JPS62183531A - エツチングによる平坦化膜の形成方法 - Google Patents
エツチングによる平坦化膜の形成方法Info
- Publication number
- JPS62183531A JPS62183531A JP2402286A JP2402286A JPS62183531A JP S62183531 A JPS62183531 A JP S62183531A JP 2402286 A JP2402286 A JP 2402286A JP 2402286 A JP2402286 A JP 2402286A JP S62183531 A JPS62183531 A JP S62183531A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicone resin
- etching
- film
- insulating film
- oxygen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims abstract description 35
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 16
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 5
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 abstract description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 abstract description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000269821 Scombridae Species 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 235000020640 mackerel Nutrition 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明線、半導体集積回路を始めとする各種の固体デバ
イスの製造に際してなされる平坦化技術に関するもので
あシ、詳しくは、エッチバック法によるエツチングによ
る平坦化技術に関するものである。
イスの製造に際してなされる平坦化技術に関するもので
あシ、詳しくは、エッチバック法によるエツチングによ
る平坦化技術に関するものである。
（従来技術及び発明が解決しようとする問題点）半導体
集積回路の製造では、厚いフィールド酸化換や電極にエ
リ段差が形成される。仁の後、Ｓｔｏｗなどの絶縁膜を
介して配線層が形成されるが、一般に絶縁膜は基板段差
の形状ｔそのままを反映するため絶縁膜に段差が生じ、
その結果、配線層の内部ストレスや形成時のシャドウ効
果により段差端で配線層が切れる問題を有していた。特
に最近では、多層配線技術が導入され、段差の影響が顕
著になる結果、断線が一層多く発生してい友。そこで、
絶縁膜の贋金平坦化する技術としてエッチバック法が開
発されている。
集積回路の製造では、厚いフィールド酸化換や電極にエ
リ段差が形成される。仁の後、Ｓｔｏｗなどの絶縁膜を
介して配線層が形成されるが、一般に絶縁膜は基板段差
の形状ｔそのままを反映するため絶縁膜に段差が生じ、
その結果、配線層の内部ストレスや形成時のシャドウ効
果により段差端で配線層が切れる問題を有していた。特
に最近では、多層配線技術が導入され、段差の影響が顕
著になる結果、断線が一層多く発生してい友。そこで、
絶縁膜の贋金平坦化する技術としてエッチバック法が開
発されている。
第４図は従来のエッチバックの工程を示す概略図である
。図ａ及びｂに示すように、配線となる金Ｊ！４２が形
成された基板１上に、Ｓｉｎ、やＳｉＮからなる絶縁＠
３’ｔ−ＣＶＤ法等にＬり形成する。
。図ａ及びｂに示すように、配線となる金Ｊ！４２が形
成された基板１上に、Ｓｉｎ、やＳｉＮからなる絶縁＠
３’ｔ−ＣＶＤ法等にＬり形成する。
この後、ホトレジストなどの有機高分子から成る塗布＠
４′ヲスピン塗布する。塗布膜４′は粘性流動体である
ため、その表面は平坦になる（図ｃ）０次に、絶縁膜３
′と塗布Ｍ ４’とを同じエツチング速度になるような
エツチング条件でプラズマエツチング処理し、図ｄを経
て、図ｅに示すような平坦な絶＃、膜３′を得るはずで
ある。しかしながら、実際には絶縁膜３′と塗布膜４′
とを同じエツチング速度になるようなエツチング歪性で
処理しても、図ｄのように絶縁膜３′が露出した瞬間、
そこから放出される酸素の影響に工９塗布Ｐａ４′のエ
ツチング速度の方が速くなり、その結果絶縁膜の平坦化
は達成できず、図ｆのように段差のある絶縁膜３“にな
ってしまう欠点があった。また、ウェハ面内の配線ピッ
チの違いにより塗布膜の被覆状態が異なるため、ウェハ
のどの部分でも塗布膜が残らないようにするため必要以
上にエツチングしなければならない欠点もあった。塗布
膜の有機高分子が残った場合には、この上にさらに配線
となる金属ケ形成した時形成時の熱で高分子が分解し、
その時放出されるガスで金属が割れる。汚染の原因とな
るなどの問題ケ生じていた。
４′ヲスピン塗布する。塗布膜４′は粘性流動体である
ため、その表面は平坦になる（図ｃ）０次に、絶縁膜３
′と塗布Ｍ ４’とを同じエツチング速度になるような
エツチング条件でプラズマエツチング処理し、図ｄを経
て、図ｅに示すような平坦な絶＃、膜３′を得るはずで
ある。しかしながら、実際には絶縁膜３′と塗布膜４′
とを同じエツチング速度になるようなエツチング歪性で
処理しても、図ｄのように絶縁膜３′が露出した瞬間、
そこから放出される酸素の影響に工９塗布Ｐａ４′のエ
ツチング速度の方が速くなり、その結果絶縁膜の平坦化
は達成できず、図ｆのように段差のある絶縁膜３“にな
ってしまう欠点があった。また、ウェハ面内の配線ピッ
チの違いにより塗布膜の被覆状態が異なるため、ウェハ
のどの部分でも塗布膜が残らないようにするため必要以
上にエツチングしなければならない欠点もあった。塗布
膜の有機高分子が残った場合には、この上にさらに配線
となる金属ケ形成した時形成時の熱で高分子が分解し、
その時放出されるガスで金属が割れる。汚染の原因とな
るなどの問題ケ生じていた。
（問題点を解決するための手段〕
本発明は、これらの欠点を解決するために提案されたも
ので、上記塗布膜にシリコーン樹脂を用いることを特徴
としたものであり、これにより良好な平坦化絶縁膜を得
ることを目的とする０ 上記の目的を達成するため、本発明は凹凸を有する基板
上に絶縁膜を堆積する工程と、鈑絶縁膜上にシリコーン
樹脂を塗布する工程と、前記絶縁膜及び前記シリコーン
樹脂をエツチングする工程を含むことを特徴とするエツ
チングによる平坦化膜の形成方法を発明の要旨とするも
のである。
ので、上記塗布膜にシリコーン樹脂を用いることを特徴
としたものであり、これにより良好な平坦化絶縁膜を得
ることを目的とする０ 上記の目的を達成するため、本発明は凹凸を有する基板
上に絶縁膜を堆積する工程と、鈑絶縁膜上にシリコーン
樹脂を塗布する工程と、前記絶縁膜及び前記シリコーン
樹脂をエツチングする工程を含むことを特徴とするエツ
チングによる平坦化膜の形成方法を発明の要旨とするも
のである。
次に本発明の詳細な説明する。なお実施例は一つの例示
であって、本発明の精神を逸脱しない範囲で、種々の変
更あるいは改良を行いうろことは言うまでもない。
であって、本発明の精神を逸脱しない範囲で、種々の変
更あるいは改良を行いうろことは言うまでもない。
第１図は本発明の平坦化膜の形成方法を示す↓
もので、図ａは基板上に金属層２を形成した状態を示し
、図すは図ａの状態の上にシリコーン樹脂よりなる絶縁
膜３を塗布した状態を示す。
、図すは図ａの状態の上にシリコーン樹脂よりなる絶縁
膜３を塗布した状態を示す。
シリコーン樹脂は、ケイ素、酸素、炭素、水素の構成元
素から成り、有＠高分子膜同様スピン翅布可能であるた
め、ホトレジストのかゎシに段差上に塗布すれば図Ｃの
ような平坦化層が形成できる。一方、シリコーン樹脂は
骨格に５ｉ−０結合を持つため、酸素に対しては耐性含
有するがｈ ５ｉｆｔ同様ＣＦ４などのフッ素含有ガス
プラズマで容易にエツチングできる特徴を有する。
素から成り、有＠高分子膜同様スピン翅布可能であるた
め、ホトレジストのかゎシに段差上に塗布すれば図Ｃの
ような平坦化層が形成できる。一方、シリコーン樹脂は
骨格に５ｉ−０結合を持つため、酸素に対しては耐性含
有するがｈ ５ｉｆｔ同様ＣＦ４などのフッ素含有ガス
プラズマで容易にエツチングできる特徴を有する。
例えば、ＣＦ４０．０１ Ｔｏｒｒ 、 ３００ Ｗの
条件では、５ｉｆｔが２５０λ／分でエツチングできる
のに対し、シリコーン樹脂は５００＾／分の速度でエツ
チングできる。従って、フッ素含有ガスプラズマでシリ
コーン樹脂とＳｉｎ、の工うな絶縁膜のエツチング速度
が同じとなる条件を求めてエツチングすれば、エッチバ
ックできる。加えて、絶縁膜が露出して酸素が放出され
てもシリコーン樹脂は酸素に対してエツチングされにく
いため、絶縁ｖ＆露出後もエツチング速度は速くならず
、図ｄを経て図ｅのような平坦化層３′が得られること
になる。
条件では、５ｉｆｔが２５０λ／分でエツチングできる
のに対し、シリコーン樹脂は５００＾／分の速度でエツ
チングできる。従って、フッ素含有ガスプラズマでシリ
コーン樹脂とＳｉｎ、の工うな絶縁膜のエツチング速度
が同じとなる条件を求めてエツチングすれば、エッチバ
ックできる。加えて、絶縁膜が露出して酸素が放出され
てもシリコーン樹脂は酸素に対してエツチングされにく
いため、絶縁ｖ＆露出後もエツチング速度は速くならず
、図ｄを経て図ｅのような平坦化層３′が得られること
になる。
シリコーン樹脂と５ｉＯｚｋ同様にエツチングする条件
は、例えば、ＣＦ４＋Ｈｔの混合ガスを用いればよい。
は、例えば、ＣＦ４＋Ｈｔの混合ガスを用いればよい。
第２図は、 ０．０１ Ｔｏｒｒの圧力下でＣＦ、にＨ
ｔ’に混合してエツチングした時の％ ａｔ混合量とシ
リコーン樹脂ｓ ５ｉＯｚのエツチング速度を示す。
ｔ’に混合してエツチングした時の％ ａｔ混合量とシ
リコーン樹脂ｓ ５ｉＯｚのエツチング速度を示す。
Ｈ２が３５−の場合に両者が同じエツチング速度となる
ことがわかる。
ことがわかる。
第３図は、１．５μｍ幅１μｍ尚さの段差上にＣＶＤ法
に工り５ｉＯｔｔｌ’２μｍ堆積し、この上にシリコ−
ン樹脂を同様に２μｍ形成した後、ＣＦ、＋３５％Ｈ３
の混合ガスによりエッチバックし′ｆｃ時の、エッチバ
ック量と段差部囚段差間０３）の差（Ａ−Ｂ）を示して
いる。エッチバックが進み、Ｓｉｎ、が露出しても平坦
化度を示すＡ−Ｈの値は変化せず、良好な平坦化が行な
われていることがわかる。
に工り５ｉＯｔｔｌ’２μｍ堆積し、この上にシリコ−
ン樹脂を同様に２μｍ形成した後、ＣＦ、＋３５％Ｈ３
の混合ガスによりエッチバックし′ｆｃ時の、エッチバ
ック量と段差部囚段差間０３）の差（Ａ−Ｂ）を示して
いる。エッチバックが進み、Ｓｉｎ、が露出しても平坦
化度を示すＡ−Ｈの値は変化せず、良好な平坦化が行な
われていることがわかる。
また、シリコーン樹脂は、特定の酸素ガスプラズマ条件
下ではＳｉＯと同様の酸化膜にすることができる。これ
は、油性の酸素原子がシリコーン樹脂中を拡散し、膜内
の炭素、水素を酸化してしまうためである。各ガス圧力
でシリコーン樹脂全処理した後のオージェ分析結果では
、０．４ Ｔｏｒｒ以上のガスプラズマで処理した樹脂
はカーボンがなくなり内部まで酸化されることがわかっ
た。０．３ Ｔｏｒｒのガスプラズマでは１００ ｎｍ
程度まで、それ以下の圧力のガスプラズマではシリコー
ン樹脂表面の２０ｎｍの厚さまでしか酸化されない。こ
れは、低圧力になる程膜内に拡散しにくいイオンの数が
多くなり、これが酸化反応の主体になるため膜内の酸化
が生じにくくなるものと考えられる。従って、段差密度
の不均一化に工９ウェハ面内でシリコーン樹脂の膜厚が
ばらつき、エッチバック後部分的にシリコーン樹脂が残
ったとしても、０−４ Ｔｏｒｒ以上のガス圧力の酸素
ガスプラズマで処理すれば、これが酸化膜となるため、
後の熱処理工程で汚染やクラックなどの問題が生じるこ
とがなくなる０このシリコーン樹脂の酸化膜への変換は
、膜収縮を伴なうためにできるだけ薄い膜厚で行なった
方が良く、膜の割れを考慮した場合、その膜厚は０．５
μｍ以下が望ましい。
下ではＳｉＯと同様の酸化膜にすることができる。これ
は、油性の酸素原子がシリコーン樹脂中を拡散し、膜内
の炭素、水素を酸化してしまうためである。各ガス圧力
でシリコーン樹脂全処理した後のオージェ分析結果では
、０．４ Ｔｏｒｒ以上のガスプラズマで処理した樹脂
はカーボンがなくなり内部まで酸化されることがわかっ
た。０．３ Ｔｏｒｒのガスプラズマでは１００ ｎｍ
程度まで、それ以下の圧力のガスプラズマではシリコー
ン樹脂表面の２０ｎｍの厚さまでしか酸化されない。こ
れは、低圧力になる程膜内に拡散しにくいイオンの数が
多くなり、これが酸化反応の主体になるため膜内の酸化
が生じにくくなるものと考えられる。従って、段差密度
の不均一化に工９ウェハ面内でシリコーン樹脂の膜厚が
ばらつき、エッチバック後部分的にシリコーン樹脂が残
ったとしても、０−４ Ｔｏｒｒ以上のガス圧力の酸素
ガスプラズマで処理すれば、これが酸化膜となるため、
後の熱処理工程で汚染やクラックなどの問題が生じるこ
とがなくなる０このシリコーン樹脂の酸化膜への変換は
、膜収縮を伴なうためにできるだけ薄い膜厚で行なった
方が良く、膜の割れを考慮した場合、その膜厚は０．５
μｍ以下が望ましい。
以下実施例について説明する。
〔実施例１〕
シリコン基板上に１μｍ厚でなるアルミニウム配線バタ
７に形成し、この後ＳｉＨ４１Ｔｏｒｒ、 Ｏ＠Ｉ
Ｔｏｒｒ＋ ４２０℃の条件で５ｉＯｔ’ｔ：３ ｐｍ
堆積した。
７に形成し、この後ＳｉＨ４１Ｔｏｒｒ、 Ｏ＠Ｉ
Ｔｏｒｒ＋ ４２０℃の条件で５ｉＯｔ’ｔ：３ ｐｍ
堆積した。
次に、シリコーン樹脂を２μｍスピン塗布法により形成
し、ＣＦ、＋３５％Ｈ１の混合ガスプラズマによＦ）
０．０１ Ｔｏｒｒの圧力下で３μｍμｍフェッチバッ
ク。その結果、平坦化された絶縁ｍを得た。
し、ＣＦ、＋３５％Ｈ１の混合ガスプラズマによＦ）
０．０１ Ｔｏｒｒの圧力下で３μｍμｍフェッチバッ
ク。その結果、平坦化された絶縁ｍを得た。
〔実施例２〕
シリコン基板上に１μｍ厚でなるアルミニウム配線バタ
ｙｉ形成し、この後ＳｉＨ４１Ｔｏｒｒ 、 ０．１Ｔ
ｏｒｒ 、 ４２０℃の条件でＳｉＯ，ｉ２μｍ堆積し
た。次に、シリコーン樹脂を２μｍスピン塗布法により
形成し、ＣＦ４．＋ ３５ ％ Ｈｔの混合ガスプラズ
マにより０．０１ Ｔｏｒｒの圧力下で１．５μｍμｍ
フェッチバック。続いて、０．４ Ｔｏｒｒの酸素ガス
プラズマにさらし、残ったシリコーン樹脂を酸化膜に変
え、平坦化絶縁＠を得た。
ｙｉ形成し、この後ＳｉＨ４１Ｔｏｒｒ 、 ０．１Ｔ
ｏｒｒ 、 ４２０℃の条件でＳｉＯ，ｉ２μｍ堆積し
た。次に、シリコーン樹脂を２μｍスピン塗布法により
形成し、ＣＦ４．＋ ３５ ％ Ｈｔの混合ガスプラズ
マにより０．０１ Ｔｏｒｒの圧力下で１．５μｍμｍ
フェッチバック。続いて、０．４ Ｔｏｒｒの酸素ガス
プラズマにさらし、残ったシリコーン樹脂を酸化膜に変
え、平坦化絶縁＠を得た。
（発明の効果）
以上説明したように、塗布膜としてエッチバック法で従
来用いられていたホトレジスト等の有機高分子にかわり
、シリコーン樹脂ケ用いることにより、絶縁膜露出後に
塗布膜のエツチング速度が速くなる問題を解決すること
ができる。
来用いられていたホトレジスト等の有機高分子にかわり
、シリコーン樹脂ケ用いることにより、絶縁膜露出後に
塗布膜のエツチング速度が速くなる問題を解決すること
ができる。
ま友、シリコーン樹脂は酸化膜に変えられるので、エッ
チバック後ウェハ上にシリコーン樹脂が残っても心配が
なく、その結果従来のような塗布膜の膜厚バラツキを考
慮した、必要以上のエッチバックの必然性はなくなる。
チバック後ウェハ上にシリコーン樹脂が残っても心配が
なく、その結果従来のような塗布膜の膜厚バラツキを考
慮した、必要以上のエッチバックの必然性はなくなる。
必要以上にエッチバックしなくても良いと言う利点は、
堆積する絶縁膜の膜厚の減少等にもつながるため、結果
としてスループット向上を図ることもできる効果を有す
るものである。
堆積する絶縁膜の膜厚の減少等にもつながるため、結果
としてスループット向上を図ることもできる効果を有す
るものである。
第１図は本発明の工ｓ會示す図、第２図はＣＦ、 ／
Ｈ，系ガスプラズマでのシリコーン樹脂。 Ｓｉｎ、のエツチング速度を示す図であり、ホ３図はシ
リコーン樹脂を用いてエッチバックした時の平坦化度を
示す図、第４図は従来のエッチバック工程を示す。 １・・・・・・・・・・・・・・・基板２・・・・・・
・・・・・・・・・金属３．３’、ぎ′・・・・・・絶
縁膜 ４・・・・・・・・・・・・・・・塗布膜第１図 第２図 ’１０Ｈ２ｉｎ ＣＦｃ 第３図 エツリク゛Ｑ鰺にｐ（、ｐｍ） 第４図
Ｈ，系ガスプラズマでのシリコーン樹脂。 Ｓｉｎ、のエツチング速度を示す図であり、ホ３図はシ
リコーン樹脂を用いてエッチバックした時の平坦化度を
示す図、第４図は従来のエッチバック工程を示す。 １・・・・・・・・・・・・・・・基板２・・・・・・
・・・・・・・・・金属３．３’、ぎ′・・・・・・絶
縁膜 ４・・・・・・・・・・・・・・・塗布膜第１図 第２図 ’１０Ｈ２ｉｎ ＣＦｃ 第３図 エツリク゛Ｑ鰺にｐ（、ｐｍ） 第４図
Claims (4)
- （１）凹凸を有する基板上に絶縁膜を堆積する工程と、
該絶縁膜上にシリコーン樹脂を塗布する工程と、前記絶
縁膜及び前記シリコーン樹脂をエッチングする工程を含
むことを特徴とするエッチングによる平坦化膜の形成方
法。 - （２）特許請求の範囲第１項記載の平坦化膜の形成方法
において、エッチングする工程が、エッチング工程とガ
スプラズマ処理工程から成ることを特徴とするエッチン
グによる平坦化膜の形成方法。 - （３）特許請求の範囲第２項記載の平坦化膜の形成方法
において、ガスプラズマ処理工程が少なくとも酸素を含
むガスプラズマによる工程から成ることを特徴とするエ
ッチングによる平坦化膜の形成方法。 - （４）特許請求の範囲第３項記載の平坦化膜の形成方法
において、前記少なくとも酸素を含むガスプラズマは０
．４Ｔｏｒｒ以上のガス圧力で形成されるものであるこ
とを特徴とするエッチングによる平坦化膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61024022A JPH0770517B2 (ja) | 1986-02-07 | 1986-02-07 | エツチングによる平坦化膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61024022A JPH0770517B2 (ja) | 1986-02-07 | 1986-02-07 | エツチングによる平坦化膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62183531A true JPS62183531A (ja) | 1987-08-11 |
| JPH0770517B2 JPH0770517B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=12126907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61024022A Expired - Lifetime JPH0770517B2 (ja) | 1986-02-07 | 1986-02-07 | エツチングによる平坦化膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770517B2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5347774A (en) * | 1976-10-14 | 1978-04-28 | Fujitsu Ltd | Production of semiconductor device |
| JPS58102539A (ja) * | 1981-12-14 | 1983-06-18 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS59225529A (ja) * | 1983-06-06 | 1984-12-18 | Toshiba Corp | 絶縁層の平坦化方法 |
| JPS6265427A (ja) * | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Nec Corp | 平坦化方法 |
-
1986
- 1986-02-07 JP JP61024022A patent/JPH0770517B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5347774A (en) * | 1976-10-14 | 1978-04-28 | Fujitsu Ltd | Production of semiconductor device |
| JPS58102539A (ja) * | 1981-12-14 | 1983-06-18 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS59225529A (ja) * | 1983-06-06 | 1984-12-18 | Toshiba Corp | 絶縁層の平坦化方法 |
| JPS6265427A (ja) * | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Nec Corp | 平坦化方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0770517B2 (ja) | 1995-07-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3077990B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0936117A (ja) | 多層配線形成法 | |
| JPS62183531A (ja) | エツチングによる平坦化膜の形成方法 | |
| JPH02292826A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6376351A (ja) | 多層配線の形成方法 | |
| JPH0265256A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05267282A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3315907B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61260638A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61232636A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6227745B2 (ja) | ||
| JPS61144849A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02254741A (ja) | 多層配線の製法 | |
| JPH01108109A (ja) | 平坦膜およびその形成方法 | |
| JPH0677182A (ja) | 凹凸のある絶縁膜の平坦化方法 | |
| JPS6095938A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6265427A (ja) | 平坦化方法 | |
| JPH02306627A (ja) | エッチング方法 | |
| JPS6266635A (ja) | 平坦化方法 | |
| JPS62174944A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS59195846A (ja) | 層間絶縁膜の形成方法 | |
| JPS60100451A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6235523A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04116825A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63164342A (ja) | 絶縁膜形成方法 |