JP2023173936A - 光源装置 - Google Patents

Abstract

【課題】デブリの固化に起因する電極ハウジングとチャンバとの間の短絡を抑制する。【解決手段】本発明の一形態に係る光源装置は、光源ユニットと、チャンバと、遮蔽部材とを具備する。前記光源ユニットは、円盤状の第１の放電電極と、前記第１の放電電極を収容する第１の電極ハウジングと、円盤状の第２の放電電極と、前記第２の放電電極を収容する第２の電極ハウジングとを有し、前記第１の放電電極と前記第２の放電電極との間の放電領域に導電性の液体原料のプラズマを発生させることで所定波長の光を放出させる。前記チャンバは、前記第１の電極ハウジングおよび前記第２の電極ハウジングを収容し、前記光源ユニットを固定する第１の側壁部を有する。前記遮蔽部材は、前記第１の側壁部の内壁面に設置され、前記光源ユニットと前記第１の側壁部との間に形成された間隙部の少なくとも一部を遮蔽する。【選択図】図７

Description

本発明は、例えば極端紫外光の光源装置に関する。

近年、半導体集積回路の微細化および高集積化につれて、露光用光源の短波長化が進められている。次世代の半導体露光用光源としては、特に、波長１３．５ｎｍの極端紫外光（以下、「ＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）光」とも言う）を放射する極端紫外光光源装置（以下、「ＥＵＶ光源装置」とも言う）の開発が進められている。

ＥＵＶ光源装置において、ＥＵＶ光（ＥＵＶ放射）を発生させる方法はいくつか知られている。それらの方法のうちの一つに極端紫外光放射種（以下、ＥＵＶ放射種とも言う）を加熱して励起することによりプラズマを発生させ、プラズマからＥＵＶ光を取り出す方法がある。このような方法を採用するＥＵＶ光源装置は、プラズマの生成方式により、ＬＰＰ（Laser Produced Plasma：レーザ生成プラズマ）方式と、ＤＰＰ（Discharge Produced Plasma：放電生成プラズマ）方式とに分けられる。

ＤＰＰ方式のＥＵＶ光源装置は、ＥＵＶ放射種（気相のプラズマ原料）を含む放電ガスが供給された電極間に高電圧を印加して、放電により高密度プラズマを生成し、そこから放射される極端紫外光を利用する。ＤＰＰ方式としては、例えば、特許文献１に記載されているように、放電を発生させる電極表面にＥＵＶ放射種を含む液体状のプラズマ原料（例えば、スズ（Ｓｎ）またはリチウム（Ｌｉ）等）を供給し、当該原料に対してレーザビーム等のエネルギービームを照射して当該原料を気化し、その後、放電によってプラズマを生成する方法が提案されている。このような方式は、ＬＤＰ（Laser Assisted Gas Discharge Produced Plasma）方式と称されることもある。
一方、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光源装置は、レーザ光をターゲット材料に照射し、当該ターゲット材料を励起させてプラズマを生成する。

ＥＵＶ光源装置は、半導体デバイス製造における半導体露光装置（リソグラフィ装置）の光源装置として使用される。あるいは、ＥＵＶ光源装置は、リソグラフィに使用されるマスクの検査装置の光源装置として使用される。すなわち、ＥＵＶ光源装置は、ＥＵＶ光を利用する他の光学系装置（利用装置）の光源装置として使用される。ＥＵＶ光は大気中では著しく減衰するので、プラズマから利用装置までのＥＵＶ光が通過する空間領域は、ＥＵＶ光の減衰を抑制するために減圧雰囲気、つまり真空環境に維持されたチャンバ（筐体）の内部に形成される。

一方、ＥＵＶ光源装置においては、プラズマからはデブリが高速で放散される。デブリは、プラズマ原料の粒子（プラズマ原料がスズの場合は、スズ粒子）を含む。また、ＤＰＰ方式またはＬＤＰ方式でプラズマが生成される場合、デブリは、プラズマの発生に伴いスパッタリングされる放電電極の材料粒子も含むことがある。デブリは、利用装置に到達すると、利用装置内の光学素子の反射膜を損傷または汚染させ、その性能を低下させることがある。そのため、デブリが利用装置に侵入しないように、放散されたデブリを捕捉するデブリ低減装置（ＤＭＴ（Debris Mitigation Tool）とも言う）が提案されている。

ＬＤＰ方式のＥＵＶ光源装置においては、放電領域に生成されるプラズマからデブリがあらゆる方向に飛散する。利用装置側に飛散するデブリは、上述したデブリ低減装置により捕捉されるが、それ以外の方向に進行するデブリは、そのままだとＥＵＶ光源装置内部に付着する。このようなデブリの内部付着を抑制するために、例えば特許文献２には、放電電極を収容する電極ハウジングを備えた光源装置が開示されている。

上述したＥＵＶ光源装置内部に付着する可能性のあるデブリの大部分は、電極ハウジング内部にて捕集される。また、放電領域に供給されるプラズマ原料（スズ）の一部が漏出することがある。このような漏出原料は、プラズマ発生に寄与しないため廃原料となり、電極ハウジング内部にて捕集される。

電極ハウジングは、プラズマの近傍に配置されるので、プラズマからのＥＵＶ等の放射により、デブリ（スズ）および廃材料（スズ）の融点以上に加熱される。よって、電極ハウジング内面に付着したデブリおよび廃材料は固化することなく液体状態に維持される。電極ハウジング内面に付着したデブリおよび廃材料は、重力により電極ハウジング下部に集まり、電極ハウジング下部に設けられた排出口より外部に排出され、重力方向に落下する。

重力方向に落下したデブリおよび廃材料は、受け板部材により受け取られ、この受け板部材を介してデブリ収容容器（プラズマ原料がスズの場合は、スズ回収容器（Tin Dump））に溜められる。デブリ収容容器には、当該デブリ収容容器をプラズマ原料の融点以上に加熱する加熱部が設けられている。すなわち、デブリ収容容器によって受け止められた廃原料は直ちに溶融され、液化した状態でデブリ収容容器に溜まる。

特開２０１７－２１９６９８号公報 ＵＳ２０１５／００９０９０７号公報

上記したように、デブリにはプラズマ原料の粒子（プラズマ原料がスズの場合は、スズ粒子）が含まれる。デブリであるプラズマ原料の粒子の少なくとも一部は、放電電極や電極ハウジングが設置される空間に気相状態で存在する。プラズマを生成してＥＵＶを放射させる動作が継続中の場合、電極ハウジングはプラズマによりデブリ（スズ）の融点以上に加熱される。このため、電極ハウジングに進入した気相状態のデブリ（スズ）が当該電極ハウジングの内部表面に接触して液化したとしても、そのまま液体状態が維持され、電極ハウジング下部に設けられた排出口より外部に排出される。

一方、電極ハウジング外に浮遊する気相状態のデブリ（スズ）の一部は、電極ハウジングを支持するチャンバの内壁面や電極ハウジングの外表面と接触して液化する。特に、比較的温度が低いチャンバの内壁面では、液化したデブリがそのまま固化する。電極ハウジングに近接するチャンバの内壁面領域においては、当該内壁面領域に付着し固化したデブリ（スズ）が電極ハウジングの外表面と接触することで、電気的な短絡を生じさせる場合がある。特に、高電圧が印加される放電電極を内包する電極ハウジングは、当該電極と電気的に接続されているので、上記電極ハウジングにも高電圧が印加される。よって、高電圧が印加される電極ハウジングとこれに近接するチャンバの内壁面領域との間に上記短絡が発生すると、短絡箇所に大電流が流れてしまい、ＥＵＶ光源装置の故障が発生する。

以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、デブリの固化に起因する電極ハウジングとチャンバとの間の短絡の発生を抑制することができる光源装置を提供することにある。

本発明の一形態に係る光源装置は、光源ユニットと、チャンバと、遮蔽部材とを具備する。
前記光源ユニットは、円盤状の第１の放電電極と、前記第１の放電電極を収容する第１の電極ハウジングと、円盤状の第２の放電電極と、前記第２の放電電極を収容する第２の電極ハウジングとを有し、前記第１の放電電極と前記第２の放電電極との間の放電領域に導電性の液体原料のプラズマを発生させることで所定波長の光を放出させる。
前記チャンバは、前記第１の電極ハウジングおよび前記第２の電極ハウジングを収容し、前記光源ユニットを固定する第１の側壁部を有する。
前記遮蔽部材は、前記第１の側壁部の内壁面に設置され、前記光源ユニットと前記第１の側壁部との間に形成された間隙部の少なくとも一部を遮蔽する。

上記光源装置において、遮蔽部材は、電極ハウジング外に浮遊する気相状態のデブリがチャンバの第１の側壁部と光源ユニットとの間に形成された間隙部へ進入することを抑制する。これにより、上記間隙部へ進入したデブリに起因する電極ハウジングとチャンバとの間の短絡の発生を抑制することができる。

前記第２の電極ハウジングおよび前記チャンバは、グランド電位に接続され、前記第１の電極ハウジングは、前記第２の電極ハウジングよりも高電位または低電位の電圧供給源に接続されてもよい。この場合、前記遮蔽部材は、少なくとも、前記第１の電極ハウジングと前記第１の側壁部との間に形成された間隙部の一部を遮蔽する。
これにより、高電圧が印加される第１の電極ハウジングとグランド電位に接続されるチャンバとの間におけるデブリに起因する短絡を抑制することができる。

前記第１の側壁部は、前記第１の電極ハウジングおよび前記第２の電極ハウジングを前記チャンバの内部に配置するための貫通孔を有してもよい。この場合、前記間隙部は、前記第１の電極ハウジングおよび前記第２の電極ハウジングと前記貫通孔の内周面との間に形成される。

前記光源ユニットは、ユニット基板をさらに有してもよい。前記ユニット基板は、前記第１の側壁部の外壁面に取り付けられ、前記第１の電極ハウジングおよび前記第２の電極ハウジングを共通にまたは個別に支持する。この場合、前記光源ユニットは、前記ユニット基板を介して第１の側壁部に固定される。

前記第１の側壁部は、前記第１の側壁部の内壁面に設けられ前記貫通孔の上縁周縁部から前記チャンバの内部に向かって突出する突出部をさらに有してもよい。この場合、前記遮蔽部材は、前記突出部と前記第１の電極ハウジングとの間を遮蔽する。

前記光源ユニットは、第１の材料供給部と、第２の材料供給部と、第１のモータと、第２のモータとをさらに有してもよい。前記第１の材料供給部は、前記第１の電極ハウジングに収容され、前記第１の放電電極の周縁部に前記液体原料を供給する。前記第２の材料供給部は、前記第２の電極ハウジングに収容され、前記第２の放電電極の周縁部に前記液体原料を供給する。前記第１のモータは、前記第１の支持部材を貫通し前記第１の放電電極を回転させる回転軸を有する。前記第２のモータは、前記第２の支持部材を貫通し前記第２の放電電極を回転させる回転軸を有する。

前記チャンバは、前記第１の電極ハウジングおよび前記第２の電極ハウジングを収容するチャンバ本体をさらに有し、前記第１の側壁部は前記チャンバ本体に着脱可能に取り付けられてもよい。
これにより、チャンバ本体への光源ユニットおよび遮蔽部材の設置を容易に行うことができる。

前記光源装置は、回収容器と、受け板部材とをさらに具備してもよい。前記回収容器は、前記遮蔽部材に付着し前記遮蔽部材から落下する前記液体原料を収容する。前記受け板部材は、前記遮蔽部材からの前記液体原料の落下経路上に配置され、前記液体原料を前記回収容器へ導く。
これによりデブリの回収が容易となるとともに、チャンバの底部がデブリの落下物で汚染されることを防止できる。

前記遮蔽部材は、前記遮蔽部材に付着した前記液体原料を前記受け板部材へ向けて落下させる離脱部と、前記液体原料を前記離脱部へ導くガイド部とを有する板部材であり、前記ガイド部は、前記遮蔽部材の下面を含んでもよい。

前記ガイド部は、前記離脱部へ向かって下向きに形成されてもよい。
これによりデブリの自重を利用して遮蔽部材に付着したデブリを離脱部へ導くことができる。

前記離脱部は、前記遮蔽部材の下面に設けられた角部であってもよい。

前記光源装置は、前記液体原料を気化させるエネルギービームを前記放電領域へ照射するエネルギービーム照射源をさらに具備してもよい。前記離脱部は、前記落下経路と前記放電領域への前記エネルギービームの入射経路とが交わらない位置に設けられる。
これにより遮蔽部材から落下するデブリでエネルギービームの照射が遮られることを防止できるため、プラズマを安定に発生させることができる。

前記第１の電極ハウジングおよび前記第２の電極ハウジングは、前記第１の電極ハウジングおよび前記第２の電極ハウジング各々の内壁面に付着した前記液体原料を前記受け板部材へ向けて排出する排出口をそれぞれ有してもよい。

前記チャンバは、前記プラズマから放出される光が通過する窓部を有する第２の側壁部をさらに有し、前記光源装置は、前記プラズマから放出され前記窓部を通過するデブリを捕捉するホイルトラップをさらに具備してもよい。

前記所定波長の光は、極端紫外光であってもよい。

本発明によれば、デブリの固化に起因する電極ハウジングとチャンバとの間の短絡の発生を抑制することができる。

本発明の一実施形態に係る光源装置を水平方向に切断して示す概略断面図である。 上記光源装置における要部の概略側断面図である。 上記光源装置における光源ユニットの基本構成を示す要部の概略斜視図である。 上記光源ユニットの基本構成を示す正面図である。 図４におけるＡ－Ａ線断面図である。 図５の要部拡大図である。 遮蔽部材を備えた光源ユニットの一構成例を示す正面図である。 図７におけるＢ－Ｂ線断面図である。 遮蔽部材の一作用を説明する部分正面図である。 遮蔽部材を備えた光源ユニットの他の構成例を示す正面図である。 図１０に示す遮蔽部材の一作用を説明する部分正面図である。 遮蔽部材を備えた光源ユニットのさらに他の構成例を示す正面図である。 図１２に示す遮蔽部材の一作用を説明する部分正面図である。

以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。なお以下の説明に用いる図面は、各構成を分かり易くするため、実際の構造と縮尺および形状などと異なることがある。

図１は、本発明の一実施形態に係るＥＵＶ光源装置１を水平方向に切断して示す概略断面図である。図２は、ＥＵＶ光源装置１における要部の概略側断面図である。図３は、ＥＵＶ光源装置１における光源ユニット２の基本構成を示す要部の概略斜視図である。各図においてＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸は相互に直交する３軸であり、Ｘ軸およびＹ軸は水平方向を示し、Ｚ軸は垂直方向（高さ方向）を示している。本実施形態では、光源装置として、ＬＤＰ方式の極端紫外光光源装置（ＥＵＶ光源装置）を例に挙げて説明する。

［全体構成］
まず、ＥＵＶ光源装置１の全体構成について説明する。ＥＵＶ光源装置１は、極端紫外光（ＥＵＶ光）を放出する。極端紫外光の波長は、例えば、１３．５ｎｍである。具体的には、ＥＵＶ光源装置１は、放電を発生させる一対の放電電極ＥＡ、ＥＢの表面にそれぞれ供給された液相のプラズマ原料ＳＡ、ＳＢにレーザビームＬＢ等のエネルギービームを照射して当該プラズマ原料ＳＡ、ＳＢを気化させる。その後、放電電極ＥＡ、ＥＢ間の放電領域Ｄの放電によってプラズマＰを発生させる。プラズマＰからはＥＵＶ光が放出される。

ＥＵＶ光源装置１は、例えば、半導体デバイス製造におけるリソグラフィ装置の光源装置またはリソグラフィに使用されるマスクの検査装置の光源装置として使用可能である。例えば、ＥＵＶ光源装置１がマスク検査装置用の光源装置と使用される場合、プラズマＰから放出されるＥＵＶ光の一部が取り出され、マスク検査装置に導光される。マスク検査装置は、ＥＵＶ光源装置１から放出されるＥＵＶ光を検査光として、マスクのブランクス検査またはパターン検査を行う。ＥＵＶ光を用いることにより、５～７ｎｍプロセスに対応することができる。なお、ＥＵＶ光源装置１から取り出されるＥＵＶ光は、図２の遮熱板２３に設けられた開口ＫＡにより規定される。

図１および図２に示すように、ＥＵＶ光源装置１は、光源ユニット２、デブリ低減部３、デブリ収容部４およびデブリ案内部５を備える。光源ユニット２は、ＬＤＰ方式に基づいてＥＵＶ光を発生させる。デブリ低減部３は、光源ユニット２から放射されるＥＵＶ光とともに飛散するデブリを捕獲する。デブリ収容部４は、光源ユニット２で発生したデブリおよびデブリ低減部３で捕捉されたデブリなどを収容する。デブリ案内部５は、プラズマ原料ＳＡ、ＳＢの融液およびプラズマＰから放散されるデブリＤＢをデブリ収容部４に案内する。

ＥＵＶ光源装置１は、内部で発生されるプラズマＰを外部と隔離するチャンバ１１を備える。チャンバ１１は、剛体、例えば、金属から形成される。チャンバ１１は、真空筐体であり、その内部は、プラズマ原料ＳＡ、ＳＢを加熱励起するための放電を良好に発生させ、その際に生成されるＥＵＶ光の減衰を抑制するために、減圧雰囲気にされる。

（光源ユニット）
光源ユニット２は、チャンバ１１内部に配置される。図１および図３に示すように、光源ユニット２は、一対の放電電極ＥＡ、ＥＢを備える。放電電極ＥＡ、ＥＢは、同形同大の円板状部材であり、例えば、放電電極ＥＡ（第１の放電電極）がカソードとして使用され、放電電極ＥＢ（第２の放電電極）がアノードとして使用される。放電電極ＥＡ、ＥＢは、例えば、タングステン、モリブデンまたはタンタル等の高融点金属から形成される。放電電極ＥＡ、ＥＢは、互いに離隔した位置に配置され、放電電極ＥＡ、ＥＢの周縁部が近接している。このとき、プラズマＰが生成される放電領域Ｄは、放電電極ＥＡ、ＥＢの周縁部が互いに最も接近した放電電極ＥＡ、ＥＢ間の間隙に位置する。

チャンバ１１の内部には、液相のプラズマ原料ＳＡが貯留されるコンテナＣＡと、液相のプラズマ原料ＳＢが貯留されるコンテナＣＢとが配置される。各コンテナＣＡ，ＣＢには、加熱された液相のプラズマ原料ＳＡ，ＳＢが供給される。液相のプラズマ原料ＳＡ，ＳＢは、導電性の液体原料であり、例えば、スズ（Ｓｎ）であるが、リチウム（Ｌｉ）であってもよい。

コンテナＣＡは、第１の材料供給部として構成され、放電電極ＥＡの下部が液相のプラズマ原料ＳＡに浸されるようにプラズマ原料ＳＡを収容する。コンテナＣＢは、第２の材料供給部として構成され、放電電極ＥＢの下部が液相のプラズマ原料ＳＢに浸されるようにプラズマ原料ＳＢを収容する。従って、放電電極ＥＡ，ＥＢの下部には、液相のプラズマ原料ＳＡ，ＳＢが付着する。放電電極ＥＡ，ＥＢの下部に付着した液相のプラズマ原料ＳＡ，ＳＢは、放電電極ＥＡ，ＥＢの回転に伴って、プラズマＰが生成される放電領域Ｄに輸送される。

放電電極ＥＡは、モータＭＡの回転軸ＪＡに連結され、放電電極ＥＡの軸線周りに回転する。放電電極ＥＢは、モータＭＢの回転軸ＪＢに連結され、放電電極ＥＢの軸線周りに回転する。モータＭＡ，ＭＢは、チャンバ１１の外部に配置され、各モータＭＡ，ＭＢの回転軸ＪＡ，ＪＢは、チャンバ１１の外部から内部に延びる。回転軸ＪＡとチャンバ１１の壁の間の隙間は、シール部材ＰＡで封止され、回転軸ＪＢとチャンバ１１の壁の間の隙間は、シール部材ＰＢで封止される。シール部材ＰＡ，ＰＢは、例えば、メカニカルシールである。各シール部材ＰＡ，ＰＢは、チャンバ１１内の減圧雰囲気を維持しつつ、回転軸ＪＡ，ＪＢを回転自在に支持する。

図１に示すように、ＥＵＶ光源装置１は、さらに、制御部１２と、パルス電力供給部１３と、レーザ源（エネルギービーム照射源）１４と、可動ミラー１６をさらに備える。制御部１２、パルス電力供給部１３、レーザ源１４および可動ミラー１６は、チャンバ１１の外部に設置される。

制御部１２は、ＥＵＶ光源装置１の各部の動作を制御する。例えば、制御部１２は、モータＭＡ，ＭＢの回転駆動を制御し、放電電極ＥＡ，ＥＢを所定の回転数で回転させる。また、制御部１２は、パルス電力供給部１３の動作、レーザ源１４からのレーザビームＬＢの照射タイミングなどを制御する。

パルス電力供給部１３から延びる２つの給電線ＱＡ，ＱＢは、フィードスルーＦＡ，ＦＢを通過して、チャンバ１１の内部に配置されたコンテナＣＡ，ＣＢにそれぞれ接続される。フィードスルーＦＡ，ＦＢは、チャンバ１１の壁に埋設されてチャンバ１１内の減圧雰囲気を維持するシール部材である。

コンテナＣＡ，ＣＢは、導電性材料から形成され、各コンテナＣＡ，ＣＢの内部に収容されるプラズマ原料ＳＡ，ＳＢもスズなどの導電性材料である。各コンテナＣＡ，ＣＢの内部に収容されているプラズマ原料ＳＡ，ＳＢには、放電電極ＥＡ，ＥＢの下部がそれぞれ浸されている。従って、パルス電力供給部１３からパルス電力がコンテナＣＡ，ＣＢに供給されると、そのパルス電力は、プラズマ原料ＳＡ，ＳＢをそれぞれ介して放電電極ＥＡ，ＥＢに供給される。

パルス電力供給部１３は、放電電極ＥＡ，ＥＢへパルス電力を供給することにより、放電領域Ｄで放電を発生させる。そして、各放電電極ＥＡ，ＥＢの回転に基づいて放電領域Ｄに輸送されたプラズマ原料ＳＡ，ＳＢが放電時に放電電極ＥＡ，ＥＢ間に流れる電流により加熱励起されることで、ＥＵＶ光を放出するプラズマＰが生成される。

レーザ源１４は、放電領域Ｄに輸送された放電電極ＥＡに付着したプラズマ原料ＳＡにエネルギービームを照射して、当該プラズマ原料ＳＡを気化させる。レーザ源１４は、例えば、Ｎｄ：ＹＶＯ_４（Neodymium-doped Yttrium Orthovanadate）レーザ装置である。レーザ源１４は、波長１０６４ｎｍの赤外領域のレーザビームＬＢを発する。なお、エネルギービーム照射源は、プラズマ原料ＳＡの気化が可能であれば、レーザビームＬＢ以外のエネルギービームを発する装置であってもよい。

レーザ源１４から放出されたレーザビームＬＢは、例えば、集光レンズ１５を含む集光手段を介して可動ミラー１６に導かれる。集光手段は、放電電極ＥＡのレーザビーム照射位置におけるレーザビームＬＢのスポット径を調整する。集光レンズ１５および可動ミラー１６は、チャンバ１１の外部に配置される。

集光レンズ１５で集光されたレーザビームＬＢは、可動ミラー１６により反射され、チャンバ１１の側壁１１ａに設けられた透明窓２０を通過して、放電領域Ｄ付近の放電電極ＥＡの周縁部に照射される。可動ミラー１６の姿勢を調整することにより、放電電極ＥＡにおけるレーザビームＬＢの照射位置が調整される。

放電領域Ｄ付近の放電電極ＥＡの周縁部にレーザビームＬＢを照射するのを容易にするため、放電電極ＥＡ，ＥＢの軸線は平行ではない。回転軸ＪＡ，ＪＢの間隔は、モータＭＡ，ＭＢ側が狭く、放電電極ＥＡ，ＥＢ側が広くなっている。これにより、放電電極ＥＡ，ＥＢの対向面側を接近させつつ、放電電極ＥＡ，ＥＢの対向面側とは反対側をレーザビームＬＢの照射経路から退避させることができ、放電領域Ｄ付近の放電電極ＥＡの周縁部にレーザビームＬＢを照射するのを容易にすることができる。

放電電極ＥＢは、放電電極ＥＡと可動ミラー１６との間に配置される。可動ミラー１６で反射されたレーザビームＬＢは、放電電極ＥＢの外周面付近を通過した後、放電電極ＥＡの外周面に到達する。このとき、レーザビームＬＢが放電電極ＥＢで遮光されないように、放電電極ＥＢは、放電電極ＥＡよりも、モータＭＢ側の方向（図１の左側）に退避される。放電領域Ｄ付近の放電電極ＥＡの外周面に付着された液相のプラズマ原料ＳＡは、レーザビームＬＢの照射により気化され、気相のプラズマ原料ＳＡとして放電領域Ｄに供給される。

放電領域ＤでプラズマＰを発生させるため（気相のプラズマ原料ＳＡをプラズマ化するため）、パルス電力供給部１３は、放電電極ＥＡ，ＥＢに電力を供給する。そして、レーザビームＬＢの照射により放電領域Ｄに気相のプラズマ原料ＳＡが供給されると、放電領域Ｄにおける放電電極ＥＡ，ＥＢ間で放電が生じる。放電電極ＥＡ、ＥＢ間で放電が発生すると、放電領域Ｄにおける気相のプラズマ材料ＳＡが電流により加熱励起されて、プラズマＰが発生する。生成されたプラズマＰから放射されるＥＵＶ光は、チャンバ１１の側壁１１ｂ（第２の側壁部）に設けられた貫通孔である第１窓部１７を通ってデブリ低減部３へ入射する。

デブリ低減部３は、チャンバ１１の側壁１１ｂに配置された接続チャンバ２１を有する。接続チャンバ２１は、剛体、例えば、金属製の真空筐体であり、その内部は、チャンバ１１と同様、ＥＵＶ光の減衰を抑制するために所定圧力以下の減圧雰囲気に維持される。接続チャンバ２１は、チャンバ１１と利用装置４２（例えばリソグラフィ装置やマスク検査装置）との間に接続される。

接続チャンバ２１の内部空間は、第１窓部１７を介してチャンバ１１と連通する。接続チャンバ２１は、第１窓部１７から入射したＥＵＶ光を利用装置４２へ導入する光取出し部としての第２窓部２７を有する。第２窓部２７は、接続チャンバ２１の側壁２１ａに形成された所定形状の貫通孔である。放電領域ＤのプラズマＰから放出されたＥＵＶ光は、第１窓部１７及び第２窓部２７を通じて利用装置４２に導入される。

（デブリ低減部）
一方、プラズマＰからはＥＵＶ光とともにデブリが高速で様々な方向に放散される。デブリは、プラズマ原料ＳＡ、ＳＢであるスズ粒子及びプラズマＰの発生に伴いスパッタリングされる放電電極ＥＡ、ＥＢの材料粒子を含む。デブリはさらに、高速で移動するイオン、中性粒子および電子を含む。これらのデブリは、プラズマＰの収縮および膨張過程を経て、大きな運動エネルギーを得る。このようなデブリは、利用装置４２に到達すると、利用装置４２内の光学素子の反射膜を損傷または汚染させ、性能を低下させることがある。

このようなデブリを捕捉するために、デブリ低減部３が接続チャンバ２１内に設けられる。図２に示す例では、デブリ低減部３として、ハブ５０と、ハブ５０と同心的に配置された外側リング５２と、ハブ５０と外側リング５２との間に放射状に配列された複数のホイル５１とを有し、回転することで複数のホイル５１をデブリと能動的に衝突させる回転式ホイルトラップ２２が配置される。回転式ホイルトラップ２２は、接続チャンバ２１の内部にて、接続チャンバ２１から利用装置４２へと進行するＥＵＶ光の光路上に配置される。

回転式ホイルトラップ２２の複数のホイル５１は、プラズマＰ（発光点）から第２窓部２７に向かって進むＥＵＶ光を遮らないように、第２窓部２７に向かって進むＥＵＶ光の光線方向に平行に配置される。すなわち、図２に示すように、各ホイル５１がハブ５０の中心軸線を含む平面上に配置された回転式ホイルトラップ２２は、ハブ５０の中心軸線の延長線上にプラズマＰが存在するように配置される。これにより、ハブ５０および外側リング５２を除けば、ＥＵＶ光は各ホイル５１の厚みの分のみ遮光され、回転式ホイルトラップ２２を通過するＥＵＶ光の割合（透過率とも言う）を最大にすることが可能となる。

ハブ５０は、モータ（回転駆動装置）ＭＣの回転軸ＪＣに連結され、ハブ５０の中心軸線は、回転軸ＪＣの中心軸線ＪＭに合致する。このとき、モータＭＣの回転軸ＪＣは、回転式ホイルトラップ２２の回転軸とみなすことができる。回転式ホイルトラップ２２は、モータＭＣに駆動されて回転し、回転するホイル５１は、プラズマＰから到来するデブリＤＢに衝突してデブリＤＢを捕捉し、当該デブリＤＢが利用装置４２に侵入するのを阻止する。

回転式ホイルトラップ２２は、接続チャンバ２１内に配置されるのに対して、モータＭＣは、接続チャンバ２１の外に配置される。接続チャンバ２１の壁には、回転軸ＪＣが通過する貫通孔が形成される。回転軸ＪＣと接続チャンバ２１の壁の間の隙間は、例えば、メカニカルシールからなるシール部材ＰＣで封止される。シール部材ＰＣは、接続チャンバ２１内の減圧雰囲気を維持しつつ、モータＭＣの回転軸ＪＣを回転自在に支持する。

本実施形態では図２に示すように、デブリ低減部３として、回転式ホイルトラップ２２と、複数のホイルの位置が固定された固定式ホイルトラップ２４の双方が設けられる。なお、回転式ホイルトラップ２２に代えて、固定式ホイルトラップ２４が配置されてもよい。

回転式ホイルトラップ２２は、プラズマＰから放散されるデブリＤＢのうち比較的低速のデブリＤＢを捕捉する。一方、固定式ホイルトラップ２４は、プラズマＰから放散されるデブリＤＢのうち、回転式ホイルトラップ２２で捕捉できなかった高速で進行するデブリＤＢを捕捉する。図２に示すように、固定式ホイルトラップ２４は、ＥＵＶ取出光の主光線ＵＬ上に配置される。また、固定式ホイルトラップ２４は、遮熱板２３の開口部ＫＡにより進行方向が制限されたＥＵＶ光であるＥＵＶ取出光が通過する領域に対応させた形状を備える。

図２に示すように、接続チャンバ２１内には、カバー部材２５が配置される。カバー部材２５は、回転式ホイルトラップ２２を包囲し、回転式ホイルトラップ２２により捕捉されたデブリＤＢが接続チャンバ２１の内部に飛散するのを防止する。カバー部材２５は、入射側開口部ＫＩおよび出射側開口部ＫＯＡ、ＫＯＢを備える。入射側開口部ＫＩは、回転式ホイルトラップ２２に入射するＥＵＶ光が遮光されない位置に設けられる。出射側開口部ＫＯＡは、入射側開口部ＫＡおよび回転式ホイルトラップ２２を通過して固定式ホイルトラップ２４に入射するＥＵＶ光が遮光されない位置に設けられる。出射側開口部ＫＯＢは、入射側開口部ＫＩおよび回転式ホイルトラップ２２を通過して監視装置４３に入射するＥＵＶ光が遮光されない位置に設けられる。

回転式ホイルトラップ２２により捕捉されたデブリＤＢの少なくとも一部は、遠心力により回転式ホイルトラップ２２のホイル５１上を径方向に移動し、ホイル５１の端部から離脱して、カバー部材２５の内面に付着する。カバー部材２５は、図示を省略した加熱手段またはＥＵＶ放射を受ける遮熱板２３からの二次輻射によって加熱され、当該加熱によりカバー部材２５の内面に付着したデブリＤＢは固化せず、液相状態を保持する。カバー部材２５の内面に付着したデブリＤＢは、重力によりカバー部材２５の下部に集まり、カバー部材２５の下部から排出管２６を介してカバー部材２５の外に排出されて廃原料となり、デブリ収容部４に収容される。これにより、カバー部材２５は、回転式ホイルトラップ２２のホイル５１の端部から離脱したデブリＤＢが接続チャンバ２１の内部に飛散するのを防止することができる。

（デブリ収容部）
デブリ収容部４は、図２に示すように、デブリ収容容器３１を備える。デブリ収容容器３１は、接続チャンバ２１の外部に配置され、接続チャンバ２１に取り付けられる。デブリ収容容器３１は、デブリＤＢおよび廃原料を含む収容物ＳＵを貯蔵する。

接続チャンバ２１の底壁には、デブリ収容容器３１の内部空間と接続チャンバ２１の内部空間を連通させる貫通孔３７が形成されている。デブリ収容容器３１は、上部にフランジ３２を備える。フランジ３２で囲まれたデブリ収容容器３１の開口部は、接続チャンバ２１の貫通孔３７に重ねられる。そして、フランジ３２が接続チャンバ２１の底壁に、例えば、ネジで固定されることで、デブリ収容容器３１が接続チャンバ２１に取り付けられる。フランジ３２と接続チャンバ２１の底壁の間の間隙は、ガスケット３３により封止される。遮熱板２３は、直立した状態で貫通孔３７の上方に配置される。排出管２６の排出口は、貫通孔３７の上方に配置される。このとき、遮熱板２３および排出管２６からのデブリＤＢの落下位置にデブリ収容容器３１が配置される。

排出管２６を介してカバー部材２５の外に排出された廃原料は、重力方向に落下し、接続チャンバ２１の下方（図２の下側）に配置されているデブリ収容容器３１に溜められる。一方、プラズマＰから様々な方向に放散されるデブリＤＢの一部は、チャンバ１１の窓部１７を通じて接続チャンバ２１に侵入すると、窓部１７と対面する遮熱板２３の面に堆積する。遮熱板２３に堆積したデブリＤＢは、プラズマＰからの放射により溶融し、ある程度の量に達すると、液滴となって重力（自重）により遮熱板２３の下方に移動する。そして、遮熱板２３の下方に移動したデブリＤＢが遮熱板２３から離脱し、接続チャンバ２１の下方へ落下することで、デブリ収容容器３１に収容される。

このように遮熱板２３は、プラズマＰから回転式ホイルトラップ２２へのＥＵＶ放射を制限して回転式ホイルトラップ２２の過熱を防止し、開口部ＫＡによりプラズマＰから放出されるＥＵＶ光の一部を取り出し可能とするのみならず、回転式ホイルトラップ２２に向けて進行するデブリＤＢをできるだけ少なくし、回転式ホイルトラップ２２の負荷を減少させる。

ここで、デブリＤＢの大部分はスズであり、廃材料もスズであるので、デブリ収容容器３１は、プラズマ原料であるスズの回収容器と呼ぶこともできる。デブリ収容容器３１の周囲には、デブリ収容容器３１を加熱する加熱手段としてのヒータ配線３４が巻き付けられている。加熱手段は、デブリ収容容器３１に埋設されていてもよい。
ＥＵＶ光源装置１の稼働中では、ヒータ配線３４に給電することによって、デブリ収容容器の内部は、スズの融点（約２３２℃）以上に加熱され、デブリ収容容器３１内部に蓄積されたスズは液相にされる。

デブリ収容容器３１の内部のスズを液相とする理由は、デブリ収容容器３１の内部に蓄積されるデブリＤＢに含まれるスズが固化すると、デブリＤＢが落下しやすい地点での蓄積物が、あたかも鍾乳洞の石筍のように成長するからである。デブリＤＢの蓄積物が石筍状に成長すると、例えば、カバー部材２５の排出管２６がデブリＤＢにより封鎖されてカバー部材２５内にデブリＤＢが蓄積される。このとき、カバー部材２５内に蓄積されたデブリＤＢの少なくとも一部が回転式ホイルトラップ２２に接触し、回転式ホイルトラップ２２の回転を妨げたり、回転式ホイルトラップ２２を損傷したりすることがある。あるいは、カバー部材２５に設けられている出射側開口部ＫＯＡ、ＫＯＢの一部がカバー部材２５内に蓄積されたデブリＤＢにより封鎖されて、出射側開口部ＫＯＡ、ＫＯＢを通過するＥＵＶ光の一部が遮られることもある。よって、デブリ収容容器３１の内部の収容物であるスズを液相にすることで、デブリ収納容器３１内でスズを平坦化し、石筍のような成長を回避しながらデブリ収納容器３１内にスズを貯蔵することが可能となる。

デブリ収容容器３１に蓄積されたスズを回収する場合、ヒータ配線３４への給電を止めてデブリ収容容器３１内部の加熱を停止する。そして、デブリ収容容器３１の温度が常温に到達してデブリ収容容器３１に貯蔵されるスズを固化させた上で、接続チャンバ２１内部を大気圧に戻す。その後、デブリ収容容器３１を接続チャンバ２１から取り外し、スズの溜まっていない新しいデブリ収容容器を接続チャンバ２１に取り付ける。接続チャンバ２１から取り外されたデブリ収容容器３１の内部のスズは固相になっているが、そのデブリ収容容器３１を再加熱して内部のスズを再度液相とすることによって、デブリ収容容器３１からスズを取り出すことができる。接続チャンバ２１から取り外し、内部からスズを除去したデブリ収容容器３１は再利用することができる。

さらに、接続チャンバ２１の外部には、ＥＵＶ光を監視する監視装置４３が配置される。監視装置４３は、ＥＵＶ光を検出する検出器またはＥＵＶ光の強度を測定する測定器である。接続チャンバ２１の側壁２１ａには、ＥＵＶ光が通過する貫通孔であるＥＵＶ光案内孔２８が形成され、ＥＵＶ光案内孔２８と監視装置４３と間には、ＥＵＶ光が接続チャンバ２１の外に漏れずに通過する案内管２９が設けられている。

遮熱板２３には、開口部ＫＡとは別の位置に、プラズマＰから放出されるＥＵＶ光の一部を取り出すための任意の形状（例えば、円形）の開口部ＫＢが設けられる。プラズマＰと開口部ＫＢの中心部を結ぶ直線の延長線上には、監視装置４３、ＥＵＶ光案内孔２８および案内管２９が配置されている。従って、プラズマＰから放出されるＥＵＶ光の一部は、チャンバ１１の窓部１７、遮熱板２３の開口部ＫＢ、カバー部材２５の入射側開口部ＫＩ、回転式ホイルトラップ２２の複数のホイル５１の隙間、カバー部材２５の出射側開口部ＫＯＢ、接続チャンバ２１の壁のＥＵＶ光案内孔２８および案内管２９の内腔を順次通過して、監視装置４３に到達する。このようにして、ＥＵＶ光を監視装置４３によって監視することができる。

［光源ユニットの詳細］
続いて、光源ユニット２の詳細について説明する。

上述したように、ＬＤＰ方式のＥＵＶ光源装置１においては、放電領域Ｄに生成されるプラズマＰからデブリＤＢがあらゆる方向に飛散する。利用装置４２側に飛散するデブリＤＢは上述したデブリ低減部３により捕捉されるが、それ以外の方向に進行するデブリＤＢは、そのままだとＥＵＶ光源装置１の内部に付着し、内部汚染を引き起こす。

このようなデブリＤＢの飛散による内部汚染をできるだけ抑制するように、光源ユニット２は、図１に示すように、電極ハウジングＨＡ（第１の電極ハウジング）と、電極ハウジングＨＢ（第２の電極ハウジング）とを有する。電極ハウジングＨＡは、放電電極ＥＡ、コンテナＣＡおよび回転軸ＪＡの一部を収容あるいは包囲する。電極ハウジングＨＢは、放電電極ＥＢ、コンテナＣＢおよび回転軸ＪＢの一部を収容あるいは包囲する。なお、各回転軸ＪＡ，ＪＢは、電極ハウジングＨＡ、ＨＢに設けられる不図示の孔部をそれぞれ介して放電電極ＥＡ、ＥＢと接続される。電極ハウジングＨＡ、ＨＢは、互いに隣り合うようにチャンバ１１内に配置される。

図４は、光源ユニット２の基本構成を示すＸ軸方向から見た正面図である。図５は、図４におけるＡ－Ａ線断面図である。

光源ユニット２は、固定用基板１１ｃに固定される。固定用基板１１ｃは、真空チャンバ１１の側壁部（第１の側壁部）であり、チャンバ１１の一部を構成する。固定用基板１１ｃの平面形状は特に限定されず、円形状でもよいし矩形状であってもよい。固定用基板１１ｃは、図５に示すように、チャンバ１１の本体であるチャンバ本体１１０に形成された開口１１０ａを閉塞する着脱可能な蓋部として機能する。固定用基板１１ｃは、チャンバ本体１１０に図示しないシール材等で気密に取り付けられる。

なお、光源ユニット２は上述したように、放電領域Ｄ付近の放電電極ＥＡの周縁部にレーザビームＬＢを照射するのを容易にするため、放電電極ＥＡ，ＥＢの軸線は平行ではなく、回転軸ＪＡ，ＪＢの間隔は、モータＭＡ，ＭＢ側が狭く、放電電極ＥＡ，ＥＢ側が広くなっている（図１参照）。しかしながら、ここでは理解を容易にするため、図４以下の各図においては、放電電極ＥＡ，ＥＢの軸線は互いに平行に描かれている。

光源ユニット２は、電極ハウジングＨＡ，ＨＢを支持するユニット基板６１をさらに有する。電極ハウジングＨＡは、図５に示すように、導電性あるいは絶縁性の支持部材７１を介してユニット基板６１の内壁面に支持される。コンテナＣＡは、導電性あるいは絶縁性の支持部材７２を介して電極ハウジングＨＡの内面に固定される。回転軸ＪＡは、ユニット基板６１を貫通し、シール部材ＰＡを介してユニット基板６１に支持される。電極ハウジングＨＢも電極ハウジングＨＡと同様に、ユニット基板６１の内壁面に固定される。回転軸ＪＢは、ユニット基板６１を貫通し、シール部材ＰＢを介してユニット基板６１に支持される。電極ハウジングＨＡ，ＨＢは、空隙を挟んでＹ軸方向に相互に隣接している。

固定用基板１１ｃには、電極ハウジングＨＡ，ＨＢをチャンバ１１の内部に配置するための貫通孔１１ｄが形成される。また、ユニット基板６１は、その外壁面の周縁部にフランジ６１ａが設けられており、そのフランジ部６１ａが絶縁性のシール部材６３を介して貫通孔１１ｄの周囲に複数のボルト等を介して固定される。この際、フランジ部６１ａによってユニット基板６１の周面に形成された段差部６１ｂが、貫通孔１１ｄの内周面に隙間をおいて対向する。

このようにユニット基板６１は、貫通孔１１ｄを閉塞するように固定用基板１１ｃの外壁面１１ｃ２に取り付けられる。これにより、ユニット基板６１の一方の面側（外面側）からは、放電電極ＥＡ，ＥＢを回転駆動するためのモータＭＡ，ＭＢが突出しており、他方の面側（内面側）には、放電電極ＥＡ，ＥＢやコンテナＣＡ，ＣＢを内包する電極ハウジングＨＡ，ＨＢがチャンバ１１の内部側に突出した状態で固定される。このようにユニット基板６１を介して電極ハウジングＨＡ，ＨＢをチャンバ１１から取り外し可能に構成されているため、チャンバ１１に対する光源ユニット２の設置作業やメンテナンス作業を容易に行うことができる。

なお本実施形態においてユニット基板６１は、電極ハウジングＨＡ，ＨＢを共通に支持する単一の基板で構成される。これに代えて、ユニット基板６１は、電極ハウジングＨＡおよび電極ハウジングＨＢを個別に支持する２つの基板で構成されてもよい。この場合、固定用基板１１ｃには、電極ハウジングＨＡをチャンバ１１の内部に配置するための貫通孔と、電極ハウジングＨＢをチャンバ１１の内部に配置するための貫通孔とを含む支持するユニット基板により閉塞される貫通孔がそれぞれ形成される。

さらに固定用基板１１ｃは、その内壁面１１ｃ１に、貫通孔１１ｄの上縁周縁部からチャンバ１１の内部に向かって突出する突出部１１ｅをさらに有する。この突出部１１ｅは、電極ハウジングＨＡ，ＨＢを装着したユニット基板６１を固定用基板１１ｃの貫通孔１１ｄへ組み付ける際に、電極ハウジング１１Ａ，１１Ｂの上縁部をチャンバ１１内へ導くためのガイド部として機能する。

一方、図４および図５に示すように、電極ハウジングＨＡ、ＨＢには、プラズマＰから放出されるＥＵＶ光が利用装置４２に向かうように、ＥＵＶ光取出し用開口部ＫＬが設けられる。ＥＵＶ光取出し用開口部ＫＬは、放電領域Ｄに輸送された放電電極ＥＡに付着したプラズマ原料ＳＡに照射されるレーザビームＬＢの入射口としても用いられる。また、各電極ハウジングＨＡ、ＨＢの下部には、電極ハウジングＨＡ、ＨＢ内面に付着したデブリＤＢおよび廃材料を外部に排出する排出口ＱＡ、ＱＢが設けられる。

ＥＵＶ光源装置１の内部に付着する可能性のあるデブリＤＢの大部分は、デブリ飛散方向Ｄ１、Ｄ２に飛散し、電極ハウジングＨＡ、ＨＢ内部にて捕集される。また、放電領域Ｄに輸送された放電電極ＥＡに付着したプラズマ原料ＳＡのうち、レーザビームＬＢが照射されて気化しプラズマ生成に利用される量は僅かである。このため、放電電極ＥＡに付着したプラズマ原料ＳＡの大部分は未使用のままコンテナＣＡに戻されるが、そのうちの一部は重力により落下してコンテナＣＡに戻らず、電極ハウジングＨＡ内部にて捕集される。さらに、何等かの不具合により、コンテナＣＡ、ＣＢに貯留された液相のプラズマ原料ＳＡ、ＳＢの一部がコンテナＣＡ、ＣＢより溢れる場合がある。この溢れたプラズマ原料ＳＡ、ＳＢも、原料漏出方向Ｄ３に漏出し、廃原料として電極ハウジングＨＡ、ＨＢ内部にて捕集される。

電極ハウジングＨＡ、ＨＢは、プラズマＰの近傍に配置されるので、プラズマＰからのＥＵＶ光などの放射によりデブリＤＢおよび廃材料の融点以上に加熱される。なお、本明細書で融点というときは、スズなどのプラズマ原料ＳＡ、ＳＢの融点を指す。このため、例えば、放電電極ＥＡ、ＥＢがタングステン、モリブデン、タンタル等の高融点金属から形成されるときに、放電電極ＥＡ、ＥＢの材料粒子がデブリＤＢに含まれる場合においても、デブリＤＢの融点には、放電電極ＥＡ、ＥＢの融点は含まない。よって、電極ハウジングＨＡ、ＨＢ内面に付着したデブリＤＢおよび廃材料に含まれるスズは固化することなく液体状態に維持される。電極ハウジングＨＡ、ＨＢ内面に付着したデブリＤＢおよび廃材料は、重力により電極ハウジングＨＡ、ＨＢ下部に集まり、排出口ＱＡ、ＱＢより外部に排出され、重力方向に落下する。

排出口ＱＡ、ＱＢより重力方向に落下したデブリＤＢおよび廃材料は、受け板部材１８より受け取られる。受け板部材１８は、廃原料（スズ）貯蔵部であるデブリ収容容器４１（図２参照）に溜められるように、接続チャンバ２１の底部に設置された受台４４の上に傾斜して配置されている。受け板部材１８は、加熱手段により加熱され、その温度はスズの融点以上の温度に維持される。よって、排出口ＱＡ、ＱＢより受け板部材１８に落下したデブリＤＢおよび廃材料は液相のまま、傾斜した受け板部材１８の受け面に沿って移動し、受け板部材１８の排出部へ送られる。

放電電極ＥＡ，ＥＢや電極ハウジングＨＡ，ＨＢが設置される空間（チャンバ１１内）に気相状態で存在するプラズマ原料の一部は、開口部ＫＬを介して電極ハウジングＨＡ，ＨＢ内に進入する。プラズマを生成してＥＵＶ放射させる動作が継続中の場合、電極ハウジングＨＡ，ＨＢはプラズマによりデブリ（スズ）の融点以上に加熱される。よって、電極ハウジングＨＡ，ＨＢに進入した気相状態のデブリ（スズ）が当該電極ハウジングの内部表面に接触して液化したとしても、そのまま液体状態が維持され、上記したように、電極ハウジング下部に設けられた排出口ＱＡ、ＱＢより外部に排出される。

一方、電極ハウジングＨＡ，ＨＢ外であって、チャンバ１１内に浮遊する気相状態のデブリ（スズ）の一部は、固定用基板１１ｃや電極ハウジングＨＡ，ＨＢの外表面と接触して液化する。特に、比較的温度が低い固定用基板１１ｃの表面では、上記液化したデブリ（スズ）は、そのまま固化する。例えば、図５の要部拡大図である図６に示すように、固定用基板１１ｃの構造物（例えば、突出部１１ｅあるいは貫通孔１１ｄの内周面）とユニット基板６１の段差部６１ｂといった互いの距離が比較的近い部分においては、固定用基板１１ｃの構造物上に固化したデブリ（スズ）はやがて電極ハウジングＨＡ，ＨＢの外表面と接触する。

ここで、高電圧（ここでは負の高電位（－ＨＶ）であるが、正の高電位（＋ＨＶ）であってもよい）が印加される放電電極ＥＡを内包する電極ハウジングＨＡは、当該放電電極ＥＡと電気的に接続されているので、電極ハウジングＨＡにも高電圧が印加される。一方、チャンバ１１およびその一部である固定用基板１１ｃはグランド電位に接続される。そのため、高電圧が印加されている電極ハウジングＨＡの外表面と固定用基板１１ｃの上記構造物上で成長する固化したデブリＤＢとが接触すると、電極ハウジングＨＡの外表面と固定用基板１１ｃの構造物との間に電気的短絡が発生し、短絡箇所に大電流が流れてしまい、ＥＵＶ光源装置１の故障が発生する。

［遮蔽部材］
このような問題を解決するため、本実施形態のＥＵＶ光源装置１は、遮蔽部材８０を備える。図７は、遮蔽部材８０を備えた光源ユニット２のＸ軸方向から見た正面図、図８は、図７におけるＢ－Ｂ線断面図である。

図７および図８に示すように光源ユニット２は、電極ハウジングＨＡ側のＥＵＶ光取出し用開口部ＫＬの上部に遮蔽部材８０が設けられる。遮蔽部材８０は、電極ハウジングＨＡ側の開口部ＫＬの上側に位置する固定用基板１１ｃの構造物（突出部１１ｅおよび貫通孔１１ｄの内周面）と電極ハウジングＨＡとの間に形成された間隙部ＧＡの少なくとも一部を遮るように構成されている。これにより、上記したような短絡を引き起こすような気相状態のデブリ（スズ）の間隙部ＧＡへの進入が抑制される。

すなわち、図８に示すように、固定用基板１１ｃの貫通孔１１ｄの表面（内壁）に進入しようとする気相状態のスズの少なくとも一部は、遮蔽部材８０により進入を妨げられ、当該遮蔽部材８０の表面に付着して液化する。遮蔽部材８０は、プラズマＰを生成してＥＵＶを放射させる動作が継続中の場合、プラズマＰによりデブリ（スズ）の融点以上に加熱される。よって、遮蔽部材８０の表面に付着して液化したデブリＤＢは、そのまま液体状態が維持され、最終的には遮蔽部材８０の下端から液滴となって重力方向に落下する。落下する液滴状デブリ（スズ）ＤＢは、受け板部材１８により受け取られ、この受け板部材１８を介してデブリ収容容器３１に溜められる。

遮蔽部材８０は、例えば図８に示すように、遮蔽部８１と、支持部８２とを有する。遮蔽部８１は、チャンバ１１内に浮遊する気相状態のデブリが固定用基板１１ｃの貫通孔１１ｄの表面（内壁）へ進入するのを遮蔽する。遮蔽部８１は、例えばＹＺ平面に平行な平板状であり、電極ハウジングＨＡの開口部ＫＬが設けられている表面より前方に突出した位置に配置される。特に、遮蔽部８１は、固定用基板１１ｃの貫通孔１１ｄの表面（内壁）の上部やそれに近接するユニット基板６１の段差部６１ｂの上部がチャンバ１１内において電極ハウジングＨＡの外部空間に直接露出されるのを遮る位置に配置される。

支持部８２は、例えば、ＸＹ平面に平行な平板上であり、遮蔽部８１の上縁部に一体的に設けられる。支持部８２は、例えば、固定用基板１１ｃの突出部１１ｅの上面に固定され、遮蔽部８１を上記位置に設置する。支持部８２の固定位置は、突出部１１ｅの上面に限られず、突出部１１ｅよりも上部の固定用基板１１ｃの内壁面１１ｃに固定されてもよい。

なお、支持部８２と遮蔽部８１は一体に構成されていても、別体として構成されていてもよい。両者が一体に構成される場合、例えば図８に断面で示されているように、一枚の平板がＬ字に折り曲げられた山形鋼（アングル）形状であってもよい。また、遮蔽部８１は平板状であってもよいし、波型プレート形状等の凹凸部を有する平板状であってもよい。遮蔽部材８０は、例えば、タングステン、モリブデンまたはタンタル等の高融点金属から形成される。

なお、電極ハウジングＨＢ側には、遮蔽部材８０は設けなくてもよい。これは、電極ハウジングＨＢが包囲する電極ＥＢ（アノード側）の電位は接地電位に保たれ、同じく接地されている固定用基板１１ｃと同電位となるので、電極ハウジングＨＢの外表面と固定用基板１１の構造物（突出部１１ｅおよび貫通孔１１ｄ）との間が固化したデブリを介して接触しても、短絡箇所に電流が流れず、ＥＵＶ光源装置１の故障は発生しないためである。

これに限られず、電極ハウジングＨＢ側にも遮蔽部材８０が設けられてもよい。この場合、電極ハウジングＨＢと固定用基板１１ｃの突出部１１ｅとの間に形成された間隙部ＧＢを経由して電極ハウジングＨＡ側の間隙部ＧＡへ気相状態のデブリが進入するのを抑えることができる。

以上のように、本実施形態のＥＵＶ光源装置１によれば、少なくとも高電位の電極（電極ＥＡ：カソード）を内包する電極ハウジングＨＡのＥＵＶ光取出し用開口部ＫＬの上部に遮蔽部材８０が取り付けられているため、チャンバ１１内部を浮遊する気相状態のデブリの少なくとも一部が、電極ハウジングＨＡと固定用基板１１ｃとの間に形成された間隙部ＧＡの内部に進入することを抑制できる。これにより、間隙部ＧＡに進入した気相状態でデブリが突出部１１ｅや貫通孔１１ｄの内面に接触して固化し堆積することで発生し得る、固定用基板１１ｃと電極ハウジングＨＡとの間の電気的短絡を防ぐことができる。したがってＥＵＶ光源装置１において安定したプラズマＰの生成が可能となり、ＥＵＶ光を継続して放出させることができる。

［遮蔽部材の他の構成例１］
図７に示した光源ユニット２においては、遮蔽部材８０の遮蔽部８１表面に付着して液化したデブリＤＢは、図９に示すように、遮蔽部８１の下面８１ａから重力方向に落下する。ここで、受け板部材１８側に落下する液滴状のデブリＤＢ（スズ）は、遮蔽部８１の下面８１ａの特定位置を始点として落下するわけではなく、遮蔽部８１の下面８１ａの不特定の位置を始点として落下する。そのため、図９に示すように、遮蔽部８１の下面８１ａの始点の位置によっては、落下する液滴状のデブリＤＢが、受け板部材１８により捕集されない位置に落下する場合が生じ、装置内部が液体状のデブリＤＢにより汚染されるおそれがある。

なお、遮蔽部８１の幅（図９における左右方向）を狭くして、遮蔽部８１の下面８１ａの任意の位置でデブリＤＢが落下しても落下する液滴状デブリが全て受け板部材１８で捕集されるようにすると、装置内部が液体状のデブリにより汚染されるという不具合は解消される。しかしながら遮蔽部８１の幅が狭くなるので、気相状態のデブリが固定用基板１１ｃと電極ハウジングＨＡとの間の間隙部ＧＡへ進入するのを抑制するという効果が不十分になるというおそれがある。

そこで本構成例は、図１０に示すように、電極ハウジングＨＡ側のＥＵＶ光取出し用開口部ＫＬの上部に位置する固定用基板１１ｃの構造物（突出部１１ｅあるいは貫通孔の表面）と電極ハウジングＨＡとの間に形成された間隙部ＧＡの一部を遮るように設けられる遮蔽部材８０１を備え、この遮蔽部材８０１が図７に示す水平位置から傾斜して配置される。具体的には、遮蔽部材８０１は、遮蔽部８１の下面８１ａにおける受け板部材１８に近い側の一端部（角部８１ｂ）が、受け板部材１８に遠い側の他端部（角部８１ｃ）より下側に位置するように配置され、遮蔽部８１の下面８１ａは、角部８１ｂへ向かう傾斜面として形成される。

遮蔽部材８０１を上記のように配置することにより、図１１に示すように、遮蔽部材８０１の遮蔽部８１に接触して液化したデブリ（スズ）ＤＢは、自重により、遮蔽部８１の下面８１ａに移動し、更に、下面８１ａ上を角部８１ｃ側から角部８１ｂ側に移動して、角部８１ｂより重力方向に液滴状デブリとして落下する。

すなわち、液滴状デブリＤＢは、遮蔽部材８０１の遮蔽部８１の下面８１ａにおける所定の離脱位置（角部８１ｂ）より落下する。遮蔽部８１の下面８１ａは、液滴状デブリＤＢを角部８１ｂへ導くガイド面として機能する。角部８１ｂを遮蔽部材８０１からのデブリの離脱位置とすることで、角部８１ｂから落下する液滴状デブリＤＢが下方に位置する受け板部材１８の表面に確実に落下するように当該遮蔽部材８０１の角部８１ｂの位置を設定することにより、落下する液滴状のデブリＤＢは、確実に受け板部材１８により捕集される。これにより、落下する液滴状のデブリＤＢが受け板部材１８により捕集されない位置に落下することを抑えて、装置内部が液体状のデブリＤＢにより汚染されないようにすることができる。

［遮蔽部材の他の構成例２］
図７に示した光源ユニット２においては、遮蔽部材８０１の遮蔽部８１における下面８１ａの受け板部材１８に近い側の一端部（角部８１ｂ）が、受け板部材１８に遠い側の他端部（角部８１ｃ）より下側に位置するように配置される。上記のように遮蔽部材８０１を配置することにより、液滴状デブリＤＢは、遮蔽部８１の下面８１ａの所定の位置（角部８１ｂ）より落下するようにすることが可能となる。

このとき、遮蔽部材８０１の角部８１ｂから落下し、受け板部材１８の表面に到達するまでの液滴状スズの軌跡は、できるだけプラズマＰから放出されるＥＵＶ光の光路より遠ざかっている方が好ましい。液滴状スズの軌跡がＥＵＶ光の光路と重なっていると、ＥＵＶ光の発光タイミングによっては、ＥＵＶ光の一部が液滴状スズにより遮光されてしまい、ＥＵＶ光の利用効率が低下するおそれがある。

そこで本構成例では、図１２および図１３に示すように、電極ハウジングＨＡ側のＥＵＶ光取出し用開口部ＫＬの上部に位置する固定用基板１１ｃの構造物（突出部１１ｅあるいは貫通孔の表面）と電極ハウジングＨＡとの間に形成された間隙部ＧＡの一部を遮るように設けられる遮蔽部材８０２を備え、この遮蔽部材８０２が図７に示す水平位置から傾斜して配置されるとともに、遮蔽部８１の下面８１ａの一端側の角部８１ｂの位置を、液滴状スズの軌跡（落下経路）が放電領域Ｄへ向かうＥＵＶ光の光路（入射経路）と重ならないような位置に設定される。これにより、ＥＵＶ光の一部が液滴状スズにより遮光されることがなくなり、ＥＵＶ光の利用効率の低下を回避することが可能となる。

なお、上記構成例１，２において、遮蔽部材からの液滴状デブリＤＢの離脱位置を遮蔽部８１の一端側の角部８１ｂとしたが、角部８１ｂは、遮蔽部８１の一端側の隅部である場合に限られず、遮蔽部８１の下面８１ａの任意の位置に設けられた突起状の角部であってもよい。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく種々変更を加え得ることは勿論である。

例えば以上の実施形態では、光源装置としてＥＵＶ光を放出させるＥＵＶ光源装置を例に挙げて説明したが、Ｘ線や他の波長領域の光などの他の放射線を発生させることが可能な光源装置にも、本発明は適用可能である。

また以上の実施形態では、光源ユニット２がユニット基板６１を介してチャンバ１１の側壁（固定用基板１１ｃ）に着脱可能に構成されたが、チャンバ１１に対する光源ユニット２の設置形態は任意に設計可能である。

１…ＥＵＶ光源装置
２…光源ユニット
３…デブリ低減部
４…デブリ収容部
１１…チャンバ
１１ｃ…固定用基板
１１ｄ…貫通孔
１１ｅ…突出部
１８…受け板部材
２２…回転式ホイルトラップ
２３…遮熱板
２４…固定式ホイルトラップ
３１…デブリ収容容器
４２…利用装置
４３…監視装置
６１…ユニット基板
８０，８０１，８０２…遮蔽部材
８１…遮蔽部
８１ｂ…角部
ＣＡ…コンテナ（第１の材料供給部）
ＣＢ…コンテナ（第２の材料供給部）
Ｄ…放電領域
ＤＢ…デブリ
ＥＡ…放電電極（第１の放電電極）
ＥＢ…放電電極（第２の放電電極）
ＧＡ，ＧＢ…間隙部
ＨＡ…電極ハウジング（第１の電極ハウジング）
ＨＢ…電極ハウジング（第２の電極ハウジング）
ＬＢ…レーザビーム（エネルギービーム）
Ｐ…プラズマ
ＳＡ，ＳＢ…プラズマ原料

Claims (15)

1. 円盤状の第１の放電電極と、前記第１の放電電極を収容する第１の電極ハウジングと、円盤状の第２の放電電極と、前記第２の放電電極を収容する第２の電極ハウジングとを有し、前記第１の放電電極と前記第２の放電電極との間の放電領域に導電性の液体原料のプラズマを発生させることで所定波長の光を放出させる光源ユニットと、
   前記第１の電極ハウジングおよび前記第２の電極ハウジングを収容し、前記光源ユニットを固定する第１の側壁部を有するチャンバと、
   前記第１の側壁部の内壁面に設置され、前記光源ユニットと前記第１の側壁部との間に形成された間隙部の少なくとも一部を遮蔽する遮蔽部材と
   を具備する光源装置。
2. 請求項１に記載の光源装置であって、
   前記第２の電極ハウジングおよび前記チャンバは、グランド電位に接続され、
   前記第１の電極ハウジングは、前記第２の電極ハウジングよりも高電位または低電位の電圧供給源に接続され、
   前記遮蔽部材は、少なくとも、前記第１の電極ハウジングと前記第１の側壁部との間に形成された間隙部の一部を遮蔽する
   光源装置。
3. 請求項１又は２に記載の光源装置であって、
   前記第１の側壁部は、前記第１の電極ハウジングおよび前記第２の電極ハウジングを前記チャンバの内部に配置するための貫通孔を有し、
   前記間隙部は、前記第１の電極ハウジングおよび前記第２の電極ハウジングと前記貫通孔の内周面との間に形成される
   光源装置。
4. 請求項３に記載の光源装置であって、
   前記光源ユニットは、前記第１の側壁部の外壁面に取り付けられ前記第１の電極ハウジングおよび前記第２の電極ハウジングを共通にまたは個別に支持するユニット基板をさらに有し、
   前記光源ユニットは、前記ユニット基板を介して第１の側壁部に固定される
   光源装置。
5. 請求項３に記載の光源装置であって、
   前記第１の側壁部は、前記第１の側壁部の内壁面に設けられ前記貫通孔の上縁周縁部から前記チャンバの内部に向かって突出する突出部をさらに有し、
   前記遮蔽部材は、前記突出部と前記第１の電極ハウジングとの間を遮蔽する
   光源装置。
6. 請求項３に記載の光源装置であって、
   前記光源ユニットは、
   前記第１の電極ハウジングに収容され、前記第１の放電電極の周縁部に前記液体原料を供給する第１の材料供給部と、
   前記第２の電極ハウジングに収容され、前記第２の放電電極の周縁部に前記液体原料を供給する第２の材料供給部と、
   前記第１の支持部材を貫通し前記第１の放電電極を回転させる回転軸を有する第１のモータと、
   前記第２の支持部材を貫通し前記第２の放電電極を回転させる回転軸を有する第２のモータと、をさらに有する
   光源装置。
7. 請求項１又は２に記載の光源装置であって、
   前記チャンバは、前記第１の電極ハウジングおよび前記第２の電極ハウジングを収容するチャンバ本体をさらに有し、前記第１の側壁部は、前記チャンバ本体に着脱可能に取り付けられる
   光源装置。
8. 請求項１又は２に記載の光源装置であって、
   前記遮蔽部材に付着し前記遮蔽部材から落下する前記液体原料を収容する回収容器と、
   前記遮蔽部材からの前記液体原料の落下経路上に配置され、前記液体原料を前記回収容器へ導く受け板部材と、をさらに具備する
   光源装置。
9. 請求項８に記載の光源装置であって、
   前記遮蔽部材は、前記遮蔽部材に付着した前記液体原料を前記受け板部材へ向けて落下させる離脱部と、前記液体原料を前記離脱部へ導くガイド部とを有する板部材であり、
   前記ガイド部は、前記遮蔽部材の下面を含む
   光源装置。
10. 請求項９に記載の光源装置であって、
    前記ガイド部は、前記離脱部へ向かう傾斜面で形成される
    光源装置。
11. 請求項９に記載の光源装置であって、
    前記離脱部は、前記遮蔽部材の下面に設けられた角部である
    光源装置。
12. 請求項９に記載の光源装置であって、
    前記液体原料を気化させるエネルギービームを前記放電領域へ照射するエネルギービーム照射源をさらに具備し、
    前記離脱部は、前記落下経路と前記放電領域への前記エネルギービームの入射経路とが交わらない位置に設けられる
    光源装置。
13. 請求項８に記載の光源装置であって、
    前記第１の電極ハウジングおよび前記第２の電極ハウジングは、前記第１の電極ハウジングおよび前記第２の電極ハウジング各々の内壁面に付着した前記液体原料を前記受け板部材へ向けて排出する排出口をそれぞれ有する
    光源装置。
14. 請求項１又は２に記載の光源装置であって、
    前記チャンバは、前記プラズマから放出される光が通過する窓部を有する第２の側壁部をさらに有し、
    前記光源装置は、前記プラズマから放出され前記窓部を通過するデブリを捕捉するホイルトラップをさらに具備する
    光源装置。
15. 請求項１又は２に記載の光源装置であって、
    前記所定波長の光は、極端紫外光である
    光源装置。

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