CN111903195A - 控制euv光源中的碎片的装置和方法 - Google Patents
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Abstract
公开了一种EUV系统，该EUV系统包括用于以液体形式累积目标材料碎片的措施，其中目标材料被阻隔喷吐到光学元件上，并且在其中可以引起目标材料固化并且然后传送到目标材料可以被熔融并且被允许排掉而不会污染收集器的位置。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年3月27日提交的美国申请62/648,505的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
本公开涉及一种用于从等离子体生成极紫外(“EUV”)辐射的装置和方法，等离子体是通过在容器中对目标材料进行放电或激光烧蚀而生成的。在这样的应用中，光学元件例如用于收集和引导辐射以用于半导体光刻和检查。
背景技术
极紫外辐射(例如，波长为大约50nm或更短的电磁辐射(有时也称为软X射线)，并且包括波长为大约13.5nm的辐射)可以用于光刻工艺中以在诸如硅晶片等衬底中生产极小特征。
用于生成EUV辐射的方法包括将目标材料转换成等离子体状态。目标材料优选地包括具有在电磁光谱的EUV部分中的一个或多个发射线的至少一种元素，例如氙、锂或锡。目标材料可以是固体、液体或气体。在通常称为激光产生等离子体(“LPP”)的一种这样的方法中，所需要的等离子体可以通过使用激光束照射具有所需要的线发射元素的目标材料来产生。
一种LPP技术涉及生成目标材料液滴液滴并且用一个或多个激光辐射脉冲照射至少一些液滴。这样的LPP源通过将激光能量耦合到具有至少一个EUV发射元素的目标材料中来生成EUV辐射，从而产生电子温度为几十eV的高度电离的等离子体。
对于该过程，等离子体通常在密封容器(例如，真空室)中产生，并且所得到的EUV辐射使用各种类型的量测设备来监测。除了生成EUV辐射，用于生成等离子体的过程通常还会在等离子体腔室内生成不希望的副产物，这些副产物可能包括带外辐射、高能离子和碎片，例如残余目标材料的原子和/或团块/微液滴。
能量辐射从等离子体向所有方向发射。在一种常见布置中，近法向入射镜(通常称为“收集器镜”或简称为“收集器”)被定位为将辐射的至少一部分收集、定向并且在一些布置中聚焦到中间位置。然后，所收集的辐射可以从中间位置被中继到一组光学元件、标线片、检测器，并且最终中继到硅晶片。
在光谱的EUV部分中，通常认为有必要将反射光学元件用于包括收集器、照射器和投影光学元件盒的系统中的光学元件。这些反射光学元件可以实现为如上所述的法向入射光学元件或掠射入射光学元件。在所涉及的波长处，收集器有利地被实现为多层镜(“MLM”)。顾名思义，该MLM通常由基础或衬底上的交替的材料层(MLM叠层)组成。即使系统光学元件未实现为MLM，系统光学元件也可以被配置为涂层光学元件。
光学元件并且尤其是收集器必须与等离子体一起放置在容器内以收集和重定向EUV辐射。腔室内的环境对光学元件不利并且因此限制了其使用寿命，例如由于降低了反射率。环境内的光学元件可能会暴露于目标材料的高能离子或颗粒。目标材料的颗粒(其基本上是激光汽化过程中产生的碎片)会污染光学元件的暴露的表面。目标材料的颗粒还会对MLM表面造成物理损坏和局部加热。
在一些系统中，在真空室中使用压力在大约0.5到大约3mbar范围内的H2气体作为用于碎片减少的缓冲气体。在没有气体的情况下，在真空压力下，将难以充分保护收集器免受从照射区域喷射的目标材料碎片的伤害。氢对波长为大约13.5nm的EUV辐射是相对透明的，并且因此比其他候选气体(诸如He、Ar或在约13.5nm处具有更高吸收率的其他气体)更可取。
H2气被引入真空室中以减慢由等离子体产生的目标材料的高能碎片(离子、原子和团簇)。碎片通过与气体分子的碰撞而减慢速度。为此，使用H2气流，该气流也可以与碎片轨迹相反并且远离收集器。这用于减少在收集器的光学涂层上沉积、注入和溅射目标材料的损害。
尽管如此，诸如所描述的来源中最具挑战性的问题之一是残余目标材料的管理。将目标材料转化为蒸气和颗粒的过程会将残余目标材料沉积在辐射部位与表面之间存在无阻碍路径的地方以及在夹带残余目标材料的排气路径中的每个表面上。例如，如果这种气体被泵送跨过腔室中的叶片顶部并且到达机械泵，则材料很快就会沉积在所有冷金属零件上。如果目标材料是锡，则会导致锡棉的生长，锡棉会掉落到收集器光学元件上并且阻塞排气路径。
仍然使用锡作为目标材料的示例，一种用于控制锡扩散的技术涉及从被加热到锡的熔点以上的表面上的蒸气或颗粒中捕获锡。锡在这里熔融(或保持熔融)，并且被引起流至捕获容器。但是，液态锡在存在氢自由基(诸如在EUV室中被发现)的情况下往往会喷发或“喷吐”，并且这种喷出的锡会撞击收集器。这是导致收集器性能下降的主要因素。其次，液态锡通常不按预期流动。例如，腔室内的结构(诸如用于去除腔室中的一些或全部锡蒸气的洗涤器的叶片和沟槽)可以使液态锡滴到收集器上。此外，洗涤器沟槽可能溢出，并且液态锡可能顺着叶片的背面流下，从而造成热短路(即，非预期的导热路径)并且阻塞了通向捕获容器的流动路径。另外，液态锡具有很高的腐蚀性，并且导致例如用于将收集表面保持在锡的熔点之上的电加热器发生故障。而且，由锡累积引起的流动限制导致气体在叶片和收集器中寻找通过较小空间的路径，从而大大增加了由于锡沉积导致的收集器劣化。
如上所述，可以将洗涤器添加到诸如叶片顶部等区域，以通过从蒸汽中析出携带的锡来捕获携带的锡。洗涤器表面可以保持在锡的熔点以上，使得液态锡可以顺着叶片流下并且流入接收器中。但是，洗涤器中的液态锡可能仍然会被喷吐到收集器上，并且再次从沟槽滴到收集器上，从而加剧了收集器劣化。此外，将洗涤器保持在锡的熔点以上存在困难。当洗涤器的温度低于锡的熔点时，锡固化并且堵塞洗涤器。通过例如改变洗涤器叶片的尺寸和倾斜度来改变洗涤器的几何形状可以改善性能，但是不能完全消除洗涤器喷吐在收集器上或喷吐到冷的表面上并且堵塞排气的趋势。
生成EUV光的过程也可能导致目标材料沉积在容器的壁上。控制目标材料在容器壁上的沉积对于实现在生产中放置的EUV源的可接受的长寿命很重要。同样，管理来自辐射部位的目标材料通量对于确保废物目标材料缓解系统按预期工作也很重要。
发明内容
以下给出了一个或多个实施例的简化概述，以便提供对实施例的基本理解。该概述不是所有预期实施例的详尽概述，并且不旨在标识所有实施例的关键或重要元素，也不旨在对任何或所有实施例的范围设置限制。其唯一目的是以简化的形式呈现一个或多个实施例的一些概念，作为稍后呈现的更详细描述的序言。
根据一个方面，对于“锡路径”(即，重新引导光离开腔室的、从腔室衬里到成像中继反射镜的路径)的不同部分使用不同的锡管理技术。固态和液态锡技术的组合与排气歧管一起使用以管理锡的散布和收集。标识废气流中的区域，并且根据它们的不同要求在这些区域中的每个区域中使用用于处理废气流的适当技术。
根据实施例的另一方面，公开了一种用于生成EUV辐射的装置，该装置包括：容器和具有第一位置和第二位置的残余目标材料收集表面，在第一位置处，残余目标材料收集表面被布置为收集来自照射区域的残余目标材料，第二位置与所述容器的壁的至少一部分的内部之间被遮挡，在第二位置处，残余目标材料收集表面被布置为释放在第一位置处收集的残余目标材料；和温度控制器，被布置为在第一位置将残余目标材料收集表面维持在目标材料的熔融温度以下并且在第二位置维持在目标材料的熔融温度以上。残余目标材料收集表面可以包括带的表面。带可以在第一位置被冷却并且在第二位置被加热。该装置还可以包括至少一个洗涤器，至少一个洗涤器被定位在第二位置邻近带，并且被布置为从带上去除残余目标材料。至少一个洗涤器可以被定位为使得从带上去除的残余目标材料通过重力流至接收器。该装置还可以包括与腔室流体连通的腔室排气歧管。腔室排气歧管可以具有衬里，并且衬里的至少一部分可以被加热。残余目标材料收集表面可以包括遮挡件。遮挡件可以在第一位置被冷却并且在第二位置被加热。遮挡件可以被布置为枢转以从第一位置向第二位置移动。遮挡件可以布置为从第一位置向第二位置横向移动。第二位置可以被选择以使得熔融的残余目标材料通过重力从遮挡件流至接收器。该装置还可以包括与腔室流体连通的腔室排气歧管。腔室排气歧管可以具有衬里，并且衬里的至少一部分可以被加热。
根据一个实施例的一个方面，公开了一种控制用于生成EUV辐射的装置中的残余目标材料的方法，该方法包括步骤：在第一位置在表面上累积残余目标材料，表面的温度低于目标材料的熔融温度，将表面移动到第二位置，在第二位置处，表面的温度高于残余目标材料的熔融温度以熔融残余目标材料，并且从表面上去除所熔融的残余目标材料。从表面上去除所熔融的残余目标材料的步骤可以包括：从表面刮擦所熔融的残余目标材料。从表面上去除所熔融的残余目标材料的步骤可以包括：引起所熔融的残余目标材料从表面流动。在去除步骤之后还可以存在引起所去除的熔融的残余目标材料流至接收器的步骤。
下面参考附图详细描述本发明的其他实施例、特征和优点以及各个实施例的结构和操作。
附图说明
图1是根据本发明的一个方面的激光产生等离子体EUV辐射源系统的整体广义概念的示意性非比例视图。
图2是示出根据本发明的一个方面的在激光产生等离子体EUV辐射源系统中使用的容器和排气系统的可能布置的非比例视图。
图3是示出根据本发明的一个方面的在激光产生等离子体EUV辐射源系统中使用的容器的目标材料控制系统的可能布置的非比例视图。
图4A是示出根据本发明的实施例的一个方面的在激光产生等离子体EUV辐射源系统中使用的容器的喉部的目标材料控制系统的可能布置的非比例视图。
图4B是示出根据本发明的实施例的一个方面的在激光产生等离子体EUV辐射源系统中使用的容器的喉部的目标材料控制系统的另一可能布置的非比例视图。
图5A是示出根据本发明的实施例的一个方面的在激光产生等离子体EUV辐射源系统中使用的容器的喉部的目标材料控制系统元件的另一可能布置的非比例视图。
图5B是图5A的布置的俯视图。
图6是示出根据本发明的实施例的一个方面的在激光产生等离子体EUV辐射源系统中使用的容器的喉部的目标材料控制系统元件的其他元件的非比例视图。
下面参考附图详细描述本发明的其他特征和优点以及本发明的各种实施例的结构和操作。注意，本发明不限于本文中描述的特定实施例。本文中提出这样的实施例仅用于说明性目的。基于本文中包含的教导，其他实施例对相关领域的技术人员将是很清楚的。
具体实施方式
现在参考附图描述各种实施例，其中贯穿全文，相似的附图标记用于指代相似的元素。在下面的描述中，出于解释的目的，阐述了很多具体细节，以促进对一个或多个实施例的透彻理解。然而，在一些或所有情况下可能很清楚的是，可以在不采用以下描述的具体设计细节的情况下实践以下描述的任何实施例。在其他情况下，公知的结构和设备以框图形式示出，以便于描述一个或多个实施例。
然而，在更详细地描述这样的实施例之前，示例性地提出可以在其中实现本发明的实施例的示例环境。在下面的说明书中以及在权利要求书中，可以使用术语“上”、“下”、“顶部”、“底部”、“垂直”、“水平”等术语。除非另外指出，否则这些术语旨在仅示出相对取向，而不是相对于重力的任何取向。
首先参考图1，示出了根据本发明的实施例的一个方面的示例性EUV辐射源(例如，激光产生等离子体EUV辐射源10)的示意图。如图所示，EUV辐射源10可以包括脉冲或连续激光源22，脉冲或连续激光源22可以例如是产生10.6μm或1μm的辐射束12的脉冲气体放电CO2激光源。脉冲气体放电CO2激光源可以具有以高功率和高脉冲重复率运行的DC或RF激励。
EUV辐射源10还包括用于以液滴或连续液体流的形式输送目标材料的目标输送系统24。在该示例中，目标材料是液体，但是也可以是固体或气体。目标材料可以由锡或锡化合物制成，尽管可以使用其他材料。在所描绘的系统中，目标材料输送系统24将目标材料的液滴14引入真空室26的内部至照射区域28，在该照射区域28，目标材料可以被照射以产生等离子体。真空室26可以设置有衬里。在某些情况下，电荷被放置在目标材料上以允许目标材料朝向或远离照射区域28被转向。应当注意，如本文中使用的，照射区域是其中目标材料照射可以发生或预期会发生的区域，并且甚至在实际上没有发生照射的时间也是照射区域。EUV光源还可以包括光束转向系统32。
在所示的系统中，部件被布置为使得液滴14基本水平地行进。从激光源22到照射区域28的方向(即，光束12的名义传播方向)可以作为Z轴。液滴14从目标材料输送系统24到照射区域28的路径可以作为X轴。图1的视图因此垂直于XZ平面。如图所示，优选地，EUV辐射源10的取向相对于重力被旋转，其中箭头G示出了相对于重力向下的优选取向。该取向应用于EUV源，但不必应用于诸如扫描仪等光学上的下游部件。而且，虽然示出了其中的液滴14基本水平地行进的系统，但是本领域普通技术人员将理解，可以使用其他布置，其中液滴垂直地或相对于重力以在90度(水平)到0度(垂直)之间(包括性的)的某个角度行进。
EUV辐射源10还可以包括EUV光源控制器系统60、激光发射控制系统65以及光束转向系统32。EUV辐射源10还可以包括检测器，诸如目标位置检测系统，其可以包括一个或多个液滴成像器70，该液滴成像器70生成指示目标液滴的绝对位置或相对位置(例如，相对于照射区域28)的输出，并且将该输出提供给目标位置检测反馈系统62。
如图1所示，目标材料输送系统24可以包括目标输送控制系统90。目标输送控制系统90可以响应于信号(例如，上述目标误差或从由系统控制器60提供的目标误差中导出的某个量)而操作以调节目标液滴14通过照射区域28的路径。这可以例如通过重新定位目标输送机构92释放目标液滴14的位置来实现。例如，通过倾斜目标输送机构92或通过横向平移目标输送机构92重新定位液滴释放位置。目标输送机构92延伸到腔室26中，并且优选地从外部被供应目标材料和气体源以在压力下将目标材料放置在目标输送机构92中。
继续图1，辐射源10还可以包括一个或多个光学元件。在下面的讨论中，将收集器30用作这种光学元件的示例，但是该讨论也适用于其他光学元件。收集器30可以是例如垂直入射反射器，其被实现为在每个界面处沉积有诸如B4C、ZrC、Si3N4或C的附加薄阻挡层以有效地阻止热引起的层间扩散的MLM。也可以使用其他衬底材料，诸如铝(Al)或硅(Si)。收集器30可以是长椭球的形式，该长椭球具有中心孔以允许激光辐射12穿过并且到达照射区域28。收集器30可以是例如椭圆形状，该椭圆的第一焦点在照射区域28处并且第二焦点在所谓的中间点40(也称为中间焦点40)处，其中EUV辐射可以从EUV辐射源10输出并且输入到例如集成电路光刻扫描仪50中，集成电路光刻扫描仪50例如使用辐射以使用掩模版或掩模54以已知方式处理硅晶片工件52。然后，硅晶片工件52以已知方式被附加地处理以获取集成电路器件。
图1的布置还包括温度传感器34，例如位于腔室26内的用于测量腔室26内的气体的局部温度(即，传感器处的温度)的热电偶。图1示出了一个温度传感器，但是显然可以使用附加的温度传感器。温度传感器34生成指示所测量的温度的信号，并且将其作为附加输入提供给控制器60。控制器60使其提供给光束转向系统32的控制信号至少部分基于该温度信号。
在收集器正上方的容器壁上的目标材料碎片累积会产生目标材料滴落到收集器上的风险。图2中的实心双箭头示出了碎片传播方向。轮廓箭头示出了用于引起H2从收集器30流走的优选布置。元件42是用于从H2上去除污染物的洗涤器。箭头G指示重力方向。还示出了线13，线13标记了源10与扫描仪50之间的分隔。
图3示出了具有不对称排气并且喉部面积很大的腔室设计。图3的设计具有两个排气口60。在这种设计中，大量的锡可以沉积在排气歧管的壁上与该大喉部相对的位置70处。如果该表面的温度保持在锡熔点以上，则熔融的锡可能会被喷吐到收集器上。
在根据本发明的一个实施例的一个方面的系统中，在液态锡不能或不太可能喷吐到腔室内部或收集器上的位置，锡被熔融或保持为液态。可以保持高的流导率并且废气被净化。根据另一方面，锡可以在源工作时原位排出。
这种系统的示例在图4A中示出。来自照射区域28的锡碎片被两个加热的洗涤器80捕获。这些洗涤器80位于相应的热区中，这些热区被完全屏蔽以防止喷吐回到腔室26的内表面84中，包括喷吐到至少部分覆盖排气室壁86的衬里84上。衬里84的与洗涤器80相邻的部分88可以被加热到熔融以上以“滴出”过量的固体锡。这些表面再次被屏蔽以防止喷吐到收集器上。
同样，如图4A所示，该布置包括环形带90，该环形带90覆盖排气室的后壁或外壁94的一部分。该带90在其间夹有冷的(例如，水冷的)板92，与该板92接触或接近接触以使表面保持在锡的熔融温度以下。因此，撞击在该区域上的任何固体锡颗粒将保持固体，而撞击在该区域上的任何锡蒸气将变为固体。
带90可以连续地、间歇地移动，周期性地向前安装有棘齿等，以将固体锡带到热洗涤器80。在环形带90与热洗涤器80相遇的地方，可以有加热的刮刀以熔融锡并且将带90刮擦干净，由此允许带90返回到沉积区域以准备好收集更多的锡。这种布置确保了锡不能喷吐到收集器或衬里上。带90优选地放置在可以预期锡沉积量最大的区域中，诸如喉部区域中。
这种系统的另一示例在图4B中示出。同样，来自照射区域28的锡碎片被位于相应热区中的两个加热的洗涤器80捕获，这些热区被完全屏蔽以防止喷吐回到衬里86的内表面84和收集器中。同样，如图4B所示，该布置包括位于喉部出口处的排气室(plenum)的壁上的楔形的分流器96。分流器96迫使来自碎片照射区域28(空心箭头)的碎片流入排气歧管的与照射区域28屏蔽的部分(弯曲箭头)。任何夹带的/沉积的熔融锡的喷吐方向将倾向于朝向洗涤器80，而不是回到真空容器的内部。通过其形状，分流器94引导废气流和夹带的碎片改变方向在喉部出口处离开后壁，并且更直接地引导到洗涤器中。分流器96通常被冷却到目标材料的熔点以下，但是可以被加热到锡的熔融温度以上，以使分流器96上的累积的固态锡流走并且向下流向锡排出口。锡大部分垂直于分流器96的面向离开腔室26的内部的表面喷吐，这极大地限制了可能会到达工具中的光学元件的喷吐的量。
在大喉部的开口处的衬里的屋顶部分必须格外小心。这些屋顶和地板区域通常会倾斜和凹陷，以尽可能多地保护收集器/衬里。
其他高沉积区域可以被水冷的遮挡件覆盖，水冷的遮挡件被铰接以允许它们旋转到开口的后面以滴落。在图5A和5B中示出了这种布置。图5A示出了具有遮挡件110的喉部区域。遮挡件110通过铰链112连接到喉部的壁，因此遮挡件110可以在开口后面枢转到其可以被加热并且锡被允许滴落的位置(以虚线示出)。图5B是图5A的布置的俯视图，示出了遮挡件110围绕铰链112的旋转。这些遮挡件110可以被定位以使对电导的任何不利影响最小化并且使得任何喷吐的液态锡没有通向收集器或衬里的不受阻碍的路径。
以上实施例的变体仍然可以实现本公开的精神。根据所公开的实施例的一个方面，将固态锡温度表面呈现给可能喷吐到衬里和收集器中的区域。然后可以通过几种方法中的任何一种去除锡，包括表面的温度循环，即暂时将表面的温度升高到锡的熔点以上。替代地或另外地，可以将表面移动到用于滴落的屏蔽位置，或者在滴落期间覆盖表面。根据另一方面，从气流中回收(洗涤)液态锡，并且将其输送到合适的隔离位置(例如，没有通往收集器或衬里的畅通路径)以排出。洗涤器上游的壁可以保持在锡可以从其滴落的温度。根据另一方面，对于沉积非常高的区域，可以使用温度循环、将衬里部件移动到安全位置以进行滴落、生成离子以进行清洁和保持清洁或者在滴落期间使用部分覆盖。
图6示出了一个实施例，其中喉部100已经移动到腔室的可能的最高位置以限制在打开和关闭等离子体(即，在生成或不生成等离子体时)之间的碎片过调量。这提高了碎片排出的效率并且限制了沉积在内壁表面上的碎片的量。在该实施例中，可以使用图4A的实施例的环形带90，或者可以在喉部100的出口处放置加热板。排气歧管可以制成圆形(管形)，并且因此具有圆形洗涤器110，而不是矩形洗涤器。排锡器115收集熔融的锡，并且然后将其传递到锡桶或锡接收器117。冷冻阀119允许锡接收器117通过导管121排出，而不会中断源的运行。排锡器可以放置在源的两侧。
以上描述包括一个或多个实施例的示例。当然，为了描述前述实施例的目的，不可能描述部件或方法的每种可能的组合，但是本领域的普通技术人员可以认识到，各种实施例的很多其他组合和排列是可能的。因此，所描述的实施例旨在涵盖落入所附权利要求的精神和范围内的所有这样的改变、修改和变化。此外，就在具体实施方式或权利要求中使用术语“包括(includes)”的程度而言，该术语旨在以与术语“包括(comprising)”相似的方式是包括性的，因为当在权利要求中用作过渡术语时，被解释为“包括(comprising)”。此外，尽管可以以单数形式描述或要求保护所描述的方面和/或实施例的元素，但是可以想到复数形式，除非明确说明了对单数形式的限制。另外，除非另有说明，否则任何方面和/或实施例的全部或一部分可以与任何其他方面和/或实施例的全部或一部分一起使用。
在以下编号的条款中阐述了本发明的其他方面。
1.一种用于生成EUV辐射的装置，所述装置包括：
容器；
残余目标材料收集表面，具有第一位置和第二位置，在所述第一位置处，所述残余目标材料收集表面被布置为收集来自照射区域的残余目标材料，所述第二位置与所述容器的壁的至少一部分的内部之间被遮挡，在所述第二位置处，所述残余目标材料收集表面被布置为释放在所述第一位置处收集的残余目标材料；以及
温度控制器，被布置为在所述第一位置将所述残余目标材料收集表面维持在所述目标材料的熔融温度以下并且在所述第二位置维持在所述目标材料的熔融温度以上。
2.根据条款1所述的装置，其中所述残余目标材料收集表面包括带的表面。
3.根据条款2所述的装置，其中所述带在所述第一位置被冷却并且在所述第二位置被加热。
4.根据条款2所述的装置，还包括：至少一个洗涤器，所述至少一个洗涤器定位在第二位置邻近所述带，并且被布置为从所述带上去除残余目标材料。
5.根据条款4所述的装置，其中所述至少一个洗涤器被定位为使得从所述带上去除的残余目标材料通过重力流至接收器。
6.根据条款1所述的装置，还包括：与腔室流体连通的腔室排气歧管。
7.根据条款6所述的装置，其中所述腔室排气歧管具有衬里，并且其中所述衬里的至少一部分被加热。
8.根据条款1所述的装置，其中所述残余目标材料收集表面包括遮挡件。
9.根据条款8所述的装置，其中所述遮挡件在所述第一位置被冷却并且在所述第二位置被加热。
10.根据条款8所述的装置，其中所述遮挡件被布置为从所述第一位置向所述第二位置枢转。
11.根据条款8所述的装置，其中所述遮挡件被布置为从所述第一位置横向所述第二位置横向移动。
12.根据条款8所述的装置，其中所述第二位置被选择为使得熔融的残余目标材料通过重力从所述遮挡件流至接收器。
13.根据条款8所述的装置，还包括：与腔室流体连通的腔室排气歧管。
14.根据条款13所述的装置，其中所述腔室排气歧管具有衬里，并且其中所述衬里的至少一部分被加热。
15.一种控制用于生成EUV辐射的装置中的残余目标材料的方法，所述方法包括步骤：
在第一位置在表面上累积残余目标材料，所述表面的温度低于所述目标材料的熔融温度；
将所述表面移动到第二位置，在所述第二位置处，所述表面的温度高于所述残余目标材料的熔融温度以熔融所述残余目标材料；以及
从所述表面上去除所熔融的残余目标材料。
16.根据条款15所述的方法，其中从所述表面上去除所熔融的残余目标材料的步骤包括：从所述表面刮擦所熔融的残余目标材料。
17.根据条款15所述的方法，其中从所述表面上去除所熔融的残余目标材料的步骤包括：引起所熔融的残余目标材料从所述表面流动。
18.根据条款15所述的方法，还包括：在所述去除步骤之后的引起所去除的熔融的残余目标材料流至接收器的步骤。
Claims (18)
1.一种用于生成EUV辐射的装置，所述装置包括：
容器；
残余目标材料收集表面，具有第一位置和第二位置，在所述第一位置处，所述残余目标材料收集表面被布置为收集来自照射区域的残余目标材料，所述第二位置与所述容器的壁的至少一部分的内部之间被遮挡，在所述第二位置处，所述残余目标材料收集表面被布置为释放在所述第一位置处收集的残余目标材料；和
温度控制器，被布置为在所述第一位置将所述残余目标材料收集表面维持在所述目标材料的熔融温度以下，并且被布置为在所述第二位置将所述残余目标材料收集表面维持在所述目标材料的熔融温度以上。
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述残余目标材料收集表面包括带的表面。
3.根据权利要求2所述的装置，其中所述带在所述第一位置被冷却，并且在所述第二位置被加热。
4.根据权利要求2所述的装置，还包括：至少一个洗涤器，所述至少一个洗涤器被定位在第二位置邻近所述带，并且被布置为从所述带上去除残余目标材料。
5.根据权利要求4所述的装置，其中所述至少一个洗涤器被定位为使得从所述带上去除的残余目标材料通过重力流至接收器。
6.根据权利要求1所述的装置，还包括：与腔室流体连通的腔室排气歧管。
7.根据权利要求6所述的装置，其中所述腔室排气歧管具有衬里，并且其中所述衬里的至少一部分被加热。
8.根据权利要求1所述的装置，其中所述残余目标材料收集表面包括遮挡件。
9.根据权利要求8所述的装置，其中所述遮挡件在所述第一位置被冷却并且在所述第二位置被加热。
10.根据权利要求8所述的装置，其中所述遮挡件被布置为从所述第一位置枢转至所述第二位置。
11.根据权利要求8所述的装置，其中所述遮挡件被布置为从所述第一位置向所述第二位置横向移动。
12.根据权利要求8所述的装置，其中所述第二位置被选择为使得熔融的残余目标材料通过重力从所述遮挡件流至接收器。
13.根据权利要求8所述的装置，还包括：与腔室流体连通的腔室排气歧管。
14.根据权利要求13所述的装置，其中所述腔室排气歧管具有衬里，并且其中所述衬里的至少一部分被加热。
15.一种控制用于生成EUV辐射的装置中的残余目标材料的方法，所述方法包括步骤：
在第一位置在表面上累积残余目标材料，所述表面的温度低于所述目标材料的熔融温度；
将所述表面移动到第二位置，在所述第二位置处，所述表面的温度高于所述残余目标材料的熔融温度以熔融所述残余目标材料；以及
从所述表面上去除所熔融的残余目标材料。
16.根据权利要求15所述的方法，其中从所述表面上去除所熔融的残余目标材料的步骤包括：从所述表面刮擦所熔融的残余目标材料。
17.根据权利要求15所述的方法，其中从所述表面上去除所熔融的残余目标材料的步骤包括：引起所熔融的残余目标材料从所述表面流出。
18.根据权利要求15所述的方法，还包括：在所述去除步骤之后的引起所去除的熔融的残余目标材料流至接收器的步骤。
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