110℃で15分乾燥して厚さ約1,0μmの電荷発生
層を形成した。
トスガードT510)6.7g及びトルエン/イソプロ
パツール=4/6 (重量比)の混合溶媒949をボー
ルミルを用いて15時間混練して得られた顔料分散液を
前記の電荷輸送層の上にアプリケーターにより塗工し、
110℃で15分乾燥して厚さ約1,0μmの電荷発生
層を形成した。
比較例3
r −H2PC0,6g、 OXZ 5.Og、バイo
7200 14.49及びテトラヒドロフランsog
をボールミルを用いて10時間混練した。得られた分散
液をアプリケーターによりアルミニウム板上に塗工し、
100℃で15分間乾燥して厚さ15μmの一層型電子
写真感光体を作製した。
7200 14.49及びテトラヒドロフランsog
をボールミルを用いて10時間混練した。得られた分散
液をアプリケーターによりアルミニウム板上に塗工し、
100℃で15分間乾燥して厚さ15μmの一層型電子
写真感光体を作製した。
比較例4〜5
比較例1と同様な方法で作製した感光体の上にBMF−
3,40,(固形分で20g)及びイソプロパツール6
0gからなる溶液をアプリケーターにより塗工した。保
護層の硬化条件及び膜厚を表3に示す。
3,40,(固形分で20g)及びイソプロパツール6
0gからなる溶液をアプリケーターにより塗工した。保
護層の硬化条件及び膜厚を表3に示す。
比較例6〜7
比較例2と同様な方法で作製した感光体の上にBMF−
3,aog (固形分で159)、ポリビニルブチラー
ル樹脂5g及びイソプロパツール659からなる溶液を
アプリケーターにより塗工した。保護層の硬化条件及び
膜厚を表3に示す。
3,aog (固形分で159)、ポリビニルブチラー
ル樹脂5g及びイソプロパツール659からなる溶液を
アプリケーターにより塗工した。保護層の硬化条件及び
膜厚を表3に示す。
比較例8〜9
比較例3と同様な方法で作製した感光体の上にBMF−
1,409(固形分で20g)及びイソプロパツール6
09からなる溶液をアプリケーターによシ塗工した。保
護層の硬化条件及び膜厚を表3に示す。
1,409(固形分で20g)及びイソプロパツール6
09からなる溶液をアプリケーターによシ塗工した。保
護層の硬化条件及び膜厚を表3に示す。
比較例10〜11
比較例2と同様な方法で作製した感光体の上にBMF−
1,309(固形分で159)、ポリビニルブチラール
樹脂5g及びインプロパツール659からなる溶液をア
プリケーターにより塗工した。保護層の硬化条件及び膜
厚を表3に示す。
1,309(固形分で159)、ポリビニルブチラール
樹脂5g及びインプロパツール659からなる溶液をア
プリケーターにより塗工した。保護層の硬化条件及び膜
厚を表3に示す。
比較例12
比較例2と同様な方法で作製した感光体の上にBMF−
1,aog (固形分で159 )、ポリビニルブチラ
ール樹脂59. ピロメリト酸無水物19及びインプ
ロパツール649からなる溶液をアプリケーターにより
塗工した。保護層の硬化条件及び膜厚を表3に示す。
1,aog (固形分で159 )、ポリビニルブチラ
ール樹脂59. ピロメリト酸無水物19及びインプ
ロパツール649からなる溶液をアプリケーターにより
塗工した。保護層の硬化条件及び膜厚を表3に示す。
実施例1〜7
比較例1〜3と同様な方法で作製した感光体の上に表3
に示す組成比率の保護層溶液(テトラヒドロフラン/イ
ソプロパツール=1/]の混合溶剤を使用)をアプリケ
ーターにより塗工した。保護層の硬化条件及び膜厚を表
3に示す。
に示す組成比率の保護層溶液(テトラヒドロフラン/イ
ソプロパツール=1/]の混合溶剤を使用)をアプリケ
ーターにより塗工した。保護層の硬化条件及び膜厚を表
3に示す。
得られた電子写真感光体の電子写真特性を静電記録紙試
験装置(川口電機製5P−428)を用いて測定し、結
果を表4に示す。
験装置(川口電機製5P−428)を用いて測定し、結
果を表4に示す。
なお表中の初期電位Vo(V)はダイナミック測定で正
5KVのコロナを10秒間放電したときの帯電電位を示
し暗減衰Vにはその後暗所において30秒間放置したと
きの電位保持率を示しe E50* E75はl Ol
uxの白色光を照射し電位がそれぞれ50%、75%低
下するに要した光量値Rx−5)を示す。残留電位VR
は10 luxの白色光を30秒間照射したのちの表面
電位を示す。
5KVのコロナを10秒間放電したときの帯電電位を示
し暗減衰Vにはその後暗所において30秒間放置したと
きの電位保持率を示しe E50* E75はl Ol
uxの白色光を照射し電位がそれぞれ50%、75%低
下するに要した光量値Rx−5)を示す。残留電位VR
は10 luxの白色光を30秒間照射したのちの表面
電位を示す。
また摩擦試験機(スガ試験機製)を用いて電子写真感光
体の表面をガーゼで摺動し9表面の摩耗傷が保護層を通
ってその下の層に達するまでの摺動回数で耐摩耗性を評
価した。尚、比較例1〜3の感光体の場合は、ガーゼの
繊維跡が目視で確認できるまでの摺動回数を測定した。
体の表面をガーゼで摺動し9表面の摩耗傷が保護層を通
ってその下の層に達するまでの摺動回数で耐摩耗性を評
価した。尚、比較例1〜3の感光体の場合は、ガーゼの
繊維跡が目視で確認できるまでの摺動回数を測定した。
結果を表4に示す。
、以下余白
表4 電子写真特性と耐摩耗性
比較例1〜3の感光体、特に比較例2及び3の感光体は
、正帯電で機能し電子写真特性も優れているが保護層が
設けられていないために、耐摩耗性が200回以下と極
めて劣る。また比較例1の感光体の表面に本発明の範囲
外のメラミン樹脂(BMF−3)を単独で保護層材料と
して用いた場合(比較例4.5)、低温(110℃)、
短時間(1時間)の乾燥条件では硬化不足のため、耐摩
耗性向上の効果はなく(比較例4)、硬化温度を高温(
160℃)にし、硬化時間を3時間と長くシ、また保護
層の膜厚を3μmに厚くした場合(比較例5)、耐摩耗
性はやや向上した。しかし材料の劣化と思われる電子写
真特性の低下、即ちE50 # E75及びVRの増大
が著しく、この感光体を画像評価機を用いて評価すると
地肌汚れが著しいことがわかった。
、正帯電で機能し電子写真特性も優れているが保護層が
設けられていないために、耐摩耗性が200回以下と極
めて劣る。また比較例1の感光体の表面に本発明の範囲
外のメラミン樹脂(BMF−3)を単独で保護層材料と
して用いた場合(比較例4.5)、低温(110℃)、
短時間(1時間)の乾燥条件では硬化不足のため、耐摩
耗性向上の効果はなく(比較例4)、硬化温度を高温(
160℃)にし、硬化時間を3時間と長くシ、また保護
層の膜厚を3μmに厚くした場合(比較例5)、耐摩耗
性はやや向上した。しかし材料の劣化と思われる電子写
真特性の低下、即ちE50 # E75及びVRの増大
が著しく、この感光体を画像評価機を用いて評価すると
地肌汚れが著しいことがわかった。
また比較例2の感光体の上に本発明の範囲外にあるメラ
ミン樹脂(BMF−3)と本発明の範囲内のポリビニル
ブチラール樹脂からなる保護層を形成し次場合(比較例
6.7)、低温硬化ではやはシ硬化不十分で耐摩耗性が
低く(比較例6)。
ミン樹脂(BMF−3)と本発明の範囲内のポリビニル
ブチラール樹脂からなる保護層を形成し次場合(比較例
6.7)、低温硬化ではやはシ硬化不十分で耐摩耗性が
低く(比較例6)。
高温長時間の硬化条件でかつ厚膜化して耐摩耗性をあげ
ると比較例5の場合と同様、電子写真特性の低下が大き
い(比較例7ン。
ると比較例5の場合と同様、電子写真特性の低下が大き
い(比較例7ン。
比較例3の感光体の上に本発明の範囲内のメラミン樹脂
(BMF−1)を単独で保護層として形成した場合(比
較例8.9)、低温短時間でも十分に硬化し耐摩耗性は
大きく向上した(比較例8)。
(BMF−1)を単独で保護層として形成した場合(比
較例8.9)、低温短時間でも十分に硬化し耐摩耗性は
大きく向上した(比較例8)。
この点で本発明の範囲内のメラミン樹脂は熱硬化性が高
く、耐摩耗性も大きいことが分かる。保護層を形成して
いない比較例3の感光体と比較しても電子写真特性の低
下は少ない。しかし耐摩耗性を更に向上すべく保護層の
膜厚を3μmと厚くするとやはり電子写真特性は低下し
た(比較例9)。
く、耐摩耗性も大きいことが分かる。保護層を形成して
いない比較例3の感光体と比較しても電子写真特性の低
下は少ない。しかし耐摩耗性を更に向上すべく保護層の
膜厚を3μmと厚くするとやはり電子写真特性は低下し
た(比較例9)。
また比較例2の感光体の上に本発明の範囲内にあるメラ
ミン樹脂(BMF−x)とポリビニルブチラール樹脂を
併用した場合(比較例10.11)は比較例8及び9に
比べて更に耐摩耗性は向上するが(比較例10)、更に
耐摩耗性を上げるべく保護層の膜厚を厚くすると、保護
層のない感光体(比較例2)と比べ電子写真特性の低下
は大きい(比較例11)。
ミン樹脂(BMF−x)とポリビニルブチラール樹脂を
併用した場合(比較例10.11)は比較例8及び9に
比べて更に耐摩耗性は向上するが(比較例10)、更に
耐摩耗性を上げるべく保護層の膜厚を厚くすると、保護
層のない感光体(比較例2)と比べ電子写真特性の低下
は大きい(比較例11)。
(d)
それに対し保護層の中に(9)成分のピロメリト酸無水
物を添加すると(比較例12)、比較例10及び11に
比べて更に低温、短時間で硬化し、かつ耐摩耗性も比較
例11に比べて更に向上する。
物を添加すると(比較例12)、比較例10及び11に
比べて更に低温、短時間で硬化し、かつ耐摩耗性も比較
例11に比べて更に向上する。
また電子写真特性も保護層が3μmと厚いにもかかわら
ず保護層のない比較例2と比べてほぼ同等(d) であり、このように(資)成分を加えることで、電子写
真特性を損うことなく、耐摩耗性を大幅に向上できるこ
とがわかる。
ず保護層のない比較例2と比べてほぼ同等(d) であり、このように(資)成分を加えることで、電子写
真特性を損うことなく、耐摩耗性を大幅に向上できるこ
とがわかる。
CC)
しかるに本発明になる保護層には更に纜成分である水酸
基価が5〜100で、ポリマー主鎖に直接フッ素原子が
結合したフッ素含有樹脂が加えられており実施例1〜7
に示すごとく、電子写真特性は保護層が設けられていな
い比較例1〜3の場(Cン 合と同等で、かつ耐摩耗性はげ成分の含まれていない比
較例12の場合よシ大幅に向上することがわかる。
基価が5〜100で、ポリマー主鎖に直接フッ素原子が
結合したフッ素含有樹脂が加えられており実施例1〜7
に示すごとく、電子写真特性は保護層が設けられていな
い比較例1〜3の場(Cン 合と同等で、かつ耐摩耗性はげ成分の含まれていない比
較例12の場合よシ大幅に向上することがわかる。
このように本発明になる実施例1〜7に示す電子写真感
光体は良好な電子写真特性を維持しつつ。
光体は良好な電子写真特性を維持しつつ。
耐摩耗性が著しく高い正帯電型電子写真感光体であるこ
とが確認された。
とが確認された。
(発明の効果)
本発明に係る電子写真感光体は優れた電子写真特性を有
し、耐摩耗性が著しく高く、耐久性に優れた正帯電型電
子写真感光体である。
し、耐摩耗性が著しく高く、耐久性に優れた正帯電型電
子写真感光体である。
代理人 弁理士 若 林 邦 彦 ゝ・。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、正帯電で機能しうる電子写真感光体において、その
表面に (a)数平均分子量1500以下で、メラミン核1個当
りに結合ホルムアルデヒド数が2〜4個及びメチロール
基数が1〜2個であるブチルエーテル化メラミン・ホル
ムアルデヒド樹脂、 (b)ポリビニルアセタール樹脂、 (c)水酸基含有フッ素重合体 並びに (d)電子受容性カルボン酸化合物及び/又は電子受容
性ポリカルボン酸無水物 の硬化皮膜を含有する保護層を有してなる正帯電型電子
写真感光体。 2、正帯電で機能しうる電子写真感光体が、導電層の上
に、電子供与性電荷輸送性物質を含有する電荷輸送層、
電荷を発生する有機顔料を含有する電荷発生層及び保護
層を順次積層したものである特許請求の範囲第1項記載
の正帯電型電子写真感光体。 3、正帯電で機能しうる電子写真感光体が、導電層の上
に、電荷を発生する有機顔料を含有する電荷発生層、電
子受容性電荷輸送性物質を含有する電荷輸送層及び保護
層を順次積層したものである特許請求の範囲第1項記載
の正帯電型電子写真感光体。 4、正帯電で機能しうる電子写真感光体が、導電層の上
に、電荷を発生する有機顔料を含有する光導電層及び保
護層を順次積層したものである特許請求の範囲第1項記
載の正帯電型電子写真感光体。 5、光導電層が、電荷を発生する有機顔料及び電荷輸送
性物質を含有するものである特許請求の範囲第4項記載
の正帯電型電子写真感光体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4475186A JPS62201461A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4475186A JPS62201461A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62201461A true JPS62201461A (ja) | 1987-09-05 |
Family
ID=12700147
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4475186A Pending JPS62201461A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62201461A (ja) |
-
1986
- 1986-02-28 JP JP4475186A patent/JPS62201461A/ja active Pending
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