JPS62183126A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野］ 本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に耐熱性の樹
脂を用いて絶縁層を形成する工程の改良に関する。

〔発明の概要〕

ウェハー上に耐熱性の樹脂を用いて絶縁層を形成する半
導体装置の製造方法において、耐熱性の樹脂中の異物か
スピン・オン・グラス４！の形成を部分的に阻止する性
質を利用することにより、耐熱性の樹脂中の異物を除去
して絶縁層の特性を改善したものである。

〔従来の技術〕

従来の半導体装置の製造方法は、耐熱性の樹脂を用いて
層間絶縁膜、保護絶縁膜等の絶縁膜中に異物が混入しな
いよう、塗布直前の樹脂のフィルタリング、塗布環境の
浄化等に注意を払っている。

〔発明が解決しようとすている問題点〕しかし、従来の
製造方法では、偶発的に耐熱性の樹脂ノーに混入した異
物を除去する工程か無い為混入した異物が、スルーホー
ル形成不良、金属配線の断線、金属配線間のリーク等の
原因となり、大面積の半導体装置においては歩留り低下
の−因となっている。

本発明はこの様な問題点を解決するもので、その目的と
するところは耐熱性の樹脂層に混入した異物を除去する
工程を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の半導体装置のｍ遣方法は。

ａ）ウェハー上に耐熱性の樹脂層を形成する工程と。

ｂ）前記樹脂層上にスピン・オン・グラス層ｔ−形成す
る工程と Ｃ）前記樹脂層をエツチングする工程とｄ）前記スピン
・オン・グラス層をエツチングする工程と ｅ）前記樹脂層上に耐熱性の樹脂層を形成する工程を有
することを特徴とする。

〔実施例〕

以下１本発明について、５！施例に基づき詳細に説明す
る。

第１図は本発明の実施例を工程ｊ［Ｋ示す図である。ま
ずａ図の如く、ウェハー１上にポリイミドのプレポリマ
ーを塗布して熱処理することにより最すイミド層２から
なる耐熱性樹脂層を形成する。

ポリイミド層２は一回の塗布及び熱処理によって形成さ
れる場合と複数回の塗布及び熱処理によって形成される
場合とがある。ポリイミド層２の中には、塗布装置のフ
ィルター以降の部分で固化したポリイミド塊、搬送治具
との接触によって発生したゴミ等の異物３が混入する。

次いでｂ図の如くスピン・オン・グラスを塗布して熱処
理することによシ酸化シリコン膜４を形成する。異物３
による急激な高低の変化によって異物３上及びその周辺
は酸化シリコン膜４が形成されない＠ 次に０図の様にポリイミド層２を酸素ガスを主体とする
ガスによシプラズマエッチングもしくはイオン°エツチ
ングされる。異物３はポリイミド層２のエツチングと同
時にエツチングされるか、もしくはポリイミド層２のエ
ツチングによって除去か容易な状態となシ、除去さ゛れ
る。酸素ガスを主体としたガスによるエツチングの際、
異物の混入の無い正常なポリイミド層は酸化シリコン層
によって保護されている為、上記のポリイミド層２のエ
ツチングは異物の混入した部分を選択的にエツチングす
る。

次いでポリイミド層２の上に新たにポリイミド層５を塗
布及び熱処理によって形成することＫよシ、異物の混入
していた部分はポリイミド層で埋められ、また他の正常
な部分はポリイミドの多層膜で覆われる。図ではウェハ
ー上に直接ポリイミド層が形成されているか、ポリイミ
ド層の下に半導体素子が形成されていても良いことはい
うまでもない。

〔発明の効果〕

上述の如く本発明の製造方法によれば、耐熱樹脂層の異
物を選択的に除去し、その後除去部を補修し、他の部分
を強化できるので、半導体装置の歩留シ及び信頼性を向
上することができる。

【図面の簡単な説明】

第１１’１ＺＩ（ａ）〜（ｅ＞は本発明の半導体装置の
製造方法の一実施例の工程断面図である。 １・・・ウェハー ２・・・ポリイミド層 ３・・・異物 ４・・・酸化シリコン層 ５・・・ポリイミド層 以　　　上

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）ａ）ウェハー上に耐熱性の第１の樹脂層を形成す
   る工程と ｂ）前記第１の樹脂層上にスピン・オン・グラス層を形
   成する工程と ｃ）前記第１の樹脂層をエッチングする工程と ｄ）前記スピン・オン・グラス層をエッチングする工程
   と ｅ）前記第１の樹脂層上に耐熱性の第２の樹脂層を形成
   する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方
   法。