JP2017212185A - 高温プラズマ原料供給装置および極端紫外光光源装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】スズ充填機構60は、固体状の高温プラズマ原料を複数収容し、回転可能に構成された原料収容部61aと、原料収容部61a内に突き通され、原料収容部61aに収容された高温プラズマ原料を原料収容部61aの外部に供給する供給ノズル62と、筐体64とチャンバ11との間に設けられたロードロック部67と、筐体64内に配置され、供給ノズル62から供給された高温プラズマ原料をロードロック部67へ誘導する供給経路65aと、を備える。供給経路65aの少なくとも一部には、固体状の高温プラズマ原料よりも小さい孔が形成されている。
【選択図】 図3
Description
EUV光源装置において、EUV光を発生させる方法はいくつか知られているが、そのうちの一つに極端紫外光放射種(以下、「EUV放射種」という。)を加熱して励起することにより高温プラズマを発生させ、その高温プラズマからEUV光を取り出す方法がある。このような方法を採用するEUV光源装置として、DPP(Discharge Produced Plasma:放電生成プラズマ)方式のEUV光源装置がある。
特許文献1には、リザーバーに収容される液体状の高温プラズマ原料(液体スズ)を、コンテナに対して循環供給する機構が開示されている。
リザーバー内の液体スズの温度を変動させないためには、液体スズをリザーバーに供給することが考えられる。しかしながら、液体スズを供給する場合、液体スズが固体化しないように、供給経路の温度を全てスズの融点以上に維持するための加熱機構が必要になる。また、供給経路における液体スズによるエロージョンを防止するために、当該供給経路内は、液体スズに対する化学的耐性を付与する必要がある。このように、装置構成が複雑化する。
そこで、本発明は、液体状の高温プラズマ原料を収容するリザーバーに対して、比較的簡易な構成で、不純物が抑制された高温プラズマ原料を適切に供給することができる高温プラズマ原料供給装置、およびその高温プラズマ原料供給装置を備えた極端紫外光光源装置を提供することを課題としている。
この場合、固体状の高温プラズマ原料が一度に大量に供給されることを防止することができ、固体状の高温プラズマ原料が目詰まりすることを抑制することができる。また、固体状の高温プラズマ原料が一度に大量に供給されることに起因する容器内の液体状の高温プラズマ原料の温度低下を抑制することができる。
また、上記の高温プラズマ原料供給装置において、前記供給ノズルから供給される前記高温プラズマ原料を計数する原料計数部をさらに備えてもよい。これにより、固体状の高温プラズマ原料の供給量を適切に制御することができる。また、供給ノズルから高温プラズマ原料が供給されないといった不具合を検出することもできる。
また、上記の高温プラズマ原料供給装置において、前記供給経路は、前記高温プラズマ原料の誘導方向を変更可能に構成されていてもよい。
容器が複数設けられており、各容器にそれぞれ対応してロードロック部も複数設けられている場合、高温プラズマ原料の誘導方向を切り替えて適切に高温プラズマ原料を供給することができる。つまり、複数の容器で供給経路を共有することができる。
また、上記の高温プラズマ原料供給装置において、前記供給経路は、前記固体状の高温プラズマ原料よりも硬い材料により構成されていてもよい。この場合、供給ノズルから落下した高温プラズマ原料を供給経路によって受け止めた際の当該高温プラズマ原料の跳ね返りを抑制することができる。したがって、高温プラズマ原料を適切にロードロック部へ誘導することができる。
また、本発明に係る極端紫外光光源装置の一態様は、極端紫外光を放射する極端紫外光光源装置であって、上記のいずれかの高温プラズマ原料供給装置と、前記容器と、前記容器が配置された空間を構成するチャンバと、前記容器に収容された液体状の高温プラズマ原料を、前記高温プラズマを発生させる高温プラズマ発生部へ供給する原料供給機構と、前記原料供給機構によって供給される前記液体状の高温プラズマ原料を加熱して励起し高温プラズマを発生させる高温プラズマ発生部と、を備える。
さらに、上記の極端紫外光光源装置において、前記チャンバ内に配置され、前記ロードロック部と前記容器とを接続する接続経路をさらに備え、前記接続経路の少なくとも一部に屈曲部を有していてもよい。この場合、接続経路を通る高温プラズマ原料に速度分布をもたせることができ、適切に目詰まりを抑制することができる。
(第1の実施形態)
図1は、本実施形態の極端紫外光光源装置(EUV光源装置)100を示す概略構成図である。
EUV光源装置100は、半導体露光用光源として使用可能な、例えば波長13.5nmの極端紫外光(EUV光)を放出する装置である。
本実施形態のEUV光源装置100は、DPP方式のEUV光源装置であり、より具体的には、放電を発生させる電極表面に供給された高温プラズマ原料に対してレーザビーム等のエネルギービームを照射して当該高温プラズマ原料を気化し、その後、放電によって高温プラズマを発生するLDP方式のEUV光源装置である。
放電空間11bには、各々独立して回転可能な一対の放電電極21a,21bが互いに離間して対向配置されている。放電電極21a,21bは、EUV放射種を含む高温プラズマ原料を加熱して励起するためのものである。
放電空間11bの圧力は、高温プラズマ原料を加熱励起するための放電が良好に発生するように、真空雰囲気に維持されている。
EUV集光鏡12は、高温プラズマ原料が加熱励起されることで放出されるEUV光を集光し、チャンバ11に設けられたEUV取出部11dから、例えば露光装置の照射光学系(不図示)へ導くものである。
EUV集光鏡12は、例えば、斜入射型の集光鏡であり、複数枚の薄い凹面ミラーを入れ子状に高精度に配置した構造を有する。各凹面ミラーの反射面の形状は、例えば、回転楕円面形状、回転放物面形状、ウォルター型形状であり、各凹面ミラーは回転体形状である。ここで、ウォルター型形状とは、光入射面が、光入射側から順に回転双曲面と回転楕円面、もしくは、回転双曲面と回転放物面からなる凹面形状である。
また、上記した各凹面ミラーの基体材料は、例えば、ニッケル(Ni)等である。波長が非常に短いEUV光を反射させるため、凹面ミラーの反射面は、非常に良好な平滑面として構成される。この平滑面に施される反射材は、例えば、ルテニウム(Ru)、モリブデン(Mo)、およびロジウム(Rh)などの金属膜である。各凹面ミラーの反射面には、このような金属膜が緻密にコーティングされている。
放電空間11bに配置された一対の放電電極21a,21bは、金属製の円盤状部材である。放電電極21a,21bは、例えば、タングステン、モリブデン、タンタル等の高融点金属からなる。ここで、2つの放電電極21a,21bのうち、一方の放電電極21aがカソードであり、他方の放電電極21bがアノードである。
放電電極21aは、その一部が高温プラズマ原料22aを収容するコンテナ23aの中に浸されるように配置される。放電電極21aの略中心部には、モータ24aの回転軸25aが取り付けられている。すなわち、モータ24aが回転軸25aを回転させることにより、放電電極21aは回転する。モータ24aは、制御部40によって駆動制御される。
放電電極21bも、放電電極21aと同様に、その一部が高温プラズマ原料22bを収容するコンテナ23bの中に浸されるように配置される。放電電極21bの略中心部には、モータ24bの回転軸25bが取り付けられている。すなわち、モータ24bが回転軸25bを回転させることにより、放電電極21bは回転する。モータ24bは、制御部40によって駆動制御される。
放電電極21a,21bの表面上に乗った液体状の高温プラズマ原料22a,22bは、放電電極21a,21bが回転することで放電領域に輸送される。ここで、放電領域とは、両電極21a,21b間の放電が発生する空間であり、両電極21a,21bの周縁部のエッジ部分間距離が最も短い部分である。
高温プラズマ原料22a,22bとしては、溶融金属、例えば液体状のスズ(Sn)を用いる。この高温プラズマ原料22a,22bは、放電電極21a,21bに電力を供給する給電用の金属としても働く。
なお、特に図示しないが、コンテナ23a及び23bには、スズ22a,22bを溶融状態に維持する温度調節機構が設けられている。
パルス電力供給部27は、コンテナ23a及び23b間、すなわち放電電極21a及び21b間にパルス幅の短いパルス電力を印加する。パルス電力供給部27は、制御部40によって駆動制御される。
なお、上述したように放電電極21a,21b間にはパルス電力を印加するため、上記放電はパルス放電となり、放射されるEUV光はパルス状に放射されるパルス光となる。
また、上記において、放電電力21a,21bおよびコンテナ23a,23bは、高温プラズマ発生部に対応している。
コンテナ23a,23bには、スズ22a,22bを供給するスズ供給機構(原料供給機構)が接続されている。
図2は、コンテナ23aにスズ22aを供給するスズ供給機構30の構成例を示す図である。なお、コンテナ23bにスズ22bを供給するスズ供給機構についても、図2に示すスズ供給機構30と同様の構成を有するため、以下、コンテナ23aにスズ22aを供給するスズ供給機構30についてのみ説明する。
スズ供給機構30は、スズ22aを収容するリザーバー(容器)31aを備える。リザーバー31aは、コンテナ23aよりも容量が大きく設計されている。
ここで、スズ供給口33は、コンテナ23aにおける放電電極21aが放電領域に到達する直前に通過する領域近傍に形成されている。また、スズ排出口37は、コンテナ23aにおける放電電極21aのレーザ光が照射された部分がコンテナ23a中のスズ22aに再び浸漬する領域近傍に形成されている。
このように、リザーバー31aに収容されるスズ22aは、コンテナ23aに対して循環供給される。
リザーバー31aには、当該リザーバー31aに収容されているスズ22aの液面レベルを検出するための液面レベルセンサ(不図示)が設けられており、液面レベルセンサの検出信号は、制御部40に出力される。制御部40は、液面レベルセンサからの検出信号をもとに、リザーバー31aにおけるスズ22aの収容量を検出し、当該収容量が適正量となるように充填制御を行う。当該充填制御では、制御部40は、以下に説明するスズ充填機構(高温プラズマ原料供給装置)60を駆動制御し、スズ充填機構60からリザーバー31aへスズ22aを供給する。
スズ充填機構60は、球形スズ供給装置61を備える。球形スズ供給装置61には、固体のスズ原料が収容されている。本実施形態において、固体スズ原料の形状は、球状である。なお、固体スズ原料の形状は、棒状や回転楕円体形状、その他ブロック形状など、任意の形状であってもよい。
球形スズ供給装置61は、図4に示すように、固体スズ原料(以下、「球形スズB」という。)を複数収容する原料収容部61aを備える。原料収容部61aは、底部を有する例えば筒状の容器であり、鉛直方向(図4の上下方向)の軸を中心として、不図示の回転機構により回転可能に構成されている。
原料収容部61aは、供給ノズル62に対して相対的に回転可能に構成されている。原料収容部61aは、制御部40によって回転制御される。制御部40による回転制御により原料収容部61aが回転すると、当該原料収容部61a内に収容された球形スズBが動いて供給ノズル62の先端開口部62aに入り込み、そのまま供給ノズル62を通って供給ノズル62の下端部から原料収容部61aの外部へ排出される。
なお、供給ノズル62は、先端開口部62aを略水平方向に向けた略L字形状であってもよい。つまり、供給ノズル62は、上方から球形スズBが入らず、原料収容部61aの回転により球形スズBが1つずつ断続的に入るような形状であればよい。
また、供給ノズル62の真下で、且つセンサ63よりも下方には、筐体64が配置されている。筐体64には、球形スズBが通過可能な開口を有する原料供給口64aが形成されている。原料供給口64aは、供給ノズル62の下端部の真下に形成されている。つまり、供給ノズル62の下端部から排出された球体スズBは、そのまま落下し、原料供給口64aを通過して筐体64に供給される。
制御部40は、センサ63の検出信号に基づいて原料収容部61aの回転を制御することで、球形スズ供給装置61から筐体64への球形スズBの供給個数(供給量)を制御可能である。また、制御部40は、原料収容部61aの回転を制御することで、球形スズ供給装置61から球形スズBを1つずつ断続的に供給することができる。さらに、制御部40は、原料収容部61aの回転を制御することで、球形スズBの供給間隔も制御可能である。
供給選択機構65は、球形スズBの誘導方向を変更可能に構成された供給経路65aを備える。具体的には、供給経路65aは、水平方向の所定の軸を中心に揺動可能なシーソー構造を有し、制御部40が供給経路65aの傾きを制御することで、球形スズBの転がり先を切り替え可能である。つまり、供給経路65aが図3の実線で示す状態である場合、球形スズBはカソード側のリザーバー31aへ供給され、供給経路65aが図3の破線で示す状態である場合、球形スズBはアノード側のリザーバー31bへ供給される。
なお、供給経路65aの形状は、球形スズBが転がって移動可能な形状であれば、任意の形状であってよい。また、供給経路65aを構成する材料は、アクリルや金属等、任意の材料を用いることができる。ただし、供給経路65aを構成する材料は、原料供給口64aから落下してきた球形スズBを受け止めた際に、球形スズBが大きく跳ね上がることを抑制可能な材料であることが好ましい。上記のように、供給経路65aを、球形スズBよりも硬い金属により構成した場合、球形スズBの若干の変形が生じたり、球形スズBと供給経路65aの非弾性衝突などにより球形スズBの跳ね上がりを効果的に抑制したりすることができるため好ましい。
第一のゲートバルブ67aと第二のゲートバルブ67bとによって区画されたロードロック空間には、圧力計67c、真空引き用管路67d、およびパージガス供給用管路67eが設けられている。真空引き用管路67dおよびパージガス供給用管路67eは、真空引きおよびパージガス供給を行う真空・パージ機構67fに接続されている。
球形スズBをリザーバー31aに注入した後は、制御部40は、ロードロック部67下部の第二のゲートバルブ67bを閉じ、パージガス供給用管路66eによってロードロック部67内部にパージガス(例えば、Arガス)をパージする。そして、ロードロック部67のパージが完了したら、制御部40は、ロードロック部67上部の第一のゲートバルブ67aを開く。これにより、次の球形スズBの補充開始準備がなされる。
リザーバー31aに球形スズBが供給されると、球形スズBがリザーバー31a内で溶け、リザーバー31a内の液体スズの液面レベルが上昇する。制御部40は、リザーバー31a内の液面レベルが上記の再充填レベルよりも上方の上限レベルに達するまで、上述した補充プロセスを繰り返す。リザーバー31a内のスズ22aの液面レベルが上限レベルに達したか否かは、リザーバー31aに設けられた上位レベルセンサ41bによって検出することができる。そして、制御部40は、上位レベルセンサ41bの検出信号を受け、液面レベルが上限レベルに達したと判断すると、リザーバー31aへの球形スズBの供給を停止する。
以上のように、本実施形態におけるスズ充填機構60は、リザーバー31aに固体スズである球形スズBを供給する。したがって、リザーバー31aに液体スズを供給する場合のように、スズの固体化を防止するための加熱機構を設けたり、スズ充填機構60に化学的耐性を付与したりする必要がない。
リザーバー31aが収容する液体スズ22aの温度が急激に下降すると、EUV発光の条件が変化し、所望のEUV出力が得られなくなるおそれがある。また、リザーバー31a内の液体スズ22aの温度低下が著しい場合、温度調整機構によるリザーバー31a内の温度調整に時間がかかり、リザーバー31a内の温度が適正温度に上昇するまでの間、EUV光源装置の稼動を停止させる必要がある。リザーバー31a内の温度が急激に低下することを抑制することで、所望のEUV出力が得られなくなることを抑制することができると共に、EUV光源装置の稼動停止を抑制することができる。
また、スズ充填機構60は、球形スズ供給装置61から供給される球形スズBの数をカウントするセンサ63を備えるので、球形スズBのリザーバー31aへの供給量を適切に制御することができる。さらに、球形スズ供給装置61から球形スズBが供給されないような不具合が発生した場合には、これを直ちに検出することもできる。
なお、図3に示すように供給経路65aの下方に酸化スズリザーバー65bを配置しておけば、球形スズBから剥離し供給経路65aから落ちた酸化スズを適切に回収することができる。
また、供給経路65aは、球形スズBの誘導方向を変更可能に構成することができる。これにより、カソード側のリザーバー31aとアノード側のリザーバー31bとを切り替えて球形スズBを供給することができる。つまり、リザーバー31aとリザーバー31bとでスズ充填機構を共有することができる。さらに、供給経路65aをシーソー構造とすることで、簡易な構成で球形スズBの供給先の切り替えを実現することができる。
上記実施形態においては、供給経路65aを図5に示すような網状経路とする場合について説明したが、球形スズBが転がって移動可能であり、球形スズBの表面から剥離した酸化スズが落ちる孔が形成された形状であればよい。例えば供給経路65aは、図6に示すように、複数の孔が形成された底部と、当該底部の対向する辺に接続された側壁部とを有する形状であってもよい。
さらに、上記実施形態においては、供給経路65aにより球形スズBの供給先を切り替える場合について説明したが、カソード側のリザーバー31a用のスズ充填機構と、アノード側のリザーバー31b用のスズ充填機構とをそれぞれ別個に設けてもよい。この場合、カソード側のリザーバー31a用のスズ充填機構は、例えば図8に示すようになる。
上記各実施形態においては、高温プラズマ原料に照射するエネルギービームとしてレーザを用いる場合について説明したが、レーザに代えてイオンビームや電子ビーム等を用いることもできる。
また、上記各実施形態においては、DPP方式のEUV光源装置に適用する場合について説明したが、LPP方式のEUV光源装置にも適用可能である。LPP方式のEUV光源装置は、液体状の高温プラズマ原料を収容するリザーバーから、原料供給ノズルを介して真空チャンバ内に液滴状の高温プラズマ原料(ターゲット原料)を供給する。そして、このEUV光源装置では、ターゲット原料にプラズマ生成用ドライバレーザを照射し、当該ターゲット材料を励起させて高温プラズマを生成し、EUVを放射する。上記各実施形態は、このようなLPP方式のEUV光源装置に用いられるリザーバーへ高温プラズマ原料を供給する場合にも適用可能である。
さらに、上記各実施形態においては、EUV光源装置を半導体露光用光源として用いる場合について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、露光用マスクの検査装置等の光源として用いることもできる。
Claims (11)
- 高温プラズマを発生させるための液体状の高温プラズマ原料が収容された容器に、前記高温プラズマ原料を供給する高温プラズマ原料供給装置であって、
固体状の前記高温プラズマ原料を複数収容し、回転可能に構成された原料収容部と、
前記原料収容部内に突き通され、前記原料収容部に収容された前記高温プラズマ原料を前記原料収容部の外部に供給する供給ノズルと、
前記供給ノズルから前記高温プラズマ原料が供給される空間と前記容器が配置された空間との間に設けられたロードロック部と、
前記供給ノズルから供給された前記高温プラズマ原料を前記ロードロック部へ誘導する供給経路と、を備え、
前記供給経路の少なくとも一部に、前記固体状の高温プラズマ原料よりも小さい孔が形成されていることを特徴とする高温プラズマ原料供給装置。 - 前記供給ノズルから供給される前記高温プラズマ原料の供給個数および供給間隔の少なくとも一方を制御する制御部を備えることを特徴とする請求項1に記載の高温プラズマ原料供給装置。
- 前記供給ノズルは、前記原料収容部内における先端開口部を水平方向または略水平方向に向け、前記原料収容部外における先端開口部を鉛直方向下方に向けたL字形状または略L字形状であることを特徴とする請求項1または2に記載の高温プラズマ原料供給装置。
- 前記供給ノズルから供給される前記高温プラズマ原料を計数する原料計数部をさらに備えることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の高温プラズマ原料供給装置。
- 前記供給経路は、網状であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の高温プラズマ原料供給装置。
- 前記供給経路は、前記高温プラズマ原料の誘導方向を変更可能に構成されていること特徴する請求項1から5のいずれか1項に記載の高温プラズマ原料供給装置。
- 前記供給経路は、水平方向の軸を中心に揺動可能に構成されていることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の高温プラズマ原料供給装置。
- 前記供給経路は、前記固体状の高温プラズマ原料よりも硬い材料により構成されていることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の高温プラズマ原料供給装置。
- 前記固体状の高温プラズマ原料は、球形であることを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の高温プラズマ原料供給装置。
- 極端紫外光を放射する極端紫外光光源装置であって、
前記請求項1から9のいずれか1項に記載の高温プラズマ原料供給装置と、
前記容器と、
前記容器が配置された空間を構成するチャンバと、
前記容器に収容された液体状の高温プラズマ原料を、前記高温プラズマを発生させる高温プラズマ発生部へ供給する原料供給機構と、
前記原料供給機構によって供給される前記液体状の高温プラズマ原料を加熱して励起し高温プラズマを発生させる高温プラズマ発生部と、を備えることを特徴とする極端紫外光光源装置。 - 前記チャンバ内に配置され、前記ロードロック部と前記容器とを接続する接続経路をさらに備え、
前記接続経路の少なくとも一部に屈曲部を有することを特徴とする請求項10に記載の極端紫外光光源装置。
Priority Applications (3)
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