JP2023149175A - 光源装置 - Google Patents

Abstract

【課題】エネルギービームによって生成されるプラズマの発光効率を向上することが可能な光源装置を提供すること。
【解決手段】
本発明の一形態に係る光源装置は、エネルギービームにより液体原料をプラズマ化して放射線を取り出す光源装置であって、回転体と、原料供給部と、電場印加部とを具備する。前記回転体は、前記エネルギービームが入射する位置に配置される。前記原料供給部は、前記液体原料を前記回転体に供給する。前記電場印加部は、前記回転体に供給された前記液体原料とは異なる電位に設定され、前記エネルギービームの照射によりプラズマが生成されるプラズマ生成領域に電場を印加する。
【選択図】図１

Description

本発明は、Ｘ線や極端紫外光等の出射に適用可能な光源装置に関する。

従来、Ｘ線は、医療用用途、工業用用途、研究用用途に用いられてきた。
医療用分野においては、Ｘ線は、胸部Ｘ線写真撮影、歯科Ｘ線写真撮影や、ＣＴ（Computer Tomogram）といった用途に用いられる。
工業用分野においては、Ｘ線は、構造物や溶接部などの物質内部を観察する非破壊検査、断層非破壊検査といった用途に用いられる。
研究用分野においては、Ｘ線は、物質の結晶構造を解析するためのＸ線回折、物質の構成元素を分析するためのＸ線分光（蛍光Ｘ線分析）といった用途に用いられる。

Ｘ線は、Ｘ線管を用いて発生させることができる。
Ｘ線管は、その内部に一対の電極（陽極、陰極）を有する。陰極フィラメントに電流を流して加熱しておき、陽極と陰極間に高電圧を印加すると、フィラメントから発生するマイナスの熱電子が陽極表面にあるターゲットに高速で衝突し、当該ターゲットからＸ線が発生する。
またＸ線管において、陽極側のターゲットを液体金属ジェットとし、このターゲットに電子ビームを照射することにより、高輝度のＸ線を取り出す技術も知られている。

Ｘ線のうち比較的波長の長い軟Ｘ線領域にある波長１３．５ｎｍの極端紫外光（以下、「ＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）光」ともいう）は、近年露光光として使用されている。
ここで、微細パターンが構成されているＥＵＶリソグラフィ用のマスクの基材は、積層構造として、低熱膨張性ガラスから成る基板の上に、ＥＵＶ光を反射させるための多層膜（例えば、モリブデンとシリコン）が設けられてなる反射ミラーである。
そして、多層膜上に波長１３．５ｎｍの放射線を吸収する材料をパターニングすることで、ＥＵＶマスクが構成される。

ＥＵＶマスクにおける許容できない欠陥の大きさは、従来のＡｒＦマスクの場合に比べると大幅に小さくなっており検出することが困難となっている。
そこで、ＥＵＶマスクの検査として、通常はアクティニック検査（Actinic inspection）と呼ばれる、リソグラフィの作業波長と一致する波長の放射線を用いた検査が行われる。
例えば、波長１３．５ｎｍの放射線を用いて検査を行うと、ｌ０ｎｍよりも良好な分解能で欠陥を検出することが可能となる。

一般にＥＵＶ光源装置としては、ＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）光源装置、ＬＤＰ（Laser Assisted Discharge Produced Plasma）光源装置、及びＬＰＰ（Laser Produced Plasma）光源装置が挙げられる。
ＤＰＰ方式のＥＵＶ光源装置は、ＥＵＶ放射種（気相のプラズマ原料）を含む放電ガスが供給された電極間に高電圧を印加して、放電により高密度高温プラズマを生成し、そこから放射される極端紫外光を利用するものである。

ＬＤＰ光源装置は、ＤＰＰ光源装置が改良されたものであり、例えば、放電を発生させる電極（放電電極）表面にＥＵＶ放射種を含む液体状の高温プラズマ原料（例えば、Ｓｎ（スズ）やＬｉ（リチウム）等）を供給し、当該原料に対してレーザビーム等のエネルギービーム（例えば、電子ビームやレーザビーム等）を照射して当該原料を気化し、その後、放電によって高温プラズマを生成するものである。

ＬＰＰ光源装置は、ＥＵＶ放射用ターゲット材料である微小な液滴状に噴出されたスズ（Ｓｎ）、または、リチウム（Ｌｉ）等のドロップレットに対して、レーザ光を集光することにより当該ターゲット材料を励起してプラズマを発生させるものである。

このように、軟Ｘ線領域にあるＥＵＶ光を発生させるＥＵＶ光源装置として、ＤＰＰ方式（ＬＤＰ方式）や、ＬＰＰ方式の光源装置を使用することが可能である。
一方で、ＥＵＶ光源装置において、ＤＰＰ方式（ＬＤＰ方式）のものは、最終的には電極間の放電によってプラズマを生成しているので、ＥＵＶ原料に起因するデブリが発生しやすい。
ＬＰＰ方式のものは、ＥＵＶ原料である微細なスズのドロップレットをターゲットとし、それに励起用レーザ光を集光させるため、光源の構造が複雑である。また、スズのドロップレットを安定して落下・供給することが難しく、ＥＵＶ光を安定して生成することが困難である。

特許文献１には、円盤状の回転体に液体状のＸ線発生用のターゲット原料を塗布し、当該塗布された液体状原料にエネルギービーム（レーザビーム）を照射してＸ線を得る方法が提案されている。この方法によれば、比較的簡易な構成で、高輝度のＸ線を得ることが可能となる。
特許文献１に記載の方法をＥＵＶ光源装置に適用した場合、所謂ＬＰＰ方式に相当するが、液体状のＥＵＶ原料をドロップレットとして供給する必要がない。そのため、ＥＵＶ原料供給が容易で、かつ、確実に液体状のＥＵＶ原料にレーザビームを照射することが可能となり、比較的簡易な構成の装置でＥＵＶ放射を得ることが可能となる。

特許第６６５８３２４号公報

特許文献１のようなＬＰＰ方式の光源装置では、エネルギービームにより液体状原料を気化させ、その気化した原料に引き続きエネルギービームを照射することで原料を加熱励起して高温プラズマが生成される。生成された高温プラズマからは、ＥＵＶ光やより波長の短いＸ線等の放射線を取り出すことが可能である。

このように、エネルギービームによって生成されるプラズマを利用した光源装置は、例えばリソグラフィ装置や各種の検査装置の光源としての応用が期待されており、プラズマの発光効率を向上して放射線の強度を高くする技術が求められている。

以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、エネルギービームによって生成されるプラズマの発光効率を向上することが可能な光源装置を提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る光源装置は、エネルギービームにより液体原料をプラズマ化して放射線を取り出す光源装置であって、回転体と、原料供給部と、電場印加部とを具備する。
前記回転体は、前記エネルギービームが入射する位置に配置される。
前記原料供給部は、前記液体原料を前記回転体に供給する。
前記電場印加部は、前記回転体に供給された前記液体原料とは異なる電位に設定され、前記エネルギービームの照射によりプラズマが生成されるプラズマ生成領域に電場を印加する。

この光源装置では、エネルギービームが入射する位置に配置された回転体に液体原料が供給される。この液体原料はエネルギービームの照射によりプラズマ化する。プラズマが生成されるプラズマ生成領域には、液体原料とは異なる電位に設定された電場印加部を介して電場が印加される。これによりプラズマの状態を変化させることが可能となり、エネルギービームによって生成されるプラズマの発光効率を向上することが可能となる。

前記電場印加部は、前記プラズマ生成領域を挟んで前記回転体に面して配置された導電体であってもよい。

前記回転体は、表面及び裏面を有する円盤状の部材であり、前記表面に前記エネルギービームが入射するように配置されてもよい。この場合、前記電場印加部は、前記回転体の前記表面に対向して配置されてもよい。

前記光源装置は、さらに、前記回転体を収容し前記プラズマ生成領域が形成されるプラズマ生成部と、前記プラズマ生成領域に前記エネルギービームを取り込むビーム取り込み部と、前記プラズマ生成領域に生成された前記プラズマからの前記放射線を取り出す放射線取り出し部とを有するチャンバ部を具備してもよい。

前記電場印加部は、前記プラズマ生成部、前記ビーム取り込み部、又は前記放射線取り出し部の少なくとも１つを構成する部材であってもよい。

前記チャンバ部は、前記プラズマ生成領域に向けて突出した突出部を有してもよい。この場合、前記電場印加部は、前記突出部であってもよい。

前記チャンバ部は、前記ビーム取り込み部と前記放射線取り出し部とが接続されるチャンバ本体と、前記チャンバ本体の内部に少なくとも一部が設けられ前記回転体を収容する回転体収容チャンバとを具備してもよい。この場合、前記電場印加部は、前記回転体収容チャンバであってもよい。

前記回転体収容チャンバは、前記チャンバ本体と絶縁されていてもよい。

前記放射線は、Ｘ線、又は極端紫外光であってもよい。

前記放射線は、極端紫外光であってもよい。この場合、前記電場印加部は、前記回転体に供給された前記液体原料に対して高電位に設定されてもよい。

前記液体原料の電位は、負電位に設定されてもよい。この場合、前記電場印加部の電位は、グランド電位に設定されてもよい。

前記放射線は、硬Ｘ線であってもよい。この場合、前記電場印加部は、前記回転体に供給された前記液体原料に対して低電位に設定されてもよい。

前記液体原料の電位は、正電位に設定されてもよい。この場合、前記電場印加部の電位は、グランド電位に設定されてもよい。

前記光源装置は、さらに、前記プラズマからの前記放射線の状態を測定する放射線測定部と、前記放射線の状態の測定結果に基づいて前記液体原料と前記電場印加部との電位差を制御する電位制御部とを具備してもよい。

前記放射線測定部は、前記放射線の強度を測定してもよい。この場合、前記電位制御部は、前記放射線の強度の測定結果に基づいて前記放射線の強度が高くなるように前記液体原料と前記電場印加部との電位差を制御してもよい。

前記エネルギービームは、レーザ光であってもよい。

本発明によれば、エネルギービームによって生成されるプラズマの発光効率を向上することが可能となる。

本発明の第１の実施形態に係る光源装置の構成例を示す模式図である。 原料供給機構の構成例を示す模式図である。 プラズマ生成領域に電場を印加する簡易的なモデルを示す模式図である。 ＥＵＶ光を発生するプラズマに電場を印加した際のプラズマの挙動について説明するための模式図である。 硬Ｘ線を発生するプラズマに電場を印加した際のプラズマの挙動について説明するための模式図である。 第２の実施形態に係る光源装置の構成例を示す模式図である。 プラズマ生成領域に電場を印加する簡易的なモデルを示す模式図である。

以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。

＜第１の実施形態＞
［光源装置の基本構成］
図１は、本発明の第１の実施形態に係る光源装置の構成例を示す模式図である。
図１は、光源装置１を設置面から所定の高さの位置で水平方向に沿って切断した場合の模式的な断面を、上方から見た場合の図である。
図１では、光源装置１の構成及び動作を理解しやすいように、断面の構成等を説明する必要のない部分については、断面の図示を省略している。
以下、Ｘ方向を左右方向（Ｘ軸の正側が右側、負側が左側）、Ｙ方向を前後方向（Ｙ軸の正側が前方側、負側が後方側）、Ｚ方向を高さ方向（Ｚ軸の正側が上方側、負側が下方側）として説明を行う。
もちろん、本技術の適用について、光源装置１が使用される向き等が限定される訳ではない。

光源装置１は、エネルギービームＥＢによりプラズマ原料２３をプラズマ化して放射線Ｒを取り出すＬＰＰ方式の光源装置である。光源装置１は、例えば波長３０ｎｍ以下の硬Ｘ線から軟Ｘ線（ＥＵＶ光含む）までの放射線Ｒを放出することが可能である。
従って光源装置１を、Ｘ線発生装置、又はＥＵＶ光源装置（ＥＵＶ放射発生装置）として使用することが可能である。もちろん、他の波長帯域の放射線を出射する光源装置に、本技術を適用することも可能である。
以下では、エネルギービームＥＢの照射によりプラズマＰが生成される領域をプラズマ生成領域２１と記載する。

光源装置１は、筐体２と、真空チャンバ３と、エネルギービーム入射チャンバ４と、放射線出射チャンバ５と、原料供給機構６と、制御部７とを含む。
筐体２は、おおよその外形が立方体形状となるように構成される。
筐体２は、前方面に形成される出射孔８と、右側面に形成される入射孔９と、後方面に形成される２つの貫通孔１０及び１１と、左側面に形成される貫通孔１２とを有する。
筐体２の材料は限定されず、例えば金属製の筐体が用いられる。

本実施形態では、前方面の出射孔８を通り、Ｙ方向（前後方向）に延在するように、放射線Ｒの出射軸ＥＡが設定される。Ｘ線やＥＵＶ光等の放射線Ｒは、出射軸ＥＡに沿って取り出され、出射孔８から前方側に向かって放出される。
また本実施形態では、右側面の入射孔９から、後方側に向かって左斜めに延在するように、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡが設定される。
図１に示すように、筐体２の外部に、エネルギービームＥＢを出射するビーム源１３が設置される。ビーム源１３は、入射軸ＩＡに沿ってエネルギービームＥＢが筐体２の内部に入射するように設置される。
エネルギービームＥＢとしては、電子ビームやレーザビームを使用することが可能である。ビーム源１３の構成としては、これらのエネルギービームＥＢを出射可能な任意の構成が採用されてよい。

光源装置１には、複数のチャンバを含むチャンバ部Ｃが設けられる。具体的には、チャンバ部Ｃは、真空チャンバ３、エネルギービーム入射チャンバ（以下、単に入射チャンバという）４、及び放射線出射チャンバ(以下、単に出射チャンバという)５を有する。真空チャンバ３、入射チャンバ４および出射チャンバ５は、互いに空間的に接続される。すなわち、真空チャンバ３と入射チャンバ４とは互いに連結される。同様に、真空チャンバ３と出射チャンバ５とは互いに連結される。

なお、真空チャンバ３により、エネルギービームＥＢの照射によりプラズマ原料２３のプラズマを生成する「プラズマ生成部」が実現される。従って、真空チャンバ３には、上記したプラズマ生成領域２１が形成される。
また、入射チャンバ４により、プラズマ生成領域にエネルギービームを取り込む「ビーム取り込み部」が実現される。入射チャンバ４は、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡ上に位置するように形成される。
さらに、出射チャンバ５により、プラズマ生成領域に生成されたプラズマから放射線を取り出して出射する「放射線取り出し部」が実現される。出射チャンバ５は、放射線Ｒの出射軸ＥＡ上に配置される。

本実施形態では、チャンバ本体１４と、チャンバ本体１４の前方面から前方側に突出する外側突出部１５と、チャンバ本体１４の内周面から内部側に突出する２つの内側突出部１６及び１７とにより、チャンバ部Ｃ（真空チャンバ３、入射チャンバ４、及び出射チャンバ５）が構成される。
チャンバ部Ｃを構成する、チャンバ本体１４、外側突出部１５、及び２つの内側突出部１６及び１７の材料としては、金属材料が用いられる。

チャンバ本体１４は、おおよその外形が直方体形状となるように構成され、前後左右の各面が、筐体２の前後左右の各面とそれぞれ対向するように配置される。
また、チャンバ本体１４は、前方面と右側面との間の右前角部が、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡ上に位置するように配置される。

図１に示すように、チャンバ本体１４の前方面には、出射孔１８が形成される。出射孔１８は、放射線Ｒの出射軸ＥＡ上で、筐体２の前方面の出射孔８と並ぶ位置に形成される。
チャンバ本体１４の出射孔１８の周縁部から、前方側に突出するように外側突出部１５が構成される。外側突出部１５は、筐体２の出射孔８に内接するように、筐体２の出射孔８よりも前方側に大きく突出するように構成される。
また、チャンバ本体１４の内部側において、出射孔１８の周縁部から内部側に突出するように、内側突出部１６が構成される。
外側突出部１５及び内側突出部１６に囲まれた空間が、出射チャンバ５として機能する。出射チャンバ５を構成する部材である外側突出部１５及び内側突出部１６自体を、出射チャンバと呼ぶことも可能である。
外側突出部１５及び内側突出部１６は、チャンバ本体１４と一体的に形成されてもよいし、別個に形成されたのちにチャンバ本体１４に接続されてもよい。

出射チャンバ５は、放射線Ｒの出射軸ＥＡを中心軸として、コーン形状となるように構成される。出射チャンバ５は、放射線Ｒの出射軸ＥＡの方向において、中央部分の断面積が大きく、前後の端部に近づくにつれて断面積が小さくなるように構成される。すなわち、出射チャンバ５は、前後の端部に近づくにつれて絞られるような形状となる。

チャンバ本体１４の右前角部には、入射窓１９が形成される。入射窓１９は、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡ上で、筐体２の右側面の入射孔９と並ぶ位置に形成される。
また、チャンバ本体１４の右前角部の内部側において、入射窓１９を囲む位置からエネルギービームＥＢの入射軸ＩＡの方向に沿って突出するように、内側突出部１７が構成される。
チャンバ本体１４の内部空間のうち、内側突出部１７に囲まれた空間が、入射チャンバ４として機能する。入射チャンバ４を構成する内側突出部１７及びチャンバ本体１４の右前角部の部分自体を、入射チャンバと呼ぶことも可能である。
内側突出部１７は、チャンバ本体１４と一体的に形成されてもよいし、別個に形成されたのちにチャンバ本体１４に接続されてもよい。

入射チャンバ４は、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡを中心軸として、コーン形状となるように構成される。入射チャンバ４は、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡの方向において、チャンバ本体１４の内部側の端部に近づくにつれて断面積が小さくなるように構成される。すなわち、入射チャンバ４は、内部側の端部に近づくにつれて絞られるような形状となる。

チャンバ本体１４の内部空間のうち、出射チャンバ５として機能する内側突出部１６の内部空間、及び入射チャンバ４として機能する内側突出部１７の内部空間を除く空間が、真空チャンバ３として機能する。真空チャンバ３を構成する部分自体を、真空チャンバと呼ぶことも可能である。
図１に示すように、チャンバ本体１４は、筐体２の左側面の貫通孔１２から筐体２の外部に突出する部分を有し、その先端が排気用ポンプ２０に接続される。
排気用ポンプ２０により真空チャンバ３内が排気され、真空チャンバ３が減圧される。これにより、真空チャンバ３内にて生成される放射線Ｒの減衰が抑制される。
真空チャンバ３内は、入射チャンバ４及び出射チャンバ５に対して減圧雰囲気であればよく、必ずしも真空雰囲気でなくてもよい。また、真空チャンバ３内に不活性ガスが供給されていてもよい。
排気用ポンプ２０の具体的な構成は限定されず、真空ポンプ等の任意のポンプが用いられてよい。

原料供給機構６は、真空チャンバ３内のプラズマ生成領域２１にてプラズマＰを生成し、放射線Ｒ（Ｘ線、ＥＵＶ光）を放出するための機構である。
原料供給機構６は、原料供給用の円盤状の回転体２２、及び液相のプラズマ原料（放射線原料）２３を収容するコンテナ２４を含む。回転体２２及びコンテナ２４は、真空チャンバ３の内部に配置される。
図１に示すように、円盤状の回転体２２には、エネルギービームＥＢが入射する入射領域２５が設定されている。回転体２２は、入射領域２５が入射軸ＩＡと出射軸ＥＡとの交点の位置に配置されるように、真空チャンバ３内に配置される。
回転体２２の入射領域２５にはプラズマ原料２３が供給され、入射領域２５にエネルギービームＥＢが入射することで、プラズマＰが生成される。
真空チャンバ３内のプラズマＰが生成される領域（空間）が、プラズマ生成領域２１となる。従って、プラズマ生成領域２１は、回転体２２の入射領域２５の位置に対応した領域となる。

光源装置１には、このようにエネルギービームＥＢの照射によりプラズマＰが生成されるプラズマ生成領域２１に電場を印加する電場印加部５０が設けられる。電場印加部５０は、回転体２２に供給されたプラズマ原料２３とは異なる電位に設定される部材である。従って、電場印加部５０の電位は、プラズマ原料２３に対して高電位（又は低電位）となるように設定される。

典型的には、電場印加部５０は、プラズマ生成領域２１を挟んで回転体２２に面して配置された導電体である。とくに電場印加部５０は、高温プラズマＰにさらされた部分となるため、高融点の金属等を用いて構成することが好ましい。
電場印加部５０の電位を適宜設定することで、プラズマ原料２３と電場印加部５０との間の空間には、プラズマ原料２３と電場印加部５０との間の電位差（電圧）に応じた電場が発生する。この電場がプラズマ生成領域２１に印加される。

本実施形態では、電場印加部５０は、チャンバ部Ｃを構成する部材である。具体的には、真空チャンバ３、入射チャンバ４、又は出射チャンバ５の少なくとも１つを構成する部材が、電場印加部５０として用いられる。
図１に示す例では、真空チャンバ３を構成するチャンバ本体１４と、出射チャンバ５を構成する内側突出部１６と、入射チャンバ４を構成する内側突出部１７とが電気的に接続され、チャンバ本体１４、内側突出部１６、及び内側突出部１７により電場印加部５０が構成される。
電場印加部５０に設定される電位や、電場が印加されたプラズマＰの挙動等については、後に詳しく説明する。

制御部７は、光源装置１が有する各構成要素の動作を制御する。
例えば、制御部７により、ビーム源１３や排気用ポンプ２０の動作が制御される。また制御部７により、後に説明する各種モータ、プラズマ原料循環装置、外部電圧源等の動作が制御される。
制御部７は、例えばＣＰＵやメモリ（ＲＡＭ、ＲＯＭ）等のコンピュータに必要なハードウェア回路を有する。ＣＰＵがメモリに記憶されている制御プログラムをＲＡＭにロードして実行することにより、種々の処理が実行される。
制御部７として、例えばＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等のＰＬＤ(Programmable Logic Device)、その他ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）等のデバイスが用いられてもよい。
図１では、制御部７は機能ブロックとして模式的に図示されているが、制御部７が構成される位置等は任意に設計されてよい。

本実施形態では、制御部７は、後述する放射線診断部２９からの放射線Ｒの状態の測定結果に基づいてプラズマ原料２３と電場印加部５０との電位差を制御する。
図１に示す例では、光源装置１は、外部電圧源５１に接続される。外部電圧源５１は、プラズマ原料２３（コンテナ２４）に接続され、プラズマ原料２３に任意の電圧をかける電圧源である。制御部７は、放射線Ｒの状態に応じて外部電圧源５１の出力を調整し、プラズマ原料２３と電場印加部５０との電位差を制御する。以下では、プラズマ原料２３と電場印加部５０との電位差を、プラズマ生成領域２１に対する印加電圧Ｖと記載する。
本実施形態では、制御部７は、電位制御部として機能する。

以下、光源装置１を構成する各種チャンバ、及び原料供給機構６について、詳しく説明する。

[入射チャンバ]
入射チャンバ４は、チャンバ本体１４の右前角部において、内側突出部１７により構成される。チャンバ本体１４の右前角部には入射窓１９が配置され、ビーム源１３から出射されるエネルギービームＥＢは、入射窓１９を通って、入射軸ＩＡに沿って、入射チャンバ４の内部に入射する。
なお、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡは、入射チャンバ４の内部に入射するエネルギービームＥＢの光軸（主軸）とも言える。

入射窓１９は、エネルギービームＥＢを透過可能な材料からなり、入射チャンバ４の内外の圧力差に耐え得る厚さで設計される。
エネルギービームＥＢが電子ビームの場合、例えば、チタンやアルミニウムといった金属の膜を用いることができる。
エネルギービームＥＢがレーザビームの場合、例えば、ガラス材料（石英ガラス）を用いることができる。
その他、エネルギービームＥＢを透過可能な任意の材料が用いられてよい。

内側突出部１７は、回転体２２の表面２２ａの入射領域２５に向かって突出し、突出側の先端に入射側アパーチャ２６が形成される。
入射側アパーチャ２６は、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡ上にて、入射窓１９と並ぶように配置される。
入射側アパーチャ２６は、エネルギービームＥＢを入射チャンバ４から真空チャンバ３内に入射する。すなわち入射窓１９から入射軸ＩＡに沿って進行するエネルギービームＥＢは、入射側アパーチャ２６を通って、真空チャンバ３内に配置された回転体２２に入射する。

入射チャンバ４の内部には、飛散したプラズマ原料２３やデブリを捕捉するための捕捉機構が配置される。
図１に示す例では、補足機構として、エネルギービームＥＢを透過し、プラズマ原料２３やデブリを捕捉する板状の回転部材である回転式窓２７が配置される。回転式窓２７は、例えば、円盤状に構成される。
回転式窓２７中心部には、図示を省略したモータの回転軸が取り付けられている。モータが回転軸を回転させることにより、回転式窓２７は回転する。モータは、制御部７によって駆動制御される。
モータは、筐体２の外部に形成され、筐体２及びチャンバ本体１４に形成された図示しない貫通孔を通って回転軸が回転式窓２７に接続される。チャンバ本体１４に回転軸を導入する際にはメカニカルシールが用いられ、入射チャンバ４内の雰囲気（後述するガス雰囲気）を維持しつつ、回転式窓２７の回転が許容される。
また、回転式窓２７を回転させる回転軸は、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡとはオフセットされた位置に配置される。これにより、エネルギービームＥＢは、回転式窓２７の回転軸に干渉されず、回転式窓２７のビーム透過領域を通って進行することが可能となる。
回転式窓２７を回転させることで、回転式窓２７のビーム透過領域の実質的な面積を増大させることが可能となり、回転式窓２７の長寿命化を図ることが可能となり、回転式窓２７の交換頻度を低減することが可能となる。

図１に示すように、チャンバ本体１４には、入射チャンバ４に連結するように、ガス注入路２８が設置される。ガス注入路２８を介して、図示を省略したガス供給装置から、入射チャンバ４内にガスが供給される。
供給されるガスは、エネルギービームＥＢに対して透過率の高いガスであり、例えばアルゴン（Ａｒ）やヘリウム（Ｈｅ）といった希ガス等が採用される。
ガスは、入射チャンバ４の内部の圧力を増加させるために供給される。すなわちガス注入路２８から入射チャンバ４内にガスが供給されることにより、入射チャンバ４の内部圧力を、真空チャンバ３の内部圧力よりも十分に高い圧力に維持することが可能となる。
内側突出部１７は、突出側（入射側アパーチャ２６が形成されている側）に進むにつれて断面積が小さくなるコーン形状からなる。そして、その先端部には入射側アパーチャ２６が設けられている。これにより、ガスを供給して入射チャンバ４の内部圧力を増加させることに有利な構成となっている。
また内側突出部１７がコーン形状に構成されることで、チャンバ本体１４内において内側突出部１７が占める空間を小さくすることが可能となり、他の部材の配置設計等の自由度を向上させることが可能となる。この結果、装置の小型化を図ることが可能となる。

[出射チャンバ]
出射チャンバ５は、出射軸ＥＡを中心軸とするコーン形状からなり、前方側の端部（外側突出部１５の前方側の端部）にマスク検査装置等の利用装置が接続される。図１に示す例では、利用装置の一部をなすチャンバとして、アプリケーションチャンバ３０が接続される。
アプリケーションチャンバ３０内の圧力は大気圧であってもよい。また、アプリケーションチャンバ３０の内部は、必要に応じてガス注入路３１よりガス（例えば、不活性ガス）を導入してパージしてもよい。またアプリケーションチャンバ３０の内部のガスは図示を省略した排気手段により排気されていてもよい。

図１に示すように、外側突出部１５には、出射チャンバ５に連結するように、ガス注入路３２が設置される。ガス注入路３２を介して、図示を省略したガス供給装置から、出射チャンバ５内にガスが供給される。
供給されるガスは、放射線Ｒに対して透過率の高いガスであり、例えばアルゴンやヘリウムといった希ガス等が採用される。
アルゴンやヘリウムは、エネルギービームＥＢ及び放射線Ｒの両方に対して透過率の高いガスとして用いることが可能である。従って、入射チャンバ４及び出射チャンバ５の両方に同じガスが供給されてもよい。
この場合、ガス供給装置を共通して用いることが可能となるので、装置の簡素化を図ることが可能である。もちろん入射チャンバ４に供給されるガスと、出射チャンバ５に供給されるガスとして、互いに異なるガスが用いられてもよい。
ガスは、出射チャンバ５の内部の圧力を増加させるために供給される。すなわち、ガス注入路３２から出射チャンバ５内にガスが供給されることにより、出射チャンバ５の内部圧力を、真空チャンバ３の内部圧力よりも十分に高い圧力に維持することが可能となる。

出射チャンバ５の内部には、出射チャンバ５の内に入射した放射線Ｒを利用装置内（アプリケーションチャンバ３０内）に導光して集光するためのコレクタ（集光鏡）３３が配置されている。図１では、出射チャンバ５に入射し集光される放射線Ｒの成分がハッチングにて図示されている。
コレクタ３３の外表面は、冷却と位置合わせの目的で出射チャンバ５の内面（外側突出部１５の内面）に接触している。
コレクタ３３としては、例えば、単一シェルの斜入射反射鏡が用いられる。コレクタ３３本体は、金属部材（例えばアルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、ステンレス）で構成される。

コレクタ３３の内側の反射面の反射コーティングは任意であるが、放射線Ｒを反射する反射コーティング材料としては、例えばルテニウム（Ｒｕ）が好適である。
なお、コレクタ３３を、本体に高価なＲｕをコーティングした構造とする代わりに、本体をガラス（二酸化ケイ素：ＳｉＯ２）とし、内側を研磨して放射線反射面を形成するように構成してもよい。
このガラス製コレクタは、反射面の反射率はＲｕコーティングが施された金属部材製コレクタと比較すると反射率は低いものの、当該Ｒｕコーティングコレクタと比較すると材料コストが非常に低く、頻繁な交換が可能となる。

出射チャンバ５を構成する内側突出部１６は、回転体２２の表面２２ａの入射領域２５に向かって突出し、突出側の先端に出射側アパーチャ３４が形成される。
出射側アパーチャ３４は、放射線Ｒの出射軸ＥＡ上にて、チャンバ本体１４の出射孔１８、及び筐体２の出射孔８と並ぶように配置される。
出射側アパーチャ３４は、放射線Ｒを真空チャンバ３から出射チャンバ５内に入射させる。すなわち、プラズマＰから放出される放射線Ｒの一部が、出射側アパーチャ３４を通ってコレクタ３３に入射する。コレクタ３３により放射線Ｒが導光され、アプリケーションチャンバ３０内にて集光される。
出射側アパーチャ３４の開口面積を適宜設計することで、コレクタ３３に入射する放射線Ｒの開き角を制御することが可能となる。
なお、放射線Ｒの出射軸ＥＡは、プラズマＰから出射チャンバ５内に取り込まれる放射線Ｒの光軸（主軸）とも言える。

内側突出部１６は、突出側（出射側アパーチャ３４が形成されている側）に進むにつれて断面積が小さくなるコーン形状からなる。従って、内側突出部１６をコレクタコーンと呼ぶことも可能である。
コーン形状からなる内側突出部１６の先端部には出射側アパーチャ３４が設けられているので、ガスを供給して出射チャンバ５の内部圧力を増加させることに有利な構成となっている。
また内側突出部１６がコーン形状に構成されることで、チャンバ本体１４内において内側突出部１６が占める空間を小さくすることが可能となり、他の部材の配置設計等の自由度を向上させることが可能となる。この結果、装置の小型化を図ることが可能となる。

図１に示すように、出射チャンバ５とアプリケーションチャンバ３０との間には、フィルタ膜３５が設けられる。
フィルタ膜３５は、真空チャンバ３内のプラズマ生成領域２１と、アプリケーションチャンバ３０とを物理的に分離する（物理的に空間を分離する）ためのものであり、飛散するプラズマ原料２３やデブリのアプリケーションチャンバ３０への進入を防止する。
フィルタ膜３５は、プラズマ生成領域２１で発生する放射線Ｒを透過する材料からなる。放射線ＲがＸ線の場合、フィルタ膜３５は例えば、Ｘ線に対する透過率が非常に高いベリリウム薄膜により構成される。放射線ＲがＥＵＶ光の場合は、例えば、ジルコニウム（Ｚｒ）により構成される。

なお、出射チャンバ５内はガスが供給されるものの真空チャンバ３と空間的に接続されるので減圧雰囲気である。一方、アプリケーションチャンバ３０内は、上記したように大気圧であってもよい。
この場合、出射チャンバ５とアプリケーションチャンバ３０との間には圧力差が生じる。よって、フィルタ膜３５の厚みは、この圧力差に耐え得る厚みとなる。すなわち、フィルタ膜３５は、真空チャンバ３と空間的に接続される出射チャンバ５内の減圧雰囲気を破壊しないように構成される。

出射チャンバ５の内部には、遮蔽部材（中央掩蔽）３６が配置される。
遮蔽部材３６は、放射線Ｒの出射軸ＥＡ上にて、チャンバ本体１４の出射孔１８、筐体２の出射孔８、及びフィルタ膜３５と並ぶように配置される。
プラズマＰから放出され出射チャンバ５に入射する放射線Ｒの中には、コレクタ３３により集光されずに、出射チャンバ５内を進行する放射線成分も存在し得る。この集光されない放射性成分の少なくとも一部は広がりながら進行する。このような放射線成分は、通常、利用装置では利用されず、不要な場合が多い。
本実施形態では、遮蔽部材３６により、コレクタ３３により集光されない放射線成分を遮光することが可能である。

また図１に示すように、本実施形態では、入射チャンバ４の後方側に、左右方向に延在するようにガスノズル３７が設置される。ガスノズル３７は、チャンバ本体１４の右側面に、シール部材等を介して設置される。
ガスノズル３７は、図示を省略したガス供給装置に接続され、チャンバ本体１４内にガスを供給する。
図１に示す例では、ガスノズル３７から、入射軸ＩＡと出射軸ＥＡとの間の軸間領域の右側から左右方向に沿って左側に向かってガスが吹き付けられる。これにより、入射領域２５から放出されるデブリを、入射軸ＩＡ及び出射軸ＥＡから遠ざかる方向に移動させることが可能となる。

［原料供給機構］
図２は、原料供給機構６の構成例を示す模式図である。
図２には、図１の矢印Ａの方向から回転体２２及びコンテナ２４を見た場合が図示されている。従って図２には、回転体２２の表面２２ａ側が図示されている。
図１及び図２に示すように、原料供給機構６は、回転体２２と、コンテナ２４と、モータ３８と、軸部３９と、スキマー４０と、プラズマ原料循環装置４１とを含む。

回転体２２は、円盤状の部材であり、回転軸Ｏを中心に回転することで、プラズマ生成領域２１にプラズマ原料２３を供給する。回転体２２は、表面２２ａ及び裏面２２ｂを有し、表面２２ａにエネルギービームＥＢが入射するように配置される。また表面２２ａの所定の位置に、エネルギービームＥＢが入射する入射領域２５が設定される。
逆に言えば、回転体２２の２つの主面のうち、エネルギービームＥＢが入射する入射領域２５が設定される主面が表面２２ａとなる。そして反対側の主面が、裏面２２ｂとなる。

従ってプラズマＰが生成されるプラズマ生成領域２１は、回転体２２の表面２２ａに面した領域となる。プラズマ生成領域２１に電場を印加する電場印加部５０は、回転体２２の表面２２ａに対向して配置される。ここで、表面２２ａに対向する配置とは、例えば表面２２ａに面する位置（表面２２ａから見える位置）に配置することを意味する。
図１に示す例では、電場印加部５０となるチャンバ本体１４の前方側の内壁と内側突出部１７とが、表面２２ａに対向して配置されている。このように、表面２２ａに対向する部材を電場印加部５０として用いることで、プラズマ生成領域２１に効率的に電場を印加することが可能となる。

なお、プラズマ生成領域２１に電場を印加するため、原料供給機構６のうちプラズマ原料２３に接触する部分（回転体２２、コンテナ２４、スキマー４０、プラズマ原料循環装置４１）や、それらと電気的に接続する部分（モータ３８や軸部３９）は、電場印加部５０となる部分（図１ではチャンバ本体１４、内側突出部１６及び１７）に対して絶縁される。
従って、コンテナ２４は、絶縁性の土台等を介してチャンバ本体１４に配置され、コンテナ２４や回転体２２に接続する部分も、チャンバ本体１４等とショートしないように適宜構成される。

回転体２２は、例えばタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）等の高融点金属を用いて構成される。
回転体２２は、下方側の一部が、コンテナ２４に貯留されたプラズマ原料２３に浸漬されている。このとき、回転体２２の位置や、コンテナ２４内のプラズマ原料２３の貯留量は、少なくとも回転体２２の表面２２ａの一部がプラズマ原料２３に浸かるように設定される。

放射線ＲとしてＸ線が出射される場合は、プラズマ原料２３としてＸ線原料が用いられる。Ｘ線原料は常温で液体状である金属であり、例えば、ガリウム（Ｇａ）や、ガリウム、インジウム（Ｉｎ）及びスズ（Ｓｎ）の共晶合金であるガリンスタン（登録商標）などのガリウム合金を用いることができる。
放射線ＲとしてＥＵＶ光が出射される場合は、プラズマ原料２３としてＥＵＶ原料が用いられる。ＥＵＶ光を放出するための原料としては、例えば、液体状のスズ（Ｓｎ）やリチウム（Ｌｉ）が用いられる。
Ｓｎ、Ｌｉは常温では固体であるので、コンテナ２４には図示を省略した温調手段が設けられる。例えば、ＥＵＶ原料がＳｎの場合は、コンテナ２４はＳｎの融点以上の温度に維持される。

回転体２２の裏面２２ｂの中心部には、モータ３８の軸部３９が接続される。制御部７によりモータ３８の動作が制御され軸部３９を介して回転体２２が回転される。
軸部３９は、回転体２２の表面２２ａに直交する方向に延在する柱状の部材であり、その中心軸が回転体２２及びモータ３８の回転軸Ｏとなる。
軸部３９は、筐体２の貫通孔１０を通り、メカニカルシール４２を介して、真空チャンバ３内に導入される。このとき、軸部３９は、筐体２（貫通孔１０）と接触しないように配置される。メカニカルシール４２は、真空チャンバ３内の減圧雰囲気を維持しつつ、軸部３９の回転を許容する。またメカニカルシール４２は、電気絶縁性の材料を用いて構成され、軸部３９（回転体２２）を真空チャンバ３に対して絶縁する。

上記したように、回転体２２は、コンテナ２４に貯留されたプラズマ原料２３に浸漬するように配置される。この状態で、回転体２２が軸部３９を中心に回転すると、表面２２ａになじんだプラズマ原料２３がコンテナ２４から引き上げられる。この方式により、表面２２ａの全周にわたってプラズマ原料２３が塗布される。また、表面２２ａに塗布されたプラズマ原料２３は、回転体２２の回転とともに、エネルギービームＥＢの入射領域２５に輸送される。
このように、本実施形態では、コンテナ２４、モータ３８、及び軸部３９により、回転体２２にプラズマ原料２３が供給される。本実施形態では、コンテナ２４、モータ３８、及び軸部３９により、原料供給部が実現される。

図２に示すように、本実施形態では、回転体２２の表面２２ａの周縁部の近傍に、エネルギービームＥＢが入射する入射領域２５が設定される。この入射領域２５にプラズマ原料２３が供給されるように、原料供給部（モータ３８及び軸部３９）の構成及び動作が適宜設計される。

スキマー４０は、回転体２２の表面２２ａ上に供給されるプラズマ原料２３の膜厚を所定の膜厚に調整するための膜厚調整部材として、回転体２２の周縁部の所定の位置に設けられる。
スキマー４０は、例えばチャネル構造を有する構造体であって、その内側に回転体２２を挟むように所定の間隙をもって配置される。スキマー４０は、回転体２２の表面２２ａに塗布されたプラズマ原料２３の一部を削ぎとるスクレーパーとして機能する。

回転体２２の表面２２ａとスキマー４０との間隔は、回転体２２の表面２２ａのエネルギービームＥＢが入射する入射領域２５におけるプラズマ原料２３の膜厚に対応する。そして、スキマー４０は、回転体２２の表面２２ａの入射領域２５におけるプラズマ原料２３の膜厚を、所定の膜厚に調整可能な位置に配置される。
回転体２２の表面２２ａとスキマー４０との間隔を適宜設定する。これにより、コンテナ２４の原料貯留部分において回転体２２に塗布された液体状のプラズマ原料２３は、回転体２２の回転によってスキマー４０を通過する際に、回転体２２上における膜厚が所定の膜厚となるように調整される。

スキマー４０によって膜厚が調整された回転体２２上のプラズマ原料２３は、回転体２２の回転とともにエネルギービームＥＢが入射する入射領域２５に輸送される。すなわち、回転体２２の回転方向は、回転体２２上のプラズマ原料２３がスキマー４０を通過後、入射領域２５に輸送される方向である。そして、入射領域２５において、回転体２２上のプラズマ原料２３にエネルギービームＥＢが照射され、プラズマＰが発生される。
スキマー４０により、入射領域２５にほぼ均一にプラズマ原料２３を供給することが可能となる。入射領域２５におけるプラズマ原料２３の厚みを安定させることにより、プラズマＰから放射される放射線Ｒの強度を安定させることが可能となる。

プラズマ原料循環装置４１は、放射線Ｒの発生動作によりプラズマ原料２３が消費された場合に、適宜コンテナ２４にプラズマ原料２３を補充する。また、プラズマ原料循環装置４１は、プラズマ原料２３の温度調整機構（冷却機構）としても機能する。

図２に示すように、プラズマ原料循環装置４１は、原料流入管路４４と、原料排出管路４５と、原料貯留槽４６と、原料駆動部（ポンプ）４７と、温度調整機構４８とを含む。
原料貯留槽４６には、プラズマ原料２３が貯留される。
原料流入管路４４及び原料排出管路４５は、原料貯留槽４６とコンテナ２４とを連通するように、原料貯留槽４６とコンテナ２４との間に設置される。
原料駆動部４７は、原料流入管路４４に設置される。原料駆動部４７が駆動することにより、原料貯留槽４６に貯留されたプラズマ原料２３が原料流入管路４４に流出し、原料貯留槽４６、原料流入管路４４、コンテナ２４、及び原料排出管路４５の循環系にて、プラズマ原料２３を循環させることが可能となる。
原料駆動部４７としては、例えば磁力により液体金属（プラズマ原料２３）を輸送することが可能な電磁ポンプが用いられる。もちろん、他の種類のポンプが用いられてもよい。

本実施形態では、原料貯留槽４６及び原料駆動部４７は、真空チャンバ３の外部であって、さらに筐体２の外部に配置される。
プラズマ原料循環装置４１からコンテナ２４へと延びる原料流入管路４４及び原料排出管路４５は、筐体２の貫通孔１１を通り、シール部材４９を介して真空チャンバ３内に導入され、コンテナ２４に接続される。このとき、原料流入管路４４及び原料排出管路４５は、筐体２（貫通孔１１）と接触しないように配置される。
シール部材４９は、真空チャンバ３内の減圧雰囲気を維持しつつ、原料流入管路４４及び原料排出管路４５を真空チャンバ３の外側から内側へ貫通するのを許容する。またシール部材４９は、電気絶縁性の材料を用いて構成され、原料流入管路４４及び原料排出管路４５（プラズマ原料２３）を真空チャンバ３に対して絶縁する。

回転体２２の表面２２ａに塗布されたプラズマ原料２３のうち、エネルギービームＥＢが照射された部分は消費される。そのため、放射線Ｒ（Ｘ線又はＥＵＶ光）の発生動作を長期間安定して行うためには、大容量のプラズマ原料２３をコンテナ２４に貯留する必要がある。
一方で、光源装置１の真空チャンバ３の大きさとの兼ね合いから、真空チャンバ３の内部に収容可能なコンテナ２４の大きさには制約があり、大容量のプラズマ原料２３をコンテナ２４に貯留することが困難な場合も多い。
そこで、大容量のプラズマ原料２３を貯留可能な原料貯留槽４６を真空チャンバ３の外部に設置し、原料流入管路４４を介してコンテナ２４の原料貯留部分にプラズマ原料２３を補充可能に構成する。
これにより、コンテナ２４の原料貯留部分のプラズマ原料２３の量は長期間一定に保たれ、結果として放射線Ｒの発生動作を長期間安定して行うことが可能となる。
すなわち、プラズマ原料循環装置４１は、コンテナ２４の原料貯留部分のプラズマ原料２３の量が一定となるように、コンテナ２４の原料貯留部分と原料貯留槽４６との間でプラズマ原料２３を循環する。

また、回転体２２の表面２２ａに塗布されたプラズマ原料２３にエネルギービームＥＢが照射されると、当該プラズマ原料２３（ターゲット）より放射線Ｒが発生すると同時に、回転体２２自体が加熱される。この加熱された回転体２２は、プラズマ原料２３が貯留されているコンテナ２４の原料貯留部分を通過する度に、コンテナ２４内のプラズマ原料２３との間で熱交換を行う。
そのため、そのままではコンテナ２４内のプラズマ原料２３の温度は徐々に変化してしまう。プラズマ原料２３の粘度が温度により変化する場合、プラズマ原料２３の温度の変化によりプラズマ原料２３に対する回転体２２の濡れ性が変化し、回転体２２へのプラズマ原料２３の付着状態が変化する。その結果、放射線Ｒの出力も変化するおそれがある。

本実施形態に係るプラズマ原料循環装置４１は、比較的大型の原料貯留槽４６を真空チャンバ３の外部（筐体２の外部）に備える。
そのため、コンテナ２４の原料貯留部分において温度変化したプラズマ原料２３が原料排出管路４５を介して原料貯留槽４６に流入したとしても、原料貯留槽４６内のプラズマ原料２３の温度はさほど変化せず、ほぼ一定に保たれる。
そして、ほぼ一定に温度が保たれたプラズマ原料２３が、原料流入管路４４を介してコンテナ２４に流入される。
このように、プラズマ原料循環装置４１によりプラズマ原料２３を循環させることで、コンテナ２４内のプラズマ原料２３の温度はほぼ一定に保たれる。従って、回転体２２へのプラズマ原料２３の付着状態も安定し、放射線Ｒの出力を安定させることが可能となる。

さらに、原料貯留槽４６内のプラズマ原料２３の温度が、原料貯留槽４６の内部に設けられた温度調整機構４８によって調整されてもよい。
原料貯留槽４６は、真空チャンバ３の外部（筐体２の外部）に設置されているため、真空チャンバ３の大きさに左右されない大容量の温度調整機構４８を用いることができる。これにより、プラズマ原料２３の温度を短時間で確実に所定の温度に調整することが可能となる。

このように、温度調整機構４８を有するプラズマ原料循環装置４１を用いることにより、プラズマ原料２３の温度を一定に保ったまま、コンテナ２４の原料貯留部分にプラズマ原料２３を供給することが可能となる。
例えば、液体状態における温度が常温よりも低い液体金属が、プラズマ原料２３として用いられるとする。この場合でも、常温よりも低い温度に保ったまま、液相のプラズマ原料２３を、コンテナ２４に供給することが可能である。
また、液体状態における温度が常温よりも低い液体金属が、プラズマ原料２３として用いられるとする。この場合でも、常温より高い温度に保ったまま、液相のプラズマ原料２３を、コンテナ２４に供給することが可能である。

また、図１に示すように、本実施形態では、チャンバ本体１４の前面側にて、真空チャンバ３と空間的に接続される領域に、放射線診断部２９が構成される。放射線診断部２９は、放射線Ｒの出射軸ＥＡとは異なる方向に放射される放射線Ｒが入射する位置に構成される。
放射線診断部２９は、プラズマＰからの放射線Ｒの状態を測定する。ここで放射線Ｒの状態とは、放射線Ｒの強度、波長、スペクトルといった放射線Ｒの物理的状態である。例えば、放射線Ｒの有無を検出する検出器や、放射線の出力を測定する測定器により放射線診断部２９が構成される。
放射線診断部２９による測定結果は、放射線Ｒの診断や、プラズマＰへの印加電圧Ｖの制御に用いられる。

また、図１に示すように、本実施形態では、筐体２の外側に外部電圧源５１が配置される。外部電圧源５１は、例えばＧＮＤ電位を基準として正側の高電圧（＋ＨＶ）や、負側の高電圧（－ＨＶ）を出力可能である。外部電圧源５１において高電圧が印加される出力端子は、筐体２を貫通するフィードスルー５２と、チャンバ本体１４を貫通するフィードスルー５３とを介して、コンテナ２４に接続される。フィードスルー５２及び５３は、電気絶縁性の材料を用いて構成される。またフィードスルー５３は、真空チャンバ３内の減圧雰囲気を維持する。
上記した制御部７が外部電圧源５１を制御することで、プラズマ原料２３と電場印加部５０との電位差（印加電圧Ｖ）が制御される。

［プラズマ生成領域への電場の印加］
図３は、プラズマ生成領域２１に電場を印加する簡易的なモデルを示す模式図である。
上記したように、本実施形態では、チャンバ本体１４（真空チャンバ３）が、電場印加部５０として設定される。すなわち、プラズマ生成領域２１に真空雰囲気（減圧雰囲気）を形成する容器（チャンバ本体１４）の構成部材が、電場印加部５０として利用される。
なお図１に示す例では、チャンバ本体１４の内壁に設けられ、プラズマ生成領域２１に向けて突出した内側突出部１６及び１７も、チャンバ本体１４と電気的に接続されており、電場印加部５０として機能する。

図３には、プラズマ原料２３が供給される回転体２２と、電場印加部５０となるチャンバ本体１４とが、絶縁体５５を介して接続されたモデルが模式的に図示されている。また図３では、内側突出部１６及び１７の図示は省略している。
例えばコンテナ２４をチャンバ本体１４に配置するための絶縁性の土台、モータ３８の軸部３９をチャンバ本体１４に通す絶縁性のメカニカルシール４２、及び原料流入管路４４及び原料排出管路４５をチャンバ本体１４に通す絶縁性のシール部材４９等が、絶縁体５５となる。
このように各種の絶縁体５５を間に設けることで、回転体２２とチャンバ本体１４とは電気的に分離される。

また、図３に示すように、本実施形態では、回転体２２（プラズマ原料２３）が、外部電圧源５１（図３ではＨＶと記載）に接続され、チャンバ本体１４がＧＮＤ電位に接続される。
例えば、外部電圧源５１からＧＮＤ電位を基準として正の高電圧（＋ＨＶ）が出力されると、回転体２２に供給されたプラズマ原料２３は、チャンバ本体１４に対して高電位となる。逆に、外部電圧源５１からＧＮＤ電位を基準として負の高電圧（－ＨＶ）が出力されると、回転体２２に供給されたプラズマ原料２３は、チャンバ本体１４に対して低電位となる。

この場合、プラズマ生成領域２１には、プラズマ原料２３とチャンバ本体１４との間の電位差（＋ＨＶ又は－ＨＶ）に応じた電場が印加される。例えばプラズマ原料２３にかけられる電圧が大きいほど、プラズマ生成領域２１にかかる電場の強度は大きくなる。
また、プラズマ原料２３とチャンバ本体１４との距離が短いほど、プラズマ生成領域２１にかかる電場の強度は大きくなる。例えばチャンバ本体１４と電気的に接続された内側突出部１６（又は内側突出部１７）がプラズマ生成領域２１に向けて突出していることで、電場の強度を大きくすることが可能である。

このように、プラズマ原料２３側に高電圧を印加し、チャンバ本体１４はＧＮＤ電位に落とす構成とすることで、例えばチャンバ本体１４を筐体２等に対して電気的に分離する必要がなくなる。またチャンバ本体１４や筐体２に作業者等が直接触れた場合でも感電するおそれがなく、安全な装置を実現することが可能である。
以下では、プラズマ生成領域２１における電場の働きについて説明する。

［ＥＵＶ光源における電場の働き］
図４は、ＥＵＶ光を発生するプラズマに電場を印加した際のプラズマの挙動について説明するための模式図である。
以下では、図４を参照して、ＥＵＶ光を発生するプラズマＰが生成され、そのプラズマＰに電場が印加される場合について説明する。この場合、プラズマ原料２３としては、ＥＵＶ原料となるＳｎやＬｉ等が用いられる。またエネルギービームＥＢの強度及び波長（エネルギー）は、ＥＵＶ光を発生可能なように適宜設定される。

光源装置１では、エネルギービームＥＢがプラズマ原料２３に照射されることで、プラズマ原料２３を構成する原子が負電荷をもつ電子６０と正電荷をもつイオン６１とに分離されて、プラズマＰが生成される。このため、プラズマＰには、負電荷の電子６０と正電荷のイオン６１とが多数含まれる。
図４には、プラズマＰを構成するイオン６１が大きい円で模式的に図示されており、またプラズマＰを構成する電子６０が小さい円で模式的に図示されている。また、プラズマ原料２３が供給されエネルギービームＥＢが入射する回転体２２と、ＧＮＤ電位に接続された電場印加部５０とが矩形の領域として模式的に図示されている。

放射線ＲとしてＥＵＶ光（極端紫外光）を発生する場合、電場印加部５０は、回転体２２に供給されたプラズマ原料２３に対して高電位に設定される。この場合、プラズマ原料２３は低電位となるため、プラズマ原料２３の近傍には正電荷のイオン６１が集まる。これにより、ＥＵＶ光の発光効率を高めることが可能となる。
以下では、ＥＵＶ光を発生するプラズマＰにおける電場の働きについて具体的に説明する。ここでは、プラズマ原料２３としてＳｎを用い、エネルギービームＥＢとしてレーザ光を用いる場合を例に挙げるが、他のプラズマ原料やエネルギービームが用いられてもよい。

図４に示すように、回転体２２に供給された液体状のスズ（Ｓｎ）をターゲットとして、エネルギービームＥＢであるレーザ光（レーザビーム）が照射される。照射されたレーザ光によりプラズマ原料２３が気化する。そして気化したプラズマ原料２３にさらにレーザ光が照射されて、プラズマ原料２３が電離（プラズマ化）する。この結果、正電荷のイオン６１（Ｓｎ＋）と、負電荷の電子６０（ｅ－）とを含むプラズマＰが生成される。プラズマＰは、レーザ光を照射して生成されたレーザ生成プラズマである。

この過程で、プラズマＰは断熱膨張により体積が増大する。またプラズマＰの膨張速度は、例えば電子温度Ｔｅやイオン温度Ｔｉに比例する。なお、プラズマＰは体積が増大する一方で、その密度は低下することになる。

図４では、ターゲットであるプラズマ原料２３を電場印加部５０よりも低電位に設定し、プラズマＰ（プラズマ生成領域２１）に電場が印加される。
ここでは、電場印加部５０（チャンバ本体１４等）の電位は、ＧＮＤ電位に設定される。また回転体２２に供給されたプラズマ原料２３の電位は、負電位に設定される。
具体的には、外部電圧源５１からマイナスの高電圧（－ＨＶ）がコンテナ２４に供給される。そしてコンテナ２４を介して、プラズマ原料２３及び回転体２２の電位が－ＨＶとなる。

ＥＵＶ光を発生させるためには、例えばＥＵＶ光を発光可能な高温プラズマの状態でプラズマＰを維持することが重要である。一方で、上記したようにプラズマＰが膨張するとプラズマＰの温度が低下し、高温プラズマとしての状態を維持することが難しい。このプラズマＰの膨張に伴い、ＥＵＶ光の輝度（発光強度）が低下することが考えられる。

そこで図４では、チャンバ本体１４がＧＮＤ電位に設定された状態で、プラズマ原料２３にマイナスの印加電圧Ｖ＝－ＨＶが印加される。これにより、プラズマ生成領域２１には、正電荷のイオン６１（Ｓｎ＋）をプラズマ原料２３（回転体２２）側に移動させる電場が発生する。
プラズマＰを構成するイオン６１（Ｓｎ＋）は回転体２２側に引き寄せられ、回転体２２の近傍ではイオン密度が上昇する。すなわちプラズマ生成領域２１に発生する電場は、イオン６１（Ｓｎ＋）を閉じ込めるともいえる。
この結果、プラズマＰの膨張が抑えられるので、高温プラズマの状態が維持される。これにより、例えばプラズマ原料２３に印加電圧Ｖを加えない場合と比べて、プラズマＰから放射されるＥＵＶ光の輝度が向上する。

また、電場の付与によるプラズマＰ中のイオン６１を閉じ込め効果により、プラズマＰの膨張速度、すなわちプラズマＰの冷却速度を抑えることが可能である。これにより、ＥＵＶ光の発光に最適なイオン密度の状態を、電場を付与しない場合よりも長く維持することが可能となる。すなわち、ＥＵＶ光を発光可能な時間を長くすることが可能である。
これにより、ＥＵＶ光の発光効率（例えば単位時間当たりの発光量）を向上することが可能となる。

このように、光源装置１がＥＵＶ光源として構成された場合、ターゲットであるプラズマ原料２３を負電位に設定することが好ましい。これにより、プラズマＰの膨張が抑制され、ＥＵＶ光の輝度や発光効率を向上することが可能である。
このような構成は、例えばＥＵＶ光を利用した検査光源等において輝度を増大させる場合に有用である。

［硬Ｘ線光源における電場の働き］
図５は、硬Ｘ線を発生するプラズマに電場を印加した際のプラズマの挙動について説明するための模式図である。
以下では、図５を参照して、硬Ｘ線を発生するプラズマＰが生成され、そのプラズマＰに電場が印加される場合について説明する。この場合、プラズマ原料２３としては、Ｘ線原料となるＧａ、Ｉｎ、Ｓｎ、及びガリウム合金等が用いられる。またエネルギービームＥＢの強度及び波長（エネルギー）は、硬Ｘ線を発生可能なように適宜設定される。

放射線Ｒとして硬Ｘ線を発生する場合、電場印加部５０は、回転体２２に供給されたプラズマ原料２３に対して低電位に設定される。この場合、プラズマ原料２３は高電位となるため、プラズマ原料２３の近傍には負電荷の電子６０が集まる。これにより、硬Ｘ線の発光効率を高めることが可能となる。
以下では、硬Ｘ線を発生するプラズマＰにおける電場の働きについて具体的に説明する。ここでは、プラズマ原料２３としてＳｎを用い、エネルギービームＥＢとしてレーザ光を用いる場合を例に挙げるが、他のプラズマ原料やエネルギービームが用いられてもよい。

図５に示すように、回転体２２に供給された液体状のスズ（Ｓｎ）をターゲットとして、エネルギービームＥＢであるレーザ光（レーザビーム）が照射され、正電荷のイオン６１（Ｓｎ＋）と、負電荷の電子６０（ｅ－）とを含むプラズマＰが生成される。プラズマＰは、レーザ光を照射して生成されたレーザ生成プラズマである。

ここで、硬Ｘ線の発生過程について説明する。上記したＥＵＶ光は、主にターゲット材の外側の軌道で電子が遷移することで発生するものであった。これに対し、硬Ｘ線は、ターゲット材の内側の軌道の電子を励起（内殻励起）することによって発生する線スペクトル状の特性Ｘ線である。

このような特性Ｘ線を得るには、ターゲット材の原子における内殻（例えばＫ殻）を励起することが必要である。内殻励起では、例えばＫ殻の電子が弾き飛ばされ空の軌道が生成される。この空の軌道に向かって外殻電子が遷移することにより、電子軌道のエネルギー差と等しいエネルギーをもった特性Ｘ線が放出される。なお、特性Ｘ線の波長は、ターゲット原子の種類に依存する。

内殻励起は、高温プラズマ中の電子によってもたらされる。すなわち、高温プラズマ中の電子が、内殻の電子を弾き飛ばすことで、空の軌道が生成される。このような電子をプラズマＰ内に生成するためには、高強度のエネルギービームＥＢ（レーザビーム）をターゲット材に照射することが必要となる。
このような効果を高めるために、ターゲット材にバイアスがかけられる。

図５では、ターゲットであるプラズマ原料２３を電場印加部５０よりも高電位に設定し、プラズマＰ（プラズマ生成領域２１）に電場が印加される。
ここでは、電場印加部５０（チャンバ本体１４等）の電位は、ＧＮＤ電位に設定される。また回転体２２に供給されたプラズマ原料２３の電位は、正電位に設定される。
具体的には、外部電圧源５１からプラスの高電圧（＋ＨＶ）がコンテナ２４に供給される。そしてコンテナ２４を介して、プラズマ原料２３及び回転体２２の電位が＋ＨＶとなる。

この結果、プラズマＰ中の電子６０（ｅ－）は、回転体２２側に向かって加速される。従って、プラズマ原料２３（Ｓｎ）やそのイオン６１（Ｓｎ＋）には、運動量が高められた電子６０（ｅ－）が衝突することになる。この結果、内殻励起と外殻電子の遷移がより効果的に発生する。すなわち、電子６０（ｅ－）の利用効率が上昇し、結果として特性Ｘ線の発生効率を向上することが可能である。

このように、光源装置１が硬Ｘ線光源として構成された場合、ターゲットであるプラズマ原料２３を正電位に設定することが好ましい。これにより、プラズマＰ中の電子６０を加速させて、内殻励起を効率的に引き起こすことが可能であり、硬Ｘ線の発生効率（輝度）を向上することが可能である。

［電場による放射線の制御］
本実施形態では、図１を参照して説明した放射線診断部２９により、放射線Ｒ（ＥＵＶ光又は硬Ｘ線）の強度が測定される。そして制御部７により、放射線Ｒの強度の測定結果に基づいて放射線Ｒの強度が高くなるようにプラズマ原料２３と電場印加部５０との電位差が制御される。
すなわち、放射線Ｒの強度をモニタリングして、強度が大きくなるように電位差が設定される。これにより、目的とする放射線Ｒの発光効率を向上することが可能となる。

図１に示す例では、外部電圧源５１から出力される印加電圧Ｖ（＋ＨＶ又は－ＨＶ）が、プラズマ原料２３と電場印加部５０との電位差となる。制御部７は、この印加電圧Ｖの大きさを制御することで、プラズマ生成領域２１に印加される電場の強度を制御する。
例えば放射線診断部２９は、プラズマＰから放射される放射線Ｒのスペクトルを検出する。制御部７では、スペクトルの結果がモニタリングされ、目的とする波長の強度が増大するように印加電圧Ｖが調整される。これにより、放射線Ｒの発光効率を十分に向上することが可能となる。

また、放射線診断部２９によって放射線Ｒの波長をモニタリングしながら電場の強さを調整することにより、放射線Ｒの波長を比較的簡便に制御することが可能である。すなわち、印加電圧Ｖを制御して、放射線Ｒの波長を制御してもよい。
例えば、印加電圧Ｖに応じて放射線Ｒのスペクトルが変化し、放射線Ｒの中心波長等がシフトするといったことがあり得る。この場合、中心波長が所定の波長となるように、印加電圧を調整するといったことが可能である。これにより、例えば中心波長を安定化することや、微調整するといったことが可能である。

以上、本実施形態に係る光源装置１では、エネルギービームＥＢが入射する位置に配置された回転体２２にプラズマ原料２３が供給される。このプラズマ原料２３はエネルギービームＥＢの照射によりプラズマ化する。プラズマＰが生成されるプラズマ生成領域２１には、プラズマ原料２３とは異なる電位に設定された電場印加部５０を介して電場が印加される。これによりプラズマＰの状態を変化させることが可能となり、エネルギービームＥＢによって生成されるプラズマＰの発光効率を向上することが可能となる。

エネルギービームＥＢにプラズマ原料をプラズマ化する場合、プラズマＰの状態を変化させる方法として、エネルギービームＥＢの強度（パワー）を変化させる方法が挙げられる。例えばエネルギービームＥＢがレーザビームの場合、ピークパワーが大きいＹＡＧレーザ等のパルスレーザビームが採用される。
例えば強度の強いパルスレーザビームをプラズマ原料に照射することで、発光効率のよい高温プラズマが生成されるが、一方でパルスレーザビームを放出するレーザ源が大型化する可能性がある。

本実施形態では、ターゲットとなるプラズマ原料２３にエネルギービームＥＢを照射してプラズマＰが生成される。このプラズマＰから放射線Ｒ（Ｘ線またはＥＵＶ光）を放出させるにあたり、プラズマ原料２３と電場印加部５０（チャンバ本体１４等）との電位を制御し、プラズマ生成領域２１に電場を印加する。これにより、プラズマＰの状態を変化させることが可能となる。

例えば図４を参照して説明したように、ＥＵＶ光を発生させる場合には、ＧＮＤに落とされたチャンバ本体１４に対して、ターゲット（プラズマ原料２３）側がマイナスの電位に設定される。これにより正電荷のイオン６１を閉じ込めることが可能となり、プラズマＰの膨張を抑えて高温プラズマの状態を良好に保つことが可能となる。この結果、プラズマＰでのＥＵＶ光の発光効率を向上することが可能となる。

また例えば図５を参照して説明したように、硬Ｘ線を発生させる場合には、ＧＮＤに落とされたチャンバ本体１４に対して、ターゲット（プラズマ原料２３）側がプラスの電位に設定される。これによりプラズマＰ中の電子６０をターゲットに向けて加速させることが可能となる。運動エネルギーの高い電子６０が増加することで、硬Ｘ線を発生する内殻励起の頻度を増加することが可能となる。この結果、プラズマＰでの硬Ｘ線の発光効率を向上することが可能となる。

＜第２の実施形態＞
本発明に係る第２の実施形態の光源装置について説明する。これ以降の説明では、上記の実施形態で説明した光源装置１における構成及び作用と同様な部分については、その説明を省略又は簡略化する。

図６は、第２の実施形態に係る光源装置の構成例を示す模式図である。
光源装置１０１は、チャンバ本体１４に、回転体収容チャンバ８０を設けた構成となっている。以下では、図１を参照して説明した光源装置１と同様の構成については、図１と同じ符号を付けて説明する。

回転体収容チャンバ８０は、チャンバ本体１４の内部に少なくとも一部が設けられ、回転体２２を収容する。図６に示す例では、回転体収容チャンバ８０は、一部がチャンバ本体１４（真空チャンバ３）から突出するように構成される。なお回転体収容チャンバ８０は、チャンバ本体１４の内部に完全に内包されていてもよい。
回転体収容チャンバ８０は、原料供給機構６のうち、回転体２２、コンテナ２４、軸部３９の一部、及びスキマー４０を収容するように構成される。

図６に示す例では、回転体収容チャンバ８０は、断面形状が平行四辺形となるような箱型の容器であり、チャンバ本体１４の後方面に設けられた開口部６５に嵌め込まれる。回転体収容チャンバ８０の前方面は、回転体２２に沿って配置され、回転体収容チャンバ８０の後方面及び左側面の一部はチャンバ本体１４から突出する。この突出部分は、チャンバ本体１４とともに減圧雰囲気を維持するための隔壁として機能する。

回転体収容チャンバ８０は、エネルギービーム用開口部８１と、放射線用開口部８２とを有する。エネルギービーム用開口部８１は、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡが通るように設けられた貫通孔である。また放射線用開口部８２は、放射線Ｒの出射軸ＥＡ及び放射線診断部２９への出射軸が通るように設けられた貫通孔である。
回転体２２のプラズマ生成領域２１へのエネルギービームＥＢの照射は、エネルギービーム用開口部８１を介して行われる。また、エネルギービームＥＢの照射により生成される高温プラズマから放出される放射線Ｒ（Ｘ線またはＥＵＶ光）は、放射線用開口部８２を介して、出射チャンバ５及び放射線診断部２９に入射する。
なお、チャンバ本体１４の内部と回転体収容チャンバ８０の内部とは、エネルギービーム用開口部８１、放射線用開口部８２を介して空間的に接続される。従って両者の内部は減圧雰囲気に維持される。

本実施形態では、回転体収容チャンバ８０が電場印加部５０として用いられる。すなわち、回転体収容チャンバ８０は、プラズマ生成領域２１に電場を印加するために、回転体２２に供給されたプラズマ原料２３とは異なる電位に設定される部材である。
図６では、筐体２の外側に配置された外部電圧源５１の出力端子が、筐体２を貫通するフィードスルー５２を介して、回転体収容チャンバ８０に接続される。そして回転体収容チャンバ８０には、外部電圧源５１により正の高電圧（＋ＨＶ）もしくは負の高電圧（－ＨＶ）が印加される。
なお、外部電圧源５１の動作は、制御部７により制御される。

一方、回転体収容チャンバ８０に収容された収容物（回転体２２、コンテナ２４、コンテナ２４が収容するプラズマ原料２３、軸部３９の一部等）や、チャンバ本体１４、チャンバ本体１４内の他の部品は、ＧＮＤ電位に接続される。
すなわち、回転体収容チャンバ８０だけに高電圧がかかるように各部が構成される。

このため、本実施形態では、回転体収容チャンバ８０は、チャンバ本体１４と絶縁されている。具体的には、チャンバ本体１４の開口部６５に、回転体収容チャンバ８０とチャンバ本体１４とを電気的に分離する絶縁部材６６が設けられる。
絶縁部材６６は、例えばセラミックス等の電気絶縁性の材料を用いて構成される。また絶縁部材６６は、チャンバ本体１４及び回転体収容チャンバ８０の減圧雰囲気を維持しつつ、回転体収容チャンバ８０がチャンバ本体１４の外側から内側へ貫通するのを許容する。

また、コンテナ２４は、絶縁性の土台等を介して回転体収容チャンバ８０に配置される。
また、モータ３８の軸部３９が回転体収容チャンバ８０を貫通するように配置される。この貫通部分には、回転体収容チャンバ８０内の減圧雰囲気を維持しつつ軸部３９の回転を許容する電気絶縁性のメカニカルシール４２が用いられる。
また、プラズマ原料循環装置４１からコンテナ２４に接続される原料流入管路４４および原料排出管路４５が回転体収容チャンバ８０を貫通するように配置される。この貫通部分には、回転体収容チャンバ８０の減圧雰囲気を維持する電気絶縁性のシール部材４９が用いられる。
これにより、回転体収容チャンバ８０は、チャンバ本体１４、チャンバ本体１４内の他の部品、及び回転体収容チャンバ８０の収容物から電気的に絶縁される。

図７は、プラズマ生成領域２１に電場を印加する簡易的なモデルを示す模式図である。
上記したように、本実施形態では、チャンバ本体１４に設けられた回転体収容チャンバ８０が、電場印加部５０として設定される。すなわち、チャンバ本体１４とは別に設けられた部材が、電場印加部５０として利用される。

図７には、電場印加部５０となる部材が絶縁体５５を介してチャンバ本体１４に導入されているモデルが模式的に図示されている。なおこのモデルでは、回転体２２及びチャンバ本体１４が電気的に接続されている。
例えばコンテナ２４を回転体収容チャンバ８０に配置するための絶縁性の土台、モータ３８の軸部３９を回転体収容チャンバ８０に通す絶縁性のメカニカルシール４２、及び原料流入管路４４及び原料排出管路４５をチャンバ本体１４に通す絶縁性のシール部材４９等が、絶縁体５５となる。
このように各種の絶縁体５５を間に設けることで、回転体収容チャンバ８０は他の構成から電気的に分離される。

また、図７に示すように、本実施形態では、回転体収容チャンバ８０が、外部電圧源５１（図３ではＨＶと記載）に接続され、回転体２２及びチャンバ本体１４がＧＮＤ電位に接続される。
例えば、外部電圧源５１からＧＮＤ電位を基準として正の高電圧（＋ＨＶ）が出力されると、回転体収容チャンバ８０は、回転体２２に供給されたプラズマ原料２３に対して高電位となる。逆に、外部電圧源５１からＧＮＤ電位を基準として負の高電圧（－ＨＶ）が出力されると、回転体収容チャンバ８０は、回転体２２に供給されたプラズマ原料２３に対して低電位となる。

この場合、プラズマ生成領域２１には、プラズマ原料２３と回転体収容チャンバ８０との間の電位差（＋ＨＶ又は－ＨＶ）に応じた電場が印加される。
この構成では、プラズマ原料２３と電場印加部５０である回転体収容チャンバ８０との距離を比較的短く設定することが可能である。このため、例えば図１等に示すようにチャンバ本体１４を電場印加部５０として用いる構成に比べて、プラズマ生成領域２１に印加される電場の強度を大きくすることが可能である。

また、回転体収容チャンバ８０に高電圧を印加し、回転体２２及びチャンバ本体１４はＧＮＤ電位に落とす構成とすることで、例えば回転体２２及びチャンバ本体１４を筐体２等に対して電気的に分離する必要がなくなる。またモータ３８やプラズマ原料循環装置４１もＧＮＤ電位となるため、装置を安全に取り扱うことが可能となる。

図６に示す光源装置１０１において、ＥＵＶ光を発生する場合について説明する。
上記したように、ＥＵＶ光を発生させる場合には、ターゲットであるプラズマ原料２３を電場印加部５０に対して低電位とすることが望ましい（図４参照）。この場合、電場印加部５０である回転体収容チャンバ８０には、外部電圧源５１から正の印加電圧Ｖ（Ｖ＝＋ＨＶ）が供給される。
この結果、エネルギービームＥＢを照射してプラズマＰが生成されると、プラズマＰに含まれる正電荷のイオン６１（例えばＳｎ＋等）が回転体２２の近傍に閉じ込められる。これにより、プラズマＰの膨張が抑制され高温プラズマの状態を良好に保つことが可能となる。この結果、プラズマＰでのＥＵＶ光の発光効率を向上することが可能となる。

図６に示す光源装置１０１において、硬Ｘ線を発生する場合について説明する。
上記したように、硬Ｘ線を発生させる場合には、ターゲットであるプラズマ原料２３を電場印加部５０に対して高電位とすることが望ましい（図５参照）。この場合、電場印加部５０である回転体収容チャンバ８０には、外部電圧源５１から負の印加電圧Ｖ（Ｖ＝－ＨＶ）が供給される。
この結果、エネルギービームＥＢを照射してプラズマＰが生成されると、プラズマＰに含まれる負電荷の電子６０が回転体２２に向けて加速される。これにより運動エネルギーの高い電子６０が増加し、硬Ｘ線を発生する内殻励起の頻度を増加することが可能となる。この結果、プラズマＰでの硬Ｘ線の発光効率を向上することが可能となる。

上記では、図６に示すように、回転体収容チャンバ８０がチャンバ本体１４に貫通して配置される構成について説明した。例えば、チャンバ本体１４の内部に収まるように、回転体収容チャンバ８０が構成されてもよい。この場合、回転体収容チャンバ８０には、軸部３９、原料流入管路４４、及び原料排出管路４５の各部材を回転体収容チャンバ８０に接触しないように通す貫通孔が設けられる。またチャンバ本体１４には、軸部３９を通すメカニカルシール４２や、原料流入管路４４及び原料排出管路４５を通すシール部材４９が設けられる。なお、この構成ではメカニカルシール４２及びシール部材４９は電気絶縁性でなくてもよい。

また回転体収容チャンバ８０に代えて、棒状や板状の電極部材が電場印加部５０として用いられてもよい。例えば図７のモデルに示すように、チャンバ本体１４等のＧＮＤ電位に接続される部材とは絶縁された金属部材が、回転体２２の表面２２ａとプラズマ生成領域２１を挟んで対向するように配置される。このような構成であっても、プラズマ生成領域２１に必要に応じて電場を印加することが可能である。

＜その他の実施形態＞
本発明は、以上説明した実施形態に限定されず、他の種々の実施形態を実現することができる。

上記では、チャンバ本体１４と、その内側に配置されプラズマ生成領域２１に突出する内側突出部１６及び１７とが電気的に接続される例について説明した。
例えば内側突出部１６（又は内側突出部１７）が、チャンバ本体１４と絶縁されて、電場印加部５０として用いられてもよい。すなわち、プラズマ生成領域に向けて突出した突出部（内側突出部１６及び１７）が、電場印加部５０として用いられてもよい。
このように内側突出部１６（又は内側突出部１７）を電場印加部５０とする構成は、例えば図７に示すモデルで表すことが可能である。

例えば放射線Ｒの出射チャンバ５を構成する内側突出部１６が、セラミックス材料等からなる不図示の絶縁体によって、チャンバ本体１４から電気的に絶縁される。そして内側突出部１６に、外部電圧源５１の出力端子が接続される。なお、チャンバ本体１４及び回転体２２（プラズマ原料２３）は、ＧＮＤ電位に接続される。
この場合、内側突出部１６に正電圧（＋ＨＶ）を印加することで、ＥＵＶ光の発光効率を向上することが可能である。また、内側突出部１６に負電圧（－ＨＶ）を印加することで、硬Ｘ線の発光効率を向上することが可能である。

また、内側突出部１６に電圧を印加することで、発生する電場によりイオン性のデブリを内側突出部１６から反発させることや、デブリの進行方向を出射チャンバ５内へ進入する方向から逸らすことが可能となる。
なお、このような効果は、内側突出部１６以外の部材が電場印加部５０として用いられる場合でも有効である。例えば図１では、チャンバ本体１４が電場印加部５０としてＧＮＤ電位に接続される。この構成において、チャンバ本体１４から内側突出部１６を絶縁する。そして、デブリをコントロールするための外部電圧源を新しく設け内側突出部１６に接続する。これにより、出射チャンバ５へのデブリの侵入等を抑制することが可能である。

同様に、エネルギービームＥＢの入射チャンバ４を構成する内側突出部１７を、セラミックス材料等からなる不図示の絶縁体によって、チャンバ本体１４から電気的に絶縁してもよい。この場合、内側突出部１７に高電圧を適宜印加することで、放射線Ｒの発光効率を向上することが可能である。

本開示において、説明の理解を容易とするために、「略」「ほぼ」「おおよそ」等の文言が適宜使用されている。一方で、これら「略」「ほぼ」「おおよそ」等の文言を使用する場合と使用しない場合とで、明確な差異が規定されるわけではない。
すなわち、本開示において、「中心」「中央」「均一」「等しい」「同じ」「直交」「平行」「対称」「延在」「軸方向」「円柱形状」「円筒形状」「リング形状」「円環形状」等の、形状、サイズ、位置関係、状態等を規定する概念は、「実質的に中心」「実質的に中央」「実質的に均一」「実質的に等しい」「実質的に同じ」「実質的に直交」「実質的に平行」「実質的に対称」「実質的に延在」「実質的に軸方向」「実質的に円柱形状」「実質的に円筒形状」「実質的にリング形状」「実質的に円環形状」等を含む概念とする。
例えば「完全に中心」「完全に中央」「完全に均一」「完全に等しい」「完全に同じ」「完全に直交」「完全に平行」「完全に対称」「完全に延在」「完全に軸方向」「完全に円柱形状」「完全に円筒形状」「完全にリング形状」「完全に円環形状」等を基準とした所定の範囲（例えば±１０％の範囲）に含まれる状態も含まれる。
従って、「略」「ほぼ」「おおよそ」等の文言が付加されていない場合でも、いわゆる「略」「ほぼ」「おおよそ」等を付加して表現され得る概念が含まれ得る。反対に、「略」「ほぼ」「おおよそ」等を付加して表現された状態について、完全な状態が必ず排除されるというわけではない。

本開示において、「Ａより大きい」「Ａより小さい」といった「より」を使った表現は、Ａと同等である場合を含む概念と、Ａと同等である場合を含なまい概念の両方を包括的に含む表現である。例えば「Ａより大きい」は、Ａと同等は含まない場合に限定されず、「Ａ以上」も含む。また「Ａより小さい」は、「Ａ未満」に限定されず、「Ａ以下」も含む。
本技術を実施する際には、上記で説明した効果が発揮されるように、「Ａより大きい」及び「Ａより小さい」に含まれる概念から、具体的な設定等を適宜採用すればよい。

以上説明した本技術に係る特徴部分のうち、少なくとも２つの特徴部分を組み合わせることも可能である。すなわち各実施形態で説明した種々の特徴部分は、各実施形態の区別なく、任意に組み合わされてもよい。また上記で記載した種々の効果は、あくまで例示であって限定されるものではなく、また他の効果が発揮されてもよい。

ＥＢ…エネルギービーム
Ｒ…放射線
Ｐ…プラズマ
Ｃ…チャンバ部
１、１０１…光源装置
３…真空チャンバ
４…入射チャンバ
５…出射チャンバ
６…原料供給機構
７…制御部
１３…ビーム源
１４…チャンバ本体
１６…内側突出部
１７…内側突出部
２１…プラズマ生成領域
２２…回転体
２３…プラズマ原料
５０…電場印加部
５１…外部電圧源
８０…回転体収容チャンバ

Claims (16)

1. エネルギービームにより液体原料をプラズマ化して放射線を取り出す光源装置であって、
   前記エネルギービームが入射する位置に配置された回転体と、
   前記液体原料を前記回転体に供給する原料供給部と、
   前記回転体に供給された前記液体原料とは異なる電位に設定され、前記エネルギービームの照射によりプラズマが生成されるプラズマ生成領域に電場を印加する電場印加部と
   を具備する光源装置。
2. 請求項１に記載の光源装置であって、
   前記電場印加部は、前記プラズマ生成領域を挟んで前記回転体に面して配置された導電体である
   光源装置。
3. 請求項２に記載の光源装置であって、
   前記回転体は、表面及び裏面を有する円盤状の部材であり、前記表面に前記エネルギービームが入射するように配置され、
   前記電場印加部は、前記回転体の前記表面に対向して配置される
   光源装置。
4. 請求項１から３のうちいずれか１項に記載の光源装置であって、さらに、
   前記回転体を収容し前記プラズマ生成領域が形成されるプラズマ生成部と、前記プラズマ生成領域に前記エネルギービームを取り込むビーム取り込み部と、前記プラズマ生成領域に生成された前記プラズマからの前記放射線を取り出す放射線取り出し部とを有するチャンバ部を具備する
   光源装置。
5. 請求項４に記載の光源装置であって、
   前記電場印加部は、前記プラズマ生成部、前記ビーム取り込み部、又は前記放射線取り出し部の少なくとも１つを構成する部材である
   光源装置。
6. 請求項４に記載の光源装置であって、
   前記チャンバ部は、前記プラズマ生成領域に向けて突出した突出部を有し、
   前記電場印加部は、前記突出部である
   光源装置。
7. 請求項４に記載の光源装置であって、
   前記チャンバ部は、前記ビーム取り込み部と前記放射線取り出し部とが接続されるチャンバ本体と、前記チャンバ本体の内部に少なくとも一部が設けられ前記回転体を収容する回転体収容チャンバとを具備し、
   前記電場印加部は、前記回転体収容チャンバである
   光源装置。
8. 請求項７に記載の光源装置であって、
   前記回転体収容チャンバは、前記チャンバ本体と絶縁されている
   光源装置。
9. 請求項１に記載の光源装置であって、
   前記放射線は、Ｘ線、又は極端紫外光である
   光源装置。
10. 請求項１に記載の光源装置であって、
    前記放射線は、極端紫外光であり、
    前記電場印加部は、前記回転体に供給された前記液体原料に対して高電位に設定される
    光源装置。
11. 請求項１０に記載の光源装置であって、
    前記液体原料の電位は、負電位に設定され、
    前記電場印加部の電位は、グランド電位に設定される
    光源装置。
12. 請求項１に記載の光源装置であって、
    前記放射線は、硬Ｘ線であり、
    前記電場印加部は、前記回転体に供給された前記液体原料に対して低電位に設定される
    光源装置。
13. 請求項１２に記載の光源装置であって、
    前記液体原料の電位は、正電位に設定され、
    前記電場印加部の電位は、グランド電位に設定される
    光源装置。
14. 請求項１に記載の光源装置であって、さらに、
    前記プラズマからの前記放射線の状態を測定する放射線測定部と、前記放射線の状態の測定結果に基づいて前記液体原料と前記電場印加部との電位差を制御する電位制御部とを具備する
    光源装置。
15. 請求項１４に記載の光源装置であって、
    前記放射線測定部は、前記放射線の強度を測定し、
    前記電位制御部は、前記放射線の強度の測定結果に基づいて前記放射線の強度が高くなるように前記液体原料と前記電場印加部との電位差を制御する
    光源装置。
16. 請求項１に記載の光源装置であって、
    前記エネルギービームは、レーザ光である
    光源装置。

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