TW202219652A - 極紫外光光源裝置及背板構件的保護方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的課題，係提升承接電漿原料或碎屑之背板構件的承接面的耐蝕性。 解決手段的一樣態的極紫外光光源裝置，係具備：基於可放射極紫外光之原料的激發，產生放射前述極紫外光的電漿的光源部、收容前述原料的熔化液及從前述電漿擴散的碎屑的收容容器、承接前述原料的熔化液及從前述電漿擴散的碎屑，並導引至前述收容容器的背板構件、及對於前述原料的熔化液及碎屑，耐蝕性比前述背板構件高，且設置於前述背板構件的承接面上的耐蝕材。

Description

極紫外光光源裝置及背板構件的保護方法
本發明係關於極紫外光光源裝置及背板構件的保護方法。
近年來，隨著半導體積體電路的細微化及高積體化，曝光用光源的短波長化有所進展。作為次世代的半導體曝光用光源，尤其進行放射波長13.5nm之極紫外光(以下也稱為EUV(Extreme Ultra Violet))的極紫外光光源裝置(以下也稱為EUV光源裝置)的開發。
於EUV光源裝置中，公知有幾種產生EUV光(EUV放射)的方法。該等方法中之一，有藉由加熱並激發極紫外光放射種(以下也稱為EUV放射種)來產生電漿，從電漿取出EUV光的方法。
採用此種方法的EUV光源裝置係根據電漿的生成方式，區分成LPP(Laser Produced Plasma：雷射生成電漿)方式與DPP(Discharge Produced Plasma：放電生成電漿)方式。
DPP方式的EUV光源裝置係對被供給包含EUV放射種(氣相的電漿原料)的放電氣體之電極間施加高電壓，藉由放電來生成高密度電漿，利用從其放射之極紫外光。作為DPP方式，例如專利文獻1所記載般，提案有對產生放電的電極表面供給包含EUV放射種之液體狀的電漿原料(例如錫(Sn)或鋰(Li)等)，對於該原料照射雷射光束等的能量束，使該原料汽化，之後，藉由放電生成電漿的方法。此種方式也被稱為LDP(Laser Assisted Gas Discharge Produced Plasma)方式。
另一方面，LPP方式的EUV光源裝置，係將雷射光照射至靶材料，激發該靶材料以生成電漿。
EUV光源裝置係使用來作為半導體裝置製造之半導體曝光裝置(微影裝置)的光源裝置。或者，EUV光源裝置係使用來作為微影所使用的遮罩之檢查裝置的光源裝置。亦即，EUV光源裝置係使用來作為利用EUV光之其他光學系裝置(利用裝置)的光源裝置。
EUV光係在大氣中會明顯地衰減，所以，從電漿到利用裝置為止的EUV光通過的空間區域，係為了抑制EUV光的衰減而成為減壓氣氛亦即真空環境。
另一方面，於EUV光源裝置中，碎屑會從電漿高速擴散。碎屑係包含電漿原料的粒子(電漿原料為錫時則為錫粒子)。又，以DPP方式或LDP方式生成電漿時，碎屑係包含伴隨電漿的產生而被濺鍍之放電電極的材料粒子。
碎屑係到達利用裝置的話，有損傷或污染利用裝置內之光學元件的反射膜，降低其性能的狀況。因此，提案有以讓碎屑不侵入利用裝置之方式，捕捉擴散之碎屑的碎屑減低裝置(也稱為DMT(Debris Mitigation Tool)) (專利文獻1)。
於LDP方式的EUV光源裝置中，碎屑從生成於放電區域的電漿往所有方向飛濺。飛濺至利用裝置側的碎屑，係藉由上述之碎屑減低裝置捕捉，但是，行進至其以外方向的碎屑如果狀況不變的話則附著於EUV光源裝置內部。 為了抑制此種碎屑的內部附著，產生放電的電極係藉由電極殼體包圍。電極殼體係朝向利用裝置的EUV光通過的開口部以外，包圍前述電極。
上述之有附著於EUV光源裝置內部之可能性的碎屑的大部分係在該電極殼體內部被捕集。又，有對放電區域透過電極供給之電漿原料(錫)的一部分漏出之狀況。此種漏出原料係不會有助於產生電漿，故成為廢棄原料。上述之漏出原料也是在該電極殼體內部被捕集。
電極殼體係配置於電漿的附近，所以，藉由來自電漿的EUV等的放射，被加熱至碎屑(錫)及廢棄材料(錫)的熔點以上。因此，附著於電極殼體內面的碎屑及廢棄材料並不會固化而維持成液體狀態。附著於電極殼體內面的碎屑及廢棄材料，係因為重力而集中於電極殼體下部，從設置於電極殼體下部的排出口排出至外部，往重力方向落下。
往重力方向落下的碎屑及廢棄材料，係藉由背板構件接收，透過該背板構件，積存於碎屑收容容器(電漿原料為錫時，則為錫回收容器(Tin Dump))。於碎屑收容容器，設置有將該碎屑收容容器加熱至電漿原料的熔點以上的加熱部。亦即，藉由碎屑收容容器承接的廢棄原料會馬上被熔融，在液化之狀態下積存於碎屑收容容器。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2017-219698號公報 [專利文獻2] 日本專利第6241407號公報
[發明所欲解決之課題]
如上所述，液體狀的碎屑及廢棄材料係藉由設置於電極殼體的排出口排出至外部，往重力方向落下。背板構件，係以接收的碎屑及廢棄材料不固化之方式，利用加熱手段加熱至錫的熔點以上。背板構件係考慮耐熱性、加工性及經濟性，例如藉由不鏽鋼材料構成。
在此，因為背板構件接收的的碎屑及廢棄材料是液體狀，所以，其溫度為錫的熔點以上。背板構件係持續接收此種錫的話，背板構件的母材即不鏽鋼與錫會產生反映，導致錫所致之腐蝕。背板構件的腐蝕進展的話，埋設於背板構件的加熱手段會從腐蝕部分露出，加熱手段本身因為錫而破損。
因此，本發明的目的係提供可提升承接電漿原料或碎屑之背板構件的承接面的耐蝕性之極紫外光光源裝置及背板構件的保護方法。 [用以解決課題之手段]
本發明的一樣態的極紫外光光源裝置，係具備：光源部，係基於可放射極紫外光之原料的激發，產生放射前述極紫外光的電漿；收容容器，係收容前述原料的熔化液及從前述電漿擴散的碎屑；背板構件，係承接前述原料的熔化液及從前述電漿擴散的碎屑，並導引至前述收容容器；及耐蝕材，係對於前述原料的熔化液及碎屑，耐蝕性比前述背板構件高，且設置於前述背板構件的承接面上。
藉此，可一邊從可放射極紫外光之原料的熔化液及碎屑所致之腐蝕保護背板構件的承接面，一邊將該原料的熔化液及碎屑導引至收容容器，可防止背板構件之承接面的腐蝕。
又，依據本發明的一樣態的之極紫外光光源裝置，前述光源部，係具備：一對圓盤狀的放電電極，係相互隔開配置；馬達，係使前述放電電極繞各旋轉軸旋轉；容器，係在前述放電電極的一部分浸漬於前述原料的熔化液之狀態下，貯留前述原料的熔化液；電極殼體，係包圍前述放電電極及前述容器；及處理室，係包圍前述電極殼體，設置取出前述極紫外光的窗部；前述電極殼體，係具備：開口部，係可取出前述極紫外光；及排出口，係排出從前述容器漏出之原料的熔化液及附著於前述電極殼體之內壁的碎屑；前述背板構件，係以成為前述原料及碎屑的熔點以上之方式加熱；且以從前述排出口排出之前述原料的熔化液及碎屑朝向前述收容容器下降的傾斜姿勢被支持。
藉此，即使LDP方式之於處理室外設置收容容器的狀況中，也可一邊從可放射極紫外光之原料的熔化液及碎屑所致之腐蝕保護背板構件的承接面，一邊將該原料的熔化液及碎屑導引至收容容器。因此，一邊可交換收容該原料及碎屑的收容容器，一邊可防止背板構件之承接面的腐蝕。
又，本發明的一樣態的極紫外光光源裝置，係更具備：脈衝電力供給手段，係對前述放電電極供給脈衝電力；及能量束照射手段，係對前述放電電極的旋轉時附著於外周面之原料的熔化液照射能量束，使前述原料汽化。
藉此，對於可放射極紫外光的原料照射雷射光束等的能量束，使該原料汽化，之後，可藉由放電生成電漿。
又，依據本發明的一樣態的極紫外光光源裝置，前述光源部，係具備：圓盤狀的原料供給板；馬達，係使前述原料供給板繞旋轉軸旋轉；容器，係在前述原料供給板的一部分浸漬於前述原料的熔化液之狀態下貯留前述原料的熔化液；原料供給板殼體，係包圍前述原料供給板及前述容器，設置取出前述極紫外光的窗部；及處理室，係包圍前述原料供給板殼體，設置取出前述極紫外光的窗部；前述原料供給板殼體，係具備：開口部，係可取出前述極紫外光；及排出口，係排出從前述容器漏出之原料的熔化液及附著於前述原料供給板殼體之內壁的碎屑；前述背板構件，係以成為前述原料及碎屑的熔點以上之方式加熱；且以從前述排出口排出之前述原料的熔化液及碎屑朝向前述收容容器下降的傾斜姿勢被支持。
藉此，即使LPP方式之於處理室外設置收容容器的狀況中，也可一邊從可放射極紫外光之原料的熔化液及碎屑所致之腐蝕保護背板構件的承接面，一邊將該原料的熔化液及碎屑導引至收容容器。因此，一邊可交換收容該原料及碎屑的收容容器，一邊可防止背板構件之承接面的腐蝕。
又，本發明的一樣態的極紫外光光源裝置，係更具備：能量束照射手段，係對前述原料供給板的旋轉時附著於外周面之原料的熔化液照射能量束，使前述原料電漿化。
藉此，對於可放射極紫外光的原料照射雷射光，可激發該原料而生成電漿。
又，本發明的一樣態的極紫外光光源裝置，係具備：支持構件，係以前述原料的熔化液及碎屑朝向前述收容容器下降的傾斜姿勢，支持前述背板構件；前述支持構件，係具備前述支持構件的下端部成為線接觸的空間部。
藉此，可防止原料的熔化液及碎屑透過支持構件的下端部迂迴到背面，可防止原料的熔化液及碎屑漏出至支持構件的周圍。
又，本發明的一樣態的極紫外光光源裝置，係具備：箔片捕捉器，係捕捉與透過前述窗部放射之前述極紫外光一起飛濺的碎屑；遮熱板，係減低透過前述窗部之對於前述箔片捕捉器的放射；及連接處理室，係以包圍前述箔片捕捉器及前述遮熱板之方式連接於前述處理室，設置有連通於前述收容容器的貫通孔；透過前述背板構件導引之前述原料的熔化液及碎屑、以前述箔片捕捉器捕捉的碎屑、附著於前述遮熱板的碎屑，係透過前述貫通孔被收容於前述收容容器。
藉此，可一邊將透過背板構件導引之原料的熔化液及碎屑收容於收容容器，一邊在連接處理室內飛濺的碎屑也可收容於該收容容器。因此，可一邊抑制極紫外光光源裝置的大型化及複雜化，一邊抑制碎屑所致之極紫外光的取出效率的降低。
又，依據本發明的一樣態的極紫外光光源裝置，前述耐蝕材，係可設置於前述背板構件的承接面上的耐蝕板或被覆前述背板構件的承接面的耐蝕膜。
在此，藉由作為耐蝕材使用耐蝕板，可不變更背板構件的構造，保護背板構件的承接面，並且可容易進行耐蝕板的交換。另一方面，藉由作為耐蝕材使用耐蝕膜，可抑制自背板構件的熱傳導性的降低，可抑制用以將原料及碎屑加熱成為熔點以上的效率的降低。
又，依據本發明的一樣態的極紫外光光源裝置，前述耐蝕板的前端部，係比前述背板構件的前端部更突出。
藉此，不讓背板構件的前端部突出至收容容器的內側，可將以背板構件承接之原料的熔化液及碎屑導引至收容容器的內側。因此，可一邊防止背板構件被浸漬於收容於收容容器之原料的熔化液及碎屑，一邊防止以背板構件承接之原料的熔化液及碎屑溢出至背板構件的周圍。
又，依據本發明的一樣態的極紫外光光源裝置，前述耐蝕板，係以前述耐蝕板的前端部朝向前述原料的熔化液及碎屑的落下方向之方式彎曲。
藉此，於前述耐蝕板的前端部中，可使耐蝕板所致之原料的熔化液及碎屑的案內方向，與從耐蝕板脫離之原料的熔化液及碎屑的落下方向一致，可將透過耐蝕板導引之原料的熔化液及碎屑有效率地收容於收容容器。
又，依據本發明的一樣態的極紫外光光源裝置，前述耐蝕板的突出部的前端，係超過前述貫通孔的周緣部，位於前述貫通孔的上方。
藉此，可一邊防止以背板構件承接之原料的熔化液及碎屑溢出至貫通孔的周緣部，一邊將原料的熔化液及碎屑有效率地收容於收容容器。
又，依據本發明的一樣態的極紫外光光源裝置，前述耐蝕板的突出部，係朝向前端而逐漸變窄。
藉此，可朝向突出部的前端收集透過耐蝕板導引之原料的熔化液及碎屑，原料的熔化液及碎屑容易從突出部的前端脫離。因此，可一邊抑制原料的熔化液及碎屑透過耐蝕板的突出部溢出至周圍，一邊將原料的熔化液及碎屑有效率地收容於收容容器。
又，依據本發明的一樣態的極紫外光光源裝置，前述耐蝕板，係具備沿著前述耐蝕板之突出部的周緣部延伸的溝。
藉此，可利用溝承接到達耐蝕板之突出部的周緣部之原料的熔化液及碎屑，並透過溝導引至耐蝕板的突出部之前端的方向。因此，即使於耐蝕板由硬度高的材料所構成之狀況中，可一邊減低耐蝕板的加工的困難性，一邊抑制原料的熔化液及碎屑從耐蝕板之突出部的周緣部漏出。
又，依據本發明的一樣態的極紫外光光源裝置，前述耐蝕板的材料係為鉬或鎢。
藉此，可具有對於可放射極紫外光之原料的熔化液及碎屑的耐蝕性，可防止背板構件之承接面的腐蝕。
又，本發明的一樣態之背板構件的保護方法，係承接可放射極紫外光之原料的熔化液或碎屑的背板構件的保護方法，其特徵為：藉由將對於前述原料的熔化液或碎屑，耐蝕性比前述背板構件高的耐蝕材，設置於前述背板構件的承接面上，以保護前述背板構件的承接面。
藉此，可一邊從可放射極紫外光之原料的熔化液及碎屑所致之腐蝕保護背板構件的承接面，一邊將該原料的熔化液及碎屑導引至收容容器。因此，一邊可於收容產生極紫外光的光源部之處理室的外部設置收容容器，一邊可防止背板構件之承接面的腐蝕。
又，依據本發明的一樣態之背板構件的保護方法，前述耐蝕材，係可設置於前述背板構件的承接面上的耐蝕板；在可設置於前述背板構件的承接面上的耐蝕板上，承接前述原料的熔化液或碎屑；透過前述耐蝕板，將前述原料的熔化液或碎屑導引至收容容器。
藉此，可不變更背板構件的構造，而保護背板構件的承接面，並且可將可放射極紫外光之原料的熔化液及碎屑收容於收容容器。 [發明的效果]
於本發明的樣態中，可提升承接電漿原料或碎屑之背板構件的承接面的耐蝕性。
以下，一邊參照添附的圖式，一邊詳細說明本發明的實施形態。再者，以下的實施形態並不是限定本發明者，實施形態中所說明之特徵的組合並不一定全部都是本發明的構造所需者。實施形態的構造係可根據適用本發明之裝置的規格及各種條件(使用條件、使用環境等)來適當修正或變更。本發明的技術範圍係藉由申請專利範圍所確定，並不限定於以下之個別的實施形態。又，以下的說明所用的圖式係為了容易理解各構造，故有實際的構造與縮尺及形狀等相異之狀況。
圖1係揭示將第1實施形態之極紫外光光源裝置的處理室內及連接處理室內，切斷於水平方向的剖面圖，圖2係揭示第1實施形態的碎屑減低部及碎屑收容部之概略構造的剖面圖，圖3係從D0方向觀察圖1的光源部的箭頭視點圖。再者，在第1實施形態中，舉LDP方式的極紫外光光源裝置(EUV光源裝置)為例。
於圖1中，EUV光源裝置1係放出極紫外光(EUV光)。該極紫外光的波長係例如13.5nm。 具體來說，EUV光源裝置1係對分別供給至產生放電之一對放電電極EA、EB的表面之液相的電漿原料SA、SB照射雷射光束LB等的能量束，使該電漿原料SA、SB汽化。之後，藉由放電電極EA、EB間之放電區域D的放電，產生電漿P。從電漿P放出EUV光。
EUV光源裝置1係例如可使用來作為半導體裝置製造之微影裝置的光源裝置或微影所使用之遮罩的檢查裝置的光源裝置者。例如，EUV光源裝置1作為遮罩檢查裝置用的光源裝置使用時，取出從電漿P放出的EUV光的一部分，並導光至遮罩檢查裝置。遮罩檢查裝置係將從EUV光源裝置1放出的EUV光作為檢查光，進行遮罩的空白片(blanks)檢查或圖案檢查。在此，可藉由使用EUV光，對應5~7nm的製程。再者，從EUV光源裝置1取出的EUV光係藉由設置於圖2的遮熱板23的開口KA規定。
如圖1及圖2所示，EUV光源裝置1係具備光源部2、碎屑減低部3、碎屑收容部4及碎屑導引部5。光源部2係依據LDP方式，產生EUV光。碎屑減低部3係捕捉與從光源部2放射之EUV光一起飛濺的碎屑。碎屑收容部4係收容光源部2產生的碎屑及利用碎屑減低部3捕捉的碎屑等。碎屑導引部5係將從電漿原料SA、SB的熔化液及從電漿P擴散的碎屑DB導引至碎屑收容部4。
又，EUV光源裝置1係具有將在內部產生電漿P與外部隔離的處理室11。處理室11係由剛體例如金屬所形成。處理室11係為真空框體，其內部係良好地產生用以加熱激發電漿原料SA、SB的放電，為了抑制此時生成之EUV光的衰減，設為減壓氣氛。
光源部2係配置於處理室11內部。光源部2係具備一對放電電極EA、EB。放電電極EA、EB係同形狀同大小的圓板，例如放電電極EA使用來作為陰極，放電電極EB使用來作為陽極。放電電極EA、EB係例如由鎢、鉬或鉭等的高熔點金屬所形成。放電電極EA、EB係配置於相互隔開的位置，放電電極EA、EB的周緣部相鄰。此時，生成電漿P的放電區域D係位於放電電極EA、EB的周緣部相互最接近之放電電極EA、EB間的間隙。
藉由從脈衝電力供給部13對放電電極EA、EB供給電力，在放電區域D產生放電。然後，依據各放電電極EA、EB的旋轉，被輸送至放電區域D的電漿原料SA、SB係藉由在放電時流通於放電電極EA、EB間的電流加熱激發，產生放出EUV光的電漿P。
放電電極EA係連結於馬達MA的旋轉軸JA，繞放電電極EA的軸線旋轉。放電電極EB係連結於馬達MB的旋轉軸JB，繞放電電極EB的軸線旋轉。馬達MA、MB係配置於處理室11的外部，各馬達MA、MB的旋轉軸JA、JB係從處理室11的外部往內部延伸。旋轉軸JA與處理室11的壁部之間的間隙係以密封構件PA密封，旋轉軸JB與處理室11的壁部之間的間隙係以密封構件PB密封。密封構件PA、PB係例如機械密封。各密封構件PA、PB係一邊維持處理室11內的減壓氣氛，一邊可自由旋轉地支持旋轉軸JA、JB。 如此，放電電極EA、EB係藉由個別的馬達MA、MB，透過旋轉軸JA、JB分別驅動。該等馬達MA、MB的旋轉驅動係藉由控制部12控制。
於處理室11的內部，配置有貯留液相之電漿原料SA的容器CA，與貯留液相之電漿原料SB的容器CB。對容器CA、CB，供給被加熱之液相的電漿原料SA、SB。液相的電漿原料SA、SB係例如錫。
容器CA係以放電電極EA的下部被浸漬於液相的電漿原料SA之方式收容電漿原料SA。容器CB係以放電電極EB的下部被浸漬於液相的電漿原料SB之方式收容電漿原料SB。所以，於各放電電極EA、EB的下部，附著液相的電漿原料SA、SB。附著於各放電電極EA、EB的下部之液相的電漿原料SA、SB係伴隨放電電極EA、EB的旋轉，被輸送至產生電漿P的放電區域D。
於處理室11的外部，配置雷射源(能量束照射裝置)14。雷射源14係對附著於被輸送至放電區域D之放電電極EA的電漿原料SA照射能量束，使電漿原料SA汽化。雷射源14係例如Nd：YVO 4(Neodymium-doped Yttrium Orthovanadate)雷射裝置。此時，雷射源14係發出波長1064nm之紅外區域的雷射光束LB。但是，能量束照射裝置係只要可使電漿原料SA汽化的話，作為發出雷射光束LB以外的能量束的裝置亦可。
雷射源14所致之雷射光束LB的照射時機係藉由控制部12控制。從雷射源14放出的雷射光束LB係例如透過包含聚光透鏡15的聚光手段被導引至可動鏡片16。聚光手段係調整放電電極EA的雷射光束照射位置之雷射光束LB的點徑。聚光透鏡15及可動鏡片16係配置於處理室11的外部。
以聚光透鏡15聚光的雷射光束LB係藉由可動鏡片16反射，通過設置於處理室11之壁部的透明窗20，照射至放電區域D附近之放電電極EA的周緣部。 在此，藉由調整可動鏡片16的姿勢，調整放電電極EA之雷射光束LB的照射位置。可動鏡片16的姿勢的調整係作業員利用手動實施亦可，依據來自後述之監視裝置43的EUV光的強度資訊，控制部12進行可動鏡片16的姿勢控制亦可。此時，可動鏡片16係藉由省略圖示的可動鏡片驅動部驅動。
為了讓對放電區域D附近之放電電極EA的周緣部照射雷射光束LB一事變得容易，放電電極EA、EB的軸線並不平行。旋轉軸JA、JB的間隔係馬達MA、MB側窄，放電電極EA、EB側變寬。藉此，可一邊讓放電電極EA、EB的對向面側相接近，一邊使放電電極EA、EB的對向面側與相反側從雷射光束LB的照射路徑退避，可讓對放電區域D附近之放電電極EA的周緣部照射雷射光束LB一事變得容易。
放電電極EB係配置於放電電極EA與可動鏡片16之間。以可動鏡片16反射之雷射光束LB係通過放電電極EB的外周面附近之後，到達放電電極EA的外周面。此時，以雷射光束LB不會被放電電極EB遮蔽之方式，放電電極EB係比放電電極EA，更往馬達MB側的方向(圖1的左側)退避。 附著於放電區域D附近之放電電極EA的外周面之液相的電漿原料SA係因為紅外雷射光束LB的照射而汽化，作為氣相的電漿原料SA被供給至放電區域D。
為了在放電區域D產生電漿P(為了電漿化氣相的電漿原料SA)，脈衝電力供給部13對放電電極EA、EB供給電力。然後，藉由雷射光束LB的照射，對放電區域D供給氣相的電漿原料SA時，在放電區域D之放電電極EA、EB之間會發生放電。此時，脈衝電力供給部13係週期性地將脈衝電力供給至放電電極EA、EB。 脈衝電力供給部13係配置於處理室11的外部。從脈衝電力供給部13延伸的供電線係通過饋通(Feedthrough)FA、FB，延伸於處理室11的內部。饋通FA、FB係埋設於處理室11的壁部，維持處理室11內之減壓氣氛的密封構件。再者，用以產生電漿P之雷射源14的動作及脈衝電力供給部13的動作係藉由控制部12控制。
從脈衝電力供給部13延伸之2條供電線係透過饋通FA、FB，分別連接於容器CA、CB。容器CA、CB係由導電性材料形成，收容於容器CA、CB之內部的電漿原料SA、SB也是錫等的導電性材料。放電電極EA、EB的下部分別被浸漬於收容於各容器CA、CB之內部的電漿原料SA、SB。所以，脈衝電力從脈衝電力供給部13供給至容器CA、CB時，其脈衝電力係分別透過電漿原料SA、SB被供給至放電電極EA、EB。在放電電極EA、EB之間產生放電時，放電區域D之氣相的電漿材料SA藉由電流被加熱激發，產生電漿P。
從電漿P會放出EUV光。EUV光係在其他光學系裝置即利用裝置(微影裝置或遮罩檢查裝置)中利用。於本實施形態中，EUV光係在遮罩檢查裝置中利用。
在處理室11與利用裝置之間，配置連接處理室21。連接處理室21係由剛體例如金屬所形成。連接處理室21係為真空框體，其內部也與處理室11的內部相同，為了抑制EUV光的衰減而設為減壓氣氛。
連接處理室21的內部空間係透過窗部17與處理室11連通。窗部17係形成於處理室11之壁部的貫通孔。又，連接處理室21的內部空間係透過形成於連接處理室21之壁部的貫通孔即窗部27與利用裝置(遮罩檢查裝置)42連通。在圖2中，僅揭示利用裝置42的一部分。從放電區域D的電漿P放出的EUV光係通過窗部17、27而被導入至利用裝置(遮罩檢查裝置)42。
另一方面，EUV光與碎屑DB會從電漿P高速擴散至各方向。碎屑DB係包含電漿原料SA、SB即錫粒子及伴隨電漿P的產生而被濺鍍之放電電極EA、EB的材料粒子。該等碎屑DB係經過電漿P的收縮及膨脹過程，獲得大量的動能。
為了捕捉此種碎屑DB，碎屑減低部3設置於連接處理室21內。然後，飛濺至連接處理室21側的碎屑DB的至少一部分會藉由碎屑減低部3捕捉。但是，行進至其以外的方向的碎屑DB係如果狀況不變的話會附著於EUV光源裝置1內部(例如處理室1的內壁)，引起內部污染。
以盡可能抑制此種碎屑DB的飛濺所致之內部污染的方式，如圖1所示，放電電極EA、容器CA及旋轉軸JA的一部分係藉由電極殼體HA包圍，放電電極EB、容器CB及旋轉軸JB的一部分係藉由電極殼體HB包圍。再者，各旋轉軸JA、JB係例如分別透過設置於電極殼體HA、HB之未圖示的孔部，與放電電極EA、EB連接。電極殼體HA、HB係以相互鄰接之方式配置於處理室11內。
如圖3所示，於電極殼體HA、HB，以從電漿P放出的EUV光透過連接處理室21朝向利用裝置42之方式，設置EUV光取出用開口部KL。EUV光取出用開口部KL也可使用來作為對附著於被輸送至放電區域D之放電電極EA的電漿原料SB照射能量束的射入口。又，於各電極殼體HA、HB的下部，設置有將附著於電極殼體HA、HB內面的碎屑DB及廢棄材料，排出至外部的排出口QA、QB。
有附著於EUV光源裝置1的內部之可能性的碎屑DB的大部分係往碎屑飛濺方向D1、D2飛濺，在電極殼體HA、HB內部被捕集。又，附著於被輸送至放電區域D之放電電極EA的電漿原料SA中，被照射能量束而汽化，利用於電漿生成的量僅為少量。因此，附著於放電電極EA之電漿原料SA的大部分係未使用之狀態下被送回容器CA，但是，其中一部分係因為重力而落下，未返回容器CA，在電極殼體HA內部被捕集。進而，因為某些問題，會有貯留於容器CA、CB之液相的電漿原料SA、SB的一部分從容器CA、CB溢出之狀況。該漏出的電漿原料SA、SB也往原料漏出方向D3漏出，作為廢棄原料在電極殼體HA、HB內部被捕集。
電極殼體HA、HB係配置於電漿P的附近，所以，藉由來自電漿P的EUV光等的放射，被加熱至碎屑DB及廢棄材料的熔點以上。再者，在本說明書提及熔點時係指錫等之電漿原料SA、SB的熔點。因此，例如放電電極EA、EB是由鎢、鉬或鉭等的高熔點金屬所形成時，即使放電電極EA、EB的材料粒子包含於碎屑DB的狀況中，碎屑DB的熔點也不會包含放電電極EA、EB的熔點。因此，附著於電極殼體HA、HB內面的碎屑DB及廢棄材料所包含的錫並不會固化而維持成液體狀態。附著於電極殼體HA、HB內面的碎屑DB及廢棄材料，係因為重力而集中於電極殼體HA、HB下部，從排出口QA、QB排出至外部，往重力方向落下。
從排出口QA、QB往重力方向落下的碎屑DB及廢棄材料，係藉由背板構件18接收。如圖2所示，背板構件18係藉由設置於連接處理室21內的支持台44支持。支持台44係以背板構件18成為傾斜姿勢之方式支持。支持台44係以從背板構件18的排出部排出的碎屑DB及廢棄材料，被積存於配置在連接處理室21的下方(圖2的下側)之廢棄原料(錫)貯藏部即碎屑收容容器之方式傾斜。背板構件18係藉由加熱手段加熱，其溫度係被維持為錫的熔點以上之溫度。因此，從排出口QA、QB落下至背板構件18的碎屑DB及廢棄材料，係維持液相之狀況，沿著傾斜之背板構件18的承接面移動，被送至背板構件18的排出部。
另一方面，EUV光與碎屑DB一起從電漿P高速擴散至各方向。從電漿P產生的碎屑DB係包含以高速移動的離子、中性原子及電子。此種碎屑DB係到達利用裝置42的話，有損傷或污染利用裝置42內之光學元件的反射膜，降低性能的狀況。因此，利用在碎屑減低部3捕捉碎屑DB，防止碎屑DB侵入利用裝置42。碎屑減低部3係具備固定複數箔片之位置的固定式箔片捕捉器24，與箔片施加與碎屑能動地重夫之作用的旋轉式箔片捕捉器22。固定式箔片捕捉器24係於從連接處理室22行進至利用裝置(遮罩檢查裝置)42之EUV光的光路上，設置於旋轉式箔片捕捉器22與利用裝置24之間。
圖4係揭示圖2的旋轉式箔片捕捉器之構造例的前視圖。 於圖4中，旋轉式箔片捕捉器22係具備中心的槳轂53、同心於槳轂53的外側環52及配置於槳轂53與外側環52之間的多數箔片51。各箔片51係薄膜或薄的平板。箔片51係隔開幾乎相等的角間隔，配置成放射狀。各箔片51係位於包含槳轂53之中心軸線的平面上。旋轉式箔片捕捉器22的材料係例如鎢及/或鉬等的高熔點金屬。
旋轉式箔片捕捉器22的複數箔片51係以不會遮住從電漿P(發光點)朝向窗部27行進的EUV光之方式，與朝向窗部27行進的EUV光的光線方向平行地配置。 亦即，如圖2所示，各箔片51配置於包含槳轂53之中心軸線的平面上的旋轉式箔片捕捉器22，係以槳轂53的中心軸線的延長線上存在電漿P之方式配置。藉此，除了槳轂53及外側環52，EUV光係僅被遮蔽各箔片51的厚度的份量，可讓通過旋轉式箔片捕捉器22之EUV光的比例(也稱為透射率)成為最大。
槳轂53係連結於馬達(旋轉驅動裝置)MC的旋轉軸JC，槳轂53的中心軸線係與旋轉軸JC的中心軸線重合。此時，馬達MC的旋轉軸JC係可當作旋轉式箔片捕捉器22的旋轉軸。旋轉式箔片捕捉器22係被馬達MC驅動而旋轉，旋轉的箔片51係與從電漿P過來的碎屑DB重圖而捕捉碎屑DB，阻止該碎屑DB侵入利用裝置42。
旋轉式箔片捕捉器22係配置於連接處理室21內，相對於此，馬達MC係配置於連接處理室21外。於連接處理室21的壁部，形成有旋轉軸JC通過的貫通孔。旋轉軸JC與連接處理室21的壁部之間的間隙係例如以由機械密封所成的密封構件PC密封。密封構件PC係一邊維持連接處理室21內的減壓氣氛，一邊可自由旋轉地支持馬達MC的旋轉軸JC。
又，為了減低從電漿P至旋轉式箔片捕捉器22的放射，防止旋轉式箔片捕捉器22的過熱，於連接處理室21內配置遮熱板23。遮熱板23係具備用以取出從電漿P放出之EUV光的一部分的任意形狀(例如圓形)的開口部KA。遮熱板23係配置於電漿P的附近，故例如由鉬或鎢等的高熔點材料所構成。 開口部KA係設置於從旋轉式箔片捕捉器22的旋轉軸JC偏心的位置。此時，從電漿P放出之EUV光的一部分係透過開口部KA，對於旋轉式箔片捕捉器22的旋轉軸方向(圖2之左右方向)具有傾斜角度，以所定立體角從遮熱板23取出。
旋轉式箔片捕捉器22係以箔片51位於通過遮熱板23的開口部KA之EUV光的光線束(以下也稱為EUV取出光)的主光線UL上之方式配置。從遮熱板23的開口部KA取出的EUV光係通過碎屑減低部3，透過窗部27被導入至利用裝置(遮罩檢查裝置)42。
旋轉式箔片捕捉器22係捕捉從電漿P擴散的碎屑DB中比較低速的碎屑DB，固定式箔片捕捉器24係捕捉從電漿P擴散的碎屑DB中無法利用旋轉式箔片捕捉器22捕捉的高速行進的碎屑DB。如圖2所示，固定式箔片捕捉器24係配置於EUV取出光的主光線UL上。 又，固定式箔片捕捉器24係具備對應藉由遮熱板23的開口部KA限制行進方向之EUV光即EUV取出光通過的區域之形狀。
圖5係揭示圖2的固定式箔片捕捉器之構造例的俯視圖，圖6係揭示圖2的固定式箔片捕捉器隻構造例的剖面圖。 於圖5及圖6中，固定式箔片捕捉器24係具備複數箔片61，與支持箔片61的固定框(固定構件)60。 箔片61係如圖6所示，於與EUV取出光的主光線UL方向正交的剖面中，分別配置成等間隔。又，固定框60係例如從正面觀察成為矩形狀。再者，固定框60的外形係為任意形狀亦可。進而，複數箔片61係如圖5所示，從與主光線UL方向正交的方向觀察的話，以延伸於EUV取出光的光線方向之方式配置成放射狀。
固定式箔片捕捉器24的複數箔片61係藉由精細分割配置固定式箔片捕捉器24的空間，發揮降低該部分的電導，局部提升壓力的作用。藉由對固定式箔片捕捉器24適當供給氣體，提升固定式箔片捕捉器24之壓力。換句話說，於連接處理室21內，於固定式箔片捕捉器24內局部存在氣體，設定壓力比較高的部分。在此，供給至固定式箔片捕捉器24的氣體係對於EUV光之透射率高的氣體為佳，例如使用氦(He)、氬(Ar)等的稀有氣體或氫(H 2)等。
無法以旋轉式箔片捕捉器22捕捉之高速的碎屑DB係因為在固定式箔片捕捉器24之壓力提升的區域中與氣體的衝突機率提高而速度會降低。又，因為與氣體的衝突，碎屑DB的行進方向也會改變。固定式箔片捕捉器24係如此藉由箔片61或固定框60捕捉速度降低而行進方向改變的碎屑DB。
又，於連接處理室21內，配置護蓋構件25。護蓋構件25係包圍旋轉式箔片捕捉器22，防止藉由旋轉式箔片捕捉器22捕捉的碎屑DB飛濺至連接處理室21的內部。護蓋構件25係具備射入側開口部KI及射出側開口部KOA、KOB。射入側開口部KI係設置於射入至旋轉式箔片捕捉器22的EUV光不會被遮蔽的位置。射出側開口部KOA係設置於通過射入側開口部KA及旋轉式箔片捕捉器22而射入至固定式箔片捕捉器24的EUV光不被遮蔽的位置。射出側開口部KOB係設置於通過射入側開口部KI及旋轉式箔片捕捉器22而射入至監視裝置43的EUV光不被遮蔽的位置。
藉由旋轉式箔片捕捉器22捕捉的碎屑DB的至少一部分，係藉由離心力於徑方向移動於旋轉式箔片捕捉器22的箔片51上，從箔片51的端部脫離，附著於護蓋構件25的內面。 護蓋構件25係藉由省略圖示的加熱手段或來自接受EUV放射之遮熱板23的二次輻射加熱，藉由該加熱，附著於護蓋構件25的內面的碎屑DB並不會固化，而保持液相狀態。附著於護蓋構件25的內面的碎屑DB係藉由重力而聚集於護蓋構件25的下部，從護蓋構件25的下部透過排出管26排出至護蓋構件25之外而成為廢棄原料，被收容於碎屑收容部4。藉此，護蓋構件25可防止從旋轉式箔片捕捉器22的箔片51之端部脫離的碎屑DB飛濺至連接處理室21的內部。
碎屑收容部4係具備碎屑收容容器31。碎屑收容容器31係配置於連接處理室21的外部，安裝於連接處理室21。碎屑收容容器31係貯藏包含碎屑DB及廢棄原料的收容物SU。
於連接處理室21的底壁，形成有連通碎屑收容容器31的內部空間與連接處理室21的內部空間的貫通孔37。碎屑收容容器31係於上部具備凸緣32。以凸緣32包圍的碎屑收容容器31的開口部係重疊於連接處理室21的貫通孔37。然後，利用凸緣32於連接處理室21的底壁，例如以螺絲固定，碎屑收容容器31被安裝於連接處理室21。凸緣32與連接處理室21的底壁之間的間隙，係藉由墊片33密封。遮熱板23係在直立的狀態下配置於貫通孔37的上方。排出管26的排出口係配置於貫通孔37的上方。此時，於來自遮熱板23及排出管26的碎屑DB的落下位置配置碎屑收容容器32。
透過排出管26排出至護蓋構件25之外的廢棄原料，係往重力方向落下，積存於配置在連接處理室21的下方(圖2的下側)的碎屑收容容器31。另一方面，從電漿P擴散至各方向之碎屑DB的一部分，係透過處理室11的窗部17侵入至連接處理室21的話，會堆積於與窗部17對向的遮熱板23之面。堆積於遮熱板23的碎屑DB係藉由來自電漿P的放射而熔融，達到某程度的量時，會成為液滴而因為重力往遮熱板23的下方移動。然後，移動至遮熱板23的下方的碎屑DB從遮熱板23脫離，利用落下至連接處理室21的下方，收容於碎屑收容容器31。
如此，遮熱板23係不僅限制從電漿P到旋轉式箔片捕捉器22的EUV放射，防止旋轉式箔片捕捉器22的過熱，可取出藉由開口部KA從電漿P放出之EUV光的一部分，盡可能減少朝向旋轉式箔片捕捉器22行進的碎屑DB，減少旋轉式箔片捕捉器22的負擔。
在此，碎屑DB的大部分係為錫，廢棄材料也是錫，所以，碎屑收容容器31也可稱為錫回收容器。於碎屑收容容器31的周圍，裹上作為加熱碎屑收容容器31的加熱手段的加熱器配線34。加熱手段係埋設於碎屑收容容器31本體亦可。 在EUV光源裝置1的動作中，藉由對加熱器配線34供電，碎屑收容容器的內部係被加熱至錫的熔點(大約232℃)以上，積存於碎屑收容容器31內部的錫成為液相。
使碎屑收容容器31之內部的錫成為液相的理由，係由於蓄積於碎屑收容容器31之內部的碎屑DB所包含的錫固化的話，碎屑DB容易落下的地點的蓄積物會彷彿鐘乳洞的石筍般成長。碎屑DB的蓄積物石筍狀地成長的話，例如護蓋構件25的排出管26因為碎屑DB被封鎖，碎屑DB會蓄積於護蓋構件25內。此時，蓄積於護蓋構件25內的碎屑DB的至少一部分接觸於旋轉式箔片捕捉器22，有妨礙旋轉式箔片捕捉器22的旋轉，或損傷旋轉式箔片捕捉器22之狀況。。 或者，設置於護蓋構件25的射出側開口部KOA、KOB的一部分被蓄積於護蓋構件25內的碎屑DB封鎖，遮住通過射出側開口部KOA、KOB的EUV光之一部分。 因此，利用使碎屑收容容器31之內部的收容物即錫成為液相，在碎屑收容容器31內將錫平坦化，可一邊迴避如石筍般的成長一邊於碎屑收容容器31內貯藏錫。
在回收蓄積於碎屑收容容器31的錫時，中止對加熱器配線34的供電，停止碎屑收容容器31內部的加熱。然後，碎屑收容容器31的溫度到達常溫，使貯藏於碎屑收容容器31的錫固化之後，使連接處理室21內部返回大氣壓。之後，從連接處理室21卸下碎屑收容容器31，將未積存錫之新的碎屑收容容器安裝於連接處理室21。 從連接處理室21卸下之碎屑收容容器31的內部的錫成為固相，但是，可藉由再加熱其碎屑收容容器31，使內部的錫再次成為液相，從碎屑收容容器31取出錫。從連接處理室21卸下，從內部去除錫的碎屑收容容器31可以再利用。
進而，於連接處理室21的外部，配置監視EUV光的監視裝置43。監視裝置43係檢測EUV光的檢測器或測定EUV光之強度的測定器。於連接處理室21的壁部，形成EUV光通過的貫通孔即EUV光導引孔28，在EUV光導引孔28與監視裝置43之間，設置有EUV光不會漏出到連接處理室21外的導引管29。
於遮熱板23，在不同於開口部KA的其他位置，設置有用以取出從電漿P放出之EUV光的一部分之任意形狀(例如圓形)的開口部KB。 於連結電漿P與開口部KB之中心部的直線的延長線上，配置監視裝置43、EUV光導引孔28及導引管29。所以，從電漿P放出之EUV光的一部分，係依序通過處理室11的窗部17、遮熱板23的開口部KB、護蓋構件25的射入側開口部KI、旋轉式箔片捕捉器22的複數箔片51的間隙、護蓋構件25的射出側開口部KOB、連接處理室21之壁部的EUV光導引孔28及導引管29的內腔，到達監視裝置43。如此一來，可藉由監視裝置43監視EUV光。
圖7係揭示對圖2的背板構件之耐蝕板的安裝方法的立體圖，圖8係揭示安裝圖7的耐蝕板之背板構件的構造例的俯視圖，圖9係揭示圖8的背板構件之構造例的後視圖。 於圖7~圖9中，圖2的碎屑導引部5係具備背板構件18、控制部75及供電部76。背板構件18係具備承接面71、排出部73及周緣壁部72。承接面71係接受碎屑DB及廢棄材料。排出部73係排出以承接面71接收之碎屑DB及廢棄材料。承接面71的寬度係相較於放電電極EA、EB側(背板構件18的深側)，排出部73側(背板構件18的前側)比較窄。周緣壁部72係包圍除了排出部73之承接面71的周緣部的壁部。周緣壁部72係抑制以承接面71接收之液狀的碎屑DB及廢棄材料從排出部73以外之處溢出一事。背板構件18係考慮耐熱性、加工性及經濟性，例如藉由不鏽鋼材料構成。
於背板構件18的承接面71的下側，埋設加熱承接面71的加熱手段74。控制部75係依據依據來自省略圖示之背板構件18的溫度測量手段的溫度資訊，控制供電部76對加熱手段74供電，背板構件18的溫度以成為碎屑DB及廢棄材料的熔點以上之方式維持。供電部76係供給使加熱手段74發熱的電力。
於背板構件18的承接面71上，設置耐蝕板P1。耐蝕板P1係對於液體狀的碎屑DB及廢棄材的耐蝕性比背板構件18高。耐蝕板P1的材料係不僅具有優良耐蝕性，也有良好的耐熱性，因此很理想。例如耐蝕板P1的材料可使用鉬或鎢。耐蝕板P1的平面形狀可與承接面71的平面形狀一致。又，增加將耐蝕板P1設置於承接面71上時的耐蝕板P1與承接面71的接觸面積，為了讓熱容易從背板構件18傳導至耐蝕板P1，耐蝕板P1與承接面71的對向面可平坦化。耐蝕板P1與承接面71接觸之面的至少一部分被研磨亦可。
背板構件18係以承接面71上的耐蝕板P1朝向排出部73側往下傾斜之方式傾斜設置。此時，背板構件18的承接面71的溫度，係以成為碎屑DB及廢棄材的熔點以上之方式維持。此時，背板構件18的承接面71的熱，係透過耐蝕板P1傳導至碎屑DB及廢棄材料，維持碎屑DB及廢棄材料的液相狀態。藉此，一邊可防止落下至耐蝕板P1的碎屑DB及廢棄材料在耐蝕板P1固化，以耐蝕板P1保護承接面71，一邊可應付碎屑DB及廢棄材料。
再者，傾斜設置背板構件18時，為了防止耐蝕板P1從背板構件18的承接面71隔離開，讓耐蝕板P1的側面接觸背板構件18的周緣壁部72的內壁亦可。此時，藉由作用於耐蝕板P1的側面與背板構件18的周緣壁部72的內壁之間的摩擦力，可讓背板構件18的承接面71上之耐蝕板P1的位置穩定。
圖10係揭示卸下圖7的耐蝕板之背板構件的碎屑的承接方法的立體圖，圖11係揭示圖10的背板構件之承接面的破損狀態之一例的俯視圖。 於圖10中，耐蝕板P1並未設置於承接面71上時，在承接面71持續接收被加熱成熔點以上的錫等的碎屑DB及廢棄材料時，背板構件18的母材即不鏽鋼與錫產生反應，如圖11所示，錫所致之承接面71的腐蝕會進展。承接面71的腐蝕進展的話，埋設於承接面71的加熱手段74會從腐蝕部分CR露出，加熱手段74本身因為錫而破損。
圖12係揭示安裝圖7的耐蝕板之背板構件的碎屑的承接方法的立體圖。 於圖12中，將耐蝕板P1設置於承接面71上時，可抑制被加熱至熔點以上之錫等的碎屑DB及廢棄材料與背板構件18的母材即不鏽鋼產生反應。因此，可防止埋設於承接面71的下部的加熱手段74露出，可抑制加熱手段74本身因為錫而破損的問題。
圖13係揭示圖2的導引部之概略構造的剖面圖。 於圖13中，於連接處理室21內，設置支持台44及支持台輔助件45。背板構件18係在耐蝕板P1設置於承接面71上之狀態下，藉由支持台44支持。支持台44的傾斜面與背板構件18的下面係形成為平面狀。支持台44的傾斜面係以從窗部17朝向貫通孔37成為往下傾斜之方式構成。因此，藉由將背板構件18設置於支持台44上，支持台能以成為朝向碎屑收容容器31傾斜的傾斜姿勢之方式支持背板構件18。支持台44係以從窗部17朝向貫通孔37成為往下傾斜之方式藉由支持台輔助件45支持。支持台44的上游側(窗部17側)係藉由支持台輔助件45支持，支持台44的下游側(貫通孔37側)可藉由連接處理室21的底面支持。
再者，於支持台44，將支持台44的下端部成為線接觸的空間部M1設置於支持台44之前端側的背面亦可。該線接觸的位置可設為背板構件18的排出部73的附近，且支持台44連接連接處理室21的內壁部的位置。藉由於支持台44的前端部的背面設置空間部M1，對於液體狀的碎屑DB及廢棄材料的排出部73之附近的迂迴M2，於支持台44的前端部的背面形成上傾斜。藉此，在液體狀的碎屑DB及廢棄材料的迂迴M2的發生時，可將液體狀的碎屑DB及廢棄材料拉回重力方向。因此，可使到達支持台44的下端部之液體狀的碎屑DB及廢棄材料之自支持台44的斷流朝上，可抑制液體狀的碎屑DB及廢棄材料的迂迴M2。
圖14係揭示圖13的支持台之其他概略構造的剖面圖。 在圖14的支持台44A中，代替圖13的支持台44的空間部M1，設置空間部M1A。空間部M1A係以支持台44A的下端部成為線接觸之方式構成。又，圖13的支持台44的前端係為銳角狀，相對於此，圖14的支持台44A的前端係為平坦狀。
此時，支持台44A的下端部之線接觸的位置之空間部M1A的傾斜角θ2，可設為大於支持台44A的傾斜角θ1。藉此，可增大空間部M1A之液體狀的碎屑DB及廢棄材料的迂迴M2之上傾斜的角度，可更有效果地抑制液體狀的碎屑DB及廢棄材料的迂迴M2。
圖15係揭示圖13的支持台之另其他概略構造的剖面圖。 在圖15的支持台44B中，代替圖14的支持台44A的空間部M1A，設置空間部M1B。空間部M1B係以支持台44B的下端部成為線接觸之方式構成。又，圖14的空間部M1A的剖面形狀係為圓弧狀，相對於此，圖15的空間部M1B的剖面形狀係為三角狀。此時，支持台44B的下端部之線接觸的位置之空間部M1B的傾斜角θ3，可設為大於支持台44B的傾斜角θ1。
如此，將支持台的下端部設為線接觸之空間部的剖面形狀，係如圖13及圖14所示，由曲線構成亦可，如圖15所示，由直線構成亦可，曲線與直線混合亦可。
各支持台44A、44B的下端部之線接觸的位置之空間部M1A、M1B的傾斜角θ2、θ3大於支持台44A的傾斜角θ1的話，空間部M1A、M1B的剖面形狀係作為任意形狀亦可。
圖16係從D5方向觀察碎屑從圖13的背板構件的漏出狀態之一例的箭頭視點圖，圖17係從D5方向觀察碎屑從圖13的背板構件的漏出狀態之其他例的箭頭視點圖。再者，在圖16中，揭示圖13的貫通孔37的平面形狀為四角形的貫通孔37A。在圖17中，揭示圖13的貫通孔37的平面形狀為圓形的貫通孔37B。 如圖13所示，藉由將支持台44的下端部成為線接觸的空間部M1設置於支持台44的前端部的背面，可抑制液體狀的碎屑DB及廢棄材料迂迴到支持台44的背面。然而，如圖16所示，有液體狀的錫等的碎屑DB及廢棄材料漏出至排出部73的附近，且為連通至碎屑收容容器31之連接處理室21的貫通孔37A的周緣之狀況。平面形狀為四角形的貫通孔37A之狀況中，可使背板構件18的排出部73的端部與貫通孔37A的端部幾乎一致，所以，漏出之液體狀的碎屑DB及廢棄材料的影響比較小。
另一方面，如圖17所示，平面形狀為圓形的貫通孔37B之狀況中，背板構件18的排出部73的端部與貫通孔37B的端部不一致，所以，漏出之液體狀的碎屑DB及廢棄材料的影響比較大。
圖18係從D5方向觀察安裝第2實施形態的耐蝕板之背板構件的設置例的箭頭視點圖，圖19係從D5方向觀察安裝第2實施形態的耐蝕板之背板構件的其他設置例的箭頭視點圖，圖20係設置安裝了第2實施形態的耐蝕板之背板構件的導引部的概略構造的剖面圖。再者，在圖18中，揭示圖13的貫通孔37的平面形狀為四角形的貫通孔37A。在圖19中，揭示圖13的貫通孔37的平面形狀為圓形的貫通孔37B。
於圖18~圖20中，於背板構件18的承接面71上，設置耐蝕板P2。耐蝕板P2的前端部係比背板構件18的承接面71的端部更突出。具體來說，於耐蝕板P2的前端，設置突出部R2。耐蝕板P2的突出部R2的寬度可設為與背板構件18的排出部73的寬度相等。藉由耐蝕板P2具備突出部R2，將背板構件18設置於支持台44時，從圖20的D5方向觀察時，耐蝕板P2的端部超過貫通孔37的周緣部，位於貫通孔37的上部。
此時，如圖20所示，設置於背板構件18的耐蝕板P2所承接的碎屑DB及廢棄材料，係超過貫通孔37的周緣部，被導引至連通於貫通孔37的碎屑收容容器31。因此，如圖16及圖17所示，於背板構件18的承接面71上設置耐蝕板P1時，液體狀的碎屑DB及廢棄材料漏出至貫通孔37A、37B的周緣，相對於此，如圖18及圖19所示，於背板構件18的承接面71上設置耐蝕板P2時，可防止液體狀的碎屑DB及廢棄材料漏出至貫通孔37A、37B的周緣。
圖21係揭示設置安裝了第3實施形態的耐蝕板之背板構件的導引部之概略構造的剖面圖。 於圖21中，於背板構件18的承接面71上，設置耐蝕板P3。耐蝕板P3係以耐蝕板P3的前端部朝向液體狀的碎屑DB及廢棄材料的落下方向之方式彎曲。以耐蝕板P3的端部面成為與重力方向平行之方式彎曲耐蝕板P3亦可。
具體來說，於耐蝕板P3的前端部，設置彎曲部R3。將背板構件18設置於支持台44時，彎曲部R3係從圖21的D5方向觀察時，超過貫通孔37的周緣部，位於貫通孔37的上部。此時，彎曲部R3係透過突出部R2設置於耐蝕板P3亦可。藉此，於耐蝕板P3的前端部中，可使耐蝕板P3所致之碎屑DB及廢棄材料的案內方向，與碎屑DB及廢棄材料的的落下方向一致，可將耐蝕板P3接收之碎屑DB及廢棄材料，超越貫通孔37的周緣部，有效率地導引至碎屑收容容器31內。
圖22係從D5方向觀察安裝第4實施形態的耐蝕板之背板構件的設置例的箭頭視點圖，圖23係從D5方向觀察安裝第4實施形態的耐蝕板之背板構件的其他設置例的箭頭視點圖。再者，在圖22中，揭示圖13的貫通孔37的平面形狀為四角形的貫通孔37A。在圖23中，揭示圖13的貫通孔37的平面形狀為圓形的貫通孔37B。
於圖22及圖23中，於背板構件18的承接面71上，設置耐蝕板P4。耐蝕板P4的前端部係比背板構件18的承接面71的端部更突出。但是，圖18及圖19的耐蝕板P2的寬度係為一定，相對於此，圖22及圖23的耐蝕板P4的寬度係朝向耐蝕板P4的前端逐漸變窄。將背板構件18設置於支持台44時，從圖20的D5方向觀察時，突出部R4的前端係超過貫通孔37A、37B的周緣部，位於貫通孔37A、37B的上部。
此時，耐蝕板P4係可將落下至耐蝕板P4的碎屑DB及廢棄材料聚集於突出部R4的前端。因此，可使到達耐蝕板P4的前端之碎屑DB及廢棄材料的自耐蝕板P4的斷流向上，超過貫通孔37A、37B的周緣部，更確實地導引至碎屑收容容器31。
圖24係揭示安裝第5實施形態的耐蝕板之背板構件的構造例的俯視圖，圖25係揭示以圖24的A-A線切斷之構造的剖面圖。 於圖24及圖25中，於背板構件18的承接面71上，設置耐蝕板P5。於耐蝕板P5的前端，設置突出部R5。於耐蝕板P5的表面側中，於突出部R5的周緣部附近設置溝Z5。溝Z5係沿著突出部R5的周緣部到達突出部R5的前端。溝Z5係從背板構件18的排出部73往內側方向延伸亦可。
藉由於耐蝕板P5的表面側設置溝Z5，可一邊將移動於耐蝕板P5之突出部R5的周緣部之液體狀的碎屑DB及廢棄材料導引至溝Z5，一邊到達耐蝕板P5的前端部，更確實地導引至碎屑收容容器31。因此，即使在突出部R5的周緣部並未藉由背板構件18的周緣壁部72包圍之狀況中，也可抑制液體狀的碎屑DB及廢棄材料從突出部R5的周緣部落下。
此時，變成不需要為了抑制液體狀的碎屑DB及廢棄材料從突出部R5的周緣部落下，於耐蝕板之突出部的周緣部設置周緣壁部。因此，不需要將用以在耐蝕板P5之突出部R5的周緣部形成周緣壁部的彎曲加工等，對耐蝕板P5施加，即使以如鎢般硬度高的材料或如鉬般硬度高，且易碎的材料構成耐蝕板P5之狀況中，也可一邊減低耐蝕板P5之加工的困難性，一邊抑制液體狀的碎屑DB及廢棄材料從突出部R5的周緣部落下。
圖26係揭示安裝第6實施形態的耐蝕板之背板構件的構造例的俯視圖。 於圖26中，於背板構件18的承接面71上，設置耐蝕板P6。於耐蝕板P6的前端，設置突出部R6。圖24的耐蝕板P5的寬度係為一定，相對於此，圖26的耐蝕板P6的寬度係朝向耐蝕板P6的前端逐漸變窄。於耐蝕板P6的表面側中，於突出部R6的周緣部附近設置溝Z6。溝Z6係沿著突出部R6的周緣部到達突出部R6的前端。此時，溝Z6係從突出部R6的前端分叉，可沿著突出部R6的周緣部到達背板構件18的排出部73上。
藉由於耐蝕板P6的表面側設置溝Z6，可一邊將移動於耐蝕板P6之突出部R6的周緣部之液體狀的碎屑DB及廢棄材料導引至溝Z6，一邊超越貫通孔37A、37B的周緣部到達耐蝕板P6的前端部，更確實地導引至碎屑收容容器31。
再者，如圖21所示，將圖22、圖24及圖26個別之各耐蝕板P4~P6的突出部R4~R6的前端，朝向碎屑DB及廢棄材料的落下方向彎曲亦可。
在上述的實施形態中，舉LDP方式的EUV光源裝置例，但是，設置上述之耐蝕板的背板構件係使用LPP方式的EUV光源裝置亦可。 以下，說明將設置耐蝕板的背板構件使用於LPP方式的EUV光源裝置的範例。
圖27係揭示將第7實施形態之極紫外光光源裝置的處理室內及連接處理室內，切斷於水平方向的剖面圖，圖28係從D0’方向觀察圖27的光源部的箭頭視點圖。 於圖27及圖28中，在LPP方式中利用將電漿生成用驅動雷射照射至靶，以生成電漿P’，從電漿P放出EUV光。靶材料係作為EUV產生用電漿原料，例如使用錫。靶材料係作為液滴供給亦可。
電漿生成用驅動雷射係可包含脈衝雷射系統，例如以高電力及高脈衝重複率作動的氣體放電準分子雷射、CO 2雷射或分子氟雷射。
LPP方式的EUV光源裝置係例如日本專利第6241062號公報所揭示般，具備將靶材料(電漿原料)以圓盤狀的旋轉體供給的構造。 具體來說，如圖27所示，EUV光源裝置101係具有將在內部產生電漿P’與外部隔離的處理室111。處理室111係由剛體例如金屬所形成。處理室111係為真空框體，其內部係加熱激發電漿原料SA’，為了抑制此時生成之EUV光的衰減，設為減壓氣氛。
於處理室111內部，配置產生放出EUV光的電漿P的光源部112。光源部112係具備圓板状構件的原料供給板EA’。原料供給板EA’係例如由鎢、鉬、鉭等的高熔點金屬所形成。
原料供給板EA’係連結於馬達MA’的旋轉軸JA’，繞原料供給板EA’的軸線旋轉。馬達MA’係配置於處理室111的外部，各馬達MA’的旋轉軸JA’係從處理室111的外部往內部延伸。旋轉軸JA’與處理室111的壁部之間的間隙係例如以由機械密封所成的密封構件PA’密封。密封構件PA’係一邊維持處理室111內的減壓氣氛，一邊可自由旋轉地支持旋轉軸JA’。馬達MA’的旋轉驅動係藉由控制部112控制。
於處理室111的內部，配置有貯留液相之電漿原料SA’的容器CA’。對容器CA’，供給被加熱之液相的電漿原料SA’。液相的電漿原料SA’係例如錫。 容器CA’係以放電電極EA’的下部被浸漬於液相的電漿原料SA’之方式收容電漿原料SA’。所以，於原料供給板EA’的下部，附著液相的電漿原料SA’。附著於放電電極EA’的下部之液相的電漿原料SA’係伴隨放電電極EA’的旋轉，被輸送至產生電漿P’的雷射照射區域。
於處理室111的外部，配置雷射源114。雷射源114係對附著於被輸送至雷射照射區域之原料供給板EA’的電漿原料SA’照射能量束，以產生電漿P’。雷射源114係例如CO 2雷射裝置。此時，雷射源114係發出波長10.6μm之紅外區域的雷射光束LB’。但是，雷射源114係只要可加熱電漿原料SA’已產生電漿P’的話，作為發出CO 2雷射光以外的雷射光束的裝置亦可。
雷射源114所致之雷射光束LB’的照射時機係藉由控制部112控制。從雷射源114放出的雷射光束LB’係藉由配置於處理室111的外部之可動鏡片116反射，通過設置於處理室111之壁部的透明窗118，照射至原料供給板EA’的外周面。 在此，藉由調整可動鏡片116的姿勢，調整原料供給板EA’之雷射光束LB’的照射位置。可動鏡片116的姿勢的調整係作業員利用手動實施亦可，依據來自監視裝置的EUV光的強度資訊，控制部112進行可動鏡片116的姿勢控制亦可。此時，可動鏡片116係藉由省略圖示的可動鏡片驅動部驅動。
在LPP方式的EUV光源裝置中，如日本特開2005-17274號公報及日本特表2010-514214號公報所記載般，採用對於1個原料照射複數次雷射光束的前脈衝(Prepulse)製程。在該手法中，將第1能量束(前脈衝：例如YAG雷射)照射至電漿原料以生成弱電漿，減低該電漿原料的密度。接著，對減低密度的電漿照射第2能量束(主脈衝：例如CO 2雷射)。 利用藉由前脈衝的照射，減低電漿原料的密度，改善對該電漿原料之主脈衝的吸收，增加EUV放射強度。又，電漿被低密度化，減低EUV放射的再吸收，故可提升EUV產生效率，減低碎屑。
亦即，如上所述，照射液體狀的電漿原料SA’的能量束，係包含至少2個能量束為佳。作為照射能量束的裝置，例如除了CO 2氣體雷射源或YAG雷射等的固態雷射源之外，也可採用ArF雷射、KrF雷射或XeCl雷射等的準分子雷射源等。
再者，在以下的說明中，為了簡易化，舉使用1個雷射源之狀況為例。又，在本實施形態中，作為照射至電漿原料SA’的能量束，照射雷射光束LB’，但是，代替雷射光束LB’，將離子光束或電子束照射至塗佈於旋轉體的側面(平面狀表面)之液體狀的電漿原料亦可。
對被供給至原料供給板EA’的外周面的電漿原料SA’照射雷射光束LB’的話，電漿原料SA’會被加熱激發，產生電漿P’。從電漿P’放出EUV光。EUV光係在其他光學系裝置即利用裝置(微影裝置或遮罩檢查裝置)中利用。於本實施形態中，EUV光係在遮罩檢查裝置中利用。
在處理室111與利用裝置之間，配置連接處理室121。連接處理室121係由剛體例如金屬所形成。連接處理室121係為真空框體，其內部也與處理室111的內部相同，為了抑制EUV光的衰減而設為減壓氣氛。
於連接處理室121，配置捕捉碎屑DB的旋轉式箔片捕捉器122，與減低從電漿P’對旋轉式箔片捕捉器122的放射的遮熱板23。旋轉式箔片捕捉器122係連結於設置在連接處理室121的外部之馬達MC’的旋轉軸JC’。
連接處理室121的內部空間係透過窗部117與處理室111連通。窗部117係形成於處理室111之壁部的貫通孔。又，連接處理室121係空間上連通於利用裝置(遮罩檢查裝置)。
另一方面，EUV光與碎屑一起從電漿P’高速擴散至各方向。碎屑係包含電漿原料SA’即錫粒子及伴隨電漿P’的產生而被濺鍍之原料供給板EA’的材料粒子。該等碎屑係經過電漿P’的膨脹過程，獲得大量的動能。
然後，飛濺至連接處理室121側的碎屑的至少一部分，係與LDP方式的EUV光源裝置相同，會藉由旋轉式箔片捕捉器122等的碎屑減低裝置捕捉。但是，行進至其以外的方向的碎屑係如果狀況不變的話會附著於EUV光源101內部(例如處理室111的內壁)，引起內部污染。
以盡可能抑制此種碎屑的飛濺所致之內部污染的方式，原料供給板EA’、容器CA’及馬達MA’之旋轉軸JA’的一部分係藉由原料供給板殼體HA’包圍。再者，旋轉軸JA’係例如分別透過設置於原料供給板殼體HA’之未圖示的孔部，與原料供給板EA’連接。
如圖28所示，於原料供給板殼體HA’，以從電漿P’放出的EUV光透過連接處理室121朝向利用裝置之方式，設置EUV光取出用開口部KL’。EUV光取出用開口部KL’也可使用來作為對附著於被輸送至雷射光束照射區域之原料供給板EA’的電漿原料SA’照射能量束的射入口。又，於原料供給板殼體HA’的下部，設置有將附著於原料供給板殼體HA’內面的碎屑DB及廢棄材料，排出至外部的排出口QA’。
有附著於EUV光源裝置101內部之可能性的碎屑DB的大部分係往碎屑飛濺方向D1’、D2’飛濺，在原料供給板殼體HA’內部被捕集。又，附著於被輸送至雷射照射區域之原料供給板EA’的電漿原料SA’中，被照射能量束而加熱，利用於電漿生成的量僅為少量。因此，附著於原料供給板EA’之電漿原料SA’的大部分係未使用之狀態下被送回容器CA’，但是，其中一部分係因為重力而落下，未返回容器CA’，在原料供給板殼體HA’內部被捕集。進而，因為某些問題，會有貯留於容器CA’之液相的電漿原料SA’的一部分從容器CA’溢出之狀況。該漏出的電漿原料SA’也往原料漏出方向D3’漏出，作為廢棄原料在原料供給板殼體HA’內部被捕集。
原料供給板殼體HA’係配置於電漿P’的附近，所以，藉由來自電漿P’的EUV光等的放射，被加熱至碎屑DB及廢棄材料的熔點以上。再者，在本說明書提及熔點時係指錫等之電漿原料SA’的熔點。因此，例如原料供給板EA’是由鎢、鉬或鉭等的高熔點金屬所形成時，即使原料供給板EA’的材料粒子包含於碎屑DB的狀況中，碎屑DB的熔點也不會包含原料供給板EA’的熔點。因此，附著於原料供給板殼體HA’內面的碎屑DB及廢棄材料所包含的錫並不會固化而維持成液體狀態。附著於原料供給板殼體HA’內面的碎屑DB及廢棄材料，係因為重力而集中於原料供給板殼體HA’下部，從排出口QA’排出至外部，往重力方向落下。
於LPP方式的EUV光源裝置101中，也為了收容光源部112產生的碎屑DB及利用碎屑減低裝置捕捉的碎屑DB等，具備圖2的碎屑收容部4。又，於LPP方式的EUV光源裝置101中，也為了將附著於原料供給板殼體HA’內面的碎屑DB及廢棄材料導引至碎屑收容部4，具備碎屑導引部5。
從排出口QA’往重力方向落下的碎屑DB及廢棄材料，係藉由碎屑導引部5的背板構件18接收。背板構件18係藉由設置於連接處理室121內的支持台支持。支持台係以背板構件18成為傾斜姿勢之方式支持。背板構件18係藉由加熱手段加熱，其溫度係被維持為錫的熔點以上之溫度。因此，從排出口QA’落下至背板構件18的碎屑DB及廢棄材料，係維持液相之狀況，沿著傾斜之背板構件18的承接面71移動，被送至背板構件18的排出部73，積存於碎屑收容容器31。
此時，於LPP方式的EUV光源裝置101中，如圖7所示，於背板構件18的承接面71上，設置耐蝕板P1。藉此，可抑制被加熱至熔點以上之錫等的碎屑DB及廢棄材料與背板構件18的母材即不鏽鋼產生反應，可防止背板構件18的腐蝕。
再者，於LPP方式的EUV光源裝置101中，於背板構件18的承接面71上，設置圖18的耐蝕板P2、圖21的耐蝕板P3、圖22的耐蝕板P4、圖24的耐蝕板P5或圖26的耐蝕板P6亦可。
以上，已針對本發明的各種實施形態進行說明，但是，本發明並不限定於上述之實施形態，包含各種變形例。例如，可將某實施型態的構造之一部分，置換成其他實施形態的構造，又，也可於某實施形態的構造加入其他實施形態的構造。又，可針對各實施形態的構造之一部分，進行其他構造的追加‧刪除‧置換。
例如，在上述之實施形態中，揭示將以耐蝕材構成的耐蝕板，設置於背板構件的承接面上的範例。於該方法以外，為了保護背板構件的承接面，於背板構件的承接面上形成耐蝕膜亦可。該耐蝕板的材料係作為鉬或鎢亦可，作為氮化鈦、SiC或氧化膜亦可。或者，以鋁等之熱傳導性佳的材料構成耐蝕板，以鈍化膜等的耐蝕膜被覆耐蝕板亦可。於背板構件的承接面上形成耐蝕膜時，利用濺鍍成膜亦可，利用電漿CVD(Chemical Vapor Deposition)成膜亦可。
1:極紫外光光源裝置 2:光源部 3:碎屑減低部 4:碎屑收容部 5A:導引部 5B:導引部 5C:導引部 11:處理室 13:脈衝電力供給部 14:雷射源 15:聚光透鏡 16:可動鏡片 17:窗部 18:背板構件 21:連接處理室 22:旋轉式箔片捕捉器 23:遮熱板 24:固定式箔片捕捉器 25:護蓋構件 26:排出管 27:窗部 28:EUV光導引孔 29:導引管 31:碎屑收容容器 32:凸緣 33:墊片 34:加熱器配線 37:貫通孔 37A:貫通孔 37B:貫通孔 42:利用裝置 43:監視裝置 44:支持台 44A:支持台 44B:支持台 45:支持台輔助件 51:箔片 52:外側環 53:槳轂 60:固定框 61:箔片 71:承接面 72:周緣壁部 73:排出部 74:加熱手段 75:控制部 76:供電部 101:EUV光源 111:處理室 112:控制部 114:雷射源 116:可動鏡片 117:窗部 121:連接處理室 122:旋轉式箔片捕捉器 CA:容器 CA’:容器 CB:容器 D:放電區域 DB:碎屑 D1:碎屑飛濺方向 D1’:碎屑飛濺方向 D2:碎屑飛濺方向 D2’:碎屑飛濺方向 D3:原料漏出方向 EA:放電電極 EA’:原料供給板 EB:放電電極 FA:饋通 FB:饋通 HA:電極殼體 HA’:原料供給板殼體 HB:電極殼體 JA:旋轉軸 JA’:旋轉軸 JB:旋轉軸 JC:旋轉軸 KA:開口部 KI:射入側開口部 KL:EUV光取出用開口部 KL’:EUV光取出用開口部 KOA:射出側開口部 KOB:射出側開口部 LB:雷射光束 LB’:雷射光束 M1:空間部 M1A:空間部 M1B:空間部 M2:迂迴 MA:馬達 MA’:馬達 MB:馬達 MC:馬達 P:電漿 P’:電漿 QA:排出口 QA’:排出口 QB:排出口 P1:耐蝕板 P2:耐蝕板 P3:耐蝕板 P4:耐蝕板 P5:耐蝕板 P6:耐蝕板 P7:耐蝕板 PA:密封構件 PB:密封構件 PC:密封構件 R2:突出部 R3:彎曲部 R4:突出部 R5:突出部 R6:突出部 SA:電漿原料 SA’:電漿原料 SB:電漿原料 SU:收容物 UL:主光線 Z5:溝
[圖1]揭示將第1實施形態之極紫外光光源裝置的處理室內及連接處理室內，切斷於水平方向的剖面圖。 [圖2]揭示第1實施形態之碎屑減低部及碎屑收容部的概略構造的剖面圖。 [圖3]從D0方向觀察圖1的光源部的箭頭視點圖。 [圖4]揭示圖2的旋轉式箔片捕捉器(Foil trap)之構造例的前視圖。 [圖5]揭示圖2的固定式箔片捕捉器之構造例的俯視圖。 [圖6]揭示圖2的固定式箔片捕捉器之構造例的前視圖。 [圖7]揭示對圖2的背板構件之耐蝕板的安裝方法的立體圖。 [圖8]揭示安裝圖7的耐蝕板之背板構件的構造例的俯視圖。 [圖9]揭示圖8的背板構件之構造例的後視圖。 [圖10]揭示卸下圖7的耐蝕板之背板構件的碎屑的承接方法的立體圖。 [圖11]揭示圖10的背板構件之承接面的破損狀態之一例的俯視圖。 [圖12]揭示安裝圖7的耐蝕板之背板構件的碎屑的承接方法的立體圖。 [圖13]揭示圖2的導引部之概略構造的剖面圖。 [圖14]揭示圖13的支持台之其他概略構造的剖面圖。 [圖15]揭示圖13的支持台之另其他概略構造的剖面圖。 [圖16]從D5方向觀察碎屑從圖13的背板構件的漏出狀態之一例的箭頭視點圖。 [圖17]從D5方向觀察碎屑從圖13的背板構件的漏出狀態之其他例的箭頭視點圖。 [圖18]從D5方向觀察安裝第2實施形態的耐蝕板之背板構件的設置例的箭頭視點圖。 [圖19]從D5方向觀察安裝第2實施形態的耐蝕板之背板構件的其他設置例的箭頭視點圖。 [圖20]揭示設置安裝了第2實施形態的耐蝕板之背板構件的導引部之概略構造的剖面圖。 [圖21]揭示設置安裝了第3實施形態的耐蝕板之背板構件的導引部之概略構造的剖面圖。 [圖22]從D5方向觀察安裝第4實施形態的耐蝕板之背板構件的設置例的箭頭視點圖。 [圖23]從D5方向觀察安裝第4實施形態的耐蝕板之背板構件的其他設置例的箭頭視點圖。 [圖24]揭示安裝第5實施形態的耐蝕板之背板構件的構造例的俯視圖。 [圖25]揭以圖24的A-A線切斷之構造的剖面圖。 [圖26]揭示安裝第6實施形態的耐蝕板之背板構件的構造例的俯視圖。 [圖27]揭示將第7實施形態之極紫外光光源裝置的處理室內及連接處理室內，切斷於水平方向的剖面圖。 [圖28]從D0’方向觀察圖27的光源部的箭頭視點圖。
18:背板構件
71:承接面
72:周緣壁部
73:排出部
P1:耐蝕板

Claims (16)

  1. 一種極紫外光光源裝置，其特徵為具備： 光源部，係基於可放射極紫外光之原料的激發，產生放射前述極紫外光的電漿； 收容容器，係收容前述原料的熔化液及從前述電漿擴散的碎屑； 背板構件，係承接前述原料的熔化液及從前述電漿擴散的碎屑，並導引至前述收容容器；及 耐蝕材，係對於前述原料的熔化液及碎屑，耐蝕性比前述背板構件高，且設置於前述背板構件的承接面上。
  2. 如請求項1所記載之極紫外光光源裝置，其中， 前述光源部，係具備： 一對圓盤狀的放電電極，係相互隔開配置； 馬達，係使前述放電電極繞各旋轉軸旋轉； 容器，係在前述放電電極的一部分浸漬於前述原料的熔化液之狀態下，貯留前述原料的熔化液； 電極殼體，係包圍前述放電電極及前述容器；及 處理室，係包圍前述電極殼體，設置取出前述極紫外光的窗部； 前述電極殼體，係具備： 開口部，係可取出前述極紫外光；及 排出口，係排出從前述容器漏出之原料的熔化液及附著於前述電極殼體之內壁的碎屑； 前述背板構件，係以成為前述原料及碎屑的熔點以上之方式加熱； 且以從前述排出口排出之前述原料的熔化液及碎屑朝向前述收容容器下降的傾斜姿勢被支持。
  3. 如請求項2所記載之極紫外光光源裝置，其中，更具備： 脈衝電力供給手段，係對前述放電電極供給脈衝電力；及 能量束照射手段，係對前述放電電極的旋轉時附著於外周面之原料的熔化液照射能量束，使前述原料汽化。
  4. 如請求項1所記載之極紫外光光源裝置，其中， 前述光源部，係具備： 圓盤狀的原料供給板； 馬達，係使前述原料供給板繞旋轉軸旋轉； 容器，係在前述原料供給板的一部分浸漬於前述原料的熔化液之狀態下貯留前述原料的熔化液； 原料供給板殼體，係包圍前述原料供給板及前述容器，設置取出前述極紫外光的窗部；及 處理室，係包圍前述原料供給板殼體，設置取出前述極紫外光的窗部； 前述原料供給板殼體，係具備： 開口部，係可取出前述極紫外光；及 排出口，係排出從前述容器漏出之原料的熔化液及附著於前述原料供給板殼體之內壁的碎屑； 前述背板構件，係以成為前述原料及碎屑的熔點以上之方式加熱； 且以從前述排出口排出之前述原料的熔化液及碎屑朝向前述收容容器下降的傾斜姿勢被支持。
  5. 如請求項4所記載之極紫外光光源裝置，其中，更具備： 能量束照射手段，係對前述原料供給板的旋轉時附著於外周面之原料的熔化液照射能量束，使前述原料電漿化。
  6. 如請求項1至5中任一項所記載之極紫外光光源裝置，其中，具備： 支持構件，係以前述原料的熔化液及碎屑朝向前述收容容器下降的傾斜姿勢，支持前述背板構件； 前述支持構件，係具備前述支持構件的下端部成為線接觸的空間部。
  7. 如請求項1至5中任一項所記載之極紫外光光源裝置，其中，具備： 箔片捕捉器，係捕捉與透過前述窗部放射之前述極紫外光一起飛濺的碎屑； 遮熱板，係減低透過前述窗部之對於前述箔片捕捉器的放射；及 連接處理室，係以包圍前述箔片捕捉器及前述遮熱板之方式連接於前述處理室，設置有連通於前述收容容器的貫通孔； 透過前述背板構件導引之前述原料的熔化液及碎屑、以前述箔片捕捉器捕捉的碎屑、附著於前述遮熱板的碎屑，係透過前述貫通孔被收容於前述收容容器。
  8. 如請求項1至5中任一項所記載之極紫外光光源裝置，其中， 前述耐蝕材，係可設置於前述背板構件的承接面上的耐蝕板或被覆前述背板構件的承接面的耐蝕膜。
  9. 如請求項8所記載之極紫外光光源裝置，其中， 前述耐蝕板的前端部，係比前述背板構件的前端部更突出。
  10. 如請求項9所記載之極紫外光光源裝置，其中， 前述耐蝕板，係以前述耐蝕板的前端部朝向前述原料的熔化液及碎屑的落下方向之方式彎曲。
  11. 如請求項9或10所記載之極紫外光光源裝置，其中， 前述耐蝕板的突出部的前端，係超過前述貫通孔的周緣部，位於前述貫通孔的上方。
  12. 如請求項9或10所記載之極紫外光光源裝置，其中， 前述耐蝕板的突出部，係朝向前端而逐漸變窄。
  13. 如請求項9或10所記載之極紫外光光源裝置，其中， 前述耐蝕板，係具備沿著前述耐蝕板之突出部的周緣部延伸的溝。
  14. 如請求項9或10所記載之極紫外光光源裝置，其中， 前述耐蝕板的材料，係為鉬或鎢。
  15. 一種背板構件的保護方法，係承接可放射極紫外光之原料的熔化液或碎屑的背板構件的保護方法，其特徵為： 藉由將對於前述原料的熔化液或碎屑，耐蝕性比前述背板構件高的耐蝕材，設置於前述背板構件的承接面上，以保護前述背板構件的承接面。
  16. 如請求項15所記載之背板構件的保護方法，其中， 前述耐蝕材，係可設置於前述背板構件的承接面上的耐蝕板； 在可設置於前述背板構件的承接面上的耐蝕板上，承接前述原料的熔化液或碎屑； 透過前述耐蝕板，將前述原料的熔化液或碎屑導引至收容容器。
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