JP2022063390A - 極端紫外光光源装置および受け板部材の保護方法 - Google Patents

極端紫外光光源装置および受け板部材の保護方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2022063390A
JP2022063390A JP2020171636A JP2020171636A JP2022063390A JP 2022063390 A JP2022063390 A JP 2022063390A JP 2020171636 A JP2020171636 A JP 2020171636A JP 2020171636 A JP2020171636 A JP 2020171636A JP 2022063390 A JP2022063390 A JP 2022063390A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
debris
raw material
corrosion
plate member
ultraviolet light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2020171636A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2022063390A5 (ja
JP7359123B2 (ja
Inventor
泰伸 藪田
Yasunobu Yabuta
展明 宮川
Nobuaki Miyagawa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ushio Denki KK
Ushio Inc
Original Assignee
Ushio Denki KK
Ushio Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ushio Denki KK, Ushio Inc filed Critical Ushio Denki KK
Priority to JP2020171636A priority Critical patent/JP7359123B2/ja
Priority to TW110127850A priority patent/TWI825457B/zh
Priority to EP21879728.0A priority patent/EP4199660A4/en
Priority to US18/026,803 priority patent/US20230324815A1/en
Priority to PCT/JP2021/029103 priority patent/WO2022079986A1/ja
Priority to KR1020237011479A priority patent/KR20230063890A/ko
Publication of JP2022063390A publication Critical patent/JP2022063390A/ja
Publication of JP2022063390A5 publication Critical patent/JP2022063390A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7359123B2 publication Critical patent/JP7359123B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • G03F1/64—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state
    • H05G2/005—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state containing a metal as principal radiation generating component
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/008—Production of X-ray radiation generated from plasma involving an energy-carrying beam in the process of plasma generation
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • X-Ray Techniques (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

【課題】プラズマ原料またはデブリを受け止める受け板部材の受け面の耐蝕性を向上させる。【解決手段】一態様に係る極端紫外光光源装置は、極端紫外光を放射可能な原料の励起に基づいて前記極端紫外光を放射するプラズマを発生させる光源部と、前記原料の融液および前記プラズマから放散されるデブリを収容する収容容器と、前記原料の融液および前記プラズマから放散されるデブリを受け止め、前記収容容器に導く受け板部材と、前記原料の融液およびデブリに対して前記受け板部材よりも耐蝕性が高く、前記受け板部材の受け面上に設けられる耐蝕材とを備える。【選択図】図７

Description

本発明は、極端紫外光光源装置および受け板部材の保護方法に関する。
近年、半導体集積回路の微細化および高集積化につれて、露光用光源の短波長化が進められている。次世代の半導体露光用光源としては、特に、波長１３．５ｎｍの極端紫外光（以下、「ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）光」とも言う）を放射する極端紫外光光源装置（以下、「ＥＵＶ光源装置」とも言う）の開発が進められている。
ＥＵＶ光源装置において、ＥＵＶ光（ＥＵＶ放射）を発生させる方法はいくつか知られている。それらの方法のうちの一つに極端紫外光放射種（以下、ＥＵＶ放射種とも言う）を加熱して励起することによりプラズマを発生させ、プラズマからＥＵＶ光を取り出す方法がある。
このような方法を採用するＥＵＶ光源装置は、プラズマの生成方式により、ＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ：レーザ生成プラズマ）方式と、ＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ：放電生成プラズマ）方式とに分けられる。
ＤＰＰ方式のＥＵＶ光源装置は、ＥＵＶ放射種（気相のプラズマ原料）を含む放電ガスが供給された電極間に高電圧を印加して、放電により高密度プラズマを生成し、そこから放射される極端紫外光を利用する。ＤＰＰ方式としては、例えば、特許文献１に記載されているように、放電を発生させる電極表面にＥＵＶ放射種を含む液体状のプラズマ原料（例えば、スズ（Ｓｎ）またはリチウム（Ｌｉ）等）を供給し、当該原料に対してレーザビーム等のエネルギービームを照射して当該原料を気化し、その後、放電によってプラズマを生成する方法が提案されている。このような方式は、ＬＤＰ（Ｌａｓｅｒ Ａｓｓｉｓｔｅｄ Ｇａｓ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）方式と称されることもある。
一方、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光源装置は、レーザ光をターゲット材料に照射し、当該ターゲット材料を励起させてプラズマを生成する。
ＥＵＶ光源装置は、半導体デバイス製造における半導体露光装置（リソグラフィ装置）の光源装置として使用される。あるいは、ＥＵＶ光源装置は、リソグラフィに使用されるマスクの検査装置の光源装置として使用される。すなわち、ＥＵＶ光源装置は、ＥＵＶ光を利用する他の光学系装置（利用装置）の光源装置として使用される。
ＥＵＶ光は大気中では著しく減衰するので、プラズマから利用装置までのＥＵＶ光が通過する空間領域は、ＥＵＶ光の減衰を抑制するために減圧雰囲気つまり真空環境におかれている。
一方、ＥＵＶ光源装置においては、プラズマからはデブリが高速で放散される。デブリは、プラズマ原料の粒子（プラズマ原料がスズの場合は、スズ粒子）を含む。また、ＤＰＰ方式またはＬＤＰ方式でプラズマが生成される場合、デブリは、プラズマの発生に伴いスパッタリングされる放電電極の材料粒子を含む。
デブリは、利用装置に到達すると、利用装置内の光学素子の反射膜を損傷または汚染させ、その性能を低下させることがある。そのため、デブリが利用装置に侵入しないように、放散されたデブリを捕捉するデブリ低減装置（ＤＭＴ（Ｄｅｂｒｉｓ Ｍｉｔｉｇａｔｉｏｎ Ｔｏｏｌ）とも言う）が提案されている（特許文献１）。
ＬＤＰ方式のＥＵＶ光源装置においては、放電領域に生成されるプラズマからデブリがあらゆる方向に飛散する。利用装置側に飛散するデブリは、上述したデブリ低減装置により捕捉されるが、それ以外の方向に進行するデブリは、そのままだとＥＵＶ光源装置内部に付着する。
このようなデブリの内部付着を抑制するために、放電を発生させる電極は電極ハウジングにより包囲されている。電極ハウジングは、利用装置に向かうＥＵＶ光が通過する開口部以外は、前記電極を包囲する。
上述したＥＵＶ光源装置内部に付着する可能性のあるデブリの大部分は、この電極ハウジング内部にて捕集される。また、放電領域に電極を介して供給されるプラズマ原料（スズ）の一部が漏出することがある。このような漏出原料は、プラズマ発生に寄与しないため廃原料となる。上述した漏出原料もまた、電極ハウジング内部にて捕集される。
電極ハウジングは、プラズマの近傍に配置されるので、プラズマからのＥＵＶ等の放射により、デブリ（スズ）および廃材料（スズ）の融点以上に加熱される。よって、電極ハウジング内面に付着したデブリおよび廃材料は固化することなく液体状態に維持される。
電極ハウジング内面に付着したデブリおよび廃材料は、重力により電極ハウジング下部に集まり、電極ハウジング下部に設けられた排出口より外部に排出され、重力方向に落下する。
重力方向に落下したデブリおよび廃材料は、受け板部材により受け取られ、この受け板部材を介してデブリ収容容器（プラズマ原料がスズの場合は、スズ回収容器（Ｔｉｎ Ｄｕｍｐ））に溜められる。デブリ収容容器には、当該デブリ収容容器をプラズマ原料の融点以上に加熱する加熱部が設けられている。すなわち、デブリ収容容器によって受け止められた廃原料は直ちに溶融され、液化した状態でデブリ収容容器に溜まる。
特開２０１７－２１９６９８号公報 特許６２４１４０７号公報
上述したように、液体状のデブリおよび廃材料は、電極ハウジングの排出口により外部に排出され、重力方向に落下する。受け板部材は、受け取ったデブリおよび廃材料が固化しないように、加熱手段にてスズの融点以上に加熱される。受け板部材は、耐熱性、加工性および経済性を考慮して、例えばステンレス材料により構成される。
ここで、受け板部材が受け取るデブリおよび廃材料は液体状であるので、その温度はスズの融点以上である。受け板部材は、このようなスズを継続的に受け取ると、受け板部材の母材であるステンレスとスズとが反応し、スズによる腐食が進む。受け板部材の腐食が進むと、受け板部材に埋設された加熱手段が腐食部分から露出し、加熱手段自体がスズにより破損する。
そこで、本発明の目的は、プラズマ原料またはデブリを受け止める受け板部材の受け面の耐蝕性を向上させることが可能な極端紫外光光源装置および受け板部材の保護方法を提供することである。
本発明の一態様に係る極端紫外光光源装置は、極端紫外光を放射可能な原料の励起に基づいて前記極端紫外光を放射するプラズマを発生させる光源部と、前記原料の融液および前記プラズマから放散されるデブリを収容する収容容器と、前記原料の融液および前記プラズマから放散されるデブリを受け止め、前記収容容器に導く受け板部材と、前記原料の融液およびデブリに対して前記受け板部材よりも耐蝕性が高く、前記受け板部材の受け面上に設けられる耐蝕材とを備える。
これにより、極端紫外光を放射可能な原料の融液およびデブリによる腐食から受け板部材の受け面を保護しつつ、当該原料の融液およびデブリを収容容器に導くことが可能となり、受け板部材の受け面の腐食を防止することができる。
また、本発明の一態様に係る極端紫外光光源装置によれば、前記光源部は、互いに離隔して配置される一対の円盤状の放電電極と、前記放電電極を各回転軸の周りに回転させるモータと、前記放電電極の一部が前記原料の融液に浸された状態で前記原料の融液を貯留するコンテナと、前記放電電極および前記コンテナを包囲する電極ハウジングと、前記電極ハウジングを包囲し、前記極端紫外光を取り出す窓部が設けられたチャンバとを備え、前記電極ハウジングは、前記極端紫外光を取り出し可能な開口部と、前記コンテナから漏出した原料の融液および前記電極ハウジングの内壁に付着したデブリを排出する排出口とを備え、前記受け板部材は、前記原料およびデブリの融点以上となるように加熱され、前記排出口から排出される前記原料の融液およびデブリが前記収容容器に向かって下るような傾斜姿勢で支持される。
これにより、ＬＤＰ方式におけるチャンバ外に収容容器が設置されている場合においても、極端紫外光を放射可能な原料の融液およびデブリによる腐食から受け板部材の受け面を保護しつつ、当該原料の融液およびデブリを収容容器に導くことが可能となる。このため、当該原料およびデブリが収容された収容容器を交換可能としつつ、受け板部材の受け面の腐食を防止することができる。
また、本発明の一態様に係る極端紫外光光源装置は、前記放電電極にパルス電力を供給するパルス電力供給手段と、前記放電電極の回転時に外周面に付着した原料の融液にエネルギービームを照射して前記原料を気化させるエネルギービーム照射手段とをさらに備える。
これにより、極端紫外光を放射可能な原料に対してレーザビーム等のエネルギービームを照射して当該原料を気化し、その後、放電によってプラズマを生成することができる。
また、本発明の一態様に係る極端紫外光光源装置によれば、前記光源部は、円盤状の原料供給板と、前記原料供給板を回転軸の周りに回転させるモータと、前記原料供給板の一部が前記原料の融液に浸された状態で前記原料の融液を貯留するコンテナと、前記原料供給板および前記コンテナを包囲し、前記極端紫外光を取り出す窓部が設けられた原料供給板ハウジングと、前記原料供給板ハウジングを包囲し、前記極端紫外光を取り出す窓部が設けられたチャンバとを備え、前記原料供給板ハウジングは、前記極端紫外光を取り出し可能な開口部と、前記コンテナから漏出した原料の融液および前記原料供給板ハウジングの内壁に付着したデブリを排出する排出口とを備え、前記受け板部材は、前記原料およびデブリの融点以上となるように加熱され、前記排出口から排出される前記原料の融液およびデブリが前記収容容器に向かって下るような傾斜姿勢で支持される。
これにより、ＬＰＰ方式におけるチャンバ外に収容容器が設置されている場合においても、極端紫外光を放射可能な原料の融液およびデブリによる腐食から受け板部材の受け面を保護しつつ、当該原料の融液およびデブリを収容容器に導くことが可能となる。このため、当該原料およびデブリが収容された収容容器を交換可能としつつ、受け板部材の受け面の腐食を防止することができる。
また、本発明の一態様に係る極端紫外光光源装置は、前記原料供給板の回転時に外周面に付着した原料の融液にエネルギービームを照射して前記原料をプラズマ化させるエネルギービーム照射手段をさらに備える。
これにより、極端紫外光を放射可能な原料にレーザ光を照射し、当該原料を励起させてプラズマを生成することができる。
また、本発明の一態様に係る極端紫外光光源装置は、前記原料の融液およびデブリが前記収容容器に向かって下るような傾斜姿勢で前記受け板部材を支持する支持部材を備え、前記支持部材は、前記支持部材の下端部が線接触となる空間部を備える。
これにより、原料の融液およびデブリが支持部材の下端部を介して裏面に回り込むのを防止することができ、原料の融液およびデブリが支持部材の周囲に漏出するのを防止することができる。
また、本発明の一態様に係る極端紫外光光源装置は、前記窓部を介して放射される前記極端紫外光とともに飛散するデブリを捕獲するホイルトラップと、前記窓部を介した前記ホイルトラップに対する放射を低減させる遮熱板と、前記ホイルトラップおよび前記遮熱板を包囲するように前記チャンバに接続され、前記収容容器に連通する貫通孔が設けられた接続チャンバとを備え、前記受け板部材を介して導かれた前記原料の融液およびデブリと、前記ホイルトラップで捕獲されたデブリと、前記遮熱板に付着したデブリは、前記貫通孔を介して前記収容容器に収容される。
これにより、受け板部材を介して導かれる原料の融液およびデブリを収容容器に収容しつつ、接続チャンバ内で飛散するデブリも当該収容容器に収容することができる。このため、極端紫外光光源装置の大型化および複雑化を抑制しつつ、デブリによる極端紫外光の取り出し効率の低下を抑制することができる。
また、本発明の一態様に係る極端紫外光光源装置によれば、前記耐蝕材は、前記受け板部材の受け面上に設置可能な耐蝕プレートまたは前記受け板部材の受け面を被覆する耐蝕膜である。
ここで、耐蝕材として耐蝕プレートを用いることにより、受け板部材の構成を変更することなく、受け板部材の受け面を保護することが可能となるとともに、耐蝕プレートの交換を容易に行うことができる。一方、耐蝕材として耐蝕膜を用いることにより、受け板部材からの熱伝導性の低下を抑制することができ、融点以上となるように原料およびデブリを加熱するための効率の低下を抑制することができる。
また、本発明の一態様に係る極端紫外光光源装置によれば、前記耐蝕プレートの先端部は、前記受け板部材の先端部より突出している。
これにより、受け板部材の先端部を収容容器の内側に突出させることなく、受け板部材で受け止められた原料の融液およびデブリを収容容器の内側に導くことができる。このため、収容容器に収容された原料の融液およびデブリに受け板部材が浸漬されるのを防止しつつ、受け板部材で受け止められた原料の融液およびデブリが受け板部材の周囲に溢れ出すのを防止することができる。
また、本発明の一態様に係る極端紫外光光源装置によれば、前記耐蝕プレートは、前記耐蝕プレートの先端部が前記原料の融液およびデブリの落下方向に向かうように曲がっている。
これにより、前記耐蝕プレートの先端部において、耐蝕プレートによる原料の融液およびデブリの案内方向と、耐蝕プレートから離脱する原料の融液およびデブリの落下方向を一致させることができ、耐蝕プレートを介して案内される原料の融液およびデブリを収容容器に効率的に収容することができる。
また、本発明の一態様に係る極端紫外光光源装置によれば、前記耐蝕プレートの突出部の先端は、前記貫通孔の周縁部を越えて前記貫通孔の上方に位置する。
これにより、受け板部材で受け止められた原料の融液およびデブリが貫通孔の周縁部に溢れ出すのを防止しつつ、原料の融液およびデブリを収容容器に効率的に収容することができる。
また、本発明の一態様に係る極端紫外光光源装置によれば、前記耐蝕プレートの突出部は、先端に向かって徐々に狭くなっている。
これにより、耐蝕プレートを介して案内される原料の融液およびデブリを突出部の先端に向かって集め、原料の融液およびデブリが突出部の先端から離脱しやすくすることができる。このため、原料の融液およびデブリが耐蝕プレートの突出部を介して周囲に溢れ出すのを抑制しつつ、原料の融液およびデブリを収容容器に効率的に収容することができる。
また、本発明の一態様に係る極端紫外光光源装置によれば、前記耐蝕プレートは、前記耐蝕プレートの突出部の周縁部に沿って伸びる溝を備える。
これにより、耐蝕プレートの突出部の周縁部に到達した原料の融液およびデブリを溝で受け止め、溝を介して耐蝕プレートの突出部の先端の方向に導くことができる。このため、耐蝕プレートが硬度の高い材料から構成される場合においても、耐蝕プレートの加工の困難性を低減しつつ、原料の融液およびデブリが耐蝕プレートの突出部の周縁部から漏出するのを抑制することができる。
また、本発明の一態様に係る極端紫外光光源装置によれば、前記耐蝕プレートの材料は、モリブデンまたはタングステンである。
これにより、極端紫外光を放射可能な原料の融液およびデブリに対して耐蝕性を持たせることができ、受け板部材の受け面の腐食を防止することができる。
また、本発明の一態様に係る受け板部材の保護方法は、極端紫外光を放射可能な原料の融液またはデブリを受け止める受け板部材の保護方法であって、前記原料の融液またはデブリに対して前記受け板部材よりも耐蝕性が高い耐蝕材を前記受け板部材の受け面上に設けることにより、前記受け板部材の受け面を保護する。
これにより、極端紫外光を放射可能な原料の融液およびデブリによる腐食から受け板部材の受け面を保護しつつ、当該原料の融液およびデブリを収容容器に導くことが可能となる。このため、極端紫外光を発生させる光源部が収容されるチャンバの外部に収容容器を設置することを可能としつつ、受け板部材の受け面の腐食を防止することができる。
また、本発明の一態様に係る受け板部材の保護方法によれば、前記耐蝕材は、前記受け板部材の受け面上に設置可能な耐蝕プレートであり、前記受け板部材の受け面上に設置された耐蝕プレート上で前記原料の融液またはデブリを受け止め、前記耐蝕プレートを介し、前記原料の融液またはデブリを収容容器に案内する。
これにより、受け板部材の構成を変更することなく、受け板部材の受け面を保護することが可能となるとともに、極端紫外光を放射可能な原料の融液またはデブリを収容容器に収容することが可能となる。
本発明の態様においては、プラズマ原料またはデブリを受け止める受け板部材の受け面の耐蝕性を向上させることができる。
第１実施形態に係る極端紫外光光源装置のチャンバ内および接続チャンバ内を水平方向に切断して示す断面図である。 第１実施形態に係るデブリ低減部およびデブリ収容部の概略構成を示す断面図である。 図１の光源部をＤ０方向から見た矢視図である。 図２の回転式ホイルトラップの構成例を示す正面図である。 図２の固定式ホイルトラップの構成例を示す上面図である。 図２の固定式ホイルトラップの構成例を示す正面図である。 図２の受け板部材への耐蝕プレートの装着方法を示す斜視図である。 図７の耐蝕プレートが装着された受け板部材の構成例を示す平面図である。 図８の受け板部材の構成例を示す裏面図である。 図７の耐蝕プレートが取り外された受け板部材のデブリの受け止め方法を示す斜視図である。 図１０の受け板部材の受け面の破損状態の一例を示す平面図である。 図７の耐蝕プレートが装着された受け板部材のデブリの受け止め方法を示す斜視図である。 図２の案内部の概略構成を示す断面図である。 図１３の支持台のその他の概略構成を示す断面図である。 図１３の支持台のさらにその他の概略構成を示す断面図である。 図１３の受け板部材からのデブリの漏出状態の一例をＤ５方向から見た矢視図である。 図１３の受け板部材からのデブリの漏出状態のその他の例をＤ５方向から見た矢視図である。 第２実施形態に係る耐蝕プレートが装着された受け板部材の設置例をＤ５方向から見た矢視図である。 第２実施形態に係る耐蝕プレートが装着された受け板部材のその他の設置例をＤ５方向から見た矢視図である。 第２実施形態に係る耐蝕プレートが装着された受け板部材が設置された案内部の概略構成を示す断面図である。 第３実施形態に係る耐蝕プレートが装着された受け板部材が設置された案内部の概略構成を示す断面図である。 第４実施形態に係る耐蝕プレートが装着された受け板部材の設置例をＤ５方向から見た矢視図である。 第４実施形態に係る耐蝕プレートが装着された受け板部材のその他の設置例をＤ５方向から見た矢視図である。 第５実施形態に係る耐蝕プレートが装着された受け板部材の構成例を示す平面図である。 図２４のＡ－Ａ線で切断した構成を示す断面図である。 第６実施形態に係る耐蝕プレートが装着された受け板部材の構成例を示す平面図である。 第７実施形態に係る極端紫外光光源装置のチャンバ内および接続チャンバ内を水平方向に切断して示す断面図である。 図２７の光源部をＤ０´方向から見た矢視図である。
以下、添付の図面を参照しながら、本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、以下の実施形態は本発明を限定するものではなく、実施形態で説明されている特徴の組み合わせの全てが本発明の構成に必須のものとは限らない。実施形態の構成は、本発明が適用される装置の仕様や各種条件（使用条件、使用環境等）によって適宜修正または変更され得る。本発明の技術的範囲は、特許請求の範囲によって確定され、以下の個別の実施形態によって限定されない。また、以下の説明に用いる図面は、各構成を分かり易くするため、実際の構造と縮尺および形状などと異なることがある。
図１は、第１実施形態に係る極端紫外光光源装置のチャンバ内および接続チャンバ内を水平方向に切断して示す断面図、図２は、第１実施形態に係るデブリ低減部およびデブリ収容部の概略構成を示す断面図、図３は、図１の光源部をＤ０方向から見た矢視図である。なお、第１実施形態では、ＬＤＰ方式の極端紫外光光源装置（ＥＵＶ光源装置）を例にとる。
図１において、ＥＵＶ光源装置１は、極端紫外光（ＥＵＶ光）を放出する。この極端紫外光の波長は、例えば、１３．５ｎｍである。
具体的には、ＥＵＶ光源装置１は、放電を発生させる一対の放電電極ＥＡ、ＥＢの表面にそれぞれ供給された液相のプラズマ原料ＳＡ、ＳＢにレーザビームＬＢ等のエネルギービームを照射して当該プラズマ原料ＳＡ、ＳＢを気化させる。その後、放電電極ＥＡ、ＥＢ間の放電領域Ｄの放電によってプラズマＰを発生させる。プラズマＰからはＥＵＶ光が放出される。
ＥＵＶ光源装置１は、例えば、半導体デバイス製造におけるリソグラフィ装置の光源装置またはリソグラフィに使用されるマスクの検査装置の光源装置として使用可能である。例えば、ＥＵＶ光源装置１がマスク検査装置用の光源装置と使用される場合、プラズマＰから放出されるＥＵＶ光の一部が取り出され、マスク検査装置に導光される。マスク検査装置は、ＥＵＶ光源装置１から放出されるＥＵＶ光を検査光として、マスクのブランクス検査またはパターン検査を行う。ここで、ＥＵＶ光を用いることにより、５～７ｎｍプロセスに対応することができる。なお、ＥＵＶ光源装置１から取り出されるＥＵＶ光は、図２の遮熱板２３に設けられた開口ＫＡにより規定される。
図１および図２に示すように、ＥＵＶ光源装置１は、光源部２、デブリ低減部３、デブリ収容部４およびデブリ案内部５を備える。光源部２は、ＬＤＰ方式に基づいてＥＵＶ光を発生させる。デブリ低減部３は、光源部２から放射されるＥＵＶ光とともに飛散するデブリを捕獲する。デブリ収容部４は、光源部２で発生したデブリおよびデブリ低減部３で捕獲されたデブリなどを収容する。デブリ案内部５は、プラズマ原料ＳＡ、ＳＢの融液およびプラズマＰから放散されるデブリＤＢをデブリ収容部４に案内する。
また、ＥＵＶ光源装置１は、内部で発生されるプラズマＰを外部と隔離するチャンバ１１を備える。チャンバ１１は、剛体、例えば、金属から形成される。チャンバ１１は、真空筐体であり、その内部は、プラズマ原料ＳＡ、ＳＢを加熱励起するための放電を良好に発生させ、その際に生成されるＥＵＶ光の減衰を抑制するために、減圧雰囲気にされる。
光源部２は、チャンバ１１内部に配置される。光源部２は、一対の放電電極ＥＡ、ＥＢを備える。放電電極ＥＡ、ＥＢは、同形同大の円板状部材であり、例えば、放電電極ＥＡがカソードとして使用され、放電電極ＥＢがアノードとして使用される。放電電極ＥＡ、ＥＢは、例えば、タングステン、モリブデンまたはタンタル等の高融点金属から形成される。放電電極ＥＡ、ＥＢは、互いに離隔した位置に配置され、放電電極ＥＡ、ＥＢの周縁部が近接している。このとき、プラズマＰが生成される放電領域Ｄは、放電電極ＥＡ、ＥＢの周縁部が互いに最も接近した放電電極ＥＡ、ＥＢ間の間隙に位置する。
パルス電力供給部１３より放電電極ＥＡ、ＥＢに電力を給電することにより、放電領域Ｄで放電が発生する。そして、各放電電極ＥＡ、ＥＢの回転に基づいて放電領域Ｄに輸送されたプラズマ原料ＳＡ、ＳＢは、放電時に放電電極ＥＡ、ＥＢ間に流れる電流により加熱励起され、ＥＵＶ光を放出するプラズマＰが発生する。
放電電極ＥＡは、モータＭＡの回転軸ＪＡに連結され、放電電極ＥＡの軸線周りに回転する。放電電極ＥＢは、モータＭＢの回転軸ＪＢに連結され、放電電極ＥＢの軸線周りに回転する。モータＭＡ、ＭＢは、チャンバ１１の外部に配置され、各モータＭＡ、ＭＢの回転軸ＪＡ、ＪＢは、チャンバ１１の外部から内部に延びる。回転軸ＪＡとチャンバ１１の壁の間の隙間は、シール部材ＰＡで封止され、回転軸ＪＢとチャンバ１１の壁の間の隙間は、シール部材ＰＢで封止される。シール部材ＰＡ、ＰＢは、例えば、メカニカルシールである。各シール部材ＰＡ、ＰＢは、チャンバ１１内の減圧雰囲気を維持しつつ、回転軸ＪＡ、ＪＢを回転自在に支持する。
このように放電電極ＥＡ、ＥＢは、個別のモータＭＡ、ＭＢによって回転軸ＪＡ、ＪＢを介してそれぞれ駆動される。これらのモータＭＡ、ＭＢの回転駆動は、制御部１２によって制御される。
チャンバ１１内部には、液相のプラズマ原料ＳＡが貯留されるコンテナＣＡと、液相のプラズマ原料ＳＢが貯留されるコンテナＣＢが配置される。コンテナＣＡ、ＣＢには、加熱された液相のプラズマ原料ＳＡ、ＳＢが供給される。液相のプラズマ原料ＳＡ、ＳＢは、例えば、スズである。
コンテナＣＡは、放電電極ＥＡの下部が液相のプラズマ原料ＳＡに浸されるようにプラズマ原料ＳＡを収容する。コンテナＣＢは、放電電極ＥＢの下部が液相のプラズマ原料ＳＢに浸されるようにプラズマ原料ＳＢを収容する。従って、各放電電極ＥＡ、ＥＢの下部には、液相のプラズマ原料ＳＡ、ＳＢが付着する。各放電電極ＥＡ、ＥＢの下部に付着した液相のプラズマ原料ＳＡ、ＳＢは、放電電極ＥＡ、ＥＢの回転に伴って、プラズマＰが発生される放電領域Ｄに輸送される。
チャンバ１１の外部には、レーザ源（エネルギービーム照射装置）１４が配置される。レーザ源１４は、放電領域Ｄに輸送された放電電極ＥＡに付着したプラズマ原料ＳＡにエネルギービームを照射して、プラズマ原料ＳＡを気化させる。レーザ源１４は、例えば、Ｎｄ：ＹＶＯ４（Ｎｅｏｄｙｍｉｕｍ－ｄｏｐｅｄ Ｙｔｔｒｉｕｍ Ｏｒｔｈｏｖａｎａｄａｔｅ）レーザ装置である。このとき、レーザ源１４は、波長１０６４ｎｍの赤外領域のレーザビームＬＢを発する。ただし、エネルギービーム照射装置は、プラズマ原料ＳＡの気化が可能であれば、レーザビームＬＢ以外のエネルギービームを発する装置であってもよい。
レーザ源１４によるレーザビームＬＢの照射タイミングは、制御部１２によって制御される。レーザ源１４から放出されたレーザビームＬＢは、例えば、集光レンズ１５を含む集光手段を介して可動ミラー１６に導かれる。集光手段は、放電電極ＥＡのレーザビーム照射位置におけるレーザビームＬＢのスポット径を調整する。集光レンズ１５および可動ミラー１６は、チャンバ１１の外部に配置される。
集光レンズ１５で集光されたレーザビームＬＢは、可動ミラー１６により反射され、チャンバ１１の壁に設けられた透明窓２０を通過して、放電領域Ｄ付近の放電電極ＥＡの周縁部に照射される。
ここで、可動ミラー１６の姿勢が調整されることにより、放電電極ＥＡにおけるレーザビームＬＢの照射位置が調整される。可動ミラー１６の姿勢の調整は、作業員が手動で実施してもよいし、後述する監視装置４３からのＥＵＶ光の強度情報に基づき、制御部１２が可動ミラー１６の姿勢制御を行ってもよい。この場合、可動ミラー１６は、図示を省略した可動ミラー駆動部により駆動される。
放電領域Ｄ付近の放電電極ＥＡの周縁部にレーザビームＬＢを照射するのを容易にするため、放電電極ＥＡ、ＥＢの軸線は平行ではない。回転軸ＪＡ、ＪＢの間隔は、モータＭＡ、ＭＢ側が狭く、放電電極ＥＡ、ＥＢ側が広くなっている。これにより、放電電極ＥＡ、ＥＢの対向面側を接近させつつ、放電電極ＥＡ、ＥＢの対向面側と反対側をレーザビームＬＢの照射経路から退避させることができ、放電領域Ｄ付近の放電電極ＥＡの周縁部にレーザビームＬＢを照射するのを容易にすることができる。
放電電極ＥＢは、放電電極ＥＡと可動ミラー１６との間に配置される。可動ミラー１６で反射されたレーザビームＬＢは、放電電極ＥＢの外周面付近を通過した後、放電電極ＥＡの外周面に到達する。このとき、レーザビームＬＢが放電電極ＥＢで遮光されないように、放電電極ＥＢは、放電電極ＥＡよりも、モータＭＢ側の方向（図１の左側）に退避される。
放電領域Ｄ付近の放電電極ＥＡの外周面に付着された液相のプラズマ原料ＳＡは、レーザビームＬＢの照射により気化され、気相のプラズマ原料ＳＡとして放電領域Ｄに供給される。
放電領域ＤでプラズマＰを発生させるため（気相のプラズマ原料ＳＡをプラズマ化するため）、パルス電力供給部１３は、放電電極ＥＡ、ＥＢに電力を供給する。そして、レーザビームＬＢの照射により放電領域Ｄに気相のプラズマ原料ＳＡが供給されると、放電領域Ｄにおける放電電極ＥＡ、ＥＢ間で放電が生じる。このとき、パルス電力供給部１３は、パルス電力を周期的に放電電極ＥＡ、ＥＢに供給する。
パルス電力供給部１３は、チャンバ１１の外部に配置される。パルス電力供給部１３から延びる給電線は、フィードスルーＦＡ、ＦＢを通過して、チャンバ１１の内部に延びる。フィードスルーＦＡ、ＦＢは、チャンバ１１の壁に埋設されてチャンバ１１内の減圧雰囲気を維持するシール部材である。なお、プラズマＰを発生させるためのレーザ源１４の動作およびパルス電力供給部１３の動作は、制御部１２により制御される。
パルス電力供給部１３から延びる２つの給電線は、フィードスルーＦＡ、ＦＢを介してそれぞれコンテナＣＡ、ＣＢに接続される。コンテナＣＡ、ＣＢは、導電性材料から形成され、コンテナＣＡ、ＣＢの内部に収容されるプラズマ原料ＳＡ、ＳＢもスズなどの導電性材料である。各コンテナＣＡ、ＣＢの内部に収容されているプラズマ原料ＳＡ、ＳＢには、放電電極ＥＡ、ＥＢの下部がそれぞれ浸されている。従って、パルス電力供給部１３からパルス電力がコンテナＣＡ、ＣＢに供給されると、そのパルス電力は、プラズマ原料ＳＡ、ＳＢをそれぞれ介して放電電極ＥＡ、ＥＢに供給される。放電電極ＥＡ、ＥＢ間で放電が発生すると、放電領域Ｄにおける気相のプラズマ材料ＳＡが電流により加熱励起されて、プラズマＰが発生する。
プラズマＰからはＥＵＶ光が放出される。ＥＵＶ光は、他の光学系装置である利用装置（リソグラフィ装置またはマスク検査装置）で利用される。本実施形態においては、ＥＵＶ光はマスク検査装置で利用される。
チャンバ１１と利用装置との間には、接続チャンバ２１が配置される。接続チャンバ２１は、剛体、例えば、金属から形成されている。接続チャンバ２１は、真空筐体であり、その内部も、チャンバ１１の内部と同様、ＥＵＶ光の減衰を抑制するため減圧雰囲気にされる。
接続チャンバ２１の内部空間は、窓部１７を介してチャンバ１１と連通する。窓部１７は、チャンバ１１の壁に形成された貫通孔である。また、接続チャンバ２１の内部空間は、接続チャンバ２１の壁に形成された貫通孔である窓部２７を介して利用装置（マスク検査装置）４２と連通する。図２では、利用装置４２の一部のみを示す。放電領域ＤのプラズマＰから放出されたＥＵＶ光は、窓部１７、２７を通じて利用装置（マスク検査装置）４２に導入される。
一方、プラズマＰからは、ＥＵＶ光とともにデブリＤＢが高速で様々な方向に放散される。デブリＤＢは、プラズマ原料ＳＡ、ＳＢであるスズ粒子およびプラズマＰの発生に伴いスパッタリングされる放電電極ＥＡ、ＥＢの材料粒子を含む。これらのデブリＤＢは、プラズマＰの収縮および膨張過程を経て、大きな運動エネルギーを得る。
このようなデブリＤＢを捕捉させるために、デブリ低減部３が接続チャンバ２１内に設けられる。そして、接続チャンバ２１側に飛散したデブリＤＢの少なくとも一部は、デブリ低減部３により捕捉される。ただし、それ以外の方向に進行するデブリＤＢは、そのままだとＥＵＶ光源装置１内部（例えば、チャンバ１の内壁）に付着し、内部汚染を引き起こす。
このようなデブリＤＢの飛散による内部汚染をできるだけ抑制するように、図１に示すように、放電電極ＥＡ、コンテナＣＡおよび回転軸ＪＡの一部は電極ハウジングＨＡにより包囲され、放電電極ＥＢ、コンテナＣＢおよび回転軸ＪＢの一部は電極ハウジングＨＢにより包囲される。なお、各回転軸ＪＡ、ＪＢは、例えば、電極ハウジングＨＡ、ＨＢに設けられる不図示の孔部をそれぞれ介して放電電極ＥＡ、ＥＢと接続される。電極ハウジングＨＡ、ＨＢは、互いに隣り合うようにチャンバ１１内に配置される。
図３に示すように、電極ハウジングＨＡ、ＨＢには、プラズマＰから放出されるＥＵＶ光が接続チャンバ２１を介して利用装置４２に向かうように、ＥＵＶ光取出し用開口部ＫＬが設けられる。ＥＵＶ光取出し用開口部ＫＬは、放電領域Ｄに輸送された放電電極ＥＡに付着したプラズマ原料ＳＢに照射されるエネルギービームの入射口としても用いられる。また、各電極ハウジングＨＡ、ＨＢの下部には、電極ハウジングＨＡ、ＨＢ内面に付着したデブリＤＢおよび廃材料を外部に排出する排出口ＱＡ、ＱＢが設けられる。
ＥＵＶ光源装置１の内部に付着する可能性のあるデブリＤＢの大部分は、デブリ飛散方向Ｄ１、Ｄ２に飛散し、電極ハウジングＨＡ、ＨＢ内部にて捕集される。また、放電領域Ｄに輸送された放電電極ＥＡに付着したプラズマ原料ＳＡのうち、エネルギービームが照射されて気化しプラズマ生成に利用される量は僅かである。このため、放電電極ＥＡに付着したプラズマ原料ＳＡの大部分は未使用のままコンテナＣＡに戻されるが、そのうちの一部は重力により落下してコンテナＣＡに戻らず、電極ハウジングＨＡ内部にて捕集される。さらに、何等かの不具合により、コンテナＣＡ、ＣＢに貯留された液相のプラズマ原料ＳＡ、ＳＢの一部がコンテナＣＡ、ＣＢより溢れる場合がある。この溢れたプラズマ原料ＳＡ、ＳＢも、原料漏出方向Ｄ３に漏出し、廃原料として電極ハウジングＨＡ、ＨＢ内部にて捕集される。
電極ハウジングＨＡ、ＨＢは、プラズマＰの近傍に配置されるので、プラズマＰからのＥＵＶ光などの放射によりデブリＤＢおよび廃材料の融点以上に加熱される。なお、本明細書で融点というときは、スズなどのプラズマ原料ＳＡ、ＳＢの融点を指す。このため、例えば、放電電極ＥＡ、ＥＢがタングステン、モリブデン、タンタル等の高融点金属から形成されるときに、放電電極ＥＡ、ＥＢの材料粒子がデブリＤＢに含まれる場合においても、デブリＤＢの融点には、放電電極ＥＡ、ＥＢの融点は含まない。よって、電極ハウジングＨＡ、ＨＢ内面に付着したデブリＤＢおよび廃材料に含まれるスズは固化することなく液体状態に維持される。電極ハウジングＨＡ、ＨＢ内面に付着したデブリＤＢおよび廃材料は、重力により電極ハウジングＨＡ、ＨＢ下部に集まり、排出口ＱＡ、ＱＢより外部に排出され、重力方向に落下する。
排出口ＱＡ、ＱＢより重力方向に落下したデブリＤＢおよび廃材料は、受け板部材１８より受け取られる。図２に示すように、受け板部材１８は、接続チャンバ２１内に設けられた支持台４４により支持される。支持台４４は、受け板部材１８が傾斜姿勢となるように支持する。支持台４４は、受け板部材１８の排出部から排出されるデブリＤＢおよび廃材料が、接続チャンバ２１の下方（図２の下側）に配置されている廃原料（スズ）貯蔵部であるデブリ収容容器に溜められるように傾斜している。受け板部材１８は、加熱手段により加熱され、その温度はスズの融点以上の温度に維持される。よって、排出口ＱＡ、ＱＢより受け板部材１８に落下したデブリＤＢおよび廃材料は液相のまま、傾斜した受け板部材１８の受け面に沿って移動し、受け板部材１８の排出部へ送られる。
一方、プラズマＰからはＥＵＶ光とともにデブリＤＢが高速で様々な方向に放散される。プラズマＰから発生するデブリＤＢは、高速で移動するイオン、中性原子および電子を含む。このようなデブリＤＢは、利用装置４２に到達すると、利用装置４２内の光学素子の反射膜を損傷または汚染させ、性能を低下させることがある。そのため、デブリ低減部３にてデブリＤＢを捕捉させることで、デブリＤＢが利用装置４２に侵入するのを防止する。デブリ低減部３は、複数のホイルの位置が固定された固定式ホイルトラップ２４と、ホイルがデブリと能動的に衝突する作用を加えた回転式ホイルトラップ２２とを備える。固定式ホイルトラップ２４は、接続チャンバ２２から利用装置（マスク検査装置）４２へと進行するＥＵＶ光の光路上において、回転式ホイルトラップ２２と利用装置２４と間に設けられる。
図４は、図２の回転式ホイルトラップの構成例を示す正面図である。
図４において、回転式ホイルトラップ２２は、中心のハブ５３、ハブ５３に同心の外側リング５２およびハブ５３と外側リング５２との間に配置された多数のホイル５１を備える。各ホイル５１は、薄膜または薄い平板である。ホイル５１は、ほぼ等しい角間隔をおいて放射状に配置される。各ホイル５１は、ハブ５３の中心軸線を含む平面上にある。回転式ホイルトラップ２２の材料は、例えば、タングステンおよび／またはモリブデンなどの高融点金属である。
回転式ホイルトラップ２２の複数のホイル５１は、プラズマＰ（発光点）から窓部２７に向かって進むＥＵＶ光を遮らないように、窓部２７に向かって進むＥＵＶ光の光線方向に平行に配置される。
すなわち、図２に示すように、各ホイル５１がハブ５３の中心軸線を含む平面上に配置された回転式ホイルトラップ２２は、ハブ５３の中心軸線の延長線上にプラズマＰが存在するように配置される。これにより、ハブ５３および外側リング５２を除けば、ＥＵＶ光は各ホイル５１の厚みの分のみ遮光され、回転式ホイルトラップ２２を通過するＥＵＶ光の割合（透過率とも言う）を最大にすることが可能となる。
ハブ５３は、モータ（回転駆動装置）ＭＣの回転軸ＪＣに連結され、ハブ５３の中心軸線は、回転軸ＪＣの中心軸線に合致する。このとき、モータＭＣの回転軸ＪＣは、回転式ホイルトラップ２２の回転軸とみなすことができる。回転式ホイルトラップ２２は、モータＭＣに駆動されて回転し、回転するホイル５１は、プラズマＰから到来するデブリＤＢに衝突してデブリＤＢを捕捉し、当該デブリＤＢが利用装置４２に侵入するのを阻止する。
回転式ホイルトラップ２２は、接続チャンバ２１内に配置されるのに対して、モータＭＣは、接続チャンバ２１の外に配置される。接続チャンバ２１の壁には、回転軸ＪＣが通過する貫通孔が形成される。回転軸ＪＣと接続チャンバ２１の壁の間の隙間は、例えば、メカニカルシールからなるシール部材ＰＣで封止される。シール部材ＰＣは、接続チャンバ２１内の減圧雰囲気を維持しつつ、モータＭＣの回転軸ＪＣを回転自在に支持する。
また、プラズマＰから回転式ホイルトラップ２２への放射を低減し、回転式ホイルトラップ２２の過熱を防止するため、接続チャンバ２１内には遮熱板２３が配置される。遮熱板２３は、プラズマＰから放出されるＥＵＶ光の一部を取り出すための任意の形状（例えば、円形）の開口部ＫＡを備える。遮熱板２３は、プラズマＰの近傍に配置されるため、例えば、モリブデンまたはタングステンなどの高融点材料から構成される。
開口部ＫＡは、回転式ホイルトラップ２２の回転軸ＪＣから偏心した位置に設けられる。このとき、プラズマＰから放出されるＥＵＶ光の一部は、開口部ＫＡを介し、回転式ホイルトラップ２２の回転軸方向（図２における左右方向）に対して傾斜角度をもって所定の立体角で遮熱板２３から取り出される。
回転式ホイルトラップ２２は、遮熱板２３の開口部ＫＡを通過したＥＵＶ光の光線束（以下、ＥＵＶ取出光とも言う。）の主光線ＵＬ上にホイル５１が位置するように配置されている。遮熱板２３の開口部ＫＡから取り出されたＥＵＶ光は、デブリ低減部３を通過して、窓部２７を介して利用装置（マスク検査装置装置）４２に導入される。
回転式ホイルトラップ２２は、プラズマＰから放散されるデブリＤＢのうち比較的低速のデブリＤＢを捕捉するが、固定式ホイルトラップ２４は、プラズマＰから放散されるデブリＤＢのうち、回転式ホイルトラップ２２で捕捉できなかった高速で進行するデブリＤＢを捕捉する。図２に示すように、固定式ホイルトラップ２４は、ＥＵＶ取出光の主光線ＵＬ上に配置される。
また、固定式ホイルトラップ２４は、遮熱板２３の開口部ＫＡにより進行方向が制限されたＥＵＶ光であるＥＵＶ取出光が通過する領域に対応させた形状を備える。
図５は、図２の固定式ホイルトラップの構成例を示す上面図、図６は、図２の固定式ホイルトラップの構成例を示す断面図である。
図５および図６において、固定式ホイルトラップ２４は、複数のホイル６１と、ホイル６１を支持する固定枠（固定部材）６０とを備える。
ホイル６１は、図６に示すように、ＥＵＶ取出光の主光線ＵＬ方向に直交する断面において、それぞれ等間隔に配置される。また、固定枠６０は、例えば、正面から見て矩形状となっている。なお、固定枠６０の外形は、任意の形状であってよい。さらに、複数のホイル６１は、図５に示すように、主光線ＵＬ方向に直交する方向から見ると、ＥＵＶ取出光の光線方向に伸びるように放射状に配置される。
固定式ホイルトラップ２４の複数のホイル６１は、固定式ホイルトラップ２４が配置された空間を細かく分割することにより、その部分のコンダクタンスを下げて圧力を局所的に上げる働きをする。固定式ホイルトラップ２４にガスを適宜供給することにより、固定式ホイルトラップ２４における圧力を上げるようにする。言い換えると、接続チャンバ２１内において、固定式ホイルトラップ２４内にガスを局在化させて圧力が比較的高い部分を設定する。ここで、固定式ホイルトラップ２４に供給するガスは、ＥＵＶ光に対して透過率の高いガスが望ましく、例えば、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）などの希ガスまたは水素（Ｈ２）などが用いられる。
回転式ホイルトラップ２２で捕捉できなかった高速のデブリＤＢは、固定式ホイルトラップ２４における圧力が上がった領域でガスとの衝突確率が上がるために速度が低下する。また、ガスとの衝突によりデブリＤＢの進行方向も変わる。固定式ホイルトラップ２４は、このようにして速度が低下して進行方向が変わったデブリＤＢを、ホイル６１または固定枠６０により捕捉する。
また、接続チャンバ２１内には、カバー部材２５が配置される。カバー部材２５は、回転式ホイルトラップ２２を包囲し、回転式ホイルトラップ２２により捕捉されたデブリＤＢが接続チャンバ２１の内部に飛散するのを防止する。カバー部材２５は、入射側開口部ＫＩおよび出射側開口部ＫＯＡ、ＫＯＢを備える。入射側開口部ＫＩは、回転式ホイルトラップ２２に入射するＥＵＶ光が遮光されない位置に設けられる。出射側開口部ＫＯＡは、入射側開口部ＫＡおよび回転式ホイルトラップ２２を通過して固定式ホイルトラップ２４に入射するＥＵＶ光が遮光されない位置に設けられる。出射側開口部ＫＯＢは、入射側開口部ＫＩおよび回転式ホイルトラップ２２を通過して監視装置４３に入射するＥＵＶ光が遮光されない位置に設けられる。
回転式ホイルトラップ２２により捕捉されたデブリＤＢの少なくとも一部は、遠心力により回転式ホイルトラップ２２のホイル５１上を径方向に移動し、ホイル５１の端部から離脱して、カバー部材２５の内面に付着する。
カバー部材２５は、図示を省略した加熱手段またはＥＵＶ放射を受ける遮熱板２３からの二次輻射によって加熱され、当該加熱によりカバー部材２５の内面に付着したデブリＤＢは固化せず、液相状態を保持する。カバー部材２５の内面に付着したデブリＤＢは、重力によりカバー部材２５の下部に集まり、カバー部材２５の下部から排出管２６を介してカバー部材２５の外に排出されて廃原料となり、デブリ収容部４に収容される。これにより、カバー部材２５は、回転式ホイルトラップ２２のホイル５１の端部から離脱したデブリＤＢが接続チャンバ２１の内部に飛散するのを防止することができる。
デブリ収容部４は、デブリ収容容器３１を備える。デブリ収容容器３１は、接続チャンバ２１の外部に配置され、接続チャンバ２１に取り付けられる。デブリ収容容器３１は、デブリＤＢおよび廃原料を含む収容物ＳＵを貯蔵する。
接続チャンバ２１の底壁には、デブリ収容容器３１の内部空間と接続チャンバ２１の内部空間を連通させる貫通孔３７が形成されている。デブリ収容容器３１は、上部にフランジ３２を備える。フランジ３２で囲まれたデブリ収容容器３１の開口部は、接続チャンバ２１の貫通孔３７に重ねられる。そして、フランジ３２が接続チャンバ２１の底壁に、例えば、ネジで固定されることで、デブリ収容容器３１が接続チャンバ２１に取り付けられる。フランジ３２と接続チャンバ２１の底壁の間の間隙は、ガスケット３３により封止される。遮熱板２３は、直立した状態で貫通孔３７の上方に配置される。排出管２６の排出口は、貫通孔３７の上方に配置される。このとき、遮熱板２３および排出管２６からのデブリＤＢの落下位置にデブリ収容容器３２が配置される。
排出管２６を介してカバー部材２５の外に排出された廃原料は、重力方向に落下し、接続チャンバ２１の下方（図２の下側）に配置されているデブリ収容容器３１に溜められる。一方、プラズマＰから様々な方向に放散されるデブリＤＢの一部は、チャンバ１１の窓部１７を通じて接続チャンバ２１に侵入すると、窓部１７と対面する遮熱板２３の面に堆積する。遮熱板２３に堆積したデブリＤＢは、プラズマＰからの放射により溶融し、ある程度の量に達すると、液滴となって重力により遮熱板２３の下方に移動する。そして、遮熱板２３の下方に移動したデブリＤＢが遮熱板２３から離脱し、接続チャンバ２１の下方へ落下することで、デブリ収容容器３１に収容される。
このように遮熱板２３は、プラズマＰから回転式ホイルトラップ２２へのＥＵＶ放射を制限して回転式ホイルトラップ２２の過熱を防止したり、開口部ＫＡによりプラズマＰから放出されるＥＵＶ光の一部を取り出し可能とするのみならず、回転式ホイルトラップ２２に向けて進行するデブリＤＢをできるだけ少なくし、回転式ホイルトラップ２２の負荷を減少させる。
ここで、デブリＤＢの大部分はスズであり、廃材料もスズであるので、デブリ収容容器３１は、スズ回収容器と呼ぶこともできる。デブリ収容容器３１の周囲には、デブリ収容容器３１を加熱する加熱手段としてのヒータ配線３４が巻き付けられている。加熱手段は、デブリ収容容器３１本体に埋設されていてもよい。
ＥＵＶ光源装置１の稼働中では、ヒータ配線３４に給電することによって、デブリ収容容器の内部は、スズの融点（約２３２℃）以上に加熱され、デブリ収容容器３１内部に蓄積されたスズは液相にされる。
デブリ収容容器３１の内部のスズを液相とする理由は、デブリ収容容器３１の内部に蓄積されるデブリＤＢに含まれるスズが固化すると、デブリＤＢが落下しやすい地点での蓄積物が、あたかも鍾乳洞の石筍のように成長するからである。デブリＤＢの蓄積物が石筍状に成長すると、例えば、カバー部材２５の排出管２６がデブリＤＢにより封鎖されてカバー部材２５内にデブリＤＢが蓄積される。このとき、カバー部材２５内に蓄積されたデブリＤＢの少なくとも一部が回転式ホイルトラップ２２に接触し、回転式ホイルトラップ２２の回転を妨げたり、回転式ホイルトラップ２２を損傷したりすることがある。
あるいは、カバー部材２５に設けられている出射側開口部ＫＯＡ、ＫＯＢの一部がカバー部材２５内に蓄積されたデブリＤＢにより封鎖されて、出射側開口部ＫＯＡ、ＫＯＢを通過するＥＵＶ光の一部が遮られることもある。
よって、デブリ収容容器３１の内部の収容物であるスズを液相にすることで、デブリ収納容器３１内でスズを平坦化し、石筍のような成長を回避しながらデブリ収納容器３１内にスズを貯蔵することが可能となる。
デブリ収容容器３１に蓄積されたスズを回収する場合、ヒータ配線３４への給電を止めてデブリ収容容器３１内部の加熱を停止する。そして、デブリ収容容器３１の温度が常温に到達してデブリ収容容器３１に貯蔵されるスズを固化させた上で、接続チャンバ２１内部を大気圧に戻す。その後、デブリ収容容器３１を接続チャンバ２１から取り外し、スズの溜まっていない新しいデブリ収容容器を接続チャンバ２１に取り付ける。
接続チャンバ２１から取り外されたデブリ収容容器３１の内部のスズは固相になっているが、そのデブリ収容容器３１を再加熱して内部のスズを再度液相とすることによって、デブリ収容容器３１からスズを取り出すことができる。接続チャンバ２１から取り外し、内部からスズを除去したデブリ収容容器３１は再利用することができる。
さらに、接続チャンバ２１の外部には、ＥＵＶ光を監視する監視装置４３が配置される。監視装置４３は、ＥＵＶ光を検出する検出器またはＥＵＶ光の強度を測定する測定器である。接続チャンバ２１の壁には、ＥＵＶ光が通過する貫通孔であるＥＵＶ光案内孔２８が形成され、ＥＵＶ光案内孔２８と監視装置４３と間には、ＥＵＶ光が接続チャンバ２１の外に漏れずに通過する案内管２９が設けられている。
遮熱板２３には、開口部ＫＡとは別の位置に、プラズマＰから放出されるＥＵＶ光の一部を取り出すための任意の形状（例えば、円形）の開口部ＫＢが設けられる。
プラズマＰと開口部ＫＢの中心部を結ぶ直線の延長線上には、監視装置４３、ＥＵＶ光案内孔２８および案内管２９が配置されている。従って、プラズマＰから放出されるＥＵＶ光の一部は、チャンバ１１の窓部１７、遮熱板２３の開口部ＫＢ、カバー部材２５の入射側開口部ＫＩ、回転式ホイルトラップ２２の複数のホイル５１の隙間、カバー部材２５の出射側開口部ＫＯＢ、接続チャンバ２１の壁のＥＵＶ光案内孔２８および案内管２９の内腔を順次通過して、監視装置４３に到達する。このようにして、ＥＵＶ光を監視装置４３によって監視することができる。
図７は、図２の受け板部材への耐蝕プレートの装着方法を示す斜視図、図８は、図７の耐蝕プレートが装着された受け板部材の構成例を示す平面図、図９は、図８の受け板部材の構成例を示す裏面図である。
図７～図９において、図２のデブリ案内部５は、受け板部材１８、制御部７５および給電部７６を備える。受け板部材１８は、受け面７１、排出部７３および周縁壁部７２を備える。受け面７１は、デブリＤＢおよび廃材料を受ける。排出部７３は、受け面７１で受けたデブリＤＢおよび廃材料を排出する。受け面７１の幅は、放電電極ＥＡ、ＥＢ側（受け板部材１８の奥側）に比べて排出部７３側（受け板部材１８の手前側）の方が狭い。周縁壁部７２は、排出部７３を除く受け面７１の周縁部を囲む壁である。周縁壁部７２は、受け面７１で受けた液状のデブリＤＢおよび廃材料が、排出部７３以外から溢れるのを抑制する。受け板部材１８は、耐熱性、加工性および経済性を考慮して、例えば、ステンレス材料により構成される。
受け板部材１８の受け面７１の下側には、受け面７１を加熱する加熱手段７４が埋設される。制御部７５は、図示を省略した受け板部材１８の温度計測手段からの温度情報に基づいて、給電部７６を制御して加熱手段７４に給電し、受け板部材１８の温度がデブリＤＢおよび廃材料の融点以上となるように維持する。給電部７６は、加熱手段７４を発熱させる電力を供給する。
受け板部材１８の受け面７１上には、耐蝕プレートＰ１が設置される。耐蝕プレートＰ１は、液体状のデブリＤＢおよび廃材に対する耐蝕性が受け板部材１８よりも高い。耐蝕プレートＰ１の材料は、耐蝕性に優れるだけでなく、耐熱性が良好であるのが好ましい。例えば、耐蝕プレートＰ１の材料は、モリブデンまたはタングステンを用いることができる。耐蝕プレートＰ１の平面形状は、受け面７１の平面形状に一致させることができる。また、耐蝕プレートＰ１を受け面７１上に設置したときの耐蝕プレートＰ１と受け面７１の接触面積を大きくし、受け板部材１８から耐蝕プレートＰ１に熱が伝わりやすくするために、耐蝕プレートＰ１と受け面７１の対向面は、平坦化することができる。耐蝕プレートＰ１と受け面７１とが接触する面の少なくとも一部は、研磨されていてもよい。
受け板部材１８は、受け面７１上の耐蝕プレートＰ１が排出部７３側に向かって下り傾斜となるように傾けて設置される。このとき、受け板部材１８の受け面７１の温度は、デブリＤＢおよび廃材の融点以上となるように維持される。このとき、受け板部材１８の受け面７１の熱は、耐蝕プレートＰ１を介してデブリＤＢおよび廃材料に伝わり、デブリＤＢおよび廃材料の液相状態を維持することができる。これにより、耐蝕プレートＰ１上に落下したデブリＤＢおよび廃材料が耐蝕プレートＰ１上で固化するのを防止することができ、耐蝕プレートＰ１にて受け面７１を保護しつつ、デブリＤＢおよび廃材料を受け流すことができる。
なお、受け板部材１８を傾けて設置したときに、耐蝕プレートＰ１が受け板部材１８の受け面７１から離隔するのを防止するために、耐蝕プレートＰ１の側面が受け板部材１８の周縁壁部７２の内壁に接触するようにしてもよい。このとき、耐蝕プレートＰ１の側面と受け板部材１８の周縁壁部７２の内壁との間に働く摩擦力により、受け板部材１８の受け面７１上での耐蝕プレートＰ１の位置を安定させることができる。
図１０は、図７の耐蝕プレートが取り外された受け板部材のデブリの受け止め方法を示す斜視図、図１１は、図１０の受け板部材の受け面の破損状態の一例を示す平面図である。
図１０において、耐蝕プレートＰ１が受け面７１上に設置されていない場合、融点以上に加熱されたスズなどのデブリＤＢおよび廃材料を受け面７１で継続的に受け取ると、受け板部材１８の母材であるステンレスとスズとが反応し、図１１に示すように、スズによる受け面７１の腐食が進む。受け面７１の腐食が進むと、受け面７１に埋設された加熱手段７４が腐食部分ＣＲから露出し、加熱手段７４自体がスズにより破損する。
図１２は、図７の耐蝕プレートが装着された受け板部材のデブリの受け止め方法を示す斜視図である。
図１２において、耐蝕プレートＰ１を受け面７１上に設置した場合、融点以上に加熱されたスズなどのデブリＤＢおよび廃材料が受け板部材１８の母材であるステンレスと反応するのを抑制することが可能となる。このため、受け面７１の下部に埋設された加熱手段７４が露出するのを防止することができ、加熱手段７４自体がスズにより破損するという不具合を抑制することができる。
図１３は、図２の案内部の概略構成を示す断面図である。
図１３において、接続チャンバ２１内には、支持台４４および支持台サポート４５が設けられる。受け板部材１８は、耐蝕プレートＰ１が受け面７１上に設置された状態で支持台４４により支持される。支持台４４の傾斜面と、受け板部材１８の下面は平面状に形成される。支持台４４の傾斜面は、窓部１７から貫通孔３７に向かって下り傾斜となるように構成される。このため、受け板部材１８を支持台４４上に設置することにより、支持台は、デブリ収容容器３１に向かって傾斜した傾斜姿勢となるように受け板部材１８を支持することができる。支持台４４は、窓部１７から貫通孔３７に向かって下り傾斜となるように支持台サポート４５によって支持される。支持台４４の上流側（窓部１７側）は、支持台サポート４５によって支持し、支持台４４の下流側（貫通孔３７側）は、接続チャンバ２１の底面によって支持することができる。
なお、支持台４４には、支持台４４の下端部が線接触となる空間部Ｍ１を支持台４４の先端側の裏面に設けてもよい。この線接触の位置は、受け板部材１８の排出部７３の近傍であって支持台４４が接続チャンバ２１の内壁部と接する位置とすることができる。支持台４４の先端部の裏面に空間部Ｍ１を設けることにより、液体状のデブリＤＢおよび廃材料の排出部７３の近傍の回り込みＭ２に対し、支持台４４の先端部の裏面に上り傾斜が形成される。これにより、液体状のデブリＤＢおよび廃材料の回り込みＭ２の発生時に、液体状のデブリＤＢおよび廃材料を重力方向に引き戻すことができる。このため、支持台４４の下端部に到達した液体状のデブリＤＢおよび廃材料の支持台４４からの切れを向上させることができ、液体状のデブリＤＢおよび廃材料の回り込みＭ２を抑制することができる。
図１４は、図１３の支持台のその他の概略構成を示す断面図である。
図１４の支持台４４Ａでは、図１３の支持台４４の空間部Ｍ１の代わりに空間部Ｍ１Ａが設けられている。空間部Ｍ１Ａは、支持台４４Ａの下端部が線接触となるように構成される。また、図１３の支持台４４の先端は鋭角状であるのに対し、図１４の支持台４４Ａの先端は平坦である。
このとき、支持台４４Ａの下端部の線接触の位置における空間部Ｍ１Ａの傾斜角θ２は、支持台４４Ａの傾斜角θ１より大きくすることができる。これにより、空間部Ｍ１Ａにおける液体状のデブリＤＢおよび廃材料の回り込みＭ２の上り傾斜の角度を増大させることができ、液体状のデブリＤＢおよび廃材料の回り込みＭ２をより効果的に抑制することができる。
図１５は、図１３の支持台のさらにその他の概略構成を示す断面図である。
図１５の支持台４４Ｂでは、図１４の支持台４４Ａの空間部Ｍ１Ａの代わりに空間部Ｍ１Ｂが設けられている。空間部Ｍ１Ｂは、支持台４４Ｂの下端部が線接触となるように構成される。また、図１４の空間部Ｍ１Ａの断面形状は円弧状であるのに対し、図１５の空間部Ｍ１Ｂの断面形状は三角状である。このとき、支持台４４Ｂの下端部の線接触の位置における空間部Ｍ１Ｂの傾斜角θ３は、支持台４４Ｂの傾斜角θ１より大きくすることができる。こ
このように、支持台の下端部を線接触とする空間部の断面形状は、図１３および図１４に示すように、曲線から構成されていてもよいし、図１５に示すように、直線から構成されていてもよいし、曲線と直線が混在していてもよい。
各支持台４４Ａ、４４Ｂの下端部の線接触の位置における空間部Ｍ１Ａ、Ｍ１Ｂの傾斜角θ２、θ３が支持台４４Ａの傾斜角θ１より大きければ、空間部Ｍ１Ａ、Ｍ１Ｂの断面形状は、任意の形状であってもよい。
図１６は、図１３の受け板部材からのデブリの漏出状態の一例をＤ５方向から見た矢視図、図１７は、図１３の受け板部材からのデブリの漏出状態のその他の例をＤ５方向から見た矢視図である。なお、図１６では、図１３の貫通孔３７の平面形状が四角形である貫通孔３７Ａを示した。図１７では、図１３の貫通孔３７の平面形状が円形である貫通孔３７Ｂを示した。
図１３に示すように、支持台４４の下端部が線接触となる空間部Ｍ１を支持台４４の先端部の裏面に設けることにより、液体状のデブリＤＢおよび廃材料が支持台４４の裏面に回り込むのを抑制することができる。しかしながら、図１６に示すように、排出部７３の近傍であって、デブリ収容容器３１へ連通する接続チャンバ２１の貫通孔３７Ａの周縁に液体状のスズなどのデブリＤＢおよび廃材料が漏出する場合がある。平面形状が四角形である貫通孔３７Ａの場合は、受け板部材１８の排出部７３の端部と貫通孔３７Ａの端部とをほぼ一致させることができるので、漏出した液体状のデブリＤＢおよび廃材料の影響は比較的小さい。
一方、図１７に示すように、平面形状が円形である貫通孔３７Ｂの場合は、受け板部材１８の排出部７３の端部と貫通孔３７Ｂの端部とは一致しないので、漏出した液体状のデブリＤＢおよび廃材料の影響は比較的大きい。
図１８は、第２実施形態に係る耐蝕プレートが装着された受け板部材の設置例をＤ５方向から見た矢視図、図１９は、第２実施形態に係る耐蝕プレートが装着された受け板部材のその他の設置例をＤ５方向から見た矢視図、図２０は、第２実施形態に係る耐蝕プレートが装着された受け板部材が設置された案内部の概略構成を示す断面図である。なお、図１８では、図１３の貫通孔３７の平面形状が四角形である貫通孔３７Ａを示した。図１９では、図１３の貫通孔３７の平面形状が円形である貫通孔３７Ｂを示した。
図１８～図２０において、受け板部材１８の受け面７１上には、耐蝕プレートＰ２が設置される。耐蝕プレートＰ２の先端部は、受け板部材１８の受け面７１の端部より突出している。具体的には、耐蝕プレートＰ２の先端には、突出部Ｒ２が設けられる。耐蝕プレートＰ２の突出部Ｒ２の幅は、受け板部材１８の排出部７３の幅と等しくすることができる。耐蝕プレートＰ２が突出部Ｒ２を備えることにより、受け板部材１８を支持台４４に設置した場合、図２０のＤ５方向から見たとき、耐蝕プレートＰ２の端部が貫通孔３７の周縁部を超えて貫通孔３７の上部に位置する。
このとき、図２０に示すように、受け板部材１８に設置された耐蝕プレートＰ２が受けるデブリＤＢおよび廃材料は、貫通孔３７の周縁部を越えて貫通孔３７に連通するデブリ収容容器３１に導かれる。このため、図１６および図１７に示すように、受け板部材１８の受け面７１上に耐蝕プレートＰ１を設置した場合は、貫通孔３７Ａ、３７Ｂの周縁に液体状のデブリＤＢおよび廃材料が漏出するのに対し、図１８および図１９に示すように、受け板部材１８の受け面７１上に耐蝕プレートＰ２を設置した場合は、貫通孔３７Ａ、３７Ｂの周縁に液体状のデブリＤＢおよび廃材料が漏出するのを防止することができる。
図２１は、第３実施形態に係る耐蝕プレートが装着された受け板部材が設置された案内部の概略構成を示す断面図である。
図２１において、受け板部材１８の受け面７１上には、耐蝕プレートＰ３が設置される。耐蝕プレートＰ３は、耐蝕プレートＰ３の先端部が液体状のデブリＤＢおよび廃材料の落下方向に向かうように曲がっている。耐蝕プレートＰ３の端部面が重力方向と平行となるように耐蝕プレートＰ３を曲げてもよい。
具体的には、耐蝕プレートＰ３の先端部には、屈曲部Ｒ３が設けられる。受け板部材１８を支持台４４に設置した場合、屈曲部Ｒ３は、図２１のＤ５方向から見たとき、貫通孔３７の周縁部を超えて貫通孔３７の上部に位置する。このとき、屈曲部Ｒ３は、突出部Ｒ２を介して耐蝕プレートＰ３に設けてもよい。これにより、耐蝕プレートＰ３の先端部において、耐蝕プレートＰ３によるデブリＤＢおよび廃材料の案内方向と、デブリＤＢおよび廃材料の落下方向を一致させることができ、耐蝕プレートＰ３が受けるデブリＤＢおよび廃材料を、貫通孔３７の周縁部を越えてデブリ収容容器３１内により確実に導くことが可能となる。
図２２は、第４実施形態に係る耐蝕プレートが装着された受け板部材の設置例をＤ５方向から見た矢視図、図２３は、第４実施形態に係る耐蝕プレートが装着された受け板部材のその他の設置例をＤ５方向から見た矢視図である。なお、図２２では、図１３の貫通孔３７の平面形状が四角形である貫通孔３７Ａを示した。図２３では、図１３の貫通孔３７の平面形状が円形である貫通孔３７Ｂを示した。
図２２および図２３において、受け板部材１８の受け面７１上には、耐蝕プレートＰ４が設置される。耐蝕プレートＰ４の先端部は、受け板部材１８の受け面７１の端部より突出している。ただし、図１８および図１９の耐蝕プレートＰ２の幅は一定であるのに対し、図２２および図２３の耐蝕プレートＰ４の幅は、耐蝕プレートＰ４の先端に向かって徐々に狭くなる。受け板部材１８を支持台４４に設置した場合、図２０のＤ５方向から見たとき、突出部Ｒ４の先端は、貫通孔３７Ａ、３７Ｂの周縁部を超えて貫通孔３７Ａ、３７Ｂの上部に位置する。
このとき、耐蝕プレートＰ４は、耐蝕プレートＰ４上に落下したデブリＤＢおよび廃材料を突出部Ｒ４の先端に集めることができる。このため、耐蝕プレートＰ４の先端に到達したデブリＤＢおよび廃材料の耐蝕プレートＰ４からの切れを向上させることができ、貫通孔３７Ａ、３７Ｂの周縁部を越えてデブリ収容容器３１により確実に導くことができる。
図２４は、第５実施形態に係る耐蝕プレートが装着された受け板部材の構成例を示す平面図、図２５は、図２４のＡ－Ａ線で切断した構成を示す断面図である。
図２４および図２５において、受け板部材１８の受け面７１上には、耐蝕プレートＰ５が設置される。耐蝕プレートＰ５の先端には、突出部Ｒ５が設けられる。耐蝕プレートＰ５の表面側において、突出部Ｒ５の周縁部近傍には、溝Ｚ５が設けられる。溝Ｚ５は、突出部Ｒ５の周縁部に沿って突出部Ｒ５の先端に達する。溝Ｚ５は、受け板部材１８の排出部７３から奥の方向に延伸されてもよい。
耐蝕プレートＰ５の表面側に溝Ｚ５を設けることにより、耐蝕プレートＰ５の突出部Ｒ５の周縁部を移動する液体状のデブリＤＢおよび廃材料を溝Ｚ５に導かせながら耐蝕プレートＰ５の先端部に到達させ、より確実にデブリ収容容器３１に導くことができる。このため、受け板部材１８の周縁壁部７２によって突出部Ｒ５の周縁部が包囲されない場合においても、液体状のデブリＤＢおよび廃材料が突出部Ｒ５の周縁部から落下するのを抑制することが可能となる。
このとき、液体状のデブリＤＢおよび廃材料が突出部Ｒ５の周縁部から落下するのを抑制するために、耐蝕プレートの突出部の周縁部に周縁壁部を設ける必要がなくなる。このため、耐蝕プレートＰ５の突出部Ｒ５の周縁部に周縁壁部を形成するための曲げ加工等を耐蝕プレートＰ５に施す必要がなくなり、タングステンのように硬度が高い材料またはモリブデンのように硬度が高く、かつ脆い材料で耐蝕プレートＰ５が構成されている場合においても、耐蝕プレートＰ５の加工の困難性を低減しつつ、液体状のデブリＤＢおよび廃材料が突出部Ｒ５の周縁部から落下するのを抑制することが可能となる。
図２６は、第６実施形態に係る耐蝕プレートが装着された受け板部材の構成例を示す平面図である。
図２６において、受け板部材１８の受け面７１上には、耐蝕プレートＰ６が設置される。耐蝕プレートＰ６の先端には、突出部Ｒ６が設けられる。図２４の耐蝕プレートＰ５の幅は一定であるのに対し、図２６の耐蝕プレートＰ６の幅は、耐蝕プレートＰ６の先端に向かって徐々に狭くなる。耐蝕プレートＰ６の表面側において、突出部Ｒ６の周縁部近傍には、溝Ｚ６が設けられる。溝Ｚ６は、突出部Ｒ６の周縁部に沿って突出部Ｒ６の先端に達する。このとき、溝Ｚ６は、突出部Ｒ６の先端から二股に分かれ突出部Ｒ６の周縁部に沿って受け板部材１８の排出部７３上に達することができる。
耐蝕プレートＰ６の表面側に溝Ｚ６を設けることにより、耐蝕プレートＰ６の突出部Ｒ６の周縁部を移動する液体状のデブリＤＢおよび廃材料を溝Ｚ６に導かせながら、貫通孔３７Ａ、３７Ｂの周縁部を越えて耐蝕プレートＰ６の先端部に集中させ、より確実にデブリ収容容器３１に導くことができる。
なお、図２１に示すように、図２２、図２４および図２６のそれぞれの各耐蝕プレートＰ４～Ｐ６の突出部Ｒ４～Ｒ６の先端をデブリＤＢおよび廃材料の落下方向に向けて曲げてもよい。
上述した実施形態では、ＬＤＰ方式のＥＵＶ光源装置を例にとったが、上述した耐蝕プレートが設置された受け板部材は、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光源装置に用いるようにしてもよい。
以下、耐蝕プレートが設置された受け板部材をＬＰＰ方式のＥＵＶ光源装置に用いた例を説明する。
図２７は、第７実施形態に係る極端紫外光光源装置のチャンバ内および接続チャンバ内を水平方向に切断して示す断面図、図２８は、図２７の光源部をＤ０´方向から見た矢視図である。
図２７および図２８において、ＬＰＰ方式ではプラズマ生成用ドライバレーザをターゲットに照射することでプラズマＰ´を生成し、プラズマＰからはＥＵＶ光が放出される。ターゲット材料は、ＥＵＶ発生用プラズマ原料として、例えば、スズが用いられる。ターゲット材料は、液滴として供給されてもよい。
プラズマ生成用ドライバレーザは、パルスレーザシステム、例えば、高電力および高パルス繰返し数で作動するガス放電エキシマレーザ、ＣＯ２レーザまたは分子フッ素レーザを含むことができる。
ＬＰＰ方式のＥＵＶ光源装置は、例えば、特許６２４１０６２号公報に開示されているように、ターゲット材料（プラズマ原料）を円盤状の回転体で供給する構造を備える。
具体的には、図２７に示すように、ＥＵＶ光源装置１０１は、内部で発生されるプラズマＰ´を外部と隔離するチャンバ１１１を備える。チャンバ１１１は、剛体、例えば、金属から形成されている。チャンバ１１１は真空筐体であり、その内部は、プラズマ原料ＳＡ´を加熱励起させ、その際に生成されるＥＵＶ光の減衰を抑制するために、減圧雰囲気にされる。
チャンバ１１１内部には、ＥＵＶ光を放出するプラズマＰを発生させる光源部１１２が配置される。光源部１１２は、円板状部材である原料供給板ＥＡ´を備える。原料供給板ＥＡ´は、例えば、タングステン、モリブデン、タンタル等の高融点金属から形成される。
原料供給板ＥＡ´は、モータＭＡ´の回転軸ＪＡ´に連結され、原料供給板ＥＡ´の軸線周りに回転する。モータＭＡ´は、チャンバ１１１の外部に配置され、モータＭＡ´の回転軸ＪＡ´は、チャンバ１１１の外部から内部に延びる。回転軸ＪＡ´とチャンバ１１１の壁の間の隙間は、例えば、メカニカルシールなどのシール部材ＰＡ´で封止される。シール部材ＰＡ´は、チャンバ１１１内の減圧雰囲気を維持しつつ、回転軸ＪＡ´を回転自在に支持する。モータタＭＡ´の回転駆動は、制御部１１２によって制御される。
チャンバ１１１内部には、液相のプラズマ原料ＳＡ´が貯留されたコンテナＣＡ´が配置される。コンテナＣＡ´には、加熱された液相のプラズマ原料ＳＡ´が供給される。液相のプラズマ原料ＳＡ´は、例えば、スズである。
コンテナＣＡ´は、放電電極ＥＡ´の下部が液相のプラズマ原料ＳＡ´に浸されるようにプラズマ原料ＳＡ´を収容する。従って、原料供給板ＥＡ´の下部には、液相のプラズマ原料ＳＡ´が付着する。放電電極ＥＡ´の下部に付着した液相のプラズマ原料ＳＡ´は、放電電極ＥＡ´の回転に伴って、プラズマＰ´が発生されるレーザ照射領域に輸送される。
チャンバ１１１の外部には、レーザ源１１４が配置される。レーザ源１１４は、レーザ照射領域に輸送された原料供給板ＥＡ´に付着したプラズマ原料ＳＡ´にエネルギービームを照射して、プラズマＰ´を発生させる。レーザ源１１４は、例えば、ＣＯ２レーザ装置である。このとき、レーザ源１１４は、波長１０．６μｍの赤外領域のレーザビームＬＢ´を発する。ただし、レーザ源１１４は、プラズマ原料ＳＡ´を加熱してプラズマＰ´を発生させることが可能であれば、ＣＯ２レーザ光以外のレーザビームを発する装置であってもよい。
レーザ源１１４によるレーザビームＬＢ´の照射タイミングは、制御部１１２によって制御される。レーザ源１１４から放出されたレーザビームＬＢ´は、チャンバ１１１の外部に配置された可動ミラー１１６により反射され、チャンバ１１１の壁に設けられた透明窓１１８を通過して、原料供給板ＥＡ´の外周面に照射される。
ここで、可動ミラー１１６の姿勢が調整されることにより、原料供給板ＥＡ´におけるレーザビームＬＢ´の照射位置が調整される。可動ミラー１１６の姿勢の調整は、作業員が手動で実施してもよいし、監視装置からのＥＵＶ光の強度情報に基づき、制御部１１２が可動ミラー１１６の姿勢制御を行ってもよい。この場合、可動ミラー１１６は、図示を省略した可動ミラー駆動部により駆動される。
ＬＰＰ方式のＥＵＶ光源装置では、特開２００５－１７２７４公報および特表２０１０－５１４２１４号公報に記載されているように、１つの原料に対して複数回レーザビームを照射するプリパルス・プロセスが採用されている。この手法では、第１のエネルギービーム（プリパルス：例えば、ＹＡＧレーザ）をプラズマ原料に照射して弱いプラズマを生成し、当該プラズマ原料の密度を低減する。次に、密度が低減されたプラズマに第２のエネルギービーム（メインパルス：例えば、ＣＯ２レーザ）を照射する。
プリパルスの照射によりプラズマ原料の密度を低減させることで、このプラズマ原料へのメインパルスの吸収が改善され、ＥＵＶ放射強度が増加する。また、プラズマが低密度化され、ＥＵＶ放射の再吸収が低減されるため、ＥＵＶ発生効率を向上させ、デブリを低減させることができる。
すなわち、上述したように、液体状のプラズマ原料ＳＡ´を照射するエネルギービームは、少なくとも２つのエネルギービームを含むことが好ましい。エネルギービームを照射する装置としては、例えば、ＣＯ２ガスレーザ源またはＹＡＧレーザ等の固体レーザ源の他に、ＡｒＦレーザ、ＫｒＦレーザまたはＸｅＣｌレーザ等のエキシマレーザ源等を採用することができる。
なお、以下の説明では、簡易化のため、１つのレーザ源を使用する場合を例にとる。また、本実施形態では、プラズマ原料ＳＡ´に照射するエネルギービームとしてレーザビームＬＢ´を照射しているが、レーザビームＬＢ´の代わりに、イオンビームまたは電子ビームを回転体の側面（平面状表面）に塗布されている液体状のプラズマ原料に照射するようにしてもよい。
原料供給板ＥＡ´の外周面に供給されているプラズマ原料料ＳＡ´にレーザビームＬＢ´が照射されると、プラズマ原料ＳＡ´が加熱励起され、プラズマＰ´が発生する。プラズマＰ´からはＥＵＶ光が放出される。ＥＵＶ光は、他の光学系装置である利用装置（リソグラフィ装置またはマスク検査装置）で利用される。本実施形態においては、ＥＵＶ光はマスク検査装置で利用される。
チャンバ１１１と利用装置との間には、接続チャンバ１２１が配置されている。接続チャンバ１２１は、剛体、例えば、金属から形成されている。接続チャンバ１２１は、真空筐体であり、その内部も、チャンバ１１１の内部と同様、ＥＵＶ光の減衰を抑制するため減圧雰囲気にされる。
接続チャンバ１２１には、デブリＤＢを捕捉する回転式ホイルトラップ１２２と、プラズマＰ´から回転式ホイルトラップ１２２への放射を低減する遮熱板２３が配置される。回転式ホイルトラップ１２２は、接続チャンバ１２１の外部に設けられたモータＭＣ´の回転軸ＪＣ´に連結される。
接続チャンバ１２１の内部空間は、窓部１１７を介してチャンバ１１１と連通する。窓部１１７は、チャンバ１１１の壁に形成された貫通孔である。また、接続チャンバ１２１は、利用装置（マスク検査装置）に空間的に連通する。
一方、プラズマＰ´からは、ＥＵＶ光とともにデブリが高速で様々な方向に放散される。デブリは、プラズマ原料ＳＡ´であるスズ粒子およびプラズマＰ´の発生に伴いスパッタリングされる原料供給板ＥＡ´の材料粒子を含む。これらのデブリは、プラズマＰ´の膨張過程を経て、大きな運動エネルギーを得る。
接続チャンバ１２１側に飛散したデブリの少なくとも一部は、ＬＤＰ方式のＥＵＶ光源装置と同様、回転式ホイルトラップ１２２などのデブリ低減装置により捕捉される。ただし、それ以外の方向に進行するデブリは、そのままだとＥＵＶ光源１０１内部（例えば、チャンバ１１１の内壁）に付着し、内部汚染を引き起こす。
このようなデブリの飛散による内部汚染をできるだけ抑制するように、原料供給板ＥＡ´、コンテナＣＡ´およびモータＭＡ´の回転軸ＪＡ´の一部は、原料供給板ハウジングＨＡ´により包囲される。なお、回転軸ＪＡ´は、例えば、原料供給板ハウジングＨＡ´に設けられる不図示の孔部を介して原料供給板ＥＡ´と接続される。
図２８に示すように、原料供給板ハウジンググＨＡ´には、プラズマＰ´から放出されるＥＵＶ光が接続チャンバ１２１を介して利用装置に向かうように、ＥＵＶ光取出し用開口部ＫＬ´が設けられる。ＥＵＶ光取出し用開口部ＫＬ´は、レーザビーム照射領域に輸送された原料供給板ＥＡ´に付着したプラズマ原料ＳＡ´に照射されるエネルギービームの入射口としても用いられる。また、原料供給板ハウジンググＨＡ´の下部には、原料供給板ハウジンググＨＡ´内面に付着したデブリＤＢおよび廃材料を外部に排出する排出口ＱＡ´が設けられる。
ＥＵＶ光源装置１０１内部に付着する可能性のあるデブリＤＢの大部分は、デブリ飛散方向Ｄ１´、Ｄ２´に飛散し、原料供給板ハウジングＨＡ´内部にて捕集される。また、レーザ照射領域に輸送された原料供給板ＥＡ´に付着したプラズマ原料ＳＡ´のうち、エネルギービームが照射されて加熱されプラズマ生成に利用される量は僅かである。このため、原料供給板ＥＡ´に付着したプラズマ原料ＳＡ´の大部分は未使用のままコンテナＣＡ´に戻るが、そのうちの一部は重力により落下してコンテナナＣＡ´に戻らず、原料供給板ハウジングＨＡ´内部にて捕集される。さらに、何等かの不具合により、コンテナＣＡ´に貯留された液相のプラズマ原料ＳＡ´の一部がコンテナＣＡ´より溢れる場合がある。この溢れたプラズマ原料ＳＡ´も原料漏出方向Ｄ３´に漏出し、廃原料として原料供給板ハウジングＨＡ´内部にて捕集される。
原料供給板ハウジングＨＡ´は、プラズマＰ´の近傍に配置されるので、プラズマＰ´からのＥＵＶなどの放射によりデブリＤＢおよび廃材料の融点以上に加熱される。なお、本明細書で融点というときは、スズなどのプラズマ原料ＳＡ´の融点を指す。このため、例えば、原料供給板ＥＡ´がタングステン、モリブデン、タンタル等の高融点金属から形成されるときに、原料供給板ＥＡ´の材料粒子がデブリＤＢに含まれる場合においても、デブリＤＢの融点には、原料供給板ＥＡ´の融点は含まない。よって、原料供給板ハウジングＨＡ´内面に付着したデブリＤＢおよび廃材料に含まれるスズは固化することなく液体状態に維持される。原料供給板ハウジングＨＡ´内面に付着したデブリＤＢおよび廃材料は、重力により原料供給板ハウジングＨＡ´下部に集まり、排出口ＱＡ´より外部に排出され、重力方向に落下する。
ＬＰＰ方式のＥＵＶ光源装置１０１においても、光源部１１２で発生したデブリＤＢおよびデブリ低減装置で捕獲されたデブリＤＢなどを収容するために、図２のデブリ収容部４を備える。また、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光源装置１０１においても、原料供給板ハウジングＨＡ´内面に付着したデブリＤＢおよび廃材料をデブリ収容部４に導くために、デブリ案内部５を備える。
排出口ＱＡ´より重力方向に落下したデブリＤＢおよび廃材料は、デブリ案内部５の受け板部材１８により受け取られる。受け板部材１８は、接続チャンバ１２１に設けられた支持台により支持される。支持台は、受け板部材１８が傾斜姿勢となるように支持する。受け板部材１８は、加熱手段により加熱され、その温度はスズの融点以上の温度に維持される。よって、排出口ＱＡ´より受け板部材１８に落下したデブリＤＢおよび廃材料は液相のまま、傾斜した受け板部材１８の受け面７１に沿って移動し、受け板部材１８の排出部７３へ送られ、デブリ収容容器３１に溜められる。
このとき、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光源装置１０１においても、図７に示すように、受け板部材１８の受け面７１上には、耐蝕プレートＰ１が設置される。これにより、融点以上に加熱されたスズなどのデブリＤＢおよび廃材料が受け板部材１８の母材であるステンレスと反応するのを抑制することが可能となり、受け板部材１８の腐食を防止することができる。
なお、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光源装置１０１においても、受け板部材１８の受け面７１上には、図１８の耐蝕プレートＰ２、図２１の耐蝕プレートＰ３、図２２の耐蝕プレートＰ４、図２４の耐蝕プレートＰ５または図２６の耐蝕プレートＰ６を設置してもよい。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、ある実施形態の構成の一部を他の実施形態の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施形態の構成に他の実施形態の構成を加えることも可能である。また、各実施形態の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。
例えば、上述した実施形態では、耐蝕材で構成された耐蝕プレートを受け板部材の受け面上に設置する例を示した。この方法以外にも、受け板部材の受け面を保護するために、受け板部材の受け面上に耐蝕膜を形成するようにしてもよい。この耐蝕膜の材料は、タングステンまたはモリブデンであってもよいし、窒化チタン、ＳｉＣまたは酸化膜であってもよい。あるいは、耐蝕プレートをアルミニウムなどの熱伝導性がよい材料で構成し、不動態膜などの耐蝕膜で耐蝕プレートを被覆するようにしてもよい。受け板部材の受け面上に耐蝕膜を形成する場合、スパッタで成膜してもよいし、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）で成膜してもよい。
１ 極端紫外光光源装置
２ 光源部
３ デブリ低減部
４ デブリ収容部
５Ａ～５Ｃ 案内部
１１ チャンバ
１８ 受け板部材
Ｐ１～Ｐ７ 耐蝕プレート
ＤＢ デブリ
ＳＵ 収容物
２１ 接続チャンバ
３１ デブリ収容容器

Claims (16)

  1. 極端紫外光を放射可能な原料の励起に基づいて前記極端紫外光を放射するプラズマを発生させる光源部と、
    前記原料の融液および前記プラズマから放散されるデブリを収容する収容容器と、
    前記原料の融液および前記プラズマから放散されるデブリを受け止め、前記収容容器に導く受け板部材と、
    前記原料の融液およびデブリに対して前記受け板部材よりも耐蝕性が高く、前記受け板部材の受け面上に設けられる耐蝕材とを備えることを特徴とする極端紫外光光源装置。
  2. 前記光源部は、
    互いに離隔して配置される一対の円盤状の放電電極と、
    前記放電電極を各回転軸の周りに回転させるモータと、
    前記放電電極の一部が前記原料の融液に浸された状態で前記原料の融液を貯留するコンテナと、
    前記放電電極および前記コンテナを包囲する電極ハウジングと、
    前記電極ハウジングを包囲し、前記極端紫外光を取り出す窓部が設けられたチャンバとを備え、
    前記電極ハウジングは、
    前記極端紫外光を取り出し可能な開口部と、
    前記コンテナから漏出した原料の融液および前記電極ハウジングの内壁に付着したデブリを排出する排出口とを備え、
    前記受け板部材は、
    前記原料およびデブリの融点以上となるように加熱され、
    前記排出口から排出される前記原料の融液およびデブリが前記収容容器に向かって下るような傾斜姿勢で支持されることを特徴とする請求項１に記載の極端紫外光光源装置。
  3. 前記放電電極にパルス電力を供給するパルス電力供給手段と、
    前記放電電極の回転時に外周面に付着した原料の融液にエネルギービームを照射して前記原料を気化させるエネルギービーム照射手段とをさらに備えることを特徴とする請求項２に記載の極端紫外光光源装置。
  4. 前記光源部は、
    円盤状の原料供給板と、
    前記原料供給板を回転軸の周りに回転させるモータと、
    前記原料供給板の一部が前記原料の融液に浸された状態で前記原料の融液を貯留するコンテナと、
    前記原料供給板および前記コンテナを包囲し、前記極端紫外光を取り出す窓部が設けられた原料供給板ハウジングと、
    前記原料供給板ハウジングを包囲し、前記極端紫外光を取り出す窓部が設けられたチャンバとを備え、
    前記原料供給板ハウジングは、
    前記極端紫外光を取り出し可能な開口部と、
    前記コンテナから漏出した原料の融液および前記原料供給板ハウジングの内壁に付着したデブリを排出する排出口とを備え、
    前記受け板部材は、
    前記原料およびデブリの融点以上となるように加熱され、
    前記排出口から排出される前記原料の融液およびデブリが前記収容容器に向かって下るような傾斜姿勢で支持されることを特徴とする請求項１に記載の極端紫外光光源装置。
  5. 前記原料供給板の回転時に外周面に付着した原料の融液にエネルギービームを照射して前記原料をプラズマ化させるエネルギービーム照射手段をさらに備えることを特徴とする請求項４に記載の極端紫外光光源装置。
  6. 前記原料の融液およびデブリが前記収容容器に向かって下るような傾斜姿勢で前記受け板部材を支持する支持部材を備え、
    前記支持部材は、前記支持部材の下端部が線接触となる空間部を備えることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の極端紫外光光源装置。
  7. 前記窓部を介して放射される前記極端紫外光とともに飛散するデブリを捕獲するホイルトラップと、
    前記窓部を介した前記ホイルトラップに対する放射を低減させる遮熱板と、
    前記ホイルトラップおよび前記遮熱板を包囲するように前記チャンバに接続され、前記収容容器に連通する貫通孔が設けられた接続チャンバとを備え、
    前記受け板部材を介して導かれた前記原料の融液およびデブリと、前記ホイルトラップで捕獲されたデブリと、前記遮熱板に付着したデブリは、前記貫通孔を介して前記収容容器に収容されることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の極端紫外光光源装置。
  8. 前記耐蝕材は、前記受け板部材の受け面上に設置可能な耐蝕プレートまたは前記受け板部材の受け面を被覆する耐蝕膜であることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の極端紫外光光源装置。
  9. 前記耐蝕プレートの先端部は、前記受け板部材の先端部より突出していることを特徴とする請求項８に記載の極端紫外光光源装置。
  10. 前記耐蝕プレートは、前記耐蝕プレートの先端部が前記原料の融液およびデブリの落下方向に向かうように曲がっていることを特徴とする請求項８または９に記載の極端紫外光光源装置。
  11. 前記耐蝕プレートの突出部の先端は、前記貫通孔の周縁部を越えて前記貫通孔の上方に位置することを特徴とする請求項９または１０に記載の極端紫外光光源装置。
  12. 前記耐蝕プレートの突出部は、先端に向かって徐々に狭くなっていることを特徴とする請求項９から１１のいずれか１項に記載の極端紫外光光源装置。
  13. 前記耐蝕プレートは、前記耐蝕プレートの突出部の周縁部に沿って伸びる溝を備えることを特徴とする請求項９から１２のいずれか１項に記載の極端紫外光光源装置。
  14. 前記耐蝕プレートの材料は、モリブデンまたはタングステンであることを特徴とする請求項８から１３のいずれか１項に記載の極端紫外光光源装置。
  15. 極端紫外光を放射可能な原料の融液またはデブリを受け止める受け板部材の保護方法であって、
    前記原料の融液またはデブリに対して前記受け板部材よりも耐蝕性が高い耐蝕材を前記受け板部材の受け面上に設けることにより、前記受け板部材の受け面を保護することを特徴とする受け板部材の保護方法。
  16. 前記耐蝕材は、前記受け板部材の受け面上に設置可能な耐蝕プレートであり、
    前記受け板部材の受け面上に設置された耐蝕プレート上で前記原料の融液またはデブリを受け止め、
    前記耐蝕プレートを介し、前記原料の融液またはデブリを収容容器に案内することを特徴とする請求項１５に記載の受け板部材の保護方法。
JP2020171636A 2020-10-12 2020-10-12 極端紫外光光源装置および受け板部材の保護方法 Active JP7359123B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020171636A JP7359123B2 (ja) 2020-10-12 2020-10-12 極端紫外光光源装置および受け板部材の保護方法
TW110127850A TWI825457B (zh) 2020-10-12 2021-07-29 極紫外光光源裝置及背板構件的保護方法
US18/026,803 US20230324815A1 (en) 2020-10-12 2021-08-05 Extreme ultraviolet light source device and protection method for receiving plate member
PCT/JP2021/029103 WO2022079986A1 (ja) 2020-10-12 2021-08-05 極端紫外光光源装置および受け板部材の保護方法
EP21879728.0A EP4199660A4 (en) 2020-10-12 2021-08-05 EXTREME ULTRAVIOLET LIGHT SOURCE DEVICE AND PROTECTION METHOD FOR RECEIVING A PLATE ELEMENT
KR1020237011479A KR20230063890A (ko) 2020-10-12 2021-08-05 극단 자외광 광원 장치 및 받침판 부재의 보호 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020171636A JP7359123B2 (ja) 2020-10-12 2020-10-12 極端紫外光光源装置および受け板部材の保護方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2022063390A true JP2022063390A (ja) 2022-04-22
JP2022063390A5 JP2022063390A5 (ja) 2023-04-11
JP7359123B2 JP7359123B2 (ja) 2023-10-11

Family

ID=81207960

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020171636A Active JP7359123B2 (ja) 2020-10-12 2020-10-12 極端紫外光光源装置および受け板部材の保護方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20230324815A1 (ja)
EP (1) EP4199660A4 (ja)
JP (1) JP7359123B2 (ja)
KR (1) KR20230063890A (ja)
TW (1) TWI825457B (ja)
WO (1) WO2022079986A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023228629A1 (ja) * 2022-05-27 2023-11-30 ウシオ電機株式会社 光源装置
WO2024084796A1 (ja) * 2022-10-18 2024-04-25 ウシオ電機株式会社 光源装置及び原料供給ユニット
WO2024203834A1 (ja) * 2023-03-31 2024-10-03 ウシオ電機株式会社 光源装置及び発光ユニット

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016181353A (ja) * 2015-03-23 2016-10-13 ウシオ電機株式会社 極端紫外光光源装置及びその廃原料処理方法
US20190094718A1 (en) * 2017-09-28 2019-03-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Radiation source apparatus, euv lithography system, and method for decreasing debris in euv lithography system
JP2019523438A (ja) * 2016-07-25 2019-08-22 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． デブリ低減システム、放射源及びリソグラフィ装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5680108A (en) 1979-12-05 1981-07-01 Toshiba Corp Sulfur hexafluoride gas-filled transformer
US7928416B2 (en) 2006-12-22 2011-04-19 Cymer, Inc. Laser produced plasma EUV light source
US6973164B2 (en) 2003-06-26 2005-12-06 University Of Central Florida Research Foundation, Inc. Laser-produced plasma EUV light source with pre-pulse enhancement
KR101697610B1 (ko) * 2008-09-11 2017-01-18 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 방사선 소스 및 리소그래피 장치
WO2014121873A1 (en) * 2013-02-08 2014-08-14 Asml Netherlands B.V. Radiation source for an euv optical lithographic apparatus, and lithographic apparatus comprising such a power source
JP6241062B2 (ja) 2013-04-30 2017-12-06 ウシオ電機株式会社 極端紫外光光源装置
WO2015063825A1 (ja) * 2013-10-28 2015-05-07 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
JP6176138B2 (ja) * 2014-02-06 2017-08-09 ウシオ電機株式会社 デブリ低減装置
JP6241407B2 (ja) 2014-11-25 2017-12-06 ウシオ電機株式会社 液面レベル検出装置、液面レベル検出方法、高温プラズマ原料供給装置及び極端紫外光光源装置
JP6759732B2 (ja) 2016-06-08 2020-09-23 ウシオ電機株式会社 デブリトラップおよび光源装置
NL2022644A (en) * 2018-03-05 2019-09-10 Asml Netherlands Bv Prolonging optical element lifetime in an euv lithography system
US10859928B2 (en) * 2018-06-28 2020-12-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. EUV light source and apparatus for lithography

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016181353A (ja) * 2015-03-23 2016-10-13 ウシオ電機株式会社 極端紫外光光源装置及びその廃原料処理方法
JP2019523438A (ja) * 2016-07-25 2019-08-22 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． デブリ低減システム、放射源及びリソグラフィ装置
US20190094718A1 (en) * 2017-09-28 2019-03-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Radiation source apparatus, euv lithography system, and method for decreasing debris in euv lithography system

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023228629A1 (ja) * 2022-05-27 2023-11-30 ウシオ電機株式会社 光源装置
WO2024084796A1 (ja) * 2022-10-18 2024-04-25 ウシオ電機株式会社 光源装置及び原料供給ユニット
WO2024203834A1 (ja) * 2023-03-31 2024-10-03 ウシオ電機株式会社 光源装置及び発光ユニット

Also Published As

Publication number Publication date
EP4199660A4 (en) 2024-06-05
KR20230063890A (ko) 2023-05-09
EP4199660A1 (en) 2023-06-21
WO2022079986A1 (ja) 2022-04-21
US20230324815A1 (en) 2023-10-12
JP7359123B2 (ja) 2023-10-11
TWI825457B (zh) 2023-12-11
TW202219652A (zh) 2022-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2022079986A1 (ja) 極端紫外光光源装置および受け板部材の保護方法
JP2022063390A5 (ja)
KR102243881B1 (ko) Euv 광 요소를 보호하는 장치
WO2022102201A1 (ja) ホイルトラップカバー装置およびデブリ低減装置
JP7468246B2 (ja) 極端紫外光光源装置
EP4057070A1 (en) Foil trap and light source apparatus including the same
WO2023228629A1 (ja) 光源装置
US20240004317A1 (en) Rotary foil trap and light source device
WO2021251046A1 (ja) 極端紫外光光源装置
JP7264119B2 (ja) 極端紫外光光源装置
JP7107334B2 (ja) 極端紫外光光源装置
US20230418170A1 (en) Debris mitigation device and light source apparatus including the same
JP2015005511A (ja) 動作保護部品を備えるｅｕｖ放電ランプ装置及び方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230206

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230331

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230829

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230911

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 7359123

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151