WO2024084796A1

WO2024084796A1 - 光源装置及び原料供給ユニット

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Publication number: WO2024084796A1
Application number: PCT/JP2023/030261
Authority: WO
Inventors: 晃尚長野; 大樹山谷; 芙貴佐藤; 和彦信田
Original assignee: ウシオ電機株式会社
Priority date: 2022-10-18
Filing date: 2023-08-23
Publication date: 2024-04-25
Also published as: JP2024059178A

Abstract

デブリの影響を抑制することが可能な光源装置及び原料供給ユニットを提供する。　本光源装置は、エネルギービーム（ＥＢ）の照射を利用して液体原料（２３）をプラズマ化して放射線（Ｒ）を取り出す光源装置であって、原料収容部（２４）と回転体（２２）とを具備する。前記原料収容部は前記液体原料を収容する。前記回転体は前記エネルギービームの光路上に配置され、前記原料収容部に収容された前記液体原料に一部が浸漬され、所定の回転軸（Ｏ）を中心に回転することで前記エネルギービームの入射領域に前記液体原料を供給する。また前記回転体は、回転により前記液体原料に浸漬される浸漬部分（６３）の前記回転軸の軸方向（Ｙ方向）において第１の側となる第１の浸漬面部（６３ａ）、及び前記浸漬部分の前記第１の浸漬面部とは反対側となる第２の浸漬面部（６３ｂ）のうちの少なくとも一方が、前記回転軸に対して直交する方向（Ｘ方向、Ｚ方向）の幅が前記回転軸の軸方向に沿って変化するように正面側に突出する突出面として構成される。

Description

光源装置及び原料供給ユニット

　本発明は、Ｘ線や極端紫外光等の出射に適用可能な光源装置、及び原料供給ユニットに関する。

　従来、Ｘ線は、医療用用途、工業用用途、研究用用途に用いられてきた。
　医療用分野においては、Ｘ線は、胸部Ｘ線写真撮影、歯科Ｘ線写真撮影や、ＣＴ（Computer Tomogram）といった用途に用いられる。
　工業用分野においては、Ｘ線は、構造物や溶接部などの物質内部を観察する非破壊検査、断層非破壊検査といった用途に用いられる。
　研究用分野においては、Ｘ線は、物質の結晶構造を解析するためのＸ線回折、物質の構成元素を分析するためのＸ線分光（蛍光Ｘ線分析）といった用途に用いられる。

　Ｘ線は、Ｘ線管を用いて発生させることができる。Ｘ線管は、その内部に一対の電極（陽極、陰極）を有する。陰極フィラメントに電流を流して加熱しておき、陽極と陰極間に高電圧を印加すると、フィラメントから発生するマイナスの熱電子が陽極表面にあるターゲットに高速で衝突し、当該ターゲットからＸ線が発生する。
　またＸ線管において、陽極側のターゲットを液体金属ジェットとし、このターゲットに電子ビームを照射することにより、高輝度のＸ線を取り出す技術も知られている。

　Ｘ線のうち比較的波長の長い軟Ｘ線領域にある波長１３．５ｎｍの極端紫外光（以下、「ＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）光」ともいう）は、近年露光光として使用されている。
　ここで、微細パターンが構成されているＥＵＶリソグラフィ用のマスクの基材は、積層構造として、低熱膨張性ガラスから成る基板の上に、ＥＵＶ光を反射させるための多層膜（例えば、モリブデンとシリコン）が設けられてなる反射ミラーである。
　そして、多層膜上に波長１３．５ｎｍの放射線を吸収する材料をパターニングすることで、ＥＵＶマスクが構成される。

　ＥＵＶマスクにおける許容できない欠陥の大きさは、従来のＡｒＦマスクの場合に比べると大幅に小さくなっており検出することが困難となっている。
　そこで、ＥＵＶマスクの検査として、通常はアクティニック検査（Actinic inspection）と呼ばれる、リソグラフィの作業波長と一致する波長の放射線を用いた検査が行われる。例えば、波長１３．５ｎｍの放射線を用いて検査を行うと、ｌ０ｎｍよりも良好な分解能で欠陥を検出することが可能となる。

　一般にＥＵＶ光源装置としては、ＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）光源装置、ＬＤＰ（Laser Assisted Discharge Produced Plasma）光源装置、及びＬＰＰ（Laser Produced Plasma）光源装置が挙げられる。
　ＤＰＰ方式のＥＵＶ光源装置は、ＥＵＶ放射種（気相のプラズマ原料）を含む放電ガスが供給された電極間に高電圧を印加して、放電により高密度高温プラズマを生成し、そこから放射される極端紫外光を利用するものである。

　ＬＤＰ光源装置は、ＤＰＰ光源装置が改良されたものであり、例えば、放電を発生させる電極（放電電極）表面にＥＵＶ放射種を含む液体状の高温プラズマ原料（例えば、Ｓｎ（スズ）やＬｉ（リチウム）等）を供給し、当該原料に対してレーザビーム等のエネルギービーム（例えば、電子ビームやレーザビーム等）を照射して当該原料を気化し、その後、放電によって高温プラズマを生成するものである。

　ＬＰＰ光源装置は、ＥＵＶ放射用ターゲット材料である微小な液滴状に噴出されたスズ（Ｓｎ）、または、リチウム（Ｌｉ）等のドロップレットに対して、レーザ光を集光することにより当該ターゲット材料を励起してプラズマを発生させるものである。

　このように、軟Ｘ線領域にあるＥＵＶ光を発生させるＥＵＶ光源装置として、ＤＰＰ方式（ＬＤＰ方式）や、ＬＰＰ方式の光源装置を使用することが可能である。
　一方で、ＥＵＶ光源装置において、ＤＰＰ方式（ＬＤＰ方式）のものは、最終的には電極間の放電によってプラズマを生成しているので、ＥＵＶ原料に起因するデブリが発生しやすい。
　ＬＰＰ方式のものは、ＥＵＶ原料である微細なスズのドロップレットをターゲットとし、それに励起用レーザ光を集光させるため、光源の構造が複雑である。また、スズのドロップレットを安定して落下・供給することが難しく、ＥＵＶ光を安定して生成することが困難である。

　特許文献１には、放射線（Ｘ線、ＥＵＶ）発生用のターゲット原料が供給された回転体において、当該回転体におけるターゲット原料供給領域にエネルギービーム（レーザビーム）を照射して放射線を得る方法が提案されている。この方法によれば、比較的簡易な構成で、高輝度の放射線を得ることが可能となる。
　特許文献１に記載の方法をＥＵＶ光源装置に適用した場合、所謂ＬＰＰ方式に相当するが、液体状のＥＵＶ原料をドロップレットとして供給する必要がない。そのため、ＥＵＶ原料供給が容易で、かつ、確実に液体状のＥＵＶ原料にレーザビームを照射することが可能となり、比較的簡易な構成の装置でＥＵＶ放射を得ることが可能となる。

特開２０２１－１９２４号公報

　特許文献１のようなＬＰＰ方式の光源装置では、エネルギービームにより液体原料を気化させ、その気化した原料に引き続きエネルギービームを照射することで原料を加熱励起して高温プラズマが生成される。生成された高温プラズマからは、ＥＵＶ光やより波長の短いＸ線等の放射線を取り出すことが可能である。

　このようなＸ線やＥＵＶ光等を出射する光源装置において、デブリの影響を抑制することは重要である。

　以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、デブリの影響を抑制することが可能な光源装置及び原料供給ユニットを提供することにある。

　上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る光源装置は、エネルギービームの照射を利用して液体原料をプラズマ化して放射線を取り出す光源装置であって、原料収容部と、回転体とを具備する。
　前記原料収容部は、前記液体原料を収容する。
　前記回転体は、前記エネルギービームの光路上に配置され、前記原料収容部に収容された前記液体原料に一部が浸漬され、所定の回転軸を中心に回転することで前記エネルギービームの入射領域に前記液体原料を供給する。
　また、前記回転体は、回転により前記液体原料に浸漬される浸漬部分の前記回転軸の軸方向において第１の側となる第１の浸漬面部、及び前記浸漬部分の前記第１の浸漬面部とは反対側となる第２の浸漬面部のうちの少なくとも一方が、前記回転軸に対して直交する方向の幅が前記回転軸の軸方向に沿って変化するように正面側に突出する突出面として構成される。

　この光源装置では、原料収容部に収容された液体原料に一部が浸漬されるように配置された回転体が回転することで、エネルギービームの入射領域に液体原料が供給される。当該回転体の液体原料に浸漬される浸漬部分の第１の浸漬面部及び第２の浸漬面部のうちの少なくとも一方が、回転軸に対して直交する方向の幅が変化するように正面側に突出する突出面として構成される。これにより、光源装置の動作時に発生するデブリの影響を抑制することが可能となる。

　前記突出面は、前記回転軸の軸方向に沿って正面から見た場合に、周縁部から前記回転軸に向かって連続的に延在するように構成されてもよい。

　前記回転体は、前記回転軸の軸方向において、前記第１の側の第１の面と、前記第１の面の反対側の第２の面とを有してもよい。この場合、前記第１の浸漬面部は、前記第１の面のうち前記回転体の回転により前記液体原料に浸漬される部分であってもよい。また前記第２の浸漬面部は、前記第２の面のうち前記回転体の回転により前記液体原料に浸漬される部分であってもよい。

　前記第１の面及び前記第２の面のうちの少なくとも一方は、前記回転軸を中心として正面側に突出する曲面形状を有してもよい。

　前記回転軸を中心として正面側に突出する曲面形状は、球冠形状、円錐面形状、放物面形状、又は楕円面形状であってもよい。

　前記第１の面及び前記第２の面のうちの一方は、前記回転軸を中心として正面側に突出する曲面形状を有してもよい。この場合、前記第１の面及び前記第２の面のうちの他方は、前記回転軸に直交する平面形状、又は前記回転軸を中心として窪む曲面形状を有してもよい。

　前記光源装置は、さらに、前記回転体の周縁部を覆うように配置されるカバー部を具備してもよい。

　前記カバー部は、前記第１の浸漬面部と前記第２の浸漬面部との間のエッジ部分を覆うように配置されてもよい。

　前記第１の浸漬面部は、前記突出面として構成され、前記エネルギービームの入射領域が設定されてもよい。この場合、前記回転軸の軸方向において前記回転体の前記第１の浸漬面部側を前方側、前記回転体の前記第２の浸漬面部側を後方側とすると、前記カバー部の前方側の先端部は、前記第１の浸漬面部の前記エネルギービームの入射領域よりも後方側に配置されてもよい。

　前記第１の浸漬面部及び前記第２の浸漬面部のうちの一方は、前記突出面として構成されてもよい。この場合、前記第１の浸漬面部及び前記第２の浸漬面部のうちの他方は、前記突出面ではない非突出面として構成されてもよい。また前記カバー部は、前記回転体の周縁部に対向する側面カバー部と、前記側面カバー部に接続され前記非突出面に対向する対向カバー部とを有してもよい。

　前記非突出面と前記対向カバー部との間隔は、１ｍｍ以下であってもよい。

　前記第１の浸漬面部は、前記回転軸に対して直交する方向の幅が前記回転軸の軸方向に沿って変化するように窪む窪み面であってもよい。この場合、前記第１の浸漬面部のうち前記原料収容部に収容された前記液体原料側に向く部分に、前記エネルギービームの入射領域が設定されてもよい。

　前記回転体は、前記第１の浸漬面部と前記第２の浸漬面部との間に構成され、前記回転軸の軸方向に延在する側面部を有してもよい。この場合、前記側面部に、前記エネルギービームの入射領域が設定されてもよい。

　前記光源装置は、ＬＰＰ（Laser Produced Plasma）方式の光源装置、又はＬＤＰ（Laser Assisted Discharge Produced Plasma）方式の光源装置として構成されてもよい。

　本発明の一形態に係る原料供給ユニットは、前記原料収容部と、前記回転体とを具備する。

　以上のように、本発明によれば、デブリの影響を抑制することが可能となる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。

本発明の一実施形態に係る光源装置の構成例を示す図である（ＬＰＰ方式）。原料供給機構の構成例を示す模式図である。原料供給ユニットの一構成例を示す模式図である。原料供給ユニットの一構成例を示す模式図である。比較例として挙げる原料供給ユニットを示す模式図である。原料供給ユニットの他の構成例を示す模式図である。原料供給ユニットの他の構成例を示す模式図である。原料供給ユニットの他の構成例を示す模式図である。原料供給ユニットの他の構成例を示す模式図である。原料供給ユニットの他の構成例を示す模式図である。原料供給ユニットの他の構成例を示す模式図である。原料供給ユニットの他の構成例を示す模式図である。原料供給ユニットの他の構成例を示す模式図である。原料供給ユニットの他の構成例を示す模式図である。本発明の一実施形態に係る光源装置の構成例を示す図である（ＬＤＰ方式）。

　以下、本発明に係る実施形態を、図面を参照しながら説明する。

　［光源装置の構成］
　図１は、本発明の一実施形態に係る光源装置の構成例を示す模式図である。
　図１は、光源装置１を設置面から所定の高さの位置で水平方向に沿って切断した場合の模式的な断面を、上方から見た場合の図である。
　図１では、光源装置１の構成及び動作を理解しやすいように、断面の構成等を説明する必要のない部分については、断面の図示を省略している。

　図１では、便宜的に、紙面の上下方向を前後方向とし、紙面の左右方向を左右方向として説明を行う。また、紙面に垂直となる方向を高さ方向として説明を行う。もちろん、本技術の適用について、光源装置１が使用される向き等が限定される訳ではない。

　光源装置１は、エネルギービームＥＢの照射を利用してプラズマ原料２３をプラズマ化して放射線Ｒを取り出すＬＰＰ方式の光源装置である。
　光源装置１は、例えば波長３０ｎｍ以下の硬Ｘ線から軟Ｘ線（ＥＵＶ光含む）までの放射線Ｒを放出することが可能である。
　従って光源装置１を、Ｘ線発生装置、又はＥＵＶ光源装置（ＥＵＶ放射発生装置）として使用することが可能である。もちろん、他の波長帯域の放射線を出射する光源装置に、本技術を適用することも可能である。

　光源装置１は、筐体２と、真空チャンバ３と、エネルギービーム入射チャンバ４と、放射線出射チャンバ５と、原料供給機構６と、制御部７とを含む。
　筐体２は、おおよその外形が立方体形状となるように構成される。
　筐体２は、前方面に形成される出射孔８と、右側面に形成される入射孔９と、後方面に形成される２つの貫通孔１０及び１１と、左側面に形成される貫通孔１２とを有する。
　筐体２の材料は限定されず、例えば金属製の筐体が用いられる。

　本実施形態では、前方面の出射孔８を通り、前後方向に延在するように、放射線Ｒの出射軸ＥＡが設定される。Ｘ線やＥＵＶ光等の放射線Ｒは、出射軸ＥＡに沿って取り出され、出射孔８から前方側に向かって放出される。
　また本実施形態では、右側面の入射孔９から、後方側に向かって左斜めに延在するように、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡが設定される。
　図１に示すように、筐体２の外部に、エネルギービームＥＢを出射するビーム源１３が設置される。ビーム源１３は、入射軸ＩＡに沿ってエネルギービームＥＢが筐体２の内部に入射するように設置される。
　エネルギービームＥＢとしては、電子ビームやレーザビームを使用することが可能である。ビーム源１３の構成としては、これらのエネルギービームＥＢを出射可能な任意の構成が採用されてよい。

　真空チャンバ３、エネルギービーム入射チャンバ（以下、単に入射チャンバと記載する）４、及び放射線出射チャンバ(以下、単に出射チャンバと記載する)５は、互いに空間的に接続される。すなわち、真空チャンバ３と入射チャンバ４とは互いに連結される。同様に、真空チャンバ３と出射チャンバ５とは互いに連結される。
　本実施形態では、チャンバ本体１４と、チャンバ本体１４の前方面から前方側に突出する外側突出部１５と、チャンバ本体１４の内周面から内部側に突出する２つの内側突出部１６及び１７とにより、真空チャンバ３と、入射チャンバ４と、出射チャンバ５とが構成される。
　チャンバ本体１４、外側突出部１５、及び２つの内側突出部１６及び１７の材料としては、例えば金属材料が用いられる。

　チャンバ本体１４は、おおよその外形が直方体形状となるように構成され、前後左右の各面が、筐体２の前後左右の各面とそれぞれ対向するように配置される。
　また、チャンバ本体１４は、前方面と右側面との間の右前角部が、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡ上に位置するように配置される。

　図１に示すように、チャンバ本体１４の前方面には、出射孔１８が形成される。出射孔１８は、放射線Ｒの出射軸ＥＡ上で、筐体２の前方面の出射孔８と並ぶ位置に形成される。
　チャンバ本体１４の出射孔１８の周縁部から、前方側に突出するように外側突出部１５が構成される。外側突出部１５は、筐体２の出射孔８に内接するように、筐体２の出射孔８よりも前方側に大きく突出するように構成される。
　また、チャンバ本体１４の内部側において、出射孔１８の周縁部から内部側に突出するように、内側突出部１６が構成される。
　外側突出部１５及び内側突出部１６に囲まれた空間が、出射チャンバ５として機能する。出射チャンバ５を構成する部材である外側突出部１５及び内側突出部１６自体を、出射チャンバと呼ぶことも可能である。
　外側突出部１５及び内側突出部１６は、チャンバ本体１４と一体的に形成されてもよいし、別個に形成されたのちにチャンバ本体１４に接続されてもよい。

　出射チャンバ５は、放射線Ｒの出射軸ＥＡを中心軸として、コーン形状となるように構成される。出射チャンバ５は、放射線Ｒの出射軸ＥＡの方向において、中央部分の断面積が大きく、前後の端部に近づくにつれて断面積が小さくなるように構成される。すなわち、出射チャンバ５は、前後の端部に近づくにつれて絞られるような形状となる。

　チャンバ本体１４の右前角部には、入射窓１９が形成される。入射窓１９は、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡ上で、筐体２の右側面の入射孔９と並ぶ位置に形成される。
　また、チャンバ本体１４の右前角部の内部側において、入射窓１９を囲む位置からエネルギービームＥＢの入射軸ＩＡの方向に沿って突出するように、内側突出部１７が構成される。
　チャンバ本体１４の内部空間のうち、内側突出部１７に囲まれた空間が、入射チャンバ４として機能する。入射チャンバ４を構成する内側突出部１７及びチャンバ本体１４の右前角部の部分自体を、入射チャンバと呼ぶことも可能である。
　内側突出部１７は、チャンバ本体１４と一体的に形成されてもよいし、別個に形成されたのちにチャンバ本体１４に接続されてもよい。

　入射チャンバ４は、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡを中心軸として、コーン形状となるように構成される。入射チャンバ４は、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡの方向において、チャンバ本体１４の内部側の端部に近づくにつれて断面積が小さくなるように構成される。すなわち、入射チャンバ４は、内部側の端部に近づくにつれて絞られるような形状となる。

　チャンバ本体１４の内部空間のうち、出射チャンバ５として機能する内側突出部１６の内部空間、及び入射チャンバ４として機能する内側突出部１７の内部空間を除く空間が、真空チャンバ３として機能する。真空チャンバ３を構成する部分自体を、真空チャンバと呼ぶことも可能である。
　図１に示すように、チャンバ本体１４は、筐体２の左側面の貫通孔１２から筐体２の外部に突出する部分を有し、その先端が排気用ポンプ２０に接続される。
　排気用ポンプ２０により真空チャンバ３内が排気され、真空チャンバ３が減圧される。
これにより、真空チャンバ３内にて生成される放射線Ｒの減衰が抑制される。
　真空チャンバ３内は、入射チャンバ４及び出射チャンバ５に対して減圧雰囲気であればよく、必ずしも真空雰囲気でなくてもよい。また、真空チャンバ３内に不活性ガスが供給されていてもよい。
　排気用ポンプ２０の具体的な構成は限定されず、真空ポンプ等の任意のポンプが用いられてよい。

　原料供給機構６は、真空チャンバ３内のプラズマ生成領域２１にてプラズマＰを生成し、放射線Ｒ（Ｘ線、ＥＵＶ光）を放出するための機構である。
　原料供給機構６は、真空チャンバ３の内部に配置される原料供給ユニット６０を含む。
原料供給ユニット６０は、原料供給用の回転体２２、及び液相のプラズマ原料（放射線原料）２３を収容するコンテナ２４を含む。
　本実施形態において、プラズマ原料２３は、本発明における液体原料の一実施形態に相当する。コンテナ２４は、液体原料を収容する原料収容部の一実施形態に相当する。

　図１に示すように、回転体２２は、エネルギービームＥＢが入射する側の第１の面２２ａと、第１の面２２ａとは反対側の第２の面２２ｂとを有する。第１の面２２ａは、エネルギービームＥＢの入射面ともいえる。また第２の面２２ｂを、回転体２２の裏面（背面）と呼ぶことも可能である。

　回転体２２の第１の面２２ａには、エネルギービームＥＢが入射する入射領域２５が設定されている。回転体２２は、入射領域２５が入射軸ＩＡと出射軸ＥＡとの交点の位置に配置されるように、真空チャンバ３内に配置される。
　回転体２２の入射領域２５にはプラズマ原料２３が供給され、入射領域２５にエネルギービームＥＢが入射することで、プラズマＰが生成される。
　真空チャンバ３内のプラズマＰが生成される領域（空間）が、プラズマ生成領域２１となる。従って、プラズマ生成領域２１は、回転体２２の入射領域２５の位置に対応した領域となる。

　制御部７は、光源装置１が有する各構成要素の動作を制御する。
　例えば、制御部７により、ビーム源１３や排気用ポンプ２０の動作が制御される。また制御部７により、後に説明する各種モータ、プラズマ原料循環装置、外部電圧源等の動作が制御される。
　制御部７は、例えばＣＰＵやメモリ（ＲＡＭ、ＲＯＭ）等のコンピュータに必要なハードウェア回路を有する。ＣＰＵがメモリに記憶されている制御プログラムをＲＡＭにロードして実行することにより、種々の処理が実行される。
　制御部７として、例えばＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等のＰＬＤ(Programmable Logic Device)、その他ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）等のデバイスが用いられてもよい。

　図１では、制御部７は機能ブロックとして模式的に図示されているが、制御部７が構成される位置等は任意に設計されてよい。
　本実施形態では、制御部７のＣＰＵが本実施形態に係るプログラムを実行することで、本実施形態に係るプラズマ生成方法及び放射線出射方法が実行される。

　以下、光源装置１を構成する各種チャンバ、及び原料供給機構６について、詳しく説明する。

　[入射チャンバ]
　入射チャンバ４は、チャンバ本体１４の右前角部において、内側突出部１７により構成される。チャンバ本体１４の右前角部には入射窓１９が配置され、ビーム源１３から出射されるエネルギービームＥＢは、入射窓１９を通って、入射軸ＩＡに沿って、入射チャンバ４の内部に入射する。
　なお、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡは、入射チャンバ４の内部に入射するエネルギービームＥＢの光軸（主軸）とも言える。

　入射窓１９は、エネルギービームＥＢを透過可能な材料からなり、入射チャンバ４の内外の圧力差に耐え得る厚さで設計される。
　エネルギービームＥＢが電子ビームの場合、例えば、チタンやアルミニウムといった金属の膜を用いることができる。
　エネルギービームＥＢがレーザビームの場合、例えば、ガラス材料（石英ガラス）を用いることができる。
　その他、エネルギービームＥＢを透過可能な任意の材料が用いられてよい。

　内側突出部１７は、回転体２２の第１の面２２ａの入射領域２５に向かって突出し、突出側の先端に入射側アパーチャ２６が形成される。入射側アパーチャ２６は、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡ上にて、入射窓１９と並ぶように配置される。
　入射側アパーチャ２６は、エネルギービームＥＢを入射チャンバ４から真空チャンバ３内に入射する。すなわち入射窓１９から入射軸ＩＡに沿って進行するエネルギービームＥＢは、入射側アパーチャ２６を通って、真空チャンバ３内に配置された回転体２２に入射する。

　入射チャンバ４の内部には、飛散したプラズマ原料２３やデブリを捕捉するための捕捉機構が配置される。図１に示す例では、補足機構として、エネルギービームＥＢを透過し、プラズマ原料２３やデブリを捕捉する板状の回転部材である回転式窓２７が配置される。回転式窓２７は、例えば、円盤状に構成される。
　回転式窓２７中心部には、図示を省略したモータの回転軸が取り付けられている。モータが回転軸を回転させることにより、回転式窓２７は回転する。モータは、制御部７によって駆動制御される。

　モータは、筐体２の外部に形成され、筐体２及びチャンバ本体１４に形成された図示しない貫通孔を通って回転軸が回転式窓２７に接続される。チャンバ本体１４に回転軸を導入する際にはメカニカルシールが用いられ、入射チャンバ４内の雰囲気（後述するガス雰囲気）を維持しつつ、回転式窓２７の回転が許容される。
　また、回転式窓２７を回転させる回転軸は、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡとはオフセットされた位置に配置される。これにより、エネルギービームＥＢは、回転式窓２７の回転軸に干渉されず、回転式窓２７のビーム透過領域を通って進行することが可能となる。
　回転式窓２７を回転させることで、回転式窓２７のビーム透過領域の実質的な面積を増大させることが可能となり、回転式窓２７の長寿命化を図ることが可能となり、回転式窓２７の交換頻度を低減することが可能となる。

　図１に示すように、チャンバ本体１４には、入射チャンバ４に連結するように、ガス注入路２８が設置される。ガス注入路２８を介して、図示を省略したガス供給装置から、入射チャンバ４内にガスが供給される。
　供給されるガスは、エネルギービームＥＢに対して透過率の高いガスであり、例えばアルゴン（Ａｒ）やヘリウム（Ｈｅ）といった希ガス等が採用される。
　ガスは、入射チャンバ４の内部の圧力を増加させるために供給される。すなわちガス注入路２８から入射チャンバ４内にガスが供給されることにより、入射チャンバ４の内部圧力を、真空チャンバ３の内部圧力よりも十分に高い圧力に維持することが可能となる。

　内側突出部１７は、突出側（入射側アパーチャ２６が形成されている側）に進むにつれて断面積が小さくなるコーン形状からなる。そして、その先端部には入射側アパーチャ２６が設けられている。これにより、ガスを供給して入射チャンバ４の内部圧力を増加させることに有利な構成となっている。
　また内側突出部１７がコーン形状に構成されることで、チャンバ本体１４内において内側突出部１７が占める空間を小さくすることが可能となり、他の部材の配置設計等の自由度を向上させることが可能となる。この結果、装置の小型化を図ることが可能となる。

　[出射チャンバ]
　出射チャンバ５は、出射軸Ｒを中心軸とするコーン形状からなり、前方側の端部（外側突出部１５の前方側の端部）にマスク検査装置等の利用装置が接続される。図１に示す例では、利用装置の一部をなすチャンバとして、アプリケーションチャンバ３０が接続される。
　アプリケーションチャンバ３０内の圧力は大気圧であってもよい。また、アプリケーションチャンバ３０の内部は、必要に応じてガス注入路３１よりガス（例えば、不活性ガス）を導入してパージしてもよい。またアプリケーションチャンバ３０の内部のガスは図示を省略した排気手段により排気されていてもよい。

　図１に示すように、外側突出部１５には、出射チャンバ５に連結するように、ガス注入路３２が設置される。ガス注入路３２を介して、図示を省略したガス供給装置から、出射チャンバ５内にガスが供給される。供給されるガスは、放射線Ｒに対して透過率の高いガスであり、例えばアルゴンやヘリウムといった希ガス等が採用される。
　アルゴンやヘリウムは、エネルギービームＥＢ及び放射線Ｒの両方に対して透過率の高いガスとして用いることが可能である。従って、入射チャンバ４及び出射チャンバ５の両方に同じガスが供給されてもよい。

　この場合、ガス供給装置を共通して用いることが可能となるので、装置の簡素化を図ることが可能である。もちろん入射チャンバ４に供給されるガスと、出射チャンバ５に供給されるガスとして、互いに異なるガスが用いられてもよい。
　ガスは、出射チャンバ５の内部の圧力を増加させるために供給される。すなわち、ガス注入路３２から出射チャンバ５内にガスが供給されることにより、出射チャンバ５の内部圧力を、真空チャンバ３の内部圧力よりも十分に高い圧力に維持することが可能となる。

　出射チャンバ５の内部には、出射チャンバ５の内に入射した放射線Ｒを利用装置内（アプリケーションチャンバ３０内）に導光して集光するためのコレクタ（集光鏡）３３が配置されている。図１では、出射チャンバ５に入射し集光される放射線Ｒの成分がハッチングにて図示されている。
　コレクタ３３の外表面は、冷却と位置合わせの目的で出射チャンバ５の内面（外側突出部１５の内面）に接触している。
　コレクタ３３としては、例えば、単一シェルの斜入射反射鏡が用いられる。コレクタ３３本体は、金属部材（例えばアルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、ステンレス）で構成される。

　コレクタ３３の内側の反射面の反射コーティングは任意であるが、放射線Ｒを反射する反射コーティング材料としては、例えばルテニウム（Ｒｕ）が好適である。
　なお、コレクタ３３を、本体に高価なＲｕをコーティングした構造とする代わりに、本体をガラス（二酸化ケイ素：ＳｉＯ２）とし、内側を研磨して放射線反射面を形成するように構成してもよい。
　このガラス製コレクタは、反射面の反射率はＲｕコーティングが施された金属部材製コレクタと比較すると反射率は低いものの、当該Ｒｕコーティングコレクタと比較すると材料コストが非常に低く、頻繁な交換が可能となる。

　出射チャンバ５を構成する内側突出部１６は、回転体２２の第１の面２２ａの入射領域２５に向かって突出し、突出側の先端に出射側アパーチャ３４が形成される。
　出射側アパーチャ３４は、放射線Ｒの出射軸ＥＡ上にて、チャンバ本体１４の出射孔１８、及び筐体２の出射孔８と並ぶように配置される。
　出射側アパーチャ３４は、放射線Ｒを真空チャンバ３から出射チャンバ５内に入射させる。すなわち、プラズマＰから放出される放射線Ｒの一部が、出射側アパーチャ３４を通ってコレクタ３３に入射する。コレクタ３３により放射線Ｒが導光され、アプリケーションチャンバ３０内にて集光される。
　出射側アパーチャ３４の開口面積を適宜設計することで、コレクタ３３に入射する放射線Ｒの開き角を制御することが可能となる。
　なお、放射線Ｒの出射軸ＥＡは、プラズマＰから出射チャンバ５内に取り込まれる放射線Ｒの光軸（主軸）とも言える。

　内側突出部１６は、突出側（出射側アパーチャ３４が形成されている側）に進むにつれて断面積が小さくなるコーン形状からなる。従って、内側突出部１６をコレクタコーンと呼ぶことも可能である。
　コーン形状からなる内側突出部１６の先端部には出射側アパーチャ３４が設けられているので、ガスを供給して出射チャンバ５の内部圧力を増加させることに有利な構成となっている。
　また内側突出部１６がコーン形状に構成されることで、チャンバ本体１４内において内側突出部１６が占める空間を小さくすることが可能となり、他の部材の配置設計等の自由度を向上させることが可能となる。この結果、装置の小型化を図ることが可能となる。

　図１に示すように、出射チャンバ５とアプリケーションチャンバ３０との間には、フィルタ膜３５が設けられる。
　フィルタ膜３５は、真空チャンバ３内のプラズマ生成領域２１と、アプリケーションチャンバ３０とを物理的に分離する（物理的に空間を分離する）ためのものであり、飛散するプラズマ原料２３やデブリのアプリケーションチャンバ３０への進入を防止する。
　フィルタ膜３５は、プラズマ生成領域２１で発生する放射線Ｒを透過する材料からなる。放射線ＲがＸ線の場合、フィルタ膜３５は例えば、Ｘ線に対する透過率が非常に高いベリリウム薄膜により構成される。放射線ＲがＥＵＶ光の場合は、例えば、ジルコニウム（Ｚｒ）により構成される。

　なお、出射チャンバ５内はガスが供給されるものの真空チャンバ３と空間的に接続されるので減圧雰囲気である。一方、アプリケーションチャンバ３０内は、上記したように大気圧であってもよい。
　この場合、出射チャンバ５とアプリケーションチャンバ３０との間には圧力差が生じる。よって、フィルタ膜３５の厚みは、この圧力差に耐え得る厚みとなる。すなわち、フィルタ膜３５は、真空チャンバ３と空間的に接続される出射チャンバ５内の減圧雰囲気を破壊しないように構成される。

　出射チャンバ５の内部には、遮蔽部材（中央掩蔽）３６が配置される。
　遮蔽部材３６は、放射線Ｒの出射軸ＥＡ上にて、チャンバ本体１４の出射孔１８、筐体２の出射孔８、及びフィルタ膜３５と並ぶように配置される。
　プラズマＰから放出され出射チャンバ５に入射する放射線Ｒの中には、コレクタ３３により集光されずに、出射チャンバ５内を進行する放射線成分も存在し得る。この集光されない放射性成分の少なくとも一部は広がりながら進行する。このような放射線成分は、通常、利用装置では利用されず、不要な場合が多い。
　本実施形態では、遮蔽部材３６により、コレクタ３３により集光されない放射線成分を遮光することが可能である。

　［原料供給機構］
　図２は、原料供給機構６の構成例を示す模式図である。
　原料供給機構６は、原料供給ユニット６０と、プラズマ原料循環装置４１とを含む。図１及び図２に示すように、原料供給ユニット６０は、回転体２２と、プラズマ原料２３を収容するコンテナ２４と、カバー部材３７と、モータ３８と、軸部３９とを含む。

　回転体２２は、エネルギービームＥＢの照射による回転体２２自身の損耗を抑制するために、例えばタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）等の高融点金属を用いて構成される。あるいは、比較的高融点であるステンレス等から構成される。

　回転体２２は、下方側の一部が、コンテナ２４に収容されたプラズマ原料２３に浸漬されており、浸漬されている部分にはプラズマ原料２３が付着する。

　放射線ＲとしてＸ線が出射される場合は、プラズマ原料２３としてＸ線原料が用いられる。Ｘ線原料は常温で液体状である金属であり、例えば、ガリウム（Ｇａ）や、インジウム（Ｉｎ）及びスズ（Ｓｎ）の共晶合金であるガリンスタン（登録商標）などのガリウム合金を用いることができる。
　また、例えば水による吸収が少なく、水溶液中の生体試料の観察に適している波長２～４ｎｍ領域（water window）の放射線を放出するための原料として、ビスマス（Ｂｉ：融点２７１．５℃）を用いることができる。

　放射線ＲとしてＥＵＶ光が出射される場合は、プラズマ原料２３としてＥＵＶ原料が用いられる。ＥＵＶ光を放出するための原料としては、例えば、液体状のスズ（Ｓｎ）やリチウム（Ｌｉ）が用いられる。
　Ｓｎ、Ｌｉは常温では固体であるので、コンテナ２４には図示を省略した温調手段が設けられる。例えば、ＥＵＶ原料がＳｎの場合は、コンテナ２４はＳｎの融点以上の温度に維持される。

　回転体２２の第２の面２２ｂの中心部には、モータ３８の軸部３９が接続される。制御部７によりモータ３８の動作が制御され軸部３９を介して回転体２２が回転される。軸部３９は、一方向に延在する柱状の部材であり、その中心軸が回転体２２及びモータ３８の回転軸Ｏとなる。
　図１に示すように、軸部３９は、筐体２の貫通孔１０を通り、メカニカルシール４２を介して、真空チャンバ３内に導入される。メカニカルシール４２は、真空チャンバ３内の減圧雰囲気を維持しつつ、軸部３９の回転を許容する。

　回転体２２の下方側の一部がコンテナ２４に貯留されたプラズマ原料２３に浸漬した状態で、回転体２２が軸部３９（回転軸Ｏ）を中心に回転する。これにより、プラズマ原料２３は、回転体２２の第１の面２２ａとの濡れ性により、回転体２２の第１の面２２ａになじむようにコンテナ２４の原料貯留部分から引き上げられ、輸送される。

　回転体２２上のプラズマ原料２３は、回転体２２の回転とともにエネルギービームＥＢが入射する入射領域２５に輸送される。すなわち、回転体２２の回転方向は、回転体２２上のプラズマ原料２３が入射領域２５に輸送される方向である。そして、入射領域２５において、回転体２２上のプラズマ原料２３にエネルギービームＥＢが照射され、プラズマＰが発生される。

　コンテナ２４に収容されるプラズマ原料２３が所定量以上の状態である限り、回転体２２を連続的に回転させることにより、常にエネルギービームＥＢの入射領域２５にプラズマ原料２３を供給することが可能となる。
　すなわち、回転体２２の回転数やエネルギービームＥＢの照射間隔を適切に設定することにより、エネルギービームＥＢの照射によりプラズマＰが生成されてプラズマ原料２３が消費されたあと、次のエネルギービームＥＢが照射される前にエネルギービームＥＢの入射領域２５にプラズマ原料２３を供給することが可能となる。
　なお、エネルギービームＥＢの入射領域２５を、エネルギービームＥＢの照射位置や入射位置と呼ぶことも可能である。

　プラズマ原料循環装置４１は、放射線Ｒの発生動作によりプラズマ原料２３が消費された場合に、適宜コンテナ２４にプラズマ原料２３を補充する。また、プラズマ原料循環装置４１は、プラズマ原料２３の温度調整機構（冷却機構）としても機能する。

　図２に示すように、プラズマ原料循環装置４１は、原料流入管路４４と、原料排出管路４５と、原料貯留槽４６と、原料駆動部（ポンプ）４７と、温度調整機構４８とを含む。
　原料貯留槽４６には、プラズマ原料２３が貯留される。
　原料流入管路４４及び原料排出管路４５は、原料貯留槽４６とコンテナ２４とを連通するように、原料貯留槽４６とコンテナ２４との間に設置される。
　原料駆動部４７は、原料流入管路４４に設置される。原料駆動部４７が駆動することにより、原料貯留槽４６に貯留されたプラズマ原料２３が原料流入管路４４に流出し、原料貯留槽４６、原料流入管路４４、コンテナ２４、及び原料排出管路４５の循環系にて、プラズマ原料２３を循環させることが可能となる。
　原料駆動部４７としては、例えば電磁力により液体金属（プラズマ原料２３）を輸送することが可能な電磁ポンプが用いられる。もちろん、他の種類のポンプが用いられてもよい。

　本実施形態では、原料貯留槽４６及び原料駆動部４７は、真空チャンバ３の外部であって、さらに筐体２の外部に配置される。
　プラズマ原料循環装置４１からコンテナ２４へと延びる原料流入管路４４及び原料排出管路４５は、筐体２の貫通孔１１を通り、シール部材４９を介して真空チャンバ３内に導入され、コンテナ２４に接続される。
　シール部材４９は、真空チャンバ３内の減圧雰囲気を維持しつつ、原料流入管路４４及び原料排出管路４５を真空チャンバ３の外側から内側へ貫通するのを許容する。

　回転体２２の第１の面２２ａに塗布されたプラズマ原料２３のうち、エネルギービームＥＢが照射された部分は消費される。そのため、放射線Ｒ（Ｘ線又はＥＵＶ光）の発生動作を長期間安定して行うためには、大容量のプラズマ原料２３をコンテナ２４に貯留する必要がある。
　一方で、光源装置１の真空チャンバ３の大きさとの兼ね合いから、真空チャンバ３の内部に収容可能なコンテナ２４の大きさには制約があり、大容量のプラズマ原料２３をコンテナ２４に貯留することが困難な場合も多い。

　そこで、大容量のプラズマ原料２３を貯留可能な原料貯留槽４６を真空チャンバ３の外部に設置し、原料流入管路４４を介してコンテナ２４の原料貯留部分にプラズマ原料２３を補充可能に構成する。
　これにより、コンテナ２４の原料貯留部分のプラズマ原料２３の量は長期間一定に保たれ、結果として放射線Ｒの発生動作を長期間安定して行うことが可能となる。
　すなわち、プラズマ原料循環装置４１は、コンテナ２４の原料貯留部分のプラズマ原料２３の量が一定となるように、コンテナ２４の原料貯留部分と原料貯留槽４６との間でプラズマ原料２３を循環する。

　また、回転体２２の第１の面２２ａに塗布されたプラズマ原料２３にエネルギービームＥＢが照射されると、当該プラズマ原料２３（ターゲット）より放射線Ｒが発生すると同時に、回転体２２自体が加熱される。この加熱された回転体２２は、プラズマ原料２３が貯留されているコンテナ２４の原料貯留部分を通過する度に、コンテナ２４内のプラズマ原料２３との間で熱交換を行う。
　そのため、そのままではコンテナ２４内のプラズマ原料２３の温度は徐々に変化してしまう。プラズマ原料２３の温度変化により回転体２２を含む原料供給ユニット６０の各部に熱変形が発生すると、プラズマＰの発光点の位置がずれてしまい、放射線Ｒの出力に影響を及ぼすおそれがある。

　本実施形態に係るプラズマ原料循環装置４１は、比較的大型の原料貯留槽４６を真空チャンバ３の外部（筐体２の外部）に備える。そのため、コンテナ２４の原料貯留部分において温度変化したプラズマ原料２３が原料排出管路４５を介して原料貯留槽４６に流入したとしても、原料貯留槽４６内のプラズマ原料２３の温度はさほど変化せず、ほぼ一定に保たれる。
　そして、ほぼ一定に温度が保たれたプラズマ原料２３が、原料流入管路４４を介してコンテナ２４に流入される。このように、プラズマ原料循環装置４１によりプラズマ原料２３を循環させることで、コンテナ２４内のプラズマ原料２３の温度はほぼ一定に保たれる。従って、温度変化による回転体２２等の熱変形を抑制することが可能となり、プラズマＰの発光点の位置を安定化することが可能となる。この結果、放射線Ｒの出力を安定させることが可能となる。

　さらに、原料貯留槽４６内のプラズマ原料２３の温度が、原料貯留槽４６の内部に設けられた温度調整機構４８によって調整されてもよい。原料貯留槽４６は、真空チャンバ３の外部（筐体２の外部）に設置されているため、真空チャンバ３の大きさに左右されない大容量の温度調整機構４８を用いることができる。これにより、プラズマ原料２３の温度を短時間で確実に所定の温度に調整することが可能となる。

　このように、温度調整機構４８を有するプラズマ原料循環装置４１を用いることにより、プラズマ原料２３の温度を一定に保ったまま、コンテナ２４の原料貯留部分にプラズマ原料２３を供給することが可能となる。
　例えば、液体状態における温度が常温よりも低い液体金属が、プラズマ原料２３として用いられるとする。この場合でも、常温よりも低い温度に保ったまま、液相のプラズマ原料２３を、コンテナ２４に供給することが可能である。
　また、液体状態における温度が常温よりも高い液体金属が、プラズマ原料２３として用いられるとする。この場合でも、常温より高い温度に保ったまま、液相のプラズマ原料２３を、コンテナ２４に供給することが可能である。

　なお、コンテナ２４にプラズマ原料２３を供給するための構成や方法は限定されず、任意の構成や方法が採用されてよい。例えば、液体のプラズマ原料２３が、循環されることなく、コンテナ２４に供給されてもよい。
　その他、固体（固相）のプラズマ原料が用いられてもよい。例えば、図２に示すプラズマ原料循環装置４１の温度調整機構４８に固体のプラズマ原料が供給されてもよい。あるいは、コンテナ２４に、固体のプラズマ原料が直接的に投入されてもよい。

　また図１に示すように、本実施形態では、チャンバ本体１４の前面側にて、真空チャンバ３と空間的に接続される領域に、放射線診断部（監視装置）２９が構成される。
　放射線診断部２９は、放射線Ｒの出射軸ＥＡとは異なる方向に放射される放射線Ｒが入射する位置に構成される。
　放射線診断部２９は、放射線Ｒの物理的状態（例えば輝度、強度分布）を診断する部分であり、例えば、放射線Ｒの有無を検出する検出器や、放射線の出力を測定する測定器により構成される。

　［放射線Ｒの発生プロセス］
　［原料供給］
　回転体２２の下方側の一部がコンテナ２４に貯留されたプラズマ原料２３に浸漬した状態で、当該回転体２２が回転軸Ｏを中心に回転する。
　プラズマ原料２３は、回転体２２の第１の面２２ａとの濡れ性により、回転体２２の第１の面２２ａになじむようにコンテナ２４の原料貯留部分から引き上げられ、エネルギービームＥＢが入射する入射領域２５に供給される。

　[プラズマ生成]
　ビーム源１３から入射軸ＩＡに沿って、入射領域２５に向かってエネルギービームＥＢが出射される。エネルギービームＥＢは、入射孔９、入射窓１９、回転式窓２７、入射側アパーチャ２６を通って、プラズマ原料２３が供給された入射領域２５に入射する。
　入射領域２５へエネルギービームＥＢが入射すると、入射領域２５に存在するプラズマ原料２３がエネルギービームＥＢにより気化される。さらに気化されたプラズマ原料２３は、引き続きエネルギービームＥＢにより加熱励起され、高温プラズマＰが生成される。
プラズマ生成領域２１に生成される高温プラズマＰから、所定の波長の放射線Ｒが放出される。

　[放射線Ｒの取り出し]
　高温プラズマＰから放出される放射線Ｒは、様々な方向に向かって進行する。このうち、出射チャンバ５に入射した放射線Ｒは、出射チャンバ５を通過してマスク検査装置等の利用装置（アプリケーションチャンバ３０）に導光される。すなわち、高温プラズマＰから放出される放射線Ｒのうち、出射チャンバ５に入射した成分が、出射軸ＥＡに沿って外部へと取り出される。

　［飛散するプラズマ原料２３、及びデブリの対策］
　プラズマ原料２３の供給工程において、回転体２２が回転すると遠心力により回転体２２の第１の面２２ａに付着したプラズマ原料２３が飛散する場合があり得る。
　また、プラズマＰの生成工程において、回転体２２に塗布されているプラズマ原料２３にエネルギービームＥＢが照射されるとプラズマ原料２３の一部が気化する。その際に、プラズマ原料２３の一部（プラズマ原料２３の粒子）がデブリとして放出される。一般にプラズマ原料２３がエネルギービームＥＢによって気化する際に放出されるプラズマ原料２３からなるデブリは、エネルギービームＥＢが入射する部分の法線方向に一番多く放出される。
　また、例えばデブリとして、イオン、中性粒子、電子等が、放射線Ｒととともに放出される。また、プラズマＰの発生にともない回転体２２がスパッタリングされ、回転体２２の材料粒子が、デブリとして放出される場合もあり得る。

　本実施形態に係る光源装置１では、飛散するプラズマ原料２３及びエネルギービームＥＢの放射により発生するデブリの影響を抑制可能な技術が採用されている。以下、その点について説明する。

　飛散したプラズマ原料２３やデブリが、入射側アパーチャ２６から入射チャンバ４内に進入した場合、入射窓１９にプラズマ原料２３やデブリが付着してしまうことがあり得る。この場合、エネルギービームＥＢが例えばレーザビームである場合等において、入射窓１９に付着したプラズマ原料２３やデブリにより、レーザビームの強度が減少してしまう。この結果、プラズマＰから取り出される放射線Ｒの強度が減少してしまうおそれがある。

　本実施形態に係る光源装置１では、真空チャンバ３内が、入射チャンバ４よりも減圧された雰囲気に維持される。従って、ガス注入路２８から入射チャンバ４内に供給されるガスは、入射側アパーチャ２６から、真空チャンバ３に向かって流れる。これにより、飛散したプラズマ原料２３やデブリが、入射側アパーチャ２６から入射チャンバ４内に進入することを抑制することが可能である。

　また、入射チャンバ４を構成する内側突出部１７がコーン形状であり、その先端部には入射側アパーチャ２６が設けられている。従って、ガス注入路２８から入射チャンバ４内にガスが供給されることにより、入射チャンバ４の内部圧力を、真空チャンバ３の内部圧力よりも十分に高い圧力に維持することが可能となる。これにより、入射側アパーチャ２６から入射チャンバ４内へのプラズマ原料２３やデブリの進入は、より困難となる。
　さらに、入射側アパーチャ２６を形成すること自体が、入射チャンバ４へのプラズマ原料２３及びデブリの進入を抑制することに有利である。

　また入射チャンバ４内には、回転式窓２７が配置される。これにより、プラズマ原料２３やデブリが入射窓１９に付着することを、十分に抑制することが可能である。なお、入射チャンバ４内へのプラズマ原料２３及びデブリの進入が抑制されているので、回転式窓２７の寿命を長くすることが可能となり、回転式窓２７の交換頻度を低減させることが可能である。

　また真空チャンバ３内は、出射チャンバ５よりも減圧された雰囲気に維持される。従って、ガス注入路３２から出射チャンバ５内に供給されるガスは、出射側アパーチャ３４から、真空チャンバ３に向かって流れる。これにより、飛散したプラズマ原料２３やデブリが、出射側アパーチャ３４から出射チャンバ５内に進入することを抑制することが可能である。

　また、出射チャンバ５を構成する外側突出部１５及び内側突出部１６がコーン形状であり、その内部側の先端部には出射側アパーチャ３４が設けられている。従って、ガス注入路３２から出射チャンバ５内にガスが供給されることにより、出射チャンバ５の内部圧力を、真空チャンバ３の内部圧力よりも十分に高い圧力に維持することが可能となる。これにより、出射側アパーチャ３４から出射チャンバ５内へのプラズマ原料２３やデブリの進入は、より困難となる。

　さらに、出射側アパーチャ３４を形成すること自体が、出射チャンバ５へのプラズマ原料２３及びデブリの進入を抑制することに有利である。
　また内側突出部１６を形成することで、出射側アパーチャ３４を、生成されるプラズマＰに近い位置に配置することが可能となる。これにより、必要な放射線Ｒを取り込むための出射側アパーチャ３４の開口面積を小さくすることが可能となる。この結果、出射チャンバ５へのプラズマ原料２３及びデブリの進入を抑制することに有利となる。

　例えば、放射線ＲがＥＵＶ光であって、プラズマ原料がＳｎである場合、飛散するプラズマ原料２３やデブリの大部分はＳｎとなる。このＳｎは融点が約２３２℃であるので、内側突出部１６の外表面や内表面に到達すると固化して堆積する場合があり得る。堆積が進むと、出射側アパーチャ３４が堆積したＳｎにより閉塞してしまう場合もある。
　このような不具合を防止するために、図示を省略した加熱手段や温調手段によって内側突出部１６を加熱してプラズマ原料２３の融点以上に保持するようにしてもよい。これにより、出射側アパーチャ３４の閉塞を防止することが可能となる。

　また図１に示すように、外部電圧源５１を設置し、内側突出部１６に対して正電圧又は負電圧を印加可能であってもよい。内側突出部１６に電圧を印加することで、発生する電場によりイオン性のデブリを内側突出部１６から反発させたり、デブリの進行方向を出射チャンバ５内へ進入する方向から逸らすことが可能となる。
　この場合、内側突出部１６は、セラミックス材料等からなる不図示の絶縁体によって、真空チャンバ３等の他の部品から電気的に絶縁されている。また、外部電圧源５１の動作は、制御部７により制御される。

　出射チャンバ５の前方側の端部には、フィルタ膜３５が設けられる。フィルタ膜３５により、飛散するプラズマ原料２３やデブリが、アプリケーションチャンバ３０内に進入することをブロックすることが可能である。
　なお、フィルタ膜３５の表面（出射チャンバ５側の表面）に、プラズマ原料２３やデブリが堆積すると、徐々に放射線Ｒの透過率が減少してしまう。
　フィルタ膜３５の構成として、例えば、フィルタ膜３５にある程度デブリ等が堆積する場合、デブリ等が堆積していない領域が出射チャンバ５側に露出するように、回転等の移動が可能な構成が採用されてもよい。また交換可能な構成が採用されてもよい。このような構成を採用することで、飛散するプラズマ原料２３やデブリの影響を抑制することが可能となる。

　また、出射チャンバ５内には、遮蔽部材３６が配置される。遮蔽部材３６により、出射軸ＥＡやその近傍に沿って進行するデブリ等が、フィルタ膜３５に到達することを防止することが可能である。
　特にデブリの一部には比較的高速で移動するものもあり、直接フィルタ膜３５に衝突すると、フィルタ膜３５にダメージを与える可能性もある。本実施形態では、遮蔽部材３６により、フィルタ膜３５へのデブリ等の衝突を防止することが可能であり、フィルタ膜３５の損傷を防止することが可能である。この結果、フィルタ膜３５の長寿命化を図ることが可能となる。

　また図１に示すように、本実施形態では、入射チャンバ４の後方側に、左右方向に延在するようにガスノズル５３が設置される。ガスノズル５３は、チャンバ本体１４の右側面に、シール部材等を介して設置される。
　ガスノズル５３は、図示を省略したガス供給装置接続され、チャンバ本体１４内にガスを供給する。
　図１に示す例では、ガスノズル５３から、入射軸ＩＡと出射軸ＥＡとの間の軸間領域の右側から左右方向に沿って左側に向かってガスが吹き付けられる。これにより、入射領域２５から放出されるデブリを、入射軸ＩＡ及び出射軸ＥＡから遠ざかる方向に移動させることが可能となる。
　この結果、入射チャンバ４及び出射チャンバ５へのデブリの進入をさらに抑制することが可能となる。なお、ガスの流速を増加させることで、入射チャンバ４及び出射チャンバ５へのデブリの進入を抑制する効果を高めることが可能となる。

　［原料供給ユニット６０の具体的な構成例］
　本発明者は、光源装置１の動作時に発生するデブリの影響、特にプラズマ原料２３の供給工程において回転体２２からデブリとして飛散するプラズマ原料２３の飛沫の影響について検討を重ねた。その結果、原料供給ユニット６０の具体的な構成に関して、新たな構成を考案した。
　以下、発明者により新たに考案された原料供給ユニット６０の具体的な構成について、複数のバリエーション例を説明する。もちろん、本発明の技術範囲が、以下に説明するバリエーション例に限定されるという意味ではない。

　図３及び図４は、原料供給ユニットの一構成例を示す模式図である。
　以下、原料供給ユニットを説明する上で、互いに直交するＸＹＺの各軸を規定する。具体的には、上下方向をＺ方向とし、回転体の回転軸Ｏの軸方向をＹ方向とする。そして、Ｚ方向及びＹ方向の各々に直交する方向をＸ方向とする。
　ＸＹＺの各軸に関して、Ｚ軸の正側を上方側とし、負側を下方側とする。また、Ｙ方向を前後方向として、Ｙ軸の正側を前方側、負側を後方側とする。Ｘ方向を左右方向として、Ｘ軸の正側を左側、負側を右側とする。
　従って、図３～図１４にてＸ軸で規定する「左右方向」及びＹ軸にて規定する「前後方向」は、図１にて規定した「前後方向」及び「左右方向」と必ずしも一致しない点に注意されたい。
　もちろん、本技術の適用について、原料供給ユニット６０が配置される向き等が限定される訳ではない。

　図３及び図４に示す原料供給ユニット６０Ａは、回転体２２と、コンテナ２４と、軸部３９と、カバー部材３７とを有する。
　図３は、原料供給ユニット６０Ａを、Ｘ方向に沿って右側（Ｘ軸の負側）から見た図であり、コンテナ２４、及びカバー部材３７のみが、回転軸Ｏの位置でＹＺ平面により切断された断面図で図示されている。
　図４は、原料供給ユニット６０Ａを前方側（Ｙ軸の正側）から見た図である。

　コンテナ２４には、プラズマ原料２３が収容される。コンテナ２４に収容されるプラズマ原料２３は、図２に示すプラズマ原料循環装置４１が動作することで連続的に供給される。

　回転体２２は、エネルギービームＥＢの光路上に配置される。また回転体２２は、コンテナ２４に収容されたプラズマ原料２３に一部が浸漬されるように配置される。本実施形態では、回転体２２の下方側の部分が、コンテナ２４に収容されたプラズマ原料２３に浸漬される。回転体２２が回転することで、コンテナ２４に収容されたプラズマ原料２３が引き上げられ、エネルギービームＥＢの入射領域２５に供給される。

　コンテナ２４に収容されるプラズマ原料２３が所定量以上の状態である限り、回転体２２を連続的に回転させることにより、常にエネルギービームＥＢの入射領域２５にプラズマ原料２３を供給することが可能となる。すなわち、回転体２２の回転数やエネルギービームＥＢの照射間隔を適切に設定することにより、エネルギービームＥＢの照射によりプラズマＰが生成されてプラズマ原料２３が消費されたあと、次のエネルギービームＥＢが照射される前にエネルギービームＥＢの入射領域２５にプラズマ原料２３を供給することが可能となる。

　回転体２２は、回転軸Ｏを中心として、回転対称（円対称）となるように構成される。
また回転体２２は、エネルギービームＥＢが入射する側の第１の面２２ａと、第１の面２２ａとは反対側の第２の面２２ｂとを有する。

　本実施形態では、回転体２２の前方側からエネルギービームＥＢが入射される。従って、回転体２２の前方側の面が、第１の面２２ａとなる。図４に示すように、第１の面２２ａを前後方向（Ｙ方向）に沿って正面から見た場合には、第１の面２２ａの中心から上方側に向かって、第１の面２２ａの周縁部６２の近傍となる位置に、エネルギービームＥＢの入射領域２５が設定されている。なお、第１の面２２ａの周縁部６２は、回転体２２を前後方向に沿って正面から見た場合の、回転体２２の周縁部６２ともいえる。
　入射領域２５が設定される位置は限定されず、任意に設定可能である。

　図３及び４に示す例では、回転体２２は、回転軸Ｏを中心とする球欠形状として構成されている。すなわち、回転軸Ｏの方向を直径方向とする所定の球形状を、回転軸Ｏの軸方向に直交する仮想平面で切断することで得られる形状を有する。

　図３に示すように、エネルギービームＥＢが入射する側の第１の面２２ａは、回転軸Ｏを中心として正面側に突出する曲面形状となる。具体的には、第１の面２２ａは、回転軸Ｏを中心として正面側に突出する球冠形状となる。第１の面２２ａから見て正面側とは、前方側（Ｙ軸の正側）が該当する。
　第２の面２２ｂは、回転軸Ｏに直交する平面形状となる。第２の面２２ｂの中心に、軸部３９が接続される。

　ここで、回転体２２の回転に応じて、プラズマ原料２３に浸漬される浸漬部分６３に着目する。図３及び４では、浸漬部分６３がグレー色で図示されている。浸漬部分６３に対して、回転軸Ｏの軸方向（Ｙ方向）において、エネルギービームＥＢが入射する側の部分を、入射面部６３ａとする。また浸漬部分６３の入射面部６３ａとは反対側となる部分を裏面部６３ｂとする。

　図３及び図４に示す例では、正面側に突出する曲面形状を有する第１の面２２ａのうち回転体２２の回転によりプラズマ原料２３に浸漬される部分が、入射面部６３ａとなる。
また、平面形状を有する第２の面２２ｂのうち回転体２２の回転によりプラズマ原料２３に浸漬される部分が、裏面部６３ｂとなる。

　図３及び図４に示すように、入射面部６３ａは、回転軸Ｏに対して直交する方向（ＸＺ平面方向）の幅が回転軸Ｏの軸方向に沿って変化するように正面側に突出する突出面６４として構成される。図４に示すように本実施形態では、突出面６４は、回転軸Ｏの軸方向（Ｙ方向）に沿って正面から見た場合に、周縁部６２から回転軸Ｏに向かって連続的に延在するように構成される。また突出面６４は、回転軸Ｏを中心に円対称となるように構成される。
　なお、正面側に突出する突出面６４として、回転軸Ｏを中心に円対称となる形状に限定される訳ではない。

　回転軸Ｏに対して直交する方向（ＸＺ平面方向）の幅は、回転軸Ｏの軸方向に直交する仮想平面を配置した場合の、回転体の表面と仮想平面とが交わる部分までの幅により規定される。例えば、仮想平面にて回転体を切断した場合の断面の周縁部までの幅により規定することが可能である。
　図３及び図４に示す例では、突出面６４は、回転軸Ｏに対して直交する方向（ＸＺ平面方向）の幅が回転軸Ｏの軸方向に沿って正面側に進むにつれて連続的に減少するように構成される。なお、回転軸Ｏに対して直交する方向（ＸＺ平面方向）の幅の変化の態様は限定されない。

　裏面部６３ｂは、回転軸Ｏに対して直交する平面形状となっている。従って、裏面部６３ｂは、突出面ではない非突出面として構成される。図３に示すように、入射面部６３ａと裏面部６３ｂとの間（接続部分）には、エッジ部分６５が構成される。エッジ部分６５は、第１の面２２ａと第２の面２２ｂとの間の接続部分とも言える。また本実施形態では、エッジ部分６５は、回転体２２を前後方向（Ｙ方向）に沿って正面から見た場合の周縁部６２と一致する。

　本実施形態において、第１の面２２ａは、本発明に係る、回転体の回転軸の軸方向において第１の側となる第１の面の一実施形態となる。また第２の面２２ｂは、第１の面の反対側の第２の面の一実施形態となる。すなわち、本実施形態では、エネルギービームＥＢが入射する側が「第１の側」の一実施形態として設定される。これに限定されず、回転軸Ｏの軸方向において、前方側及び後方側のいずれかの側を「第１の側」として任意に選択して、本技術を適用することも可能である。

　また、入射面部６３ａは、本技術に係る、回転により液体原料に浸漬される浸漬部分の回転軸の軸方向において第１の側となる第１の浸漬面部の一実施形態となる。また裏面部６３ｂは、第１の浸漬面部とは反対側となる第２の浸漬面部の一実施形態となる。例えば、図３及び図４に示す入射面部６３ａを「第２の浸漬面部」とし、裏面部６３ｂを「第１の浸漬面部」として、本技術を適用することも可能である。

　カバー部材３７は、回転体２２の回転動作に応じて、回転体２２から飛散するプラズマ原料２３（デブリ）が、真空チャンバ３内に拡散することを防止するために配置される。
図４に示すように、カバー部材３７の全体のおおよその形状は、Ｕ字形状を逆さまにしたような形状を有し、回転体２２の周縁部６２（エッジ部分６５）を覆うように配置される。

　図３に示すように、回転体２２が回転すると、浸漬部分６３（入射面部６３ａ及び裏面部６３ｂ）に塗布されるプラズマ原料２３は、遠心力により周縁部６２に向かって移動する。そして、入射面部６３ａと裏面部６３ｂとの間のエッジ部分６５からデブリ６６として飛散する。従って、カバー部材３７は、エッジ部分６５を覆うように配置される。

　本実施形態では、カバー部材３７は、回転体２２の周縁部６２に対向する側面カバー部６７と、側面カバー部６７に接続され裏面部６３ｂに対向する対向カバー部６８とを有する。
　図４に示すように、側面カバー部６７は、回転体２２を前後方向に沿って正面から見た場合に、所定の幅を有する細長い形状の板部材を、回転体２２の周縁部６２の形状に沿って曲げたような形状を有する。側面カバー部６７の内周面は、回転体２２の周縁部６２を包囲するように配置され、回転体包囲面と呼ぶことも可能である。なお側面カバー部６７の前方側は、大きく開口している。

　対向カバー部６８は、側面カバー部６７の後方側に接続される。対向カバー部６８は、所定の幅を有するＵ字形状の板部材からなり、側面カバー部６７に接続されている。図３に示すように、側面カバー部６７と対向カバー部６８との接続部分により、回転体２２のエッジ部分６５から飛散するデブリ６６（プラズマ原料２３）を十分に捕捉することが可能である。

　すなわち、回転体２２からデブリ６６として飛散するプラズマ原料２３のほとんどはカバー部材３７の側面カバー部６７及び対向カバー部６８に付着し、原料供給ユニット６０Ａの外部にプラズマ原料２３が飛散することを防止することが可能となる。またカバー部材３７の温度を、例えば不図示の温調手段によりプラズマ原料２３の融点以上に保持することにより、回転体２２から離脱してカバー部材３７で捕獲されるプラズマ原料２３の飛沫をコンテナ２４が収容するプラズマ原料２３に戻すことが可能となる。

　側面カバー部６７の幅は、回転体２２のエッジ部分６５から飛散するデブリ６６を十分に捕捉することが可能な範囲で、任意に設定可能である。本実施形態では、遠心力により正面側に突出する曲面形状からなる第１の面２２ａに沿って周縁部６２側に移動するデブリ６６は、エッジ部分６５から後方側の上方に向かって飛散する。
　従って、図３に示すように、側面カバー部６７の前方側の先端部６７ａを、入射面部６３ａのエネルギービームの入射領域２５よりも後方側に配置することが可能である。なお、側面カバー部６７の前方側の先端部６７ａは、カバー部材３７の前方側の先端部に相当する。

　対向カバー部６８の幅も、回転体２２のエッジ部分６５から飛散するデブリ６６を十分に捕捉することが可能な範囲で、任意に設定可能である。例えば、裏面部６３ｂに塗布されるプラズマ原料２３の幅を基準として対向カバー部６８の幅が設定されてもよい。本実施形態では、対向カバー部６８の内部側（Ｕ字形状の内部側）の開口により、回転体２２に接続される軸部３９を配置するスペースが十分に確保されている。

　図３及び図４に示すように、カバー部材３７の下方側の部分（逆Ｕ字の２本の脚の部分）は、プラズマ原料２３に浸漬されており、回転体２２の下端部よりも下方側に配置される。これにより、回転体２２が回転する際に巻き上げられるプラズマ原料２３も十分に捕捉することが可能となる。

　本実施形態において、カバー部材３７は、カバー部の一実施形態に相当する。
　カバー部材３７は、例えばタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）等の高融点金属を用いて構成される。あるいは、比較的高融点であるステンレス等から構成される。

　図５は、比較例として挙げる原料供給ユニット１００を示す模式図である。
　比較例として挙げる原料供給ユニット１００では、円盤形状の回転体１０１が用いられる。回転体１０１は、互いに対向する円形状の第１の面１０１ａ及び第２の面１０１ｂと、側面１０１ｃとを有する。回転体１０１の前方側の第１の面１０１ａと側面１０１ｃとの間に、前方側エッジ部分１０２ａが構成される。回転体１０１の後方側の第２の面１０１ｂと側面１０１ｃとの間に、後方側エッジ部分１０２ｂが構成される。

　図５に示すように、原料供給ユニット１００は、カバー部材１０４を有する。カバー部材１０４全体のおおよその形状は、図３及び図４に示す例とほぼ同様であり、Ｕ字形状を逆さまにしたような形状を有し、回転体１０１の側面１０１ｃに沿うように配置される。
　カバー部材１０４は、側面１０１ｃに対向する側面カバー部１０５と、第２の面１０１ｂの周縁部分と対向する対向カバー部１０６とを有する。

　発明者は、回転体の形状と、回転動作時に発生する飛沫の態様について実験を行い検討した。具体的には、コンテナに水を収容し、図３及び図４に示す球欠形状の回転体２２と、図５に示す円盤形状の回転体１０１とをそれぞれ回転させた。
　回転体２２及び１０１の直径（回転体を前後方向から見た場合の直径）は１００ｍｍとして、アルミニウムにより回転体２２及び１０１を模擬的に作成した。そして、回転数６００ｒｐｍ～１２００ｒｐｍの範囲で、回転体２２及び１０１を回転させた。
　その結果、回転動作に応じた水の飛沫量（デブリ６６の量）に差が出ることを見出した。具体的には、球欠形状の回転体２２の方が、円盤形状の回転体１０１と比べて、飛沫量が大きく低減することが分かった。

　図５に例示するような円盤形状の回転体１０１では、第１の面１０１ａ及び第２の面１０１ｂに塗布された水が遠心力により側面１０１ｃに向かって移動する。そして、多くの飛沫（デブリ６６）が、側面１０１ｃ、前方側エッジ部分１０２ａ、及び後方側エッジ部分１０２ｂから飛散した。すなわち、円盤形状の回転体１０１では、前方側から後方側にかけて多くの量のデブリ６６が発生した。

　デブリ６６が前方側に飛散するので、図５に示すように、側面カバー部１０５の前方側の先端部１０５ａは、前方側エッジ部分１０２ａよりも前方側に配置する必要がある。すなわち、側面カバー部１０５は、回転体１０１よりも、前方側に突出するように（庇形状となるように）構成される。この結果、側面カバー部１０５の前方側の先端部１０５ａは、第１の面１０１ａに入射するエネルギービームＥＢの入射領域２５よりも前方側に突出することになる。

　従って、プラズマＰから放出される放射線Ｒの一部は、前方に突出するカバー部材１０４の側面カバー部１０５により遮光される。すなわち、プラズマＰから放射される放射線Ｒの利用装置（アプリケーションチャンバ３０）への導光方向や放射線診断部２９への導光方向（観測対象となる放射線の観測方向）はある程度制限される。

　また前方側に突出するカバー部材１０４の側面カバー部１０５により、エネルギービームＥＢの照射方向（入射方向）についても、設計の自由度が制限される。

　また、回転体１０１の側面１０１ｃや前後のエッジ部分１０２ａ及び１０２ｂから飛散したプラズマ原料２３（デブリ６６）の飛沫の一部は、回転体１０１のエネルギービームＥが入射する第１の面１０１ａ側に飛散する場合があり、プラズマＰの発光点の近傍を通過する可能性もある。すなわち、エネルギービームＥＢの光路上に、デブリ６６が飛んでくる場合もあり得る。
　その場合、エネルギービームＥＢの一部が回転体１０１に付着したプラズマ原料２３に照射されずに飛沫（デブリ６６）に照射されたり、プラズマＰから放出される放射線Ｒの一部が当該飛沫（デブリ６６）によって遮られるといった不具合が発生する。

　図３及び図４に示す球欠形状の回転体２２では、飛沫量（デブリ６６の量）を低減させることが可能であった。これは、回転によりプラズマ原料２３に浸漬される浸漬部分６３の入射面部６３ａが、回転軸Ｏに向かって正面側に突出する突出面６４として構成されているからと考えられる。なお、回転数（ｒｐｍ）を大きくすると飛沫量は多くなるが、円盤状の回転体１０１と比べると飛沫量は抑えられている。

　また、図３及び図４に示す球欠形状の回転体２２では、デブリ６６の発生方向（プラズマ原料２３が飛散する方向）を制御することも可能である。図３及び図４に示す例では、浸漬部分６３に塗布されたプラズマ原料２３を、エッジ部分６５から後方側の上方に向かって飛散させることが可能である。
　この結果、図３に示すように、側面カバー部６７の前方側の先端部６７ａを、入射面部６３ａのエネルギービームＥＢの入射領域２５よりも後方側に配置することが可能となる。逆に言えば、エネルギービームＥＢが照射される領域である、プラズマ原料２３が塗布されている領域を、カバー部材３７よりも前方側に突出するように配置することが可能である。

　従って、エネルギービームＥＢの入射領域２５（プラズマＰの発光点）をカバー部材３７よりも前方側に設定することが可能となる。これにより、回転体２２へのエネルギービームＥＢの照射、及びプラズマＰからの放射線Ｒの取り出しに関して、設計自由度を向上させることが可能となる。

　例えば、プラズマＰから放出される放射線Ｒの捕集立体角（放射線Ｒを取り出すことが可能な立体角）を大きくとることが可能となる。また、プラズマＰから放出される放射線Ｒの利用装置（アプリケーションチャンバ３０）への導光方向や放射線診断部２９への導光方向（観測対象となる放射線の観測方向）の自由度を向上させることが可能となる。

　また、エネルギービームＥＢの照射方向の自由度を向上させることが可能となる。上記したように、プラズマ原料２３がエネルギービームＥＢによって気化する際に放出されるプラズマ原料２３からなるデブリは、エネルギービームＥＢが入射する部分の法線方向（図中のＮ）に一番多く放出される。
　この法線方向Ｎと、エネルギービームＥＢの照射方向とを相違させることにより、図１に示す入射チャンバ４へのデブリの進入を抑制することが可能となる。また法線方向Ｎと、放射線Ｒの取り出し方向とを相違させることで、図１に示す出射チャンバ５へのデブリの進入を抑制することが可能となる。

　また、入射面部６３ａ上のエネルギービームＥＢの入射領域２５と、回転体２２からプラズマ原料２３（デブリ６６）が飛沫するエッジ部分６５とを離すことが可能となるので、飛散するデブリ６６がプラズマＰの発光点の近傍に到達することを十分に抑制することが可能となる。すなわち、エネルギービームＥＢの光路上に、デブリ６６が飛んでくることを十分に抑制することが可能となる。
　この結果、エネルギービームＥＢの一部が回転体２２に付着したプラズマ原料２３に照射されずに飛沫（デブリ６６）に照射されたり、プラズマＰから放出される放射線Ｒの一部が当該飛沫（デブリ６６）によって遮られるといったことを防止することが可能となる。

　図６は、原料供給ユニット６０の他の構成例を示す模式図である。
　本実施形態に係る原料供給ユニット６０Ｂでは、回転体２２の非突出面となる裏面部６３ｂと、カバー部材３７の対向カバー部６８との間隔が十分に近づけられている。これにより、遠心力によりエッジ部分６５から離脱するデブリ６６（プラズマ原料２３）が、完全にエッジ部分６５から飛散する前に、対向カバー部６８の内面に接触する。
　この結果、デブリ６６（プラズマ原料２３）は飛沫となることなく、対向カバー部６８の内面に沿ってコンテナ２４に収容されるプラズマ原料２３に帰還する。すなわち、エッジ部分６５から離脱するデブリ６６が下方側に飛び散ることなく、対向カバー部６８の内面の沿って流れいく。

　本発明者は、裏面部６３ｂ（エッジ部分６５）と対向カバー部６８との距離を変えて、回転体２２を回転させる実験を行った。裏面部６３ｂと対向カバー部６８との距離が大きい場合には、回転体２２のエッジ部分６５からデブリ６６が飛散して、カバー部材３７の内面に水滴として付着した。また、コンテナ２４内に飛沫が飛び散り、水面（液面）が不安定な状態になった。

　裏面部６３ｂと対向カバー部６８との距離を小さくすることで、回転体２２のエッジ部分６５から離脱するデブリ６６は、対向カバー部６８の内面に沿った水流となり、水面（液面）に到達した。デブリ６６が飛沫となって飛び散らないので、水面（液面）の状態は安定した。光源装置１の動作時に、コンテナ２４内のプラズマ原料２３の液面が安定していると、エネルギービームＥＢの入射領域２５へのプラズマ原料２３の供給も安定して均一に実行することが可能となる。

　典型的には、裏面部６３ｂ（エッジ部分６５）と対向カバー部６８との間隔を、１ｍｍ以下に設定することで、デブリ６６の飛散を十分に防止することが可能であった。すなわち、非突出面と対向カバー部６８の距離、言い換えれば、突出面６４と非突出面との間のエッジ部分と、対向カバー部６８との距離を、１ｍｍ以下に設定することで、デブリ６６の飛散を十分に防止することが可能である。

　図７は、原料供給ユニット６０の他の構成例を示す模式図である。
　図７に示す原料供給ユニット６０Ｃでは、回転体２２が、回転軸Ｏを中心とする円錐形状として構成されている。そして、回転体２２の第１の面２２ａが、回転軸Ｏを中心として正面側に突出する円錐面形状となる。この場合でも、回転体２２が回転する場合にプラズマ原料２３に浸漬される浸漬部分６３の入射面部６３ａが、回転軸Ｏに向かって正面側に突出する突出面６４として構成される。

　この結果、図３及び図４に示す球欠形状の回転体２２と同様に、上記した効果を発揮することが可能である。また、裏面部６３ｂ（エッジ部分６５）と対向カバー部６８との間隔を、十分に近づけることで（典型的には１ｍｍ以下）、デブリ６６の飛散を十分に防止することが可能であった。このことは、円錐形状となる回転体２２をアルミニウムより模擬的に作成し、プラズマ原料２３の代わりに水を用いた実験により、実証されている。
　なお、円錐形状の回転体２２は、加工が容易であるという利点を有する。

　図８は、原料供給ユニット６０の他の構成例を示す模式図である。
　図８では、回転体２２は、回転軸Ｏの位置でＹＺ平面により切断された断面図で図示されている。

　図８に示す原料供給ユニット６０Ｄでは、回転体２２が、回転軸Ｏを中心とする中空の球欠形状として構成されている。すなわち、回転軸Ｏの方向を直径方向とする中空の球形状（球殻形状）を、回転軸Ｏの軸方向に直交する仮想平面で切断することで得られる形状を有する。図８に示す回転体２２の形状を、ボウル形状（容器形状）と呼ぶことも可能である。

　図８に示すように、回転体２２の第１の面２２ａは、回転軸Ｏを中心として正面側に突出する球冠形状となる。第２の面２２ｂは、回転軸Ｏを中心として窪む曲面形状となる。
具体的には、窪んでいる球面により、第２の面２２ｂが構成される。窪んでいる曲面形状からなる第２の面２２ｂの中心に軸部３９が接続される。

　回転体２２が回転する場合にプラズマ原料２３に浸漬される浸漬部分６３の入射面部６３ａは、回転軸Ｏに向かって正面側に突出する突出面６４として構成される。浸漬部分６３の裏面部６３ｂは、非突出面として構成される。

　図８に示す回転体２２でも、図３及び図４に示す球欠形状の回転体２２や図７に示す円錐形状の回転体２２と同様に、上記した効果を発揮することが可能である。また、裏面部６３ｂ（エッジ部分６５）と対向カバー部６８との間隔を、十分に近づけることで（典型的には１ｍｍ以下）、デブリ６６の飛散を十分に防止することが可能であった。このことは、中空の球欠形状となる回転体２２をアルミニウムより模擬的に作成し、プラズマ原料２３の代わりに水を用いた実験により、実証されている。
　なお、中空の球欠形状の回転体２２は、軽量化、及び材料コストの低減に有利となる。

　図９は、原料供給ユニット６０の他の構成例を示す模式図である。
　図９に示す原料供給ユニット６０Ｅは、図３及び図４に示す球欠形状の回転体２２を前後方向において反対向きに配置した構成を有する。
　すなわち、回転軸Ｏの軸方向において、エネルギービームＥＢが入射する側の第１の面２２ａが、回転軸Ｏに直交する平面形状となる。また第２の面２２ｂが、回転軸Ｏを中心として正面側に突出する曲面形状となり、具体的には正面側に突出する球冠形状となる。
　なお第２の面２２ｂから見て正面側とは、後方側（Ｙ軸の負側）が該当する。正面側に突出する球冠形状からなる第２の面２２ｂの中心に、軸部３９が接続される。

　回転体２２が回転する場合にプラズマ原料２３に浸漬される浸漬部分６３の入射面部６３ａは、回転軸Ｏに直交する平面形状となり、非突出面となる。浸漬部分６３の裏面部６３ｂは、回転軸Ｏに向かって正面側に突出する突出面６４として構成される。

　カバー部材３７は、回転体２２の周縁部（エッジ部分６５）に対向する側面カバー部６７と、側面カバー部６７に接続され非突出面（すなわち入射面部６３ａ）に対向する対向カバー部６８とを有する。

　図９に示す構成では、カバー部材３７が、エネルギービームＥＢの入射領域２５（プラズマ発光点）よりも、前方側に突出している。従って、回転体２２へのエネルギービームＥＢの照射、及びプラズマＰからの放射線Ｒの取り出しに関して、設計自由度は相対的に低くなる。

　一方で、浸漬部分６３の裏面部６３ｂが突出面６４として構成されているので、回転動作時のプラズマ原料２３の飛沫量（デブリ６６の量）を抑制することが可能となる。またカバー部材３７により、エッジ部分６５から前方側の上方に向かって離脱するデブリ６６を十分に捕捉することである。
　なお、図９に示す例では、非突出面である入射面部６３ａ（エッジ部分６５）と対向カバー部６８との間隔を、十分に近づけることで（典型的には１ｍｍ以下）、デブリ６６の飛散を十分に防止することが可能であり、エネルギービームＥＢの光路上に、デブリ６６が飛んでくることを十分に抑制することが可能である。
　このように、デブリ６６の影響を抑制する点については、図５～図８に原料供給ユニット６０と同様の効果が発揮される。

　図１０は、原料供給ユニット６０の他の構成例を示す模式図である。
　図１０に示す原料供給ユニット６０Ｆは、図７に示す円錐形状の回転体２２を前後方向において反対向きに配置した構成を有する。
　すなわち、回転体２２の第１の面２２ａが、回転軸Ｏに直交する平面形状となる。また第２の面２２ｂが、回転軸Ｏを中心として正面側に突出する曲面形状となり、具体的には正面側に突出する円錐面形状となる。正面側に突出する円錐面形状からなる第２の面２２ｂの中心に、軸部３９が接続される。

　図１０に示す構成においても、回転体２２へのエネルギービームＥＢの照射、及びプラズマＰからの放射線Ｒの取り出しに関して、設計自由度は相対的に低くなる。

　一方で、浸漬部分６３の裏面部６３ｂが突出面６４として構成されているので、回転動作時のプラズマ原料２３の飛沫量（デブリ６６の量）を抑制することが可能となる。またカバー部材３７により、エッジ部分６５から前方側の上方に向かって離脱するデブリ６６を十分に捕捉することである。
　なお、図１０に示す例では、非突出面である入射面部６３ａ（エッジ部分６５）と対向カバー部６８との間隔を、十分に近づけることで（典型的には１ｍｍ以下）、デブリ６６の飛散を十分に防止することが可能であり、エネルギービームＥＢの光路上に、デブリ６６が飛んでくることを十分に抑制することが可能である。

　図１１は、原料供給ユニット６０の他の構成例を示す模式図である。
　図１１に示す原料供給ユニット６０Ｇは、図８に示す中空の球欠形状の回転体２２を前後方向において反対向きに配置した構成を有する。
　すなわち、回転体２２の第１の面２２ａが、回転軸Ｏを中心として窪む曲面形状となる。また第２の面２２ｂが、回転軸Ｏを中心として正面側に突出する曲面形状となり、具体的には正面側に突出する球冠形状となる。正面側に突出する球冠形状からなる第２の面２２ｂの中心に、軸部３９が接続される。

　回転体２２が回転する場合にプラズマ原料２３に浸漬される浸漬部分６３の入射面部６３ａは、回転軸Ｏに対して直交する方向（ＸＺ平面方向）の幅が回転軸Ｏの軸方向に沿って変化するように窪む窪み面として構成され、非突出面となる。浸漬部分６３の裏面部６３ｂは、回転軸Ｏに向かって正面側に突出する突出面６４として構成される。

　図１１に示す例では、窪み面として構成される入射面部６４は、回転軸Ｏに対して直交する方向（ＸＺ平面方向）の幅が回転軸Ｏの軸方向に沿って後方側に進むにつれて連続的に減少するように構成される。なお、回転軸Ｏに対して直交する方向（ＸＺ平面方向）の幅の変化の態様は限定されない。

　浸漬部分６３の裏面部６３ｂが突出面６４として構成されているので、回転動作時のプラズマ原料２３の飛沫量（デブリ６６の量）を抑制することが可能となる。またカバー部材３７により、エッジ部分６５から前方側の上方に向かって離脱するデブリ６６を十分に捕捉することである。
　なお、図１１に示す例では、非突出面である入射面部６３ａ（エッジ部分６５）と対向カバー部６８との間隔を、十分に近づけることで（典型的には１ｍｍ以下）、デブリ６６の飛散を十分に防止することが可能であり、エネルギービームＥＢの光路上に、デブリ６６が飛んでくることを十分に抑制することが可能である。

　また、図１１に示す構成では、エネルギービームＥＢの入射領域２５の位置を適宜設定することで、エネルギービームＥＢが照射されることにより発生するプラズマ原料２３からなるデブリの飛散方向にある程度指向性を持たせることが可能となる。すなわち、デブリ飛散方向を制限することが可能となる。

　例えば、入射面部６３ａのうちコンテナ２４に収容されたプラズマ原料２３側に向く部分に、エネルギービームＥＢの入射領域２５を設定する。図１１に示す例では、第１の面２２ａの中心から上方側に向かう位置に、エネルギービームＥＢの入射領域２５が設定されている。その部分は、法線方向Ｎが下方に向かっており、プラズマ原料２３側に向く部分となる。

　プラズマ原料２３側に向く部分に設定された入射領域２５にエネルギービームＥＢを照射すると、デブリとして放出されるプラズマ原料２３の一部は、法線方向Ｎに向かって一番多く放出される。すなわち、コンテナ２４に収容されたプラズマ原料２３側に向かって一番多く放出される。

　このように図１１に示す構成では、エネルギービームＥＢの照射により発生するデブリ（プラズマ原料２３）の放出方向を制限することが可能となり、デブリの飛散方向と重ならないように、エネルギービームＥＢの照射方向、及び放射線Ｒの取り出し方向を設定する点において有利となる。また、エネルギービームＥＢの照射により発生するデブリ（プラズマ原料２３）を、コンテナ２４に効率的に戻すことが可能となる。

　図１２は、原料供給ユニット６０の他の構成例を示す模式図である。
　図１２に示す原料供給ユニット６０Ｈでは、回転体２２は、円盤形状の基体部７０と、基体部７０の前方側に接続された球欠形状の突出部７１とにより構成される。基体部７０及び突出部７１は、個々に作成されて連結されてもよいし、一体的に作成されてもよい。

　突出部７１の前方側の面が球冠形状となる第１の面２２ａとなり、第１の面２２ａのうち回転により浸漬される部分が入射面部６３ａとなる。また基体部７０の後方側の面が、平面形状からなる第２の面２２ｂとなり、第２の面２２ｂのうち回転により浸漬される部分が裏面部６３ｂとなる。また、基体部７０の側面７０ａが、回転体２２の周縁部となる（入射面部６３ａとの間のエッジ部分、及び裏面部６３ｂとの間のエッジ部分を含む）。

　カバー部材３７は、回転体２２の周縁部（側面７０ａ）を覆うように配置される。
　図１２に示す構成でも、入射面部６３ａが回転軸Ｏに向かって正面側に突出する突出面６４として構成される。これにより、回転動作時のプラズマ原料２３の飛沫量（デブリ６６の量）を抑制することが可能となる。

　図１３は、原料供給ユニット６０の他の構成例を示す模式図である。
　図１３に示す原料供給ユニット６０Ｉでは、回転体２２は、図６に示す球欠形状の回転体２２の浸漬部分６３よりも前方側の部分がカットされた形状を有する。これにより、軽量化、及び材料コストの低減に有利となる。

　図１３に例示するように、浸漬部分６３以外の部分については、形状等を任意に設計することが可能となる。例えば、浸漬部分６３については耐久性の高い材料で作成し、他の部分については安価な材料で作成するといったことも可能である。

　図１４は、原料供給ユニット６０の他の構成例を示す模式図である。
　図１４に示す原料供給ユニット６０Ｊでは、回転体２２は、図６に示す球欠形状の回転体２２の平面部分を互いに接続した形状を有する。従って、回転体２２のおおよその形状は、ラグビーボールのような回転楕円体となる。

　図１４に示す構成では、回転体２２の第１の面２２ａ及び第２の面２２ｂの両方が、回転軸Ｏを中心として正面側に突出する曲面形状となり、具体的には正面側に突出する球冠形状となる。また、回転体２２が回転する場合にプラズマ原料２３に浸漬される浸漬部分６３の入射面部６３ａ及び裏面部６３ｂの両方が、回転軸Ｏに向かって正面側に突出する突出面６４として構成される。

　カバー部材３７は、回転体２２の周縁部（エッジ部分６５）を覆うように配置される。
　このように、入射面部６３ａ及び裏面部６３ｂの両方が突出面６４として構成されてもよい。この場合でも、上記の効果を発揮することが可能となる。

　以上、各バリエーション例を参照して説明したように、本実施形態に係る光源装置１では、コンテナ２４に収容されたプラズマ原料２３に一部が浸漬されるように配置された回転体２２が回転することで、エネルギービームＥＢの入射領域２５にプラズマ原料２３が供給される。当該回転体２２のプラズマ原料２３に浸漬される浸漬部分６３の入射面部６３ａ及び裏面部６３ｂの少なくとも一方が、回転軸Ｏに向かって正面側に突出する突出面６４として構成される。これにより、光源装置１の動作時に発生するデブリの影響を抑制することが可能となる。

　上記で説明したバリエーション例では、第１の面２２ａ又は第２の面２２ｂの少なくとも一方が、回転軸Ｏを中心として正面側に突出する球冠形状、又は回転軸Ｏを中心として正面側に突出する円錐面形状となる場合を説明した。これに限定されず、第１の面２２ａ又は第２の面２２ｂの少なくとも一方が、回転軸を中心として正面側に突出する放物面形状や、回転軸Ｏを中心として正面側に突出する楕円面形状で構成されてもよい。
　その他、入射面部６３ａ及び裏面部６３ｂの少なくとも一方が、回転軸Ｏに向かって正面側に突出する突出面６４として構成することが可能な任意の構成が採用されてよい。

　上記で説明した各バリエーション例では、回転体２２が回転する際に飛沫が発生するエッジ部分６５を覆うようにカバー部材３７が配置される。これにより、遠心力により回転体２２から離脱するプラズマ原料２３であるデブリ６６が、外部に飛散することを抑制することが可能となる。
　なお、ある程度の飛沫の飛散を許容するような設計において、カバー部材３７が用いられない場合もあり得る。この場合でも、円盤形状の回転体１０１と比較して、飛沫量（デブリ６６の量）を低減させることが可能であるので、有効である。

　＜その他の実施形態＞
　本発明は、以上説明した実施形態に限定されず、他の種々の実施形態を実現することができる。

　図１に示す例では、ビーム源１３が１つ準備され、回転体２２に対して１本のレーザビームがエネルギービームＥＢとして出射された。これに限定されず、回転体２２に対して、複数のビーム源１３が、エネルギービームＥＢの照射方向が異なるように配置されてもよい。複数のビーム源１３から入射領域２５に対して交互にエネルギービームＥＢを照射することにより、プラズマＰの発生周波数（放射線Ｒの放出周波数）を向上させることが可能となる。
　例えば、ビーム源１３として、パルスレーザが用いられる場合には、複数のビーム源１３を用いることで、入射領域２５へのパルスレーザの照射周期を向上させることが可能となり、放射線Ｒを効率的に取り出すことが可能となる。

　上記では、ＬＰＰ方式の光源装置１に、本技術に係る原料供給ユニット６０が適用される例を説明した。すなわち、本技術に係る光源装置として、ＬＰＰ方式の光源装置１が構成される実施形態を説明した。
　これに限定されず、ＬＤＰ方式の光源装置に、本技術に係る原料供給ユニット６０を適用することも可能である。すなわち、本技術に係る光源装置として、ＬＤＰ方式の光源装置１を構成することも可能である。
　ＬＤＰ方式の光源装置は、エネルギービームＥＢの照射を利用してプラズマ原料２３をプラズマ化して放射線Ｒを取り出すＬＰＰ方式の光源装置に含まれる。

　［ＬＤＰ方式の光源装置］
　図１５は、ＬＤＰ方式の光源装置１１１の構成例を示す模式図である。
　図１５は、光源装置１１１を設置面から所定の高さの位置で水平方向に沿って切断した場合の模式的な断面を、上方から見た場合の図である。
　図１５では、光源装置１の構成及び動作を理解しやすいように、断面の構成等を説明する必要のない部分については、断面の図示を省略している。

　光源装置１１１は、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を放出する。
　光源装置１１１は、放電を発生させる一対の放電電極ＥＡ，ＥＢの表面にそれぞれ供給された液相のプラズマ原料ＳＡ，ＳＢにレーザビームＬＢ等のエネルギービームを照射して当該プラズマ原料ＳＡ，ＳＢを気化させる。その後、放電電極ＥＡ，ＥＢ間の放電領域Ｄの放電によってプラズマＰを発生させる。プラズマＰからはＥＵＶ光が放出される。

　光源装置１１１は、例えば、半導体デバイス製造におけるリソグラフィ装置の光源装置、又はリソグラフィに使用されるマスクの検査装置の光源装置として使用可能である。
　例えば、光源装置１１１がマスク検査装置用の光源装置と使用される場合、プラズマＰから放出されるＥＵＶ光の一部が取り出され、マスク検査装置に導光される。
　マスク検査装置は、光源装置１１１から放出されるＥＵＶ光を検査光として、マスクのブランクス検査またはパターン検査を行う。ここで、ＥＵＶ光を用いることにより、５ｎｍ～７ｎｍプロセスに対応することができる。なお、光源装置１１１から取り出されるＥＵＶ光は、図１５の遮熱板７２に設けられた開口（図示は省略）により規定される。

　図１５に示すように、光源装置１１１は、光源部７３と、デブリ捕捉部７４とを有する。
　光源部７３は、ＬＤＰ方式に基づいてＥＵＶ光を発生させる。
　デブリ捕捉部７４は、光源部７３から放射されるＥＵＶ光とともに飛散するデブリを捕捉するデブリ低減装置である。光源部７３で発生したデブリ、及びデブリ捕捉部７４で捕捉されたデブリ等は、デブリ捕捉部７４の下方側に配置されるデブリ収容部（図示は省略）に収容される。

　光源部７３は、内部で生成されるプラズマＰを外部と隔離するチャンバ７５を備える。
チャンバ７５は、プラズマＰを生成する光源部７３を収容するプラズマ生成室を形成する。
　チャンバ７５は、剛体、例えば、金属製の真空筐体であり、その内部は、プラズマ原料ＳＡ，ＳＢを加熱励起するための放電を良好に発生させ、ＥＵＶ光の減衰を抑制するために、図示しない真空ポンプにより所定圧力以下の減圧雰囲気に維持される。

　光源部７３は、一対の放電電極ＥＡ，ＥＢを備える。
　放電電極ＥＡ，ＥＢは、同形同大の円板状部材であり、例えば、放電電極ＥＡがカソードとして使用され、放電電極ＥＢがアノードとして使用される。
　放電電極ＥＡ，ＥＢは、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）またはタンタル（Ｔａ）などの高融点金属から形成される。
　放電電極ＥＡ，ＥＢは、互いに離隔した位置に配置され、放電電極ＥＡ，ＥＢの周縁部が近接している。このとき、プラズマＰが生成される放電領域Ｄは、放電電極ＥＡ，ＥＢの周縁部が互いに最も接近した放電電極ＥＡ，ＥＢ間の間隙に位置する。

　チャンバ７５の内部には、液相のプラズマ原料ＳＡが貯留されるコンテナＣＡと、液相のプラズマ原料ＳＢが貯留されるコンテナＣＢとが配置される。
　各コンテナＣＡ，ＣＢには、加熱された液相のプラズマ原料ＳＡ，ＳＢが供給される。
液相のプラズマ原料ＳＡ，ＳＢは、例えば、スズ（Ｓｎ）であるが、リチウム（Ｌｉ）であってもよい。

　コンテナＣＡは、放電電極ＥＡの下部が液相のプラズマ原料ＳＡに浸されるようにプラズマ原料ＳＡを収容する。コンテナＣＢは、放電電極ＥＢの下部が液相のプラズマ原料ＳＢに浸されるようにプラズマ原料ＳＢを収容する。
　従って、放電電極ＥＡ，ＥＢの下部には、液相のプラズマ原料ＳＡ，ＳＢが付着する。
放電電極ＥＡ，ＥＢの下部に付着した液相のプラズマ原料ＳＡ，ＳＢは、放電電極ＥＡ，ＥＢの回転に伴って、プラズマＰが生成される放電領域Ｄに輸送される。

　放電電極ＥＡは、モータＭＡの回転軸ＪＡに連結され、放電電極ＥＡの軸線周りに回転する。放電電極ＥＢは、モータＭＢの回転軸ＪＢに連結され、放電電極ＥＢの軸線周りに回転する。
　モータＭＡ，ＭＢは、チャンバ７５の外部に配置され、各モータＭＡ，ＭＢの回転軸ＪＡ，ＪＢは、チャンバ７５の外部から内部に延びる。回転軸ＪＡとチャンバ７５の壁の間の隙間は、シール部材ＰＡで封止され、回転軸ＪＢとチャンバ７５の壁の間の隙間は、シール部材ＰＢで封止される。
　シール部材ＰＡ，ＰＢは、例えば、メカニカルシールである。各シール部材ＰＡ，ＰＢは、チャンバ７５内の減圧雰囲気を維持しつつ、回転軸ＪＡ，ＪＢを回転自在に支持する。

　図１５に示すように、光源装置１１１は、さらに、制御部７６と、パルス電力供給部７７と、ビーム源（エネルギービーム照射装置）７８と、可動ミラー７９をさらに備える。
　制御部７６、パルス電力供給部７７、ビーム源７８および可動ミラー７９は、チャンバ７５の外部に設置される。
　制御部７６は、光源装置１１１の各部の動作を制御する。例えば、制御部７６は、モータＭＡ，ＭＢの回転駆動を制御し、放電電極ＥＡ，ＥＢを所定の回転数で回転させる。また、制御部７６は、パルス電力供給部７７の動作、ビーム源７８からのレーザビームＬＢの照射タイミングなどを制御する。

　パルス電力供給部７７から延びる２つの給電線ＱＡ，ＱＢは、フィードスルーＦＡ，ＦＢを通過して、チャンバ７５の内部に配置されたコンテナＣＡ，ＣＢにそれぞれ接続される。
　フィードスルーＦＡ，ＦＢは、チャンバ７５の壁に埋設されてチャンバ７５内の減圧雰囲気を維持するシール部材である。
　コンテナＣＡ，ＣＢは、導電性材料から形成され、各コンテナＣＡ，ＣＢの内部に収容されるプラズマ原料ＳＡ，ＳＢもスズなどの導電性材料である。
　各コンテナＣＡ，ＣＢの内部に収容されているプラズマ原料ＳＡ，ＳＢには、放電電極ＥＡ，ＥＢの下部がそれぞれ浸されている。従って、パルス電力供給部７７からパルス電力がコンテナＣＡ，ＣＢに供給されると、そのパルス電力は、プラズマ原料ＳＡ，ＳＢをそれぞれ介して放電電極ＥＡ，ＥＢに供給される。

　パルス電力供給部７７は、放電電極ＥＡ，ＥＢへパルス電力を供給することにより、放電領域Ｄで放電を発生させる。
　そして、各放電電極ＥＡ，ＥＢの回転に基づいて放電領域Ｄに輸送されたプラズマ原料ＳＡ，ＳＢが放電時に放電電極ＥＡ，ＥＢ間に流れる電流により加熱励起されることで、ＥＵＶ光を放出するプラズマＰが生成される。

　ビーム源７８は、放電領域Ｄに輸送された放電電極ＥＡに付着したプラズマ原料ＳＡにエネルギービームを照射して、当該プラズマ原料ＳＡを気化させる。ビーム源７８は、例えば、Ｎｄ：ＹＶＯ_４（Neodymium-doped Yttrium Orthovanadate）レーザ装置である。
　このとき、ビーム源７８は、波長１０６４ｎｍの赤外領域のレーザビームＬＢを発する。ただし、エネルギービーム照射装置は、プラズマ原料ＳＡの気化が可能であれば、レーザビームＬＢ以外のエネルギービームを発する装置であってもよい。

　ビーム源７８から放出されたレーザビームＬＢは、例えば、集光レンズ８０を含む集光手段を介して可動ミラー７９に導かれる。集光手段は、放電電極ＥＡのレーザビーム照射位置におけるレーザビームＬＢのスポット径を調整する。集光レンズ８０および可動ミラー７９は、チャンバ７５の外部に配置される。

　集光レンズ８０で集光されたレーザビームＬＢは、可動ミラー７９により反射され、チャンバ７５の側壁７５ａに設けられた透明窓８１を通過して、放電領域Ｄ付近の放電電極ＥＡの周縁部に照射される。可動ミラー７９の姿勢を調整することにより、放電電極ＥＡにおけるレーザビームＬＢの照射位置が調整される。

　放電領域Ｄ付近の放電電極ＥＡの周縁部にレーザビームＬＢを照射するのを容易にするため、放電電極ＥＡ，ＥＢの軸線は平行ではない。
　回転軸ＪＡ，ＪＢの間隔は、モータＭＡ，ＭＢ側が狭く、放電電極ＥＡ，ＥＢ側が広くなっている。
　これにより、放電電極ＥＡ，ＥＢの対向面側を接近させつつ、放電電極ＥＡ，ＥＢの対向面側とは反対側をレーザビームＬＢの照射経路から退避させることができ、放電領域Ｄ付近の放電電極ＥＡの周縁部にレーザビームＬＢを照射するのを容易にすることができる。

　放電電極ＥＢは、放電電極ＥＡと可動ミラー７９との間に配置される。
　可動ミラー７９で反射されたレーザビームＬＢは、放電電極ＥＢの外周面付近を通過した後、放電電極ＥＡの外周面に到達する。
　このとき、レーザビームＬＢが放電電極ＥＢで遮光されないように、放電電極ＥＢは、放電電極ＥＡよりも、モータＭＢ側の方向（図１５の左側）に退避される。
　放電領域Ｄ付近の放電電極ＥＡの外周面に付着された液相のプラズマ原料ＳＡは、レーザビームＬＢの照射により気化され、気相のプラズマ原料ＳＡとして放電領域Ｄに供給される。

　放電領域ＤでプラズマＰを発生させるため（気相のプラズマ原料ＳＡをプラズマ化するため）、パルス電力供給部７７は、放電電極ＥＡ，ＥＢに電力を供給する。
　そして、レーザビームＬＢの照射により放電領域Ｄに気相のプラズマ原料ＳＡが供給されると、放電領域Ｄにおける放電電極ＥＡ，ＥＢ間で放電が生じる。
　放電電極ＥＡ、ＥＢ間で放電が発生すると、放電領域Ｄにおける気相のプラズマ材料ＳＡが電流により加熱励起されて、プラズマＰが発生する。生成されたプラズマＰから放射されるＥＵＶ光は、チャンバ７５の側壁７５ｂに設けられた貫通孔である第１窓部８２を通ってデブリ捕捉部７４へ入射する。

　デブリ捕捉部７４は、チャンバ７５の側壁７５ｂに配置された接続チャンバ８３を有する。接続チャンバ８３は、剛体、例えば、金属製の真空筐体であり、その内部は、チャンバ７５と同様、ＥＵＶ光の減衰を抑制するために所定圧力以下の減圧雰囲気に維持される。接続チャンバ８３は、チャンバ７５と利用装置１２０（例えばリソグラフィ装置やマスク検査装置）との間に接続される。

　接続チャンバ８３の内部空間は、第１窓部８２を介してチャンバ７５と連通する。接続チャンバ８３は、第１窓部８２から入射したＥＵＶ光を利用装置１２０へ導入する光取出し部としての第２窓部８４を有する。第２窓部８４は、接続チャンバ８３の側壁７４ａに形成された所定形状の貫通孔である。
　放電領域ＤのプラズマＰから放出されたＥＵＶ光は、第１窓部８２及び第２窓部８４を通じて利用装置１２０に導入される。

　一方、プラズマＰからはＥＵＶ光とともにデブリが高速で様々な方向に放散される。
　デブリは、プラズマ原料ＳＡ、ＳＢであるスズ粒子及びプラズマＰの発生に伴いスパッタリングされる放電電極ＥＡ、ＥＢの材料粒子を含む。
　これらのデブリは、プラズマＰの収縮および膨張過程を経て、大きな運動エネルギーを得る。すなわち、プラズマＰから発生するデブリは、高速で移動するイオン、中性粒子および電子を含む。
　このようなデブリは、利用装置１２０に到達すると、利用装置１２０内の光学素子の反射膜を損傷または汚染させ、性能を低下させることがある。

　そのため、デブリが利用装置１２０に侵入しないようにするため、デブリを捕捉するデブリ捕捉部７４が接続チャンバ８３内に設けられる。
　図１５に示す例では、デブリ捕捉部７４として、複数のホイルを有し、回転することで複数のホイルをデブリと能動的に衝突させる回転式ホイルトラップ８５が配置される。回転式ホイルトラップ８５は、接続チャンバ８３の内部にて、接続チャンバ８３から利用装置１２０へと進行するＥＵＶ光の光路上に配置される。
　回転式ホイルトラップ８５に代えて、複数のホイルの位置が固定された固定式ホイルトラップが配置されてもよい。あるいは、回転式ホイルトラップ８５及び固定式ホイルトラップの双方が設けられてもよい。

　図１５に示すＬＤＰ方式の光源装置１１１において、放電電極ＥＡ及びコンテナＣＡを実現するために、本技術に係る原料供給ユニットを採用することが可能である。同様に、放電電極ＥＢ及びコンテナＣＢを実現するために、本技術に係る原料供給ユニットを採用することが可能である。
　図１５に示す例では、放電電極ＥＡ（ＥＢ）として、球欠形状の回転体が用いられる。
そして、モータＭＡ（ＭＢ）の回転軸ＪＡ（ＪＢ）が接続される側（後方側とする）の面が、球冠形状で構成されている。従って、放電電極ＥＡ（ＥＢ）が回転することでプラズマ原料ＳＡ（ＳＢ）に浸漬する浸漬部分の後方側の面部が、回転軸に向かって正面側に突出する突出面として構成される。これにより、放電電極ＥＡ（ＥＢ）が回転する際に発生するプラズマ原料ＳＡ（ＳＢ）の飛沫量（デブリの量）を抑制することが可能となる。この結果、光源装置１１１の動作時に発生するデブリの影響を抑制することが可能となる。

　なお、図１５に示すＬＤＰ方式の光源装置１１１等において、図１２に示す回転体２２が２つ準備され、基体部７０の側面７０ａが互いに接近するように配置されてもよい。そして、基体部７０の側面７０ａにエネルギービームＥＢの入射領域２５が設定されてもよい。すなわち、基体部７０の側面７０ａにエネルギービームＥＢが照射されてもよい。なお、基体部７０の側面７０は、本発明に係る、入射面部６３ａと裏面部６３ｂとの間に構成され、回転軸Ｏの軸方向に延在する側面部の一実施形態となる。
　このように、光軸Ｏの軸方向において、浸漬部分６３の第１の側となる第１の浸漬面部、及び第１の浸漬面部とは反対側となる第２の浸漬面部以外の領域に、エネルギービームＥＢが照射されてもよい。この場合でも、回転体２２の回転動作時のプラズマ原料２３の飛沫量（デブリ６６の量）を抑制することが可能となり、デブリの影響を抑制することが可能となる。

　各図面を参照して説明した光源装置、原料供給ユニット、回転体、コンテナ、カバー部材、各種チャンバ、原料供給機構等の各構成はあくまで一実施形態であり、本技術の趣旨を逸脱しない範囲で、任意に変形可能である。すなわち本技術を実施するための他の任意の構成が採用されてよい。

　本開示において、説明の理解を容易とするために、「略」「ほぼ」「おおよそ」等の文言が適宜使用されている。一方で、これら「略」「ほぼ」「おおよそ」等の文言を使用する場合と使用しない場合とで、明確な差異が規定されるわけではない。
　すなわち、本開示において、「中心」「中央」「均一」「等しい」「同じ」「直交」「平行」「対称」「延在」「軸方向」「円柱形状」「円筒形状」「リング形状」「円環形状」等の、形状、サイズ、位置関係、状態等を規定する概念は、「実質的に中心」「実質的に中央」「実質的に均一」「実質的に等しい」「実質的に同じ」「実質的に直交」「実質的に平行」「実質的に対称」「実質的に延在」「実質的に軸方向」「実質的に円柱形状」「実質的に円筒形状」「実質的にリング形状」「実質的に円環形状」等を含む概念とする。
　例えば「完全に中心」「完全に中央」「完全に均一」「完全に等しい」「完全に同じ」「完全に直交」「完全に平行」「完全に対称」「完全に延在」「完全に軸方向」「完全に円柱形状」「完全に円筒形状」「完全にリング形状」「完全に円環形状」等を基準とした所定の範囲（例えば±１０％の範囲）に含まれる状態も含まれる。
　従って、「略」「ほぼ」「おおよそ」等の文言が付加されていない場合でも、いわゆる「略」「ほぼ」「おおよそ」等を付加して表現され得る概念が含まれ得る。反対に、「略」「ほぼ」「おおよそ」等を付加して表現された状態について、完全な状態が必ず排除されるというわけではない。

　本開示において、「Ａより大きい」「Ａより小さい」といった「より」を使った表現は、Ａと同等である場合を含む概念と、Ａと同等である場合を含なまい概念の両方を包括的に含む表現である。例えば「Ａより大きい」は、Ａと同等は含まない場合に限定されず、「Ａ以上」も含む。また「Ａより小さい」は、「Ａ未満」に限定されず、「Ａ以下」も含む。
　本技術を実施する際には、上記で説明した効果が発揮されるように、「Ａより大きい」及び「Ａより小さい」に含まれる概念から、具体的な設定等を適宜採用すればよい。

　以上説明した本技術に係る特徴部分のうち、少なくとも２つの特徴部分を組み合わせることも可能である。すなわち各実施形態で説明した種々の特徴部分は、各実施形態の区別なく、任意に組み合わされてもよい。また上記で記載した種々の効果は、あくまで例示であって限定されるものではなく、また他の効果が発揮されてもよい。

　ＥＢ…エネルギービーム
　Ｏ…回転軸
　Ｐ…プラズマ
　Ｒ…放射線
　１、１１１…光源装置
　６…原料供給機構
　２２…回転体
　２２ａ…第１の面
　２２ｂ…第２の面
　２３…プラズマ原料
　２４…コンテナ
　２５…入射領域
　４１…プラズマ原料循環装置
　６０（６０Ａ～６０Ｊ）…原料供給ユニット
　６２…周縁部
　６３…浸漬部分
　６３ａ…入射面部
　６３ｂ…裏面部
　６４…突出面
　６５…エッジ部分
　６６…デブリ
　６７…側面カバー部
　６７ａ…側面カバー部の先端部
　６８…対向カバー部

Claims

　エネルギービームの照射を利用して液体原料をプラズマ化して放射線を取り出す光源装置であって、
　前記液体原料を収容する原料収容部と、
　前記エネルギービームの光路上に配置され、前記原料収容部に収容された前記液体原料に一部が浸漬され、所定の回転軸を中心に回転することで前記エネルギービームの入射領域に前記液体原料を供給する回転体と
　を具備し、
　前記回転体は、回転により前記液体原料に浸漬される浸漬部分の前記回転軸の軸方向において第１の側となる第１の浸漬面部、及び前記浸漬部分の前記第１の浸漬面部とは反対側となる第２の浸漬面部のうちの少なくとも一方が、前記回転軸に対して直交する方向の幅が前記回転軸の軸方向に沿って変化するように正面側に突出する突出面として構成される
　光源装置。
　請求項１に記載の光源装置であって、
　前記突出面は、前記回転軸の軸方向に沿って正面から見た場合に、周縁部から前記回転軸に向かって連続的に延在するように構成される
　光源装置。
　請求項１又は２に記載の光源装置であって、
　前記回転体は、前記回転軸の軸方向において、前記第１の側の第１の面と、前記第１の面の反対側の第２の面とを有し、
　前記第１の浸漬面部は、前記第１の面のうち前記回転体の回転により前記液体原料に浸漬される部分であり、
　前記第２の浸漬面部は、前記第２の面のうち前記回転体の回転により前記液体原料に浸漬される部分である
　光源装置。
　請求項３に記載の光源装置であって、
　前記第１の面及び前記第２の面のうちの少なくとも一方は、前記回転軸を中心として正面側に突出する曲面形状を有する
　光源装置。
　請求項４に記載の光源装置であって、
　前記回転軸を中心として正面側に突出する曲面形状は、球冠形状、円錐面形状、放物面形状、又は楕円面形状である
　光源装置。
　請求項３に記載の光源装置であって、
　前記第１の面及び前記第２の面のうちの一方は、前記回転軸を中心として正面側に突出する曲面形状を有し、
　前記第１の面及び前記第２の面のうちの他方は、前記回転軸に直交する平面形状、又は前記回転軸を中心として窪む曲面形状を有する
　光源装置。
　請求項１に記載の光源装置であって、さらに、
　前記回転体の周縁部を覆うように配置されるカバー部を具備する
　光源装置。
　請求項７に記載の光源装置であって、
　前記カバー部は、前記第１の浸漬面部と前記第２の浸漬面部との間のエッジ部分を覆うように配置される
　光源装置。
　請求項７又は８に記載の光源装置であって、
　前記第１の浸漬面部は、前記突出面として構成され、前記エネルギービームの入射領域が設定され、
　前記回転軸の軸方向において前記回転体の前記第１の浸漬面部側を前方側、前記回転体の前記第２の浸漬面部側を後方側とすると、
　前記カバー部の前方側の先端部は、前記第１の浸漬面部の前記エネルギービームの入射領域よりも後方側に配置される
　光源装置。
　請求項７又は８に記載の光源装置であって、
　前記第１の浸漬面部及び前記第２の浸漬面部のうちの一方は、前記突出面として構成され、
　前記第１の浸漬面部及び前記第２の浸漬面部のうちの他方は、前記突出面ではない非突出面として構成され、
　前記カバー部は、前記回転体の周縁部に対向する側面カバー部と、前記側面カバー部に接続され前記非突出面に対向する対向カバー部とを有する
　光源装置。
　請求項１０に記載の光源装置であって、
　前記非突出面と前記対向カバー部との間隔は、１ｍｍ以下である
　光源装置。
　請求項１に記載の光源装置であって、
　前記第１の浸漬面部は、前記回転軸に対して直交する方向の幅が前記回転軸の軸方向に沿って変化するように窪む窪み面であり、
　前記第１の浸漬面部のうち前記原料収容部に収容された前記液体原料側に向く部分に、前記エネルギービームの入射領域が設定される
　光源装置。
　請求項１に記載の光源装置であって、
　前記回転体は、前記第１の浸漬面部と前記第２の浸漬面部との間に構成され、前記回転軸の軸方向に延在する側面部を有し、
　前記側面部に、前記エネルギービームの入射領域が設定される
　光源装置。
　請求項１に記載の光源装置であって、
　ＬＰＰ（Laser Produced Plasma）方式の光源装置、又はＬＤＰ（Laser Assisted Discharge Produced Plasma）方式の光源装置として構成される
　光源装置。
　液体原料を収容する原料収容部と、
　エネルギービームの光路上に配置され、前記原料収容部に収容された前記液体原料に一部が浸漬され、所定の回転軸を中心に回転することで前記エネルギービームの入射領域に前記液体原料を供給する回転体と
　を具備し、
　前記回転体は、回転により前記液体原料に浸漬される浸漬部分の前記回転軸の軸方向において第１の側となる第１の浸漬面部、及び前記浸漬部分の前記第１の浸漬面部とは反対側となる第２の浸漬面部のうちの少なくとも一方が、前記回転軸に対して直交する方向の幅が前記回転軸の軸方向に沿って変化するように正面側に突出する突出面として構成される
　原料供給ユニット。