WO2024090019A1 - 原料供給装置及び光源装置 - Google Patents

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WO2024090019A1
WO2024090019A1 PCT/JP2023/031378 JP2023031378W WO2024090019A1 WO 2024090019 A1 WO2024090019 A1 WO 2024090019A1 JP 2023031378 W JP2023031378 W JP 2023031378W WO 2024090019 A1 WO2024090019 A1 WO 2024090019A1
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WO
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raw material
plasma
supply
liquid
tank
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PCT/JP2023/031378
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則孝 芦澤
泰伸 枚田
Original Assignee
ウシオ電機株式会社
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05GX-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16LPIPES; JOINTS OR FITTINGS FOR PIPES; SUPPORTS FOR PIPES, CABLES OR PROTECTIVE TUBING; MEANS FOR THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16L55/00Devices or appurtenances for use in, or in connection with, pipes or pipe systems
    • F16L55/10Means for stopping flow from or in pipes or hoses
    • F16L55/103Means for stopping flow from or in pipes or hoses by temporarily freezing liquid sections in the pipe
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H05G2/003X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
    • H05G2/006X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas details of the ejection system, e.g. constructional details of the nozzle
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05GX-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/008X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma

Definitions

  • the present invention relates to a raw material supply device that supplies plasma raw material that generates X-rays, extreme ultraviolet light, etc., and a light source device equipped with the raw material supply device.
  • X-rays have been used for medical, industrial and research purposes.
  • X-rays are used for applications such as chest radiography, dental radiography, and CT (Computer Tomogram).
  • CT Computer Tomogram
  • X-rays are used for applications such as non-destructive testing to observe the inside of materials such as structures and welds, and non-destructive tomographic testing.
  • X-rays are used for applications such as X-ray diffraction for analyzing the crystal structure of a substance, and X-ray spectroscopy (X-ray fluorescence analysis) for analyzing the constituent elements of a substance.
  • EUV Extreme ultraviolet light
  • the base material of a mask for EUV lithography in which a fine pattern is formed is a reflective mirror having a laminated structure in which a multilayer film (e.g., molybdenum and silicon) for reflecting EUV light is provided on a substrate made of low thermal expansion glass. Then, a material that absorbs radiation with a wavelength of 13.5 nm is patterned on the multilayer film to form an EUV mask.
  • a multilayer film e.g., molybdenum and silicon
  • EUV masks are usually inspected using what is called actinic inspection, which uses radiation of a wavelength that matches the working wavelength of lithography. For example, inspection using radiation with a wavelength of 13.5 nm allows defects to be detected with a resolution better than 10 nm.
  • Typical EUV light source devices include DPP (Discharge Produced Plasma) light source devices, LDP (Laser Assisted Discharge Produced Plasma) light source devices, and LPP (Laser Produced Plasma) light source devices.
  • DPP discharge Produced Plasma
  • LDP Laser Assisted Discharge Produced Plasma
  • LPP Laser Produced Plasma
  • the DPP light source device applies a high voltage between electrodes to which gaseous plasma raw material (discharge gas) containing EUV radiation species is supplied, generating a high-density, high-temperature plasma through discharge, and utilizes the extreme ultraviolet light emitted from it.
  • gaseous plasma raw material discharge gas
  • the LDP light source device is an improved version of the DPP light source device, and for example, it supplies liquid high-temperature plasma raw material (e.g., Sn (tin) or Li (lithium)) containing EUV radiating species to the surface of an electrode (discharge electrode) that generates a discharge, irradiates the raw material with an energy beam (e.g., electron beam or laser beam) to vaporize the raw material, and then generates high-temperature plasma by discharging the material.
  • liquid high-temperature plasma raw material e.g., Sn (tin) or Li (lithium)
  • an energy beam e.g., electron beam or laser beam
  • LPP light source devices excite EUV radiation species with a laser beam or the like to generate high-temperature plasma.
  • a known light source device of this type generates plasma by focusing laser light onto droplets of EUV radiation target material such as tin (Sn) or lithium (Li) ejected in the form of tiny liquid droplets.
  • Patent Document 1 also describes a light source device in which a rotor is partially immersed in a storage tank that stores liquid plasma raw materials for generating radiation such as X-rays and EUV, the liquid plasma raw materials are supplied from the storage tank to the surface of the rotor, and an energy beam (laser beam) is irradiated onto the surface of the rotor to obtain radiation.
  • This method corresponds to the so-called LPP method.
  • the film thickness of the plasma raw materials on the rotor is controlled to a predetermined thickness by a film thickness control mechanism.
  • an opening is provided in part of the cover-like structure surrounding the storage tank. An energy beam is irradiated through the opening onto the surface of the rotor on which the high-temperature plasma raw materials have been applied. This causes the plasma raw materials on the surface of the rotor to become plasma, and radiation can be obtained.
  • liquid plasma raw material is supplied to a storage tank from a liquid raw material circulation device via a raw material inlet line and a raw material outlet line.
  • a raw material inlet line and a raw material outlet line.
  • the liquid raw material circulation device described in Patent Document 1 includes a main body for circulating the liquid plasma raw material, as well as a raw material inlet pipe and a raw material outlet pipe that connect the main body to a storage tank. With this configuration, it is necessary to fill not only the storage tank but also the raw material inlet pipe and raw material outlet pipe with plasma raw material. For this reason, the main body of the liquid raw material circulation device is provided with another storage tank that stores the plasma raw material in a liquid state. To smoothly circulate the liquid plasma raw material between these two storage tanks and the raw material inlet pipe and raw material outlet pipe, a large amount of liquid plasma raw material is required.
  • the liquid plasma raw material supplied onto the rotor is converted to plasma by irradiation with an energy beam and consumed.
  • a portion of the liquid plasma raw material is also consumed by scattering as debris, etc.
  • Patent Document 2 describes a supply mechanism (tin supply mechanism) that circulates liquid plasma raw material (tin) to a container.
  • This supply mechanism is provided with a reservoir that has a larger capacity than the container and stores liquid tin.
  • Solid tin spheres are supplied to the reservoir from a tin filling mechanism. In this way, a method of directly supplying solid plasma raw material to a container that stores liquid plasma raw material is also conceivable.
  • the object of the present invention is to provide a raw material supply device and light source device that can reduce the amount of stored plasma raw material, suppress energy consumption, and provide a stable supply of plasma raw material.
  • a raw material supplying device is a raw material supplying device that supplies a plasma raw material that is converted into plasma by irradiation with an energy beam to generate radiation into a reduced pressure chamber, and includes a raw material tank and a supply control unit.
  • the raw material tank holds the plasma raw material in a liquid state.
  • the supply control unit has a supply pipe that connects the raw material tank and the decompression chamber and supplies the liquid plasma raw material held in the raw material tank to a storage container provided in the decompression chamber, and controls the supply of the liquid plasma raw material through the supply pipe.
  • the plasma raw material held in a liquid state in a raw material tank is supplied in liquid form through a supply pipe to a storage container in a reduced pressure chamber.
  • the supply of liquid plasma raw material through the supply pipe is controlled by a supply control unit. This makes it possible to supply liquid plasma raw material to the storage container as needed without circulating the raw material. As a result, it is possible to reduce the amount of plasma raw material stored, suppress energy consumption, and ensure a stable supply of plasma raw material.
  • the raw material tank may be provided outside the decompression chamber.
  • the supply pipe may connect the raw material tank to the decompression chamber by penetrating the wall of the decompression chamber.
  • the raw material tank may be disposed above the decompression chamber.
  • the supply pipe may supply the liquid plasma raw material from above the storage container.
  • the supply control unit may have a first valve mechanism provided in the supply pipe for opening and closing the flow of the liquid plasma raw material.
  • the first valve mechanism may be a first temperature control mechanism that adjusts the temperature of at least a portion of the supply pipe so that the plasma raw material can be changed into either a solid state or a liquid state.
  • the supply pipe may have a narrowed portion where the flow path is narrowed.
  • the first temperature control mechanism may be provided in the narrowed portion.
  • the supply pipe may have a first bent portion connected to the raw material tank side and bending the flow path of the liquid plasma raw material from downward to upward, and a second bent portion connected to the decompression chamber side and bending the flow path from upward to downward.
  • the lower surface of the flow path formed at the second bent portion may be positioned higher than the upper surface of the flow path formed at the first bent portion.
  • the supply control unit may have a second temperature control mechanism that adjusts the temperature of the first bent portion so that the plasma raw material can be changed into either a solid state or a liquid state.
  • the supply pipe may have an inlet through which the liquid plasma raw material flows from the raw material tank, and the inlet may be positioned so as to be higher than the inner bottom surface of the raw material tank.
  • the raw material tank may have a supply port through which the plasma raw material is replenished.
  • the inlet may be positioned so as not to overlap the supply port in the vertical direction.
  • the raw material supply device may further include a raw material supply section that supplies the raw material tank with the plasma raw material.
  • the raw material supply unit may supply the plasma raw material in a solid state to the raw material tank.
  • the raw material supply device may further include an exhaust pipe connecting the raw material tank and a specified exhaust mechanism.
  • the raw material supply unit may have a discharge unit that discharges the plasma raw material to be replenished to the raw material tank, a supply pipe that connects the discharge unit and the raw material tank and passes the plasma raw material discharged from the discharge unit, and a second valve mechanism that is provided in the supply pipe and maintains the reduced pressure atmosphere in the raw material tank.
  • the second valve mechanism may be configured as a load lock mechanism.
  • the storage container may have a storage section that opens upward and stores the liquid plasma raw material.
  • the supply pipe may have an outlet through which the liquid plasma raw material flows out, and the outlet may be positioned so as to be lower than the open end of the storage section of the storage container.
  • the supply control unit may have a third temperature control mechanism that adjusts the temperature of the portion of the supply pipe that protrudes into the reduced pressure chamber so that the plasma raw material is in either a solid state or a liquid state.
  • the third temperature control mechanism may be provided by penetrating the outer wall of the decompression chamber.
  • the storage container may have a storage section that opens upward and stores the liquid plasma raw material.
  • the supply pipe may have an outlet through which the liquid plasma raw material flows out.
  • the raw material supply device may further include a protective pipe that is disposed to surround the outlet and extends to a position lower than the open end of the storage section of the storage container.
  • a light source device is a light source device that converts a plasma raw material into plasma by irradiating it with an energy beam to generate radiation, and includes a reduced pressure chamber, a storage container, and a raw material supply device.
  • the storage container is provided within the decompression chamber, stores liquid plasma raw material, and supplies the liquid plasma raw material to a site irradiated with the energy beam.
  • the raw material supply device is a raw material tank for holding the plasma raw material in a liquid state;
  • the apparatus has a supply pipe that connects the raw material tank and the decompression chamber and supplies the liquid plasma raw material held in the raw material tank to the storage container provided in the decompression chamber, and a supply control unit that controls the supply of the liquid plasma raw material through the supply pipe.
  • the light source device may further include a rotating body onto which the energy beam is irradiated.
  • the storage vessel may be a raw material container that is arranged so that the rotating body is immersed and that supplies the liquid plasma raw material to the rotating body.
  • the storage container may be a rotating drum having a storage section that opens upward and stores the liquid plasma raw material on the inner surface of the storage section.
  • the energy beam may be irradiated onto the inner surface of the storage section.
  • the present invention makes it possible to reduce the amount of stored plasma raw material, reduce energy consumption, and ensure a stable supply of plasma raw material.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of the configuration of a light source device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing a configuration example of a plasma generation mechanism and a raw material supply device according to the first embodiment.
  • 3 is a flowchart showing an example of the operation of the raw material supplying device shown in FIG. 2 .
  • 5 is a flowchart showing an example of a raw material replenishing operation by the raw material supply device.
  • 4 is a flowchart showing an example of a raw material supplying operation by the raw material supplying device.
  • FIG. 13 is a schematic diagram showing a configuration example of a raw material supplying device according to a second embodiment.
  • FIG. 13 is a schematic diagram showing a configuration example of a raw material supplying device according to a third embodiment. 8 is a flowchart showing an example of a raw material supplying operation of the raw material supplying device shown in FIG. 7 .
  • FIG. 13 is a schematic diagram showing a configuration example of a raw material supplying device according to a fourth embodiment.
  • FIG. 10 is a schematic diagram showing an example of the operation of the raw material supplying device shown in FIG. 9 .
  • FIG. 13 is a schematic diagram showing a configuration example of a raw material supplying device according to a fifth embodiment.
  • FIG. 13 is a schematic diagram showing a configuration example of a raw material supplying device according to a sixth embodiment.
  • FIG. 13 is a schematic diagram showing a modified example of the raw material supplying device shown in FIG. 12 .
  • FIG. 13 is a schematic diagram showing a configuration example of a raw material supplying device according to a seventh embodiment.
  • 13 is a schematic diagram showing an example of the configuration of a light source device according to another embodiment.
  • FIG. 13 is a schematic diagram showing an example of the configuration of a light source device according to another embodiment.
  • FIG. 13 is a schematic diagram showing an example of the configuration of a light source device according to another embodiment.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of the configuration of a light source device according to a first embodiment of the present invention.
  • the light source device 100 is an LPP type light source device. That is, the light source device 100 is a device that irradiates the plasma raw material 1 with an energy beam EB, thereby exciting the plasma raw material 1 to generate plasma P, and extracts radiation R emitted from the plasma P to use as a light source.
  • radiation R includes light (electromagnetic waves) emitted from plasma P, such as light in the soft X-ray region, such as EUV light, and hard X-rays with higher energy.
  • an EUV raw material is used as the plasma raw material 1.
  • the raw material for emitting EUV light for example, liquid tin (Sn) or lithium (Li) is used. Sn and Li are solid at room temperature, but when irradiated with the energy beam EB, they are used in a liquid state.
  • an X-ray raw material is used as the plasma raw material 1.
  • the X-ray raw material is, for example, a metal that is liquid at room temperature, and for example, gallium (Ga), a gallium alloy, an Sn compound, etc. can be used.
  • FIG. 1 is a schematic cross-section of a light source device 100 taken along a horizontal direction at a position at a predetermined height from an installation surface, as viewed from above.
  • FIG. 1 in order to facilitate understanding of the configuration and operation of the light source device 100, cross-sections of parts that do not require explanation of the cross-sectional configuration, etc. are omitted.
  • the X direction is the left-right direction (the positive side of the X axis is the right side, and the negative side is the left side)
  • the Y direction is the front-rear direction (the positive side of the Y axis is the front side, and the negative side is the rear side)
  • the Z direction is the height direction (the positive side of the Z axis is the upper side, and the negative side is the lower side).
  • the application of the present technology is not limited to the orientation in which the light source device 100 is used.
  • the light source device 100 includes a housing 2, a vacuum chamber 3, an energy beam entrance chamber 4, a radiation exit chamber 5, a plasma generation mechanism 6, a control unit 7, and a raw material supply device 30.
  • the raw material supply device 30 is diagrammatically illustrated by a fine dotted frame. The configuration of the raw material supply device 30 will be described in detail later with reference to FIG. 2 etc.
  • the housing 2 is configured so that its outer shape is roughly cubic.
  • the shape of the housing 2 is not limited to a cube, and any three-dimensional shape may be used.
  • the housing 2 has an emission hole 2a formed in the front surface, an incidence hole 2b formed in the right side surface, a through hole 2c formed in the rear surface, and a through hole 2d formed in the left side surface.
  • the material of the housing 2 is not limited, and for example, a metal housing is used.
  • the emission axis EA of the radiation R is set to pass through the emission hole 2a on the front surface and extend in the Y direction (front-rear direction).
  • the radiation R such as X-rays or EUV light, is extracted along the emission axis EA and emitted forward from the emission hole 2a.
  • the incidence axis IA of the energy beam EB is set so as to extend obliquely leftward toward the rear side from the incidence hole 2b on the right side surface.
  • a beam source 8 that emits an energy beam EB is provided outside the housing 2.
  • the beam source 8 is provided such that the energy beam EB is incident on the inside of the housing 2 along an incident axis IA.
  • the energy beam EB may be an electron beam or a laser beam, and the beam source 8 may be configured in any manner that can emit the energy beam EB.
  • the light source device 100 is provided with a chamber section C including a plurality of chambers.
  • the chamber section C has a vacuum chamber 3, an energy beam entrance chamber (hereinafter simply referred to as an entrance chamber) 4, and a radiation exit chamber (hereinafter simply referred to as an exit chamber) 5.
  • the vacuum chamber 3, the entrance chamber 4 and the exit chamber 5 are spatially connected to one another. That is, the vacuum chamber 3 and the entrance chamber 4 are connected to each other. Similarly, the vacuum chamber 3 and the exit chamber 5 are connected to each other.
  • the entrance chamber 4 is formed so as to be located on the entrance axis IA of the energy beam EB, and the exit chamber 5 is formed so as to be located on the exit axis EA of the radiation R.
  • the vacuum chamber 3 is provided with a mechanism for generating plasma P.
  • the chamber section C (vacuum chamber 3, entrance chamber 4, and exit chamber 5) is constituted by a chamber main body 9, an outer protrusion 9a protruding forward from the front surface of the chamber main body 9, and two inner protrusions 9b and 9c protruding inward from the inner surface of the chamber main body 9.
  • the chamber body 9, the outer protrusion 9a, and the two inner protrusions 9b and 9c that constitute the chamber C are made of a metallic material.
  • the chamber main body 9 is configured so that the outer shape is roughly a rectangular parallelepiped, and is disposed so that its front, rear, left and right sides face the front, rear, left and right sides of the housing 2, respectively. Further, the chamber body 9 is disposed so that the right front corner between the front surface and the right side surface is located on the incidence axis IA of the energy beam EB.
  • an exit hole 9d is formed in the front surface of the chamber body 9.
  • the exit hole 9d is formed at a position aligned with the exit hole 2a in the front surface of the housing 2 on the exit axis EA of the radiation R.
  • An outer protrusion 9a is configured to protrude forward from the peripheral edge of the emission hole 9d of the chamber body 9.
  • the outer protrusion 9a is configured to protrude farther forward than the emission hole 2a of the housing 2 so as to be inscribed in the emission hole 2a of the housing 2.
  • an inner protrusion 9b is formed so as to protrude inward from the periphery of the emission hole 9d.
  • the space surrounded by the outer protrusion 9a and the inner protrusion 9b functions as the emission chamber 5.
  • the outer protrusion 9a and the inner protrusion 9b which are members constituting the emission chamber 5, may themselves be called the emission chamber.
  • the outer protrusion 9 a and the inner protrusion 9 b may be formed integrally with the chamber body 9 , or may be formed separately and then connected to the chamber body 9 .
  • the exit chamber 5 is configured to have a cone shape with the exit axis EA of the radiation R as its central axis.
  • the exit chamber 5 is configured so that, in the direction of the exit axis EA of the radiation R, the cross-sectional area is large in the center and becomes smaller as the cross-sectional area approaches the front and rear ends.
  • the exit chamber 5 has a shape that narrows as it approaches the front and rear ends.
  • the exit chamber 5 also has openings (apertures) at the front and rear ends to allow the radiation R to pass through.
  • a utilization device such as a mask inspection device is connected to the front end of the emission chamber 5 (the front end of the outer protrusion 9a).
  • an application chamber 10 is connected as a chamber that forms part of the utilization device.
  • the pressure inside the application chamber 10 may be atmospheric pressure.
  • the inside of the application chamber 10 may be purged by introducing a gas (e.g., an inert gas) from a gas injection path as necessary.
  • the gas inside the application chamber 10 may be exhausted by an exhaust means not shown.
  • a filter film 11 is provided between the emission chamber 5 and the application chamber 10 to physically separate the area where the plasma P is generated from the application chamber 10.
  • the filter film 11 is made of a material that is permeable to radiation, and prevents the plasma raw material 1 and debris that are scattered as the plasma P is generated from entering the application chamber 10.
  • a collector (focusing mirror) 12 is arranged to guide and focus the radiation R that enters the emission chamber 5 into the utilization device (inside the application chamber 10).
  • the components of the radiation R that enters the emission chamber 5 and is focused are shown by hatching.
  • a shielding member (central obscuration) 13 is also disposed inside the emission chamber 5.
  • the shielding member 13 is disposed on the emission axis EA of the radiation R so as to be aligned with the emission hole 9d of the chamber body 9, the emission hole 2a of the housing 2, and the filter film 11.
  • the shielding member 13 can block radiation components that are not collected by the collector 12.
  • An entrance window 14 is formed in the right front corner of the chamber body 9.
  • the entrance window 14 is formed at a position aligned with the entrance hole 2b on the right side surface of the housing 2 on the entrance axis IA of the energy beam EB.
  • an inner protrusion 9c is configured on the inner side of the right front corner of the chamber body 9 so as to protrude from a position surrounding the entrance window 14 along the direction of the entrance axis IA of the energy beam EB.
  • the space surrounded by the inner protrusion 9c functions as the incident chamber 4.
  • the inner protrusion 9c and the right front corner portion of the chamber main body 9 which constitute the incident chamber 4 can themselves be called the incident chamber.
  • the inner protrusion 9 c may be formed integrally with the chamber body 9 , or may be formed separately and then connected to the chamber body 9 .
  • the incident chamber 4 is configured to be cone-shaped with the incident axis IA of the energy beam EB as its central axis.
  • the incident chamber 4 is configured so that its cross-sectional area decreases as it approaches the inner end of the chamber body 9 in the direction of the incident axis IA of the energy beam EB.
  • the incident chamber 4 has a shape that narrows as it approaches the inner end.
  • the incident chamber 4 also has an opening (aperture) at its inner end that allows the energy beam EB to pass through.
  • a capture mechanism is placed inside the injection chamber 4 to capture the scattered plasma raw material 1 and debris.
  • a rotary window 15 which is a plate-shaped rotating member that transmits the energy beam EB and captures the plasma raw material 1 and debris, is placed as the capture mechanism. By rotating the rotary window 15, the effective area of the beam transmission region of the rotary window 15 is increased, making it possible to reduce the frequency of replacing the rotary window 15.
  • the emission chamber 5 and the entrance chamber 4 are provided with gas injection paths 16a and 16b, respectively, and gas is supplied to the inside of the emission chamber 5 and the entrance chamber 4 from a gas supply device (not shown).
  • the emission chamber 5 is supplied with a gas having a high transmittance to the radiation R.
  • the entrance chamber 4 is supplied with a gas having a high transmittance to the energy beam EB.
  • the gases supplied to the emission chamber 5 and the incidence chamber 4 may be the same or different.
  • argon or helium can be used as gases having high transmittance for both the energy beam EB and the radiation R.
  • the type of gas supplied to the emission chamber 5 and the incidence chamber 4 is not limited. By supplying gas, the internal pressure of the emission chamber 5 and the incidence chamber 4 can be set to a pressure higher than the internal pressure of the vacuum chamber 3, making it possible to suppress the intrusion of debris and the like.
  • the part that constitutes the vacuum chamber 3 itself can also be called the vacuum chamber.
  • the vacuum chamber 3 corresponds to a reduced pressure chamber.
  • the chamber body 9 has a portion that protrudes from the housing 2 to the outside through a through hole 2d on the left side surface of the housing 2, and the tip of the portion is connected to an exhaust pump 17.
  • the specific configuration of the exhaust pump 17 is not limited, and any pump such as a vacuum pump may be used.
  • the vacuum chamber 3 is evacuated by the exhaust pump 17, and the pressure inside the vacuum chamber 3 is reduced. This suppresses the attenuation of the radiation R generated within the vacuum chamber 3.
  • the inside of the vacuum chamber 3 need only be a reduced pressure atmosphere relative to the entrance chamber 4 and the exit chamber 5, and does not necessarily have to be a vacuum atmosphere. Also, an inert gas may be supplied into the vacuum chamber 3.
  • the gas nozzle 18 is installed so as to extend in the left-right direction toward the region between the entrance axis IA and the exit axis EA.
  • the gas nozzle 18 is installed on the right side surface of the chamber body 9 via a seal member or the like.
  • the gas nozzle 18 is connected to a gas supply device (not shown) and supplies gas into the chamber body 9. 1, gas is sprayed from the gas nozzle 18 from the right side of the region between the entrance axis IA and the exit axis EA to the left side along the left-right direction. This makes it possible to move debris emitted from the plasma P in a direction away from the entrance axis IA and the exit axis EA.
  • the plasma generating mechanism 6 is a mechanism for generating plasma P in the vacuum chamber 3 and emitting radiation R (X-rays, EUV light).
  • the plasma generation mechanism 6 includes a disk-shaped rotor 20 for supplying raw material, and a raw material container 21 for accommodating the liquid plasma raw material 1.
  • the rotor 20 and the raw material container 21 are disposed inside the vacuum chamber 3.
  • an energy beam EB is incident on a disk-shaped rotating body 20.
  • the rotating body 20 is arranged in the vacuum chamber 3 so that the irradiation position I of the energy beam EB is located at the intersection of the entrance axis IA and the exit axis EA.
  • the rotating body 20 corresponds to the rotating body that is irradiated with the energy beam.
  • the shape of the rotating body is not limited to a disk shape, and for example, a polygonal shaped rotating body may be used.
  • the raw material container 21 is provided so that the rotor 20 is immersed therein, and supplies liquid plasma raw material 1 to the rotor 20.
  • the rotor 20 is held rotatably while immersed in the liquid plasma raw material 1 in the raw material container 21, and the plasma raw material 1 adheres to the surface of the rotor 20.
  • the plasma raw material 1 is supplied to the irradiation position I of the rotor 20.
  • the energy beam EB is incident on the irradiation position I of the rotor 20, and plasma P is generated.
  • the raw material container 21 is provided in the vacuum chamber 3, stores the liquid plasma raw material 1, and supplies the liquid plasma raw material 1 to the irradiation position I of the energy beam EB.
  • the raw material container 21 is an example of a storage vessel, and corresponds to a raw material container. The rest of the configuration of the plasma generation mechanism 6 will be described in detail later.
  • the control unit 7 controls the operation of each of the components of the light source device 100 .
  • the control unit 7 controls the operations of the beam source 8 and the exhaust pump 17.
  • the control unit 7 also controls the operations of various motors, a raw material supply device 30, and the like, which will be described later.
  • the control unit 7 has hardware circuits necessary for a computer, such as a CPU, memory (RAM, ROM), etc.
  • the CPU loads a control program stored in the memory into the RAM and executes it, thereby performing various processes.
  • the control unit 7 may be implemented by a programmable logic device (PLD) such as a field programmable gate array (FPGA) or other device such as an application specific integrated circuit (ASIC).
  • PLD programmable logic device
  • FPGA field programmable gate array
  • ASIC application specific integrated circuit
  • FIG. 1 the control unit 7 is illustrated diagrammatically as a functional block, but the position where the control unit 7 is constructed may be designed arbitrarily.
  • a radiological diagnostic unit 19 is configured in a region on the front side of the chamber body 9 that is spatially connected to the vacuum chamber 3.
  • the radiological diagnostic unit 19 is configured at a position where radiation R, which is emitted in a direction different from the emission axis EA of the radiation R, is incident.
  • the radiological diagnostic unit 19 measures the state of radiation R from the plasma P.
  • the state of radiation R refers to the physical state of radiation R, such as the intensity, wavelength, and spectrum of radiation R.
  • the radiological diagnostic unit 19 is configured by a detector that detects the presence or absence of radiation R and a measuring device that measures the output of radiation. The measurement results obtained by the radiation diagnostic unit 19 are used for diagnosis of radiation R and for controlling the operation of the raw material supply device 30, which will be described below.
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing an example of the configuration of the plasma generation mechanism and raw material supply device according to the first embodiment.
  • FIG. 2 shows a schematic diagram of an example of the cross-sectional configuration when the rotor 20 is viewed from the direction of arrow A in FIG. 1. Note that the housing 2, the energy beam entrance chamber 4, and the radiation exit chamber 5 are omitted in FIG. 2.
  • the plasma generation mechanism 6 includes a rotating body 20, a raw material container 21, a motor 26, a shaft portion 27, and a skimmer 28.
  • the rotating body 20 is a disk-shaped member that rotates around the rotation axis O to supply the plasma raw material 1 to the plasma generation region.
  • the rotating body 20 is typically positioned so that the rotation plane is parallel to the vertical direction, i.e., the rotation axis O is parallel to the horizontal direction. Note that the rotating body 20 can also be positioned so that the rotation axis O is inclined with respect to the horizontal direction.
  • the rotating body 20 has a front surface 20a and a back surface 20b, and is disposed so that the energy beam EB is incident on the front surface 20a.
  • An irradiation position I at which the energy beam EB is incident is set at a predetermined position on the front surface 20a.
  • the main surface at which the irradiation position I of the energy beam EB is set is the front surface 20a.
  • the main surface on the opposite side is the back surface 20b.
  • the rotor 20 is made of a high melting point metal such as tungsten (W), molybdenum (Mo), or tantalum (Ta).
  • the raw material container 21 has a bottom 22, an outer wall 23, and a storage section 24.
  • the bottom 22 is a section that constitutes the bottom of the raw material container 21.
  • the outer wall 23 is a section that protrudes upward so as to surround the bottom 22.
  • the storage section 24 is an area surrounded by the bottom 22 and the outer wall 23, is open upward, and stores the liquid plasma raw material 1.
  • the liquid plasma raw material 1 is supplied to the storage section 24 from a raw material supply device 30, which will be described later. A portion of the lower side of the rotor 20 is immersed in the plasma raw material 1 stored in the storage section 24. At this time, the position of the rotor 20 and the amount of plasma raw material 1 stored in the storage section 24 are set so that at least a portion of the surface 20a of the rotor 20 is immersed in the plasma raw material 1.
  • an X-ray raw material is used as the plasma raw material 1.
  • the X-ray raw material is a metal or metal compound that is liquid at room temperature, and for example, gallium (Ga), a gallium alloy, an Sn compound, etc. can be used.
  • EUV light is emitted as the radiation R
  • an EUV raw material is used as the plasma raw material 1.
  • the raw material for emitting EUV light for example, liquid tin (Sn) or lithium (Li) is used. Since Sn and Li are solid at room temperature, a temperature control means (not shown) is provided in the source container 21. For example, when the EUV source material is Sn, the source container 21 is maintained at a temperature equal to or higher than the melting point of Sn.
  • the raw material container 21 is configured so that its longitudinal direction is longer than the diameter of the rotor 20.
  • the rotor 20 is also disposed close to one longitudinal end of the raw material container 21. Therefore, at the other longitudinal end of the raw material container 21, an area is formed in which the storage section 24 is exposed when viewed from above, and liquid plasma raw material 1 is supplied from above this area.
  • the shape of the raw material container 21 is not limited, and for example, the raw material container 21 may be configured so that its lateral direction is longer than the example shown in FIG. 1. In this case, it is possible to expose a relatively large area of the storage section 24 in the lateral direction. Liquid plasma raw material 1 may be supplied from above such an area.
  • the rotating body 20 and raw material container 21 are configured so that the area where the storage section 24 is exposed and where the plasma raw material 1 is supplied does not overlap with the incident axis IA of the energy beam EB or the exit axis EA of the radiation R in a plan view from above.
  • a shaft portion 27 of a motor 26 is connected to the center of the rear surface 20b of the rotating body 20.
  • the operation of the motor 26 is controlled by the control unit 7, and the rotating body 20 is rotated via the shaft portion 27.
  • the shaft portion 27 is a columnar member extending in a direction perpendicular to the surface 20 a of the rotating body 20 , and its central axis serves as the rotation axis O of the rotating body 20 and the motor 26 .
  • the shaft portion 27 passes through the through hole 2c of the housing 2 and is introduced into the vacuum chamber 3 via the mechanical seal 29. At this time, the shaft portion 27 is arranged so as not to come into contact with the housing 2 (through hole 2c).
  • the mechanical seal 29 allows the shaft portion 27 to rotate while maintaining the reduced pressure atmosphere in the vacuum chamber 3.
  • the rotor 20 is positioned so that it is immersed in the plasma raw material 1 stored in the raw material container 21.
  • the rotor 20 rotates around the shaft 27 (rotation axis O)
  • it conforms to the surface 20a
  • the plasma raw material 1 attached to the surface 20a is pulled up from the raw material container 21.
  • the plasma raw material 1 is applied to the entire circumference of the surface 20a.
  • the plasma raw material 1 applied to the surface 20a is transported to the irradiation position I of the energy beam EB as the rotor 20 rotates.
  • the plasma raw material 1 is supplied to the rotor 20 by the raw material container 21, motor 26, and shaft 27.
  • an irradiation position I of the energy beam EB is set near the periphery of the surface 20a of the rotor 20.
  • the configuration and operation of the motor 26 and shaft 27 are appropriately designed so that the plasma raw material 1 is supplied to this irradiation position I.
  • the skimmer 28 is provided at a predetermined position on the periphery of the rotor 20 as a film thickness adjusting member for adjusting the film thickness of the plasma raw material 1 supplied onto the surface 20a of the rotor 20 to a predetermined film thickness.
  • the skimmer 28 is, for example, a structure having a channel structure, and is arranged with a predetermined gap therebetween so as to sandwich the rotor 20.
  • the skimmer 28 functions as a scraper that scrapes off a portion of the plasma raw material 1 applied to the surface 20a of the rotor 20.
  • the distance between the surface 20a of the rotor 20 and the skimmer 28 corresponds to the film thickness of the plasma raw material 1 at the irradiation position I of the energy beam EB, which is set on the surface 20a of the rotor 20.
  • the skimmer 28 is placed at a position where the film thickness of the plasma raw material 1 at the irradiation position I can be adjusted to a predetermined film thickness.
  • the distance between the surface 20a of the rotor 20 and the skimmer 28 is appropriately set.
  • the liquid plasma raw material 1 applied to the rotor 20 in the raw material storage portion of the raw material container 21 is adjusted so that the film thickness on the rotor 20 becomes a predetermined thickness when it passes through the skimmer 28 due to the rotation of the rotor 20.
  • the plasma raw material 1 on the rotor 20, whose film thickness has been adjusted by the skimmer 28, is transported to irradiation position I of the energy beam EB as the rotor 20 rotates. That is, the direction of rotation of the rotor 20 is the direction in which the plasma raw material 1 on the rotor 20 is transported to irradiation position I after passing through the skimmer 28. Then, at irradiation position I, the plasma raw material 1 on the rotor 20 is irradiated with the energy beam EB, and plasma P is generated.
  • the skimmer 28 makes it possible to supply the plasma raw material 1 almost uniformly to the irradiation position I. By stabilizing the thickness of the plasma raw material 1 at the irradiation position I, it becomes possible to stabilize the intensity of the radiation R emitted from the plasma P.
  • the raw material supply device 30 is connected to the vacuum chamber 3 of the light source device 100.
  • the raw material supply device 30 is a device that supplies into the vacuum chamber 3 the plasma raw material 1 that is converted into plasma by irradiation with the energy beam EB to generate radiation R.
  • the raw material supplying device 30 has a raw material discharge section 31, a raw material supplying pipe 32, a supplying valve 33, a raw material tank 34, a raw material supplying pipe 35, and a supplying valve 36.
  • the raw material supplying device 30 also has a pressure gauge 37 and an exhaust pipe 38.
  • the replenishment plasma raw material 1 is discharged from a raw material discharge portion 31.
  • the replenishment plasma raw material 1 is introduced into a raw material tank 34 via a raw material supply pipe 32 and a supply valve 33.
  • the plasma raw material 1 is held in a liquid state in the raw material tank 34.
  • the liquid plasma raw material 1 held in the raw material tank 34 is introduced into the reservoir 24 of the raw material container 21 in the vacuum chamber 3 via a raw material supply pipe 35 and a supply valve 36.
  • the raw material supply device 30 is provided with a raw material tank 34 that holds the plasma raw material 1 in a liquid state.
  • the raw material supply device 30 is also configured to be able to supply the plasma raw material 1 in a liquid state to the storage section 24 of the raw material container 21 provided in the vacuum chamber 3.
  • liquid plasma raw material 1 is stored in the raw material container 21 and the raw material tank 34.
  • the amount stored in the raw material tank 34 only needs to be an amount capable of replenishing the plasma raw material consumed during operation of the device, and so it may be less than the amount stored in the raw material container 21, for example.
  • the plasma raw material 1 in the raw material tank 34 is maintained in a liquid state.
  • the raw material tank 34 has a small capacity, and it is possible to heat and keep the plasma raw material 1 warm with a relatively small amount of power. This makes it possible to reduce energy consumption.
  • the raw material supply device 30 can supply liquid plasma raw material as needed to the raw material container 21. This makes it possible to stably supply the plasma raw material.
  • the introduction of the plasma raw material 1 into the raw material tank 34 is described as “replenishment,” and the introduction of the liquid plasma raw material from the raw material tank 34 into the raw material container 21 is described as “supply.”
  • the configuration of each part of the raw material supplying device 30 will be specifically described below.
  • the raw material discharge part 31 discharges the plasma raw material 1 (replenishment plasma raw material) to be replenished to the raw material tank 34.
  • the raw material discharge part 31 is configured appropriately according to the type of replenishment plasma raw material 1, but is typically configured as a mechanism for storing the plasma raw material 1 and discharging the required amount.
  • Raw material supply pipe 32 connects raw material discharge portion 31 with raw material tank 34 and allows replenishment plasma raw material 1 discharged from raw material discharge portion 31 to pass through.
  • the supply valve 33 is provided in the raw material supply pipe 32 and maintains the reduced pressure atmosphere in the raw material tank 34. As the supply valve 33, for example, a mechanical valve or the like is used which opens and closes the raw material supply pipe 32 so that the supply plasma raw material 1 can pass through.
  • the raw material discharge section 31 corresponds to the discharge section
  • the raw material supply pipe 32 corresponds to the supply pipe
  • the supply valve 33 corresponds to the second valve mechanism. Furthermore, the raw material discharge section 31, the raw material supply pipe 32, and the supply valve 33 function as a raw material supply section that supplies plasma raw material to the raw material tank.
  • the plasma raw material 1 to be replenished to the raw material tank 34 is in a solid state (solid phase) or liquid state (liquid phase).
  • the plasma raw material 1 for generating EUV light is a metal raw material (Sn, Li, etc.) that is solid at room temperature.
  • metal bodies obtained by processing Sn or Li into a sphere or pellet shape are used as the supplemental plasma raw material 1.
  • the plasma raw material 1 for generating radiation R is a metal raw material or metal compound (Ga, Ga alloy, Sn compound, etc.) that is liquid at room temperature. In this case, the liquid metal raw material is used as is as the supplemental plasma raw material 1.
  • the raw material discharge section 31, raw material supply pipe 32, and supply valve 33 are each configured so that the plasma raw material 1 in a solid or liquid state can be replenished to the raw material tank .
  • a solid metal raw material is mainly used as the supplementary plasma raw material 1 will be described.
  • Raw material tank 34 is provided outside vacuum chamber 3 and holds plasma raw material 1 in a liquid state. That is, raw material tank 34 is configured so that it is possible to store liquid plasma raw material 1 in the internal space.
  • Raw material resupply pipe 32 and raw material supply pipe 35 are connected to raw material tank 34 so as to communicate with the interior. Furthermore, the raw material tank 34 has a heating mechanism 40.
  • the heating mechanism 40 is a mechanism for heating the plasma raw material 1 inside the raw material tank 34. As the heating mechanism 40, for example, a heater using an electric heating wire or the like is used.
  • the plasma raw material 1 supplied from the raw material supply pipe 32 to the raw material tank 34 is maintained at a predetermined temperature so that the plasma raw material 1 is in a liquid state, regardless of the state (solid or liquid) at the time of supply.
  • the plasma raw material 1 is Sn
  • the plasma raw material 1 in the raw material tank 34 is maintained at a temperature above the melting point of Sn. This makes it possible to maintain the plasma raw material 1 in the raw material tank 34 in a liquid state.
  • a temperature control mechanism capable of adjusting the temperature of the raw material tank 34 may be provided instead of the heating mechanism 40.
  • the capacity of the raw material tank 34 is set to an amount that can store, for example, one supply of plasma raw material 1 to the raw material container 21.
  • the raw material tank 34 is configured to be able to store approximately 1.5 to 3 times the amount of plasma raw material 1 that is supplied at one time.
  • the raw material tank 34 itself small, it is possible to reduce the energy consumed during the heating operation by the heating mechanism 40.
  • the raw material tank 34 is placed above the vacuum chamber 3. This allows the liquid plasma raw material 1 to be introduced into the vacuum chamber 3 by its own weight. This makes it possible to simplify the device configuration.
  • an exhaust pipe 38 is connected to the raw material tank 34, which connects the raw material tank 34 to a vacuum exhaust device 45.
  • the vacuum exhaust device 45 is a device for exhausting the inside of the raw material tank 34 to create a reduced pressure atmosphere, and is configured using a vacuum pump, etc. In this embodiment, the vacuum exhaust device 45 corresponds to a predetermined exhaust mechanism.
  • a pressure gauge 37 that measures the pressure inside the raw material tank 34 is connected to the raw material tank 34.
  • the measured value of the pressure gauge 37 is output to the control unit 7. This makes it possible to operate the raw material supplying device 30 while referring to the pressure inside the raw material tank 34.
  • the raw material tank 34 may be appropriately provided with a liquid level sensor that detects the liquid level of the liquid plasma raw material 1 , a temperature sensor that detects the temperature of the liquid plasma raw material 1 , and the like.
  • the raw material supply pipe 35 connects the raw material tank 34 and the vacuum chamber 3, and supplies the liquid plasma raw material 1 held in the raw material tank 34 to the raw material container 21 provided in the vacuum chamber 3.
  • the raw material supply pipe 35 penetrates the wall of the vacuum chamber 3 to connect the raw material tank 34 and the vacuum chamber 3.
  • the raw material supply pipe 35 has an inlet 35a through which the liquid plasma raw material flows in from the raw material tank 34, and an outlet 35b through which the liquid plasma raw material 1 flows out.
  • a supply valve 36 which will be described later, is provided between the inlet 35a and the outlet 35b.
  • the raw material supply pipe 35 corresponds to a supply pipe.
  • the raw material supply pipe 35 is installed to penetrate the wall of the raw material tank 34 and the wall of the vacuum chamber 3, and spatially connects the raw material tank 34 and the vacuum chamber 3. Furthermore, the penetration portion between the raw material supply pipe 35 and the wall of the vacuum chamber 3 is appropriately sealed in order to maintain a reduced pressure atmosphere inside the vacuum chamber.
  • the inlet 35a of the raw material supply pipe 35 is connected to the bottom surface of the raw material tank 34.
  • the position where the inlet 35a is provided is not limited, and the inlet 35a may be provided on the side surface of the raw material tank 34, for example.
  • the outlet 35b of the raw material supply pipe 35 is disposed opposite the upper surface of the bottom 22 of the raw material container 21 (the bottom surface of the storage portion 24). In other words, the outlet 35b of the raw material supply pipe 35 is disposed above the storage portion 24 formed in the raw material container 21. Therefore, the raw material supply pipe 35 supplies the liquid plasma raw material 1 to the raw material container 21 from above the raw material container 21.
  • an area where the storage section 24 is exposed is formed along the longitudinal direction of the raw material container 21.
  • the raw material supply device 30 is positioned so that the outlet 35b of the raw material supply pipe 35 is located in this area where the storage section 24 is exposed.
  • the supply valve 36 is provided in the raw material supply pipe 35 and opens and closes the flow of the liquid plasma raw material 1.
  • a valve equipped with a mechanical opening and closing mechanism such as a needle valve or a ball valve, is used.
  • the supply valve 36 is also configured so that its opening and closing can be automatically controlled by a servo motor or the like.
  • any opening and closing mechanism may be used that is capable of controlling the flow of the liquid plasma raw material 1.
  • the supply valve 36 is an example of a first valve mechanism.
  • the raw material supply pipe 35 by providing a mechanical supply valve 36 to the raw material supply pipe 35, the supply of liquid plasma raw material 1 from the raw material tank 34 to the raw material container 21 through the raw material supply pipe 35 is controlled.
  • the supply valve 36 By using the supply valve 36, it becomes possible, for example, to switch between starting and stopping the supply of liquid plasma raw material 1 in a relatively short time. As a result, it becomes possible to precisely control the supply of the raw material to the raw material container 21.
  • the raw material supply pipe 35 and the supply valve 36 function as a supply control unit.
  • the operation of the raw material supply device 30 is controlled, for example, by using the control unit 7 described above.
  • the control unit 7 is configured to be able to control the operation of the raw material discharge unit 31, the refill valve 33, the heating mechanism 40 of the raw material tank 34, the vacuum exhaust device 45, the pressure gauge 37, the supply valve 36, etc.
  • a dedicated computing unit for controlling the raw material supply device 30 may be provided separately from the control unit 7.
  • the operation of replenishing the plasma raw material 1 discharged from raw material discharge part 31 to raw material tank 34 is generally performed in an atmospheric pressure environment. That is, raw material discharge part 31 discharges plasma raw material 1 into raw material tank 34 while raw material tank 34 is open to the atmosphere.
  • the heating mechanism 40 or temperature control mechanism
  • the atmosphere in the raw material tank 34 needs to be equivalent to the reduced pressure atmosphere in the vacuum chamber 3.
  • a supply valve 33 is provided in a raw material supply pipe 32 connecting the raw material discharge part 31 and the inside of the raw material tank 34, and a supply valve 36 is provided in a raw material supply pipe 35 connecting the inside of the raw material tank 34 and the inside of the vacuum chamber 3.
  • a load lock mechanism is formed in the raw material supply device 30 by the two valves (the supply valve 33 and the supply valve) provided between the atmospheric atmosphere and the vacuum chamber 3.
  • raw material tank 34 is evacuated by vacuum exhaust device 45 connected via exhaust pipe 38.
  • vacuum exhaust device 45 connected via exhaust pipe 38.
  • raw material tank 34 is in a reduced pressure atmosphere, making it possible to suppress deterioration due to oxidation of the liquid plasma raw material 1 held in raw material tank 34.
  • Fig. 3 is a flow chart showing an example of the operation of the raw material supplying apparatus shown in Fig. 2.
  • the control of the raw material supplying apparatus 30 shown in Fig. 3 is automatic control executed by the control unit 7.
  • steady operation refers to an operation that is performed when the raw material replenishing operation of replenishing the raw material tank 34 with the plasma raw material 1 and the raw material supply operation of supplying the plasma raw material 1 from the raw material tank 34 to the raw material container 21 are not being performed.
  • the replenishment valve 33 and the supply valve 36 are both closed, the raw material tank 34 is evacuated by the vacuum exhaust device 45, and the heating mechanism 40 operates to maintain the liquid plasma raw material 1 at a constant temperature.
  • step 102 it is determined whether or not to replenish raw material tank 34 with plasma raw material 1 (step 102). This determination is made by determining whether the amount of plasma raw material 1 in raw material tank 34 has decreased to a predetermined amount.
  • the amount of plasma raw material 1 contained in raw material tank 34 is determined, for example, by detecting the liquid level of the liquid plasma raw material 1 in raw material tank 34.
  • control unit 7 monitors the amount of liquid plasma raw material 1 contained in raw material tank 34 using a predetermined detection mechanism (not shown).
  • a level sensor using a thermocouple or a resistive element or the like is used.
  • a distance measuring sensor using a laser beam may be used.
  • step 104 it is determined whether or not the entire operation of the raw material supply device 30 is to be terminated. For example, when the light source device 100 is stopped or when maintenance of the raw material supply device 30 is to be performed, it is determined that the entire operation is to be terminated (Yes in step 104). On the other hand, when the entire operation is not to be terminated, the process returns to step 101 and normal operation is started.
  • the plasma raw material 1 in the raw material tank 34 has not decreased to a predetermined amount, it is determined not to replenish the raw material tank 34 with plasma raw material 1 (No in step 102), and it is determined whether or not to supply plasma raw material 1 to the raw material container 21 (step 105). This determination is a process of determining whether or not to execute the raw material supply operation from the raw material tank 34 to the raw material container 21.
  • the remaining amount of plasma raw material 1 in the raw material container 21 is detected, and if the detection result is lower than a predetermined threshold, it is decided that a raw material supply operation should be performed.
  • the light source device 100 is used as part of other equipment such as a manufacturing device or an inspection device. Therefore, when the equipment is not operating, i.e., when the light source device 100 is not being used, the liquid level of the plasma raw material 1 stored in the raw material container 21 is observed by means of a laser displacement meter or the like. Based on the observation results, it is decided whether or not to perform a raw material supply operation. Note that, because the raw material supply is performed in a liquid state, it can be completed in a shorter period of time than if it were supplied in a solid state.
  • a liquid level sensor capable of measuring the liquid level of the plasma raw material 1 is provided in the area where the storage section 24 of the raw material container 21 is exposed.
  • the liquid level sensor monitors fluctuations in the liquid level of the plasma raw material 1, and the timing of the raw material supply operation is determined according to the change in the liquid level.
  • the configuration of the liquid level sensor is not limited, and any sensor capable of detecting the liquid level of the plasma raw material may be used.
  • the emission intensity of radiation R, etc. may be monitored, and if it is determined that the emission intensity has decreased, the raw material supply operation may be performed.
  • a sensor that monitors the light intensity of the plasma P separately from the radiation R may be provided, and the conversion efficiency to radiation R may be monitored.
  • the raw material supply operation may be performed according to that light emission time or the number of pulses. Furthermore, the next raw material supply operation may be performed simply when a predetermined time has passed since the previous raw material supply operation. Other than this, the method of determining whether or not to perform a raw material supply operation is not limited.
  • step 106 When it is determined that the plasma raw material 1 is to be supplied from the raw material tank 34 to the raw material container 21 (Yes in step 105), the raw material supply operation is started (step 106). When the raw material supply operation is completed, it is determined whether or not to terminate the operation of the entire raw material supply device 30, similar to the completion of the raw material resupply operation (step 104). If it is determined that the plasma raw material 1 should not be supplied from the raw material tank 34 to the raw material container 21 (No in step 105), the process returns to step 101 and the steady-state operation is started.
  • [Raw material supply operation] 4 is a flow chart showing an example of a raw material supplying operation by the raw material supplying device.
  • the process shown in FIG. 4 is the internal process of step 103 in FIG.
  • the control unit 7 performs control as follows. First, evacuation of the raw material tank 34 is stopped from a steady state operation (step 201). For example, the exhaust pipe 38 is closed. Alternatively, the vacuum exhaust device 45 in operation is stopped. As a result, evacuation of the raw material tank 34 is stopped.
  • a step of cooling raw material tank 34 may be provided before executing step 201.
  • the plasma raw material 1 may be cooled until it becomes a solid state, or the temperature may be lowered to a range where the plasma raw material 1 remains in a liquid state.
  • the raw material tank 34 it is possible to suppress oxidation of plasma raw material 1 such as tin stored in raw material tank 34.
  • the raw material tank 34 is maintained in a reduced pressure atmosphere, making such cooling of the raw material tank 34 unnecessary.
  • the replenishment valve 33 is controlled so that it is open (step 202). At this time, the supply valve 36 remains closed. By opening the replenishment valve 33, the inside of the raw material tank 34 is opened to the atmosphere, and the replenishment plasma raw material 1 can be replenished.
  • raw material discharge part 31 is controlled to discharge a predetermined amount of plasma raw material 1 (step 203).
  • the plasma raw material 1 discharged from raw material discharge part 31 is replenished to raw material tank 34 via raw material supply pipe 32 and supply valve 33.
  • the plasma raw material 1 supplied from raw material discharge part 31 to raw material tank 34 may be in either a liquid state or a solid state.
  • solid plasma raw material 1 it is possible to make raw material discharge part 31 and replenishing valve 33 of relatively simple structure. In this case, it is assumed that solid plasma raw material 1 is replenished.
  • step 204 the refill valve 33 is controlled so that it is in a closed state.
  • step 202 the refill valve 33 and the supply valve 36 are both in a closed state, and the inside of the raw material tank 34 becomes a space independent of the atmospheric pressure atmosphere and the reduced pressure atmosphere of the vacuum chamber 3.
  • evacuation of the raw material tank 34 begins (step 205). For example, the closed exhaust pipe 38 is opened, or the operation of the vacuum exhaust device 45 is started. This causes evacuation of the raw material tank 34 to begin.
  • the heating mechanism 40 heats the raw material tank 34, thereby heating the plasma raw material 1 contained in the raw material tank 34 (step 206).
  • the inside of the raw material tank 34 is heated by the heating mechanism 40 so that the solid plasma raw material 1 supplied to the raw material tank 34 is liquefied.
  • the control unit 7 controls the heating mechanism 40 so that the output of the heating mechanism 40 is greater than the output required to maintain a constant temperature during steady-state operation.
  • the heating operation by the heating mechanism 40 may be started when the pressure in the raw material tank 34 becomes lower than a predetermined value.
  • control unit 7 monitors the state of the plasma raw material 1 in the raw material tank 34 using a predetermined detection mechanism (not shown), and detects that the plasma raw material 1 has all become liquid.
  • the detection mechanism may be a sensor that detects the liquid level of the plasma raw material 1, as described with reference to step 102 in Figure 3. In this case, a predetermined amount of solid-state plasma raw material 1 is replenished, and the liquid level in raw material tank 34 when the plasma raw material 1 has all turned to a liquid state is stored in advance. When the liquid level detected by the detection mechanism reaches the stored liquid level, it is determined that the plasma raw material 1 in raw material tank 34 has all turned to a liquid state.
  • the detection mechanism may be a temperature sensor that measures the temperature of the plasma raw material 1. In this case, when the temperature of the plasma raw material 1 in the raw material tank 34 exceeds a predetermined threshold value, or when there is no longer any temperature change, it is determined that the plasma raw material 1 in the raw material tank 34 has all become liquid.
  • step 207 If it is determined that the liquefaction is not complete (No in step 207), the determination process in step 207 is repeated. If it is determined that liquefaction is complete (Yes in step 207), heating mechanism 40 is controlled to maintain a constant temperature in raw material tank 34 (step 208). This keeps the liquid plasma raw material 1, which has been replenished in raw material tank 34 until the required amount is reached, at a constant temperature.
  • [Raw material supply operation] 5 is a flow chart showing an example of the raw material supply operation by the raw material supply device.
  • the process shown in FIG. 5 is the internal process of step 106 in FIG.
  • the control unit 7 performs control as follows.
  • the control unit 7 receives pressure information sent from the pressure gauge 37 connected to the raw material tank 34, and determines whether the pressure in the raw material tank 34 is approximately equal to the pressure in the vacuum chamber 3.
  • the control unit 7 reads the pressure in the vacuum chamber 3, for example, from a pressure gauge that measures the pressure in the vacuum chamber 3 (not shown).
  • the pressure inside the raw material tank 34 falls within a predetermined pressure range centered around the pressure inside the vacuum chamber 3, it is determined that the plasma raw material 1 can be supplied. Also, for example, when the difference between the pressure inside the raw material tank 34 and the pressure inside the vacuum chamber 3 is equal to or less than a predetermined threshold value, it may be determined that the plasma raw material 1 can be supplied.
  • step 301 When it is determined that the pressure in the raw material tank 34 is not a pressure that allows the raw material to be supplied (No in step 301), the determination process in step 301 is repeatedly executed. During this time, the exhaust operation of the raw material tank 34 continues. If it is determined that the pressure in the raw material tank 34 is sufficient to supply the raw material (Yes in step 301), the supply valve 36 is controlled to be open (step 302). At this time, the make-up valve 33 is kept closed, and exhaust of the raw material tank 34 through the exhaust pipe 38 continues.
  • the liquid plasma raw material 1 contained in the raw material tank 34 passes through the raw material supply pipe 35 and the supply valve 36 and is introduced into the vacuum chamber 3. Then, the liquid plasma raw material 1 that flows out from the outlet 35b of the raw material supply pipe 35 is supplied to the storage section 24 of the raw material container 21.
  • step 303 it is determined whether or not the supply of the liquid plasma raw material 1 from the raw material tank 34 to the raw material container 21 has been completed. For example, when the liquid level in the raw material tank 34 drops by a certain amount, it is determined that the supply is completed. Also, for example, when the supply valve 36 has been open for a certain period of time, it may be determined that the supply is completed. Besides, the method of determining the supply completion is not limited.
  • step 303 If it is determined that the supply of the plasma raw material 1 is not complete (No in step 303), the determination process in step 303 is repeated. During this time, the liquid plasma raw material 1 is supplied from the raw material tank 34 to the raw material container 21. When it is determined that the supply of the plasma raw material 1 is completed (Yes in step 303), the supply valve 36 is controlled so as to be in a closed state (step 304). The supply valve 36 is closed, so that the supply of the liquid plasma raw material 1 is stopped. Thereafter, the process proceeds to step 101 in FIG. 2, and steady operation is maintained until the next raw material replenishing operation or raw material supplying operation is performed.
  • the plasma raw material 1 held in a liquid state in the raw material tank 34 is supplied in a liquid state to the raw material container 21 in the vacuum chamber 3 through the raw material supply pipe 35.
  • the supply of the liquid plasma raw material 1 through the raw material supply pipe 35 is controlled by the raw material supply pipe 35 and the supply valve 36 (supply control unit). This makes it possible to supply the liquid plasma raw material 1 to the raw material container 21 as needed, without circulating the raw material. As a result, it is possible to reduce the amount of plasma raw material stored, suppress energy consumption, and ensure a stable supply of plasma raw material.
  • One possible method for supplying liquid plasma raw material 1 to a raw material container 21 placed in a vacuum is to use a circulation mechanism that circulates the liquid plasma raw material 1.
  • This method requires piping for flowing the plasma raw material 1 into and out of the raw material container 21, as well as other containers for supplying sufficient plasma raw material 1 into the circulation path. This requires a large amount of liquid plasma raw material. It is also thought that energy consumption will increase in order to maintain a large amount of plasma raw material in a liquid state.
  • a method of supplying solid plasma raw material 1 to the raw material container 21 is possible, but the solid plasma raw material 1 needs to be liquefied in the raw material container 21, which may change the temperature of the plasma raw material 1 originally stored in the raw material container 21.
  • the viscosity, etc. of the plasma raw material 1 in the raw material container 21 may change, and the film thickness, etc. of the plasma raw material 1 on the surface 20a of the rotor 20 may change.
  • the light emission operation may become unstable. For this reason, it may become necessary to stop the light emission operation, for example, when supplying solid plasma raw material 1.
  • the raw material supply device 30 is configured to hold liquid plasma raw material 1 in the raw material tank 34.
  • a mechanism (such as a supply valve) capable of controlling the flow of the liquid plasma raw material 1 is provided. This makes it possible to properly supply the liquid plasma raw material 1 when the amount of plasma raw material 1 stored in the raw material container 21 decreases and new plasma raw material 1 needs to be supplied.
  • the plasma raw material 1 in the raw material tank 34 is basically kept in a liquid state.
  • the amount of plasma raw material 1 replenished to the raw material tank 34 may be in a solid state, for example.
  • the amount of plasma raw material 1 supplied to the raw material container 21 is sufficiently smaller than the entire capacity of the raw material container 21. For this reason, the storage capacity of the raw material tank 34 may be sufficiently smaller than, for example, the raw material container 21.
  • liquid plasma raw material 1 is supplied directly to the raw material container 21, temperature changes of the plasma raw material 1 inside the raw material container 21 are suppressed, and it is possible to maintain the temperature, viscosity, and other conditions of the plasma raw material 1 stored in the raw material container 21. As a result, it is possible to stably supply the liquid plasma raw material 1 to the irradiation position I of the energy beam EB set on the surface 20a of the rotor 20 without interrupting the operation of the light source device 100. This makes it possible to realize a light source device, etc., that can stably output radiation R for a long period of time.
  • Second Embodiment A light source device according to a second embodiment of the present invention will be described. In the following description, the description of the same configuration and function as in the light source device 100 described in the above embodiment will be omitted or simplified.
  • FIG. 6 is a schematic diagram showing an example of the configuration of a raw material supplying device according to the second embodiment.
  • Raw material supplying device 230 is provided with a temperature adjustment mechanism 50 instead of the supply valve 36 of raw material supplying device 30 described with reference to FIG. 2.
  • the other configuration is the same as that of raw material supplying device 30 shown in FIG. 2.
  • the temperature adjustment mechanism 50 is provided in the raw material supply pipe 35, and adjusts the temperature of at least a portion of the raw material supply pipe 35 so that the plasma raw material 1 can be changed into either a solid state or a liquid state.
  • the temperature adjustment mechanism 50 By using the temperature adjustment mechanism 50 to cool the plasma raw material 1 in the raw material supply pipe 35 and change it into a solid state, it becomes possible to close the flow path of the raw material supply pipe 35.
  • the temperature adjustment mechanism 50 to heat the plasma raw material 1 in the raw material supply pipe 35 and change it into a liquid state, it becomes possible to open the flow path of the raw material supply pipe 35. In this way, the temperature adjustment mechanism 50 exerts a fluid control function for the plasma raw material 1 .
  • the temperature adjustment mechanism 50 may be, for example, a combination of a heating mechanism and a cooling mechanism, and may be a mechanism capable of controlling the rise and fall of temperature.
  • the heating mechanism may be, for example, a heater using an electric heating wire.
  • the cooling mechanism may be, for example, a heat dissipation mechanism using air cooling or water cooling, or a mechanism using a Peltier element.
  • the temperature adjustment mechanism 50 may be composed of only a heating mechanism. In this case, temperature adjustment is achieved by utilizing the effect of natural cooling.
  • the temperature adjustment mechanism 50 corresponds to a first temperature adjustment mechanism.
  • the temperature adjustment mechanism 50 is provided in a supply pipe and functions as a first valve mechanism that opens and closes the flow of liquid plasma raw material.
  • the cooling operation by the temperature adjustment mechanism 50 may affect the liquid plasma raw material 1 contained in the raw material tank 34 depending on the location where the temperature adjustment mechanism 50 is installed. For example, it is conceivable that a portion of the plasma raw material 1 in the raw material tank 34 may solidify. To avoid such a situation, it is preferable to locate the temperature adjustment mechanism 50 in a position as far away from the raw material tank 34 as possible.
  • a narrowed portion where the flow path is narrowed may be provided in the raw material supply pipe 35.
  • a throttling mechanism such as an orifice that partially narrows the flow path (the inner diameter of the raw material supply pipe) is used.
  • the temperature adjustment mechanism 50 is provided in the narrowed portion. This allows the plasma raw material 1 to be rapidly solidified or liquefied inside the raw material supply pipe 35 by the cooling and heating operations of the temperature adjustment mechanism 50. This makes it possible to reduce the effect on the liquid plasma raw material 1 contained in the raw material tank 34. Furthermore, it becomes possible to quickly open and close the flow path, making it possible to precisely control the amount of plasma raw material 1 supplied.
  • the plasma raw material 1 which is contained in a raw material tank 34 and maintained in a liquid state, is supplied to the reservoir 24 of the raw material container 21 via a raw material supply pipe 35 .
  • a temperature control region set in a part of raw material supply pipe 35 is cooled by temperature control mechanism 50.
  • liquid plasma raw material 1 attempting to pass through the temperature control region cooled by temperature control mechanism 50 solidifies in the temperature control region, blocking the inside of raw material supply pipe 35. In other words, the flow path of raw material supply pipe 35 is closed by the plasma raw material 1 solidified in the temperature control region.
  • the solid plasma raw material 1 blocking the inside of the raw material supply pipe 35 changes back into liquid plasma raw material 1. This opens the flow path of the raw material supply pipe 35, and the liquid plasma raw material 1 is supplied from the tip (outlet 35b) of the raw material supply pipe 35 to the storage section 24 of the raw material container 21.
  • the plasma raw material 1 (e.g., Sn, etc.) that has solidified inside the raw material supply pipe 35 may move inside the raw material supply pipe 35 before being completely liquefied during the heating operation by the temperature adjustment mechanism 50, and in some cases may become clogged inside the raw material supply pipe 35.
  • one method of clearing the clog is to continue the heating operation of the temperature adjustment mechanism 50, but if the clogged area is some distance away from the temperature adjustment mechanism 50, the clog of the plasma raw material 1 will not necessarily be cleared.
  • a vibration mechanism (not shown) may be provided in raw material supply pipe 35.
  • this vibration mechanism By using this vibration mechanism to vibrate raw material supply pipe 35, it becomes possible to remove solid plasma raw material 1 that has clogged inside raw material supply pipe 35.
  • the raw material supply pipe 35 may be connected to a gas supply device via a gas supply pipe (not shown).
  • a gas supply pipe (not shown).
  • the solid plasma raw material 1 that has clogged the raw material supply pipe 35 can be removed by supplying gas into the raw material supply pipe 35.
  • the pressure in the raw material tank 34 may be made slightly higher than the pressure in the vacuum chamber 3.
  • the fluid moves from the high pressure side to the low pressure side, making it easier for the plasma raw material 1 to flow from the raw material tank 34 side to the vacuum chamber 3 side. This makes it possible to prevent clogging of the plasma raw material 1.
  • Third Embodiment Fig. 7 is a schematic diagram showing a configuration example of a raw material supplying apparatus according to the third embodiment.
  • a load lock mechanism 55 is provided on the side where raw material is supplied to the raw material tank 34 in the raw material supplying apparatus 230 including the temperature adjustment mechanism 50 described with reference to Fig. 6.
  • the load lock mechanism 55 has a first supply valve 33a, a second supply valve 33b, and a supply exhaust pipe 56.
  • the first supply valve 33a, the second supply valve 33b, and the supply exhaust pipe 56 form a second valve mechanism.
  • the first supply valve 33a and the second supply valve 33b are mechanical valves provided in the raw material supply pipe 32.
  • the first supply valve 33a is disposed on the raw material discharge part 31 side
  • the second supply valve 33b is disposed on the raw material tank 34 side.
  • the supply exhaust pipe 56 connects the raw material supply pipe 32 (load lock section 57) between the first supply valve 33a and the second supply valve 33b to the first vacuum exhaust device 45a. This makes it possible to evacuate the load lock section.
  • the configuration shown in FIG. 7 can be said to be a configuration in which, for example, the raw material supply device 230 shown in FIG. 6 is provided with a first replenishment valve 33a and a replenishment exhaust pipe 56.
  • the second replenishment valve 33b corresponds to the replenishment valve 33 shown in FIG. 6.
  • the second vacuum exhaust device 45b in which the raw material tank 34 is located corresponds to the vacuum exhaust device 45 shown in FIG. 6.
  • FIG. 8 is a flow chart showing an example of the raw material supplying operation of the raw material supplying apparatus shown in FIG.
  • the process shown in FIG. 8 is an example of a raw material supplying operation performed in the raw material supplying device 330 including the load lock mechanism 55, and is executed instead of the raw material supplying operation described with reference to FIG. 4, for example.
  • the load lock mechanism 55 when the load lock mechanism 55 is provided, during steady-state operation, the first replenishment valve 33a, the second replenishment valve 33b, and the supply valve 36 are all closed, the load lock section 57 is evacuated by the first vacuum exhaust device 45a, the raw material tank 34 is evacuated by the second vacuum exhaust device 45b, and the heating mechanism 40 operates to maintain the liquid plasma raw material 1 at a constant temperature.
  • exhaust from the load lock unit 57 is stopped from a steady-state operation state (step 401).
  • the exhaust pipe 56 for refilling is closed.
  • the first vacuum exhaust device 45a in operation is stopped. This stops exhaust from the load lock unit 57.
  • the first supply valve 33a is controlled so that the first supply valve 33a is in an open state (step 402).
  • the second supply valve 33b and the supply valve 36 are maintained in a closed state.
  • the inside of the load lock unit 57 is opened to the atmosphere.
  • the raw material discharge section 31 is controlled to discharge a predetermined amount of plasma raw material 1 (step 403).
  • the plasma raw material 1 discharged from the raw material discharge section 31 passes through the raw material supply pipe 32 and the first supply valve 33a and is then temporarily stored in the load lock section 57.
  • the first supply valve 33a is controlled so that the first supply valve 33a is in a closed state (step 404).
  • the second supply valve 33b remains closed, and the load lock section 57 becomes an independent space.
  • evacuation of the load lock unit 57 is started (step 405).
  • the closed exhaust pipe 56 is opened, or the operation of the first vacuum exhaust device 45a is started. This starts evacuation of the load lock unit 57.
  • step 406 it is determined whether the pressure inside the load lock unit 57 has fallen below a threshold value.
  • a pressure gauge (not shown) is provided in the load lock unit 57, and it is determined whether the measured value has fallen below a predetermined threshold value.
  • the predetermined threshold value may be set, for example, according to the pressure inside the raw material tank 34 during exhaust.
  • a threshold value equivalent to the pressure inside the load lock unit 57 is set.
  • step 406 When it is determined that the pressure in the load lock unit 57 is greater than the threshold value (No in step 406), the determination process in step 406 is repeatedly executed. During this time, the exhaust operation of the load lock unit 57 continues.
  • the second supply valve 33b is controlled to be in an open state (step 407). At this time, the first supply valve 33a is maintained in a closed state.
  • the second supply valve 33b is controlled to close (step 408). This makes the load lock unit 57 and the raw material tank 34 independent spaces.
  • the plasma raw material 1 in the raw material tank 34 is heated (step 409), and it is determined whether the liquefaction of the plasma raw material 1 is complete (step 410). If the liquefaction is complete, control is performed to maintain the temperature of the plasma raw material 1 constant (step 411).
  • the processing of these steps 409, 410, and 411 is the same as, for example, steps 206, 207, and 208 shown in FIG. 4.
  • the plasma raw material 1 passing through the raw material supply pipe 35 is a molten metal such as tin, and as it cools and solidifies, its volume decreases. For this reason, when the plasma raw material 1 solidifies inside the raw material supply pipe 35, the reduction in the volume of the plasma raw material 1 may cause a gap to form between the inner wall of the raw material supply pipe 35 and the solidified plasma raw material 1.
  • the load lock mechanism 55 is not provided, and the raw material tank 34 is opened to the atmosphere to replenish the plasma raw material 1.
  • the valve on the raw material supply pipe 32 is opened to open the raw material tank 34 to the atmosphere.
  • the solid plasma raw material 1 cooled by the temperature adjustment mechanism 50 functions as a plug, closing the raw material supply pipe 35.
  • the internal atmosphere from the raw material discharge part 31 to the raw material tank 34 becomes atmospheric pressure, while a reduced pressure atmosphere is maintained inside the vacuum chamber 3.
  • the solid plasma raw material 1 will not be able to completely block the space.
  • air may enter the vacuum chamber 3 from the raw material tank 34, which is at atmospheric pressure, through the gap, causing the reduced pressure atmosphere in the vacuum chamber 3 to deteriorate.
  • the raw material tank 34 when the raw material tank 34 is open to the atmosphere, the pressure difference with the vacuum chamber 3 is too large, so the plasma raw material 1 remaining inside the raw material tank 34 or raw material supply pipe 35 may be pushed by atmospheric pressure and flow into the vacuum chamber 3. In this case, there is a possibility that the plasma raw material 1 may be supplied at an unintended time, or the inside of the vacuum chamber 3 may be contaminated with the plasma raw material 1. Therefore, it is preferable that the raw material tank 34 is always in a reduced pressure atmosphere.
  • a load lock mechanism 55 is provided on the supply path (atmosphere side) for supplying the plasma raw material 1 to the raw material tank 34.
  • This makes it possible to introduce the plasma raw material 1 into the raw material tank 34 without opening the raw material tank 34 to the atmosphere. In other words, it becomes possible to keep the raw material tank 34 in a reduced pressure atmosphere at all times. For this reason, even if a gap occurs between the solidified plasma raw material 1 due to cooling by the temperature adjustment mechanism 50 and the inner wall of the raw material supply pipe 35, the raw material tank 34 is always in a reduced pressure atmosphere, and air or the like will not flow through the gap into the vacuum chamber 3. This makes it possible to reliably maintain the reduced pressure atmosphere within the vacuum chamber 3, and enables the light source device 100 to operate stably.
  • Fig. 9 is a schematic diagram showing a configuration example of the raw material supplying device according to the fourth embodiment.
  • Fig. 10 is a schematic diagram showing an operation example of the raw material supplying device shown in Fig. 9.
  • raw material supplying pipe 435 bent into a U-shape is used instead of raw material supplying pipe 35 having a straight shape (straight pipe shape) in raw material supplying device 230 described with reference to Fig. 6.
  • raw material supplying pipe 435 is provided with a temperature adjustment mechanism 450.
  • the raw material supply pipe 435 has a first bent section 61 and a second bent section 62, each of which is a bent pipe.
  • the first bent section 61 is connected to the raw material tank 34 side and bends the flow path of the liquid plasma raw material 1 from downward to upward.
  • the second bent section 62 is connected to the vacuum chamber 3 side and bends the flow path of the plasma raw material from upward to downward. Therefore, the raw material supply pipe 435 extending downward (in the direction of gravity) from the raw material tank 34 turns back at the first bent section 61 to face upward, and then extends downward again at the subsequent second bent section 62, penetrating the vacuum chamber 3. Further, a lower surface 62 b of the flow passage formed in the second bent portion 62 is disposed at a position higher than an upper surface 61 t of the flow passage formed in the first bent portion 61 .
  • the lower surface 62b of the flow path at the second bend 62 and the upper surface 61t of the flow path at the first bend 61 are each diagrammatically shown by black circles.
  • the first bend 61 and the second bend 62 are each configured as a U-shaped tube. Therefore, as shown in FIG. 9, the raw material supply pipe 435 has a shape in which two U-shaped tubes are connected. Note that instead of a U-shape, a V-shaped pipe or a pipe bent at a right angle may be used.
  • the temperature adjustment mechanism 450 is provided at the first bent portion 61 and adjusts the temperature of the first bent portion 61 so that the plasma raw material 1 can be changed between a solid state and a liquid state.
  • the temperature adjustment mechanism 450 is configured, for example, in the same manner as the temperature adjustment mechanism 50 shown in Fig. 6, and is configured, for example, by combining a heating mechanism and a cooling mechanism so that the rise and fall of temperature can be controlled. Note that, if it is possible to bring the plasma raw material 1 into a solid state by utilizing the effect of natural cooling, the temperature adjustment mechanism 50 may be configured with only a heating mechanism. In this embodiment, the temperature adjustment mechanism 450 corresponds to the second temperature adjustment mechanism.
  • the temperature adjustment mechanism 450 When passing the plasma raw material 1, the temperature adjustment mechanism 450 heats the first bent part 61, causing the plasma raw material 1 to enter a liquid state. Conversely, when not passing the plasma raw material 1, the temperature adjustment mechanism 450 cools the first bent part 61, causing the plasma raw material 1 to enter a solid state. For example, by making the plasma raw material 1 into a solid state, a plug is formed at the first bent portion 61. This makes it possible to prevent the plasma raw material 1 from being pushed out into the vacuum chamber 3 by atmospheric pressure even when the raw material tank 34 is open to the atmosphere.
  • Fig. 9 shows a state in which liquid plasma raw material 1 is being supplied from the raw material tank 34 to the vacuum chamber 3 (raw material container 21) by the raw material supply device 430.
  • Fig. 10 also shows a state in which the supply of liquid plasma raw material 1 has stopped.
  • a fluid that has entered the first bent portion 61 from the raw material tank 34 side is stored in the first bent portion 61.
  • the fluid passes through the second bent portion 62 and flows out to the vacuum chamber 3 side.
  • the raw material supply pipe 435 is configured so that the upper surface 61t of the flow path of the first bend 61 is lower than the lower surface 62b of the flow path of the second bend 62.
  • the flow path of the first bend 61 is completely filled with fluid. This eliminates a path through which gas such as air can pass, making it possible to maintain a reduced pressure atmosphere on the vacuum chamber 3 side.
  • the plasma raw material 1 remains in the first bent part 61 of the raw material supply pipe 435, blocking the flow path.
  • the plasma raw material 1 remains in the first bent part 61 of the raw material supply pipe 435, blocking the flow path.
  • the plasma raw material 1 remains in the first bent part 61.
  • the liquid plasma raw material 1 is a metallic material such as tin
  • the liquid plasma raw material 1 remaining in the raw material supply pipe 435 functions as a closed plug, making it possible to maintain the reduced pressure atmosphere in the vacuum chamber 3.
  • raw material supply pipe 435 automatically closes without the plasma raw material 1 in raw material supply pipe 435 being converted to a solid state when plasma raw material 1 stops passing through second bent section 62. For this reason, raw material supply pipe 435 does not necessarily need to be equipped with a cooling mechanism or the like.
  • the liquid plasma raw material 1 is supplied to the raw material container 21.
  • the initial state is a state in which the liquid level is approximately the same as the height of the lower surface 62b of the flow path of the second bent portion 62.
  • the amount of plasma raw material 1 supplied to the raw material container 21 is the same as the amount replenished to the raw material tank 34. This makes it possible to control the amount of plasma raw material 1 supplied to the raw material container 21 without detecting the liquid level, etc., and makes it possible to simplify the device configuration.
  • the temperature adjustment mechanism 450 is provided at the bottom of the first bent portion 61. As a result, if the liquid plasma raw material 1 remaining at the bottom of the first bent portion 61 solidifies, it is possible to re-liquefy the plasma raw material 1 by temperature control (heating) by the temperature adjustment mechanism 450. This makes it possible to reopen the raw material supply pipe 435 that has been closed.
  • the raw material supply pipe 435 can control the flow of the liquid plasma raw material 1 by itself. For example, if the plasma raw material remaining in the first bent portion 61 can be liquefied by the amount of heat from the heating mechanism 40 of the raw material tank 34, it is not necessarily necessary to provide a temperature control mechanism 450, etc.
  • the raw material supply pipe 435 alone, or in combination with the temperature control mechanism 450, realizes a supply control unit that controls the supply of liquid plasma raw material through the supply pipe. In this way, by using the raw material supply pipe 435 with two bent portions connected, it becomes possible to easily maintain a reduced pressure atmosphere in the vacuum chamber 3.
  • FIG. 11 is a schematic diagram showing a configuration example of a raw material supplying apparatus according to a fifth embodiment.
  • the raw material supplying apparatus 530 instead of the raw material supplying pipe 35 having the inlet 35a provided on the bottom surface of the raw material tank 34 in the raw material supplying apparatus 330 shown in Fig. 7, a raw material supplying pipe 535 is provided in a different arrangement.
  • the raw material supplying pipe 535 is provided with a temperature adjustment mechanism 550.
  • the raw material supply pipe 535 is positioned so that the inlet 35a is higher than the inner bottom surface of the raw material tank 34.
  • the raw material supply pipe 535 is a straight pipe.
  • the raw material supply pipe 535 is positioned so that the inlet 35a penetrates the bottom surface of the raw material tank 34 and protrudes upward from the bottom surface. Since the inlet 35a is higher than the bottom surface of the raw material tank 34, liquid plasma raw material 1 is constantly stored in the area of the raw material tank 34 that is lower than the inlet 35a.
  • the raw material tank 34 also has a supply port 42 through which the plasma raw material 1 is supplied via the raw material supply pipe 32.
  • the inlet 35a of the raw material supply pipe 535 is positioned so as not to overlap with the supply port 42 in the vertical direction. This prevents the supply plasma raw material 1 coming out of the raw material supply pipe 32 from directly entering the raw material supply pipe 535.
  • the liquid plasma raw material 1 flows into the raw material supply pipe 535.
  • the liquid plasma raw material 1 that flows into the raw material supply pipe 535 passes through the inside of the raw material supply pipe 535 and is supplied from the outlet 35b to the storage section 24 of the raw material container 21 in the vacuum chamber 3.
  • the liquid plasma raw material 1 stops flowing into the raw material supply pipe 535, and the supply of raw material to the raw material container 21 stops. Furthermore, by operating the temperature control mechanism 550 to partially cool the raw material supply pipe 535, it is possible to stop the supply of raw material to the raw material container 21 even when the liquid level of the liquid plasma raw material 1 exceeds the height of the inlet 35a.
  • raw material supply device 530 new plasma raw material 1 is replenished to raw material tank 34 while the liquid level of plasma raw material 1 is the same as the height of inlet 35a. In this case, the liquid level rises by the volume of the replenished plasma raw material 1. At this time, the increased amount of plasma raw material 1 flows into raw material supply pipe 535 and is supplied to raw material container 21. That is, in raw material supply device 530, the amount of plasma raw material 1 replenished to raw material tank 34 becomes the amount of plasma raw material 1 supplied to raw material container 21. In the sense that the supply amount is limited by the liquid level, this can be said to be similar to the raw material supply device 430 described with reference to Figures 9 and 10. With this configuration, it becomes possible to control the amount of plasma raw material 1 supplied to raw material container 21 without detecting the liquid level, etc., making it possible to simplify the device configuration.
  • raw material supply apparatus 530 for example, when plasma raw material 1 in raw material supply pipe 535 does not function as a plug to close the flow path (when there is no plasma raw material 1 remaining in raw material supply pipe 535, etc.), it is thought that a path through which gas passes will be formed in raw material supply pipe 535.
  • the raw material supply device 530 is equipped with a load lock mechanism 55 for replenishing the raw material tank 34 with the plasma raw material 1, so that the raw material tank 34 is not open to the atmosphere.
  • the raw material tank 34 is also evacuated by the second vacuum exhaust device 45b and maintained at a reduced pressure.
  • a straight raw material supply pipe 535 has been described, but the present invention is not limited thereto, and it is also possible to use, for example, an L-shaped raw material supply pipe 535.
  • the raw material supply pipe 535 is disposed so that an inlet 35a is provided on the inner side surface of the raw material tank 34 and an outlet 35b faces downward.
  • the inlet 35a is disposed at a position higher than the bottom surface. Even with this configuration, it is possible to limit the amount of liquid plasma raw material 1 supplied to the raw material container 21 by the liquid surface level, making it possible to simplify the device configuration.
  • FIG. 12 is a schematic diagram showing a configuration example of the raw material supplying device according to the sixth embodiment.
  • the raw material supplying device 630 has a raw material supplying pipe 635 configured such that the outlet 35b is closer to the raw material container 21 than the raw material supplying pipe 35 provided in the raw material supplying device 30 described with reference to Fig. 2.
  • the raw material supplying pipe 635 is provided with a temperature adjustment mechanism 650.
  • the other configurations are the same as those of the raw material supplying device 30 shown in Fig. 2.
  • the raw material supply pipe 635 is positioned so that the outlet 35b is at a lower position than the open end 25 of the storage section 24 of the raw material container 21.
  • the open end 25 of the storage section 24 is the upper end of the outer wall section 23 that forms the storage section 24.
  • the height position of the open end 25 is illustrated by a dashed line.
  • the outlet 35b of the raw material supply pipe 635 is positioned at a lower position than the height of the open end 25 (the height of the outer wall section 23 relative to the upper surface of the bottom section 22). In other words, the outlet 35b is positioned so as to enter the space surrounded by the outer wall section 23 (storage section 24).
  • the temperature adjustment mechanism 650 is provided at the portion of the raw material supply pipe 635 that protrudes into the vacuum chamber 3, and adjusts the temperature of the portion of the raw material supply pipe 635 that protrudes into the vacuum chamber 3 so that the plasma raw material 1 is in either a solid state or a liquid state. 12, the temperature adjustment mechanism 650 is provided so as to cover almost the entire portion of the raw material supply pipe 635 protruding into the vacuum chamber 3. In this embodiment, the temperature adjustment mechanism 650 corresponds to a third temperature adjustment mechanism.
  • liquid plasma raw material 1 when supplied into vacuum chamber 3, depending on the conditions of the vacuum chamber 3, such as the pressure, the liquid plasma raw material 1 does not fall in a straight line as droplets, but falls while scattering inside the vacuum chamber 3. In this case, it is conceivable that the plasma raw material 1 may reach unintended parts inside the vacuum chamber 3 (for example, the inner wall of the vacuum chamber 3) and adhere thereto.
  • the tip of the portion of the raw material supply pipe 635 that penetrates the outer wall of the vacuum chamber 3 and protrudes into the vacuum chamber 3 i.e., the outlet of the raw material supply pipe 635) as close as possible to the raw material supply area (the upper surface of the bottom 22 of the raw material container 21).
  • the outlet 35b of the raw material supply pipe 635 is positioned lower than the opening end 25 of the raw material container 21 (a position closer to the upper surface of the bottom 22 than the upper surface level of the outer wall 23).
  • the length of the raw material supply pipe 635 (the length of the portion protruding into the vacuum chamber 3) is longer than those of the other raw material supply devices described above. Therefore, at least a portion of the liquid plasma raw material 1 liquefied by the heating mechanism 40 provided in the raw material tank 34 may be cooled during its passage through the raw material supply pipe 635 and may solidify within the raw material supply pipe 635.
  • a temperature control mechanism 650 may be provided on the portion of the raw material supply pipe 635 that protrudes into the vacuum chamber 3, as shown in FIG. 12. By using the temperature control mechanism 650 to heat the portion of the raw material supply pipe 635 that protrudes into the vacuum chamber 3, it is possible to prevent the plasma raw material 1 from solidifying inside the raw material supply pipe 635.
  • the flow path of the raw material supply pipe 635 is opened and closed by the mechanical supply valve 36.
  • the temperature control mechanism 650 may be used to open and close the flow path, but is primarily used as a heating mechanism to prevent the plasma raw material 1 from solidifying. In this case, the temperature control mechanism 650 does not need to have a cooling function.
  • FIG. 13 is a schematic diagram showing a modified example of the raw material supplying device shown in FIG. 13, a temperature adjustment mechanism 650 is provided in a raw material supply pipe 635. This temperature adjustment mechanism 650 is provided so as to penetrate an outer wall of the vacuum chamber 3. In the raw material supply apparatus 631, the temperature adjustment mechanism 650 controls opening and closing of a flow path of the raw material supply pipe 635.
  • the temperature adjustment mechanism 650 is provided to cover the entire raw material supply pipe 635, including not only the portion of the raw material supply pipe 635 that protrudes into the vacuum chamber 3, but also the portion that is located outside the vacuum chamber 3.
  • the raw material supply pipe 635 and the temperature adjustment mechanism 650 that penetrate the vacuum chamber 3 are appropriately sealed so that the penetrating portions do not destroy the reduced pressure atmosphere inside the vacuum chamber 3.
  • temperature adjustment mechanism 650 This makes it possible to adjust the temperature of almost the entire raw material supply pipe 635 using temperature adjustment mechanism 650. This makes it possible to sufficiently prevent the plasma raw material 1 from becoming clogged.
  • the temperature adjustment mechanism 650 is equipped with a cooling function. This makes it possible to solidify the liquid plasma raw material 1 inside the raw material supply pipe 635, and makes it possible to open and close the flow path of the raw material supply pipe 635. Therefore, there is no need to provide the raw material supply device 631 with a mechanical valve such as the supply valve 36 shown in Fig. 12. This makes maintenance easier and makes it possible to suppress contamination of the inside of the device by the plasma raw material 1.
  • Fig. 14 is a schematic diagram showing a configuration example of a raw material supplying device according to a seventh embodiment.
  • a protective tube 70 is newly provided in the raw material supplying device 30 described with reference to Fig. 2.
  • This configuration in which the protective tube 70 is provided can also be applied to other configurations such as the raw material supplying device 230 shown in Fig. 6.
  • the protective tube 70 is a hollow member provided in the vacuum chamber 3, and is configured to surround the outlet 35b of the raw material supply pipe 35 and extend to a position lower than the open end 25 of the storage section 24 of the raw material container 21.
  • the inner diameter of the protective tube 70 is set to be larger than the inner diameter of the raw material supply pipe 35.
  • the protective tube 70 functions as a protective wall that prevents the plasma raw material 1 from flowing out of the raw material supply tube 35 and scattering within the vacuum chamber 3 .
  • the protective tube 70 is positioned so as to extend inward from the inner wall of the vacuum chamber 3.
  • the length of the protective tube 70 is set so as to be longer than the length (protruding length) of the portion of the raw material supply pipe 35 that protrudes into the vacuum chamber 3.
  • the tip of the protective tube 70 is positioned at a position lower than the opening end 25 of the raw material container 21 (a position closer to the top surface of the bottom 22 than the top surface level of the outer wall 23).
  • the plasma raw material 1 discharged from the outlet 35b of the raw material supply pipe 35 is prevented from scattering into the vacuum chamber 3 by the protective tube 70.
  • the plasma raw material 1 is then released to the outside (inside the vacuum chamber 3) from the tip of the protective tube 70.
  • the tip of the protective tube 70 is positioned close to the top surface of the bottom 22 of the raw material container 21 to which the liquid plasma raw material 1 is supplied. This increases the proportion of the plasma raw material 1 that reaches the liquid surface of the raw material container 21, making it possible to prevent the plasma raw material 1 from diffusing throughout the inside of the vacuum chamber 3.
  • the protective tube 70 has an inner diameter large enough to surround the outlet 35b. Therefore, the liquid plasma raw material 1 flowing out from the outlet 35b hardly adheres to the protective tube 70, and the protective tube 70 is unlikely to become clogged with solidified plasma raw material 1. Therefore, unlike the configuration described with reference to Figures 12 and 13, it is not necessarily necessary to provide a temperature control mechanism. This simplifies the device configuration and makes it possible to suppress contamination inside the device by the plasma raw material 1.
  • LPP type light source device 100 that converts the plasma raw material 1 into plasma using an energy beam EB has been described.
  • the present invention is not limited to this, and can be applied to light source devices of other types.
  • Fig. 15 is a schematic diagram showing a configuration example of a light source device according to another embodiment.
  • the light source device 101 shown in Fig. 15 is a so-called LDP type light source device that converts plasma raw material 1 vaporized by an energy beam EB into plasma by discharge.
  • the raw material supply device 30 shown in Fig. 2 is used, but is not limited to this, and for example, other raw material supply devices described in the above embodiment may be used.
  • the light source device 101 includes a pair of rotating electrodes 71a and 71b, a pair of source containers 75a and 75b provided corresponding to each of the rotating electrodes 71, and a vacuum chamber 3 for accommodating them.
  • the rotating electrodes 71a and 71b are disk-shaped electrodes, each connected to the shaft of a motor (not shown) and supported rotatably.
  • the rotating electrodes 71a and 71b are arranged such that their outer edges are close to each other with a predetermined gap between them, and a high voltage is applied between the electrodes.
  • the portion of the outer edge of the rotating electrode 71a that is close to the rotating electrode 71b is irradiated with an energy beam EB.
  • the rotating electrodes 71a and 71b correspond to a rotating body.
  • the raw material containers 75a and 75b are storage vessels for storing the plasma raw material 1 in liquid form.
  • Raw material container 75a is provided so that rotating electrode 71a is immersed therein, and supplies rotating electrode 71a with liquid plasma raw material 1.
  • Raw material container 75b is provided so that rotating electrode 71b is immersed therein, and supplies rotating electrode 71b with liquid plasma raw material 1.
  • Raw material containers 75a and 75b are insulated from each other.
  • the rotating electrode 71a rotates
  • the liquid plasma raw material 1 stored in the raw material container 75a adheres to the surface of the rotating electrode 71a (rotating electrode 71b).
  • the liquid plasma raw material 1 is distributed in a film shape on the portion of the rotating electrode 71a (rotating electrode 71b) that is immersed in the liquid plasma raw material 1.
  • liquid plasma raw material 1 is supplied to the area where rotating electrodes 71a and 71b are close to each other. At this time, the plasma raw material 1 is vaporized by the energy beam EB irradiated onto the rotating electrode 71a. In addition, since a high voltage is applied between the rotating electrodes 71a and 71b, the vaporized plasma raw material 1 is excited by the energy beam EB in the area where the electrodes are close to each other, generating plasma P. Radiation R is extracted from this plasma P.
  • the light source device 101 is provided with a raw material supply device 30a and a raw material supply device 30b that supply liquid plasma raw material 1 to a raw material container 75a and a raw material container 75b, respectively.
  • Each raw material supply device 30a (raw material supply device 30b) supplies the plasma raw material 1 in a liquid state from above the exposed portion of the liquid plasma raw material 1 stored in the raw material container 75a (raw material container 75b).
  • the raw material supply devices 30a and 30b directly supply the liquid plasma raw material 1 to each of the raw material containers 75a and 30b, respectively. This prevents temperature changes in the plasma raw material 1, making it possible to achieve stable light emission.
  • liquid plasma raw material 1 is supplied to a raw material container provided inside the vacuum chamber 3.
  • the present invention is not limited to this, and the raw material supply device of the present invention can supply liquid plasma raw material 1 from outside the vacuum chamber 3 to any container that stores liquid plasma raw material 1 inside the vacuum chamber 3.
  • FIG. 16 is a schematic diagram showing an example of the configuration of a light source device according to another embodiment.
  • the light source device 102 shown in FIG. 16 is provided with a rotating drum 80 that is installed in a vacuum chamber 3 and rotates while storing liquid plasma raw material 1.
  • the light source device 102 is an LPP type device that converts the plasma raw material 1 stored in the rotating drum 80 into plasma by an energy beam EB.
  • the rotating drum 80 shown in FIG. 16 corresponds to a storage container.
  • the rotating drum 80 has a storage section 84 that opens upward and stores the liquid plasma raw material 1.
  • the liquid plasma raw material 1 is supplied to the storage section 84 from the raw material supply device 30.
  • the rotating drum 80 is also provided with a heating mechanism (not shown) in order to maintain the plasma raw material 1 supplied to the storage section 84 in a liquid state.
  • a heating mechanism a heater that directly heats the rotating drum 80 using an electric heating wire or the like is used.
  • a heater that heats the rotating drum 80 from the outside using radiation or the like may be used.
  • the rotating drum 80 has a disk-shaped base 81 and an annular outer wall portion 82 formed on one side of the base 81 along the periphery of the base 81.
  • the area surrounded by the base 81 and the outer wall portion 82 becomes a storage portion 84 that stores liquid plasma raw material 1.
  • the inner surface 82a of the outer wall portion 82 facing the rotation axis O forms the side surface that surrounds the storage portion 84 and becomes the inner surface of the storage portion 84.
  • the rotating drum 80 is positioned so that the storage portion 84 faces upward.
  • a shaft member 85 that rotates around a predetermined rotation axis O is connected to the surface of the rotating drum 80 opposite to the surface on which the storage section 84 is formed, so that the central axis of the rotating drum 80 coincides with the rotation axis O.
  • the shaft member 85 is also driven to rotate by a motor (not shown).
  • the rotation axis O of the rotating drum 80 is typically set so as to substantially coincide with the vertical direction. However, the rotation axis O may be set at an angle inclined with respect to the vertical direction as long as light emission by the plasma P is possible.
  • the liquid plasma raw material 1 supplied to the storage section 84 moves toward the inner surface 82a of the outer wall section 82 due to centrifugal force and is distributed along the inner surface 82a.
  • the film thickness of the liquid plasma raw material 1 distributed on the inner surface 82a is adjusted according to the rotation speed of the rotor.
  • the rotating drum 80 stores the liquid plasma raw material 1 on the inner circumferential surface 82a, which is the inside surface of the storage section 84.
  • the energy beam EB which excites the liquid plasma raw material 1 to generate plasma P, is irradiated onto the inner surface (inner circumferential surface 82a) of the storage section 84. This makes it possible to continuously supply plasma raw material 1 distributed at an appropriate film thickness to the irradiation position I of the energy beam EB.
  • the light source device 102 is provided with a raw material supply device 30 that supplies liquid plasma raw material 1 to the rotating drum 80.
  • the raw material supply device 30 supplies the plasma raw material 1 to be supplied in liquid state from above the storage section 84 of the rotating drum 80. Note that while the raw material supply device 30 shown in FIG. 2 is used in FIG. 16, other raw material supply devices may also be used.
  • the liquid plasma raw material 1 supplied to the storage section 84 of the rotating drum 80 moves along the substrate surface 81a towards the outer wall section 82 due to centrifugal force, and is finally distributed along the inner circumferential surface 82a of the outer wall section 82. Because the plasma raw material 1 is already in a liquid state when it is supplied, it flows smoothly until it is distributed along the inner circumferential surface 82a. Furthermore, compared to supplying plasma raw material 1 in a solid state, there is no need to liquefy it, and it is possible to keep the temperature change of the plasma raw material 1 on the rotating drum 80 sufficiently small. This makes it possible to supply the plasma raw material 1 stably without impeding the light emission action of the radiation R.
  • the raw material tank 34 of the raw material supply device is mainly placed above the vacuum chamber 3, and the liquid plasma raw material 1 is supplied to the storage container (raw material container 21, 75a, 75b, rotating drum 80) using gravity.
  • the raw material tank 34 may be placed to the side or below the vacuum chamber 3.
  • a transport pump is used to transport the liquid plasma raw material 1 through a raw material supply pipe.
  • the transport pump for example, an electromagnetic pump capable of transporting liquid metal (plasma raw material 1) by magnetic force is used.
  • other types of pumps may be used.
  • the raw material tank 34 by locating the raw material tank 34 at a position higher than the storage container, even to the side of the vacuum chamber 3, it is possible to supply the liquid plasma raw material 1 by utilizing gravity.
  • the end (outlet) of the raw material supply pipe on the raw material supply side is located above the bottom surface of the storage container, making it possible to supply the liquid plasma raw material 1 flowing out of the raw material supply pipe to the storage container.
  • the raw material tank 34 may also be placed inside the vacuum chamber 3.
  • a raw material supply pipe that supplies plasma raw material 1 to the raw material tank 34 is provided so as to penetrate the vacuum chamber 3. Therefore, the raw material tank 34 placed inside the vacuum chamber 3 is supplied with solid or liquid plasma raw material 1 from outside the vacuum chamber 3 via the raw material supply pipe.
  • the plasma raw material 1 is held in a liquid state in the raw material tank 34, so the liquid plasma raw material 1 can be stably supplied to the storage container.
  • the raw material tank 34 within the vacuum chamber 3, it is possible to realize, for example, a compact light source device.
  • this includes states that are included within a specified range (e.g., a range of ⁇ 10%) based on standards such as "perfectly centered,” "perfectlycentral,””perfectlyuniform,””perfectlyequal,””perfectly the same,””perfectlyorthogonal,””perfectlyparallel,””perfectlysymmetrical,””perfectlyextended,””perfectlyaxial,””perfectlycylindrical,””perfectlycylindrical,””perfectlyring-shaped,””perfectlyannular,” etc. Therefore, even if the words “approximately”, “almost”, “roughly”, etc. are not added, it may include concepts that can be expressed by adding “approximately”, “almost”, “approximately”, etc. Conversely, a state expressed by adding “approximately”, “almost”, “approximately”, etc. does not necessarily exclude a perfect state.
  • expressions using "more than”, such as “greater than A” and “smaller than A”, are expressions that comprehensively include both concepts that include equivalent to A and concepts that do not include equivalent to A.
  • “greater than A” is not limited to cases that do not include equivalent to A, but also includes “A or greater”.
  • “smaller than A” is not limited to “less than A” but also includes “A or less”.

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Abstract

プラズマ原料を安定して供給することが可能な原料供給装置及び光源装置を提供すること。 本発明の一形態に係る原料供給装置は、エネルギービームの照射によりプラズマ化して放射線を発生するプラズマ原料を減圧チャンバ内に供給する原料供給装置であって、原料タンクと、供給制御部とを具備する。前記原料タンクは、前記プラズマ原料を液体状態で保持する。前記供給制御部は、前記原料タンクと前記減圧チャンバとを接続し前記原料タンク内に保持された液体状のプラズマ原料を前記減圧チャンバ内に設けられた貯留容器に供給する供給管を有し、前記供給管を通した前記液体状のプラズマ原料の供給を制御する。

Description

原料供給装置及び光源装置
 本発明は、X線や極端紫外光等を発生させるプラズマ原料を供給する原料供給装置、及び原料供給装置を備えた光源装置に関する。
 従来、X線は、医療用用途、工業用用途、研究用用途に用いられてきた。
 医療用分野においては、X線は、胸部X線写真撮影、歯科X線写真撮影や、CT(Computer Tomogram)といった用途に用いられる。
 工業用分野においては、X線は、構造物や溶接部などの物質内部を観察する非破壊検査、断層非破壊検査といった用途に用いられる。
 研究用分野においては、X線は、物質の結晶構造を解析するためのX線回折、物質の構成元素を分析するためのX線分光(蛍光X線分析)といった用途に用いられる。
 X線のうち比較的波長の長い軟X線領域にある波長13.5nmの極端紫外光(以下、「EUV(Extreme Ultra Violet)光」ともいう)は、近年露光光として使用されている。
 ここで、微細パターンが構成されているEUVリソグラフィ用のマスクの基材は、積層構造として、低熱膨張性ガラスから成る基板の上に、EUV光を反射させるための多層膜(例えば、モリブデンとシリコン)が設けられてなる反射ミラーである。
 そして、多層膜上に波長13.5nmの放射線を吸収する材料をパターニングすることで、EUVマスクが構成される。
 また、EUVマスクにおける許容できない欠陥の大きさは、従来のArFマスクの場合に比べると大幅に小さくなっており検出することが困難となっている。
 そこで、EUVマスクの検査として、通常はアクティニック検査(Actinic inspection)と呼ばれる、リソグラフィの作業波長と一致する波長の放射線を用いた検査が行われる。
 例えば、波長13.5nmの放射線を用いて検査を行うと、l0nmよりも良好な分解能で欠陥を検出することが可能となる。
 一般にEUV光源装置としては、DPP(Discharge Produced Plasma)光源装置、LDP(Laser Assisted Discharge Produced Plasma)光源装置、及びLPP(Laser Produced Plasma)光源装置が挙げられる。
 DPP光源装置は、EUV放射種を含む気体状のプラズマ原料(放電ガス)が供給された電極間に高電圧を印加して、放電により高密度高温プラズマを生成し、そこから放射される極端紫外光を利用するものである。
 LDP光源装置は、DPP光源装置が改良されたものであり、例えば、放電を発生させる電極(放電電極)表面にEUV放射種を含む液体状の高温プラズマ原料(例えば、Sn(スズ)やLi(リチウム)等)を供給し、当該原料に対してエネルギービーム(例えば、電子ビームやレーザビーム等)を照射して当該原料を気化し、その後、放電によって高温プラズマを生成するものである。
 LPP光源装置は、EUV放射種をレーザビーム等により励起して高温プラズマを生成するものである。この方式の光源装置としては、EUV放射用ターゲット材料である微小な液滴状に噴出されたスズ(Sn)、または、リチウム(Li)等のドロップレットに対して、レーザ光を集光することにより当該ターゲット材料を励起してプラズマを発生させるものが知られている。
 また特許文献1には、X線やEUV等の放射線を発生させるための液体状のプラズマ原料を貯留する貯留槽に回転体を部分的に浸漬させ、貯留槽から回転体の表面に液体状のプラズマ原料を供給し、回転体の表面にエネルギービーム(レーザビーム)を照射して放射線を得る光源装置について記載されている。この方法は、所謂LPP方式に相当する。この光源装置では、回転体上のプラズマ原料の膜厚が、膜厚制御機構により所定の厚さに制御される。また、貯留槽を包囲するカバー状構造体の一部には、開口部が設けられる。高温プラズマ原料が塗布された回転体の表面には、開口部を通してエネルギービームが照射される。これにより回転体の表面のプラズマ原料がプラズマ化して放射線を得ることができる。
 特許文献1では、貯留槽に対して、液体原料循環装置から原料流入管路と原料流出管路を介して液体状のプラズマ原料が供給される。これにより、貯留槽には一定量のプラズマ原料を貯留しておくことが可能であり、例えば液体状のプラズマ原料をドロップレットとして供給する必要がない。このため、ドロプレットにレーザビームを集光する方式等と比べて、比較的簡易な構成で、高輝度の放射線を得ることが可能となる。
特許第6241062号 特開2016-99289号公報
 特許文献1に記載された液体原料循環装置は、液体状のプラズマ原料を循環させる装置本体に加え、装置本体と貯留槽とをつなぐ原料流入管路及び原料流出管路を備える。また、この構成では、貯留槽だけでなく原料流入管路及び原料流出管路の内部にもプラズマ原料を満たしておく必要がある。このため、液体原料循環装置の装置本体にはプラズマ原料を液体状態で貯留するもう一つの貯留槽が設けられる。これら2つの貯留槽や原料流入管路及び原料流出管路の間で液体状のプラズマ原料を円滑に循環させるためには、液体状のプラズマ原料が大量に必要とされる。
 また、回転体上に供給される液体状のプラズマ原料は、エネルギービームの照射によりプラズマ化して消費される。また、液体状のプラズマ原料の一部は、デブリ等として飛散することでも消費される。このため、例えば液体原料循環装置の装置本体に設けられたもう一つの貯留槽には、光源装置の動作中に消費される分のプラズマ原料も貯蓄される必要がある。
 このように、液体原料循環装置を用いた場合には、回転体の一部が浸漬されている貯留槽の容積よりも多くのプラズマ原料が必要となる。
 また、プラズマ原料として、加熱された溶融金属を用いる場合、溶融金属の状態を保っておくためには、プラズマ原料が存在する部位をすべて加熱・保温しておく必要がある。
これによりエネルギーの消費量が増大することが考えられる。
 ところで特許文献2には、液体状のプラズマ原料(スズ)をコンテナに循環させる供給機構(スズ供給機構)が記載されている。この供給機構には、コンテナよりも容量が大きく液体状態のスズを収容するリザーバーが設けられる。リザーバーには、スズ充填機構から、固体状のスズ球が供給される。このように、液体状のプラズマ原料を貯留する容器に対して、固体状のプラズマ原料を直接供給する方法も考えられる。
 例えば特許文献1に記載された回転体の一部が浸漬されている貯留槽に対して、液体原料循環装置を用いずに、固体状のプラズマ原料を直接供給した場合、貯留槽にすでに貯留されていた液体状のプラズマ原料の温度が低下する可能性がある。この結果、エネルギービームの照射位置に供給されるプラズマ原料の特性が変化し、発光動作が不安定になるといった事態が考えられる。また固体状のプラズマ原料が液化し、容器内のプラズマ原料の温度が安定するまでには、一定の時間がかかると考えられ、安定した原料供給が難しくなる可能性がある。
 以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、プラズマ原料の貯留量を少なくし、消費エネルギーを抑えるとともに、プラズマ原料を安定して供給することが可能な原料供給装置及び光源装置を提供することにある。
 上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る原料供給装置は、エネルギービームの照射によりプラズマ化して放射線を発生するプラズマ原料を減圧チャンバ内に供給する原料供給装置であって、原料タンクと、供給制御部とを具備する。
 前記原料タンクは、前記プラズマ原料を液体状態で保持する。
 前記供給制御部は、前記原料タンクと前記減圧チャンバとを接続し前記原料タンク内に保持された液体状のプラズマ原料を前記減圧チャンバ内に設けられた貯留容器に供給する供給管を有し、前記供給管を通した前記液体状のプラズマ原料の供給を制御する。
 この原料供給装置では、原料タンク内に液体状態で保持されたプラズマ原料が、供給管を通して液体状態のまま減圧チャンバ内の貯留容器に供給される。また供給管を通した液体状のプラズマ原料の供給は、供給制御部により制御される。これにより、原料を循環させることなく、貯留容器に対して、液体状のプラズマ原料を必要に応じて供給することが可能となる。この結果、プラズマ原料の貯留量を少なくし、消費エネルギーを抑えるとともに、プラズマ原料を安定して供給することが可能となる。
 前記原料タンクは、前記減圧チャンバの外側に設けられてもよい。この場合、前記供給管は、前記減圧チャンバの壁面を貫通して前記原料タンクと前記減圧チャンバとを接続してもよい。
 前記原料タンクは、前記減圧チャンバの上方に配置されてもよい。この場合、前記供給管は、前記貯留容器の上方から前記液体状のプラズマ原料を供給してもよい。
 前記供給制御部は、前記供給管に設けられ前記液体状のプラズマ原料の流れを開閉する第1のバルブ機構を有してもよい。
 前記第1のバルブ機構は、前記プラズマ原料が固体状態及び液体状態のいずれの状態にも変化可能なように前記供給管の少なくとも一部の温度を調整する第1の温調機構であってもよい。
 前記供給管は、流路が狭くなる狭窄部を有してもよい。この場合、前記第1の温調機構は、前記狭窄部に設けられてもよい。
 前記供給管は、前記原料タンク側に接続され前記液体状のプラズマ原料の流路を下向きから上向きに曲げる第1の屈曲部と、前記減圧チャンバ側に接続され前記流路を上向きから下向きに曲げる第2の屈曲部とを有してもよい。この場合、前記第2の屈曲部に形成される前記流路の下面は、前記第1の屈曲部に形成される前記流路の上面よりも高い位置に配置されてもよい。
 前記供給制御部は、前記プラズマ原料が固体状態及び液体状態のいずれの状態にも変化可能なように前記第1の屈曲部の温度を調整する第2の温調機構を有してもよい。
 前記供給管は、前記原料タンクから前記液体状のプラズマ原料が流入する流入口を有し、前記流入口が前記原料タンクの内側の底面よりも高い位置となるように配置されてもよい。
 前記原料タンクは、前記プラズマ原料が補給される補給口を有してもよい。この場合、前記流入口は、前記補給口とは鉛直方向において重ならない位置に配置されてもよい。
 前記原料供給装置は、さらに、前記原料タンクに前記プラズマ原料を補給する原料補給部を具備してもよい。
 前記原料補給部は、前記原料タンクに固体状態の前記プラズマ原料を補給してもよい。
 前記原料供給装置は、さらに、前記原料タンクと所定の排気機構とを接続する排気管を具備してもよい。この場合、前記原料補給部は、前記原料タンクに補給するための前記プラズマ原料を排出する排出部と、前記排出部と前記原料タンクとを接続し前記排出部から排出された前記プラズマ原料を通過させる補給管と、前記補給管に設けられ前記原料タンクの減圧雰囲気を維持する第2のバルブ機構とを有してもよい。
 前記第2のバルブ機構は、ロードロック機構として構成されてもよい。
 前記貯留容器は、上方に開口し前記液体状のプラズマ原料を貯留する貯留部を有してもよい。この場合、前記供給管は、前記液体状のプラズマ原料が流出する流出口を有し、前記流出口が前記貯留容器の前記貯留部の開口端よりも低い位置となるように配置されてもよい。
 前記供給制御部は、前記プラズマ原料が固体状態及び液体状態のどちらかの状態となるように前記供給管の前記減圧チャンバ内に突出した部分の温度を調整する第3の温調機構を有してもよい。
 前記第3の温調機構は、前記減圧チャンバの外壁を貫通して設けられてもよい。
 前記貯留容器は、上方に開口し前記液体状のプラズマ原料を貯留する貯留部を有してもよい。この場合、前記供給管は、前記液体状のプラズマ原料が流出する流出口を有してもよい。また、前記原料供給装置は、さらに、前記流出口を囲うように設けられ前記貯留容器の前記貯留部の開口端よりも低い位置まで伸びる防御管を具備してもよい。
 本発明の一形態に係る光源装置は、エネルギービームの照射によりプラズマ原料をプラズマ化して放射線を発生させる光源装置であって、減圧チャンバと、貯留容器と、原料供給装置とを具備する。
 前記貯留容器は、前記減圧チャンバ内に設けられ、液体状のプラズマ原料を貯留して、前記エネルギービームの照射部位に前記液体状のプラズマ原料を供給する。
 前記原料供給装置は、
  前記プラズマ原料を液体状態で保持する原料タンクと、
  前記原料タンクと前記減圧チャンバとを接続し前記原料タンク内に保持された液体状のプラズマ原料を前記減圧チャンバ内に設けられた前記貯留容器に供給する供給管を有し、前記供給管を通した前記液体状のプラズマ原料の供給を制御する供給制御部とを有する。
 前記光源装置は、さらに、前記エネルギービームが照射される回転体を具備してもよい。この場合、前記貯留容器は、前記回転体が浸漬するように設けられ、前記回転体に前記液体状のプラズマ原料を供給する原料コンテナであってもよい。
 前記貯留容器は、上方に開口した貯留部を有し、前記貯留部の内側面に前記液体状のプラズマ原料を貯留する回転ドラムであってもよい。この場合、前記エネルギービームは、前記貯留部の内側面に照射されてもよい。
 本発明によれば、プラズマ原料の貯留量を少なくし、消費エネルギーを抑えるとともに、プラズマ原料を安定して供給することが可能となる。
本発明の第1の実施形態に係る光源装置の構成例を示す模式図である。 第1の実施形態に係るプラズマ生成機構及び原料供給装置の構成例を示す模式図である。 図2に示す原料供給装置の動作例を示すフローチャートである。 原料供給装置による原料補給動作の一例を示すフローチャートである。 原料供給装置による原料供給動作の一例を示すフローチャートである。 第2の実施形態に係る原料供給装置の構成例を示す模式図である。 第3の実施形態に係る原料供給装置の構成例を示す模式図である。 図7に示す原料供給装置の原料補給動作の一例を示すフローチャートである。 第4の実施形態に係る原料供給装置の構成例を示す模式図である。 図9に示す原料供給装置の動作例を示す模式図である。 第5の実施形態に係る原料供給装置の構成例を示す模式図である。 第6の実施形態に係る原料供給装置の構成例を示す模式図である。 図12に示す原料供給装置の変形例を示す模式図である。 第7の実施形態に係る原料供給装置の構成例を示す模式図である。 他の実施形態に係る光源装置の構成例を示す模式図である。 他の実施形態に係る光源装置の構成例を示す模式図である。
 以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。
 <第1の実施形態>
 [光源装置の基本構成]
 図1は、本発明の第1の実施形態に係る光源装置の構成例を示す模式図である。
 光源装置100は、LPP方式の光源装置である。すなわち、光源装置100は、プラズマ原料1にエネルギービームEBを照射することで、プラズマ原料1を励起してプラズマPを発生させ、プラズマPから放出される放射線Rを取り出して光源として用いる装置である。
 なお、本開示において、放射線Rには、EUV光等の軟X線領域の光や、よりエネルギーの高い硬X線等、プラズマPから放射される光(電磁波)が含まれる。
 放射線RとしてEUV光が出射される場合は、プラズマ原料1としてEUV原料が用いられる。EUV光を放出するための原料としては、例えば、液体状のスズ(Sn)やリチウム(Li)が用いられる。Sn、Liは常温では固体であるが、エネルギービームEBに照射される場合には、液体の状態で用いられる。
 放射線RとしてX線が出射される場合は、プラズマ原料1としてX線原料が用いられる。X線原料は例えば常温で液体状である金属であり、例えば、ガリウム(Ga)や、ガリウム合金、Sn化合物等を用いることができる。
 図1は、光源装置100を設置面から所定の高さの位置で水平方向に沿って切断した場合の模式的な断面を、上方から見た場合の図である。
 図1では、光源装置100の構成及び動作を理解しやすいように、断面の構成等を説明する必要のない部分については、断面の図示を省略している。
 以下、X方向を左右方向(X軸の正側が右側、負側が左側)、Y方向を前後方向(Y軸の正側が前方側、負側が後方側)、Z方向を高さ方向(Z軸の正側が上方側、負側が下方側)として説明を行う。もちろん、本技術の適用について、光源装置100が使用される向き等が限定される訳ではない。
 光源装置100は、筐体2と、真空チャンバ3と、エネルギービーム入射チャンバ4と、放射線出射チャンバ5と、プラズマ生成機構6と、制御部7と、原料供給装置30とを含む。なお、図1では、原料供給装置30を細かい点線の枠により模式的に図示している。原料供給装置30の構成については、図2等を参照して後に詳しく説明する。
 図1に示す例では、筐体2は、おおよその外形が立方体形状となるように構成される。
なお筐体2の形状は立方体形状に限定されず、任意の立体形状が用いられてよい。
 筐体2は、前方面に形成される出射孔2aと、右側面に形成される入射孔2bと、後方面に形成される貫通孔2cと、左側面に形成される貫通孔2dとを有する。
 筐体2の材料は限定されず、例えば金属製の筐体が用いられる。
 本実施形態では、前方面の出射孔2aを通り、Y方向(前後方向)に延在するように、放射線Rの出射軸EAが設定される。X線やEUV光等の放射線Rは、出射軸EAに沿って取り出され、出射孔2aから前方側に向かって放出される。
 また本実施形態では、右側面の入射孔2bから、後方側に向かって左斜めに延在するように、エネルギービームEBの入射軸IAが設定される。
 図1に示すように、筐体2の外部に、エネルギービームEBを出射するビーム源8が設置される。ビーム源8は、入射軸IAに沿ってエネルギービームEBが筐体2の内部に入射するように設置される。
 エネルギービームEBとしては、電子ビームやレーザビームを使用することが可能である。ビーム源8の構成としては、これらのエネルギービームEBを出射可能な任意の構成が採用されてよい。
 光源装置100には、複数のチャンバを含むチャンバ部Cが設けられる。具体的には、チャンバ部Cは、真空チャンバ3、エネルギービーム入射チャンバ(以下、単に入射チャンバという)4、及び放射線出射チャンバ(以下、単に出射チャンバという)5を有する。
真空チャンバ3、入射チャンバ4および出射チャンバ5は、互いに空間的に接続される。
すなわち、真空チャンバ3と入射チャンバ4とは互いに連結される。同様に、真空チャンバ3と出射チャンバ5とは互いに連結される。
 入射チャンバ4は、エネルギービームEBの入射軸IA上に位置するように形成され、出射チャンバ5は、放射線Rの出射軸EA上に位置するように形成される。また真空チャンバ3には、プラズマPを発生させる機構が設けられる。
 本実施形態では、チャンバ本体9と、チャンバ本体9の前方面から前方側に突出する外側突出部9aと、チャンバ本体9の内周面から内部側に突出する2つの内側突出部9b及び9cとにより、チャンバ部C(真空チャンバ3、入射チャンバ4、及び出射チャンバ5)が構成される。
 チャンバ部Cを構成する、チャンバ本体9、外側突出部9a、及び2つの内側突出部9b及び9cの材料としては、金属材料が用いられる。
 チャンバ本体9は、おおよその外形が直方体形状となるように構成され、前後左右の各面が、筐体2の前後左右の各面とそれぞれ対向するように配置される。
 また、チャンバ本体9は、前方面と右側面との間の右前角部が、エネルギービームEBの入射軸IA上に位置するように配置される。
 図1に示すように、チャンバ本体9の前方面には、出射孔9dが形成される。出射孔9dは、放射線Rの出射軸EA上で、筐体2の前方面の出射孔2aと並ぶ位置に形成される。
 チャンバ本体9の出射孔9dの周縁部から、前方側に突出するように外側突出部9aが構成される。外側突出部9aは、筐体2の出射孔2aに内接するように、筐体2の出射孔2aよりも前方側に大きく突出するように構成される。
 また、チャンバ本体9の内部側において、出射孔9dの周縁部から内部側に突出するように、内側突出部9bが構成される。
 外側突出部9a及び内側突出部9bに囲まれた空間が、出射チャンバ5として機能する。出射チャンバ5を構成する部材である外側突出部9a及び内側突出部9b自体を、出射チャンバと呼ぶことも可能である。
 外側突出部9a及び内側突出部9bは、チャンバ本体9と一体的に形成されてもよいし、別個に形成されたのちにチャンバ本体9に接続されてもよい。
 出射チャンバ5は、放射線Rの出射軸EAを中心軸として、コーン形状となるように構成される。出射チャンバ5は、放射線Rの出射軸EAの方向において、中央部分の断面積が大きく、前後の端部に近づくにつれて断面積が小さくなるように構成される。すなわち、出射チャンバ5は、前後の端部に近づくにつれて絞られるような形状である。また出射チャンバ5は、前後の端部に放射線Rを通す開口部(アパーチャー)が設けられる。
 出射チャンバ5の前方側の端部(外側突出部9aの前方側の端部)には、マスク検査装置等の利用装置が接続される。図1に示す例では、利用装置の一部をなすチャンバとして、アプリケーションチャンバ10が接続される。アプリケーションチャンバ10内の圧力は大気圧であってもよい。また、アプリケーションチャンバ10の内部は、必要に応じてガス注入路よりガス(例えば、不活性ガス)を導入してパージしてもよい。またアプリケーションチャンバ10の内部のガスは図示を省略した排気手段により排気されていてもよい。
 出射チャンバ5とアプリケーションチャンバ10との間には、プラズマPが生成される領域とアプリケーションチャンバ10とを物理的に分離するフィルタ膜11が設けられる。フィルタ膜11は、放射線を透過可能な材料で構成され、プラズマPの発生に伴って飛散するプラズマ原料1やデブリのアプリケーションチャンバ10への進入を防止する。
 出射チャンバ5の内部には、出射チャンバ5の内に入射した放射線Rを利用装置内(アプリケーションチャンバ10内)に導光して集光するためのコレクタ(集光鏡)12が配置されている。図1では、出射チャンバ5に入射し集光される放射線Rの成分がハッチングにて図示されている。
 また出射チャンバ5の内部には、遮蔽部材(中央掩蔽)13が配置される。遮蔽部材13は、放射線Rの出射軸EA上にて、チャンバ本体9の出射孔9d、筐体2の出射孔2a、及びフィルタ膜11と並ぶように配置される。本実施形態では、遮蔽部材13により、コレクタ12により集光されない放射線成分を遮光することが可能である。
 チャンバ本体9の右前角部には、入射窓14が形成される。入射窓14は、エネルギービームEBの入射軸IA上で、筐体2の右側面の入射孔2bと並ぶ位置に形成される。
 また、チャンバ本体9の右前角部の内部側において、入射窓14を囲む位置からエネルギービームEBの入射軸IAの方向に沿って突出するように、内側突出部9cが構成される。
 チャンバ本体9の内部空間のうち、内側突出部9cに囲まれた空間が、入射チャンバ4として機能する。入射チャンバ4を構成する内側突出部9c及びチャンバ本体9の右前角部の部分自体を、入射チャンバと呼ぶことも可能である。
 内側突出部9cは、チャンバ本体9と一体的に形成されてもよいし、別個に形成されたのちにチャンバ本体9に接続されてもよい。
 入射チャンバ4は、エネルギービームEBの入射軸IAを中心軸として、コーン形状となるように構成される。入射チャンバ4は、エネルギービームEBの入射軸IAの方向において、チャンバ本体9の内部側の端部に近づくにつれて断面積が小さくなるように構成される。すなわち、入射チャンバ4は、内部側の端部に近づくにつれて絞られるような形状である。また入射チャンバ4は、内部側の端部にエネルギービームEBを通す開口部(アパーチャー)が設けられる。
 入射チャンバ4の内部には、飛散したプラズマ原料1やデブリを捕捉するための捕捉機構が配置される。図1に示す例では、補足機構として、エネルギービームEBを透過し、プラズマ原料1やデブリを捕捉する板状の回転部材である回転式窓15が配置される。回転式窓15を回転させることで、回転式窓15のビーム透過領域の実質的な面積が増大し、回転式窓15の交換頻度を低減することが可能となる。
 また、図1に示すように、出射チャンバ5及び入射チャンバ4には、ガス注入路16a及び16bがそれぞれ設けられ、図示を省略したガス供給装置から、出射チャンバ5及び入射チャンバ4の内部にガスが供給される。出射チャンバ5には、放射線Rに対して透過率の高いガスが供給される。また入射チャンバ4には、エネルギービームEBに対して透過率の高いガスが供給される。
 出射チャンバ5及び入射チャンバ4に供給されるガスは同じ種類のガスであってもよいし、異なる種類のガスであってもよい。例えばアルゴンやヘリウムは、エネルギービームEB及び放射線Rの両方に対して透過率の高いガスとして用いることが可能である。この他、出射チャンバ5及び入射チャンバ4に供給されるガスの種類は限定されない。
 ガスを供給することで、出射チャンバ5及び入射チャンバ4の内部圧力を真空チャンバ3の内部圧力よりも高い圧力に設定し、デブリ等の侵入を抑制することが可能となる。
 チャンバ本体9の内部空間のうち、出射チャンバ5として機能する内側突出部9bの内部空間、及び入射チャンバ4として機能する内側突出部9cの内部空間を除く空間が、真空チャンバ3として機能する。真空チャンバ3を構成する部分自体を、真空チャンバと呼ぶことも可能である。本実施形態では、真空チャンバ3は、減圧チャンバに相当する。
 図1に示すように、チャンバ本体9は、筐体2の左側面の貫通孔2dから筐体2の外部に突出する部分を有し、その先端が排気用ポンプ17に接続される。排気用ポンプ17の具体的な構成は限定されず、真空ポンプ等の任意のポンプが用いられてよい。
 排気用ポンプ17により真空チャンバ3内が排気され、真空チャンバ3が減圧される。
これにより、真空チャンバ3内にて生成される放射線Rの減衰が抑制される。
 真空チャンバ3内は、入射チャンバ4及び出射チャンバ5に対して減圧雰囲気であればよく、必ずしも真空雰囲気でなくてもよい。また、真空チャンバ3内に不活性ガスが供給されていてもよい。
 本実施形態では、入射軸IAと出射軸EAとの間の領域に向けて左右方向に延在するようにガスノズル18が設置される。ガスノズル18は、チャンバ本体9の右側面に、シール部材等を介して設置される。ガスノズル18は、図示を省略したガス供給装置に接続され、チャンバ本体9内にガスを供給する。
 図1に示す例では、ガスノズル18から、入射軸IAと出射軸EAとの間の領域の右側から左右方向に沿って左側に向かってガスが吹き付けられる。これにより、プラズマPから放出されるデブリを、入射軸IA及び出射軸EAから遠ざかる方向に移動させることが可能となる。
 プラズマ生成機構6は、真空チャンバ3内にてプラズマPを生成し、放射線R(X線、EUV光)を放出するための機構である。
 プラズマ生成機構6は、原料供給用の円盤状の回転体20、及び液体状のプラズマ原料1を収容する原料コンテナ21を含む。回転体20及び原料コンテナ21は、真空チャンバ3の内部に配置される。
 図1に示すように、円盤状の回転体20には、エネルギービームEBが入射する。回転体20は、エネルギービームEBの照射位置Iが入射軸IAと出射軸EAとの交点の位置に配置されるように、真空チャンバ3内に配置される。本実施形態では、回転体20は、エネルギービームが照射される回転体に相当する。なお、回転体の形状は円盤形状に限定されず、例えば多角形形状の回転体等が用いられてもよい。
 原料コンテナ21は、回転体20が浸漬するように設けられ、回転体20に液体状のプラズマ原料1を供給する。例えば回転体20は、原料コンテナ21内の液体状のプラズマ原料1に浸漬した状態で回転可能に保持され、回転体20の表面にはプラズマ原料1が付着する。この状態で回転体20が回転することにより、回転体20の照射位置Iにプラズマ原料1が供給される。そして回転体20の照射位置IにエネルギービームEBが入射することで、プラズマPが生成される。
 このように、原料コンテナ21は、真空チャンバ3内に設けられ、液体状のプラズマ原料1を貯留して、エネルギービームEBの照射位置Iに液体状のプラズマ原料1を供給する。本実施形態では、原料コンテナ21は、貯留容器の一例であり、原料コンテナに相当する。この他、プラズマ生成機構6の構成については、後に詳しく説明する。
 制御部7は、光源装置100が有する各構成要素の動作を制御する。
 例えば、制御部7により、ビーム源8や排気用ポンプ17の動作が制御される。また制御部7により、後に説明する各種モータ、原料供給装置30等の動作が制御される。
 制御部7は、例えばCPUやメモリ(RAM、ROM)等のコンピュータに必要なハードウェア回路を有する。CPUがメモリに記憶されている制御プログラムをRAMにロードして実行することにより、種々の処理が実行される。
 制御部7として、例えばFPGA(Field Programmable Gate Array)等のPLD(Programmable Logic Device)、その他ASIC(Application Specific Integrated Circuit)等のデバイスが用いられてもよい。
 図1では、制御部7は機能ブロックとして模式的に図示されているが、制御部7が構成される位置等は任意に設計されてよい。
 また、図1に示すように、本実施形態では、チャンバ本体9の前面側にて、真空チャンバ3と空間的に接続される領域に、放射線診断部19が構成される。放射線診断部19は、放射線Rの出射軸EAとは異なる方向に放射される放射線Rが入射する位置に構成される。
 放射線診断部19は、プラズマPからの放射線Rの状態を測定する。ここで放射線Rの状態とは、放射線Rの強度、波長、スペクトルといった放射線Rの物理的状態である。例えば、放射線Rの有無を検出する検出器や、放射線の出力を測定する測定器により放射線診断部19が構成される。
 放射線診断部19による測定結果は、放射線Rの診断や、以下で説明する原料供給装置30の動作制御に用いられる。
 図2は、第1の実施形態に係るプラズマ生成機構及び原料供給装置の構成例を示す模式図である。図2には、図1の矢印Aの方向から回転体20を見た場合の断面構成例が模式的に図示されている。なお、図2では、筐体2、エネルギービーム入射チャンバ4、及び放射線出射チャンバ5は省略されている。
 [プラズマ生成機構の基本構成]
 図1及び図2に示すように、プラズマ生成機構6は、回転体20と、原料コンテナ21と、モータ26と、軸部27と、スキマー28とを含む。
 回転体20は、円盤状の部材であり、回転軸Oを中心に回転することで、プラズマ生成領域にプラズマ原料1を供給する。回転体20は、典型的には回転面が鉛直方向と平行になるように、すなわち回転軸Oが水平方向と平行となるように配置される。なお、回転体20は、回転軸Oが水平方向に対して傾斜するように配置することも可能である。
 回転体20は、表面20a及び裏面20bを有し、表面20aにエネルギービームEBが入射するように配置される。また表面20aの所定の位置に、エネルギービームEBが入射する照射位置Iが設定される。逆に言えば、回転体20の2つの主面のうち、エネルギービームEBの照射位置Iが設定される主面が表面20aとなる。そして反対側の主面が、裏面20bとなる。
 回転体20は、例えばタングステン(W)、モリブデン(Mo)、タンタル(Ta)等の高融点金属を用いて構成される。
 原料コンテナ21は、底部22と、外壁部23と、貯留部24とを有する。底部22は、原料コンテナ21の底を構成する部分である。外壁部23は、底部22を囲むように上方に向けて突出した部分である。貯留部24は、底部22と外壁部23とで囲まれた領域であり、上方に開口し液体状のプラズマ原料1を貯留する。貯留部24には、後述する原料供給装置30から、液体状のプラズマ原料1が供給される。
 回転体20は、下方側の一部が、貯留部24に貯留されたプラズマ原料1に浸漬されている。このとき、回転体20の位置や、貯留部24内のプラズマ原料1の貯留量は、少なくとも回転体20の表面20aの一部がプラズマ原料1に浸かるように設定される。
 放射線RとしてX線が出射される場合は、プラズマ原料1としてX線原料が用いられる。X線原料は常温で液体状である金属や金属化合物であり、例えば、ガリウム(Ga)や、ガリウム合金、Sn化合物等を用いることができる。
 放射線RとしてEUV光が出射される場合は、プラズマ原料1としてEUV原料が用いられる。EUV光を放出するための原料としては、例えば、液体状のスズ(Sn)やリチウム(Li)が用いられる。
 Sn、Liは常温では固体であるので、原料コンテナ21には図示を省略した温調手段が設けられる。例えば、EUV原料がSnの場合は、原料コンテナ21はSnの融点以上の温度に維持される。
 図1及び図2に示す例では、原料コンテナ21は、長手方向が回転体20の直径よりも長くなるように構成される。また、回転体20は、原料コンテナ21の長手方向の一端側に近接して配置される。従って原料コンテナ21の長手方向の他端側には、上方から見て貯留部24が露出した領域が形成され、当該領域の上方から液体状のプラズマ原料1が供給される。この他、原料コンテナ21の形状は限定されず、例えば原料コンテナ21の短手方向が図1に示す例よりも長く構成されてもよい。この場合、短手方向において貯留部24を比較的広く露出させることができる。このような領域の上方から液体状のプラズマ原料1が供給されてもよい。
 なお回転体20及び原料コンテナ21は、貯留部24が露出しプラズマ原料1が供給される領域とエネルギービームEBの入射軸IAや放射線Rの出射軸EAとが、上方から見た平面視で重ならないように構成される。
 回転体20の裏面20bの中心部には、モータ26の軸部27が接続される。制御部7によりモータ26の動作が制御され軸部27を介して回転体20が回転される。
 軸部27は、回転体20の表面20aに直交する方向に延在する柱状の部材であり、その中心軸が回転体20及びモータ26の回転軸Oとなる。
 軸部27は、筐体2の貫通孔2cを通り、メカニカルシール29を介して、真空チャンバ3内に導入される。このとき、軸部27は、筐体2(貫通孔2c)と接触しないように配置される。メカニカルシール29は、真空チャンバ3内の減圧雰囲気を維持しつつ、軸部27の回転を許容する。
 上記したように、回転体20は、原料コンテナ21に貯留されたプラズマ原料1に浸漬するように配置される。この状態で、回転体20が軸部27(回転軸O)を中心に回転すると、表面20aになじんで、表面20aに付着したプラズマ原料1が原料コンテナ21から引き上げられる。この方式により、表面20aの全周にわたってプラズマ原料1が塗布される。また、表面20aに塗布されたプラズマ原料1は、回転体20の回転とともに、エネルギービームEBの照射位置Iに輸送される。このように、本実施形態では、原料コンテナ21、モータ26、及び軸部27により、回転体20にプラズマ原料1が供給される。
 図2に示すように、本実施形態では、回転体20の表面20aの周縁部の近傍に、エネルギービームEBの照射位置Iが設定される。この照射位置Iにプラズマ原料1が供給されるように、モータ26及び軸部27の構成及び動作が適宜設計される。
 スキマー28は、回転体20の表面20a上に供給されるプラズマ原料1の膜厚を所定の膜厚に調整するための膜厚調整部材として、回転体20の周縁部の所定の位置に設けられる。
 スキマー28は、例えばチャネル構造を有する構造体であって、その内側に回転体20を挟むように所定の間隙をもって配置される。スキマー28は、回転体20の表面20aに塗布されたプラズマ原料1の一部を削ぎとるスクレーパーとして機能する。
 回転体20の表面20aとスキマー28との間隔は、回転体20の表面20aに設定されるエネルギービームEBの照射位置Iにおけるプラズマ原料1の膜厚に対応する。そして、スキマー28は、照射位置Iにおけるプラズマ原料1の膜厚を、所定の膜厚に調整可能な位置に配置される。
 回転体20の表面20aとスキマー28との間隔を適宜設定する。これにより、原料コンテナ21の原料貯留部分において回転体20に塗布された液体状のプラズマ原料1は、回転体20の回転によってスキマー28を通過する際に、回転体20上における膜厚が所定の膜厚となるように調整される。
 スキマー28によって膜厚が調整された回転体20上のプラズマ原料1は、回転体20の回転とともにエネルギービームEBの照射位置Iに輸送される。すなわち、回転体20の回転方向は、回転体20上のプラズマ原料1がスキマー28を通過後、照射位置Iに輸送される方向である。そして、照射位置Iにおいて、回転体20上のプラズマ原料1にエネルギービームEBが照射され、プラズマPが発生される。
 スキマー28により、照射位置Iにほぼ均一にプラズマ原料1を供給することが可能となる。照射位置Iにおけるプラズマ原料1の厚みを安定させることにより、プラズマPから放射される放射線Rの強度を安定させることが可能となる。
 [原料供給装置の基本構成]
 図2に示すように、原料供給装置30は、光源装置100の真空チャンバ3に接続される。原料供給装置30は、エネルギービームEBの照射によりプラズマ化して放射線Rを発生するプラズマ原料1を真空チャンバ3内に供給する装置である。
 原料供給装置30は、原料排出部31と、原料補給管32と、補給用バルブ33と、原料タンク34と、原料供給管35と、供給用バルブ36とを有する。また原料供給装置30は、圧力計37と、排気管38とを有する。
 原料供給装置30では、原料排出部31から補給用のプラズマ原料1が排出される。補給用のプラズマ原料1は、原料補給管32及び補給用バルブ33を介して、原料タンク34に導入される。
 原料タンク34では、プラズマ原料1が液体状態で保持される。原料タンク34に保持された液体状のプラズマ原料1は、原料供給管35及び供給用バルブ36を介して、真空チャンバ3内の原料コンテナ21の貯留部24に導入される。
 このように、原料供給装置30には、プラズマ原料1を液体状態で保持する原料タンク34が設けられる。また原料供給装置30は、真空チャンバ3内に設けられた原料コンテナ21の貯留部24に、プラズマ原料1を液体状態で供給が可能なように構成される。
 従って、光源装置100では、原料コンテナ21と原料タンク34に液体状のプラズマ原料1が貯留されることになる。このうち、原料タンク34の貯留量は、装置の動作中に消費されたプラズマ原料を補充可能な量であればよいため、例えば原料コンテナ21の貯留量よりも少なくてよい。また、プラズマ原料21を循環させるための配管等を液体状態のプラズマ原料1で満たすといった必要もない。このため、プラズマ原料1の貯留量を少なくすることが可能である。
 また、原料供給装置30では、原料タンク34内のプラズマ原料1が液体状態で維持される。ここで、原料タンク34は容量が小さく、比較的少ない電力で、プラズマ原料1を加熱・保温することが可能である。これにより、消費エネルギーを抑えることが可能である。
 さらに、原料供給装置30では、原料コンテナ21に対して、液体状のプラズマ原料を必要に応じて供給することが可能である。これにより、プラズマ原料を安定して供給することが可能となる。
 なお、本開示では、原料タンク34にプラズマ原料1を導入することを、補給すると記載し、原料タンク34から原料コンテナ21に液体状のプラズマ原料を導入することを、供給すると記載する。
 以下、原料供給装置30の各部の構成について具体的に説明する。
 原料排出部31は、原料タンク34に補給するためのプラズマ原料1(補給用のプラズマ原料)を排出する。原料排出部31は、補給用のプラズマ原料1の種類に応じて適宜構成されるが、典型的にはプラズマ原料1を収容し必要量を排出する機構として構成される。
 原料補給管32は、原料排出部31と原料タンク34とを接続し原料排出部31から排出された補給用のプラズマ原料1を通過させる。
 補給用バルブ33は、原料補給管32に設けられ原料タンク34の減圧雰囲気を維持する。補給用バルブ33としては、例えば補給用のプラズマ原料1が通過可能なように原料補給管32を開閉するメカニカルバルブ等が用いられる。
 本実施形態では、原料排出部31は、排出部に相当し、原料補給管32は、補給管に相当し、補給用バルブ33は、第2のバルブ機構に相当する。また、原料排出部31、原料補給管32、及び補給用バルブ33は、原料タンクにプラズマ原料を補給する原料補給部として機能する。
 原料タンク34に補給される補給用のプラズマ原料1は、固体状態(固相)又は液体状態(液相)のプラズマ原料1である。
 上記したように、EUV光を発生させるためのプラズマ原料1は、常温で固体状の金属原料(SnやLi等)である。この場合、補給用のプラズマ原料1として、SnやLiを球体状やペレット状に加工した金属体が用いられる。また放射線Rを発生させるためのプラズマ原料1は、常温で液体状の金属原料や金属化合物(Ga、Ga合金、Sn化合物等)である。この場合、補給用のプラズマ原料1として、液体状の金属原料がそのまま用いられる。
 原料排出部31、原料補給管32、及び補給用バルブ33は、固体状態又は液体状態のプラズマ原料1を原料タンク34に補給可能なようにそれぞれ構成される。
 以下では、補給用のプラズマ原料1として、主に固体状の金属原料が用いられる場合について説明する。
 原料タンク34は、真空チャンバ3の外側に設けられ、プラズマ原料1を液体状態で保持する。すなわち、原料タンク34は、内部の空間に液体状のプラズマ原料1を蓄えることが可能なように構成される。原料タンク34には、内部に連通するように、原料補給管32と、原料供給管35とが接続される。
 また原料タンク34は、加熱機構40を有する。加熱機構40は、原料タンク34内のプラズマ原料1を加熱するため機構である。加熱機構40としては、例えば電熱線等を用いたヒータが用いられる。
 加熱機構40による加熱により、原料補給管32から原料タンク34に補給されるプラズマ原料1は、補給時の状態(固体状態又は液体状態)にかかわらず、プラズマ原料1が液体状態となるように所定の温度に維持される。例えば、プラズマ原料1がSnの場合、原料タンク34内のプラズマ原料1は、Snの融点以上の温度に維持される。これにより、原料タンク34内のプラズマ原料1を液相状態で維持することが可能となる。なお加熱機構40に代えて原料タンク34の温度を調整可能な温調機構が設けられてもよい。
 原料タンク34の容量は、例えば原料コンテナ21に対するプラズマ原料1の1回分の供給量を貯留可能な量に設定される。典型的には、原料タンク34は、1回分の供給量の1.5倍から3倍程度のプラズマ原料1を貯留可能なように構成される。また原料タンク34そのものを小さくすることで、加熱機構40による加熱動作時の消費エネルギーを抑えることが可能である。
 図2に示すように、原料タンク34は、真空チャンバ3の上方に配置される。これにより、液体状のプラズマ原料1をその自重により真空チャンバ3内に導入することが可能となる。これにより、装置構成をシンプルにすることが可能となる。
 また、原料タンク34には、原料タンク34と真空排気装置45とを接続する排気管38が接続される。真空排気装置45は、原料タンク34内を排気して減圧雰囲気にするための装置であり、真空ポンプ等を用いて構成される。本実施形態では、真空排気装置45は、所定の排気機構に相当する。
 さらに、原料タンク34には、原料タンク34内の圧力を計測する圧力計37が接続される。圧力計37の計測値は、制御部7に出力される。これにより、原料タンク34内の圧力を参照しながら原料供給装置30を動作させることが可能となる。
 この他、原料タンク34には、液体状のプラズマ原料1の液面レベルを検出する液面センサや、液体状のプラズマ原料1の温度を検出する温度センサ等が適宜設けられてよい。
 原料供給管35は、原料タンク34と真空チャンバ3とを接続し原料タンク34内に保持された液体状のプラズマ原料1を真空チャンバ3内に設けられた原料コンテナ21に供給する。本実施形態では、原料タンク34が真空チャンバ3の外側に配置されるため、原料供給管35は、真空チャンバ3の壁面を貫通して原料タンク34と真空チャンバ3とを接続する。
 原料供給管35は、原料タンク34から液体状のプラズマ原料が流入する流入口35aと、液体状のプラズマ原料1が流出する流出口35bとを有する。また流入口35aと流出口35bとの間には、後述する供給用バルブ36が設けられる。
 本実施形態では、原料供給管35は、供給管に相当する。
 原料供給管35は、原料タンク34の壁部及び真空チャンバ3の壁部を貫通して設けられ、原料タンク34と真空チャンバ3とを空間的につなげる。また原料供給管35と真空チャンバ3の壁部との貫通部分は、真空チャンバ内の減圧雰囲気を維持するために、適宜シールされている。
 図2に示す例では、原料供給管35の流入口35aは、原料タンク34内の底面に接続される。なお、流入口35aを設ける位置は限定されず、例えば原料タンク34内の側面等に流入口35aが設けられてもよい。
 原料供給管35の流出口35bは、原料コンテナ21の底部22の上面(貯留部24の底面)に対向して配置される。すなわち、原料供給管35の流出口35bは、原料コンテナ21に形成される貯留部24の上方に配置される。従って、原料供給管35は、原料コンテナ21に対して、原料コンテナ21の上方から液体状のプラズマ原料1を供給する。
 図1及び図2に示す例では、原料コンテナ21の長手方向に沿って貯留部24が露出した領域が形成される。原料供給装置30は、このように貯留部24が露出した領域に、原料供給管35の流出口35bが位置するように配置される。
 供給用バルブ36は、原料供給管35に設けられ液体状のプラズマ原料1の流れを開閉する。供給用バルブ36としては、例えばニードルバルブやボールバルブ等のメカニカルな開閉機構を備えたバルブが用いられる。また供給用バルブ36は、サーボモータ等により自動的に開閉が制御可能なように構成される。
 供給用バルブ36の具体的な構成は限定されず、液体状のプラズマ原料1の流れを制御可能な任意の開閉機構が用いられてよい。本実施形態では、供給用バルブ36は、第1のバルブ機構の一例である。
 このように、本実施形態では、原料供給管35にメカニカルな供給用バルブ36を設けることで、原料タンク34から原料コンテナ21への原料供給管35を通した液体状のプラズマ原料1の供給が制御される。供給用バルブ36を用いることで、例えば、液体状のプラズマ原料1の供給開始や供給停止の動作を比較的短時間で切替ることが可能となる。
この結果、原料コンテナ21への原料供給を細やかに制御することが可能となる。本実施形態では、原料供給管35及び供給用バルブ36は、供給制御部として機能する。
 原料供給装置30の動作は、例えば上記した制御部7を用いて制御される。制御部7は、原料排出部31、補給用バルブ33、原料タンク34の加熱機構40、真空排気装置45、圧力計37、供給用バルブ36等の動作を制御可能に構成されている。なお、制御部7とは別に、原料供給装置30を制御するための専用の演算ユニットが設けられてもよい。
 [原料供給装置のバルブ構造]
 原料排出部31から排出されたプラズマ原料1を原料タンク34に補給する動作は、一般に大気圧雰囲気で行われる。すなわち、原料排出部31は、原料タンク34が大気開放された状態で、プラズマ原料1を原料タンク34に排出する。
 一方、原料タンク34内で加熱機構40(あるいは温調機構)により加熱されて液体状態となったプラズマ原料1を真空チャンバ3内の原料コンテナ21に供給する場合、原料タンク34内の雰囲気は、真空チャンバ3内の減圧雰囲気と同等である必要がある。
 そのため、原料排出部31と原料タンク34の内部とをつなぐ原料補給管32には補給用バルブ33が設けられ、原料タンク34の内部と真空チャンバ3の内部とを連結する原料供給管35には供給用バルブ36が設けられている。このように、大気圧雰囲気と真空チャンバ3との間に設けられた2つのバルブ(補給用バルブ33及び供給用バルブ)により、原料供給装置30にはロードロック機構が構成される。
 このような構成により、原料排出部31と、原料タンク34とを真空チャンバ3の外部に設置することが可能となる。また原料供給装置30自体にプラズマ原料1を充填する作業を、光源装置100を稼働したまま行うことが可能となる。
 また、原料タンク34内は、排気管38を介して接続された真空排気装置45により排気される。これにより、補給用バルブ33が閉じた状態では、原料タンク34は減圧雰囲気となり、原料タンク34に保持される液体状のプラズマ原料1の酸化等による劣化を抑制することが可能となる。この結果、酸化したプラズマ原料1により原料供給管35が詰まるといった事態や、劣化したプラズマ原料1を原料コンテナ21に供給するといった事態を回避することが可能となる。
 また、原料タンク34と真空チャンバ3とを接続する原料供給管35に気体が通るような流路が形成された場合でも、原料タンク34内を減圧雰囲気にしておくことで、真空チャンバ3内の減圧雰囲気が劣化するといった事態を回避することが可能となる。
 [原料供給装置の基本動作]
 図3は、図2に示す原料供給装置の動作例を示すフローチャートである。図3に示す原料供給装置30の制御は、制御部7により実行される自動制御である。
 原料供給装置30では、制御部7により定常動作が実行される(ステップ101)。ここで定常動作とは、原料タンク34へプラズマ原料1を補給する原料補給動作、及び、原料タンク34から原料コンテナ21にプラズマ原料1を供給する原料供給動作を行っていない場合に行われる動作である。
 定常動作中は、補給用バルブ33及び供給用バルブ36はともに閉状態であり、真空排気装置45により原料タンク34が排気され、加熱機構40により液体状のプラズマ原料1を一定の温度に維持する動作が行われる。
 次に、原料タンク34にプラズマ原料1を補給するか否かが判定される(ステップ102)。この判定は、原料タンク34内のプラズマ原料1の量が予め定めておいた所定量まで減少したか否かを判定する処理である。
 原料タンク34が収容するプラズマ原料1の量は、例えば原料タンク34内の液体状のプラズマ原料1の液面レベルを検出することにより決定される。具体的には、制御部7は、原料タンク34が収容する液体状のプラズマ原料1の量を所定の検知機構(図示省略)により監視する。検知機構としては、熱電対や抵抗素子等を利用したレベルセンサが用いられる。またレーザ光を用いた測距センサ等が用いられてもよい。
 原料タンク34内のプラズマ原料1が所定量まで減少していた場合、原料タンク34にプラズマ原料1を補給すると判定され(ステップ102のYes)、原料補給動作が開始される(ステップ103)。
 原料補給動作が完了すると、原料供給装置30全体の動作を終了するか否かが判定される(ステップ104)。例えば、光源装置100が停止される場合や、原料供給装置30のメンテナンス等をする場合には、全体の動作を終了すると判定される(ステップ104のYes)。一方、全体の動作を終了しない場合には、ステップ101にもどり定常動作が開始される。
 原料タンク34内のプラズマ原料1が所定量まで減少していない場合、原料タンク34にプラズマ原料1を補給しないと判定され(ステップ102のNo)、原料コンテナ21にプラズマ原料1を供給するか否かが判定される(ステップ105)。この判定は、原料タンク34から原料コンテナ21への原料供給動作を実行するか否かの判定処理である。
 例えば原料コンテナ21上のプラズマ原料1の残量を検出し、検出結果が所定の閾値よりも低い場合に、原料供給動作を行うと判定される。例えば光源装置100は、製造装置や検査装置等の他の装置の一部として利用される。そこで装置が稼働していない期間、すなわち光源装置100を利用していない期間には、レーザ変位計等の手段で原料コンテナ21に貯留されたプラズマ原料1の液面が観測される。この観測結果に従って原料供給動作を行うか否かが判定される。なお、原料供給は液体状態で行われるので、固体状態で供給するよりも短い期間で完了する。
 例えば原料コンテナ21の貯留部24が露出した領域を対象としてプラズマ原料1の液面を測定可能な液面センサが設けられる。そして液面センサにより、プラズマ原料1の液面の変動が観測され、液面の変化に応じて原料供給動作のタイミングが判定される。液面センサの構成は限定されず、例えばプラズマ原料の液面レベルを検出可能な任意のセンサが用いれられてよい。また例えば、放射線R等の出射強度をモニタリングし、出射強度が低下していると判定された場合に、原料供給動作が行われてもよい。あるいは放射線Rとは別にプラズマPの光強度を観測するセンサを設け、放射線Rへの変換効率を観測してもよい。
 また、発光時間やパルス数に応じたプラズマ原料1の減少量が分かっていれば、その発光時間やパルス数に応じて原料供給動作を行ってもよい。また、単純に前回の原料供給動作を行ってから所定の時間が経過した場合に、次の原料供給動作を行ってもよい。この他、原料供給動作を行うか否かの判定方法は限定されない。
 原料タンク34から原料コンテナ21にプラズマ原料1を供給すると判定された場合(ステップ105のYes)、原料供給動作が開始される(ステップ106)。原料供給動作が完了すると、原料補給動作の完了時と同様に、原料供給装置30全体の動作を終了するか否かが判定される(ステップ104)。
 また原料タンク34から原料コンテナ21にプラズマ原料1を供給しないと判定された場合(ステップ105のNo)、ステップ101にもどり定常動作が開始される。
 [原料補給動作]
 図4は、原料供給装置による原料補給動作の一例を示すフローチャートである。図4に示す処理は、図3のステップ103の内部処理である。
 制御部7は、原料タンク34にプラズマ原料1を補給する場合、以下のように制御する。
 まず、定常動作を行っていた状態から、原料タンク34の排気が停止される(ステップ201)。例えば排気管38が閉じられる。あるいは、運転中の真空排気装置45が停止される。これにより、原料タンク34の排気が停止される。
 なお、ステップ201を実行する前に、原料タンク34を冷却するステップが設けられてもよい。この場合、例えばプラズマ原料1が固体状態になるまで冷却してもよいし、液体状態が維持される範囲で温度を下げてもよい。原料タンク34を冷却することで、原料タンク34内に貯留されたスズ等のプラズマ原料1の酸化を抑制することが可能となる。
 ただし、原料補給側にロードロック機構を備えた構成(図7等参照)では、原料タンク34は減圧雰囲気に維持されるため、このような原料タンク34の冷却は不要となる。
 次に、補給用バルブ33が開状態となるように補給用バルブ33が制御される(ステップ202)。この時、供給用バルブ36は、閉状態を維持する。補給用バルブ33が開くことで、原料タンク34の内部は大気開放され補給用のプラズマ原料1が補給可能となる。
 次に、原料排出部31が制御され、所定量のプラズマ原料1が排出される(ステップ203)。原料排出部31から排出されたプラズマ原料1は、原料補給管32、補給用バルブ33を経由して、原料タンク34に補給される。
 原料排出部31から原料タンク34に供給されるプラズマ原料1は、液体状態または固体状態のいずれかの状態であってよい。例えば、固体状のプラズマ原料1を補給する場合、原料排出部31や補給用バルブ33を比較的簡単な構造にすることが可能になる。
 ここでは、固体状のプラズマ原料1を補給するものとする。
 次に、補給用バルブ33が閉状態となるように補給用バルブ33が制御される(ステップ204)。ステップ202を実行すると、補給用バルブ33及び供給用バルブ36がともに閉状態となり、原料タンク34の内部は、大気圧雰囲気や真空チャンバ3の減圧雰囲気とは独立した空間となる。
 次に、原料タンク34の排気が開始される(ステップ205)。例えば閉じていた排気管38が開かれる、あるいは、真空排気装置45の動作が開始される。これにより、原料タンク34の排気が開始される。
 次に、加熱機構40により原料タンク34を加熱して、原料タンク34内に収容されているプラズマ原料1を加熱する(ステップ206)。例えば原料タンク34に補給された固体状のプラズマ原料1が液化するように、加熱機構40により原料タンク34の内部が加熱される。例えば、加熱機構40の出力が定常動作時に一定の温度を保つための出力よりも大きくなるように、制御部7により加熱機構40が制御される。
 なお、加熱機構40による加熱動作は、原料タンク34内の圧力が所定の値よりも低くなった場合に開始されてもよい。
 次に、液体化が完了したか否かが判定される(ステップ207)。制御部7は、所定の検知機構(図示省略)により原料タンク34内のプラズマ原料1の状態を監視し、プラズマ原料1が全て液体状態となったことを検知する。
 例えば検知機構としては、図3のステップ102を参照して説明したプラズマ原料1の液面レベルを検知するセンサが用いられる。この場合、固体状態のプラズマ原料1を所定量だけ補給して、それらのプラズマ原料1が全て液体状態になった場合の原料タンク34内の液面レベルが予め記憶される。検知機構により検知した液面レベルが、記憶している液面レベルに到達した場合に、原料タンク34内のプラズマ原料1が全て液体状態になったと判定される。
 また例えば、検知機構としてプラズマ原料1の温度を測定する温度センサが用いられてもよい。この場合、原料タンク34内のプラズマ原料1の温度が所定の閾値を超えた場合、あるいは温度変化がなくなった場合等に、原料タンク34内のプラズマ原料1が全て液体状態になったと判定される。
 液体化が完了していないと判定された場合(ステップ207のNo)、ステップ207の判定処理が繰り返し実行される。
 液体化が完了したと判定された場合(ステップ207のYes)、原料タンク34の温度を一定に維持するように加熱機構40が制御される(ステップ208)。これにより、原料タンク34には、必要量に達するまで補給された液体状のプラズマ原料1が一定の温度で保持される。
 [原料供給動作]
 図5は、原料供給装置による原料供給動作の一例を示すフローチャートである。図5に示す処理は、図3のステップ106の内部処理である。
 制御部7は、原料タンク34から原料コンテナ21にプラズマ原料1を供給する場合、以下のように制御する。
 まず、原料タンク34の圧力がプラズマ原料1を供給可能な圧力であるか否かが判定される(ステップ301)。制御部7は、原料タンク34と連結されている圧力計37から送出される圧力情報を受信し、原料タンク34内の圧力が真空チャンバ3内の圧力とほぼ同等であるか否かを判定する。なお、制御部7は、例えば図示を省略した真空チャンバ3内の圧力を計測する圧力計により真空チャンバ3内の圧力を読み込んでいる。
 例えば、原料タンク34内の圧力が真空チャンバ3内の圧力を中心とする所定の圧力範囲に収まっている場合、プラズマ原料1が供給可能であると判定される。
 また例えば、原料タンク34内の圧力と真空チャンバ3内の圧力との差が所定の閾値以下である場合に、プラズマ原料1が供給可能であると判定されてもよい。
 原料タンク34内の圧力が供給可能な圧力でないと判定された場合(ステップ301のNo)、ステップ301の判定処理が繰り返し実行される。この間、原料タンク34の排気動作が継続される。
 原料タンク34内の圧力が供給可能な圧力であると判定された場合(ステップ301のYes)、供給用バルブ36が開状態となるように供給用バルブ36が制御される(ステップ302)。この時、補給用バルブ33は、閉状態を維持し、排気管38を通した原料タンク34の排気は継続される。
 供給用バルブ36が開かれると、原料タンク34が収容する液体状のプラズマ原料1が原料供給管35及び供給用バルブ36を通り、真空チャンバ3内に導入される。そして、原料供給管35の流出口35bから流れ出た液体状のプラズマ原料1が原料コンテナ21の貯留部24に供給される。
 次に、原料タンク34から原料コンテナ21への液体状のプラズマ原料1の供給が完了したか否かが判定される(ステップ303)。
 例えば、原料タンク34の液面レベルが一定量低下した場合に、供給が完了したと判定される。また例えば、供給用バルブ36を一定時間開いていた場合に、供給が完了したと判定されてもよい。この他、供給完了を判定する方法は限定されない。
 プラズマ原料1の供給が完了していないと判定された場合(ステップ303のNo)、ステップ303の判定処理が繰り返し実行される。この間、原料タンク34から原料コンテナ21へは液体状のプラズマ原料1が供給される。
 プラズマ原料1の供給が完了したと判定された場合(ステップ303のYes)、供給用バルブ36が閉状態となるように供給用バルブ36が制御される(ステップ304)。
供給用バルブ36が閉じられるため、液体状のプラズマ原料1の供給が停止する。
 その後、図2のステップ101に移行し、次の原料補給動作や原料供給動作が行われるまで、定常動作が維持される。
 以上、本実施形態に係る原料供給装置30では、原料タンク34内に液体状態で保持されたプラズマ原料1が、原料供給管35を通して液体状態のまま真空チャンバ3内の原料コンテナ21に供給される。また原料供給管35を通した液体状のプラズマ原料1の供給は、原料供給管35及び供給用バルブ36(供給制御部)により制御される。これにより、原料を循環させることなく、原料コンテナ21に対して、液体状のプラズマ原料1を必要に応じて供給することが可能となる。この結果、プラズマ原料の貯留量を少なくし、消費エネルギーを抑えるとともに、プラズマ原料を安定して供給することが可能となる。
 真空中に配置された原料コンテナ21に対して、液体状のプラズマ原料1を供給する方法として、液体状のプラズマ原料1を循環させる循環機構を用いる方法が考えられる。この方法では、プラズマ原料1を原料コンテナ21に対して流入・流出させるための配管や、循環路内に十分なプラズマ原料1を供給するための他の容器等が必要である。このため、液体状のプラズマ原料が大量に必要となる。また、大量のプラズマ原料を液体状態で維持するために消費エネルギーが増大することが考えられる。
 このような循環機構を用いない方法としては、例えば原料コンテナ21に対して固体状のプラズマ原料1を供給する方法が考えられるが、原料コンテナ21の中で固体状のプラズマ原料1を液体化する必要があり、原料コンテナ21にもとから貯留されていたプラズマ原料1の温度が変化してしまう可能性がある。この結果、原料コンテナ21内のプラズマ原料1の粘性等が変化し、回転体20の表面20aにおけるプラズマ原料1の膜厚等が変化することが考えられる。この場合、発光動作が不安定となる可能性がある。このため、固体状のプラズマ原料1を供給する際には、例えば発光動作を停止する必要が出てくる。
 本発明に係る原料供給装置30は、原料タンク34内に液体状のプラズマ原料1を保持するように構成されている。また、液体状のプラズマ原料1の流れを制御可能な機構(供給用バルブ等)が設けられる。これにより、原料コンテナ21が貯留するプラズマ原料1が減少してプラズマ原料1を新たに供給する際、液体状態のプラズマ原料1を適正に供給することが可能となる。
 原料供給装置30では、基本的に原料タンク34内のプラズマ原料1を液体状態で保持すればよい。一方で原料タンク34に補給する分のプラズマ原料1は例えば固体状態であってもよい。また、原料コンテナ21へのプラズマ原料1の供給量は、原料コンテナ21の全体の容量よりも十分にちいさい。このため、原料タンク34の貯留量は、例えば原料コンテナ21よりも十分に小さくてもよい。また、大量のプラズマ原料を液体状態で維持する必要がなくなり、消費エネルギーを十分に抑制することが可能となる。
 また液体状のプラズマ原料1が原料コンテナ21に直接供給されるため、原料コンテナ21内のプラズマ原料1の温度変化が抑制され、原料コンテナ21が貯留するプラズマ原料1の温度や粘性等の状態を維持することが可能である。この結果、回転体20の表面20aに設定されたエネルギービームEBの照射位置Iには、光源装置100の稼働を中断することなく、液体状態のプラズマ原料1を安定して供給することが可能となる。これにより、放射線Rを長時間にわたって安定して出力可能な光源装置等を実現することが可能となる。
 <第2の実施形態>
 本発明に係る第2の実施形態の光源装置について説明する。これ以降の説明では、上記の実施形態で説明した光源装置100における構成及び作用と同様な部分については、その説明を省略又は簡略化する。
 図6は、第2の実施形態に係る原料供給装置の構成例を示す模式図である。原料供給装置230には、図2を参照して説明した原料供給装置30の供給用バルブ36に代えて、温調機構50が設けられる。その他の構成は、図2に示す原料供給装置30と同様である。
 温調機構50は、原料供給管35に設けられ、プラズマ原料1が固体状態及び液体状態のいずれの状態にも変化可能なように原料供給管35の少なくとも一部の温度を調整する機構である。温調機構50を用いて、原料供給管35内のプラズマ原料1を冷却して固体状態に変化させることで、原料供給管35の流路を閉じることが可能となる。逆に、温調機構50を用いて、原料供給管35内のプラズマ原料1を加熱して液体状態に変化させることで、原料供給管35の流路を開くことが可能となる。
 このように、温調機構50は、プラズマ原料1に対する流体制御機能を発揮する。
 温調機構50としては、例えば加熱機構と冷却機構とを組み合わせ、温度の上昇及び下降が制御可能な機構が用いられる。加熱機構としては、例えば電熱線等を用いたヒータが用いられる。また冷却機構としては、例えば空冷や水冷等を利用した放熱機構や、ペルチェ素子等を利用した機構が用いられる。なお、加熱機構だけで温調機構50が構成されてもよい。この場合、自然冷却の効果を利用して、温調が実現される。
 本実施形態では、温調機構50は、第1の温調機構に相当する。また、温調機構50は、供給管に設けられ液体状のプラズマ原料の流れを開閉する第1のバルブ機構として機能する。
 なお、温調機構50による冷却動作の際、温調機構50を設ける位置によっては、原料タンク34に収容されている液体状のプラズマ原料1に影響を及ぼすことが考えられる。
例えば、原料タンク34内のプラズマ原料1の一部が固化するといったことが考えられる。このような事態を回避するため、温調機構50は、できるだけ原料タンク34から離れた位置に配置されることが好ましい。
 また、原料供給管35には、流路が狭くなる狭窄部が設けられてもよい。狭窄部としては、例えば流路(原料供給管の内径)を部分的に狭くしたオリフィス等のしぼり機構が用いられる。狭窄部が設けられる場合、温調機構50は、狭窄部に設けられる。
 これにより、温調機構50の冷却・加熱動作によって原料供給管35の内部で速やかにプラズマ原料1が固化することや液化することが可能となる。これにより、原料タンク34に収容されている液体状のプラズマ原料1への影響を小さくすることが可能となる。まら、流路の開閉をすみやかに行うことが可能となり、プラズマ原料1の供給量を精度よく制御することが可能となる。
 [温調機構50の動作]
 原料タンク34に収容され液体状態に維持されているプラズマ原料1は、原料供給管35を介して原料コンテナ21の貯留部24に供給される。
 この際、原料供給管35の一部に設定された温調領域が温調機構50により冷却される。この場合、温調機構50により冷却された温調領域を通過しようとする液体状のプラズマ原料1は温調領域にて固化し、原料供給管35の内部を閉塞する。すなわち、温調領域で固化したプラズマ原料1により、原料供給管35の流路が閉じられる。
 一方、温調領域が温調機構50により加熱されると、原料供給管35の内部を閉塞している固体状のプラズマ原料1は、再び液体状のプラズマ原料1へと変化する。これにより、原料供給管35の流路が開かれ、原料供給管35の先端(流出口35b)から原料コンテナ21の貯留部24へと液体状のプラズマ原料1が供給される。
 このように、原料供給管35の途中に温調機構50を設け、原料供給管35の一部を冷却したり加熱したりすることにより、原料供給管35に対してバルブのような流体制御機能を付与することが可能となる。このように構成することにより、図1に示す供給用バルブ36のようなメカニカルなバルブ機構を省略することが可能となる。
 また温調機構50による流体制御は、メカニカルなバルブと異なり故障等が少ない。これにより、装置の修理やメンテナンス等が容易になる。
 なお、原料供給管35内で固化したプラズマ原料1(例えば、Sn等)が、温調機構50による加熱動作の際、完全に液化する前に原料供給管35内を移動して、場合によっては原料供給管35内で詰まることが考えられる。この場合、詰まりを解消するために温調機構50の加熱動作を継続する方法が考えられるが、詰まった箇所が温調機構50からある程度離れていると、プラズマ原料1の詰まりは必ずしも解消されるわけではない。
 このような不具合に対処するため、原料供給管35には、図示しない振動機構が設けられてもよい。この振動機構を利用して原料供給管35に振動を与えることにより、原料供給管35内で詰まった固体状のプラズマ原料1を除去することが可能となる。
 あるいは、原料供給管35は、図示しないガス供給管を介してガス供給装置と接続されていてもよい。例えば、上記したような不具合が発生した時に、原料供給管35内にガスを供給することで、原料供給管35内で詰まった固体状のプラズマ原料1を除去することが可能となる。
 また、敢えて原料タンク34の圧力を真空チャンバ3の圧力よりもわずかに高くしてもよい。圧力にわずかに差がある場合、流体は高圧側から低圧側に移動するため、原料タンク34側から真空チャンバ3側にプラズマ原料1を流れやすくすることが可能となる。これにより、プラズマ原料1の詰まりを抑制することが可能となる。
 <第3の実施形態>
 図7は、第3の実施形態に係る原料供給装置の構成例を示す模式図である。原料供給装置330には、図6を参照して説明した温調機構50を備える原料供給装置230において、原料タンク34に原料を補給する側に、ロードロック機構55が設けられる。
 ロードロック機構55は、第1の補給用バルブ33aと、第2の補給用バルブ33bと、補給用排気管56とを有する。本実施形態では、第1の補給用バルブ33a、第2の補給用バルブ33b、及び補給用排気管56により、第2のバルブ機構が構成される。
 第1の補給用バルブ33a及び第2の補給用バルブ33bは、原料補給管32に設けられたメカニカルバルブである。第1の補給用バルブ33aは、原料排出部31側に配置され、第2の補給用バルブ33bは、原料タンク34側に配置される。
 補給用排気管56は、第1の補給用バルブ33a及び第2の補給用バルブ33bの間の原料補給管32(ロードロック部57)を、第1の真空排気装置45aに連結する。これにより、ロードロック部の排気が可能となる。
 図7に示す構成は、例えば図6に示す原料供給装置230に、第1の補給用バルブ33aと、補給用排気管56とを設けた構成であると言える。なお図7において、第2の補給用バルブ33bは、図6に示す補給用バルブ33に対応する。また、図7において、原料タンク34を配置する第2の真空排気装置45bは、図6に示す真空排気装置45に対応する。
 図8は、図7に示す原料供給装置の原料補給動作の一例を示すフローチャートである。
図8に示す処理は、ロードロック機構55を備える原料供給装置330において行われる原料補給動作の動作例であり、例えば図4を参照して説明した原料補給動作に代えて実行される。
 なお、ロードロック機構55が設けられている場合、定常動作中は、第1の補給用バルブ33a、第2の補給用バルブ33b、及び供給用バルブ36はいずれも閉状態であり、第1の真空排気装置45aによりロードロック部57が排気され、第2の真空排気装置45bにより原料タンク34が排気され、加熱機構40により液体状のプラズマ原料1を一定の温度に維持する動作が行われる。
 まず、定常動作を行っていた状態から、ロードロック部57の排気が停止される(ステップ401)。例えば補給用排気管56が閉じられる。あるいは、運転中の第1の真空排気装置45aが停止される。これにより、ロードロック部57の排気が停止される。
 次に、第1の補給用バルブ33aが開状態となるように第1の補給用バルブ33aが制御される(ステップ402)。この時、第2の補給用バルブ33bや供給用バルブ36は、閉状態を維持する。第1の補給用バルブ33aが開くことで、ロードロック部57の内部は大気開放される。
 次に、原料排出部31が制御され、所定量のプラズマ原料1が排出される(ステップ403)。原料排出部31から排出されたプラズマ原料1は、原料補給管32、第1の補給用バルブ33aを経由して、一度ロードロック部57に収容される。
 次に、第1の補給用バルブ33aが閉状態となるように第1の補給用バルブ33aが制御される(ステップ404)。この時、第2の補給用バルブ33bは閉じられたままであり、ロードロック部57は独立した空間となる。
 次に、ロードロック部57の排気が開始される(ステップ405)。例えば閉じていた補給用排気管56が開かれる、あるいは、第1の真空排気装置45aの動作が開始される。これにより、ロードロック部57の排気が開始される。
 次に、ロードロック部57内の圧力が閾値以下になったか否かが判定される(ステップ406)。例えばロードロック部57には、図示しない圧力計が設けられ、その測定値が、所定の閾値以下になったか否かが判定される。ここで、所定の閾値は、例えば、排気中の原料タンク34内の圧力に応じて設定されてもよい。例えば、ロードロック部57内の圧力と同程度の閾値が設定される。
 ロードロック部57内の圧力が閾値より大きいと判定された場合(ステップ406のNo)、ステップ406の判定処理が繰り返し実行される。この間、ロードロック部57の排気動作が継続される。
 ロードロック部57内の圧力が閾値以下であると判定された場合(ステップ406のYes)、第2の補給用バルブ33bが開状態となるように第2の補給用バルブ33bが制御される(ステップ407)。この時、第1の補給用バルブ33aは、閉状態を維持している。
 第2の補給用バルブ33bが開くことで、ロードロック部57に収容されていた固体状のプラズマ原料1は、原料タンク34に供給される。
 ステップ401~ステップ407までの過程で、原料タンク34の排気は継続して実行されており、原料タンク34内では減圧雰囲気が維持される。このように、ロードロック機構55を用いることで、原料タンク34内を大気開放せずに、プラズマ原料1を補給することが可能となる。
 ロードロック部57内のプラズマ原料1がなくなると、第2の補給用バルブ33bが閉状態となるように第2の補給用バルブ33bが制御される(ステップ408)。これにより、ロードロック部57及び原料タンク34はそれぞれ独立した空間となる。
 第2の補給用バルブ33bが閉じられた後は、原料タンク34内のプラズマ原料1が加熱され(ステップ409)、プラズマ原料1の液体化が完了したかが判定され(ステップ410)、液体化が完了した場合にはプラズマ原料1の温度を一定に維持する制御が実行される(ステップ411)。これらステップ409、410、411の処理は、例えば図4に示すステップ206、207、208と同様の処理である。
 [原料供給管を介したリーク]
 原料タンク34と真空チャンバ3とをつなぐ原料供給管35に温調機構50を設けた構成では、温調機構50により原料供給管35の一部を冷却したり加熱したりすることで、原料供給管35上の温調領域において、プラズマ原料1が固化したり液化したりする。
 ここで、原料供給管35を通るプラズマ原料1は、例えばスズ等の溶融金属であるので、冷却されて固化する際、その体積が減少する。このため、原料供給管35内でプラズマ原料1が固化した場合、プラズマ原料1の体積減少によって、原料供給管35の内壁と固化したプラズマ原料1との間にすき間が生じる場合がある。
 このため、温調機構50により原料供給管35内でプラズマ原料1を固化して、原料供給管35の状態を流路が閉じられた閉状態にしようとしても、原料供給管35の内径によっては、必ずしも真空チャンバ3内の減圧雰囲気を保持できるとは限らない。
 仮に、ロードロック機構55を設けずに、原料タンク34を大気開放してプラズマ原料1を補給する場合について考える。この場合、原料排出部31から原料タンク34にプラズマ原料1を補給する際には、原料補給管32に設けられるバルブを開状態にして、原料タンク34を大気開放する。この時、原料タンク34と真空チャンバ3との間(原料供給管35)では、温調機構50により冷却された固体状のプラズマ原料1が栓として機能し、原料供給管35は閉塞される。この結果、原料排出部31から原料タンク34までの内部雰囲気が大気圧となる一方で、真空チャンバ3の内部では減圧雰囲気が維持される。
 ここで、原料供給管35の内壁と固化したプラズマ原料1との間にすき間があると、固体状のプラズマ原料1による閉塞状態が不十分となる。この場合、上記したすき間を通して、大気圧雰囲気の原料タンク34から真空チャンバ3内に空気が混入し、真空チャンバ3内の減圧雰囲気が悪化する可能性がある。
 また、原料タンク34が大気解放された場合、真空チャンバ3との差圧が大きすぎるため、原料タンク34や原料供給管35の内部に残留したプラズマ原料1が大気圧に押されて真空チャンバ3の内部に流出する可能性がある。この場合、意図しないタイミングでプラズマ原料1を供給してしまう可能性や、真空チャンバ3の内部がプラズマ原料1で汚染される可能性がある。従って、原料タンク34は常に減圧雰囲気であることが好ましい。
 そこで、本実施形態では、原料タンク34にプラズマ原料1を補給する補給路(大気側)に、ロードロック機構55が設けられる。これにより、原料タンク34を大気開放することなく、原料タンク34にプラズマ原料1を導入することが可能である。すなわち、原料タンク34を常時減圧雰囲気にしておくことが可能となる。
 このため、温調機構50の冷却により固化したプラズマ原料1と、原料供給管35の内壁との間にすき間が発生したとしても、原料タンク34は常に減圧雰囲気であり、すき間を通して空気等が真空チャンバ3に流れ込むことはない。これにより、真空チャンバ3内の減圧雰囲気を確実に維持することが可能となり、光源装置100の安定動作を実現することが可能となる。
 <第4の実施形態>
 図9は、第4の実施形態に係る原料供給装置の構成例を示す模式図である。図10は、図9に示す原料供給装置の動作例を示す模式図である。
 図9に示すように、原料供給装置430には、図6を参照して説明した原料供給装置230において、ストレート形状(直管形状)の原料供給管35に代えて、U字型に屈曲した原料供給管435が用いられる。また原料供給管435には、温調機構450が設けられる。
 原料供給管435は、各々が屈曲した配管である第1の屈曲部61と、第2の屈曲部62とを有する。第1の屈曲部61は、原料タンク34側に接続され液体状のプラズマ原料1の流路を下向きから上向きに曲げる。第2の屈曲部62は、真空チャンバ3側に接続されプラズマ原料の流路を上向きから下向きに曲げる。従って、原料タンク34から下側(重力方向側)に伸びる原料供給管435が第1の屈曲部61において折り返して上側を向き、それに続く第2の屈曲部62において再度下側に伸びて、真空チャンバ3を貫通している。
 また第2の屈曲部62に形成される流路の下面62bは、第1の屈曲部61に形成される流路の上面61tよりも高い位置に配置される。
 図9には、第2の屈曲部62における流路の下面62bと、第1の屈曲部61における流路の上面61tが黒丸によりそれぞれ模式的に図示されている。ここでは、第1の屈曲部61及び第2の屈曲部62がそれぞれU字管として構成される。従って原料供給管435は、図9に示すように、2つのU字管を連結した形状となっている。なおU字形状に代えて、V字型の配管や、直角に曲がる配管等が用いられてもよい。
 温調機構450は、第1の屈曲部61に設けられ、プラズマ原料1が固体状態及び液体状態のいずれの状態にも変化可能なように第1の屈曲部61の温度を調整する。
 温調機構450は、例えば図6に示す温調機構50と同様に構成され、例えば加熱機構と冷却機構とを組み合わせ、温度の上昇及び下降が制御可能なように構成される。なお、自然冷却の効果を利用してプラズマ原料1を固体状態にすることが可能な場合には、加熱機構だけで温調機構50が構成されてもよい。本実施形態では、温調機構450は、第2の温調機構に相当する。
 温調機構450は、プラズマ原料1を通過させる場合には、第1の屈曲部61を加熱し、プラズマ原料1を液体状態にする。逆に、プラズマ原料1を通過させない場合には、第1の屈曲部61を冷却し、プラズマ原料1を固体状態にする。
 例えば、プラズマ原料1を固体状態とすることで、第1の屈曲部61に栓が構成される。これにより、原料タンク34を大気開放した場合でも、プラズマ原料1が大気圧に押されて真空チャンバ3側に押し出されるといった事態を回避することが可能となる。
 図9には、原料供給装置430により、原料タンク34から真空チャンバ3(原料コンテナ21)に液体状のプラズマ原料1が供給されている状態が図示されている。また図10には、液体状のプラズマ原料1の供給が停止している状態が図示されている。
 図9に示すように、例えば原料タンク34側から第1の屈曲部61に侵入した流体は、第1の屈曲部61に貯留する。第1の屈曲部61に貯留した流体の液面が第2の屈曲部62の流路の下面62bを超えると、流体は第2の屈曲部62を通過して真空チャンバ3側に流出する。
 上記したように、原料供給管435は、第1の屈曲部61の流路の上面61tが、第2の屈曲部62の流路の下面62bよりも低くなるように構成される。これにより、流体が第2の屈曲部62を通過する際には、第1の屈曲部61の流路が完全に流体で満たされる。これにより、空気等の気体が通過する経路がなくなるため、真空チャンバ3側の減圧雰囲気を維持することが可能となる。
 また、原料供給管435内に収容される液体状のプラズマ原料1の液面レベルがいかなるレベルであろうとも、原料供給管435の第1の屈曲部61には、その流路を塞ぐようにプラズマ原料1が残留する。例えば図10では、原料タンク34内に収容されていた液体状のプラズマ原料1が全て原料コンテナ21に供給されているが、このような状態でも第1の屈曲部61にはプラズマ原料1が残留する。
 液体状のプラズマ原料1はスズ等の金属材料であるので、原料供給管435内に残留した液体状のプラズマ原料1が閉状態の栓として機能し、真空チャンバ3の減圧雰囲気を保持することが可能となる。
 このように、原料供給装置430では、ストレート形状の原料供給管を用いる場合と異なり、原料供給管435内のプラズマ原料1を固体状態に変化させなくても、プラズマ原料1が第2の屈曲部62を通過しなくなれば、原料供給管435は自動的に閉状態になる。このため、原料供給管435には、必ずしも冷却機構等を設ける必要はない。
 また、原料供給装置430では、液体状のプラズマ原料1の液面レベルが第2の屈曲部62の流路の下面62bの高さを超えると、原料コンテナ21に液体状のプラズマ原料1が供給される。ここで、図10に示すように、液面レベルが第2の屈曲部62の流路の下面62bの高さと同程度となる状態を初期状態とする。例えば、初期状態で原料タンク34にプラズマ原料1を補給する場合、原料コンテナ21へのプラズマ原料1の供給量は、原料タンク34への補給量と同じになる。これにより、液面レベル等を検出しなくても、原料コンテナ21へのプラズマ原料1の供給量を制御することが可能となり、装置構成を簡略化することが可能となる。
 なお、温調機構450は、第1の屈曲部61の底部に設けられる。これにより、第1の屈曲部61の底部に残留した液体状のプラズマ原料1が固化した場合には、温調機構450による温調制御(加熱)によりプラズマ原料1を再度液化することが可能である。これにより、閉状態となった原料供給管435を再度開状態にすることが可能となる。
 また原料供給管435は、上記した構造により、単独で液体状のプラズマ原料1の流れを制御することが可能である。例えば、原料タンク34の加熱機構40からの熱量により、第1の屈曲部61に残留するプラズマ原料を液化できるような場合には、温調機構450等を必ずしも設ける必要は無い。
 本実施形態では、原料供給管435が単独で、又は原料供給管435と温調機構450との組み合わせにより、供給管を通した液体状のプラズマ原料の供給を制御する供給制御部が実現される。このように、2つの屈曲部を連結した原料供給管435を用いることで、真空チャンバ3内の減圧雰囲気を容易に維持することが可能となる。
 <第5の実施形態>
 図11は、第5の実施形態に係る原料供給装置の構成例を示す模式図である。原料供給装置530には、図7に示す原料供給装置330において、原料タンク34の底面に流入口35aが設けられていた原料供給管35に代えて、異なる配置で原料供給管535が設けられる。また原料供給管535には、温調機構550が設けられる。
 原料供給管535は、流入口35aが原料タンク34の内側の底面よりも高い位置となるように配置される。図11に示す例では、原料供給管535はストレート形状の配管である。原料供給管535は、その流入口35aが原料タンク34の底面から上方に突出するように、底面を貫通して配置される。原料タンク34の底面よりも流入口35aが高い位置にあることで、原料タンク34内の流入口35aよりも低い領域には、液体状のプラズマ原料1が常時貯留される。
 また原料タンク34は、原料補給管32を介してプラズマ原料1が補給される補給口42を有する。原料供給管535の流入口35aは、補給口42とは鉛直方向において重ならない位置に配置される。これにより、原料補給管32から出てくる補給用のプラズマ原料1が、原料供給管535に直接侵入するといった事態が回避される。
 原料供給装置530では、液体状のプラズマ原料1の液面レベルが流入口35aの高さを超えた場合に、液体状のプラズマ原料1が原料供給管535に流れ込む。原料供給管535に流れ込んだ液体状のプラズマ原料1は、原料供給管535の内部を通過して、流出口35bから真空チャンバ3内の原料コンテナ21の貯留部24に供給される。
 一方で、液体状のプラズマ原料1の液面レベルが流入口35aの高さと同じになると、液体状のプラズマ原料1は原料供給管535に流れ込まなくなり、原料コンテナ21への原料供給が停止される。
 なお、温調機構550を動作させて原料供給管535を部分的に冷却することにより、液体状のプラズマ原料1の液面レベルが流入口35aの高さを超えている状態でも、原料コンテナ21への原料供給を停止することが可能である。
 例えば原料供給装置530では、液体状のプラズマ原料1の液面レベルが流入口35aの高さと同じ状態で、原料タンク34に新たなプラズマ原料1が補給される。この場合、補給されたプラズマ原料1の体積分だけ液面レベルが上昇する。この時、上昇した分のプラズマ原料1が原料供給管535に流れ込み、原料コンテナ21に供給される。
 すなわち、原料供給装置530では、原料タンク34へのプラズマ原料1の補給量が、そのまま原料コンテナ21へのプラズマ原料1の供給量となる。これは供給量が液面で制限されるという意味で、図9及び図10を参照して説明した原料供給装置430と同様の構成であると言える。このような構成により、液面レベル等を検出しなくても、原料コンテナ21へのプラズマ原料1の供給量を制御することが可能となり、装置構成を簡略化することが可能となる。
 なお、原料供給装置530では、例えば原料供給管535内のプラズマ原料1が流路を閉じる栓として機能しない場合(原料供給管535内にプラズマ原料1が残留していない場合等)には、原料供給管535に気体が通るような経路が形成されることが考えられる。
 これに対し、原料供給装置530は、原料タンク34にプラズマ原料1を補給するためのロードロック機構55を備えるため、原料タンク34は大気開放されない。また原料タンク34は、第2の真空排気装置45bにより排気され減圧雰囲気に維持される。従って、上記したように原料供給管535内に気体が通る経路が形成される場合でも、原料タンク34内の圧力を真空チャンバ3内の圧力と同程度に下げておくことで、真空チャンバ3の減圧雰囲気が悪化することを十分に回避することが可能である。
 図11では、ストレート形状の原料供給管535について説明したが、これに限定されず、例えばL字形状の原料供給管535等を用いることも可能である。この場合、原料供給管535は、原料タンク34の内側の側面に流入口35aが設けられ、流出口35bが下方を向くように配置される。なお流入口35aは、底面よりも高い位置に配置される。
このような構成であっても、原料コンテナ21に対する液体状のプラズマ原料1の供給量を液面レベルで制限することが可能であり、装置構成の簡略化を図ることが可能である。
 <第6の実施形態>
 図12は、第6の実施形態に係る原料供給装置の構成例を示す模式図である。原料供給装置630は、図2を参照して説明した原料供給装置30に設けられた原料供給管35よりも、流出口35bが原料コンテナ21に近づくように構成された原料供給管635を有する。また原料供給管635には、温調機構650が設けられる。その他の構成は、図2に示す原料供給装置30と同様である。
 原料供給管635は、流出口35bが原料コンテナ21の貯留部24の開口端25よりも低い位置となるように配置される。図12に示す例では、貯留部24の開口端25は、貯留部24を形成する外壁部23の上側の端部である。ここでは、開口端25の高さ位置が一点鎖線により図示されている。原料供給管635の流出口35bは、開口端25の高さ(底部22の上面に対する外壁部23の高さ)よりも低い位置に配置される。すなわち、流出口35bは、外壁部23で囲まれた空間(貯留部24)に侵入するように配置される。
 温調機構650は、原料供給管635の真空チャンバ3内に突出した部分に設けられ、プラズマ原料1が固体状態及び液体状態のどちらかの状態となるように原料供給管635の真空チャンバ3内に突出した部分の温度を調整する。
 図12に示すように、温調機構650は、原料供給管635の真空チャンバ3内に突出した部分のほぼ全体を覆うように設けられる。本実施形態では、温調機構650は、第3の温調機構に相当する。
 本発明者らは、液体状のプラズマ原料1を真空チャンバ3内に供給する際、真空チャンバ3の圧力等の条件によっては、液体状のプラズマ原料1が液滴として直線状に落下するのではなく、真空チャンバ3内部で飛散しながら落下することを見出した。この場合、真空チャンバ3内部の意図しない部分(例えば、真空チャンバ3の内壁等)にプラズマ原料1が到達し、そのまま付着してしまうことが考えられる。
 このような不具合を抑制するためには、真空チャンバ3の外壁を貫通する原料供給管635が真空チャンバ3内に突出する部分の先端(すなわち、原料供給管635の排出口 )を、できるだけ原料供給領域(原料コンテナ21の底部22の上面)に近づけることが好ましい。例えば、原料供給管635の流出口35bは、原料コンテナ21の開口端25より低い位置(外壁部23の上面レベルより底部22の上面に接近した位置)に配置される。
 これにより、流出口35bから排出される液体状のプラズマ原料1の少なくとも一部が飛散したとしても、プラズマ原料1が原料コンテナ21の液面に到達する割合が高くなり、真空チャンバ3の内部全体にプラズマ原料1が拡散することを抑制することが可能である。これにより、プラズマ原料1による装置の汚染が抑制される。
 また本実施形態では、原料供給管635の長さ(真空チャンバ3の内部に突出する部分の長さ)が、上記した他の原料供給装置よりも長くなる。
 そのため、原料タンク34に設けられた加熱機構40により液化された液体状のプラズマ原料1は、その少なくとも一部が原料供給管635を通過する際に途中で冷却されて原料供給管635内で固体化することもあり得る。
 このような懸念がある場合は、図12に示すように、原料供給管635の真空チャンバ3の内部に突出する部分に温調機構650を設けてもよい。温調機構650を用いて原料供給管635の真空チャンバ3の内部に突出する部分を加熱することにより、原料供給管635内でプラズマ原料1が固体化することを回避することが可能となる。
 なお図12に示す例では、メカニカルな供給用バルブ36により、原料供給管635の流路が開閉される。温調機構650は、流路の開閉に用いてもよいが、主にプラズマ原料1の固体化を回避するための加熱機構として用いられる。この場合、温調機構650には、冷却機能は無くてもよい。
 図13は、図12に示す原料供給装置の変形例を示す模式図である。
 図13に示す原料供給装置631では、原料供給管635に温調機構650が設けられる。この温調機構650は、真空チャンバ3の外壁を貫通して設けられる。また、原料供給装置631では、温調機構650により、原料供給管635の流路の開閉が制御される。
 このように温調機構650は、原料供給管635の真空チャンバ3の内部に突出する部分のみならず、真空チャンバ3の外側に配置される部分まで、原料供給管635の全体を覆うように設けられる。なお、真空チャンバ3を貫通する原料供給管635、および温調機構650は、その貫通部分が真空チャンバ3内の減圧雰囲気を破壊しないように適宜シールされる。
 これにより、温調機構650を用いて原料供給管635のほぼ全体の温度を調整することが可能となる。これにより、プラズマ原料1が詰まるといった事態を十分に回避することが可能となる。
 また温調機構650には冷却機能が搭載される。これにより、原料供給管635内で、液体状のプラズマ原料1を固化することが可能となり、原料供給管635の流路の開閉が可能となる。このため、原料供給装置631には、図12に示す供給用バルブ36のようなメカニカルバルブを設ける必要は無い。これにより、メンテナンスを容易にするとともに、プラズマ原料1による装置内の汚染を抑制することが可能となる。
 <第7の実施形態>
 図14は、第7の実施形態に係る原料供給装置の構成例を示す模式図である。原料供給装置730には、図2を参照して説明した原料供給装置30において、新たに防御管70が設けられる。なお、防御管70を設ける本構成は、図6に示す原料供給装置230等の他の構成に適用することも可能である。
 防御管70は、真空チャンバ3内に設けられた中空部材であり、原料供給管35の流出口35bを囲うように設けられ原料コンテナ21の貯留部24の開口端25よりも低い位置まで伸びるように構成される。また、防御管70の内径は、原料供給管35の内径よりも大きく設定される。
 防御管70は、原料供給管35から流出し真空チャンバ3内で飛散するプラズマ原料1を抑える防御壁として機能する。
 本実施形態では、防御管70は、真空チャンバ3の内壁から内側に伸長するように配置される。防御管70の長さは、原料供給管35の真空チャンバ3内に突出した部分の長さ(突出長)より長くなるように設定される。また防御管70の先端は、原料コンテナ21の開口端25より低い位置(外壁部23の上面レベルより底部22の上面に接近した位置)に配置される。
 原料供給装置730では、原料供給管35の流出口35bから排出されるプラズマ原料1のうち、飛散したものについては、防御管70により真空チャンバ3内への拡散が抑制される。そして、プラズマ原料1は、防御管70の先端から外部(真空チャンバ3内部)に放出される。
 防御管70の先端の位置は、液体状のプラズマ原料1が供給される原料コンテナ21の底部22の上面に接近した位置に配置される。これにより、プラズマ原料1が原料コンテナ21の液面に到達する割合が大きくなり、真空チャンバ3内部全体にプラズマ原料1が拡散することを抑制することが可能となる。
 また、防御管70は流出口35bが囲える程度に内径が大きい。このため、流出口35bから流れ出る液体状のプラズマ原料1は、防御管70にはほとんど付着せず、固化したプラズマ原料1により防御管70が詰まるといった事態は発生しにくい。従って、図12及び図13を参照して説明した構成と異なり、必ずしも温調機構を設ける必要はない。これにより、装置構成を簡略化するとともに、プラズマ原料1による装置内の汚染を抑制することが可能となる。
 <その他の実施形態>
 本発明は、以上説明した実施形態に限定されず、他の種々の実施形態を実現することができる。
 上記の実施形態では、エネルギービームEBによりプラズマ原料1をプラズマ化する所謂LPP方式の光源装置100について説明した。これに限定されず、他の方式の光源装置に対して本発明を適用することが可能である。
 図15は、他の実施形態に係る光源装置の構成例を示す模式図である。図15に示す光源装置101は、エネルギービームEBにより気化されたプラズマ原料1を放電によりプラズマ化する所謂LDP方式の光源装置である。ここでは、図2に示す原料供給装置30が用いられているが、これに限定されず、例えば上記の実施形態で説明した他の原料供給装置が用いられてもよい。
 図15に示すように、光源装置101は、1対の回転電極71a及び71bと、各回転電極71に対応して設けられた1対の原料コンテナ75a及び75bと、それらを収容する真空チャンバ3とを備える。
 回転電極71a及び71bは、円盤形状の電極であり、それぞれが図示しないモータの軸に接続され回転可能に支持される。回転電極71a及び71bは、互いの外縁部が所定の間隔をあけて近接するように配置され、各電極間には高電圧が印加される。また、回転電極71aの外縁部のうち、回転電極71bと近接する部分には、エネルギービームEBが照射される。
 本実施形態では、回転電極71a及び71bは、回転体に相当する。
 原料コンテナ75a及び75bは、液体状のプラズマ原料1を貯留する貯留容器である。
 原料コンテナ75aは、回転電極71aが浸漬するように設けられ、回転電極71aに液体状のプラズマ原料1を供給する。また原料コンテナ75bは、回転電極71bが浸漬するように設けられ、回転電極71bに液体状のプラズマ原料1を供給する。また原料コンテナ75a及び75bは、互いに絶縁される。
 例えば回転電極71a(回転電極71b)が回転すると、原料コンテナ75a(原料コンテナ75b)に貯留する液体状のプラズマ原料1が回転電極71a(回転電極71b)の表面に付着する。これにより、回転電極71a(回転電極71b)のうち液体状のプラズマ原料1に浸漬する部分には、液体状のプラズマ原料1が膜状に分布することになる。
 このような構成により、回転電極71a及び回転電極71bが近接する部分には、液体状のプラズマ原料1が供給される。この時、回転電極71aに照射されるエネルギービームEBによりプラズマ原料1が気化する。また回転電極71a及び回転電極71bの間には高電圧が印加されるため、各電極が近接する部分では、エネルギービームEBにより気化したプラズマ原料1が励起されてプラズマPが発生する。このプラズマPから放射線Rが取り出される。
 図15に示すように、光源装置101には、原料コンテナ75a及び原料コンテナ75bに液体状のプラズマ原料1をそれぞれ供給する原料供給装置30a及び原料供給装置30bが設けられる。各原料供給装置30a(原料供給装置30b)は、原料コンテナ75a(原料コンテナ75b)に貯留された液体状のプラズマ原料1が露出した部分の上方から、供給用のプラズマ原料1を液体状態で供給する。
 例えば原料コンテナ75a及び原料コンテナ75bに、固体状のプラズマ原料1を供給するような構成では、各コンテナ内のプラズマ原料1の温度が低下することが考えられる。この場合、プラズマPの発生領域に供給されるプラズマ原料1の温度、膜厚、粘性等が変化し、放射線Rの発光強度等が変化する可能性がある。
 これに対し、本実施形態では、原料供給装置30a及び30bにより、各原料コンテナ75a及び30bに対して、液体状のプラズマ原料1が直接供給される。このため、プラズマ原料1の温度変化が抑制され、安定した発光動作を実現することが可能となる。
 上記の実施形態では、主に真空チャンバ3内に設けられた原料コンテナに液体状のプラズマ原料1を供給する構成について説明した。これに限定されず、本発明にかかわる原料供給装置は、真空チャンバ3内で液体状のプラズマ原料1を貯留する任意の容器に対して、真空チャンバ3の外側から液体状のプラズマ原料1を供給することが可能である。
 図16は、他の実施形態に係る光源装置の構成例を示す模式図である。図16に示す光源装置102には、真空チャンバ3内に設けられ、液体状のプラズマ原料1を貯留した状態で回転する回転ドラム80が設けられる。光源装置102は、回転ドラム80に貯留されたプラズマ原料1をエネルギービームEBによりプラズマ化するLPP方式の装置である。図16に示す回転ドラム80は、貯留容器に相当する。
 回転ドラム80は、上方に開口し液体状のプラズマ原料1を貯留する貯留部84を有する。貯留部84には、原料供給装置30から、液体状のプラズマ原料1が供給される。
 また回転ドラム80には、貯留部84に供給されるプラズマ原料1を液体状態で維持するために、図示しない加熱機構が設けられる。加熱機構としては、電熱線等を利用して回転ドラム80を直接加熱するヒータが用いられる。また、輻射等を利用して外側から回転ドラム80を加熱するヒータ等が用いられてもよい。
 図16に示す例では、回転ドラム80は、円盤状の基体81と当該基体81の一方の面に基体81の周縁に沿って形成された円環状の外壁部82とを有する。回転ドラム80では、基体81と外壁部82により囲まれた領域が液体状のプラズマ原料1を貯留する貯留部84となる。また、回転軸Oに対向する外壁部82の内周面82aは、貯留部84を囲む側面を構成し、貯留部84の内側面となる。回転ドラム80は貯留部84が上方を向くように配置される。
 回転ドラム80の貯留部84が形成される面とは反対側の面には、所定の回転軸Oを中心に回転する軸部材85が、回転ドラム80の中心軸と回転軸Oとが一致するように連結される。これにより、回転ドラム80は、回転軸Oの周りに回転可能に支持される。また軸部材85は、図示を省略したモータにより回転駆動される。
 回転ドラム80の回転軸Oは、典型的には鉛直方向と略一致するように設定される。なお、回転軸Oは、プラズマPによる発光動作が可能な範囲で、鉛直方向に対して傾いた角度に設定されてもよい。
 回転軸Oを中心に回転ドラム80を連続的に回転すると、貯留部84に供給された液体状のプラズマ原料1は、遠心力により外壁部82の内周面82a側に移動し、内周面82aに沿って分布する。また内周面82aに分布する液体状のプラズマ原料1の膜厚は、回転体の回転速度に応じて調整される。
 このように、回転ドラム80は、貯留部84の内側面である内周面82aに液体状のプラズマ原料1を貯留する。また、液体状のプラズマ原料1を励起してプラズマPを生成するエネルギービームEBは、貯留部84の内側面(内周面82a)に照射される。これにより、エネルギービームEBの照射位置Iに対して、適切な膜厚で分布するプラズマ原料1を継続して供給することが可能となる。
 図16に示すように、光源装置102には、回転ドラム80に液体状のプラズマ原料1を供給する原料供給装置30が設けられる。原料供給装置30は、回転ドラム80の貯留部84の上方から、供給用のプラズマ原料1を液体状態で供給する。なお図16では、図2に示す原料供給装置30が用いられているが、他の原料供給装置が用いられてもよい。
 回転ドラム80の貯留部84に供給された液体状のプラズマ原料1は、遠心力により基体表面81aに沿って外壁部82側に移動し、最終的に外壁部82の内周面82aに沿って分布する。プラズマ原料1は供給された時点ですでに液体状態であるため、内周面82aに沿って分布するまでの流れがスムーズである。また固体状態のプラズマ原料1を供給する場合と比べ、液化を行う必要がなく、回転ドラム80上のプラズマ原料1の温度の変化も十分に小さくすることが可能である。これにより、放射線Rの発光動作を阻害することなく、安定してプラズマ原料1を供給することが可能となる。
 上記の実施形態では、主に原料供給装置の原料タンク34が、真空チャンバ3の上方に配置され、重力を利用して液体状のプラズマ原料1を貯留容器(原料コンテナ21、75a、75b、回転ドラム80)に供給する構成について説明した。これに限定されず、原料タンク34は、真空チャンバ3の側方や下方に配置されてもよい。
 この場合、例えば原料供給管を通して液体状のプラズマ原料1を輸送する輸送ポンプが用いられる。輸送ポンプとしては、例えば磁力により液体金属(プラズマ原料1)を輸送することが可能な電磁ポンプが用いられる。もちろん、他の種類のポンプが用いられてもよい。輸送ポンプを用いることで、例えば原料タンク34を自由に配置することが可能となり、設計の自由度が向上する。
 なお、真空チャンバ3の側方であっても、貯留容器よりも高い位置に原料タンク34を配置することで、重力を利用して液体状のプラズマ原料1を供給することも可能である。
 いずれの構成であっても、原料供給管の原料供給側の端部(流出口)は、貯留容器の底面よりも上方に配置される。これにより、原料供給管から流出する液体状のプラズマ原料1を貯留容器に供給可能となる。
 また原料タンク34は、真空チャンバ3の内側に配置されてもよい。この場合、原料供給管ではなく、原料タンク34にプラズマ原料1を補給する原料補給管が真空チャンバ3を貫通するように設けられる。従って真空チャンバ3の内側に配置された原料タンク34には、原料補給管を介して真空チャンバ3の外側から固体状又は液体状のプラズマ原料1が補給される。
 このような構成であっても、原料タンク34ではプラズマ原料1が液体状態で保持されるため、貯留容器に対して、液体状のプラズマ原料1を安定して供給可能である。また、原料タンク34が真空チャンバ3内に収容することで、例えばコンパクトな光源装置を実現することが可能となる。
 本開示において、説明の理解を容易とするために、「略」「ほぼ」「おおよそ」等の文言が適宜使用されている。一方で、これら「略」「ほぼ」「おおよそ」等の文言を使用する場合と使用しない場合とで、明確な差異が規定されるわけではない。
 すなわち、本開示において、「中心」「中央」「均一」「等しい」「同じ」「直交」「平行」「対称」「延在」「軸方向」「円柱形状」「円筒形状」「リング形状」「円環形状」等の、形状、サイズ、位置関係、状態等を規定する概念は、「実質的に中心」「実質的に中央」「実質的に均一」「実質的に等しい」「実質的に同じ」「実質的に直交」「実質的に平行」「実質的に対称」「実質的に延在」「実質的に軸方向」「実質的に円柱形状」「実質的に円筒形状」「実質的にリング形状」「実質的に円環形状」等を含む概念とする。
 例えば「完全に中心」「完全に中央」「完全に均一」「完全に等しい」「完全に同じ」「完全に直交」「完全に平行」「完全に対称」「完全に延在」「完全に軸方向」「完全に円柱形状」「完全に円筒形状」「完全にリング形状」「完全に円環形状」等を基準とした所定の範囲(例えば±10%の範囲)に含まれる状態も含まれる。
 従って、「略」「ほぼ」「おおよそ」等の文言が付加されていない場合でも、いわゆる「略」「ほぼ」「おおよそ」等を付加して表現され得る概念が含まれ得る。反対に、「略」「ほぼ」「おおよそ」等を付加して表現された状態について、完全な状態が必ず排除されるというわけではない。
 本開示において、「Aより大きい」「Aより小さい」といった「より」を使った表現は、Aと同等である場合を含む概念と、Aと同等である場合を含なまい概念の両方を包括的に含む表現である。例えば「Aより大きい」は、Aと同等は含まない場合に限定されず、「A以上」も含む。また「Aより小さい」は、「A未満」に限定されず、「A以下」も含む。
 本技術を実施する際には、上記で説明した効果が発揮されるように、「Aより大きい」及び「Aより小さい」に含まれる概念から、具体的な設定等を適宜採用すればよい。
 以上説明した本技術に係る特徴部分のうち、少なくとも2つの特徴部分を組み合わせることも可能である。すなわち各実施形態で説明した種々の特徴部分は、各実施形態の区別なく、任意に組み合わされてもよい。また上記で記載した種々の効果は、あくまで例示であって限定されるものではなく、また他の効果が発揮されてもよい。
 EB…エネルギービーム
 P…プラズマ
 R…放射線
 I…照射位置
 1…プラズマ原料
 3…真空チャンバ
 21、75a、75b…原料コンテナ
 24、84…貯留部
 30、30a、30b、230、330、430、530、630、631、730…原料供給装置
 31…原料排出部
 32…原料補給管
 33…補給用バルブ
 34…原料タンク
 35、435、535、635…原料供給管
 36…供給用バルブ
 50、450、550、650…温調機構
 55…ロードロック機構
 61…第1の屈曲部
 62…第2の屈曲部
 70…防御管
 80…回転ドラム
 100、101、102…光源装置
 

Claims (21)

  1.  エネルギービームの照射によりプラズマ化して放射線を発生するプラズマ原料を減圧チャンバ内に供給する原料供給装置であって、
     前記プラズマ原料を液体状態で保持する原料タンクと、
     前記原料タンクと前記減圧チャンバとを接続し前記原料タンク内に保持された液体状のプラズマ原料を前記減圧チャンバ内に設けられた貯留容器に供給する供給管を有し、前記供給管を通した前記液体状のプラズマ原料の供給を制御する供給制御部と
     を具備する原料供給装置。
  2.  請求項1に記載の原料供給装置であって、
     前記原料タンクは、前記減圧チャンバの外側に設けられ、
     前記供給管は、前記減圧チャンバの壁面を貫通して前記原料タンクと前記減圧チャンバとを接続する
     原料供給装置。
  3.  請求項1に記載の原料供給装置であって、
     前記原料タンクは、前記減圧チャンバの上方に配置され、 
     前記供給管は、前記貯留容器の上方から前記液体状のプラズマ原料を供給する
     原料供給装置。
  4.  請求項1に記載の原料供給装置であって、
     前記供給制御部は、前記供給管に設けられ前記液体状のプラズマ原料の流れを開閉する第1のバルブ機構を有する
     原料供給装置。
  5.  請求項4に記載の原料供給装置であって、
     前記第1のバルブ機構は、前記プラズマ原料が固体状態及び液体状態のいずれの状態にも変化可能なように前記供給管の少なくとも一部の温度を調整する第1の温調機構である 原料供給装置。
  6.  請求項5に記載の原料供給装置であって、
     前記供給管は、流路が狭くなる狭窄部を有し、
     前記第1の温調機構は、前記狭窄部に設けられる
     原料供給装置。
  7.  請求項1に記載の原料供給装置であって、
     前記供給管は、前記原料タンク側に接続され前記液体状のプラズマ原料の流路を下向きから上向きに曲げる第1の屈曲部と、前記減圧チャンバ側に接続され前記流路を上向きから下向きに曲げる第2の屈曲部とを有し、
     前記第2の屈曲部に形成される前記流路の下面は、前記第1の屈曲部に形成される前記流路の上面よりも高い位置に配置される
     原料供給装置。
  8.  請求項7に記載の原料供給装置であって、
     前記供給制御部は、前記プラズマ原料が固体状態及び液体状態のいずれの状態にも変化可能なように前記第1の屈曲部の温度を調整する第2の温調機構を有する
     原料供給装置。
  9.  請求項1に記載の原料供給装置であって、
     前記供給管は、前記原料タンクから前記液体状のプラズマ原料が流入する流入口を有し、前記流入口が前記原料タンクの内側の底面よりも高い位置となるように配置される
     原料供給装置。
  10.  請求項9に記載の原料供給装置であって、
     前記原料タンクは、前記プラズマ原料が補給される補給口を有し、
     前記流入口は、前記補給口とは鉛直方向において重ならない位置に配置される
     原料供給装置。
  11.  請求項1から10のうちいずれか一項に記載の原料供給装置であって、さらに、
     前記原料タンクに前記プラズマ原料を補給する原料補給部を具備する
     原料供給装置。
  12.  請求項11に記載の原料供給装置であって、
     前記原料補給部は、前記原料タンクに固体状態の前記プラズマ原料を補給する
     原料供給装置。
  13.  請求項11に記載の原料供給装置であって、さらに、
     前記原料タンクと所定の排気機構とを接続する排気管を具備し、
     前記原料補給部は、
      前記原料タンクに補給するための前記プラズマ原料を排出する排出部と、
      前記排出部と前記原料タンクとを接続し前記排出部から排出された前記プラズマ原料を通過させる補給管と、
      前記補給管に設けられ前記原料タンクの減圧雰囲気を維持する第2のバルブ機構と
     を有する
     原料供給装置。
  14.  請求項13に記載の原料供給装置であって、
     前記第2のバルブ機構は、ロードロック機構として構成される
     原料供給装置。
  15.  請求項1に記載の原料供給装置であって、
     前記貯留容器は、上方に開口し前記液体状のプラズマ原料を貯留する貯留部を有し、
     前記供給管は、前記液体状のプラズマ原料が流出する流出口を有し、前記流出口が前記貯留容器の前記貯留部の開口端よりも低い位置となるように配置される
     原料供給装置。
  16.  請求項15に記載の原料供給装置であって、
     前記供給制御部は、前記プラズマ原料が固体状態及び液体状態のどちらかの状態となるように前記供給管の前記減圧チャンバ内に突出した部分の温度を調整する第3の温調機構を有する
     原料供給装置。
  17.  請求項16に記載の原料供給装置であって、
     前記第3の温調機構は、前記減圧チャンバの外壁を貫通して設けられる
     原料供給装置。
  18.  請求項1に記載の原料供給装置であって、
     前記貯留容器は、上方に開口し前記液体状のプラズマ原料を貯留する貯留部を有し、
     前記供給管は、前記液体状のプラズマ原料が流出する流出口を有し、
     さらに、前記流出口を囲うように設けられ前記貯留容器の前記貯留部の開口端よりも低い位置まで伸びる防御管を具備する
     原料供給装置。
  19.  エネルギービームの照射によりプラズマ原料をプラズマ化して放射線を発生させる光源装置であって、
     減圧チャンバと、
     前記減圧チャンバ内に設けられ、液体状のプラズマ原料を貯留して、前記エネルギービームの照射部位に前記液体状のプラズマ原料を供給する貯留容器と、
      前記プラズマ原料を液体状態で保持する原料タンクと、
      前記原料タンクと前記減圧チャンバとを接続し前記原料タンク内に保持された液体状のプラズマ原料を前記減圧チャンバ内に設けられた前記貯留容器に供給する供給管を有し、前記供給管を通した前記液体状のプラズマ原料の供給を制御する供給制御部と
     を有する原料供給装置と
     を具備する光源装置。
  20.  請求項19に記載の光源装置であって、さらに、
     前記エネルギービームが照射される回転体を具備し、
     前記貯留容器は、前記回転体が浸漬するように設けられ、前記回転体に前記液体状のプラズマ原料を供給する原料コンテナである
     光源装置。
  21.  請求項19に記載の光源装置であって、
     前記貯留容器は、上方に開口した貯留部を有し、前記貯留部の内側面に前記液体状のプラズマ原料を貯留する回転ドラムであり、
     前記エネルギービームは、前記貯留部の内側面に照射される
     光源装置。
     
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016099289A (ja) * 2014-11-25 2016-05-30 ウシオ電機株式会社 液面レベル検出装置、液面レベル検出方法、高温プラズマ原料供給装置及び極端紫外光光源装置
JP2017212185A (ja) * 2016-05-27 2017-11-30 ウシオ電機株式会社 高温プラズマ原料供給装置および極端紫外光光源装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6241062B2 (ja) 2013-04-30 2017-12-06 ウシオ電機株式会社 極端紫外光光源装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016099289A (ja) * 2014-11-25 2016-05-30 ウシオ電機株式会社 液面レベル検出装置、液面レベル検出方法、高温プラズマ原料供給装置及び極端紫外光光源装置
JP2017212185A (ja) * 2016-05-27 2017-11-30 ウシオ電機株式会社 高温プラズマ原料供給装置および極端紫外光光源装置

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