TW202402101A - 光源裝置 - Google Patents

Abstract

本發明的課題係抑制起因於碎屑的固化之電極殼體與處理室之間的短路。 解決手段之本發明的一形態的光源裝置，係具備光源單元、處理室、遮蔽構件。前述光源單元，係具有圓盤狀的第1放電電極、收容前述第1放電電極的第1電極殼體、圓盤狀的第2放電電極、收容前述第2放電電極的第2電極殼體，透過在前述第1放電電極與前述第2放電電極之間的放電區域產生導電性之液體原料的電漿，放出所定波長的光。前述處理室，係收容前述第1電極殼體及前述第2電極殼體，具有固定前述光源單元的第1側壁部。前述遮蔽構件，係設置在前述第1側壁部的內壁面，遮蔽形成於前述光源單元與前述第1側壁部之間的間隙部的至少一部分。

Description

光源裝置

本發明係關於例如極紫外光的光源裝置。

近年來，隨著半導體積體電路的細微化及高積體化，曝光用光源的短波長化有所進展。作為次世代的半導體曝光用光源，尤其進行放射波長13.5nm之極紫外光(以下也稱為EUV(Extreme Ultra Violet))的極紫外光光源裝置(以下也稱為EUV光源裝置)的開發。

於EUV光源裝置中，公知有幾種產生EUV光(EUV放射)的方法。該等方法中之一，有藉由加熱並激發極紫外光放射種(以下也稱為EUV放射種)來產生電漿，從電漿取出EUV光的方法。採用此種方法的EUV光源裝置係根據電漿的生成方式，區分成LPP(Laser Produced Plasma：雷射生成電漿)方式與DPP(Discharge Produced Plasma：放電生成電漿)方式。

DPP方式的EUV光源裝置係對被供給包含EUV放射種(氣相的電漿原料)的放電氣體之電極間施加高電壓，藉由放電來生成高密度電漿，利用從其放射之極紫外光。作為DPP方式，例如專利文獻1所記載般，提案有對產生放電的電極表面供給包含EUV放射種之液體狀的電漿原料(例如錫(Sn)或鋰(Li))，對於該原料照射雷射光束等的能量束，使該原料汽化，之後，藉由放電生成電漿的方法。此種方式也被稱為LDP(Laser Assisted Gas Discharge Produced Plasma)方式。 另一方面，LPP方式的EUV光源裝置，係將雷射光照射至靶材料，激發該靶材料以生成電漿。

EUV光源裝置係使用來作為半導體裝置製造之半導體曝光裝置(微影裝置)的光源裝置。或者，EUV光源裝置係使用來作為微影所使用的遮罩之檢查裝置的光源裝置。亦即，EUV光源裝置係使用來作為利用EUV光之其他光學系統裝置(利用裝置)的光源裝置。EUV光係在大氣中會明顯地衰減，所以，從電漿到利用裝置為止的EUV光通過的空間區域，係形成於為了抑制EUV光的衰減而維持成減壓氣氛亦即真空環境之處理室(框體)的內部。

另一方面，於EUV光源裝置中，碎屑會從電漿高速擴散。碎屑係包含電漿原料的粒子(電漿原料為錫時則為錫粒子)。又，以DPP方式或LDP方式生成電漿時，也有碎屑包含伴隨電漿的產生而被濺鍍之放電電極的材料粒子之狀況。碎屑係到達利用裝置的話，有損傷或污染利用裝置內之光學元件的反射膜，降低其性能的狀況。因此，提案有以讓碎屑不侵入利用裝置之方式，捕捉擴散之碎屑的碎屑減低裝置(也稱為DMT(Debris Mitigation Tool))。

於LDP方式的EUV光源裝置中，碎屑從生成於放電區域的電漿往所有方向飛濺。飛濺至利用裝置側的碎屑，係藉由上述之碎屑減低裝置捕捉，但是，行進至其以外方向的碎屑如果狀況不變的話則附著於EUV光源裝置內部。為了抑制此種碎屑的內部附著，例如專利文獻2揭示具備收容放電電極之電極殼體的光源裝置。

上述之有附著於EUV光源裝置內部之可能性的碎屑的大部分係在電極殼體內部被捕集。又，有供給至放電區域電漿原料(錫)的一部分漏出之狀況。此種漏出原料係不會有助於產生電漿，故成為廢棄原料，在電極殼體內部被捕集。

電極殼體係配置於電漿的附近，所以，藉由來自電漿的EUV等的放射，被加熱至碎屑(錫)及廢棄材料(錫)的熔點以上。因此，附著於電極殼體內面的碎屑及廢棄材料並不會固化而維持成液體狀態。附著於電極殼體內面的碎屑及廢棄材料，係因為重力而集中於電極殼體下部，從設置於電極殼體下部的排出口排出至外部，往重力方向落下。

往重力方向落下的碎屑及廢棄材料，係藉由承接板構件接收，透過該承接板構件，積存於碎屑收容容器(電漿原料為錫時，則為錫回收容器(Tin Dump))。於碎屑收容容器，設置有將該碎屑收容容器加熱至電漿原料的熔點以上的加熱部。亦即，藉由碎屑收容容器承接的廢棄原料會馬上被熔融，在液化之狀態下積存於碎屑收容容器。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2017-219698號公報 [專利文獻2]US2015/0090907號公報

[發明所欲解決之課題]

如上所述，碎屑包含電漿原料的粒子(電漿原料為錫時則為錫粒子)。碎屑即電漿原料的粒子的至少一部分係在氣相狀態下存在於設置放電電極及電極殼體的空間。在生成電漿而放射EUV的動作持續中時，電極殼體藉由電漿被加熱至碎屑(錫)的熔點以上。因此，即使進入至電極殼體之氣相狀態的碎屑(錫)接觸該電極殼體的內部表面而液化，也可直接維持液體狀態，從設置於電極殼體下部的排出口排出至外部。

另一方面，浮游於電極殼體外之氣相狀態的碎屑(錫)的一部分與支持電極殼體之處理室的內壁面及電極殼體的外表面接觸而液化。尤其，在溫度比較低之處理室的內壁面中，液化的碎屑會直接固化。於接近電極殼體之處理室的內壁面區域中，因為附著於該內壁面區域固化的碎屑(錫)與電極殼體的外表面接觸，有發生電性短路的情況。尤其，內包被施加高電壓之放電電極的電極殼體與該電極電性連接，故也會對前述電極殼體施加高電壓。因此，被施加高電壓的電極殼體與接近其的處理室的內壁面區域之間發生前述短路的話，大電流會流通於短路之處，導致發生EUV光源裝置的故障。

有鑑於以上的情況，本發明的目的係提供可抑制起因於碎屑的固化之電極殼體與處理室之間的短路的發生的光源裝置。 [用以解決課題之手段]

本發明的一形態的光源裝置，係具備光源單元、處理室、遮蔽構件。 前述光源單元，係具有圓盤狀的第1放電電極、收容前述第1放電電極的第1電極殼體、圓盤狀的第2放電電極、收容前述第2放電電極的第2電極殼體，透過在前述第1放電電極與前述第2放電電極之間的放電區域產生導電性之液體原料的電漿，放出所定波長的光。 前述處理室，係收容前述第1電極殼體及前述第2電極殼體，具有固定前述光源單元的第1側壁部。 前述遮蔽構件，係設置在前述第1側壁部的內壁面，遮蔽形成於前述光源單元與前述第1側壁部之間的間隙部的至少一部分。

於前述光源裝置中，遮蔽構件係抑制浮游於電極殼體外之氣相狀態的碎屑進入形成於處理室的第1側壁部與光源單元之間的間隙部。藉此，可抑制起因於進入至前述間隙部的碎屑之電極殼體與處理室之間的短路的發生。

前述第2電極殼體及前述處理室係連接於接地電位；前述第1電極殼體係連接於比前述第2電極殼體高電位或低電位的電壓供給源亦可。此時，前述遮蔽構件係至少遮蔽形成於前述第1電極殼體與前述第1側壁部之間的間隙部的一部分。 藉此，可抑制起因於被施加高電壓的第1電極殼體與連接於接地電位的處理室之間之起因於碎屑的短路。

前述第1側壁部，係具有用以將前述第1電極殼體及前述第2電極殼體，配置於前述處理室的內部的貫通孔亦可。此時，前述間隙部係形成於前述第1電極殼體及前述第2電極殼體與前述貫通孔的內周面之間。

前述光源單元更具有單元基板亦可。前述單元基板係安裝於前述第1側壁部的外壁面，共通或個別支持前述第1電極殼體及前述第2電極殼體。此時，前述光源單元係透過前述單元基板而固定於第1側壁部。

前述第1側壁部，係更具有設置於前述第1側壁部的內壁面，從前述貫通孔的上緣周緣部朝向前述處理室的內部突出的突出部亦可。此時，前述遮蔽構件係遮蔽前述突出部與前述第1電極殼體之間。

前述光源單元更具有第1材料供給部、第2材料供給部、第1馬達、第2馬達亦可。前述第1材料供給部係收容於前述第1電極殼體，對前述第1放電電極的周緣部供給前述液體原料。前述第2材料供給部係收容於前述第2電極殼體，對前述第2放電電極的周緣部供給前述液體原料。前述第1馬達係具有貫通前述第1支持構件，使前述第1放電電極旋轉的旋轉軸。前述第2馬達係具有貫通前述第2支持構件，使前述第2放電電極旋轉的旋轉軸。

前述處理室係更具有收容前述第1電極殼體及前述第2電極殼體的處理室本體；前述第1側壁部，係可裝卸地安裝於前述處理室本體亦可。 藉此，可容易進行對處理室本體之光源單元及遮蔽構件的設置。

前述光源裝置更具備回收容器與承接板構件亦可。前述回收容器係附著於前述遮蔽構件，收容從前述遮蔽構件落下的前述液體原料。前述承接板構件係配置於來自前述遮蔽構件之前述液體原料的落下路徑上，將前述液體原料導引至前述回收容器。 藉此，碎屑的回收變得容易，並且可防止處理室的底部因為碎屑的落下物被污染。

前述遮蔽構件係為具有使附著於前述遮蔽構件的前述液體原料朝向前述承接板構件落下的脫離部，與將前述液體原料導引至前述脫離部的導引部的板構件；前述導引部包含前述遮蔽構件的下面亦可。

前述導引部係由朝向前述脫離部而形成為向下亦可。 藉此，可利用碎屑的本身重量，將附著於遮蔽構件的碎屑導引至脫離部。

前述脫離部作為設置於前述遮蔽構件的下面的角部亦可。

前述光源裝置更具備將讓前述液體原料汽化的能量束照射至前述放電區域的能量束照射源亦可。前述脫離部係設置於前述落下路徑與前述放電區域之前述能量束的入射路徑不相交的位置。 藉此，可防止因為從遮蔽構件落下的碎屑而遮住能量束的照射，故可穩定產生電漿。

前述第1電極殼體及前述第2電極殼體，係分別具有將附著於前述第1電極殼體及前述第2電極殼體之各內壁面的前述液體原料，朝向前述承接板構件排出的排出口亦可。

前述處理室係更具有具有從前述電漿放出的光通過之窗部的第2側壁部；前述光源裝置，係更具備捕捉從前述電漿放出且通過前述窗部之碎屑的箔型捕捉器亦可。

前述所定波長的光係為極紫外光亦可。 [發明的效果]

依據本發明，可抑制起因於碎屑的固化之電極殼體與處理室之間的短路的發生。

以下，一邊參照圖式，一邊說明本發明的實施形態。再者，以下的說明所用的圖式係為了容易理解各構造，故有實際的構造與縮尺及形狀等相異之狀況。

圖1係揭示於水平方向剖面揭示本發明的一實施形態之EUV光源裝置1的概略剖面圖。圖2係揭示EUV光源裝置1之要部的概略側剖面圖。圖3係揭示EUV光源裝置1之光源單元2的基本構造之要部的概略立體圖。於各圖中，X軸、Y軸及Z軸係相互正交的3軸，X軸及Y軸表示水平方向，Z軸表示垂直方向(高度方向)。在本實施形態中，作為光源裝置，舉出LDP方式的極紫外光光源裝置(EUV光源裝置)為例進行說明。

[整體構造] 首先，針對EUV光源裝置1的整體構造進行說明。EUV光源裝置1係放出極紫外光(EUV光)。極紫外光的波長係例如13.5nm。具體來說，EUV光源裝置1係對分別供給至產生放電之一對放電電極EA、EB的表面之液相的電漿原料SA、SB照射雷射光束LB等的能量束，使該電漿原料SA、SB汽化。之後，藉由放電電極EA、EB間之放電區域D的放電，產生電漿P。從電漿P會放出EUV光。

EUV光源裝置1係例如可使用來作為半導體裝置製造之微影裝置的光源裝置或微影所使用之遮罩的檢查裝置的光源裝置者。例如，EUV光源裝置1作為遮罩檢查裝置用的光源裝置使用時，取出從電漿P放出的EUV光的一部分，並導光至遮罩檢查裝置。遮罩檢查裝置係將從EUV光源裝置1放出的EUV光作為檢查光，進行遮罩的空白片(blanks)檢查或圖案檢查。可藉由使用EUV光，對應5～7nm的製程。再者，從EUV光源裝置1取出的EUV光係藉由設置於圖2的遮熱板23的開口KA限制。

如圖1及圖2所示，EUV光源裝置1具備光源單元2、碎屑減低部3、碎屑收容部4及碎屑導引部5。光源單元2係依據LDP方式，產生EUV光。碎屑減低部3係捕捉與從光源單元2放射之EU光一起飛濺的碎屑。碎屑收容部4係收容光源單元2產生的碎屑及利用碎屑減低部3捕捉的碎屑等。碎屑導引部5係將從電漿原料SA、SB的熔化液及從電漿P擴散的碎屑DB導引至碎屑收容部4。

EUV光源裝置1係具有將在內部產生電漿P與外部隔離的處理室11。處理室11係由剛體例如金屬所形成。處理室11係為真空框體，其內部係良好地產生用以加熱激發電漿原料SA、SB的放電，為了抑制此時生成之EUV光的衰減，設為減壓氣氛。

(光源單元) 光源單元2配置於處理室11內部。如圖1及圖3所示，光源單元2具備一對放電電極EA、EB。放電電極EA、EB係為同形狀同大小的圓板狀構件，例如放電電極EA(第1放電電極)作為陰極使用，放電電極EB(第2放電電極)作為陽極使用。放電電極EA、EB係例如由鎢、鉬或鉭等的高熔點金屬所形成。放電電極EA、EB配置於相互隔開的位置，放電電極EA、EB的周緣部相鄰。此時，生成電漿P的放電區域D位於放電電極EA、EB的周緣部相互最接近之放電電極EA、EB間的間隙。

於處理室11的內部，配置有貯留液相之電漿原料SA的容器CA，與貯留液相之電漿原料SB的容器CB。對各容器CA、CB，供給被加熱之液相的電漿原料SA、SB。液相的電漿原料SA、SB係為導電性的液體原料，例如錫(Sn)，但是作為鋰(Li)亦可。

容器CA係構成為第1材料供給部，以放電電極EA的下部被浸漬於液相的電漿原料SA之方式收容電漿原料SA。容器CB係構成為第2材料供給部，以放電電極EB的下部被浸漬於液相的電漿原料SB之方式收容電漿原料SB。所以，於放電電極EA、EB的下部，附著液相的電漿原料SA、SB。附著於放電電極EA、EB的下部之液相的電漿原料SA、SB係伴隨放電電極EA、EB的旋轉，被輸送至生成電漿P的放電區域D。

放電電極EA係連結於馬達MA的旋轉軸JA，繞放電電極EA的軸線旋轉。放電電極EB係連結於馬達MB的旋轉軸JB，繞放電電極EB的軸線旋轉。馬達MA、MB係配置於處理室11的外部，各馬達MA、MB的旋轉軸JA、JB係從處理室11的外部往內部延伸。旋轉軸JA與處理室11的壁部之間的間隙係以密封構件PA密封，旋轉軸JB與處理室11的壁部之間的間隙係以密封構件PB密封。密封構件PA、PB係例如機械密封。各密封構件PA、PB係一邊維持處理室11內的減壓氣氛，一邊可自由旋轉地支持旋轉軸JA、JB。

如圖1所示，EUV光源裝置1更具備控制部12、脈衝電力供給部13、雷射源(能量束照射源)14、可動鏡片16。控制部12、脈衝電力供給部13、雷射源14及可動鏡片16係設置於處理室11的外部。

控制部12係控制EUV光源裝置1的各部的動作。例如，控制部12係控制馬達MA、MB的旋轉驅動，以所定旋轉數旋轉放電電極EA、EB。又，控制部12係控制脈衝電力供給部13的動作、來自雷射源14之雷射光束LB的照射時機等。

從脈衝電力供給部13延伸之2條供電線QA、QB係通過饋通FA、FB，分別連接於配置在處理室11的內部的容器CA、CB。饋通FA、FB係埋設於處理室11的壁部，維持處理室11內之減壓氣氛的密封構件。

容器CA、CB係由導電性材料形成，收容於各容器CA、CB之內部的電漿原料SA、SB也是錫等的導電性材料。放電電極EA、EB的下部分別被浸漬於收容於各容器CA、CB之內部的電漿原料SA、SB。所以，脈衝電力從脈衝電力供給部13供給至容器CA、CB時，其脈衝電力係分別透過電漿原料SA、SB被供給至放電電極EA、EB。

脈衝電力供給部13藉由對放電電極EA、EB供給脈衝電力，在放電區域D產生放電。然後，依據各放電電極EA、EB的旋轉，被輸送至放電區域D的電漿原料SA、SB係藉由在放電時流通於放電電極EA、EB間的電流加熱激發，生成放出EUV光的電漿P。

雷射源14係對附著於被輸送至放電區域D之放電電極EA的電漿原料SA照射能量束，使該電漿原料SA汽化。雷射源14係例如Nd：YVO ₄(Neodymium-doped Yttrium Orthovanadate)雷射裝置。雷射源14發出波長1064nm之紅外區域的雷射光束LB。再者，能量束照射源只要可使電漿原料SA汽化的話，作為發出雷射光束LB以外的能量束的裝置亦可。

從雷射源14放出的雷射光束LB係例如透過包含聚光透鏡15的聚光手段被導引至可動鏡片16。聚光手段係調整放電電極EA的雷射光束照射位置之雷射光束LB的點徑。聚光透鏡15及可動鏡片16係配置於處理室11的外部。

以聚光透鏡15聚光的雷射光束LB係藉由可動鏡片16反射，通過設置於處理室11之側壁11a的透明窗20，照射至放電區域D附近之放電電極EA的周緣部。藉由調整可動鏡片16的姿勢，調整放電電極EA之雷射光束LB的照射位置。

為了讓對放電區域D附近之放電電極EA的周緣部照射雷射光束LB一事變得容易，放電電極EA、EB的軸線並不平行。旋轉軸JA、JB的間隔係馬達MA、MB側窄，放電電極EA、EB側變寬。藉此，可一邊讓放電電極EA、EB的對向面側相接近，一邊使放電電極EA、EB的對向面側之相反側從雷射光束LB的照射路徑退避，可讓對放電區域D附近之放電電極EA的周緣部照射雷射光束LB一事變得容易。

放電電極EB係配置於放電電極EA與可動鏡片16之間。以可動鏡片16反射之雷射光束LB係通過放電電極EB的外周面附近之後，到達放電電極EA的外周面。此時，以雷射光束LB不會被放電電極EB遮蔽之方式，放電電極EB係比放電電極EA，更往馬達MB側的方向(圖1的左側)退避。附著於放電區域D附近之放電電極EA的外周面之液相的電漿原料SA係因為雷射光束LB的照射而汽化，作為氣相的電漿原料SA被供給至放電區域D。

為了在放電區域D產生電漿P(為了電漿化氣相的電漿原料SA)，脈衝電力供給部13對放電電極EA、EB供給電力。然後，藉由雷射光束LB的照射，對放電區域D供給氣相的電漿原料SA時，在放電區域D之放電電極EA、EB之間會發生放電。在放電電極EA、EB之間產生放電時，放電區域D之氣相的電漿材料SA藉由電流被加熱激發，產生電漿P。從生成的電漿P放射之EUV光係通過設置於處理室11之側壁11b(第2側壁部)的貫通孔即第1窗部17，而入射至碎屑捕捉部3。

碎屑減低部3具有配置於處理室11的側壁11b的連接處理室21。連接處理室21係為剛體例如金屬製的真空框體，其內部也與處理室11相同，為了抑制EUV光的衰減而維持為所定壓力以下的減壓氣氛。連接處理室21連接於處理室11與利用裝置42(例如微影裝置或遮罩檢查裝置)之間。

連接處理室21的內部空間透過第1窗部17與處理室11連通。連接處理室21係具有作為將從第1窗部17入射的EUV光導入至利用裝置42之光取出部的第2窗部27。第2窗部27係形成於連接處理室21的側壁21a之所定形狀的貫通孔。從放電區域D的電漿P放出的EUV光係通過第1窗部17及第2窗部27而被導入至利用裝置42。

(碎屑減低部) 另一方面，EUV光與碎屑一起從電漿P高速擴散至各方向。碎屑係包含電漿原料SA、SB即錫粒子及伴隨電漿P的產生而被濺鍍之放電電極EA、EB的材料粒子。碎屑進而包含以高速移動的離子、中性粒子及電子。該等碎屑係經過電漿P的收縮及膨脹過程，獲得大量的動能。此種碎屑到達利用裝置42的話，有損傷或污染利用裝置42內之光學元件的反射膜，降低性能的狀況。

為了捕捉此種碎屑，碎屑減低部3設置於連接處理室21內。在圖2所示的範例中，作為碎屑減低部3，配置具有軸轂50、和軸轂50同心配置的外側環52、放射狀排列於軸轂50與外側環52之間的複數箔片51，透過旋轉而讓複數箔片51和碎屑能動地衝撞的旋轉式箔型捕捉器22。旋轉式箔型捕捉器22係在連接處理室21的內部，配置於從連接處理室21行進至利用裝置42之EUV光的光路徑上。

旋轉式箔型捕捉器22的複數箔片51係以不會遮住從電漿P(發光點)朝向第2窗部27行進的EUV光之方式，與朝向第2窗部27行進的EUV光的光線方向平行地配置。亦即，如圖2所示，各箔片51配置於包含軸轂50之中心軸線的平面上的旋轉式箔型捕捉器22，係以軸轂50的中心軸線的延長線上存在電漿P之方式配置。藉此，除了軸轂50及外側環52，EUV光係僅被遮蔽各箔片51的厚度的份量，可讓通過旋轉式箔型捕捉器22之EUV光的比例(也稱為透射率)成為最大。

軸轂50係連結於馬達(旋轉驅動裝置)MC的旋轉軸JC，軸轂50的中心軸線係與旋轉軸JC的中心軸線JM重合。此時，馬達MC的旋轉軸JC係可當作旋轉式箔型捕捉器22的旋轉軸。旋轉式箔型捕捉器22係被馬達MC驅動而旋轉，旋轉的箔片51係與從電漿P過來的碎屑DB衝撞而捕捉碎屑DB，阻止該碎屑DB侵入利用裝置42。

旋轉式箔型捕捉器22係配置於連接處理室21內，相對於此，馬達MC係配置於連接處理室21外。於連接處理室21的壁部，形成有旋轉軸JC通過的貫通孔。旋轉軸JC與連接處理室21的壁部之間的間隙係例如以由機械密封所成的密封構件PC密封。密封構件PC係一邊維持連接處理室21內的減壓氣氛，一邊可自由旋轉地支持馬達MC的旋轉軸JC。

在本實施形態中如圖2所示，作為碎屑減低部3，設置旋轉式箔型捕捉器22，與固定複數箔片之位置的固定式箔型捕捉器24雙方。再者，代替旋轉式箔型捕捉器22，配置固定式箔型捕捉器24亦可。

旋轉式箔型捕捉器22捕捉從電漿P擴散的碎屑DB中比較低速的碎屑DB。另一方面，固定式箔型捕捉器24捕捉從電漿P擴散的碎屑DB中無法利用旋轉式箔型捕捉器22捕捉之高速行進的碎屑DB。如圖2所示，固定式箔型捕捉器24配置於EUV取出光的主光線UL上。又，固定式箔型捕捉器24具備對應藉由遮熱板23的開口部KA限制行進方向之EUV光即EUV取出光通過的區域之形狀。

如圖2所示，於連接處理室21內，配置護蓋構件25。護蓋構件25係包圍旋轉式箔型捕捉器22，防止藉由旋轉式箔型捕捉器22捕捉的碎屑DB飛濺至連接處理室21的內部。護蓋構件25具備入射側開口部KI及出射側開口部KOA、KOB。入射側開口部KI係設置於入射至旋轉式箔型捕捉器22的EUV光不會被遮蔽的位置。出射側開口部KOA係設置於通過入射側開口部KA及旋轉式箔型捕捉器22而入射至固定式箔型捕捉器24的EUV光不被遮蔽的位置。出射側開口部KOB係設置於通過入射側開口部KI及旋轉式箔型捕捉器22而入射至監視裝置43的EUV光不被遮蔽的位置。

藉由旋轉式箔型捕捉器22捕捉的碎屑DB的至少一部分，係藉由離心力於徑方向移動於旋轉式箔型捕捉器22的箔片51上，從箔片51的端部脫離，附著於護蓋構件25的內面。護蓋構件25係藉由省略圖示的加熱手段或來自接受EUV放射之遮熱板23的二次輻射加熱，藉由該加熱，附著於護蓋構件25的內面的碎屑DB並不會固化，而保持液相狀態。附著於護蓋構件25的內面的碎屑DB係藉由重力而聚集於護蓋構件25的下部，從護蓋構件25的下部透過排出管26排出至護蓋構件25之外而成為廢棄原料，被收容於碎屑收容部4。藉此，護蓋構件25可防止從旋轉式箔型捕捉器22的箔片51之端部脫離的碎屑DB飛濺至連接處理室21的內部。

(碎屑收容部) 碎屑收容部4係如圖2所示，具備碎屑收容容器31。碎屑收容容器31配置於連接處理室21的外部，安裝於連接處理室21。碎屑收容容器31係貯藏包含碎屑DB及廢棄原料的收容物SU。

於連接處理室21的底壁，形成有連通碎屑收容容器31的內部空間與連接處理室21的內部空間的貫通孔37。碎屑收容容器31係於上部具備凸緣32。以凸緣32包圍的碎屑收容容器31的開口部重疊於連接處理室21的貫通孔37。然後，利用凸緣32於連接處理室21的底壁，例如以螺絲固定，碎屑收容容器31被安裝於連接處理室21。凸緣32與連接處理室21的底壁之間的間隙，係藉由墊片33密封。遮熱板23在直立的狀態下配置於貫通孔37的上方。排出管26的排出口配置於貫通孔37的上方。此時，在來自遮熱板23及排出管26的碎屑DB的落下位置配置碎屑收容容器31。

透過排出管26排出至護蓋構件25之外的廢棄原料，係往重力方向落下，積存於配置在連接處理室21的下方(圖2的下側)的碎屑收容容器31。另一方面，從電漿P擴散至各方向之碎屑DB的一部分透過處理室11的窗部17侵入至連接處理室21的話，會堆積於與窗部17對向的遮熱板23之面。堆積於遮熱板23的碎屑DB係藉由來自電漿P的放射而熔融，達到某程度的量時，會成為液滴而因為重力(本身重量)往遮熱板23的下方移動。然後，移動至遮熱板23的下方的碎屑DB從遮熱板23脫離，利用落下至連接處理室21的下方，收容於碎屑收容容器31。

如此，遮熱板23係不僅限制從電漿P到旋轉式箔型捕捉器22的EUV放射，防止旋轉式箔型捕捉器22的過熱，可取出藉由開口部KA從電漿P放出之EUV光的一部分，盡可能減少朝向旋轉式箔型捕捉器22行進的碎屑DB，減少旋轉式箔型捕捉器22的負擔。

在此，碎屑DB的大部分為錫，廢棄材料也是錫，所以，碎屑收容容器31也可稱為錫的回收容器。於碎屑收容容器31的周圍，裹上作為加熱碎屑收容容器31的加熱手段的加熱器配線34。加熱手段埋設於碎屑收容容器31亦可。 在EUV光源裝置1的動作中，藉由對加熱器配線34供電，碎屑收容容器的內部係被加熱至錫的熔點(大約232℃)以上，積存於碎屑收容容器31內部的錫成為液相。

使碎屑收容容器31之內部的錫成為液相的理由，係由於蓄積於碎屑收容容器31之內部的碎屑DB所包含的錫固化的話，碎屑DB容易落下的地點的蓄積物會彷彿鐘乳洞的石筍般成長。碎屑DB的蓄積物石筍狀地成長的話，例如護蓋構件25的排出管26因為碎屑DB被封鎖，碎屑DB會蓄積於護蓋構件25內。此時，蓄積於護蓋構件25內的碎屑DB的至少一部分接觸於旋轉式箔型捕捉器22，有妨礙旋轉式箔型捕捉器22的旋轉，或損傷旋轉式箔型捕捉器22之狀況。。或者，設置於護蓋構件25的出射側開口部KOA、KOB的一部分被蓄積於護蓋構件25內的碎屑DB封鎖，遮住通過出射側開口部KOA、KOB的EUV光之一部分。因此，利用使碎屑收容容器31之內部的收容物即錫成為液相，在碎屑收容容器31內將錫平坦化，可一邊迴避如石筍般的成長一邊於碎屑收容容器31內貯藏錫。

在回收蓄積於碎屑收容容器31的錫時，中止對加熱器配線34的供電，停止碎屑收容容器31內部的加熱。然後，碎屑收容容器31的溫度到達常溫，使貯藏於碎屑收容容器31的錫固化之後，使連接處理室21內部返回大氣壓。之後，從連接處理室21卸下碎屑收容容器31，將未積存錫之新的碎屑收容容器安裝於連接處理室21。從連接處理室21卸下之碎屑收容容器31的內部的錫成為固相，但是，可藉由再加熱其碎屑收容容器31，使內部的錫再次成為液相，從碎屑收容容器31取出錫。從連接處理室21卸下，從內部去除錫的碎屑收容容器31可以再利用。

進而，於連接處理室21的外部，配置監視EUV光的監視裝置43。監視裝置43係為檢測EUV光的檢測器或測定EUV光之強度的測定器。於連接處理室21的側壁21a，形成EUV光通過的貫通孔即EUV光導引孔28，在EUV光導引孔28與監視裝置43之間，設置有EUV光不會漏出到連接處理室21外地通過的導引管29。

於遮熱板23，在不同於開口部KA的其他位置，設置有用以取出從電漿P放出之EUV光的一部分之任意形狀(例如圓形)的開口部KB。於連結電漿P與開口部KB之中心部的直線的延長線上，配置監視裝置43、EUV光導引孔28及導引管29。所以，從電漿P放出之EUV光的一部分，係依序通過處理室11的窗部17、遮熱板23的開口部KB、護蓋構件25的入射側開口部KI、旋轉式箔型捕捉器22的複數箔片51的間隙、護蓋構件25的出射側開口部KOB、連接處理室21之壁部的EUV光導引孔28及導引管29的內腔，到達監視裝置43。如此一來，可藉由監視裝置43監視EUV光。

[光源單元的詳細內容] 接下來，針對光源單元2的詳細內容進行說明。

如上所述，於LDP方式的EUV光源裝置1中，碎屑DB從生成於放電區域D的電漿P往所有方向飛濺。飛濺至利用裝置42側的碎屑DB，係藉由上述之碎屑減低部3捕捉，但是，行進至其以外方向的碎屑DB如果狀況不變的話則附著於EUV光源裝置1的內部，引起內部污染。

以盡可能抑制此種碎屑DB的飛濺所致之內部污染的方式，光源單元2係如圖1所示，具有電極殼體HA(第1電極殼體)與電極殼體HB(第2電極殼體)。電極殼體HA係收容或包圍放電電極EA、容器CA及旋轉軸JA的一部分。電極殼體HB係收容或包圍放電電極EB、容器CB及旋轉軸JB的一部分。再者，各旋轉軸JA、JB係分別透過設置於電極殼體HA、HB之未圖示的孔部，與放電電極EA、EB連接。電極殼體HA、HB係以相互鄰接之方式配置於處理室11內。

圖4係從X軸方向觀察光源單元2的基本構造的前視圖。圖5係圖4之A-A線剖面圖。

光源單元2固定於固定用基板11c。固定用基板11c係為真空處理室11的側壁部(第1側壁部)，構成處理室11的一部分。固定用基板11c的平面形狀並未特別限定，作為圓形狀亦可，作為矩形狀亦可。固定用基板11c係如圖5所示，具有作為閉塞形成於處理室11的本體即處理室本體110之開口110a的可裝卸的蓋子部之功能。固定用基板11c透過未圖示的密封材等，氣密地安裝於處理室本體110。

再者，光源單元2係如上所述，為了讓對放電區域D附近之放電電極EA的周緣部照射雷射光束LB一事變得容易，放電電極EA、EB的軸線並不平行，旋轉軸JA、JB的間隔係馬達MA、MB側窄，放電電極EA、EB側變寬(參照圖1)。然而，在此為了容易理解，在圖4後的各圖中，放電電極EA、EB的軸線相互平行地描繪。

光源單元2更具有支持電極殼體HA、HB的單元基板61。電極殼體HA係如圖5所示，隔著導電性或絕緣性的支持構件71被單元基板61的內壁面支持。容器CA係隔著導電性或絕緣性的支持構件72被固定於電極殼體HA的內面。旋轉軸JA係貫通單元基板61，隔著密封構件PA被單元基板61支持。電極殼體HB也與電極殼體HA同樣地，被固定於單元基板61的內壁面。旋轉軸JB係貫通單元基板61，隔著密封構件PB被單元基板61支持。電極殼體HA、HB係挾持空隙而相互鄰接於Y軸方向。

於固定用基板11c形成用以將電極殼體HA、HB配置於處理室11的內部的貫通孔11d。又，單元基板61在其外壁面的周緣部設置凸緣61a，其凸緣部61a隔著絕緣性的密封構件63，透過複數螺絲等固定於貫通孔11d的周圍。此時，藉由凸緣部61a，形成於單元基板61的周面的段差部61b隔開間隙而對向於貫通孔11d的內周面。

如此，單元基板61以閉塞貫通孔11d之方式安裝於固定用基板11c的外壁面11c2。藉此，從單元基板61的一方之面側(外面側)，突出用以旋轉驅動放電電極EA、EB的馬達MA、MB，於另一方之面側(內面側)，內包放電電極EA、EB及容器CA、CB的電極殼體HA、HB在突出於處理室11的內部側之狀態下固定。如此，構成為可透過單元基板61，從處理室11卸下電極殼體HA、HB，故可容易進行對於處理室11之光源單元2的設置作業及維護作業。

再者，於本實施形態中，單元基板61由共通支持電極殼體HA、HB的單一基板構成。替代性地，單元基板61由個別支持電極殼體HA及電極殼體HB的2個基板構成亦可。此時，於固定用基板11c分別形成包含用以將電極殼體HA配置於處理室11的內部的貫通孔，與用以將電極殼體HB配置於處理室11的內部的貫通孔，藉由支持的單元基板閉塞的貫通孔。

進而，固定用基板11c在其內壁面11c1，更具有從貫通孔11d的上緣周緣部朝向處理室11的內部突出的突出部11e。該突出部11e係具有在將安裝了電極殼體HA、HB的單元基板61，組裝至固定用基板11c的貫通孔11d之際，用以將電極殼體11A、11B的上緣部導引至處理室11內的導引部之功能。

另一方面，如圖4及圖5所示，於電極殼體HA、HB，以從電漿P放出的EUV光朝向利用裝置42之方式，設置EUV光取出用開口部KL。EUV光取出用開口部KL也可使用來作為對附著於被輸送至放電區域D之放電電極EA的電漿原料SA照射雷射光束LB的入射口。又，於各電極殼體HA、HB的下部，設置有將附著於電極殼體HA、HB內面的碎屑DB及廢棄材料，排出至外部的排出口QA、QB。

有附著於EUV光源裝置1的內部之可能性的碎屑DB的大部分係往碎屑飛濺方向D1、D2飛濺，在電極殼體HA、HB內部被捕集。又，附著於被輸送至放電區域D之放電電極EA的電漿原料SA中，被照射雷射光束LB而汽化，利用於電漿生成的量僅為少量。因此，附著於放電電極EA之電漿原料SA的大部分係在未使用之狀態下被送回容器CA，但是，其中一部分係因為重力而落下，未返回容器CA，在電極殼體HA內部被捕集。進而，因為某些問題，會有貯留於容器CA、CB之液相的電漿原料SA、SB的一部分從容器CA、CB溢出之狀況。該漏出的電漿原料SA、SB也往原料漏出方向D3漏出，作為廢棄原料在電極殼體HA、HB內部被捕集。

電極殼體HA、HB係配置於電漿P的附近，所以，藉由來自電漿P的EUV光等的放射，被加熱至碎屑DB及廢棄材料的熔點以上。再者，在本說明書提及熔點時係指錫等之電漿原料SA、SB的熔點。因此，例如放電電極EA、EB是由鎢、鉬或鉭等的高熔點金屬所形成時，即使放電電極EA、EB的材料粒子包含於碎屑DB的狀況中，碎屑DB的熔點也不會包含放電電極EA、EB的熔點。因此，附著於電極殼體HA、HB內面的碎屑DB及廢棄材料所包含的錫並不會固化而維持成液體狀態。附著於電極殼體HA、HB內面的碎屑DB及廢棄材料，係因為重力而集中於電極殼體HA、HB下部，從排出口QA、QB排出至外部，往重力方向落下。

從排出口QA、QB往重力方向落下的碎屑DB及廢棄材料，係藉由承接板構件18接收。承接板構件18以廢棄原料(錫)被積存於貯藏部即碎屑收容容器31(參照圖2)之方式，傾斜配置於設置在連接處理室21的底部的承接台44上。承接板構件18係藉由加熱手段加熱，其溫度被維持為錫的熔點以上之溫度。因此，從排出口QA、QB落下至承接板構件18的碎屑DB及廢棄材料，係維持液相之狀況，沿著傾斜之承接板構件18的承接面移動，被送至承接板構件18的排出部。

在氣相狀態下存在於設置放電電極EA、EB及電極殼體HA、HB的空間(處理室11內)之電漿原料的一部分透過開口部KL而進入至電極殼體HA、HB內。在生成電漿而放射EUV的動作持續中時，電極殼體HA、HB藉由電漿被加熱至碎屑(錫)的熔點以上。因此，即使進入至電極殼體HA、HB之氣相狀態的碎屑(錫)接觸該電極殼體的內部表面而液化，也可直接維持液體狀態，如上所述，從設置於電極殼體下部的排出口QA、QB排出至外部。

另一方面，浮游於電極殼體HA、HB外且處理室11內之氣相狀態的碎屑(錫)的一部分與固定用基板11c及電極殼體HA、HB的外表面接觸而液化。尤其，在溫度比較低之固定用基板11c的表面中，前述液化的碎屑(錫)會直接固化。例如，如圖5的要部放大圖即圖6所示，固定用基板11c的構造物(例如突出部11e或貫通孔11d的內周面)與單元基板61的段差部61b等相互的距離比較近的部分中，固化於固定用基板11c的構造物上的碎屑(錫)不久就會與電極殼體HA、HB的外表面接觸。

在此，內包被施加高電壓(在此為負的高電位(-HV)，但作為正的高電位(+HV)亦可)之放電電極EA的電極殼體HA與該放電電極EA電性連接，所以，也會對電極殼體HA施加高電壓。另一方面，處理室11及其一部分即固定用基板11c連接於接地電位。因此，被施加高電壓的電極殼體HA的外表面與固定用基板11c的前述構造物上成長固化的碎屑DB接觸的話，在電極殼體HA的外表面與固定用基板11c的構造物之間發生電性短路，大電流會流通於短路之處，導致發生EUV光源裝置1的故障。

[遮蔽構件] 為了解決此種問題，本實施形態的EUV光源裝置1具備遮蔽構件80。圖7係從X軸方向觀察具備遮蔽構件80的光源單元2的前視圖，圖8係圖7之B-B線剖面圖。

如圖7及圖8所示，光源單元2在電極殼體HA側的EUV光取出用開口部KL的上部設置遮蔽構件80。遮蔽構件80係以遮蔽形成在位於電極殼體HA側的開口部KL之上側的固定用基板11c的構造物(突出部11e及貫通孔11d的內周面)與電極殼體HA之間的間隙部GA之至少一部分的方式構成。藉此，可抑制如引起前述般之短路的氣相狀態的碎屑(錫)進入間隙部GA。

亦即，如圖8所示，正要進入至固定用基板11c的貫通孔11d之表面(內壁)的氣相狀態的錫之至少一部分被遮蔽構件80妨礙進入，附著於該遮蔽構件80的表面而液化。遮蔽構件80係在生成電漿P而放射EUV的動作持續中時，藉由電漿P被加熱至碎屑(錫)的熔點以上。因此，附著於遮蔽構件80的表面而液化的碎屑DB會直接維持液體狀態，最終從遮蔽構件80的下端成為液滴而往重力方向落下。落下之液滴狀碎屑(錫)DB藉由承接板構件18接收，透過該承接板構件18積存於碎屑收容容器31。

遮蔽構件80係例如圖8所示，具有遮蔽部81與支持部82。遮蔽部81係遮蔽浮游於處理室11內之氣相狀態的碎屑進入至固定用基板11c之貫通孔11d的表面(內壁)。遮蔽部81係例如為平行於YZ平面的平板狀，配置在比電極殼體HA之設置開口部KL的表面更往前方突出的位置。尤其，遮蔽部81係配置在遮住固定用基板11c的貫通孔11d之表面(內壁)的上部及接近其之單元基板61的段差部61b的上部在處理室11內直接露出於電極殼體HA的外部空間的位置。

支持部82係例如平行於XY平面的平板上，一體地設置於遮蔽部81的上緣部。支持部82係例如固定於固定用基板11c的突出部11e的上表面，將遮蔽部81設置於前述位置。支持部82的固定位置並不限於突出部11e的上表面，固定於比突出部11e更上部之固定用基板11c的內壁面11c1亦可。

再者，支持部82與遮蔽部81一體地構成亦可，作為其他個體構成亦可。兩者一體地構成時，例如圖8以剖面所示般，作為一張平板被彎曲成L字的角鋼(Angle)形狀亦可。又，遮蔽部81作為平板狀亦可，作為波型板型狀等之具有凹凸部的平板狀亦可。遮蔽構件80係例如由鎢、鉬或鉭等的高熔點金屬所形成。

再者，於電極殼體HB側不設置遮蔽構件80亦可。此係因為電極殼體HB包圍之電極EB(陽極側)的電位被保持接地電位，成為與同樣接地的固定用基板11c相同電位，所以，即使電極殼體HB的外表面與固定用基板11的構造物(突出部11e及貫通孔11d)之間透過固化的碎屑接觸，電流也不會流通於短路之處，不會發生EUV光源裝置1的故障之故。

並不限定於此，於電極殼體HB側設置遮蔽構件80亦可。此時，可抑制氣相狀態的碎屑經由形成在電極殼體HB與固定用基板11c的突出部11e之間的間隙部GB，進入至電極殼體HA側的間隙部GA。

如上所述，依據本實施形態的EUV光源裝置1，在至少內包高電位之電極(電極EA：陰極)的電極殼體HA的EUV光取出用開口部KL的上部安裝遮蔽構件80，故可抑制浮游於處理室11內部之氣相狀態的碎屑之至少一部分進入至形成在電極殼體HA與固定用基板11c之間的間隙部GA的內部。藉此，可防止因為進入至間隙部GA的氣相狀態下碎屑接觸突出部11e及貫通孔11d的內面而固化、堆積所可能發生之固定用基板11c與電極殼體HA之間的電性短路。所以，在EUV光源裝置1中可進行穩定之電漿P的生成，可持續放出EUV光。

[遮蔽構件的其他構造例1] 在圖7所示的光源單元2中，附著於遮蔽構件80的遮蔽部81表面而液化的碎屑DB如圖9所示，從遮蔽部81的下面81a往重力方向落下。在此，落下至承接板構件18側之液滴狀的碎屑DB(錫)並不是以遮蔽部81的下面81a的特定位置作為起點落下，而是以遮蔽部81的下面81a之不特定的位置作為起點落下。因此，如圖9所示，根據遮蔽部81的下面81a之起點的位置，會發生落下之液滴狀的碎屑DB落下至無法藉由承接板構件18捕集的位置之狀況，有裝置內部被液體狀的碎屑DB污染之虞。

再者，縮短遮蔽部81的寬度(圖9之左右方向)，即使碎屑DB在遮蔽部81的下面81a的任意位置落下，也讓落下的液滴狀碎屑全部都可透過承接板構件18捕集的話，可消除裝置內部被液體狀的碎屑污染之問題。然而，因為遮蔽部81的寬度變窄，有抑制氣相狀態的碎屑進入至固定用基板11c與電極殼體HA之間的間隙部GA的效果變得不夠充分之虞。

因此，本構造例係如圖10所示，具備以遮蔽形成在位於電極殼體HA側的EUV光取出用開口部KL之上部的固定用基板11c的構造物(突出部11e及貫通孔的表面)與電極殼體HA之間的間隙部GA之一部分的方式設置的遮蔽構件801，該遮蔽構件801從圖7所示的水平位置傾斜配置。具體來說，遮蔽構件801係以遮蔽部81的下面81a之接近承接板構件18側的一端部(角部81b)位於比離承接板構件18較遠側的另一端部(角部81c)更靠下側之方式配置，遮蔽部81的下面81a形成為朝向角部81b的傾斜面。

藉由將遮蔽構件801如上所述般配置，如圖11所示，接觸遮蔽構件801的遮蔽部81而液化的碎屑(錫)DB因為本身重量，往遮蔽部81的下面81a移動，進而，從角部81c側至角部81b側移動於下面81a上，作為液滴狀碎屑從角部81b往重力方向落下。

亦即，液滴狀碎屑DB係從遮蔽構件801的遮蔽部81的下面81a之所定脫離位置(角部81b)落下。遮蔽部81的下面81a具有作為將液滴狀碎屑DB導引至角部81b的導引面之作用。透過將角部81b設為來自遮蔽構件801的碎屑的脫離位置，以讓從角部81b落下的液滴狀碎屑DB確實落下至位於下方之承接板構件18的表面之方式設定該遮蔽構件801的角部81b的位置，落下之液滴狀的碎屑DB可確實藉由承接板構件18捕集。藉此，抑制落下之液滴狀的碎屑DB落下至無法藉由承接板構件18捕集的位置之狀況，可讓裝置內部不被液體狀的碎屑DB污染。

[遮蔽構件的其他構造例2] 在圖7所示的光源單元2中，以遮蔽構件801的遮蔽部81之下面81a接近承接板構件18側的一端部(角部81b)位於比離承接板構件18較遠側的另一端部(角部81c)更靠下側之方式配置。如上所述，藉由配置遮蔽構件801，可讓液滴狀碎屑DB從遮蔽部81的下面81a之所定脫離位置(角部81b)落下。

此時，從遮蔽構件801的角部81b落下，到達承接板構件18的表面為止之液滴狀錫的軌跡盡可能遠離從電漿P放出之EUV光的光路徑為佳。液滴狀錫的軌跡與EUV光的光路徑重疊的話，根據EUV光的發光時機，有EUV光的一部分被液滴狀錫遮蔽，導致EUV光的利用效率降低之虞。

因此，在本構造例中，如圖12及圖13所示，具備以遮蔽形成在位於電極殼體HA側的EUV光取出用開口部KL之上部的固定用基板11c的構造物(突出部11e及貫通孔的表面)與電極殼體HA之間的間隙部GA之一部分的方式設置的遮蔽構件802，該遮蔽構件802從圖7所示的水平位置傾斜配置，並且將遮蔽部81的下面81a之一端側的角部81b的位置，設定在液滴狀錫的軌跡(落下路徑)不會與朝向放電區域D之EUV光的光路徑(入射路徑)重疊的位置。藉此，EUV光的一部分不會被液滴狀錫遮蔽，可迴避EUV光的利用效率的降低。

再者，在前述構造例1、2中，將自遮蔽構件之液滴狀碎屑DB的脫離位置設為遮蔽部81之一端側的角部81b，但是，角部81b並不限定於遮蔽部81之一端側的隅部的情況，作為設置在遮蔽部81的下面81a之任意位置的突起狀的角部亦可。

以上，已針對本發明的實施形態進行說明，但是，本發明當然不限定於上述之實施形態，可施加各種變更。

例如，在以上的實施形態中，作為光源裝置已舉出放出EUV光的EUV光源裝置為例進行說明，但是，本發明也可適用於可產生X射線及其他波長區域之光等的其他放射線的光源裝置。

又，在以上的實施形態中，構成為光源單元2可隔著單元基板61裝卸於處理室11的側壁(固定用基板11c)，但是，對於處理室11之光源單元2的設置形態可設計成任意方式。

1:EUV光源裝置 2:光源單元 3:碎屑減低部 4:碎屑收容部 5:碎屑導引部 11:處理室 11a:側壁 11b:側壁 11c:固定用基板 11c1:內壁面 11c2:外壁面 11d:貫通孔 11e:突出部 12:控制部 13:脈衝電力供給部 14:雷射源(能量束照射源) 15:聚光透鏡 16:可動鏡片 17:窗部(第1窗部) 18:承接板構件 20:透明窗 21:連接處理室 21a:側壁 22:旋轉式箔型捕捉器 23:遮熱板 24:固定式箔型捕捉器 25:護蓋構件 26:排出管 27:窗部(第2窗部) 28:EUV光導引孔 29:導引管 31:碎屑收容容器 32:凸緣 34:加熱器配線 37:貫通孔 42:利用裝置 43:監視裝置 44:承接台 50:軸轂 51:箔片 52:外側環 61:單元基板 61a:凸緣部 61b:段差部 71:支持構件 72:支持構件 80:遮蔽構件 81:遮蔽部 81a:遮蔽部的下面 81b:角部 81c:角部 82:支持部 110:處理室本體 110a:開口 801:遮蔽構件 802:遮蔽構件 CA:容器(第1材料供給部) CB:容器(第2材料供給部) D:放電區域 DB:碎屑 D3:原料漏出方向 EA:放電電極(第1放電電極) EB:放電電極(第2放電電極) FA:饋通 FB:饋通 GA:間隙部 GB:間隙部 HA:電極殼體(第1電極殼體) HB:電極殼體(第2電極殼體) JA:旋轉軸 JB:旋轉軸 KA:開口部 KB:開口部 KI:入射側開口部 KL:開口部(光取出用開口部) KOA:出射側開口部 KOB:出射側開口部 LB:雷射光束(能量束) MA:馬達 MB:馬達 P:電漿 PA:密封構件 PB:密封構件 QA:供電線 QB:供電線 SA:電漿原料 SB:電漿原料 SU:收容物 UL:主光線

[圖1]揭示於水平方向剖面揭示本發明的一實施形態之光源裝置的概略剖面圖。 [圖2]揭示前述光源裝置之要部的概略側剖面圖。 [圖3]揭示前述光源裝置之光源單元的基本構造之要部的概略立體圖。 [圖4]揭示前述光源單元的基本構造的前視圖。 [圖5]圖4之A-A線剖面圖。 [圖6]圖5的要部放大圖。 [圖7]揭示具備遮蔽構件的光源單元之一構造例的前視圖。 [圖8]圖7之B-B線剖面圖。 [圖9]說明遮蔽構件之一作用的部分前視圖。 [圖10]揭示具備遮蔽構件的光源單元之其他構造例的前視圖。 [圖11]說明圖10所示的遮蔽構件之一作用的部分前視圖。 [圖12]揭示具備遮蔽構件的光源單元之另其他構造例的前視圖。 [圖13]說明圖12所示的遮蔽構件之一作用的部分前視圖。

2:光源單元

11c:固定用基板

11d:貫通孔

11e:突出部

13:脈衝電力供給部

18:承接板構件

61:單元基板

80:遮蔽構件

CA:容器

CB:容器

D:放電區域

DB:碎屑

EA:放電電極

EB:放電電極

GA:間隙部

GB:間隙部

HA:電極殼體

HB:電極殼體

KL:開口部

LB:雷射光束(能量束)

P:電漿

QA:供電線

QB:供電線

SA:電漿原料

SB:電漿原料

-HV:負的高電位

Claims (15)

1. 一種光源裝置，其特徵為具備： 光源單元，係具有圓盤狀的第1放電電極、收容前述第1放電電極的第1電極殼體、圓盤狀的第2放電電極、收容前述第2放電電極的第2電極殼體，透過在前述第1放電電極與前述第2放電電極之間的放電區域產生導電性之液體原料的電漿，放出所定波長的光； 處理室，係收容前述第1電極殼體及前述第2電極殼體，具有固定前述光源單元的第1側壁部；及 遮蔽構件，係設置在前述第1側壁部的內壁面，遮蔽形成於前述光源單元與前述第1側壁部之間的間隙部的至少一部分。
2. 如請求項1所記載之光源裝置，其中， 前述第2電極殼體及前述處理室，係連接於接地電位； 前述第1電極殼體，係連接於比前述第2電極殼體高電位或低電位的電壓供給源； 前述遮蔽構件，係至少遮蔽形成於前述第1電極殼體與前述第1側壁部之間的間隙部的一部分。
3. 如請求項1或2所記載之光源裝置，其中， 前述第1側壁部，係具有用以將前述第1電極殼體及前述第2電極殼體，配置於前述處理室的內部的貫通孔； 前述間隙部，係形成於前述第1電極殼體及前述第2電極殼體與前述貫通孔的內周面之間。
4. 如請求項3所記載之光源裝置，其中， 前述光源單元，係更具有安裝於前述第1側壁部的外壁面，共通或個別支持前述第1電極殼體及前述第2電極殼體的單元基板； 前述光源單元，係透過前述單元基板而固定於第1側壁部。
5. 如請求項3所記載之光源裝置，其中， 前述第1側壁部，係更具有設置於前述第1側壁部的內壁面，從前述貫通孔的上緣周緣部朝向前述處理室的內部突出的突出部； 前述遮蔽構件，係遮蔽前述突出部與前述第1電極殼體之間。
6. 如請求項3所記載之光源裝置，其中， 前述光源單元，係更具有： 第1材料供給部，係收容於前述第1電極殼體，對前述第1放電電極的周緣部供給前述液體原料； 第2材料供給部，係收容於前述第2電極殼體，對前述第2放電電極的周緣部供給前述液體原料； 第1馬達，係具有貫通前述第1支持構件，使前述第1放電電極旋轉的旋轉軸；及 第2馬達，係具有貫通前述第2支持構件，使前述第2放電電極旋轉的旋轉軸。
7. 如請求項1或2所記載之光源裝置，其中， 前述處理室，係更具有收容前述第1電極殼體及前述第2電極殼體的處理室本體； 前述第1側壁部，係可裝卸地安裝於前述處理室本體。
8. 如請求項1或2所記載之光源裝置，其中，更具備： 回收容器，係附著於前述遮蔽構件，收容從前述遮蔽構件落下的前述液體原料；及 承接板構件，係配置於來自前述遮蔽構件之前述液體原料的落下路徑上，將前述液體原料導引至前述回收容器。
9. 如請求項8所記載之光源裝置，其中， 前述遮蔽構件，係為具有使附著於前述遮蔽構件的前述液體原料朝向前述承接板構件落下的脫離部，與將前述液體原料導引至前述脫離部的導引部的板構件； 前述導引部包含前述遮蔽構件的下面。
10. 如請求項9所記載之光源裝置，其中， 前述導引部，係由朝向前述脫離部的傾斜面形成。
11. 如請求項9所記載之光源裝置，其中， 前述脫離部係為設置於前述遮蔽構件的下面的角部。
12. 如請求項9所記載之光源裝置，其中，更具備： 能量束照射源，係將讓前述液體原料汽化的能量束照射至前述放電區域； 前述脫離部，係設置於前述落下路徑與前述放電區域之前述能量束的入射路徑不相交的位置。
13. 如請求項8所記載之光源裝置，其中， 前述第1電極殼體及前述第2電極殼體，係分別具有將附著於前述第1電極殼體及前述第2電極殼體之各內壁面的前述液體原料，朝向前述承接板構件排出的排出口。
14. 如請求項1或2所記載之光源裝置，其中， 前述處理室，係更具有：具有從前述電漿放出的光通過之窗部的第2側壁部； 前述光源裝置，係更具備捕捉從電漿放出且通過前述窗部之碎屑的箔型捕捉器。
15. 如請求項1或2所記載之光源裝置，其中， 前述所定波長的光係為極紫外光。

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