JP2003007237A - Ｘ線発生装置 - Google Patents
Ｘ線発生装置Info
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- JP2003007237A JP2003007237A JP2001190542A JP2001190542A JP2003007237A JP 2003007237 A JP2003007237 A JP 2003007237A JP 2001190542 A JP2001190542 A JP 2001190542A JP 2001190542 A JP2001190542 A JP 2001190542A JP 2003007237 A JP2003007237 A JP 2003007237A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 厚さの薄い試料やＸ線吸収が少ない試料につ
いて、コントラストのある鮮明なＸ線画像を得ることが
できるＸ線発生装置を提供する。 【解決手段】 透過型Ｘ線管のＸ線透過窓基材５の電子
ビームが当たる局所部分を、凹部形状の薄部６ｂにし
て、その上部からターゲット金属６ａを熱ＣＶＤ法等に
よって形成する。その凹部からなるターゲット６を、円
周上に複数個形成して、Ｘ線透過窓基材５を固定するホ
ルダを、電子ビームの中心から偏心した状態にし、ター
ゲット６を回転して新しいターゲット６を使用する。電
子ビームがターゲット６に当たるとＸ線を発生し、凹部
形状の薄部６ｂは厚さが薄いので透過Ｘ線は軟Ｘ線成分
の多いＸ線となり、厚さの薄い試料やＸ線吸収が少ない
試料に照射して、コントラストのある鮮明なＸ線画像を
得ることができる。
いて、コントラストのある鮮明なＸ線画像を得ることが
できるＸ線発生装置を提供する。 【解決手段】 透過型Ｘ線管のＸ線透過窓基材５の電子
ビームが当たる局所部分を、凹部形状の薄部６ｂにし
て、その上部からターゲット金属６ａを熱ＣＶＤ法等に
よって形成する。その凹部からなるターゲット６を、円
周上に複数個形成して、Ｘ線透過窓基材５を固定するホ
ルダを、電子ビームの中心から偏心した状態にし、ター
ゲット６を回転して新しいターゲット６を使用する。電
子ビームがターゲット６に当たるとＸ線を発生し、凹部
形状の薄部６ｂは厚さが薄いので透過Ｘ線は軟Ｘ線成分
の多いＸ線となり、厚さの薄い試料やＸ線吸収が少ない
試料に照射して、コントラストのある鮮明なＸ線画像を
得ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線透過窓基材上
のターゲット金属に電子をあて、そこから発生する透過
軟Ｘ線を用いて、Ｘ線非破壊検査やＸ線分析を行なう透
過型マイクロフォーカスＸ線管によるＸ線発生装置に係
り、特に透過型Ｘ線管のＸ線透過窓基材に関する。
のターゲット金属に電子をあて、そこから発生する透過
軟Ｘ線を用いて、Ｘ線非破壊検査やＸ線分析を行なう透
過型マイクロフォーカスＸ線管によるＸ線発生装置に係
り、特に透過型Ｘ線管のＸ線透過窓基材に関する。
【０００２】
【従来の技術】微細な内部構造を非破壊検査法で観察す
る手法が各分野で要求されている。例えば半導体パッケ
ージングの開発や実装検査・品質保証のために、微小焦
点を有するＸ線管を使って内部の欠陥などが調べられて
いる。このＸ線管は開放型構造で、ターゲットに厚さが
薄いタングステンプレートを使用し、収束された電子ビ
ームをこのターゲットに打ち込み、そこで発生するＸ線
を透過した裏側から放射するものである。検査部品の微
細な構造を観察するため、焦点寸法は微小なものが使わ
れている。
る手法が各分野で要求されている。例えば半導体パッケ
ージングの開発や実装検査・品質保証のために、微小焦
点を有するＸ線管を使って内部の欠陥などが調べられて
いる。このＸ線管は開放型構造で、ターゲットに厚さが
薄いタングステンプレートを使用し、収束された電子ビ
ームをこのターゲットに打ち込み、そこで発生するＸ線
を透過した裏側から放射するものである。検査部品の微
細な構造を観察するため、焦点寸法は微小なものが使わ
れている。
【０００３】図３に、従来のＸ線発生装置の断面構造を
示す。このＸ線管はカソード部２０（下部）とアノード
部２１（中部）とターゲット部２２（上部）から構成さ
れており、各部はＯ−リングで互いに真空気密に連結さ
れており、ターボ分子ポンプとロータリーポンプ（図示
せず）による２段引きがされた真空チャンバ１１を形成
している。カソード部２０は、高圧ケーブル挿込み口１
７に高圧ケーブルが挿し込まれ、ウエネルト９の電極と
フィラメント１０に負の高電圧が印加される。アノード
部２１、ターゲット部２２及び真空チャンバ１１の外装
は接地電位に保たれている。高圧ケーブル（図示されて
いない）からフィラメント１０に電圧が印加され電流が
流れ加熱されると、熱電子が放出されアノード１９に向
かって加速され、電子ビーム１を形成する。アノード部
２１はレンズホルダ２５にアノード１９とパイプ２６を
組み込んだものである。電子ビーム１はパイプ２６の中
空部を通り、ターゲット部２２の電子レンズ８によっ
て、微小な径の電子ビーム１に収束されターゲット金属
２に突入する。ターゲット部２２はポールピース２７の
円筒内に電子レンズ８を組み込み、ポールピースＴＯＰ
２３の上部と、ターゲットホルダ１４の間にＸ線透過窓
基材３が、サンドイッチされた状態で組込まれており、
図４に示すように、アルミニウムの厚みｔ＝０．５ｍｍ
程度のＸ線透過窓基材３上の内側にターゲット金属２が
マウントされている。ターゲット金属２は、例えば、厚
さが５０μｍ程度のタングステンが使われたり、ターゲ
ット金属２をＸ線透過窓基材３に直接成膜したりしてい
る。このターゲット金属２に電子ビーム１が突入する
と、そこでＸ線４を放射し、透過した方向のＸ線４を利
用している。Ｘ線管のＸ線条件は、管電圧が５〜１６０
ｋＶ、管電流が〜０．３ｍＡ程度で、マイクロフォーカ
スにより焦点寸法は１〜２００μｍ程度のものが使われ
ている。
示す。このＸ線管はカソード部２０（下部）とアノード
部２１（中部）とターゲット部２２（上部）から構成さ
れており、各部はＯ−リングで互いに真空気密に連結さ
れており、ターボ分子ポンプとロータリーポンプ（図示
せず）による２段引きがされた真空チャンバ１１を形成
している。カソード部２０は、高圧ケーブル挿込み口１
７に高圧ケーブルが挿し込まれ、ウエネルト９の電極と
フィラメント１０に負の高電圧が印加される。アノード
部２１、ターゲット部２２及び真空チャンバ１１の外装
は接地電位に保たれている。高圧ケーブル（図示されて
いない）からフィラメント１０に電圧が印加され電流が
流れ加熱されると、熱電子が放出されアノード１９に向
かって加速され、電子ビーム１を形成する。アノード部
２１はレンズホルダ２５にアノード１９とパイプ２６を
組み込んだものである。電子ビーム１はパイプ２６の中
空部を通り、ターゲット部２２の電子レンズ８によっ
て、微小な径の電子ビーム１に収束されターゲット金属
２に突入する。ターゲット部２２はポールピース２７の
円筒内に電子レンズ８を組み込み、ポールピースＴＯＰ
２３の上部と、ターゲットホルダ１４の間にＸ線透過窓
基材３が、サンドイッチされた状態で組込まれており、
図４に示すように、アルミニウムの厚みｔ＝０．５ｍｍ
程度のＸ線透過窓基材３上の内側にターゲット金属２が
マウントされている。ターゲット金属２は、例えば、厚
さが５０μｍ程度のタングステンが使われたり、ターゲ
ット金属２をＸ線透過窓基材３に直接成膜したりしてい
る。このターゲット金属２に電子ビーム１が突入する
と、そこでＸ線４を放射し、透過した方向のＸ線４を利
用している。Ｘ線管のＸ線条件は、管電圧が５〜１６０
ｋＶ、管電流が〜０．３ｍＡ程度で、マイクロフォーカ
スにより焦点寸法は１〜２００μｍ程度のものが使われ
ている。
【０００４】マイクロフォーカスＸ線管のうち、特に焦
点寸法が微小化できるものは、開放型と呼ばれるタイプ
のものである。開放型のＸ線管は、真空チャンバ１１の
開閉機構と、真空排気ポンプを具備しており、熱陰極
（フィラメント１０）やターゲット材（ターゲット金属
２＋Ｘ線透過窓基材３）を交換できるという特徴をも
つ。このため、閉放型のマイクロフォーカスＸ線管で
は、フィラメント１０やターゲット金属２の寿命を犠牲
にして、高管電圧、高管電流の条件で焦点寸法を微細化
することが可能である。
点寸法が微小化できるものは、開放型と呼ばれるタイプ
のものである。開放型のＸ線管は、真空チャンバ１１の
開閉機構と、真空排気ポンプを具備しており、熱陰極
（フィラメント１０）やターゲット材（ターゲット金属
２＋Ｘ線透過窓基材３）を交換できるという特徴をも
つ。このため、閉放型のマイクロフォーカスＸ線管で
は、フィラメント１０やターゲット金属２の寿命を犠牲
にして、高管電圧、高管電流の条件で焦点寸法を微細化
することが可能である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のＸ線発生装置は
以上のように構成されており、ターゲット金属２に衝突
した電子の運動エネルギーの一部はＸ線に変換され、そ
の強度はＩ＝ｋ・ｉ・Ｚ・Ｖ２により与えられる。ここ
でＩはＸ線強度、ｋは定数、ｉは管電流、Ｚはターゲッ
ト元素の原子番号、Ｖは加速電圧である。ターゲット金
属２は固定式で、Ｘ線透過窓基材３に厚み一定の箔また
は薄膜が付けられており、発生するＸ線の強度は波長分
布を持ち、その分布は加速電圧Ｖとターゲット金属２の
材質と厚みなどにより決定される。厚みが厚い金属（タ
ーゲット金属２＋Ｘ線透過窓基材３）は、厚みが薄い金
属（ターゲット金属２＋Ｘ線透過窓基材３）に比べて、
光子エネルギーの低い領域におけるＸ線強度が大きく異
なる。これは光子エネルギーの低い領域のＸ線、つまり
波長が長いＸ線（軟Ｘ線）は、短い波長のＸ線（硬Ｘ
線）に比べて金属（ターゲット金属２＋Ｘ線透過窓基材
３）の内部吸収により大きく減衰するためである。した
がって、透過型Ｘ線管において発生するＸ線のスペクト
ルは、加速電圧Ｖ、ターゲット金属２とＸ線透過窓基材
３の材質、及び、ターゲット金属２とＸ線透過窓基材３
の厚みにより決定される。軟Ｘ線はＸ線吸収率が大き
く、試料の厚さが薄い場合や、樹脂材料などのＸ線吸収
が少ない試料については、コントラストがつきやすく有
利である。
以上のように構成されており、ターゲット金属２に衝突
した電子の運動エネルギーの一部はＸ線に変換され、そ
の強度はＩ＝ｋ・ｉ・Ｚ・Ｖ２により与えられる。ここ
でＩはＸ線強度、ｋは定数、ｉは管電流、Ｚはターゲッ
ト元素の原子番号、Ｖは加速電圧である。ターゲット金
属２は固定式で、Ｘ線透過窓基材３に厚み一定の箔また
は薄膜が付けられており、発生するＸ線の強度は波長分
布を持ち、その分布は加速電圧Ｖとターゲット金属２の
材質と厚みなどにより決定される。厚みが厚い金属（タ
ーゲット金属２＋Ｘ線透過窓基材３）は、厚みが薄い金
属（ターゲット金属２＋Ｘ線透過窓基材３）に比べて、
光子エネルギーの低い領域におけるＸ線強度が大きく異
なる。これは光子エネルギーの低い領域のＸ線、つまり
波長が長いＸ線（軟Ｘ線）は、短い波長のＸ線（硬Ｘ
線）に比べて金属（ターゲット金属２＋Ｘ線透過窓基材
３）の内部吸収により大きく減衰するためである。した
がって、透過型Ｘ線管において発生するＸ線のスペクト
ルは、加速電圧Ｖ、ターゲット金属２とＸ線透過窓基材
３の材質、及び、ターゲット金属２とＸ線透過窓基材３
の厚みにより決定される。軟Ｘ線はＸ線吸収率が大き
く、試料の厚さが薄い場合や、樹脂材料などのＸ線吸収
が少ない試料については、コントラストがつきやすく有
利である。
【０００６】そのため、Ｘ線透過窓基材３もＸ線透過率
の良い材料と適正な厚みが要求される。しかしながら、
Ｘ線４が透過していくＸ線透過窓基材３の厚みが、従来
のものはアルミニウム板０．５ｍｍ程度と厚いため、こ
の厚みが厚いと１〜１０ｋｅＶの軟Ｘ線が遮蔽されてし
まう。そのため、ベリリウムなどのＸ線透過性の良い材
料を用い、又は、Ｘ線透過窓基材３の厚さをできるだけ
薄くするなどの工夫がなされている。しかし、Ｘ線透過
窓基材３の材料として、アルミニウム、ベリリウム特性
以上の基材のものがなく、厚さを薄くすることも強度的
に限界がある。アルミニウムよりＸ線透過性の良い金属
材料としてベリリウムＢｅがあるが、ベリリウムは室温
では硬くて脆く、圧延、伸延等の加工が難しい。そのう
え、ベリリウムは酸素に対して親和力を有するので、加
工は水素気中、または真空中で高い温度で加工される
か、酸でエッチングするか、Ｂｅ粉末に注意を払って研
磨して製作される。ベリリウム板は高価で、その加工は
上記のように困難であるので、一般にはＸ線透過窓５と
しては薄いアルミニウム板が用いられる。しかし、従来
のＸ線透過窓基材３の０．５ｍｍ程度の厚みでは、波長
の長い軟Ｘ線成分が吸収されてしまい、波長の短い硬Ｘ
線を薄い試料に照射しても、試料透過能力が高すぎて、
十分な内部構造のコントラストを得ることが難しいとい
う問題があった。
の良い材料と適正な厚みが要求される。しかしながら、
Ｘ線４が透過していくＸ線透過窓基材３の厚みが、従来
のものはアルミニウム板０．５ｍｍ程度と厚いため、こ
の厚みが厚いと１〜１０ｋｅＶの軟Ｘ線が遮蔽されてし
まう。そのため、ベリリウムなどのＸ線透過性の良い材
料を用い、又は、Ｘ線透過窓基材３の厚さをできるだけ
薄くするなどの工夫がなされている。しかし、Ｘ線透過
窓基材３の材料として、アルミニウム、ベリリウム特性
以上の基材のものがなく、厚さを薄くすることも強度的
に限界がある。アルミニウムよりＸ線透過性の良い金属
材料としてベリリウムＢｅがあるが、ベリリウムは室温
では硬くて脆く、圧延、伸延等の加工が難しい。そのう
え、ベリリウムは酸素に対して親和力を有するので、加
工は水素気中、または真空中で高い温度で加工される
か、酸でエッチングするか、Ｂｅ粉末に注意を払って研
磨して製作される。ベリリウム板は高価で、その加工は
上記のように困難であるので、一般にはＸ線透過窓５と
しては薄いアルミニウム板が用いられる。しかし、従来
のＸ線透過窓基材３の０．５ｍｍ程度の厚みでは、波長
の長い軟Ｘ線成分が吸収されてしまい、波長の短い硬Ｘ
線を薄い試料に照射しても、試料透過能力が高すぎて、
十分な内部構造のコントラストを得ることが難しいとい
う問題があった。
【０００７】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、厚さの薄い試料やＸ線吸収が少ない試
料や微小試料について、コントラストのある鮮明なＸ線
画像を得ることができるＸ線発生装置を提供することを
目的とする。
たものであって、厚さの薄い試料やＸ線吸収が少ない試
料や微小試料について、コントラストのある鮮明なＸ線
画像を得ることができるＸ線発生装置を提供することを
目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明のＸ線発生装置は、陰極のフィラメントから
放出された電子を加速収束させて陽極側のＸ線透過窓基
材上に設けられたターゲット金属に衝突させ、透過方向
にＸ線を発生させるＸ線発生装置において、電子が前記
ターゲット金属に衝突し発生したＸ線が透過方向に通過
する前記Ｘ線透過窓基材の部分のみを局部的に凹部にし
て薄くし、そのＸ線透過窓基材の凹部に前記ターゲット
金属を蒸着したものである。
め、本発明のＸ線発生装置は、陰極のフィラメントから
放出された電子を加速収束させて陽極側のＸ線透過窓基
材上に設けられたターゲット金属に衝突させ、透過方向
にＸ線を発生させるＸ線発生装置において、電子が前記
ターゲット金属に衝突し発生したＸ線が透過方向に通過
する前記Ｘ線透過窓基材の部分のみを局部的に凹部にし
て薄くし、そのＸ線透過窓基材の凹部に前記ターゲット
金属を蒸着したものである。
【０００９】そして、本発明のＸ線発生装置は、Ｘ線透
過窓基材に円周上に複数の局部的な凹部を設けて薄く
し、そのＸ線透過窓基材の凹部に前記ターゲット金属を
蒸着し複数のターゲットを備えたものである。
過窓基材に円周上に複数の局部的な凹部を設けて薄く
し、そのＸ線透過窓基材の凹部に前記ターゲット金属を
蒸着し複数のターゲットを備えたものである。
【００１０】本発明のＸ線発生装置は上記のように構成
されており、電子がターゲット金属に衝突するＸ線透過
窓基材の部分のみを局部的に凹部にして薄くし、そのＸ
線透過窓基材の上にターゲット金属を蒸着してターゲッ
トにしている。そして、その凹部をＸ線透過窓基材に複
数個設け複数のターゲットを備えている。そのため、Ｘ
線透過窓基材の凹部は、強度上も強く、凹部の周囲への
熱伝導性も良い。そして、電子ビームをその凹部のター
ゲット金属にあて、そこで発生するＸ線が厚さの薄いＸ
線透過窓基材を透過して外部に放射するので軟Ｘ線成分
の多いＸ線分布となる。それによって厚さの薄い試料や
Ｘ線吸収が少ない試料、微小試料等に対して微小焦点に
よってコントラストのある鮮明なＸ線画像を得ることが
できる。また、凹部のターゲットをＸ線透過窓基材の円
周上に複数個設け、電子ビームの中心軸に対し偏心して
Ｘ線透過窓基材を装着した開口部を有するターゲットホ
ルダ内で、Ｘ線透過窓基材のターゲットを回転させ、電
子ビーム中心軸に新しいターゲットをセットすることが
できる。
されており、電子がターゲット金属に衝突するＸ線透過
窓基材の部分のみを局部的に凹部にして薄くし、そのＸ
線透過窓基材の上にターゲット金属を蒸着してターゲッ
トにしている。そして、その凹部をＸ線透過窓基材に複
数個設け複数のターゲットを備えている。そのため、Ｘ
線透過窓基材の凹部は、強度上も強く、凹部の周囲への
熱伝導性も良い。そして、電子ビームをその凹部のター
ゲット金属にあて、そこで発生するＸ線が厚さの薄いＸ
線透過窓基材を透過して外部に放射するので軟Ｘ線成分
の多いＸ線分布となる。それによって厚さの薄い試料や
Ｘ線吸収が少ない試料、微小試料等に対して微小焦点に
よってコントラストのある鮮明なＸ線画像を得ることが
できる。また、凹部のターゲットをＸ線透過窓基材の円
周上に複数個設け、電子ビームの中心軸に対し偏心して
Ｘ線透過窓基材を装着した開口部を有するターゲットホ
ルダ内で、Ｘ線透過窓基材のターゲットを回転させ、電
子ビーム中心軸に新しいターゲットをセットすることが
できる。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明のＸ線発生装置の一実施例
を、図１及び図２を参照しながら説明する。図１は本発
明のＸ線発生装置のＸ線透過窓基材５を示し、（ａ）は
その断面を示し、（ｂ）は正面を示す図である。また、
図２は本発明のＸ線発生装置の断面構造を示す図であ
る。本Ｘ線発生装置は、高電圧レセプタクル１８の高圧
ケーブル挿込み口１７に、高圧ケーブルが挿込まれ負の
高電圧が印加されて、電子を放出するフィラメント１０
とその電子ビーム１を集束するウエネルト９の電極を有
するカソード部２０と、その電子ビーム１を加速するた
め接地電位に設定されたアノード１９とその電子ビーム
１を通過させる中央に配置されたパイプ２６とレンズホ
ルダ２５からなるアノード部２１と、パイプ２６内の電
子ビーム１をポールピース２７内に設けられた電子レン
ズ８によって集束しポールピースＴＯＰ２３ａ上に脱着
可能に取付けられたターゲットホルダ１４ａとそのター
ゲットホルダ１４ａ内に偏心して取付けられ円周上に複
数個の凹部を備えたＸ線透過窓基材５上にターゲット金
属６ａが設けられたターゲット部２２とから構成されて
いる。
を、図１及び図２を参照しながら説明する。図１は本発
明のＸ線発生装置のＸ線透過窓基材５を示し、（ａ）は
その断面を示し、（ｂ）は正面を示す図である。また、
図２は本発明のＸ線発生装置の断面構造を示す図であ
る。本Ｘ線発生装置は、高電圧レセプタクル１８の高圧
ケーブル挿込み口１７に、高圧ケーブルが挿込まれ負の
高電圧が印加されて、電子を放出するフィラメント１０
とその電子ビーム１を集束するウエネルト９の電極を有
するカソード部２０と、その電子ビーム１を加速するた
め接地電位に設定されたアノード１９とその電子ビーム
１を通過させる中央に配置されたパイプ２６とレンズホ
ルダ２５からなるアノード部２１と、パイプ２６内の電
子ビーム１をポールピース２７内に設けられた電子レン
ズ８によって集束しポールピースＴＯＰ２３ａ上に脱着
可能に取付けられたターゲットホルダ１４ａとそのター
ゲットホルダ１４ａ内に偏心して取付けられ円周上に複
数個の凹部を備えたＸ線透過窓基材５上にターゲット金
属６ａが設けられたターゲット部２２とから構成されて
いる。
【００１２】本Ｘ線発生装置のターゲット部２２のＸ線
透過窓は、Ｘ線透過窓基材５とターゲット金属６ａとで
構成され、Ｘ線透過窓基材５には、電子がターゲット金
属６ａに衝突するＸ線透過窓基材５の部分のみを局部的
に凹部形状の薄部６ｂにして薄くし、そのＸ線透過窓基
材５の上にターゲット金属６ａを蒸着してターゲット６
にしている。そして、その凹部形状の薄部６ｂをＸ線透
過窓基材５に円周上に複数個設け複数のターゲット６を
備えている。本Ｘ線発生装置のターゲット部２２のＸ線
透過窓と従来の装置のＸ線透過窓と異なるところは、Ｘ
線透過窓基材５の厚みが、従来のものはアルミニウム板
０．５ｍｍ程度と厚いため、１〜１０ｋｅＶの軟Ｘ線が
遮蔽されてしまうが、本装置の場合は、電子がターゲッ
ト金属６ａに衝突するＸ線透過窓基材５の部分のみを局
部的に凹部形状の薄部６ｂにして薄くしているので、軟
Ｘ線成分の減弱が少ない点にある。そして、Ｘ線透過窓
基材５の凹部は、強度上も強く、凹部の周囲への熱伝導
性も良い。
透過窓は、Ｘ線透過窓基材５とターゲット金属６ａとで
構成され、Ｘ線透過窓基材５には、電子がターゲット金
属６ａに衝突するＸ線透過窓基材５の部分のみを局部的
に凹部形状の薄部６ｂにして薄くし、そのＸ線透過窓基
材５の上にターゲット金属６ａを蒸着してターゲット６
にしている。そして、その凹部形状の薄部６ｂをＸ線透
過窓基材５に円周上に複数個設け複数のターゲット６を
備えている。本Ｘ線発生装置のターゲット部２２のＸ線
透過窓と従来の装置のＸ線透過窓と異なるところは、Ｘ
線透過窓基材５の厚みが、従来のものはアルミニウム板
０．５ｍｍ程度と厚いため、１〜１０ｋｅＶの軟Ｘ線が
遮蔽されてしまうが、本装置の場合は、電子がターゲッ
ト金属６ａに衝突するＸ線透過窓基材５の部分のみを局
部的に凹部形状の薄部６ｂにして薄くしているので、軟
Ｘ線成分の減弱が少ない点にある。そして、Ｘ線透過窓
基材５の凹部は、強度上も強く、凹部の周囲への熱伝導
性も良い。
【００１３】Ｘ線透過窓基材５の複数の凹部の薄部６ｂ
は、酸などのエッチングによって形成される。まず、Ｔ
＝０．５ｍｍ程度厚さのアルミニウム円板に、図１に示
す凹部の位置を残して、それ以外の部分を耐酸性のマス
キング用膜でコーティングする。次に、薄い酸性の水溶
液、例えばフッ酸の希釈水溶液か、市販のアルミエッチ
ング液（リン酸、硝酸、酢酸、水の混合液）を準備す
る。そして上記のフッ酸の希釈水溶液中に浸す。その厚
さが０．２ｍｍ以下になるまでエッチングする。所定の
時間（厚さ決定に付いては、水溶液の酸の濃度と温度と
材質により決定されるので前もってテストにより、その
時間を決めておく）経過後にアルミニウム円板を取り出
し、水洗する。そして、マスキング用のコーティング材
を、除去液を用いて取り除く。再度水洗して乾燥する。
は、酸などのエッチングによって形成される。まず、Ｔ
＝０．５ｍｍ程度厚さのアルミニウム円板に、図１に示
す凹部の位置を残して、それ以外の部分を耐酸性のマス
キング用膜でコーティングする。次に、薄い酸性の水溶
液、例えばフッ酸の希釈水溶液か、市販のアルミエッチ
ング液（リン酸、硝酸、酢酸、水の混合液）を準備す
る。そして上記のフッ酸の希釈水溶液中に浸す。その厚
さが０．２ｍｍ以下になるまでエッチングする。所定の
時間（厚さ決定に付いては、水溶液の酸の濃度と温度と
材質により決定されるので前もってテストにより、その
時間を決めておく）経過後にアルミニウム円板を取り出
し、水洗する。そして、マスキング用のコーティング材
を、除去液を用いて取り除く。再度水洗して乾燥する。
【００１４】ターゲット金属６ａに付いては、従来のタ
ーゲット金属２は、タングステン箔をスポット溶接し、
または、タングステンを蒸着しているのに対して、本装
置のターゲット金属６ａは、タングステンまたはタング
ステンレニウム合金を、ＣＶＤ法を用いて形成している
点にある。そして、その膜厚は０．１〜１５μｍの任意
の値に製作される。これにより緻密な金属層を形成する
ことができる。ＣＶＤ法は高温において化学反応による
薄膜生成の熱ＣＶＤ法が用いられる。高温における膜生
成は、緻密で高純度物質の膜がしかもきわめて強い付着
強度で得られ、内部歪やピンホールの少ない膜となり、
密着性に優れた膜となる。熱ＣＶＤ法においては、膜に
しようとする材料の揮発性化合物（ソース）を気化し、
高温加熱した基板上になるべく均一になるように送り込
み、基板上で分解、還元、酸化、置換などの化学反応を
おこなわせ、基板上に薄膜を形成する。タングステンの
薄膜を形成するためには、揮発性化合物としてハロゲン
化物のＷＦ６又はＷ（ＣＯ）６を用い、その揮発性ガス
を気化し、ＡｒまたはＨｅなどのキャリアガスに混ぜ
て、又は、ＷＣｌ６を用い気化し、Ｈ２などのキャリア
ガスに混ぜて反応室に送り込み、気相反応によりタング
ステンの薄膜を形成する。
ーゲット金属２は、タングステン箔をスポット溶接し、
または、タングステンを蒸着しているのに対して、本装
置のターゲット金属６ａは、タングステンまたはタング
ステンレニウム合金を、ＣＶＤ法を用いて形成している
点にある。そして、その膜厚は０．１〜１５μｍの任意
の値に製作される。これにより緻密な金属層を形成する
ことができる。ＣＶＤ法は高温において化学反応による
薄膜生成の熱ＣＶＤ法が用いられる。高温における膜生
成は、緻密で高純度物質の膜がしかもきわめて強い付着
強度で得られ、内部歪やピンホールの少ない膜となり、
密着性に優れた膜となる。熱ＣＶＤ法においては、膜に
しようとする材料の揮発性化合物（ソース）を気化し、
高温加熱した基板上になるべく均一になるように送り込
み、基板上で分解、還元、酸化、置換などの化学反応を
おこなわせ、基板上に薄膜を形成する。タングステンの
薄膜を形成するためには、揮発性化合物としてハロゲン
化物のＷＦ６又はＷ（ＣＯ）６を用い、その揮発性ガス
を気化し、ＡｒまたはＨｅなどのキャリアガスに混ぜ
て、又は、ＷＣｌ６を用い気化し、Ｈ２などのキャリア
ガスに混ぜて反応室に送り込み、気相反応によりタング
ステンの薄膜を形成する。
【００１５】本発明のＸ線発生装置は図３に示す従来の
Ｘ線発生装置のカソード部２０とアノード部２１につい
ては同様な構造をしているが、ターゲット部２２のＸ線
透過窓基材３の保持機構に大きな相違がある。図２のＸ
線発生装置は、上部にＯリング２３ｂを備え、そのＯリ
ング２３ｂの中心が、Ｘ線４のビーム中心軸とΔｄだけ
偏心した位置に備えられ、上部のターゲットホルダ１４
ａによってＸ線透過窓基材５がＯリング２３ｂ上に押え
られて固定されている。電子ビームの中心軸に対して偏
心してターゲット６を装着できるターゲットホルダ１４
ａを備え、ターゲット部２２のポールピースＴＯＰ２３
ａにＸ線透過窓基材５が固定される。
Ｘ線発生装置のカソード部２０とアノード部２１につい
ては同様な構造をしているが、ターゲット部２２のＸ線
透過窓基材３の保持機構に大きな相違がある。図２のＸ
線発生装置は、上部にＯリング２３ｂを備え、そのＯリ
ング２３ｂの中心が、Ｘ線４のビーム中心軸とΔｄだけ
偏心した位置に備えられ、上部のターゲットホルダ１４
ａによってＸ線透過窓基材５がＯリング２３ｂ上に押え
られて固定されている。電子ビームの中心軸に対して偏
心してターゲット６を装着できるターゲットホルダ１４
ａを備え、ターゲット部２２のポールピースＴＯＰ２３
ａにＸ線透過窓基材５が固定される。
【００１６】Ｘ線透過窓基材５に複数の凹部のターゲッ
ト６が設けられている理由は、高速の電子ビーム１の衝
撃によりターゲット６の表面が荒れたり、スパッタされ
たりして、Ｘ線変換効率が低下し、Ｘ線４の波長分布特
性が変化したりするので、そのとき新しいターゲット６
に交換して使用するためである。その交換の方法は、組
立てなおしてＸ線透過窓基材５を動かす方法、Ｘ線透過
窓基材５を移動機構で動かせるようにする方法、偏向器
で電子ビームの当たる位置を換える方法等がある。ここ
では前者の実施例について説明する。Ｘ線透過窓基材５
に円周上に凹部のターゲット６が設けられているので、
Ｘ線透過基材５を回転してターゲット６を新しいものに
セットすることができ、その手順について説明する。ま
ず、本体の真空チャンバ１１内の真空状態を真空排気系
のリークバルブ（図示せず）を開けて、真空チャンバ１
１内を大気圧にする。次にターゲットホルダ１４ａを固
定ネジ（図示せず）を緩めてポールピースＴＯＰ２３ａ
から外す。そして、Ｘ線透過窓基材５を回転して凹部の
新しいターゲット６を電子ビーム１の軸上にセットす
る。ターゲットホルダ1４ａのＸ線透過窓基材５が嵌り
込む円筒部分は、電子ビーム１の軸からΔｄだけ偏心し
て加工されており、それに対応してＯリング２３ｂの位
置も偏心しており、Ｘ線透過窓基材５を所定の角度回転
するだけで、凹部のターゲット６が電子ビーム１の軸に
位置する。そして、ターゲットホルダ１４ａをポールピ
ースＴＯＰ２３ａに固定ネジで固定し、真空排気系によ
り真空チャンバ１１を真空排気する。
ト６が設けられている理由は、高速の電子ビーム１の衝
撃によりターゲット６の表面が荒れたり、スパッタされ
たりして、Ｘ線変換効率が低下し、Ｘ線４の波長分布特
性が変化したりするので、そのとき新しいターゲット６
に交換して使用するためである。その交換の方法は、組
立てなおしてＸ線透過窓基材５を動かす方法、Ｘ線透過
窓基材５を移動機構で動かせるようにする方法、偏向器
で電子ビームの当たる位置を換える方法等がある。ここ
では前者の実施例について説明する。Ｘ線透過窓基材５
に円周上に凹部のターゲット６が設けられているので、
Ｘ線透過基材５を回転してターゲット６を新しいものに
セットすることができ、その手順について説明する。ま
ず、本体の真空チャンバ１１内の真空状態を真空排気系
のリークバルブ（図示せず）を開けて、真空チャンバ１
１内を大気圧にする。次にターゲットホルダ１４ａを固
定ネジ（図示せず）を緩めてポールピースＴＯＰ２３ａ
から外す。そして、Ｘ線透過窓基材５を回転して凹部の
新しいターゲット６を電子ビーム１の軸上にセットす
る。ターゲットホルダ1４ａのＸ線透過窓基材５が嵌り
込む円筒部分は、電子ビーム１の軸からΔｄだけ偏心し
て加工されており、それに対応してＯリング２３ｂの位
置も偏心しており、Ｘ線透過窓基材５を所定の角度回転
するだけで、凹部のターゲット６が電子ビーム１の軸に
位置する。そして、ターゲットホルダ１４ａをポールピ
ースＴＯＰ２３ａに固定ネジで固定し、真空排気系によ
り真空チャンバ１１を真空排気する。
【００１７】なお、上記の実施例では、凹部の内側にタ
ーゲット６を形成したが、凹部の反対側の面にターゲッ
ト６を形成し、凹部を外側にし、ターゲット６を内側に
してポールピースＴＯＰ２３ａ上に取付けて使用しても
良い。
ーゲット６を形成したが、凹部の反対側の面にターゲッ
ト６を形成し、凹部を外側にし、ターゲット６を内側に
してポールピースＴＯＰ２３ａ上に取付けて使用しても
良い。
【００１８】
【発明の効果】本発明のＸ線発生装置は上記のように構
成されており、Ｘ線透過窓基材に電子がターゲット金属
に衝突する部分のみを局部的に凹部にして薄くし、その
凹部をＸ線透過窓基材の円周上に複数個設け、そのＸ線
透過窓基材の上にターゲット金属を蒸着して、複数のタ
ーゲットを備えているので、ターゲットに相当する凹部
は、強度上も強く、周囲への熱伝導性も良く、そこで発
生するＸ線は、厚さの薄いＸ線透過窓基材を透過して外
部に放射するので軟Ｘ線成分の多いＸ線分布となる。そ
れによって厚さの薄い試料やＸ線吸収が少ない試料に対
して、コントラストのある鮮明なＸ線画像を得ることが
できる。また、電子ビームの中心軸に対し偏心してＸ線
透過窓基材を装着できる開口部を有するターゲットホル
ダ内で、Ｘ線透過窓基材のＸ線出力の低下したターゲッ
トを回転させて取付け、電子ビーム中心軸に新しいター
ゲットをセットして使用することができる。
成されており、Ｘ線透過窓基材に電子がターゲット金属
に衝突する部分のみを局部的に凹部にして薄くし、その
凹部をＸ線透過窓基材の円周上に複数個設け、そのＸ線
透過窓基材の上にターゲット金属を蒸着して、複数のタ
ーゲットを備えているので、ターゲットに相当する凹部
は、強度上も強く、周囲への熱伝導性も良く、そこで発
生するＸ線は、厚さの薄いＸ線透過窓基材を透過して外
部に放射するので軟Ｘ線成分の多いＸ線分布となる。そ
れによって厚さの薄い試料やＸ線吸収が少ない試料に対
して、コントラストのある鮮明なＸ線画像を得ることが
できる。また、電子ビームの中心軸に対し偏心してＸ線
透過窓基材を装着できる開口部を有するターゲットホル
ダ内で、Ｘ線透過窓基材のＸ線出力の低下したターゲッ
トを回転させて取付け、電子ビーム中心軸に新しいター
ゲットをセットして使用することができる。
【図１】 本発明のＸ線発生装置のターゲットの一実施
例を示す図である。
例を示す図である。
【図２】 本発明のＸ線発生装置に用いられるＸ線管の
構造を示す図である。
構造を示す図である。
【図３】 従来のＸ線発生装置に用いられるＸ線管の構
造を示す図である。
造を示す図である。
【図４】 従来のＸ線発生装置に用いられているターゲ
ットを示す図である。
ットを示す図である。
１…電子ビーム
２、６ａ…ターゲット金属
３、５…Ｘ線透過窓基材
４…Ｘ線
６…ターゲット
６ｂ…薄部
８…電子レンズ
９…ウエネルト
１０…フィラメント
１１…真空チャンバ
１２…試料
１４、１４ａ…ターゲットホルダ
１５…Ｘ線検出器
１７…高圧ケーブル挿込み口
１８…高電圧レセプタクル
１９…アノード
２０…カソード部
２１…アノード部
２２…ターゲット部
２３、２３ａ…ポールピースＴＯＰ
２３ｂ…Ｏリング
２５…レンズホルダ
２６…パイプ
２７…ポールピース
Claims (2)
- 【請求項１】陰極のフィラメントから放出された電子を
加速収束させて陽極側のＸ線透過窓基材上に設けられた
ターゲット金属に衝突させ、透過方向にＸ線を発生させ
るＸ線発生装置において、電子が前記ターゲット金属に
衝突し発生したＸ線が透過方向に通過する前記Ｘ線透過
窓基材の部分のみを局部的に凹部にして薄くし、そのＸ
線透過窓基材の凹部に前記ターゲット金属を蒸着したこ
とを特徴とするＸ線発生装置。 - 【請求項２】Ｘ線透過窓基材に円周上に複数の局部的な
凹部を設けて薄くし、そのＸ線透過窓基材の凹部に前記
ターゲット金属を蒸着し複数のターゲットを備えたこと
を特徴とする請求項１記載のＸ線発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001190542A JP2003007237A (ja) | 2001-06-25 | 2001-06-25 | Ｘ線発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001190542A JP2003007237A (ja) | 2001-06-25 | 2001-06-25 | Ｘ線発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003007237A true JP2003007237A (ja) | 2003-01-10 |
Family
ID=19029295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001190542A Pending JP2003007237A (ja) | 2001-06-25 | 2001-06-25 | Ｘ線発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003007237A (ja) |
Cited By (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006523005A (ja) * | 2003-04-09 | 2006-10-05 | バリアン・メディカル・システムズ・テクノロジーズ・インコーポレイテッド | 内部放射線遮蔽部を有するｘ線管 |
| JP2006526268A (ja) * | 2003-04-25 | 2006-11-16 | ヴァリアン メディカル システムズ テクノロジーズ インコーポレイテッド | 放射強度の均等性を改善した放射線源および放射線走査システム |
| EP2030218A2 (en) * | 2006-04-20 | 2009-03-04 | Multi-Dimensional Imaging, Inc. | X-ray tube having transmission anode |
| JP2009205895A (ja) * | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Yokogawa Electric Corp | Ｘ線管 |
| KR100982770B1 (ko) * | 2008-01-14 | 2010-09-20 | 주식회사 쎄크 | 이동가능한 타겟을 갖는 타겟유닛 및 그것을 구비한엑스-레이 발생장치 |
| JP2011508402A (ja) * | 2007-12-31 | 2011-03-10 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 可動高フラックスｘ線ターゲット及び組立体 |
| WO2011084232A2 (en) * | 2009-12-17 | 2011-07-14 | Moxtek, Inc. | Multiple wavelength x-ray source |
| KR101089272B1 (ko) * | 2011-05-30 | 2011-12-02 | 테크밸리 주식회사 | 복수의 타겟을 구비한 ｘ선관 |
| US8247971B1 (en) | 2009-03-19 | 2012-08-21 | Moxtek, Inc. | Resistively heated small planar filament |
| US8472586B2 (en) | 2010-04-14 | 2013-06-25 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray source and X-ray photographing apparatus including the source |
| US8498381B2 (en) | 2010-10-07 | 2013-07-30 | Moxtek, Inc. | Polymer layer on X-ray window |
| US8526574B2 (en) | 2010-09-24 | 2013-09-03 | Moxtek, Inc. | Capacitor AC power coupling across high DC voltage differential |
| US8736138B2 (en) | 2007-09-28 | 2014-05-27 | Brigham Young University | Carbon nanotube MEMS assembly |
| US8750458B1 (en) | 2011-02-17 | 2014-06-10 | Moxtek, Inc. | Cold electron number amplifier |
| US8761344B2 (en) | 2011-12-29 | 2014-06-24 | Moxtek, Inc. | Small x-ray tube with electron beam control optics |
| US8792619B2 (en) | 2011-03-30 | 2014-07-29 | Moxtek, Inc. | X-ray tube with semiconductor coating |
| US8804910B1 (en) | 2011-01-24 | 2014-08-12 | Moxtek, Inc. | Reduced power consumption X-ray source |
| US8929515B2 (en) | 2011-02-23 | 2015-01-06 | Moxtek, Inc. | Multiple-size support for X-ray window |
| US8989354B2 (en) | 2011-05-16 | 2015-03-24 | Brigham Young University | Carbon composite support structure |
| US9072154B2 (en) | 2012-12-21 | 2015-06-30 | Moxtek, Inc. | Grid voltage generation for x-ray tube |
| US9076628B2 (en) | 2011-05-16 | 2015-07-07 | Brigham Young University | Variable radius taper x-ray window support structure |
| US9173623B2 (en) | 2013-04-19 | 2015-11-03 | Samuel Soonho Lee | X-ray tube and receiver inside mouth |
| US9174412B2 (en) | 2011-05-16 | 2015-11-03 | Brigham Young University | High strength carbon fiber composite wafers for microfabrication |
| US9177755B2 (en) | 2013-03-04 | 2015-11-03 | Moxtek, Inc. | Multi-target X-ray tube with stationary electron beam position |
| US9184020B2 (en) | 2013-03-04 | 2015-11-10 | Moxtek, Inc. | Tiltable or deflectable anode x-ray tube |
| US9305735B2 (en) | 2007-09-28 | 2016-04-05 | Brigham Young University | Reinforced polymer x-ray window |
| CN116053100A (zh) * | 2022-11-23 | 2023-05-02 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 一种可快速切换不同靶材的x射线源及其使用方法 |
-
2001
- 2001-06-25 JP JP2001190542A patent/JP2003007237A/ja active Pending
Cited By (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4644187B2 (ja) * | 2003-04-09 | 2011-03-02 | バリアン・メディカル・システムズ・インコーポレイテッド | 内部放射線遮蔽部を有するｘ線管 |
| JP2006523005A (ja) * | 2003-04-09 | 2006-10-05 | バリアン・メディカル・システムズ・テクノロジーズ・インコーポレイテッド | 内部放射線遮蔽部を有するｘ線管 |
| JP2006526268A (ja) * | 2003-04-25 | 2006-11-16 | ヴァリアン メディカル システムズ テクノロジーズ インコーポレイテッド | 放射強度の均等性を改善した放射線源および放射線走査システム |
| EP2030218A2 (en) * | 2006-04-20 | 2009-03-04 | Multi-Dimensional Imaging, Inc. | X-ray tube having transmission anode |
| US8736138B2 (en) | 2007-09-28 | 2014-05-27 | Brigham Young University | Carbon nanotube MEMS assembly |
| US9305735B2 (en) | 2007-09-28 | 2016-04-05 | Brigham Young University | Reinforced polymer x-ray window |
| US8379798B2 (en) | 2007-12-31 | 2013-02-19 | General Electric Company | Moving high flux X-ray target and assembly |
| JP2011508402A (ja) * | 2007-12-31 | 2011-03-10 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 可動高フラックスｘ線ターゲット及び組立体 |
| KR100982770B1 (ko) * | 2008-01-14 | 2010-09-20 | 주식회사 쎄크 | 이동가능한 타겟을 갖는 타겟유닛 및 그것을 구비한엑스-레이 발생장치 |
| JP2009205895A (ja) * | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Yokogawa Electric Corp | Ｘ線管 |
| US8247971B1 (en) | 2009-03-19 | 2012-08-21 | Moxtek, Inc. | Resistively heated small planar filament |
| WO2011084232A3 (en) * | 2009-12-17 | 2011-09-09 | Moxtek, Inc. | Multiple wavelength x-ray source |
| WO2011084232A2 (en) * | 2009-12-17 | 2011-07-14 | Moxtek, Inc. | Multiple wavelength x-ray source |
| US8472586B2 (en) | 2010-04-14 | 2013-06-25 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray source and X-ray photographing apparatus including the source |
| US8526574B2 (en) | 2010-09-24 | 2013-09-03 | Moxtek, Inc. | Capacitor AC power coupling across high DC voltage differential |
| US8948345B2 (en) | 2010-09-24 | 2015-02-03 | Moxtek, Inc. | X-ray tube high voltage sensing resistor |
| US8498381B2 (en) | 2010-10-07 | 2013-07-30 | Moxtek, Inc. | Polymer layer on X-ray window |
| US8964943B2 (en) | 2010-10-07 | 2015-02-24 | Moxtek, Inc. | Polymer layer on X-ray window |
| US8804910B1 (en) | 2011-01-24 | 2014-08-12 | Moxtek, Inc. | Reduced power consumption X-ray source |
| US8750458B1 (en) | 2011-02-17 | 2014-06-10 | Moxtek, Inc. | Cold electron number amplifier |
| US8929515B2 (en) | 2011-02-23 | 2015-01-06 | Moxtek, Inc. | Multiple-size support for X-ray window |
| US8792619B2 (en) | 2011-03-30 | 2014-07-29 | Moxtek, Inc. | X-ray tube with semiconductor coating |
| US8989354B2 (en) | 2011-05-16 | 2015-03-24 | Brigham Young University | Carbon composite support structure |
| US9076628B2 (en) | 2011-05-16 | 2015-07-07 | Brigham Young University | Variable radius taper x-ray window support structure |
| US9174412B2 (en) | 2011-05-16 | 2015-11-03 | Brigham Young University | High strength carbon fiber composite wafers for microfabrication |
| KR101089272B1 (ko) * | 2011-05-30 | 2011-12-02 | 테크밸리 주식회사 | 복수의 타겟을 구비한 ｘ선관 |
| US8761344B2 (en) | 2011-12-29 | 2014-06-24 | Moxtek, Inc. | Small x-ray tube with electron beam control optics |
| US9072154B2 (en) | 2012-12-21 | 2015-06-30 | Moxtek, Inc. | Grid voltage generation for x-ray tube |
| US9351387B2 (en) | 2012-12-21 | 2016-05-24 | Moxtek, Inc. | Grid voltage generation for x-ray tube |
| US9184020B2 (en) | 2013-03-04 | 2015-11-10 | Moxtek, Inc. | Tiltable or deflectable anode x-ray tube |
| US9177755B2 (en) | 2013-03-04 | 2015-11-03 | Moxtek, Inc. | Multi-target X-ray tube with stationary electron beam position |
| US9173623B2 (en) | 2013-04-19 | 2015-11-03 | Samuel Soonho Lee | X-ray tube and receiver inside mouth |
| CN116053100A (zh) * | 2022-11-23 | 2023-05-02 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 一种可快速切换不同靶材的x射线源及其使用方法 |
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