JP2024003392A - デブリ低減装置及びこれを備えた光源装置 - Google Patents

Abstract

【課題】デブリの捕捉確率を向上させることを可能とするデブリ低減装置、及びこれを備えた光源装置を提供すること。【解決手段】本技術の一形態に係るデブリ低減装置は、固定式ホイルトラップを具備する。固定式ホイルトラップは、筐体部と、複数のホイルと、流入孔と、圧力増加機構とを有する。筐体部は、光源から出射された光が入射する入射口と、入射口から入射した光が出射される出射口と、光が進行する内部空間とを有する。複数のホイルは、内部空間の光が進行する領域に固定される。流入孔は、筐体部に内部空間に連通するように構成され、光に対して透明な透明ガスが流入される。圧力増加機構は、光の進行を遮ることなく入射口の開口面積が小さくなるように入射口に配置される入射側部材、又は光の進行を遮ることなく出射口の開口面積が小さくなるように出射口に配置される出射側部材の少なくとも一方を含み、内部空間の圧力を増加させる。【選択図】図２

Description

本技術は、デブリを捕捉するデブリ低減装置及びこれを備えた光源装置に関する。

近年、半導体集積回路の微細化および高集積化につれて、露光用光源の短波長化が進められている。次世代の半導体露光用光源としては、特に、波長１３．５ｎｍの極端紫外光（以下、「ＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）光」とも言う）を放射する極端紫外光光源装置（以下、「ＥＵＶ光源装置」とも言う）の開発が進められている。

ＥＵＶ光源装置において、ＥＵＶ光（ＥＵＶ放射）を発生させる方法はいくつか知られている。それらの方法のうちの一つに極端紫外光放射種（以下、ＥＵＶ放射種とも言う）を加熱して励起することによりプラズマを発生させ、プラズマからＥＵＶ光を取り出す方法がある。

このような方法を採用するＥＵＶ光源装置は、プラズマの生成方式により、ＬＰＰ（Laser Produced Plasma：レーザ生成プラズマ）方式と、ＤＰＰ（Discharge Produced Plasma：放電生成プラズマ）方式とに分けられる。

ＤＰＰ方式のＥＵＶ光源装置は、ＥＵＶ放射種（気相のプラズマ原料）を含む放電ガスが供給された電極間に高電圧を印加して、放電により高密度プラズマを生成し、そこから放射される極端紫外光を利用する。

特許文献１には、ＤＰＰ方式の光源装置について開示されている。この光源装置では、放電を発生させる電極表面にＥＵＶ放射種を含む液体状のプラズマ原料（例えば、スズ（Ｓｎ）またはリチウム（Ｌｉ）等）を供給し、当該原料に対してレーザビーム等のエネルギービームを照射して当該原料を気化し、その後、放電によってプラズマが生成される。このような方式は、ＬＤＰ（Laser Assisted Discharge Produced Plasma）方式と称されることもある。

また、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光源装置は、レーザ光をターゲット材料に照射し、当該ターゲット材料を励起させてプラズマを生成する。

ＥＵＶ光源装置は、上記したように半導体デバイス製造における半導体露光装置（リソグラフィ装置）の光源装置として使用される。あるいは、ＥＵＶ光源装置は、リソグラフィに使用されるマスクの検査装置の光源装置として使用される。すなわち、ＥＵＶ光源装置は、ＥＵＶ光を利用する他の光学系装置（利用装置）の光源装置として使用される。

ＥＵＶ光源装置においては、プラズマからはデブリが放散される。デブリは、プラズマ原料の粒子（プラズマ原料がスズの場合は、スズ粒子）を含む。また、ＤＰＰ方式またはＬＤＰ方式でプラズマが生成される場合、デブリは、プラズマの発生に伴いスパッタリングされる放電電極の材料粒子を含む。

デブリは、利用装置に到達すると、利用装置内の光学素子の反射膜を損傷または汚染させ、その性能を低下させることがある。そのため、デブリが利用装置に侵入しないように、放散されたデブリを捕捉するデブリ低減装置（ＤＭＴ（Debris Mitigation Tool）とも言う）が提案されている。

デブリ低減装置としては、ホイルトラップ（フォイル・トラップ：Foil Trap）を用いることが一般的である。特許文献１に記載の光源装置には、ホイルトラップを採用したデブリ低減装置が用いられている。この技術は、回転機能を有するホイルトラップ（回転式ホイルトラップ）と、回転せず固定されたホイルトラップ（固定式ホイルトラップ）とを備えるものである。

回転式ホイルトラップは、中央に配置された回転軸を中心として、半径方向に放射状に配置された複数のホイル（薄膜や薄い平板）を備え、上記回転軸を中心に複数のホイルを回転させることでプラズマから飛来するデブリを捕捉する。ここで、上記回転軸は、例えば、プラズマの略中心を貫通する軸である。

固定式ホイルトラップは、回転式ホイルトラップにより捕捉しきれなかった高速で移動するデブリ（特に高速で移動するプラズマ原料のイオン、中性原子および電子等）を捕捉する。固定式ホイルトラップは、回転式ホイルトラップの回転軸と同一軸上に中心軸を有し、当該中心軸から半径方向に放射状に配置された複数のホイル（薄膜や薄い平板）を備える。

固定式ホイルトラップの複数のホイルは、配置された空間を細かく分割することにより、その部分のコンダクタンスを下げて圧力を上げる働きをする。すなわち、回転式ホイルトラップで捕捉しきれなかった高速のデブリは、固定式ホイルトラップにおける圧力が上がった領域で衝突確率が上がるために速度が低下し、固定式ホイルトラップのホイルやホイルの支持体によって捕捉されやすくなる。

なお、利用装置に応じてＥＵＶ光源装置から放射されるＥＵＶ光は適宜整形される。例えば、ＥＵＶ光源装置がマスクの検査装置の光源装置として使用される場合、高温プラズマと利用装置との間には、所定の形状の開口を有するアパーチャ部材（後で述べる遮熱板に相当）が配置される。

特許文献２には、アパーチャ部材を有するデブリトラップについて開示されている。このデブリトラップでは、固定式ホイルトラップが、アパーチャ部材から取り出されるＥＵＶ取出光の主光線上に配置され、ＥＵＶ取出光が通過する領域に対応させた形状を備える。

特許第６０７５０９６号公報 特許第６７５９７３２号公報

上述したように、固定式ホイルトラップは、ホイル間の圧力が上がった領域で高速に進行するデブリを捕捉する。このデブリの捕捉確率は、ホイル間の圧力に依存する。
そこで、本発明は、デブリの捕捉確率を向上させることができるデブリ低減装置、およびそれを備えた光源装置を提供することを課題としている。

以上のような事情に鑑み、本技術の目的は、デブリの捕捉確率を向上させることを可能とするデブリ低減装置、及びこれを備えた光源装置を提供することにある。

上記目的を達成するため、本技術の一形態に係るデブリ低減装置は、固定式ホイルトラップを具備する。
前記固定式ホイルトラップは、筐体部と、複数のホイルと、流入孔と、圧力増加機構とを有する。
前記筐体部は、前記光源から出射された光が入射する入射口と、前記入射口から入射した前記光が出射される出射口と、前記光が進行する内部空間とを有する。
前記複数のホイルは、前記内部空間の前記光が進行する領域に固定される。
前記流入孔は、前記筐体部に前記内部空間に連通するように構成され、前記光に対して透明な透明ガスが流入される。
前記圧力増加機構は、前記光の進行を遮ることなく前記入射口の開口面積が小さくなるように前記入射口に配置される入射側部材、又は前記光の進行を遮ることなく前記出射口の開口面積が小さくなるように前記出射口に配置される出射側部材の少なくとも一方を含み、前記内部空間の圧力を増加させる。

このデブリ低減装置では、筐体部の内部空間に複数のホイルが配置される。また、内部空間に透明ガスが流入される。さらに、内部空間の圧力を増加させる圧力増加機構が配置される。これにより、デブリの捕捉確率を向上させることが可能となる。

前記入射側部材又は前記出射側部材の少なくとも一方は、板形状からなり、前記光が通過する開口を有する蓋部材であってもよい。

前記入射側部材又は前記出射側部材の少なくとも一方は、ブロック状の形状からなり、前記光が通過する開口を有し、前記内部空間を充填するように配置されるブロック部材であってもよい。

前記固定式ホイルトラップは、前記透明ガスに含まれる粒子のうち前記光により励起される荷電粒子を前記複数のホイルから遠ざける方向に移動させる電場又は磁場を発生させる電磁場発生部を有してもよい。

前記内部空間は、前記複数のホイルが存在しないバッファ空間を含んでもよい。この場合、前記流入孔は、前記バッファ空間に連通するように構成されてもよい。

前記固定式ホイルトラップは、前記光源と、前記光源から出射された光を利用する利用装置との間、及び前記光源と、前記光源から出射された光の状態を監視する監視装置との間の各々に配置されてもよい。

前記光源は、プラズマであってもよい。

前記デブリ低減装置は、さらに、前記光源から出射された光が入射する入射口と、前記入射口から入射した前記光が出射される出射口と、前記光が進行する内部空間とを有するカバー部材と、前記内部空間の光が進行する領域に対して回転可能に取付けられた複数の回転ホイルとを具備してもよい。

前記回転式ホイルトラップは、前記光の進行を遮ることなく前記入射口の開口面積が小さくなるように前記入射口に配置される入射側部材、又は前記光の進行を遮ることなく前記出射口の開口面積が小さくなるように前記出射口に配置される出射側部材の少なくとも一方を含み、前記内部空間の圧力を増加させる圧力増加機構を有してもよい。

前記固定式ホイルトラップ及び前記回転式ホイルトラップは、前記回転式ホイルトラップの前記出射口と、前記固定式ホイルトラップの前記入射口とが互いに対向する位置に配置されてもよい。この場合、前記デブリ低減装置は、さらに、前記回転式ホイルトラップの前記出射口と、前記固定式ホイルトラップの前記入射口とを連結する連結部材を具備してもよい。

前記デブリ低減装置は、さらに、前記光源と前記回転式ホイルトラップとの間に配置され、前記光源から出射された光の一部を取り出す開口を有するアパーチャ部材を具備してもよい。

本技術の一形態に係る光源装置は、光を放射する原料を励起し、プラズマを発生させるプラズマ生成室と、前記プラズマから出射された光を取り出す光取出し部と、前記固定式ホイルトラップとを有するデブリ低減装置を具備する。

前記デブリ低減装置は、さらに、前記回転式ホイルトラップを有してもよい。

本発明によれば、デブリの捕捉確率を向上させることが可能となる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。

本技術の一実施形態に係る光源装置の構成例を示す模式図である。 本技術の一実施形態に係る光源装置の構成例を示す模式図である。 回転式ホイルトラップの構成例を示す模式図である。 参照例における固定式ホイルトラップの構成例を示す模式図である。 参照例における固定式ホイルトラップの構成例を示す模式図である。 固定式ホイルトラップの構成例を示す模式図である。 固定式ホイルトラップの構成例を示す模式図である。 固定式ホイルトラップの構成例を示す模式図である。 圧力調整板の構成例を示す模式図である。 圧力調整板の構成例を示す模式図である。 比較例のデブリ低減装置における、アルゴンガスの流れを示す模式図である。 本技術のデブリ低減装置における、アルゴンガスの流れを示す模式図である。 空洞制限部材の構成例を示す模式図である。 空洞制限部材の構成例を示す模式図である。 空洞制限部材の構成例を示す模式図である。 空間接続部材の構成例を示す模式図である。 前方閉塞部の構成例を示す模式図である。 回転式ホイルトラップと監視装置との間に、固定式ホイルトラップが配置された構成例を示す模式図である。 磁場付与手段の構成例を示す模式図である。 磁場付与手段の構成例を示す模式図である。 磁場付与手段の構成例を示す模式図である。 バッファ空間の構成例を示す模式図である。

以下、本技術に係る実施形態を、図面を参照しながら説明する。

［光源装置］
図１及び図２は、光源装置の構成例を示す模式図である。
図１は、光源装置１を設置面から所定の高さの位置で水平方向に沿って切断した場合の模式的な断面を、Ｚ方向の正方向側から見た場合の図である。以下、Ｘ方向を左右方向（Ｘ軸の正側が右側、負側が左側）、Ｙ方向を奥行方向（Ｙ軸の正側が手前側、負側が奥側）、Ｚ方向を上下方向（Ｚ軸の正側が上側、負側が下側）として説明を行う。もちろん、本技術の適用について、光源装置１が使用される向き等が限定される訳ではない。

図２は、光源装置１のうちデブリ低減装置３の部分を示す模式図である。図２には、光源装置１をＸＺ平面で切断した場合の断面を、手前側から見た状態が図示されている。

光源装置１は、ＬＤＰ方式のＥＵＶ光源装置であり、極端紫外光（ＥＵＶ光）を放射する。光源装置１は、例えば半導体デバイス製造におけるリソグラフィ装置の光源装置、又はリソグラフィに使用されるマスクの検査装置の光源装置として使用可能である。例えば、光源装置１がマスク検査装置用の光源装置として使用される場合、プラズマから放射されるＥＵＶ光の一部が取り出され、マスク検査装置に導光される。そして、マスク検査装置により、光源装置１から放射されるＥＵＶ光を検査光として、マスクのブランクス検査又はパターン検査が行われる。

光源装置１は、光源部２、デブリ低減装置３、デブリ収容部４、デブリ案内部５、制御部１２、パルス電力供給部１３、レーザ源１４、集光レンズ１５、可動ミラー１６、及び接続チャンバ２１を有する。

［光源部］
光源部２は、チャンバ１１、コンテナＣＡ及びＣＢ、放電電極ＥＡ及びＥＢ、並びにモータＭＡ及びＭＢを有する。図１には、光源部２が破線の長方形で図示されている。

チャンバ１１は、光源部２が有する種々の機構を収容する筐体である。本実施形態では、チャンバ１１は直方体の形状を有する。チャンバ１１は例えば金属等の剛体により構成される。もちろんチャンバ１１の具体的な形状や材料等は限定されない。

チャンバ１１の内部は、図示しない真空ポンプにより所定圧力以下の減圧雰囲気に維持される。チャンバ１１の左側の側壁１１ａには、フィードスルーＦＡ及びＦＢが配置される。フィードスルーＦＡ及びＦＢは、チャンバ１１の内部の減圧雰囲気を維持しつつ、チャンバ１１の内部に電線等を挿入することを可能とするシール部材である。

チャンバ１１の手前側の側壁１１ｂには、透明窓２０が配置される。チャンバ１１の右側の側壁１１ｃには、貫通孔である第１窓部１７が構成される。本実施形態では、レーザビームに対して透明な材料により透明窓２０が構成される。第１窓部１７の形状、及び透明窓２０の材料や形状等の具体的な構成は限定されない。

コンテナＣＡ及びＣＢは、プラズマ原料を貯留するための容器である。本実施形態では、コンテナＣＡ及びＣＢは導電性を有する材料により構成される。コンテナＣＡにはプラズマ原料ＳＡが貯留される。また、コンテナＣＢにはプラズマ原料ＳＢが貯留される。プラズマ原料ＳＡ及びＳＢは、加熱された液相の原料である。本実施形態では、プラズマ原料ＳＡ及びＳＢとしてスズ（Ｓｎ）が用いられる。あるいはリチウム（Ｌｉ）等の、プラズマを発生させることが可能な他の原料が用いられてもよい。

放電電極ＥＡ及びＥＢは、円板形状を有する。放電電極ＥＡ及びＥＢは、例えばモリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）またはタンタル（Ｔａ）等の高融点金属により構成される。放電電極ＥＡ及びＥＢの具体的な材料は限定されない。

例えば放電電極ＥＡがカソード（陰極）として使用され、放電電極ＥＢがアノード（陽極）として使用される。放電電極ＥＡ及びＥＢは互いに離隔して配置される。また、放電電極ＥＡ及びＥＢは、放電電極ＥＡ及びＥＢの各々の周縁部の一部が近接するように配置される。放電電極ＥＡ及びＥＢの周縁部が互いに最も接近した位置の間隙が、放電電極ＥＡ及びＥＢによる放電領域Ｄとなる。

また、放電電極ＥＡは、放電電極ＥＡの下部（図１の奥側）がコンテナＣＡに貯留されたプラズマ原料ＳＡに浸されるように配置される。同様に放電電極ＥＢも、下部がプラズマ原料ＳＢに浸されるように配置される。

モータＭＡは、放電電極ＥＡを回転させる。モータＭＡは回転軸ＪＡを有する。モータＭＡの基体部はチャンバ１１の左側の外部に配置され、基体部に接続された回転軸ＪＡが、チャンバ１１の外部から内部に延びる。回転軸ＪＡのチャンバ１１の内部側の端部は、放電電極ＥＡの中心（円形面の中心）に接続される。

回転軸ＪＡとチャンバ１１の壁の間の隙間は、シール部材ＰＡで封止される。シール部材ＰＡとして、例えばメカニカルシールが用いられる。シール部材ＰＡにより、チャンバ１１内の減圧雰囲気が維持されつつ、回転軸ＪＡが回転自在に支持される。

同様に、モータＭＢは回転軸ＪＢを有し、回転軸ＪＢは放電電極ＥＢの中心に接続される。また、回転軸ＪＢとチャンバ１１の壁の間の隙間は、シール部材ＰＢで封止される。

なお、放電電極ＥＡ及びＥＢは、各々の軸線（回転軸の延在方向）が平行でないように配置される。具体的は、図１に示すように、放電電極ＥＡは手前側（図１の下側）を右側に、奥側（図１の上側）を左側に傾けた状態で配置される。一方で、放電電極ＥＢは手前側を左側に、奥側を右側に傾けた状態で配置される。回転軸ＪＡ及びＪＢの奥行方向（図１の上下方向、Ｚ方向）における間隔も、モータＭＡ及びＭＢ側が狭く、放電電極ＥＡ及びＥＢ側が広くなっている。さらに、放電電極ＥＢ、モータＭＢ及び回転軸ＪＢは、放電電極ＥＡ、モータＭＡ及び回転軸ＪＡに対して若干左側に配置される。

光源部２は、本技術に係るプラズマ生成室の一実施形態に相当する。

制御部１２は、光源装置１の各部の動作を制御する。例えば制御部１２により、モータＭＡ及びＭＢの回転駆動が制御され、放電電極ＥＡ及びＥＢが所定の回転数で回転する。また、制御部１２により、パルス電力供給部１３の動作、及びレーザ源１４によるレーザビームの照射タイミング等が制御される。

例えばＣＰＵ、ＧＰＵ、ＤＳＰ等のプロセッサ、ＲＯＭやＲＡＭ等のメモリ、ＨＤＤ等の記憶デバイス等、コンピュータの構成に必要なハードウェアを有するコントローラにより、制御部１２が実現される。具体的には、コントローラのＣＰＵが本技術に係るプログラム（例えばアプリケーションプログラム）を実行することで、機能ブロックとして制御部１２が実現される。

パルス電力供給部１３は、放電電極ＥＡ及びＥＢへパルス電力を供給することにより、放電領域Ｄで放電を発生させる。パルス電力供給部１３には給電線ＱＡ及びＱＢが接続される。給電線ＱＡはフィードスルーＦＡを介してチャンバ１１の内部に挿入され、コンテナＣＡに接続される。給電線ＱＢはフィードスルーＦＢを介してチャンバ１１の内部に挿入され、コンテナＣＢに接続される。

レーザ源１４は、プラズマ原料ＳＡ及びＳＢを気化させるエネルギービームを出射する。レーザ源１４は、チャンバ１１の外部に配置される。レーザ源１４としては、例えばＮｄ：ＹＶＯ_４（Neodymium-doped Yttrium Orthovanadate）レーザ装置が用いられる。この場合、レーザ源１４により、波長１０６４ｎｍの赤外領域のレーザビームＬＢが出射される。もちろん、プラズマ原料ＳＡ及びＳＢを気化させることが可能であれば、レーザ源１４の装置の種類や、照射されるレーザビームＬＢの波長等、レーザ源１４の具体的な構成は限定されない。

集光レンズ１５は、チャンバ１１の外部の、レーザビームＬＢの光路上に配置される。レーザ源１４により出射されたレーザビームＬＢが集光レンズ１５に入射することで、レーザビームＬＢのスポット径が調整される。

可動ミラー１６は、チャンバ１１の外部の、レーザビームＬＢの光路上に配置される。可動ミラー１６は、レーザビームＬＢの光路上の、集光レンズ１５の後ろ側に配置される。すなわち、集光レンズ１５を通過したレーザビームＬＢが、可動ミラー１６に入射する。

可動ミラー１６に入射したレーザビームＬＢは、可動ミラー１６により反射され、チャンバ１１の透明窓２０を通過する。そして、チャンバ１１の内部の、放電領域Ｄの近傍の放電電極ＥＡの周縁部にレーザビームＬＢが到達する。なお、可動ミラー１６の姿勢を変えることにより、放電電極ＥＡに対するレーザビームＬＢの照射位置を調整することが可能である。

接続チャンバ２１は、デブリ低減装置３等の機構を収容する筐体である。接続チャンバ２１は直方体の形状を有し、６つの面のうち１つの面の全体が長方形の開口となっている。接続チャンバ２１は、開口を構成する枠がチャンバ１１の右側の側壁１１ｃに当接するように、チャンバ１１に接続される。

接続チャンバ２１は、例えば金属等の剛体により構成される。もちろん接続チャンバ２１の具体的な形状や材料等は限定されない。接続チャンバ２１の内部は、所定圧力以下の減圧雰囲気に維持される。

接続チャンバ２１の右側の側壁２１ａの上部には、第２窓部２７が構成される。第２窓部２７は、所定の形状の貫通孔である。右側の側壁２１ａの下部には、ＥＵＶ光案内孔２８が構成される。また、ＥＵＶ光案内孔２８から右下側に伸びるように、案内管２９が構成される。さらに、下側の側壁２１ｂには、デブリ収容部４を接続するための開口３７が構成される。

［光源部の動作］
光源部２は、光を放射する原料（プラズマ原料ＳＡ及びＳＢ）を励起し、プラズマＰを発生させる。また、光源部２は、プラズマＰを発光点としてＥＵＶ光６を発生させる。以下、光源部２によるプラズマＰ及びＥＵＶ光６の発生に関する、具体的な内容について説明する。

まず、制御部１２によりパルス電力供給部１３の動作が制御され、パルス電力供給部１３によりコンテナＣＡにパルス電力が供給される。パルス電力は、給電線ＱＡを介して供給される。

コンテナＣＡは導電性を有する材料により構成されている。また、コンテナＣＡにはプラズマ原料ＳＡが貯留され、プラズマ原料ＳＡには放電電極ＥＡの下部が浸された状態となっている。従って、パルス電力供給部１３、コンテナＣＡ、プラズマ原料ＳＡ、及び放電電極ＥＡは、各々が電気的に接続された状態となっている。すなわち、パルス電力供給部１３により、放電電極ＥＡにパルス電力が供給される。同様に、パルス電力供給部１３により、放電電極ＥＢにパルス電力が供給される。

また、制御部１２によりモータＭＡの回転駆動が制御され、放電電極ＥＡが回転する。放電電極ＥＡの回転に伴い、プラズマ原料ＳＡは、放電電極ＥＡの表面に付着した状態で放電領域Ｄの近傍に輸送される。同様に、プラズマ原料ＳＢは、放電電極ＥＢの表面に付着した状態で放電領域Ｄの近傍に輸送される。

また、制御部１２によりレーザ源１４の動作が制御され、レーザ源１４によりレーザビームＬＢが出射される。レーザビームＬＢは右向きに出射され、集光レンズ１５を介して可動ミラー１６に到達する。さらに、可動ミラー１６によりレーザビームＬＢが奥側（図１の上側）に反射され、透明窓２０を介してチャンバ１１の内部に進行し、放電領域Ｄの近傍の放電電極ＥＡの周縁部に到達する。

なお、放電電極ＥＢは手前側（図１の下側）を左側に傾けた状態で配置されている。また、放電電極ＥＢは、放電電極ＥＡに対して若干左側に配置されている。従って、レーザビームＬＢの光路が放電電極ＥＢにより遮られることはない。このように放電電極ＥＢを配置することにより、放電電極ＥＡに対するレーザビームＬＢの照射を容易に行うことが可能となる。

放電電極ＥＡにより放電領域Ｄの近傍に輸送されたプラズマ原料ＳＡは、レーザビームＬＢの照射により気化され、放電領域Ｄにおいて気相のプラズマ原料ＳＡとなる。同様に、プラズマ原料ＳＢも、放電領域Ｄにおいて気相のプラズマ原料ＳＢとなる。

また、放電電極ＥＡ及びＥＢに対してパルス電力が供給されることにより、放電電極ＥＡ及びＥＢの間（放電領域Ｄ）で放電が生じる。放電により、放電領域Ｄに存在する気相のプラズマ原料ＳＡ及びＳＢが電流により加熱励起され、プラズマＰが発生する。

さらに、プラズマＰからＥＵＶ光６が放射される。放射されたＥＵＶ光６の一部（右向きの光）は、第１窓部１７を通過して接続チャンバ２１の内部に出射される。図１には、第１窓部１７を通過したＥＵＶ光６の光路の一例が、破線の矢印で図示されている。プラズマＰは、本技術に係る光源の一実施形態に相当する。

なお本実施形態では、チャンバ１１及び接続チャンバ２１の内部は、所定圧力以下の減圧雰囲気に維持されている。これにより、プラズマ原料ＳＡ及びＳＢを加熱励起するための放電を良好に発生させることが可能となる。また、ＥＵＶ光６の減衰を抑制することが可能となる。

プラズマＰからは、ＥＵＶ光６とともにデブリＤＢが高速で様々な方向に放散される。デブリＤＢには、プラズマ原料ＳＡ、ＳＢであるスズ粒子が含まれる。また、デブリＤＢには、プラズマＰの発生に伴いスパッタリングされる放電電極ＥＡ及びＥＢの材料粒子が含まれる。具体的には、デブリＤＢには、高速で移動するイオン、中性原子及び電子が含まれる。これらのデブリＤＢは、プラズマＰの収縮および膨張過程を経て、大きな運動エネルギーを得る。デブリＤＢの一部は、第１窓部１７を通過して接続チャンバ２１の内部に放散される。

［デブリ低減装置］
デブリ低減装置３は、プラズマＰから放散されるデブリＤＢを捕捉する。デブリ低減装置３は、回転式ホイルトラップ２２、遮熱板２３、及び固定式ホイルトラップ２４を有する。これらの機構は、いずれも接続チャンバ２１の内部に配置される。

遮熱板２３は板形状の部材であり、ＹＺ平面に平行に配置される。また、遮熱板２３はプラズマＰと回転式ホイルトラップ２２との間に配置される。遮熱板２３の上部には開口ＫＡが構成される。また、遮熱板２３の下部には開口ＫＢが構成される。プラズマＰにより出射されたＥＵＶ光６は、遮熱板２３の左側の面に入射し、開口ＫＡ及びＫＢを通過する。従って、遮熱板２３の右側に出射されるＥＵＶ光６の形状は、開口ＫＡ及び開口ＫＢの形に応じた形状となる。

このように、開口ＫＡ及びＫＢにより、プラズマＰから出射されたＥＵＶ光６の一部が取り出される。例えば取り出したいＥＵＶ光６の形状に合わせて、開口ＫＡ及びＫＢの形状が、円形状等の形状に適宜設定される。もちろん開口ＫＡ及びＫＢの具体的な形状は限定されない。

また、遮熱板２３は、例えばタングステン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属により構成される。遮熱板２３の具体的な材料や形状等の構成は限定されない。遮熱板２３は、本技術に係るアパーチャ部材の一実施形態に相当する。

回転式ホイルトラップ２２は、プラズマＰから放散されるデブリＤＢを捕捉する。回転式ホイルトラップ２２は、カバー部材２５、複数の回転ホイル５１、外側リング５２、中心支柱５３、及びモータＭＣを有する。
図３は、回転式ホイルトラップ２２の構成例を示す模式図である。
図３には、回転式ホイルトラップ２２のうち、複数の回転ホイル５１、外側リング５２、及び中心支柱５３を図１及び２における左側（ＥＵＶ光６の入射側）から見た状態が示されている。

外側リング５２は、リング形状を有する部材である。外側リング５２は、中心支柱５３と同心となるように配置される。回転ホイル５１は、薄膜又は薄い平板である。各々の回転ホイル５１は、外側リング５２と中心支柱５３との間に配置される。各々の回転ホイル５１は、中心支柱５３を基準として、ほぼ等しい角間隔をおいて放射状に配置される。従って、各々の回転ホイル５１は、中心支柱５３の中心軸線ＪＭを含む平面上に位置する。回転ホイル５１、外側リング５２、及び中心支柱５３は、外周から中心に向かうにつれて、各々の部材の位置が図１及び２の右側（図３の奥側）に突き出るように構成される。

回転ホイル５１、外側リング５２、及び中心支柱５３は、例えばタングステンやモリブデン等の高融点金属により構成される。回転ホイル５１、外側リング５２、及び中心支柱５３の材料等の具体的な構成は限定されない。

モータＭＣは、回転ホイル５１、外側リング５２、及び中心支柱５３を回転させる。モータＭＣは回転軸ＪＣを有する。モータＭＣの基体部は接続チャンバ２１の右側の外部に配置され、基体部に接続された回転軸ＪＣが、接続チャンバ２１の外部から内部に延びる。回転軸ＪＣの接続チャンバ２１の内部側の端部は、中心支柱５３の右側の面の中心に接続される。

回転軸ＪＣと接続チャンバ２１の壁の間の隙間は、シール部材ＰＣで封止される。シール部材ＰＣにより、接続チャンバ２１の減圧雰囲気が維持されつつ、回転軸ＪＣが回転自在に支持される。

中心支柱５３の中心軸線ＪＭは、回転軸ＪＣの中心軸線に合致する。すなわち、回転軸ＪＣは、回転ホイル５１、外側リング５２、及び中心支柱５３の回転軸とみなすことができる。回転ホイル５１、外側リング５２、及び中心支柱５３は、モータＭＣの駆動により一体的に回転する。

カバー部材２５は、回転ホイル５１、外側リング５２、及び中心支柱５３を包囲する部材である。本実施形態では、カバー部材２５は回転ホイル５１、外側リング５２、及び中心支柱５３と概ね相似な形状を有する。

カバー部材２５は内部空間８を有し、内部空間８に回転ホイル５１、外側リング５２、及び中心支柱５３が配置される。カバー部材２５の右側の面の中心には、右側に突き出た貫通孔７が構成され、モータＭＣの回転軸ＪＣが挿入される。また、カバー部材２５の下部には、下側に突き出た排出管２６が構成される。

また、カバー部材２５の左側の面には開口ＫＩが構成される。開口ＫＩは、左側の面の概ね全体の範囲に渡って構成される。カバー部材２５の右側の面の上部には開口ＫＯＡが構成される。カバー部材２５の右側の面の下部には開口ＫＯＢが構成される。

開口ＫＩ、ＫＯＡ及びＫＯＢは、いずれもＥＵＶ光６の進行を遮らないような形状を有する。図２には、ＥＵＶ光６が進行する領域が破線で示されている。開口ＫＩ、ＫＯＡ及びＫＯＢの形状は、ＥＵＶ光６が進行する領域を含む形状となっている。すなわち、ＥＵＶ光６は開口ＫＩを通過し、カバー部材２５の内部空間８を進行し、開口ＫＯＡ及びＫＯＢを通過して回転式ホイルトラップ２２の外部に進行するが、この間にカバー部材２５によりＥＵＶ光６の進行が遮られることはない。

開口ＫＩ、ＫＯＡ及びＫＯＢの具体的な形状は限定されない。開口ＫＩは、本技術に係るカバー部材が有する入射口の一実施形態に相当する。開口ＫＯＡ及びＫＯＢは、本技術に係るカバー部材が有する出射口の一実施形態に相当する。

図４及び５は、参照例における固定式ホイルトラップ２４の構成例を示す模式図である。
なお、本技術における固定式ホイルトラップ２４については、後に第１の実施形態において説明する。

図４には、固定式ホイルトラップ２４をＺ方向の正側（図２の上側）から見た状態が示されている。なお、図４では、筐体部６０の図示が省略されている。図５には、固定式ホイルトラップ２４をＹＺ平面で切断した場合の断面を、Ｘ方向の負側（図２の左側）から見た状態が図示されている。なお、図２においては固定式ホイルトラップ２４が若干傾いた状態で配置されているが、説明の理解を容易にするために、図４及び図５では、固定式ホイルトラップ２４がＸ方向、Ｙ方向、及びＺ方向に対して傾いていないものとして説明を行う。

固定式ホイルトラップ２４は、筐体部６０及び複数のホイル６１を有する。筐体部６０は直方体の形状を有する。筐体部６０の左側の面には、矩形状の入射口６２が構成される。筐体部６０の右側の面には、矩形状の出射口６３が構成される。また、筐体部６０は、手前側、奥側、上側、及び下側（図６の右側、左側、上側、下側）の４つの面により囲まれた空間として、内部空間９を有する。

固定式ホイルトラップ２４は、回転式ホイルトラップ２２の開口ＫＯＡと、固定式ホイルトラップ２４の入射口６２とが互いに対向する位置に配置される。筐体部６０の形状や材料等の、具体的な構成は限定されない。

複数のホイル６１は、薄膜又は薄い平板である。ホイル６１の各々は、筐体部６０の内部空間９に配置される。ホイル６１の各々はＹ方向においてそれぞれ等間隔に配置される。また、図４に示すようにホイル６１の各々は、Ｚ方向の正側に向かうに連れてホイル６１同士の間隔が広がるように放射状に配置される。すなわち、中央のホイル６１はＸＺ平面に平行に配置され、それ以外のホイル６１はＹ方向に若干傾いた状態で配置される。ホイル６１の上側の辺部及び下側の辺部（図４の手前側の辺部及び奥側の辺部）は、筐体部６０の内部側の面に固定される。

ホイル６１は、例えばタングステンやモリブデン等の高融点金属により構成される。ホイル６１の材料や枚数、及び配置等の具体的な構成は限定されない。

デブリ収容部４は、デブリＤＢを収容する容器である。デブリ収容部４は、デブリ収容容器３１及びヒータ配線３４を有する。デブリ収容容器３１は直方体の形状を有する。デブリ収容容器３１の上側の面には、フランジ３２に囲まれた矩形状の開口が構成される。デブリ収容容器３１は、フランジ３２が接続チャンバ２１の開口３７に重なるように、接続チャンバ２１に対して接続される。具体的には、例えばフランジ３２がネジ止めにより接続チャンバ２１に固定される。また、フランジ３２及び接続チャンバ２１の間の間隙は、ガスケット３３により封止される。もちろんデブリ収容容器３１の材料や形状、接続チャンバ２１に対する接続方法等の具体的な構成は限定されない。

ヒータ配線３４は、デブリ収容容器３１を加熱する。本実施形態では、ヒータ配線３４がデブリ収容容器３１に巻きつけられている。これに限定されず、デブリ収容容器３１に他の加熱手段が埋設されていてもよい。

デブリ案内部５は、デブリＤＢをデブリ収容部４に案内する。デブリ案内部５は、受け板部材１８及び支持台４４を有する。支持台４４は、接続チャンバ２１の内部の左下側の隅部に、右下側に傾いた状態で構成される。

受け板部材１８は、デブリＤＢの受け板となる部材である。受け板部材１８は、支持台４４の上に配置される。また、受け板部材１８は長方形状を有する。受け板部材１８は、左側の辺部が第１窓部１７を貫通して、チャンバ１１の内部に若干飛び出た状態で配置される。また、受け板部材１８は、右側の辺部が開口３７の近傍に位置するように配置される。受け板部材１８の形状や材料等の具体的な構成は限定されない。

［ＥＵＶ光の進行］
光源部２から出射されたＥＵＶ光６の進行について説明する。光源部２においてプラズマＰから放射されたＥＵＶ光６は、第１窓部１７を通過して接続チャンバ２１の内部に進行する。ＥＵＶ光６はまず遮熱板２３に到達する。ＥＵＶ光６の一部は遮熱板２３により進行が遮られ、一部は開口ＫＡ及びＫＢを通過する。従って、遮熱板２３の右側に、開口ＫＡ及びＫＢの形に応じた形状のＥＵＶ光６が出射される。

次に、ＥＵＶ光６はカバー部材２５の開口ＫＩから回転式ホイルトラップ２２に進入する。カバー部材２５の内部空間８においては、複数の回転ホイル５１が、内部空間８のＥＵＶ光６が進行する領域に対して回転可能に取り付けられている。すなわち、ＥＵＶ光６が進行する領域上では、複数の回転ホイル５１が回転している。例えば制御部１２によりモータＭＣの駆動が制御されることで、回転ホイル５１が回転する。

各々の回転ホイル５１は、ＥＵＶ光６の進行方向に対して平行に配置されている。従って、ＥＵＶ光６は回転ホイル５１の厚みの分のみ遮光され、ＥＵＶ光６のうち大部分は回転式ホイルトラップ２２の外部に出射される。このような回転ホイル５１の配置構成により、回転式ホイルトラップ２２を通過するＥＵＶ光６の割合（透過率ともいう）を最大にすることが可能となる。

開口ＫＯＡから回転式ホイルトラップ２２の外部に出射されたＥＵＶ光６は、固定式ホイルトラップ２４の入射口６２に入射する。そして、筐体部６０の内部空間９を進行する。内部空間９においては、複数のホイル６１が、内部空間９のＥＵＶ光６が進行する領域に固定されている。

各々のホイル６１は、ＥＵＶ光６の進行方向に対して平行に配置されている。従って、ＥＵＶ光６はホイル６１の厚みの分のみ遮光され、ＥＵＶ光６のうち大部分は固定式ホイルトラップ２４の外部に出射される。

固定式ホイルトラップ２４の出射口６３から出射されたＥＵＶ光６は、第２窓部２７を通過し、利用装置４２に向けて出射される。利用装置４２は、ＥＵＶ光６を利用する装置である。すなわち、光源装置１の全体の動作を考えると、プラズマＰから出射された光が第２窓部２７により取り出され、利用装置４２により利用されると言える。第２窓部２７は、本技術に係る光取出し部の一実施形態に相当する。

一方で、開口ＫＢを通過したＥＵＶ光６は、回転式ホイルトラップ２２の下部を通過し、開口ＫＯＢから出射される。さらに、ＥＵＶ光６はＥＵＶ光案内孔２８に入射し、案内管２９の内部を通過する。

案内管２９の出口には、監視装置４３が設けられる。監視装置４３は、ＥＵＶ光６を検出する検出器またはＥＵＶ光６の強度を測定する測定器である。例えば監視装置４３による監視結果に基づいて、ＥＵＶ光６の出射強度や出射タイミング等が制御されてもよい。

［デブリの捕捉］
デブリ低減装置３によるデブリＤＢの捕捉に関する、具体的な内容について説明する。プラズマＰからは、ＥＵＶ光６と共にデブリＤＢが放散される。デブリＤＢは様々な方向に放散され、その一部は第１窓部１７を通過して接続チャンバ２１の内部に進入する。

接続チャンバ２１の内部に進入したデブリＤＢの一部は、遮熱板２３の左側の面に堆積する。遮熱板２３に堆積したデブリＤＢは、プラズマＰからの放射により溶融し、ある程度の量に達すると、液滴となって重力により遮熱板２３の下部に移動する。そして、デブリＤＢが遮熱板２３から離脱し、遮熱板２３の下方に配置されたデブリ収容容器３１に収容される。図２には、遮熱板２３上で液滴となったデブリＤＢがデブリ収容容器３１に流れ込む様子が、模式的に図示されている。

遮熱板２３が配置されることで、回転式ホイルトラップ２２に進行するデブリＤＢの量が減少する。これにより、回転式ホイルトラップ２２の負荷が減少する。また、遮熱板２３によりプラズマＰから回転式ホイルトラップ２２等への熱伝導が抑制され、回転式ホイルトラップ２２等の過熱が防止される。なお、遮熱板２３は高融点材料により構成されているため、プラズマＰの熱による変形は少ない。

一方で、デブリＤＢの一部は、開口ＫＡ及びＫＢを通過して遮熱板２３の右側に進行する。これらのデブリＤＢは回転式ホイルトラップ２２に進入する。回転式ホイルトラップ２２内では回転ホイル５１が回転しているため、回転ホイル５１がデブリＤＢに対して能動的に衝突する。これにより、回転ホイル５１によりデブリＤＢが捕捉される。

回転ホイル５１により捕捉されたデブリＤＢは、遠心力により回転ホイル５１上を半径方向に沿って移動し、回転ホイル５１の端部から離脱して、カバー部材２５の内面に付着する。このように、回転ホイル５１はカバー部材２５により包囲されているため、デブリＤＢの接続チャンバ２１内への飛散が防止される。

カバー部材２５は、図示を省略した加熱手段により加熱される。あるいは、ＥＵＶ放射を受ける遮熱板２３からの二次輻射によって加熱される。カバー部材２５が加熱されることにより、カバー部材２５の内面に付着したデブリＤＢが固化されず、液相状態が保持される。カバー部材２５の内面に付着したデブリＤＢは、重力によりカバー部材２５の下部に集まり、カバー部材２５の下部から排出管２６を介してカバー部材２５の外に排出され、デブリ収容容器３１に収容される。図２には、排出管２６から排出されたデブリＤＢがデブリ収容容器３１に流れ込む様子が、模式的に図示されている。

回転式ホイルトラップ２２では、比較的低速で進行するデブリＤＢが捕捉される。従って、高速で進行するデブリＤＢは、回転式ホイルトラップ２２により捕捉されずに、開口ＫＯＡを通過して回転式ホイルトラップ２２の右側に進行する場合がある。これらのデブリＤＢは、入射口６２から固定式ホイルトラップ２４に進入する。そして、デブリＤＢはホイル６１に衝突する。このように、回転式ホイルトラップ２２で捕捉しきれなかった高速で進行するデブリＤＢが、固定式ホイルトラップ２４により捕捉される。

［廃材料の回収］
放電電極ＥＡに付着し放電領域Ｄに輸送されるプラズマ原料ＳＡ（スズ）のうち、エネルギービームの照射により気化し、プラズマＰの生成に利用されるプラズマ原料ＳＡの量はわずかである。このため、放電電極ＥＡに付着したプラズマ原料ＳＡの大部分は未使用のままコンテナＣＡに戻されるが、そのうちの一部は重力により落下してコンテナＣＡに戻らず、さらに何らかの不具合により、コンテナＣＡに貯留された液相のプラズマ原料ＳＡの一部がコンテナＣＡから溢れる場合がある。同様に、プラズマ原料ＳＢの一部がコンテナＣＢから溢れる場合がある。

このように重力方向に落下した廃材料は、受け板部材１８より受け取られる。受け板部材１８は図示しない加熱手段により加熱され、廃材料であるスズの融点（約２３２℃）以上の温度に維持される。従って、廃材料は液相のまま、傾斜した受け板部材１８の受け面に沿って移動し、デブリ収容容器３１に流れ込む。

図２には、デブリ収容容器３１に廃材料及びデブリＤＢを含む収容物ＳＵが溜まった状態が模式的に図示されている。廃材料はスズであり、デブリＤＢの大部分もスズであるため、デブリ収容容器３１はスズ回収容器と言うことも可能である。

光源装置１の稼働中においては、ヒータ配線３４に給電がされ、デブリ収容容器３１の内部がスズの融点以上の温度に加熱される。従って、デブリ収容容器３１の内部に溜まったスズは液相の状態となる。

デブリ収容容器３１の内部でスズが固化すると、デブリ収容容器３１のうち、デブリＤＢが落下しやすい地点での蓄積物が、あたかも鍾乳洞の石筍のように成長してしまう。デブリＤＢの蓄積物が石筍状に成長すると、例えば、カバー部材２５の排出管２６がデブリＤＢにより封鎖され、カバー部材２５の内部にデブリＤＢが蓄積される。さらに、カバー部材２５内に蓄積されたデブリＤＢが回転式ホイルトラップ２２に接触し、回転式ホイルトラップ２２の回転を妨げたり、回転式ホイルトラップ２２を損傷したりすることがある。

あるいは、カバー部材２５に設けられている開口ＫＯＡ及びＫＯＢの一部が、カバー部材２５内に蓄積されたデブリＤＢにより封鎖され、開口ＫＯＡ及びＫＯＢにおいてＥＵＶ光６の進行が妨げられることがある。

このようなことが起こらないように、加熱によりスズが液相の状態に維持される。これにより、デブリ収納容器３１内でスズを平坦化し、石筍のような成長を回避しながらスズを溜め込むことが可能となる。

なお、デブリ収容容器３１に溜まったスズを回収する場合には、ヒータ配線３４への給電を止め、デブリ収容容器３１の内部の加熱を停止する。そして、デブリ収容容器３１の温度が常温に戻り、貯蔵されたスズが固化した状態で、接続チャンバ２１の内部の気圧を大気圧に戻す。その後、デブリ収容容器３１を接続チャンバ２１から取り外し、スズの溜まっていない新しいデブリ収容容器３１を接続チャンバ２１に取り付ける。

取り外されたデブリ収容容器３１の内部のスズは固相になっているが、そのデブリ収容容器３１を再加熱して内部のスズを再度液相とすることにより、デブリ収容容器３１からスズを除去することが可能である。このようにして、取り外したデブリ収容容器３１を再利用することが可能となる。

＜第１の実施形態＞
図６～図１２を参照して、本技術に係る光源装置１について、さらに詳細な実施形態を説明する。これ以降の説明では、上記で説明した光源装置１における構成及び作用と同様な部分については、その説明を省略又は簡略化する。

［固定式ホイルトラップ］
以下、本技術に係る固定式ホイルトラップ２４の、さらに詳細な構成について説明する。
図６～８は、固定式ホイルトラップ２４の構成例を示す模式図である。
図６には、固定式ホイルトラップ２４をＸＺ平面に平行な面で切断した場合の断面を、図２の手前側から見た状態が図示されている。図７には、図６に示す矢印Ａの方向から固定式ホイルトラップ２４を見た状態が図示されている。図８には、図６のＢ－Ｂ面での固定式ホイルトラップ２４の断面を、上側から見た状態が図示されている。なお、図８では筐体部６０の図示は省略されている。

固定式ホイルトラップ２４は、さらに流入孔７０及び圧力調整板７１を有する。流入孔７０は、固定式ホイルトラップ２４の内部空間９にガスを導入させるための孔である。流入孔７０は、筐体部６０の内部空間９に連通するように構成される。具体的には、筐体部６０の上面（図８の手前側の面）及び下面（図８の奥側の面）の、各々の中心より若干左側（図８の下側）の位置に、Ｙ方向において等間隔に５つの流入孔７０が配置される。もちろん流入孔７０の数や位置等の、具体的な構成は限定されない。また、流入孔７０へのガス供給は、例えば図２において図示を省略したガス供給手段により、ガス供給手段と流入孔７０とを連結する不図示のガス配管を介して行われる。なお、ガス供給手段が接続チャンバ２１の外側に配置される場合は、前記ガス配管は、接続チャンバ内の圧力雰囲気（減圧雰囲気）を破壊しないように、接続チャンバ２１に設けられるフィードスルーを介してガス供給手段から接続チャンバ２１内へ導入される。

本実施形態では、流入孔７０によりアルゴン（Ａｒ）ガス８０が導入される。例えば制御部１２により、アルゴンガス８０の導入のための図示しない機構（例えば前記したガス供給手段）の動作が制御される。アルゴンガス８０は、ＥＵＶ光６に対して透明な透明ガスである。すなわち、アルゴンガス８０によりＥＵＶ光６の進行が妨げられる（例えばＥＵＶ光６の反射や屈折が起こる）ことはない。なお、ヘリウム（Ｈｅ）水素（Ｈ_２）等、他の種類の透明ガスが導入されてもよい。

圧力調整板７１は、内部空間９の圧力を増加させる部材である。圧力調整板７１は板形状からなり、中心に円形状の開口７２を有する。圧力調整板７１は、筐体部６０の出射口６３の全体に嵌め込まれる。すなわち出射口６３は、圧力調整板７１により開口７２以外の部分が封止された状態となる。このように、圧力調整板７１は、出射口６３の開口面積が小さくなるように出射口６３に配置される。

また、圧力調整板７１の開口７２の形状は、ＥＵＶ光６の進行を遮ることがないように設定される。本実施形態では、図７に示すように、圧力調整板７１の位置におけるＥＵＶ光６の進行領域は円形状であるため、開口７２の形状は、ＥＵＶ光６の進行領域よりも若干径が大きい円形状に設定される。これにより、圧力調整板７１によりＥＵＶ光６の進行が遮られることはない。

なお、光源装置１の内部を進行するＥＵＶ光６のうち、利用装置４２により最終的に利用されるＥＵＶ光６と、利用されないＥＵＶ光６とが存在する場合があり得る。このような場合は、圧力調整板７１は、最終的に利用される必要光の進行を遮ることなく構成されればよい。すなわち、必要光の進行を遮ることがない構成は、本技術におけるＥＵＶ光６の進行を遮ることがない構成に含まれる。

圧力調整板７１の開口７２の具体的な形状は限定されない。例えば四角形状等、ＥＵＶ光６の進行を遮らないような任意の形状が採用されてよい。圧力調整板７１は、本技術に係る出射側部材及び蓋部材の一実施形態に相当する。また、圧力調整板７１により、本技術に係る圧力増加機構が実現される。

また、各々のホイル６１は開口７３を有する。図６に示すように、開口７３は矩形状を有し、ホイルのＺ方向における中央の、Ｘ方向における流入孔７０と同じ位置に設けられる。すなわち図８に示すように、各々の開口７３により、直方体の形状を有し、ホイル６１が存在しないバッファ空間７４が形成される。各々の流入孔７０は、バッファ空間７４に連通する。

［圧力調整板が２枚設けられた構成］
図９及び１０は、圧力調整板の構成例を示す模式図である。
図１０は、図９のＣ－Ｃ面での固定式ホイルトラップ２４の断面図である。なお、図１０では筐体部６０の図示は省略されている。
図９及び１０に示すように、筐体部６０の入射口６２及び出射口６３の、それぞれに圧力調整板が設けられてもよい。

本例では、固定式ホイルトラップ２４は、さらに圧力調整板８８を有する。圧力調整板８８は、圧力調整板７１と同様に板形状からなり、中心に円形状の開口８９を有する。圧力調整板８８は、筐体部６０の入射口６２の全体に嵌め込まれる。すなわち入射口６２は、圧力調整板８８により開口８９以外の部分が封止された状態となる。このように、圧力調整板８８は、入射口６２の開口面積が小さくなるように入射口６２に配置される。

圧力調整板８８の開口８９の形状は、圧力調整板７１の開口７２の形状と同様に、ＥＵＶ光６の進行を遮ることがないように設定される。本例では、各々の開口７２及び８９の形状が同一の円形状であるが、各々の形状が異なっていてもよい。圧力調整板８８は、本技術に係る入射側部材及び蓋部材の一実施形態に相当する。また、圧力調整板７１及び圧力調整板８８により、本技術に係る圧力増加機構が実現される。

あるいは、出射口６３に圧力調整板７１が設置されずに、入射口６２のみに圧力調整板８８が設置される構成が採用されてもよい。

固定式ホイルトラップ２４の内部空間９にアルゴンガス８０が導入されることにより、デブリＤＢの捕捉確率を高める事が可能となる。具体的には、アルゴンガス８０が存在する空間においては、デブリＤＢとアルゴンガス８０との衝突によりデブリＤＢの進行の速度が低下する。また、衝突によりデブリＤＢの進行方向が変化する。このように速度が低下し、進行方向が変化したデブリＤＢが、ホイル６１や筐体部６０により捕捉される。すなわち、固定式ホイルトラップ２４の内部空間９に透明ガスが導入されない場合と比較して、より多くのデブリＤＢが捕捉される。

また、本実施形態では、アルゴンガス８０を導入するための流入孔７０が構成される。これにより、内部空間９におけるアルゴンガス８０の圧力を高める事が可能となる。
図１１は、比較例のデブリ低減装置７７における、アルゴンガス８０の流れを示す模式図である。

比較例のデブリ低減装置７７では、回転式ホイルトラップ７８と固定式ホイルトラップ７９との隙間の上側からアルゴンガス８０が導入される。図１１には、導入されたアルゴンガス８０が拡散する向きが、破線の矢印で模式的に図示されている。

アルゴンガス８０は、例えば図示しないガスノズルにより導入される。隙間の上側から導入されたアルゴンガス８０は、隙間の内部で下側に向かって拡散する。拡散に伴い、隙間の下部ではアルゴンガス８０の圧力が減少する。従って、隙間の上部はアルゴンガス８０の圧力が相対的に高い領域となる。図１１には、アルゴンガス８０の圧力が相対的に高い領域が水玉模様で示されている。

隙間は固定式ホイルトラップ７９の内部空間８３と連通している。そのため、アルゴンガス８０は固定式ホイルトラップ７９の入射口８１から内部空間８３に進入し、内部空間８３で拡散する。しかしながら、隙間の上部に存在するアルゴンガス８０は圧力が高いため、内部空間８３の上部に流入しやすい。一方で、隙間の下部に存在するアルゴンガス８０は圧力が低いため、内部空間８３の下部に流入しにくい。従って、内部空間８３の上部では、下部に比べて相対的にアルゴンガス８０の圧力が高くなる。

このように、内部空間８３においてもアルゴンガス８０の圧力差が生じる。すなわち、ＥＵＶ光６の進行領域におけるアルゴンガス８０の圧力分布が不均一となり、固定式ホイルトラップ７９におけるデブリＤＢの捕捉能力には、空間的な分布（不均一性）が生じてしまう。

また、隙間は回転式ホイルトラップ７８の内部空間８２と連通している。そのため、アルゴンガス８０は回転式ホイルトラップ７８の開口ＫＯＡから内部空間８２に進入し、内部空間８２で拡散する。

固定式ホイルトラップ７９では、内部空間８３が各々のホイル８４により分割されている。そのためアルゴンガス８０は、回転式ホイルトラップ７８に対して相対的に流入しやすく、固定式ホイルトラップ７９に対して相対的に流入しにくい。すなわち、固定式ホイルトラップ７９において十分なアルゴンガス８０の圧力が得られず、デブリＤＢの捕捉能力を向上させることができない。

本実施形態のデブリ低減装置３では、流入孔７０により、固定式ホイルトラップ２４の内部空間９に直接アルゴンガス８０が導入される。これにより、内部空間９においてアルゴンガス８０の圧力分布が不均一になることはない。また、内部空間９においてアルゴンガス８０の圧力を高く保つことが可能となる。すなわち、固定式ホイルトラップ２４によるデブリＤＢの捕捉確率を向上させることが可能となる。

また、圧力調整板７１が配置されることにより、内部空間９におけるアルゴンガス８０の圧力を高める事が可能となる。比較例の固定式ホイルトラップ７９では、流入したアルゴンガス８０が内部空間８３において右側に拡散し、出射口８５から流出してしまう。一方で本実施形態の固定式ホイルトラップ２４では、出射口６３の一部が圧力調整板７１により封止されているため、アルゴンガス８０の流出が抑制される。従って、内部空間９におけるアルゴンガス８０の圧力が増加する。

さらに、圧力調整板７１が配置されることにより、回転式ホイルトラップ２２におけるアルゴンガス８０の圧力を増加させることも可能となる。
図１２は、本技術のデブリ低減装置３における、アルゴンガス８０の流れを示す模式図である。

固定式ホイルトラップ２４の入射口６２には圧力調整板７１が配置されておらず、出射口６３にのみ圧力調整板７１が配置されている。従って、流入孔７０から導入されるアルゴンガス８０は、入射口６２の方に流れやすい。そのため、内部空間９のうち入射口６２の近傍は、相対的にアルゴンガス８０の圧力が高い領域となる。図１２には、相対的にアルゴンガス８０の圧力が高い領域が水玉模様で示されている。

従って、入射口６２から比較的大きな圧力で流出したアルゴンガス８０が、そのまま回転式ホイルトラップ２２の開口ＫＯＡから内部空間８に進入する、といったことが起こる。これにより、回転式ホイルトラップ２２にもアルゴンガス８０が導入され、デブリＤＢの捕捉性能がさらに向上する。

２枚の圧力調整板７１及び８８が設けられる場合には、アルゴンガス８０が入射口６２から流出しにくくなり、内部空間９におけるアルゴンガス８０の圧力がさらに増加する。すなわち、デブリＤＢの捕捉確率をさらに向上させることが可能となる。

また、本実施形態のデブリ低減装置３では、固定式ホイルトラップ２４の内部空間９にバッファ空間７４が構成される。流入孔７０から導入されたアルゴンガス８０は、まずバッファ空間７４内で拡散する。その後、バッファ空間７４の左右（図８の上下、Ｘ方向）に存在する各々のホイル６１同士の隙間に流入する。そして、ホイル６１の隙間において、アルゴンガス８０がＸ方向に向かって拡散する。図８には、ホイル６１の隙間におけるアルゴンガス８０の拡散の向きが、矢印で模式的に示されている。

アルゴンガス８０はバッファ空間７４内で一旦滞留し、圧力が均一になった後に各々のホイル６１の隙間に流入する。そのため、各々の隙間におけるアルゴンガス８０の圧力には差が生じにくい。バッファ空間７４が構成されることにより、このように内部空間９におけるアルゴンガス８０の圧力が均一になり、デブリＤＢの捕捉確率がさらに向上する。

また、本実施形態では、回転式ホイルトラップ２２及び固定式ホイルトラップ２４の両方によりデブリが捕捉される。これにより、回転式ホイルトラップ２２又は固定式ホイルトラップ２４の一方のみが配置される場合に比べて低速のデブリＤＢおよび高速のデブリの両方に対応できるため、デブリＤＢの捕捉確率が向上する。

また、本実施形態では、プラズマＰと回転式ホイルトラップ２２との間に遮熱板２３が配置される。遮熱板２３の開口ＫＡの形状を適宜設定することにより、光源装置１から出射されるＥＵＶ光６の形状を任意に変えることが可能となる。また、回転式ホイルトラップ２２に進行するデブリＤＢの量を減らすことが可能となる。さらに、プラズマＰの熱による、回転式ホイルトラップ２２等の過熱を防止することが可能となる。

以上、本実施形態に係るデブリ低減装置３では、筐体部６０の内部空間９に複数のホイル６１が配置される。また、内部空間９に透明ガスが流入される。さらに、内部空間９の圧力を増加させる圧力調整板７１が配置される。これにより、デブリＤＢの捕捉確率を向上させることが可能となる。

ＥＵＶ光源装置は、波長１３．５ｎｍ程度の極端紫外光（ＥＵＶ光）を放射する。このようなＥＵＶ光は、例えば半導体デバイスの製造においてリソグラフィに使用される。あるいは、ＥＵＶ光を検査光として、マスクのブランクス検査やパターン検査が行われる。このように、ＥＵＶ光源装置がマスク検査装置に用いられることもある。ＥＵＶ光が用いられることにより、５ｎｍ～７ｎｍプロセスに対応することが可能となる。

しかしながら、ＥＵＶ光源装置においてはＥＵＶ光と共にデブリが放射される。デブリが利用装置に到達すると、利用装置内の光学素子の反射膜を損傷または汚染させ、利用装置の性能を低下させることがある。そのため、デブリが利用装置に侵入しないように、ＥＵＶ光源装置内に、デブリを捕捉するデブリ低減装置が組み込まれる。このようなデブリ低減装置において、デブリの捕捉性能を向上させる技術が求められている。

本技術のデブリ低減装置３では、圧力調整板７１が配置されることにより、内部空間９におけるアルゴンガス８０の圧力が増加する。これにより、デブリ低減装置３による高い捕捉性能を実現することが可能となる。

＜第２の実施形態＞
図１３～図１５を参照して、本技術に係る第２の実施形態の光源装置１について説明する。これ以降の説明では、上記の実施形態で説明した光源装置１における構成及び作用と同様な部分については、その説明を省略又は簡略化する。

［空洞制限部材］
図１３～１５は、空洞制限部材の構成例を示す模式図である。
図１４には、図１３に示す矢印Ｄの方向から固定式ホイルトラップ２４を見た状態が図示されている。図１５は、図１３のＥ－Ｅ面での固定式ホイルトラップ２４の断面図である。なお、図１５では筐体部６０の図示は省略されている。
図１３～１５に示すように、筐体部６０の出射口６３に、空洞制限部材が設けられてもよい。

本例では、固定式ホイルトラップ２４は空洞制限部材９１を有する。空洞制限部材９１はブロック状の形状を有する。具体的には、空洞制限部材９１は概ね直方体の形状を有する。また、空洞制限部材９１は開口９２を有する。開口９２は、空洞制限部材９１の対向する２つの面に、連通するように構成される。開口９２の形状は、圧力調整板７１の開口７２の形状と同様に、ＥＵＶ光６の進行を遮ることがないように設定される。

空洞制限部材９１は、筐体部６０の出射口６３に配置される。具体的には、出射口６３に開口９２が面するように、筐体部６０の内部空間９に空洞制限部材９１が埋め込まれる。すなわち空洞制限部材９１は、内部空間９を充填するように配置される。なお、空洞制限部材９１の具体的な形状は限定されず、ブロック状の任意の形状が採用されてよい。例えば筐体部６０に対して空洞制限部材９１を隙間なく埋め込むことが可能となるように、筐体部６０の形状に合わせて空洞制限部材９１の形状が適宜設定される。また、空洞制限部材９１の具体的な厚さ等は限定されない。

空洞制限部材９１には溝部が構成され、溝部に各々のホイル６１が嵌め込まれる。図１４には、溝部にホイル６１が嵌め込まれた状態が模式的に示されている。内部空間９のうち空洞制限部材９１が存在する領域においては、このようにして空洞制限部材９１にホイル６１が固定される。なお、空洞制限部材９１が存在しない領域においては、筐体部６０にホイル６１が固定される。

空洞制限部材９１が配置されることにより、内部空間９の容積が減少する。また、出射口６３からアルゴンガス８０が流出しにくくなる。これにより、固定式ホイルトラップ２４におけるアルゴンガス８０の圧力をさらに高く保つことが可能となる。

空洞制限部材９１は、圧力調整板７１の開口７２のガスが流れる方向の長さを長くした形状と見なすことができる。そのため、出射口６３が配置された圧力調整板７１が有する開口７２のコンダクタンスより、空洞制限部材９１のコンダクタンスの方が小さい。よって、出射口６３に圧力調整板７１を配置する場合より、前記したように空洞制限部材９１を配置したほうが、内部空間９におけるアルゴンガス８０の圧力を高めることが可能となる。

圧力調整板７１や空洞制限部材９１の配置構成として、以下のような任意の組み合わせが採用されてよい。
（１）入射口６２に配置なし、出射口６３に圧力調整板７１
（２）入射口６２に配置なし、出射口６３に空洞制限部材９１
（３）入射口６２に圧力調整板８８、出射口６３に配置なし
（４）入射口６２に圧力調整板８８、出射口６３に圧力調整板７１
（５）入射口６２に圧力調整板８８、出射口６３に空洞制限部材９１
（６）入射口６２に空洞制限部材９１、出射口６３に配置なし
（７）入射口６２に空洞制限部材９１、出射口６３に圧力調整板７１
（８）入射口６２に空洞制限部材９１、出射口６３に空洞制限部材９１

空洞制限部材９１は、本技術に係る入射側部材、出射側部材、及びブロック部材の一実施形態に相当する。また、空洞制限部材９１により、本技術に係る圧力増加機構が実現される。

＜その他の実施形態＞
本技術は、以上説明した実施形態に限定されず、他の種々の実施形態を実現することができる。

［空間接続部材］
図１６は、空間接続部材の構成例を示す模式図である。
図１６に示すように、回転式ホイルトラップ２２及び固定式ホイルトラップ２４を接続する空間接続部材が設けられてもよい。

本例では、デブリ低減装置３は空間接続部材９４を有する。空間接続部材９４は、例えばリング形状を有する。また、空間接続部材９４のリングの開口の径は、固定式ホイルトラップ２４の入射口６２の径と同じ大きさになるように構成される。

空間接続部材９４は、空間接続部材９４のリング部分により回転式ホイルトラップ２２及び固定式ホイルトラップ２４の隙間が封止されるように配置される。すなわち空間接続部材９４により、回転式ホイルトラップ２２の開口ＫＯＡと、固定式ホイルトラップ２４の入射口６２とが連結される。

これにより、固定式ホイルトラップ２４の入射口６２から流出したアルゴンガス８０が、隙間において上側や下側に漏れ出ることなく、全て回転式ホイルトラップ２２に流入する。すなわち、回転式ホイルトラップ２２の内部空間８におけるアルゴンガス８０の圧力を、さらに増加させる事が可能となる。空間接続部材９４は、本技術に係る連結部材の一実施形態に相当する。

［前方閉塞部］
図１７は、前方閉塞部の構成例を示す模式図である。
図１７に示すように、回転式ホイルトラップ２２に前方閉塞部が設けられてもよい。

本例では、回転式ホイルトラップ２２は、さらに前方閉塞部９７を有する。前方閉塞部９７は、カバー部材２５の左側の開口ＫＩが封止されるように構成される。すなわち、前方閉塞部９７はカバー部材２５の一部と見做すことも可能である。前方閉塞部９７は、左側から見た場合に円形状となる板形状を有し、円形状の中心に向かうに連れて右側に突出する形状を有する。

前方閉塞部９７には開口９８及び９９が構成される。開口９８は円形状を有し、前方閉塞部９７のＹ方向における中央の、Ｚ方向における正側に配置される。開口９９は円形状を有し、前方閉塞部９７のＹ方向における中央の、Ｚ方向における負側に配置される。開口９８及び９９の具体的な形状や位置は限定されない。

これにより、カバー部材２５の開口ＫＩの大部分が封止されるため、固定式ホイルトラップ２４から回転式ホイルトラップ２２に流入したアルゴンガス８０の、開口ＫＩからの流出が抑制される。すなわち、回転式ホイルトラップ２２において、アルゴンガス８０の圧力を高く保つことが可能となる。

なお前方閉塞部９７は、開口ＫＩの開口面積が小さくなるように開口ＫＩに配置されている。従って、前方閉塞部９７は回転式ホイルトラップ２２に配置された圧力調整板７１と見做すことも可能である。同様に、カバー部材２５の右側の面を圧力調整板７１と見做すことも可能である。あるいは、カバー部材２５の開口ＫＩや右側の面に、空洞制限部材９１が配置されてもよい。

前方閉塞部９７は、本技術に係る入射側部材及び蓋部材の一実施形態に相当する。また、前方閉塞部９７により、本技術に係る圧力増加機構が実現される。

［固定式ホイルトラップの増設］
図１８は、回転式ホイルトラップ２２と監視装置４３との間に、固定式ホイルトラップ２４が配置された構成例を示す模式図である。
図１８に示すように、回転式ホイルトラップ２２と監視装置４３との間に固定式ホイルトラップ２４が増設されてもよい。

本例では、デブリ低減装置３は固定式ホイルトラップ２４及び１０２を有する。固定式ホイルトラップ２４は、図１等に示す固定式ホイルトラップ２４と同様に、回転式ホイルトラップ２２と利用装置４２との間に配置される。固定式ホイルトラップ２４は、回転式ホイルトラップ２２と監視装置４３との間に配置される。すなわち、固定式ホイルトラップ２４及び１０２は、プラズマＰと利用装置４２との間、及びプラズマＰと監視装置４３との間の各々に配置されているとも言える。

これにより、固定式ホイルトラップ１０２によりデブリＤＢが捕捉され、監視装置４３に対するデブリＤＢの進行が抑制される。すなわち、デブリＤＢの衝突による監視装置４３の損傷を防ぐことが可能となる。また、固定式ホイルトラップ１０２に導入されたアルゴンガス８０が回転式ホイルトラップ２２に流入するため、回転式ホイルトラップ２２におけるアルゴンガス８０の圧力をさらに増加させることが可能となる。

［磁場付与手段］
図１９～２１は、磁場付与手段の構成例を示す模式図である。
図１９には、出射口６３に圧力調整板７１が配置された固定式ホイルトラップ２４に、磁場付与手段１０５が設けられた状態が示されている。図２０には、出射口６３に空洞制限部材９１が配置された固定式ホイルトラップ２４に、磁場付与手段１０５が設けられた状態が示されている。
図１９～２１に示すように、固定式ホイルトラップ２４に、磁場を付与する磁場付与手段が設けられてもよい。

本例では、固定式ホイルトラップ２４は磁場付与手段１０５を有する。磁場付与手段１０５は、周囲の空間に磁場を付与する手段である。磁場付与手段１０５としては、例えば永久磁石等が用いられる。磁場付与手段１０５は、筐体部６０の入射口６２の上部及び下部に配置される。

磁場付与手段１０５は、アルゴンガス８０に含まれる粒子のうち、ＥＵＶ光６により励起される荷電粒子を複数のホイル６１から遠ざける方向に移動させる磁場を発生させる。すなわち、荷電粒子は各々のホイル６１の間を様々な向きに進行するが、磁場が付与されることにより、例えば荷電粒子の進行方向が左向きに変化する。この場合、荷電粒子は入射口６２を通過して、固定式ホイルトラップ２４の外部に移動する。すなわち、ホイル６１から遠ざかる方向に移動する。

あるいは、荷電粒子の進行方向を右向きに変化させ、荷電粒子を出射口６３から固定式ホイルトラップ２４の外部に移動させるような磁場が付与されてもよい。例えば磁場付与手段１０５の種類（永久磁石、電磁石等）や、位置又は数等を適宜設定することにより、磁場の向きや強さを調整することが可能である。

発明者は、光源装置１を稼働するにつれ、特に固定式ホイルトラップ２４のホイル６１の一部に損傷が生じることを確認した。この損傷の原因としては、高エネルギー粒子であるデブリＤＢ（例えば、高速で移動するプラズマ原料ＳＡのイオン、電子等）の、ホイル６１に対する衝突であるとも考えられる。しかしながら、このような高速で進行する高エネルギーのデブリＤＢの大部分は、ホイル６１と衝突する前に比較的圧力の高いアルゴンガス８０と衝突することで中性粒子となり、当該デブリＤＢの有するエネルギーは減少すると考えられる。よって、ホイル６１の損傷の主原因は、必ずしもホイル６１とデブリＤＢとの衝突とは限らない。

ここで、ホイル６１の損傷個所について調査すると、特にアルゴンガス８０の圧力（密度）が比較的高い領域であって、かつＥＵＶ光６が通過する領域付近で、ホイル６１の損傷が顕著であることが確認された。この傾向から、ホイル６１の損傷は、ＥＵＶ光６の照射によりアルゴンガス８０の少なくとも一部が励起され、比較的エネルギーが大きい荷電粒子となり、このアルゴンの荷電粒子とホイル６１とが接触することで、ホイル６１が損傷を受けたと推定される。

本例では、比較的アルゴンガス８０の圧力（密度）が高い領域である入射口６２の近傍の領域に磁場が付与されるように、磁場付与手段１０５が設けられる。これにより、荷電粒子がホイル６１に衝突する頻度が減少し、ホイル６１の損傷が抑制される。

なお、荷電粒子を複数のホイル６１から遠ざける方向に移動させる電場を発生させる、電場付与手段が設けられてもよい。電場発生手段が設けられることにより、同様にホイル６１の損傷を抑制することが可能となる。磁場付与手段１０５及び電場付与手段は、本技術に係る電磁場発生部の一実施形態に相当する。

［バッファ空間の位置］
図２２は、バッファ空間７４の構成例を示す模式図である。なお、図２２では筐体部６０の図示は省略されている。
バッファ空間７４の位置は、任意に設定されてよい。

本例では、バッファ空間７４の左右方向（図２２における上下方向）における中心が、ホイル６１の左端（図２２における下端）から距離Ｌ１、右端（図２２における上端）から距離Ｌ２だけ離れた位置になるように、バッファ空間７４が構成されている。ここで、Ｌ１はＬ２よりも小さい値となっている。すなわち、バッファ空間７４は内部空間９の中央よりも左側（図２２における下側）に構成されている。

ホイル６１は、ＥＵＶ光６の光線方向に伸びるように放射状に配置されており、ホイル６１同士の間隔は、ＥＵＶ光６の入射口６２側が狭く、出射口６３側が広い。そのため、流入孔７０からホイル６１の区画空間内に供給されるアルゴンガス８０は、入射口６２の方には流れにくく、出射口６３の方に流れやすい。そのため、出射口６３の近傍の空間の圧力は、入射口６２の近傍の空間の圧力と比べて高くなる傾向にある。そうすると、アルゴンガス８０によるＥＵＶ光６の強度の減衰が、場合によっては無視できなくなる。

ここで、バッファ空間７４の位置を入射口６２側に近づけておくことにより（すなわち、Ｌ１＜Ｌ２とすることにより）、ＥＵＶ光６の通過領域における下流側（右側）の空間のアルゴンガス８０の圧力を比較的低くすることができる。図２２には、比較的圧力の低い領域が破線の楕円で示されている。これにより、アルゴンガス８０の圧力が高い空間の光路長が短くなり、アルゴンガス８０によるＥＵＶ光６の強度の減衰を抑制することが可能となる。なお、本例に限定されず、バッファ空間７４は任意の位置に構成されてよい。

［デブリ低減装置の構成］
デブリ低減装置３の構成として、回転式ホイルトラップ２２が配置されずに、固定式ホイルトラップ２４のみが配置される構成が採用されてもよい。もちろん図１に示すような、回転式ホイルトラップ２２及び固定式ホイルトラップ２４の両方が配置される構成が採用されてもよい。あるいは、回転式ホイルトラップ２２や固定式ホイルトラップ２４が複数配置されてもよい。

各図面を参照して説明した光源装置、光源部、デブリ低減装置、回転式ホイルトラップ、固定式ホイルトラップの各構成等はあくまで一実施形態であり、本技術の趣旨を逸脱しない範囲で、任意に変形可能である。すなわち本技術を実施するための他の任意の構成等が採用されてよい。

本開示において、「略」という文言が使用される場合、これはあくまで説明の理解を容易とするための使用であり、「略」という文言の使用／不使用に特別な意味があるわけではない。すなわち、本開示において、「中心」「中央」「均一」「等しい」「同じ」「直交」「平行」「対称」「延在」「軸方向」「円柱形状」「円筒形状」「リング形状」「円環形状」「直方体の形状」「円板形状」「板形状」「円形状」「矩形状」「長方形状」「四角形状」「ブロック状の形状」等の、形状、サイズ、位置関係、状態等を規定する概念は、「実質的に中心」「実質的に中央」「実質的に均一」「実質的に等しい」「実質的に同じ」「実質的に直交」「実質的に平行」「実質的に対称」「実質的に延在」「実質的に軸方向」「実質的に円柱形状」「実質的に円筒形状」「実質的にリング形状」「実質的に円環形状」「実質的に直方体の形状」「実質的に円板形状」「実質的に板形状」「実質的に円形状」「実質的に矩形状」「実質的に長方形状」「実質的に四角形状」「実質的にブロック状の形状」等を含む概念とする。例えば「完全に中心」「完全に中央」「完全に均一」「完全に等しい」「完全に同じ」「完全に直交」「完全に平行」「完全に対称」「完全に延在」「完全に軸方向」「完全に円柱形状」「完全に円筒形状」「完全にリング形状」「完全に円環形状」「完全に直方体の形状」「完全に円板形状」「完全に板形状」「完全に円形状」「完全に矩形状」「完全に長方形状」「完全に四角形状」「完全にブロック状の形状」等を基準とした所定の範囲（例えば±１０％の範囲）に含まれる状態も含まれる。従って、「略」の文言が付加されていない場合でも、いわゆる「略」を付加して表現される概念が含まれ得る。反対に、「略」を付加して表現された状態について、完全な状態が排除される訳ではない。

本開示において、「Ａより大きい」「Ａより小さい」といった「より」を使った表現は、Ａと同等である場合を含む概念と、Ａと同等である場合を含まない概念の両方を包括的に含む表現である。例えば「Ａより大きい」は、Ａと同等は含まない場合に限定されず、「Ａ以上」も含む。また「Ａより小さい」は、「Ａ未満」に限定されず、「Ａ以下」も含む。本技術を実施する際には、上記で説明した効果が発揮されるように、「Ａより大きい」及び「Ａより小さい」に含まれる概念から、具体的な設定等を適宜採用すればよい。

以上説明した本技術に係る特徴部分のうち、少なくとも２つの特徴部分を組み合わせることも可能である。すなわち各実施形態で説明した種々の特徴部分は、各実施形態の区別なく、任意に組み合わされてもよい。また上記で記載した種々の効果は、あくまで例示であって限定されるものではなく、また他の効果が発揮されてもよい。

ＤＢ…デブリ
ＫＡ…開口
ＫＢ…開口
ＫＩ…開口
ＫＯＡ…開口
ＫＯＢ…開口
Ｐ…プラズマ
１…光源装置
２…光源部
３…デブリ低減装置
６…ＥＵＶ光
８…内部空間
９…内部空間
２２…回転式ホイルトラップ
２３…遮熱板
２４…固定式ホイルトラップ
２５…カバー部材
２７…第２窓部
４２…利用装置
４３…監視装置
５１…回転ホイル
６０…筐体部
６１…ホイル
６２…入射口
６３…出射口
７０…流入孔
７１…圧力調整板
７４…バッファ空間
８０…アルゴンガス
８８…圧力調整板
８９…開口
９１…空洞制限部材
９２…開口
９４…空間接続部材
９７…前方閉塞部
９８…開口
９９…開口
１０２…固定式ホイルトラップ
１０５…磁場付与手段

Claims (13)

1. 光源から放散されるデブリを捕捉するデブリ低減装置であって、
   前記光源から出射された光が入射する入射口と、前記入射口から入射した前記光が出射される出射口と、前記光が進行する内部空間とを有する筐体部と、
   前記内部空間の前記光が進行する領域に固定される複数のホイルと、
   前記筐体部に前記内部空間に連通するように構成され、前記光に対して透明な透明ガスが流入される流入孔と、
   前記光の進行を遮ることなく前記入射口の開口面積が小さくなるように前記入射口に配置される入射側部材、又は前記光の進行を遮ることなく前記出射口の開口面積が小さくなるように前記出射口に配置される出射側部材の少なくとも一方を含み、前記内部空間の圧力を増加させる圧力増加機構と
   を有する固定式ホイルトラップ
   を具備するデブリ低減装置。
2. 請求項１に記載のデブリ低減装置であって、
   前記入射側部材又は前記出射側部材の少なくとも一方は、板形状からなり、前記光が通過する開口を有する蓋部材である
   デブリ低減装置。
3. 請求項１又は２に記載のデブリ低減装置であって、
   前記入射側部材又は前記出射側部材の少なくとも一方は、ブロック状の形状からなり、前記光が通過する開口を有し、前記内部空間を充填するように配置されるブロック部材である
   デブリ低減装置。
4. 請求項１又は２に記載のデブリ低減装置であって、
   前記固定式ホイルトラップは、前記透明ガスに含まれる粒子のうち前記光により励起される荷電粒子を前記複数のホイルから遠ざける方向に移動させる電場又は磁場を発生させる電磁場発生部を有する
   デブリ低減装置。
5. 請求項１又は２に記載のデブリ低減装置であって、
   前記内部空間は、前記複数のホイルが存在しないバッファ空間を含み、
   前記流入孔は、前記バッファ空間に連通するように構成される
   デブリ低減装置。
6. 請求項１又は２に記載のデブリ低減装置であって、
   前記固定式ホイルトラップは、前記光源と前記光源から出射された光を利用する利用装置との間、及び前記光源と前記光源から出射された光の状態を監視する監視装置との間の各々に配置される
   デブリ低減装置。
7. 請求項１又は２に記載のデブリ低減装置であって、
   前記光源は、プラズマである
   デブリ低減装置。
8. 請求項１又は２に記載のデブリ低減装置であって、さらに、
   前記光源から出射された光が入射する入射口と、前記入射口から入射した前記光が出射される出射口と、前記光が進行する内部空間とを有するカバー部材と、
   前記内部空間の光が進行する領域に対して回転可能に取付けられた複数の回転ホイルとを
   有する回転式ホイルトラップを具備する
   デブリ低減装置。
9. 請求項８に記載のデブリ低減装置であって、
   前記回転式ホイルトラップは、前記光の進行を遮ることなく前記入射口の開口面積が小さくなるように前記入射口に配置される入射側部材、又は前記光の進行を遮ることなく前記出射口の開口面積が小さくなるように前記出射口に配置される出射側部材の少なくとも一方を含み、前記内部空間の圧力を増加させる圧力増加機構を有する
   デブリ低減装置。
10. 請求項８に記載のデブリ低減装置であって、
    前記固定式ホイルトラップ及び前記回転式ホイルトラップは、前記回転式ホイルトラップの前記出射口と、前記固定式ホイルトラップの前記入射口とが互いに対向する位置に配置され、
    前記デブリ低減装置は、さらに、前記回転式ホイルトラップの前記出射口と、前記固定式ホイルトラップの前記入射口とを連結する連結部材を具備する
    デブリ低減装置。
11. 請求項８に記載のデブリ低減装置であって、さらに、
    前記光源と前記回転式ホイルトラップとの間に配置され、前記光源から出射された光の一部を取り出す開口を有するアパーチャ部材を具備する
    デブリ低減装置。
12. 光を放射する原料を励起し、プラズマを発生させるプラズマ生成室と、
    前記プラズマから出射された光を取り出す光取出し部と、
    前記プラズマ生成室と前記光取出し部との間に配置された固定式ホイルトラップを有し、前記プラズマから放散されるデブリを捕捉するデブリ低減装置と
    を具備し、
    前記固定式ホイルトラップは、
    前記プラズマから出射された光が入射する入射口と、前記入射口から入射した前記光が出射される出射口と、前記光が進行する内部空間とを有する筐体部と、
    前記内部空間の前記光が進行する領域に固定される複数のホイルと、
    前記筐体部に前記内部空間に連通するように構成され、前記光に対して透明な透明ガスが流入される流入孔と、
    前記光の進行を遮ることなく前記入射口の開口面積が小さくなるように前記入射口に配置される入射側部材、又は前記光の進行を遮ることなく前記出射口の開口面積が小さくなるように前記出射口に配置される出射側部材の少なくとも一方を含み、前記内部空間の圧力を増加させる圧力増加機構と
    を有する光源装置。
13. 請求項１２に記載の光源装置であって、
    前記デブリ低減装置は、
    前記プラズマから出射された光が入射する入射口と、前記入射口から入射した前記光が出射される出射口と、前記光が進行する内部空間とを有するカバー部材と、
    前記内部空間の光が進行する領域に対して回転可能に取付けられた複数の回転ホイルと
    を有する回転式ホイルトラップを有する
    光源装置。

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