JPS62172648A - Ｘ線発生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は真空中でプラズマを形成し、このプラズマから
発生ずる軟Ｘ線を所望の雰囲気中に取りだすＸ線発生装
置に関するものである。

［従来の技術］ 集積回路の高密度化に伴い、微細高精度な転写技術が必
要であり、その一方法としてＸ線露光法がある。従来、
Ｘ線露光装置のＸ線源としては、アルミニウム、シリコ
ン、パラジウム等の金属に電子線を照射してＸ線を発生
させる電子線励起方式が使用されていたが、Ｘ線発生効
率が１０−４台と低く、高出力のＸ線が得られず、生産
性が低いという問題があった。この問題を解決するＸ線
源どして、電子線励起方式に比べて、Ｘ線発生効率が高
く、高出力のＸ線を得ることが期待できるプラズマ）（
線発生装置がある。プラズマＸ線発生装置には、ポリエ
チレン細管放電、プラズマフォーカス、ガス注入放電等
があるが、ポリエチレン細管放電でｊｉ、ポリエチレン
が蒸発して高密度プラズマを形成し、長波長のＸ線しか
発生しないので、Ｘ線露光には適さない。また、プラズ
マフォーカスでは、沿面放電を用いているために沿面が
汚染し、Ｘ線出力安定性が悪いという問題がある。これ
らのプラズマＸ線源に比べ、ガス注入型放電法はＸ線露
光に適した波長が得られ、Ｘ線出力安定性が良い。

第１３図に従来のガス注入形プラズマＸ線発生装置を用
いたＸ線露光装置の一例を示す。図において、ｌは真空
容器、２は真空室、３は真空ポンプ、４は上部電極で電
極部４Ａ２：電極支持部４Ｂとからなっている。電極部
４Ａにはガス通路４Ｃが設けられている。また電極支持
部４Ｂにはガス溜め５Ａ、ピストン５Ｂを僅えた高速開
閉ガスバルブ５が設けられている。ガス溜め５八と電極
部４Ａ内のガス通路４Ｇはガス通路５Ｃで連結されてい
る。ピストン５ＢＬ：Ｄ駆動装置は図示を省略しである
。６は下部電極で、上部電極の電極部４八と対向する電
極部６八、電極支持部６Ｂからな）ている。電極部６Ａ
はメツシュまたは孔を有している。支持部６Ｂは導′冠
性材ねから／、＜す、排気のための孔６Ｃを有している
。７はガス通路４Ｃから噴出されたガス塊、８はピンチ
したプラズマ、９は発生したＸ線、ｊＯは粒子群、１１
はＸ線取出し窓、１２はマスク、１３はウェハ、１４は
２個の永久磁石からなる荷電粒子除去器、１５は上部電
極４、下部電極６．真空容器了を絶縁する絶縁体である
。１６はコンデンサで下部電極６はリード線１８を介し
てコンデンサ１６に接続されている。　１７は放電スイ
ッチで、一端はコンデンサ１６に、他端は上部電極４に
接続されている。

ガス注入放電を起すには、真空室２を真空ポンプ３によ
り、１．０−　’　〜ｌ　Ｏ−ｅ′Ｔ　ｏ　ｒ　ｒ程度
まで排気し、ガスボンベ１９から、ネオンやクリプトン
等の放電ガスを高速開閉ガスバルブ５へ導入する。つぎ
に、充電電源２０ニよりコンデンサ１Ｂを充電したあと
、信号発生６’ｊ　＃　２１の信号により、高速開閉ガ
スバルブ５の電源、１２を動作させ、高速開閉ガスバル
ブ５を駆動し、高′改圧が印加される上部型ｇｌｉ４の
電極部４八と対向Ｊ’　Ｚｖ−）部電極６の′屯掻部６
Ａの間にガス塊７を！［り成十ろ。同時に信号発生装置
２１の信号は、上部電極部４Ａと下部電極部６への間に
放電用ガスが注入される時間と放電開始の時間とが一致
するように設定された遅延バルブ・２３を通って、高電
圧パルス発生装置２４に人力され、高電圧パルスで放電
スイッチ１７を動作させ、絶縁体１５で絶縁されている
上部電極４と下部電極６の間に高電圧を印加し、ガス塊
７を電離して円柱状のプラズマを生成する。さらに、円
柱状プラズマの中心軸方向（以後、プラズマ軸方向とい
う）に沿って流れる電流の作る磁場とプラズマ中のイオ
ン・電子の相互作用によりプラズマを収束させ、プラズ
マを圧縮し、高温高密度プラズマ８を生成する。この高
温高密度プラズマ８中のイオンと電子の相互作用でＸ線
９を発生させる。高温高密度プラズマ８からは、Ｘ線の
他に光等の電１１１．１波やイオン、電子などの荷電粒
子および高温ガスからなる粒′ｆ一群１０か放出され、
とくに、電極の中心１咄方向には高エネルギの粒子群ｌ
Ｏが大量に放射される。

Ｘ線源径が小さく微細バタン転にに遇するプラズマ軸方
向露光では、プラズマ軸９向に飛来ずく・大きなエネル
ギを持った粒子、光等によるＸ線取出し窓１１の損傷が
大きくなる。プラズマ軸方向露光に際して荷電粒子によ
る損傷をさけるために、従来、第１３図に示すように、
ピンチしたプラズマ８とＸ線取出し窓１１の間に、荷電
粒子除去器１４を挿入し、荷電粒子除去器の磁場により
荷電粒子を除去する方法が用いられていた。しかし、ガ
ス注入路を有する上部電極に反射された荷電粒子はほと
んどＸ線取出し窓方向に放射されるため、Ｘ線取出し窓
方向の荷電粒子が極端に増大し、荷電粒子除去器のみで
は、荷電粒子を完全に除去できない。そのため、膜厚の
厚いベリリウム等のＸ線取出し窓を用いることでＸ線取
出し窓１１の損傷を防止していた。そのため、Ｘ線取出
し効率が悪く、Ｘ線露光に要する時間が長くなって、ス
ルーブツトが低下する問題があった。

１回の露光に際し、露光むらをさけるため、通常ＩＯな
いし２０シヨツトの繰返し放電を行っている。繰返し放
電は排気、ガス注入、放電を繰返すのであるが、従来の
装置では放電の繰返し速度を速くすると、放電電極部４
Ａ、５Ａ付近のガス抜きが不充分となり、電極部４八、
６Ａ以外の部分で放電する異常放電が起り易く、Ｘ線出
力が低下するので、安定なＸ線出力を得るためには、Ｉ
Ｈｚ程度の繰返し速度で使用しなければならず、スルー
ブツトの向上が望めなかった。

またプラズマがピンチし崩壊したとぎに、上部電極に衝
突し反射されたガスがＸ線取出し窓方向に放射されるた
め、高繰返し放電時には、Ｘ線取出し窓方向のガスの排
気が不充分となり、それらのガスによりＸ線取出し窓方
向のＸ線が減衰する。たとえば、第１４図に示すように
、波長１２人のＸ線では、下部電極中心付近に厚さ１〜
２ｃ＋ｎ程度で７０Ｔｏｒｒのネオンガスが存在すると
、Ｘ線出力は１７２程度に低下する。

さらに、プラズマ軸方向には、高温、高密度のプラズマ
が放出されるため、上部電極の中心部は、消耗が激しく
なる等の問題があった。

また、他の露光装置として、荷電粒子、高温ガスなどの
粒子群の影習を避けるため、粒子群１０のプラズマ径方
向への放射が軸方向のｌ／１００〜１／１０００である
のを利用して、第１５図のようにＸ線取出し窓１１、マ
スク１２、ウェハ１３等はピンチしたプラズマ８の径方
向に設置し、Ｘ線取出し窓１１からＸ線を取出して露光
させる装置がある。なお第１５図では放電用ガス供給系
、放電のための電気系は図示を省略しである。第１６図
はＸ線マスクの設置されているＸ線源の径方向から撮影
したＸ線ピンホール写真によるＸ線源の形状である。こ
のような径方向露光では、マスク・ウニ八間隔を１０〜
２０μｍとしてプロキシミティ露光を行った場合には、
第１７図に示すようにピンチしたプラズマすなわちＸ線
源の長さｄとＸ線源距離Ｄ、ウェハ・マスク間隔Ｓで決
まる半影ぼけδ＝　ｄｓ／Ｄが大きくなるため、微細バ
タン転写は不可能であった。

［発明が解決しようとする問題点］ 本発明は、半影ぼけの少ないプラズマ軸方向取出しのＸ
線発生装置における上述した欠点、すなわち■荷電粒子
、高温ガスなどの粒子群によるＸ線取出し窓および上部
電極の損傷、■高速繰返し放電時のＸ線出力の不安定性
、■ガスによるＸ線出力の減衰、を改善し、Ｘ線取出し
窓の薄膜化、Ｘ線露光の高速化、高速繰返し露光の可能
なＸ線発生装置を提供することを目的とする。

［問題点を解決するための手段］ このような目的を達成するために、本発明のＸ線発生装
置においては、プラズマ形成のための対向する１組の電
極の一方に放電用ガス注入のためのガス通路が設けられ
ており、１組の電極のそれぞれには、一端が各電極の対
向面に開口し他端がそれぞれの電極の対向面以外の面に
開口して真空に連なる貫通孔が少なくとも１個設けられ
ている。

［作　用］ プラズマを形成させるための１組の放電電極に、一端が
両電極の対向面に開口し、他端が対向面以外の面に開口
して真空に連なる貫通孔を設けることにより、プラズマ
から発生するイオンや電子、高温ガス等によるＸ線取出
し窓の損傷を小さくでき、薄膜のＸ線取出し窓が使用で
きると同時にＸ線源距離を小さくできるため、プラズマ
から発生するＸＰＪを高効率で利用できる。また高速繰
返し露光が可能になる。

［実施例］ 以下に図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。

実施例１ 第１図に本発明のＸ線発生装置の実施例を用いたＸ線露
光装置の例を示す。図においては第１２図に示した従来
例と同一または類似の部分は同一番号を付して説明を省
略する０本実施例が従来例と最も異なるのは、上部電極
４に、一端が電極部４Ａの下部電８ｉ６の電極部６Ａと
対向する面に開口し、他端が電極支持部４Ｂの側面に開
口する貫通孔３１が設けられている点である。貫通孔３
１の全ての端部が真空室内に開口するように、上部電極
４が真空室２内に深く挿入され、下部電極支持部６Ｂの
形状も上部電極４に合わせである。上部電極４と下部電
極６との間の空間は孔６Ｃを通して真空ポンプ３により
排気される。第２図は第１図の上部電極支持部４ＢのＸ
−Ｘ線に沿った断面を示す図である。この図では貫通孔
３１は電極部４Ａの中心部から上方に延び、支持部４Ｂ
内で３方向に分岐して支持部４Ｂの側面の３個所に開口
している例を示しであるが、分岐は３方向には限られず
、また分岐を有しなくてもよい。５Ｃはガス溜め５Ａと
電極部４Ａ内のガス通路４Ｃを結ぶガス通路である。第
２図ではガス通路５Ｃ（４Ｇ）を多数の円管状通路で形
成した例を示したが、ガス通路５Ｇ（４Ｇ）は断面が円
弧状の複数通路で形成してもよく、貫通孔３１が分岐を
有しない場合は断面が円環状であってもよい。

第１図に示した実施例を動作させるには、先に述べた従
来例を動作させるのと同線イて行う。すなわち、真空室
２内を１０４〜１０−’Ｔｏｒｒ程度に排気し、電極部
４＾、６Ａ間にガスを注入してガス塊７を形成し、両電
極間に高電圧を印加して放電を起させ、プラズマ８を形
成してＸ線９を発生させる。

電極部４Ａ、ＯＡには例えば銅、銅−タングステン合金
などを使用する。１回の放電におけるＸ線の発生時間は
１μ秒またはそれ以下である。排気−ガス注入−放電−
Ｘ線発生のサイクルを繰返して露光作業を行う。

電極間でピンチしたプラズマ８からＸ線９の他に高密度
プラズマの崩壊過程で生ずるイオンや電子、高温ガス等
の粒子群１０が放出される。Ｘ線がプラズマの各点から
周囲へほぼ等友釣に放射されるのに対し、イオン、電子
、高温ガス等はプラズマ軸方向を中心に放出される。本
発明では、プラズマ軸方向のガス注入側の上部電極４に
も貫通孔３１を有しているため、ピンチしたプラズマ８
から発生する粒子群は、Ｘ線取出し窓１１方向だけでな
く、上部電極４側にも吸収される。第３図（Ａ）。

（Ｂ）はマスク１２の位置にファラデーカップを置いて
、Ｘ線取出し窓方向に放出されるイオンによる起電力を
測定した結果を示す。第３図（＾）は従来の電極を用い
た場合、同図ＣＢ）は第１図の実施例に示す貫通孔３１
を有する本発明の上部電極４を用いた場合の結果である
。明らかに貫通孔３１を有する電極の方が、粒子群の一
部であるイオンが減少していることがわかる。本発明で
は、第３図に示すように、Ｘ線取出し窓方向への粒子群
は減少し、Ｘ線取出し窓１１の損傷も少なくなる。した
がって、Ｘ線取出し窓１１の薄膜化が可能になり、Ｘ線
取出し効率がよくなるため、スルーブツトの向上に役立
つ。

先に述べたように、Ｘ線露光のための繰返し放電に際し
て、電極間に注入したガスを急速に排気する必要がある
。排気が不充分だと異常放電が起り易くなり、Ｘ線の出
力が低下する。第４図は繰返し放電の速さとＸ線出力と
の関係を調べた結果であって、曲線（ａ）は従来の電極
を用いた場合、曲線（ｂ）は貫通孔３１を有する上部電
極を用いた本発明のＸ線発生装置の場合である。従来の
Ｘ線発生装置では繰返し放電を３）ＩＺで行うと、Ｘ線
出力はＩＨｚの時の約８０％に低下する。これに対し、
本実施例の装置では、上部電極４に電極部４への下部電
極との対向面に開口を有する貫通孔３１が設けられてい
るので、ピンチしたプラズマが上部電極に衝突し反射す
ることがなく、そのまま排気されるため、電極付近のガ
スの排気が速くなり、３１１ｚ程度の高速運転でも異常
放電を起すことなくＩＨｚと同様なＸ線出力が安定に得
られる。

また本発明のＸ線発生装置では、上部電極の損傷が少な
い。第５図（Ａ）　、　（Ｂ）は１，０００シヨツト放
電後の銅製の上部電極の断面図で、同図（Ａ）が従来の
装置、（Ｂ）が本発明の実施例である。従来の装置では
電極部４Ａの中心部が溶けて、４０で示すように消耗し
ている。第５図（Ｂ）に示す本発明の実施例では、電極
中心部が開口しているので、高温、高密度プラズマが電
極に集中的に当ることがなく、電極消耗も電極表面がわ
ずかに減る程度である。

第６図に貫通孔３１の他の形態を示す。この例では貫通
孔３１の一端は電極部４Ａの電極部６Ａとの対向面に開
口し、他端は電極部４Ａの側面に開口している。図示の
ように電極部４Ａを外筒４Ｅと内筒４Ｆを組合せて形成
すると作成が容易である。

実施例２ 第７図は本発明の他の実施例を示す図である。

図において、放電用ガスの供給系、放電のための電気系
は図示を省略しである。この実施例は上部電極４の貫通
孔３１が他の排気装置に接続されたものである。ここで
、３２はターボ分子ポンプ等の真空ポンプ、３３はポン
プと上部電極の貫通孔３１を結ぶ配管系である。プラズ
マがピンチしたときにプラズマ軸方向に発生する粒子群
ｌＯは上部電極４の貫通孔３１と配管系を通り真空ポン
プ３２で排気される。したがって、Ｘ線取出し窓１１方
向の粒子群ｌＯが少なくなり、Ｘ線取出し窓の薄膜化が
可能になってＸ線取出し効率が向上する。

第８図は上部電極４の電極部４Ａの他の形態を示す断面
図である。電極部４Ａの外筒４Ｅの先端部を内側へ湾曲
させることによって、注入ガスを電極中心部に集中させ
、貫通孔３１による排気を一層効率よく行うことができ
る。

実施例３ 第９図に本発明の他の実施例を示す。この例ではガスの
注入が下部電極６側から行われる。なお第９図において
真空室外部のガス注入系、電気系は図示を省略しである
。放電用ガスは下部電極側からガス通路６εを通して注
入されるが、放電によるプラズマの形成、Ｘ線の発生は
、第１図および第７図に示した実施例と全く同様に行う
ことができる。この実施例における上部電極４の電極部
４Ａは円筒状であり、その中央部は貫通孔３１となって
いる。粒子群１０は貫通孔３１を通って真空容器の上部
へ排気されるので、Ｘ線取出し窓１１方向への放射が少
なくなる。真空容器１の貫通孔３１の直上部に当る部分
に耐熱性のブロック３４を設けて、粒子群ｌＯを横方向
に反射させると真空容器の高さを低くしても損傷を少な
くし、かつ粒子群の排気にも都合がよい。

実施例４ 第１０図は本発明の他の実施例を示す図である。

本実施例においては、Ｘ線取出し窓１１が、第１の膜１
１Ａ、第２の膜１１Ｂ、第３の膜１１Ｇからなっている
。その他の構成は第１図に示した実施例と同様である。

粒子群１０の多くは貫通孔３１を通って排気されるが、
Ｘ線取出し窓方向に放射される部分もある。

その中の荷電粒子は荷電粒子除去器１４によって除去さ
れるが、高温ガスや除去し切れなかった荷電粒子の一部
はＸ線取出し窓１１に到達する。第１のｇｌｔＡは、残
存して到達した粒子群を除去するためのもので、比較的
耐熱性が高く、かつＸ線の透過のよいベリリウム、アル
ミニウム、チタン等の金属薄膜、炭素、　５ｔ−Ｎ、　
Ｓｉ　Ｎ４　、ＳｉＣ，ＢＮ等の無機膜、ポリイミド等
の有機膜、あるいは、これらの複合膜であることが望ま
しい。第２の膜１１Ｂは真空を保持するための膜でベリ
リウム、アルミニウム、チタン等の金属薄膜、炭素、５
ｔ−Ｎ。

５１　Ｎ４　、ＳｉＣ，ＢＮ等の無機膜、ポリプロピレ
ン、マイラー、ポリイミド等の有機膜、あるいは、これ
らの複合膜であることが望ましく、またこれらの膜を金
属メツシュ、炭素メツシュ、シリコンメツシュ等で補強
したものでもよい。第３の膜１１ＣはＸ線取出し室３５
と大気とを隔る膜である。Ｘ線取出し室３５にはガス人
口３５Ａからヘリウム等のＸ線透過率の高いガスが導入
され、ガス出口３５［１から排出される。マスク、ウニ
八等は第３の膜に近接して置かれる。第１の１摸と第２
の１摸の距離は短く、第２の膜と第３の膜の間はヘリウ
ムで満されるので、３重膜構造としてもＸ線の減衰は少
ない。第３の膜はＸ線の透過率が高ければよく、ベリリ
ウム、アルミニウム、チタン等の金属薄膜、炭素、　Ｓ
ｉ−Ｎ　、　Ｓｉ　Ｎ４　、ＳｉＣ，ＢＮ等の無機膜、
ポリプロピレン、マイラー、ポリイミド等の有機膜、あ
るいは、これらの複合膜を用いることができ、また１μ
ｍ以下の薄膜を使用することができる。

このような３重膜構造のＸ線取出し窓１１は、個々の膜
を薄くすることができるので全体としてＸ線透過率を高
めることができる。さらに、第１０図に示すように、貫
通孔３１をもつ上部電極によればＸ線取出し窓方向への
粒子群の放出が少なくなるので、第１の膜をより薄くす
ることができ、取出すＸ線の強度をより高いものとする
ことができる。

実施例５ 第１１図に本発明のさらに他の実施例を示す。図には、
放電電極部およびＸ線取出し窓部のみを示しである。本
実施例の特徴は、上部電極４に貫通孔３１を設け、しか
もＸ線取出し窓１１の法線方向とプラズマ発生のための
一組の電極の中心軸とを傾け、かつＸ線取出し窓１１の
中心位置が発生されるプラズマ８の軸方向延長線からず
らして設けられていることである。貫通孔３１の効果に
ついては、これまでの実施例において説明したとおりで
ある。ピンチしたプラズマ８から発生するＸ線９がプラ
ズマの各点から周囲へほぼ等友釣に放射されるのに対し
、イオン、電子、高温ガス等の粒子群は、プラズマ軸方
向を中心に放出される。第１１図に示した構成のＸ線発
生装置では、Ｘ線９はＸ線取出し窓１１を照射するが、
貫通孔３１から排気されず、下部電極６側に放射された
粒子群１０はほとんどＸ線取出し窓１１には衝突しない
。Ｘ線取出し窓の法線と上部電極、下部電極の中心軸の
なす角度は４５°をこえると先に述べた径方向露光の欠
点、すなわち半影ぼけが大きくなるので好ましくない。

有効な傾き角の下限は露光装置の構成によって異なるが
、通常の装置構成では２＠〜３゜で充分である６貫通孔
３１の効果とあわせＸ線取出し窓の損傷を一層少なくす
ることができる。その結果、薄膜のＸ線取出し窓が使用
できると同時にＸ線源距離を短くできるため、プラズマ
から発生するＸ線を高効率で利用できる。

第１２図に示すように、上部電極４に貫通孔３１を設け
、電極の中心軸をＩＩＡ、ＩＩＢ、ＩＩｃの３重膜構造
のＸ線取出し窓１１の法線方向と傾けることも可能であ
る。第１２図に示した実施例の構成によれば、貫通孔３
１の効果、３重膜構造のＸ線取出し窓の効果、放電電極
の中心軸とＸ線取出し窓の傾きの効果が相乗されるので
、プラズマから発生するＸ線を高効率で利用でき、Ｘ線
露光のスルーブツトを向上させることができる。

なお、貫通孔を備えた放電電極と３重膜構造のＸ線取出
し窓を組合わせた場合および貫通孔を備えた放電電極の
中心軸がＸ線取出し窓の法線方向と傾けて設けられてい
る場合の貫通孔の形態は、第１Ｏ図、第１１図、第１２
図に図示した実施例における形態に限られないことは言
うまでもない。またガス注入のためのガス溜め５＾、ピ
ストン５Ｂは、放′１１を極内に設けることがガス注入
の急速化のためには好ましいが、それらを放電電極の外
部に設け、放電電極内にはガス通路のみを設けることも
可能である。

これまでＸ線露光装置を例として説明してきたが、本発
明による真空に通ずる貫通孔を設けた電極を持つＸ線発
生装置は、Ｘ線分析装置、Ｘ線顕微鏡、Ｘ線励起による
化学反応装置、Ｘ線励起を利用する膜形成装置ならびに
Ｘ線励起を利用するエツチング装置に適用してそれら装
置の小形化、反応の促進等に用いることができる。

［発明の効果］ 以上説明したように、プラズマを形成させるための１組
の放電電極に、一端が両電極の対向面に開口し、他端が
対向面以外の面に開口して真空に連なる貫通孔を設ける
ことにより、プラズマから発生するイオンや電子、高温
ガス等によるＸ線取出し窓の損傷を小さくでき、薄膜の
Ｘ線取出し窓が使用できると同時にＸ線源距離を小さく
できるため、プラズマから発生するＸ線を高効率で利用
できる利点があり、また高繰返し速度でＸ線の発生を行
うことができる。高効率Ｘ線取出しによりスルーブツト
の向上が図れると同時に、Ｘ線源径が径方向取出しに比
べ小さいため、プロキシミティ露光でサブミクロン転写
が可能である。さらに、ガス抜き構造の電極では、高密
度プラズマが集中するプラズマ軸方向に金属部がないた
め、電極消耗が非常に少ない利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係るＸ線発生装置の一実施例を適用し
たＸ線露光装置を示す構造図、第２図は第１図における
上部電極４のＸ−Ｘ線に沿う断面図、 第３図（Ａ）　、　（Ｂ）は貫通孔の効果を説明するた
めのイオンによる起電力を示す特性図、 第４図はＸ線出力比と放電繰返し数の関係を示す線図、 第５図（Ａ）　、　ＣＢ）は１，０００シヨツト放電後
の電極の状態を示す断面図、 第６図は放電電極に設けた貫通孔の他の形態を示す断面
図、 第７図は本発明に係るＸ線発生装置の他の実施例を通用
したＸ線露光装置を示す構造図、第８図は電極部の構造
の一例を示す断面図、第９図ないし第１２図は、それぞ
れ本発明に係るＸ線発生装置のさらに他の実施例を適用
したＸ線露光装置を示す構造図で、 Ｓ９図はガス注入を下部電極側から行う実施例、 第１０図は貫通孔を設けた放電電極と３重窓構造のＸ線
取出し窓を組合わせた実施例、 第１１図および第１２図は放電電極の中心軸をＸ線取出
し窓の法線方向と傾けて設けた実施例である。 第１３図は従来のＸ線発生装置を用いたＸ線露光装置の
構造図、 第１４図はＸ線がネオンガス中を透過する長さと波長１
２ＡでのＸ線透過率の関係をネオンガス圧をパラメータ
として示した図、 第１５図は従来のＸ線発生装置を用いた他のＸ線露光装
置の構造図、 第１６図は第１５図に示した従来装置のＸ線取出し方向
から見たプラズマの形状を示す図、 第１７図は第１５図に示した従来装置における半影ぼけ
を説明する図である。 １・・・真空容器、 ２・・・真空室、 ４・・・上部電極、 ４Ａ・・・電極部、 ４Ｂ・・・電極支持部、 ４Ｃ・・・ガス通路、 ５・・・高速開閉ガスバルブ、 ５Ａ・・・ガス溜、 ５Ｂ・・・ピストン、 ６・・・下部電極、 ６Ａ・・・電極部、 ６Ｂ・・・電極支持部、 ６Ｃ・・・孔、 ６Ｅ・・・ガス通路、 ７・・・ガス塊、 ８・・・プラズマ、 ９・・・Ｘ線、 １０・・・粒子群、 １１・・・Ｘ線取出し窓、 １１＾・・・第１の膜、 １１Ｂ・・・第２の膜、 １１Ｇ・・・第３の膜、 ３１・・・貫通孔、 ３２・・・排気装置。 特許出願人　　日本電信電話株式会社

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）真空中でプラズマを形成し、このプラズマからＸ
   線を発生させ、Ｘ線取出し窓から取出すＸ線発生装置に
   おいて、プラズマ形成のための対向する１組の電極の一
   方に放電用ガス注入のためのガス通路が設けられており
   、前記１組の電極のそれぞれには一端が各電極の対向面
   に開口し他端がそれぞれの電極の該対向面以外の面に開
   口して真空に連なる貫通孔が少なくとも１個設けられて
   いることを特徴とするＸ線発生装置。
2. （２）前記貫通孔の前記他端が前記対向面以外の面の複
   数個所に開口していることを特徴とする特許請求の範囲
   第１項記載のＸ線発生装置。
3. （３）前記貫通孔の前記他端が排気装置に接続されてい
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のＸ線発
   生装置。
4. （４）前記Ｘ線取出し窓の法線方向と前記一組の電極の
   中心軸とを傾け、かつ前記Ｘ線取出し窓の中心位置を形
   成されるプラズマの軸方向延長線からずらして設けたこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３項のい
   ずれかに記載のＸ線発生装置。
5. （５）前記Ｘ線取出し窓が前記真空室中に設けられた第
   １の膜と、前記真空室とＸ線取出し室とを隔てるように
   設けられた第２の膜と、前記Ｘ線取出し室と使用雰囲気
   とを隔てるように設けられた第３の膜とを有することを
   特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれ
   かに記載のＸ線発生装置。