CN101715568A - 污染防止系统、光刻设备、辐射源以及制造器件的方法 - Google Patents

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Abstract

一种污染防止系统，其构造并布置用以防止材料与辐射一起传播进入光刻设备。污染防止系统包括可旋转的承载件(carrier)，其设置有多个基本上沿径向向外延伸的叶片。叶片构造并布置成吸收或偏转所述材料。所述系统还包括固定的轴，和构造并布置成围绕所述轴旋转所述可旋转的承载件和所述叶片的轴承。可旋转的承载件设置有用于至少部分地容纳所述轴的部分的空间。

Description

污染防止系统、光刻设备、辐射源以及制造器件的方法
技术领域
本发明涉及一种污染防止系统、光刻投影设备、辐射源以及制造器件的方法。
背景技术
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。
本文中采用的术语“图案形成装置”可以广义地解释为可以用于将与将要在衬底的目标部分上形成的图案相对应的图案化的横截面赋予入射的辐射束的装置。术语“光阀”也可以用在本文中。通常，所述图案将与形成在目标部分中的器件(例如集成电路或其他器件)内的特定功能层对应。这种图案形成装置的示例是掩模。掩模的概念在光刻技术中是公知的，并且其包括例如二元型的、交替相移型的、衰减相移型的以及混合型的掩模型的掩模。在辐射束中布置这种掩模引起入射到掩模上的辐射根据掩模的图案进行选择性的透射(在透射型掩模的情况下)或反射(在反射型掩模的情况下)。在掩模的情形中，支撑结构通常将是掩模台，其确保掩模能够被保持在入射的辐射束中的所需位置处，并且如果需要，掩模可以被移动到所述束。
图案形成装置的另一示例是可编程反射镜阵列。这种阵列的一个示例是具有粘弹性(viscoelastic)控制层和反射表面的矩阵可寻址表面。这种装置所依据的基本原理在于例如反射表面的寻址区域将入射光反射成衍射光，而非寻址区域将入射光反射成非衍射光。使用适当的滤光片，从反射束中过滤掉所述非衍射光，仅留下衍射光。以这种方式，辐射束根据所述矩阵可寻址反射镜的所述寻址图案被图案化。所述的矩阵寻址可以使用合适的电子装置来执行。在以上所述的两种情形中，图案形成装置可以包括一个或更多个可编程反射镜阵列。在可编程反射镜阵列中，所述支撑结构可以嵌入作为框架或台，所述框架或台根据需要可以是固定的或可移动的。
光刻投影设备可以用于例如集成电路(ICs)的制造中。在这种情况下，图案形成装置可以产生与IC的单层对应的电路图案，并且所述图案可以被成像到已经涂覆了一层辐射敏感材料(抗蚀剂)的衬底(硅晶片)上的目标部分(例如包括一个或更多个管芯)上。通常，单个晶片将包括相邻目标部分的整个网络，所述相邻目标部分通过投影系统被一次一个地连续辐射。
在已知的制造工艺中使用光刻投影设备，图案(例如掩模)被成像到至少部分地由一层辐射敏感材料(抗蚀剂)覆盖的衬底上。在该成像步骤之前，衬底可以经过多种工序，例如涂底料、抗蚀剂涂覆和软烘烤。在曝光之后，衬底可以经过其它工序，例如曝光后烘烤(PEB)、显影、硬烘烤和成像特征的测量/检验。这一系列的工序被用作对器件(例如IC)的单层进行图案化的基础。然后，这样的图案化层可以经过多种处理，例如蚀刻、离子注入(掺杂)、金属化、氧化、化学-机械抛光等，所有这些处理用于完成对一个单层的处理。如果需要几个层，则对于每个新的层必须重复整个工序或其变体。重要的是确保多个堆叠的层的重叠(并置)尽可能精确。基于这个目的，在晶片上的一个或更多个位置上设置小的参考标记，由此在晶片上限定坐标系统的原点。使用光学和电子装置(下文称为“对准系统”)，然后在每次新的层必须并置在已有层上时所述标记可以被重新定位，并且可以用作对准参考物。最后，在衬底(晶片)上将形成器件的阵列。然后，这些器件通过例如划片(dicing)或切割等技术彼此分割开，然后独立的器件可以安装到载体上，连接到插脚上，等等。
为了简化起见，下文中投影系统可被称为“透镜”。然而，这个术语应该被广义地解释为包括各种类型的投影系统，包括例如折射式光学系统、反射式光学系统和反射折射式系统。辐射系统还可以包括根据用于引导、成形或控制投影辐射束的这些设计类型中的任意类型来操作的部件，并且这些部件在下文中还可以被统称为或单独地称为“透镜”。
而且，光刻设备可以是具有两个或更多个衬底台(和/或两个或更多个掩模台)的类型。在这种“多台”的装置中，附加的台可以并行地使用，或者可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时使用一个或更多个其它的台进行曝光。这种技术被称为双台光刻技术并且在现有技术中是已知的。
在光刻设备中，可以成像到衬底上的特征的尺寸受到投影辐射的波长的限制。为了形成具有更高器件密度、以及因此具有更快运行速度的集成电路，期望能够成像更小的特征。虽然当前大多数光刻投影设备采用由汞灯或受激准分子激光器产生的紫外光，但是已经有人提出使用5-20nm范围内的更短波长辐射，尤其是13nm附近的波长。这种辐射被称为极紫外(EUV)或软X射线，并且合适的源包括例如激光产生的等离子源、放电等离子体源或来自电子储存环的同步加速器辐射。
例如，在放电等离子体源中，在电极之间产生放电，并且最后可以导致最终的部分电离的等离子体的破坏，以产生极高温的等离子体，极高温的等离子体发射在EUV范围的辐射。锡(Sn)、锂(Li)以及氙(Xe)等离子体可以用于在13.5nm周围的极紫外(EUV)范围内的辐射。
除了EUV辐射，用于EUV辐射系统中的辐射源产生会损坏光学元件和实施光刻工艺的工作环境的污染物材料。这种辐射系统通常包括可以应用电压差的一对电极。此外，例如通过激光束照射电极中的一个产生等离子体。因此，将在电极之间发生放电，这导致所谓箍缩，在箍缩中产生EUV辐射。除了该辐射外，放电源通常产生碎片颗粒，这些碎片颗粒可以是尺寸从原子量级到复杂颗粒范围的所有类型的微粒，它们可以是带电的和不带电的。
期望保护布置用以调节由EUV辐射源发射的辐射束的光学系统不会受到碎片的损害。光学系统的保护可以利用污染防止系统来实现，以防止从源发射的材料(碎片)与所述EUV辐射一起传播进入光刻设备中。
EUV辐射源的另一产物是热量，这会引起污染防止系统被加热。如果污染防止系统的尺寸被加大以在更大的源收集角上收集辐射，则污染防止系统会升温，并且会引起污染防止系统的故障。高的热负载和高的旋转速度会引起污染防止系统对平衡敏感以及污染防止系统中的振动，由此增大破碎的机会。不平衡会由吸收在叶片上的材料的不均匀展开引起。
发明内容
本发明的实施例的一个方面提供一种污染防止系统，其中即使在污染防止系统上经受较高的热负载的情况下，也能够成功地实现碎片减少。
根据本发明的一方面，提供一种污染防止系统，其构造并布置成防止材料与辐射一起传播进入光刻设备。所述污染防止系统包括设置有多个基本上沿径向向外延伸的叶片的可旋转的承载件(carrier)。叶片构造并布置成吸收或偏转所述材料。所述系统还包括固定的轴以及轴承，所述轴承构造并布置成围绕所述轴旋转所述可旋转的承载件和所述叶片。所述可旋转的承载件设置有用于至少部分地容纳所述轴的一部分的空间。
根据本发明的一方面，提供一种辐射源模块，其包括：辐射源，所述辐射源构造并布置成产生辐射；和污染防止系统，其构造并布置成防止材料与辐射一起传播进入光刻设备。所述污染防止系统包括可旋转的承载件，所述承载件设置有多个大体上沿径向向外延伸的叶片。所述叶片构造并布置成吸收或偏转所述材料。污染防止系统还包括固定的轴和轴承，所述轴承构造并布置成围绕所述轴旋转所述可旋转的承载件和所述叶片。所述可旋转的承载件设置有用于至少部分地接收所述轴的一部分的空间。
根据本发明的一方面，提供一种光刻设备，其包括：辐射源，所述辐射源构造并布置用以产生辐射；和污染防止系统，其构造并布置用以防止材料与所述辐射一起传播。所述污染防止系统包括可旋转的承载件，所述承载件设置有多个大体上沿径向向外延伸的叶片。所述叶片构造并布置用以吸收或偏转所述材料。所述污染防止系统还包括固定的轴和轴承，所述轴承构造并布置用以围绕所述轴旋转所述可旋转的承载件和所述叶片。所述可旋转的承载件设置有用于至少部分地接收所述轴的一部分的空间。所述光刻设备还包括构造并布置用以调节所述辐射的照射系统，构造并布置用以图案化所述辐射的图案形成装置，以及构造并布置用以将图案化的辐射束投影到衬底上的投影系统。
根据本发明的一方面，提供一种通过光刻工艺制造集成结构的方法。所述方法包括：提供配置用以通过辐射源发射的辐射形成辐射束的辐射系统，图案化所述辐射束，将所述图案化的辐射束投影到至少部分地覆盖有辐射敏感材料的衬底的目标部分上，以及通过用污染防止系统截取或偏转所述材料防止材料与所述辐射束一起传播。所述污染防止系统包括可旋转的承载件，所述承载件设置有多个大体上沿径向向外延伸的叶片。所述承载件至少部分地接收固定轴的一部分。所述污染防止系统还包括轴承，所述轴承配置用以围绕在所述可旋转的承载件内的空间中的所述轴旋转所述承载件。
附图说明
下面仅通过示例的方式，参考附图对本发明的实施例进行描述，其中示意性附图中相应的附图标记表示相应的部件，在附图中：
图1示意地示出根据本发明实施例的光刻设备；
图2示意地示出图1中的光刻设备的污染防止系统；
图3示意地示出包括承载件和叶片的组件；和
图4示意地示出光刻设备的实施例。
具体实施方式
图1示意地示出了根据本发明的一个实施例的光刻设备。所述光刻设备包括：照射系统(照射器)IL，其配置用于调节辐射束B(例如，紫外(UV)辐射或极紫外(EUV)辐射)；支撑结构(例如掩模台)MT，其构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；衬底台(例如晶片台)WT，其构造成用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底W的第二定位装置PW相连；和投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，其配置成用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。
照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。
所述支撑结构支撑，即承载图案形成装置的重量。支撑结构以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置。所述支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术来保持图案形成装置。所述支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。在这里任何使用的术语“掩模版”或“掩模”都可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。
这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上的所需图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。
图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。
这里使用的术语“投影系统”应该广义地解释为包括任意类型的投影系统，投影系统的类型可以包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。
如这里所示的，所述设备是反射型的(例如，采用反射式掩模)。替代地，所述设备可以是透射型的(例如，采用透射式掩模)。
所述光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的掩模台)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。
参照图1，所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源和所述光刻设备可以是分立的实体(例如当该源为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源考虑成形成光刻设备的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统的帮助，将所述辐射束从所述源SO传到所述照射器IL。在其它情况下，所述源可以是所述光刻设备的组成部分(例如当所述源是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时设置的所述束传递系统一起称作辐射系统。
所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器。通常，可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如积分器和聚光器。可以将所述照射器用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。
所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台MT)上的所述图案形成装置(例如，掩模MA)上，并且通过所述图案形成装置来形成图案。已经穿过掩模MA之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述投影系统将辐射束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF2(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器IF1用于将掩模MA相对于所述辐射束B的路径精确地定位。通常，可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现掩模台MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，所述掩模台MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准掩模MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是他们可以位于目标部分之间的空间(这些公知为划线对齐标记)上。类似地，在将多于一个的管芯设置在掩模MA上的情况下，所述掩模对准标记可以位于所述管芯之间。
可以将所述设备用于以下模式的至少一种：
1.在步进模式中，在将掩模台MT和衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。
2.在扫描模式中，在对掩模台MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于掩模台MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的动态曝光中的所述目标部分C的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描移动的长度确定了所述目标部分C的高度(沿所述扫描方向)。
3.在另一个模式中，将用于保持可编程图案形成装置的掩模台MT保持为基本静止状态，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻中。
也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。
图2示意地示出根据本发明实施例的一种污染防止系统。污染防止系统20配置成放置在所述源SO和如图1所示的光刻设备的照射系统IL之间。所述污染防止系统在真空环境内运行并且布置用以吸收或偏转由所述源发射的材料，以防止所述材料与所述辐射一起沿轴线27传播并且进入照射系统。
污染防止系统包括可旋转的承载件，承载件包括可旋转的壳体25，壳体布置有一系列的叶片22，叶片相对于壳体基本上沿径向向外的方向延伸。壳体25布置用以接收固定轴24的一部分，轴24布置有合适的轴承21a、21b和驱动器(例如涡轮机)23，驱动器用于轴承并引起壳体25关于轴24旋转。轴承21a、21b和驱动器23可以是整体单元的一部分，或可以是分离的。通过将至少一部分固定轴和轴承设置在提供给可旋转的承载件的空间中，轴承可以靠近可旋转的壳体和叶片的质心设置。不平衡和振动的影响可以通过将轴承靠近所述质心而进行最小化，由此提供稳定的污染防止系统。
在实施例中，壳体25是锥形。这可以使得壳体25以这种方式调整其轴线：使得即使在轴(axle)和管(hose)经历不同温度并由此带来不同的膨胀的情况下，也可以实现最优的空气间隙。轴承21a、21b可以是流体轴承。驱动器和轴承的合适的示例包括空气轴承和驱动器，其可以使用例如气体和液体等流体进行运行。固定轴24可以设置有合适的喷嘴23a，所述喷嘴用于朝向壳体25的内表面25a喷射流体(气体或液体)流，用于驱动和承载用途。喷嘴23a可以是流体轴承21a、21b的一部分或可以是与流体轴承是分离的。流体轴承可以用于污染防止系统的温度控制。
在启动过程中，流体可以用于加热污染防止系统，而在与源一起正常使用过程中加热污染防止系统，所述流体可以用于冷却污染防止系统。流体的示例可以是水，而气体可以是蒸汽，或者可以使用两者的结合。在启动过程中，所述蒸汽可以用于将污染防止系统加热到232摄氏度，这可以有助于减少锡污染物，因为锡污染物在这个温度下将是液相，并且通过旋转叶片，在启动期间锡将从叶片滑落下来。在轴承21a、21b布置用以供给气体流的情形中，污染防止系统20包括合适的密封，用于将气体基本上密封在轴的附近。所述密封可以布置有气体槽，用于控制泄露到污染防止系统的真空气氛中的气体的化学成分。此外，所述污染防止系统20还包括用于逐步地减小朝向区域28a处的中间真空的区域28b处的气压的泵。
驱动器可以包括电驱动器，用于引起壳体25围绕轴24旋转。接地电极26配置用于将在固定轴24处的叶片和可旋转的承载件接地，所述接地电极可以设置成使得可旋转的承载件和叶片可以接收来自所述源的电子，所述电子可以给所述可旋转的承载件和叶片充电。污染防止系统20可以包括至少一个磁体29，磁体29布置用于固定壳体25在轴24上的位置。磁体29在轴24上的位置是可调节的，以实现加载在壳体25上的磁负载的适当的动态控制。固定轴24可以设置有用于在使用过程中冷却可旋转的壳体25的合适的流体冷却装置。已知的具有循环液体或气体的冷却布置可以适于这种用途。在一实施例中，污染防止系统可以包括气流产生装置，其布置用于防止来自接地组件的颗粒到达驱动器。气流产生装置可以位于固定轴上。
污染防止系统20可以设置有制动系统或制动装置，用于实现可旋转的壳体25的紧急制动。例如，所述制动装置可以布置用以使所述壳体25的旋转反向。这可以通过合适地调节驱动器来实现，使得反向力可以施加到所述壳体25。所述制动系统可以布置成引起壳体的材料中的涡(电)流(eddy current)，由此诱发壳体25中的制动力，用于减小壳体的旋转速度。制动系统可以包括机械制动，其通过将固定轴的一部分与壳体接触来操作。
图3示意地示出包括承载件和叶片的组件。在这个图中，示出了在承载件30a的容积中用于固定叶片的不同结构。在一实施例中，从承载件30a沿径向延伸的叶片31可以具有弯曲部分32，弯曲部分被引导在承载件30a的容积中，如结构A所示。弯曲部分32可以通过焊接连接到承载件30a的材料。在一实施例中，叶片33具有不同成形的端部分34，其具有蛇形尾部，如结构B所示。这种几何形状可以适于将叶片33固定在承载件30a的容积中。在一实施例中，叶片35具有加厚的端部分36，其具有相对于叶片35的平面以一角度延伸的边缘，如结构C所示。通过设置这种加厚的尾部分，叶片35可以牢固地连接到承载件30a。在一实施例中，叶片37具有球形或盘形端部分38，其被引导进入承载件30a的容积中，如结构D所示。这可以实现叶片37在承载件30a的容积中的牢固连接。
图4示意地示出光刻设备的实施例。光刻设备40包括具有辐射源42的辐射源模块41和污染防止系统，如参照图2所述的那样。辐射源42布置成沿轴线43发射辐射。从源42发射并沿轴线43传播的材料通过旋转的叶片47被截取。污染防止系统包括安装在可旋转的壳体45上的一组叶片47，其通过合适的驱动器46a、46b驱动，用于引起其围绕固定轴44旋转。叶片47相对于壳体45沿径向布置并且在叶片之间具有通道(channel)，辐射穿过通道可以无衰减地朝向光刻设备40的其他模块传播。源42和污染防止系统在源模块41中的真空中运行。根据一实施例，设置传感器49用于确定壳体45的旋转速度。传感器可以包括振动传感器，类似麦克风或压力探测器，用于分析在使用过程中从叶片47上发射的振动波。传感器49可以布置成与布置用以控制驱动器46a、46b的控制单元49a电连通，用于调节壳体45的转动速度。在这种方式中，可以提供用于控制污染防止系统的运行的反馈。然后，从污染防止系统传播的辐射束可以应用于光刻设备的其他模块50，例如照射器模块51、投影模块53以及晶片模块55。上面参照图1大体上介绍了这些模块。
虽然在本文中详述了光刻设备用在制造ICs(集成电路)，但是应该理解到这里所述的光刻设备可以有其他的应用，例如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCDs)、薄膜磁头等。本领域技术人员应该认识到，在这种替代应用的情况中，可以将这里使用的任何术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将所述公开内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。
这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括：紫外(UV)辐射(例如具有约365、355、248、193、157或126nm的波长)和极紫外(EUV)辐射(例如具有大约5-20nm范围的波长)，以及粒子束，例如粒子束或电子束。
在允许的情况下术语“透镜”可以指的是不同类型的光学部件的任何一个或组合，包括折射式的、反射式的、磁性的、电磁的和静电光学部件。
以上描述旨在进行解释，而不是限制性的。因而，本领域普通技术人员可以理解，在不脱离下述权利要求的保护范围的前提下可以对所描述的发明进行变更。

Claims (28)

1.一种污染防止系统，其构造并布置用以防止材料与辐射一起传播进入光刻设备，所述污染防止系统包括：
可旋转的承载件，其设置有多个基本上沿径向向外延伸的叶片，所述叶片构造并布置成吸收或偏转所述材料；
固定轴；和
轴承，所述轴承构造并布置成围绕所述轴旋转所述可旋转的承载件和所述叶片，所述可旋转的承载件设置有用于至少部分地容纳所述轴的一部分的空间。
2.如权利要求1所述的污染防止系统，其中，所述轴承是流体轴承，并且所述空间通过在所述可旋转的承载件中的壳体限定。
3.如权利要求2所述的污染防止系统，其中，所述污染防止系统设置有驱动器，所述驱动器包括喷嘴，所述喷嘴构造并布置用以朝向所述壳体的内表面喷射流体并引起所述可旋转的承载件的旋转。
4.如权利要求3所述的污染防止系统，其中，所述流体是液体。
5.如权利要求3所述的污染防止系统，其中，所述流体是气体，并且所述驱动器包括用于提供朝向所述壳体的所述内表面的气体流的风扇。
6.如权利要求2所述的污染防止系统，其中，所述轴包括磁体，所述磁体构造并布置用以将所述壳体固定在所述轴上。
7.如权利要求1所述的污染防止系统，其中，所述轴包括冷却单元，所述冷却单元构造并布置用以冷却所述可旋转的承载件。
8.如权利要求3所述的污染防止系统，其中，所述污染防止系统构造并布置成在真空中运行，并且其中所述流体是气体，所述污染防止系统还包括用于将所述驱动器与所述真空密封隔开的不同密封件。
9.如权利要求8所述的污染防止系统，其中，所述不同密封件包括用于控制泄露进入所述真空的气体的化学成分的气体槽。
10.如权利要求1所述的污染防止系统，还包括构造并布置用以将所述可旋转的承载件和所述叶片接地的组件。
11.如权利要求4所述的污染防止系统，其中，所述液体是水。
12.如权利要求3所述的污染防止系统，其中，所述流体是蒸汽。
13.如权利要求4所述的污染防止系统，还包括压力控制器，所述压力控制器配置用以控制所述液体的压力。
14.如权利要求1所述的污染防止系统，还包括制动装置。
15.如权利要求14所述的污染防止系统，其中，所述制动装置布置用以使所述承载件的旋转方向反向。
16.如权利要求15所述的污染防止系统，其中，所述制动装置布置成在所述承载件的材料内诱发涡流，以减小所述承载件的旋转速度。
17.如权利要求15所述的污染防止系统，其中，所述制动装置布置成将所述轴与所述承载件机械接触。
18.如权利要求1所述的污染防止系统，其中，所述壳体基本上是锥形的。
19.如权利要求1所述的污染防止系统，其中，每一个叶片的端部分在所述承载件的容积内是弯曲的，以便将所述叶片固定在所述承载件上。
20.如权利要求1所述的污染防止系统，还包括传感器，所述传感器配置用以确定所述承载件的旋转速度。
21.如权利要求20所述的污染防止系统，其中，所述传感器布置用以分析从所述污染防止系统发出的振动波。
22.一种辐射源模块，包括：
辐射源，所述辐射源构造并布置成产生辐射；和
污染防止系统，其构造并布置成防止材料与辐射一起传播进入光刻设备，所述污染防止系统包括：
可旋转的承载件，所述承载件设置有多个大体上沿径向向外延伸的叶片，所述叶片构造并布置成吸收或偏转所述材料，
固定轴，和
轴承，所述轴承构造并布置成围绕所述轴旋转所述可旋转的承载件和所述叶片，所述可旋转的承载件设置有用于至少部分地接收所述轴的一部分的空间。
23.如权利要求22所述的辐射源模块，其中，所述辐射具有大约5-20nm的波长。
24.一种光刻设备，包括：
辐射源，其构造并布置用以产生辐射；和
污染防止系统，其构造并布置用以防止材料与所述辐射一起传播，所述污染防止系统包括：
可旋转的承载件，所述承载件设置有多个大体上沿径向向外延伸的叶片，所述叶片构造并布置用以吸收或偏转所述材料，
固定轴，和
轴承，所述轴承构造并布置用以围绕所述轴旋转所述可旋转的承载件和所述叶片，所述可旋转的承载件设置有用于至少部分地接收所述轴的一部分的空间；
照射系统，其构造并布置用以调节所述辐射；
图案形成装置，其构造并布置用以图案化所述辐射；和
投影系统，其构造并布置用以将图案化的辐射束投影到衬底上。
25.如权利要求24所述的光刻设备，其中，所述辐射具有大约5-20nm的波长。
26.一种通过光刻工艺制造集成结构的方法，所述方法包括步骤：
提供配置用以通过辐射源发射的辐射形成辐射束的辐射系统；
图案化所述辐射束；
将所图案化的辐射束投影到至少部分地覆盖有辐射敏感材料的衬底的目标部分上；
通过用污染防止系统截取或偏转材料来防止所述材料与所述辐射束一起传播，所述污染防止系统包括：可旋转的承载件，所述承载件设置有多个大体上沿径向向外延伸的叶片，所述承载件至少部分地接收固定轴的一部分；和轴承，所述轴承配置用以围绕在所述可旋转的承载件内的空间中的所述轴旋转所述承载件。
27.如权利要求26所述的方法，其中，所述轴承布置成喷射流体到所述壳体的内表面上，所述壳体形成给所述可旋转的承载件设置轴承的空间。
28.如权利要求26所述的方法，还包括步骤：通过传感器确定所述承载件的旋转速度，所述传感器构造并布置成分析所述污染防止系统发出的振动波。
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