TWI479272B - 污染防止系統，微影裝置，輻射源及器件之製造方法 - Google Patents

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Description

污染防止系統，微影裝置，輻射源及器件之製造方法
本發明係關於一種污染防止系統、一種微影投影裝置、一種輻射源及一種用於製造器件之方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或主光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。圖案之轉印通常係經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。
如此處所使用之術語"圖案化器件"應被廣泛地解釋為指代可用以對應於待形成於基板之目標部分中之圖案而向入射輻射光束賦予經圖案化橫截面的器件。在此情境中亦可使用術語"光閥"。通常，圖案將對應於目標部分中所形成之器件(諸如，積體電路或其他器件)中的特定功能層。該圖案化器件之一實例為光罩。光罩之概念在微影術中為熟知的，且其包括諸如二元交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。根據光罩之圖案，該光罩在輻射光束中之置放導致碰撞於光罩上之輻射的選擇性透射(在透射光罩之狀況下)或反射(在反射光罩之狀況下)。在 光罩之狀況下，支撐結構通常將為光罩台，其確保光罩可固持於入射輻射光束中之所要位置處，且其可移動至光束(若被如此需要)。
圖案化器件之另一實例為可程式化鏡面陣列。該陣列之一實例為具有黏彈性控制層及反射表面之矩陣可定址表面。該裝置所隱含之基本原理為(例如)：反射表面之經定址區域反射入射光為繞射光，而未經定址區域反射入射光為非繞射光。藉由使用適當濾波器，可將非繞射光濾出反射光束，藉此僅留下繞射光。以此方式，可根據矩陣可定址鏡面之定址圖案來圖案化光束。可使用適當電子器件來執行矩陣定址。在以上所描述之兩種情形中，圖案化器件可包含一或多個可程式化鏡面陣列。在可程式化鏡面陣列之狀況下，可將支撐結構體現為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。
微影投影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該狀況下，圖案化器件可產生對應於IC之個別層的電路圖案，且可將此圖案成像至已塗覆有輻射敏感材料(抗蝕劑)層之基板(矽晶圓)上的目標部分(例如，包含一或多個晶粒)上。一般而言，單一晶圓將含有經由投影系統而一次一個地經順次照射之鄰近目標部分的整個網路。
在使用微影投影裝置之已知製造製程中，將圖案(例如，光罩)成像至由輻射敏感材料(抗蝕劑)層至少部分地覆蓋之基板上。在此成像之前，基板可經歷各種程序，諸如，上底漆、抗蝕劑塗覆及軟烘焙。在曝光之後，基板可 經受其他程序，諸如，後曝光烘焙(PEB)、顯影、硬烘焙，及經成像特徵之量測/檢測。將此程序陣列用作用以圖案化器件(例如，IC)之個別層的基礎。該經圖案化層可接著經歷各種製程，諸如，蝕刻、離子植入(摻雜)、金屬化、氧化、化學機械研磨，等等，其皆意欲完成個別層。若需要若干層，則將必須針對每一新層來重複整個程序或其變型。重要的為確保各種堆疊層之上覆(並置)儘可能地精確。為此目的，在晶圓上之一或多個位置處提供小參考標記，因此在晶圓上界定座標系統之原點。藉由使用光學及電子器件(在下文中被稱作"對準系統")，此標記可接著在每次必須將新層並置於現有層上時經重新定位，且可用作對準參考。最終，器件陣列將存在於基板(晶圓)上。當可將個別器件安裝於載體上、連接至銷等等時，接著藉由諸如分割或鋸切之技術而將此等器件彼此分離。
為了簡單起見，可在下文中將投影系統稱作"透鏡"。然而，此術語應被廣泛地解釋為涵蓋各種類型之投影系統，包括(例如)折射光學器件、反射光學器件及反射折射系統。輻射系統亦可包括用於引導、成形或控制投影輻射光束之根據此等設計類型中之任一者而操作的組件，且以下亦可將該等組件共同地或單獨地稱作"透鏡"。
另外，微影裝置可為具有兩個或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)之類型。在該等"多平台"器件中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。此技術被稱作雙平 台微影術且本身在此項技術中為已知的。
在微影裝置中，可成像於基板上之特徵的尺寸受投影輻射之波長限制。為了產生具有更高密度之器件且因此具有更高操作速度的積體電路，需要能夠成像更小特徵。儘管大多數當前微影投影裝置使用由汞燈或準分子雷射器所產生之紫外光，但已提議使用在5 nm至20 nm之範圍內(特別為約13 nm)的更短波長輻射。該輻射被稱作遠紫外線(EUV)或軟X射線，且適當源包括(例如)產生雷射之電漿源、放電電漿源，或來自電子儲存環之同步加速器輻射。
在(例如)放電電漿源中，放電形成於電極之間，且可隨後導致所得部分離子化電漿崩潰，以產生在EUV範圍內發射輻射之極熱電漿。可使用Sn、Li及Xe電漿來在約13.5 nm之遠UV(EUV)範圍內輻射。
除了EUV輻射以外，用於EUV輻射系統中之輻射源產生可損壞光學器件及進行微影製程所在之工作環境的污染物材料。該輻射系統通常包含可施加有電壓差之一對電極。此外，(例如)藉由目標針對(例如)電極中之一者的雷射光束來產生電漿。因此，放電將發生於電極之間，其導致產生有EUV輻射之所謂的箍縮(pinch)。除了此輻射以外，放電源通常產生碎片粒子，碎片粒子可為尺寸自原子粒子至錯合粒子變化之所有種類的微粒子，其可帶電及不帶電。
需要遮蔽經配置以調節來自EUV輻射源之輻射光束的光學系統以免於此碎片。可藉由用於防止自源發出之材料(碎片)隨EUV輻射而傳播至微影裝置中的污染防止系統來 進行光學系統之遮蔽。
EUV輻射源之另一產物為熱，其可導致污染防止系統變熱。污染防止系統可在污染防止系統之尺寸經擴大以在源之更大收集角內收集輻射的情況下變熱，且可導致污染防止系統之故障發生。高熱負載及高旋轉速度可導致污染防止系統對污染防止系統之不平衡及振動敏感，藉此增加事故之可能性。不平衡可由葉片上所吸收之材料的不均勻擴展引起。
本發明之實施例之一態樣為提供一種污染防止系統，其中甚至在對污染防止系統之更高熱負載的情況下亦成功地達成碎片緩解。
根據本發明之一態樣，提供一種污染防止系統，其經建構及配置以防止材料隨輻射而傳播至微影裝置中。污染防止系統包括具備複數個整體徑向向外延伸葉片之可旋轉載體。葉片經建構及配置以吸收或偏轉材料。系統亦包括靜止機械軸，及經建構及配置以圍繞機械軸而旋轉可旋轉載體及葉片之軸承。可旋轉載體具備用於至少部分地收納機械軸之一部分的空間。
根據本發明之一態樣，提供一種輻射源模組，其包括經建構及配置以產生輻射之輻射源，及經建構及配置以防止材料隨輻射而傳播至微影裝置中之污染防止系統。污染防止系統包括具備複數個整體徑向向外延伸葉片之可旋轉載體。葉片經建構及配置以吸收或偏轉材料。污染防止系統 亦包括靜止機械軸，及經建構及配置以圍繞機械軸而旋轉可旋轉載體及葉片之軸承。可旋轉載體具備用於至少部分地收納機械軸之一部分的空間。
根據本發明之一態樣，提供一種微影裝置，其包括經建構及配置以產生輻射之輻射源，及經建構及配置以防止材料隨輻射而傳播之污染防止系統。污染防止系統包括具備複數個整體徑向向外延伸葉片之可旋轉載體。葉片經建構及配置以吸收或偏轉材料。污染防止系統亦包括靜止機械軸，及經建構及配置以圍繞機械軸而旋轉可旋轉載體及葉片之軸承。可旋轉載體具備用於至少部分地收納機械軸之一部分的空間。微影裝置亦包括經建構及配置以調節輻射之照明系統、經建構及配置以圖案化輻射之圖案化器件，及經建構及配置以將經圖案化輻射光束投影至基板上之投影系統。
根據本發明之一態樣，提供一種藉由微影製程來製造積體結構之方法。方法包括：提供經組態以自由輻射源所發射之輻射形成輻射光束的輻射系統；圖案化輻射光束；將經圖案化投影光束投影至由輻射敏感材料至少部分地覆蓋之基板的目標部分上；及藉由利用污染防止系統而截取或偏轉材料來防止材料隨輻射光束而傳播。污染防止系統包括具備複數個整體徑向向外延伸葉片之可旋轉載體。載體至少部分地收納靜止機械軸之一部分。污染防止系統亦包括經組態以在可旋轉載體內之空間中圍繞機械軸而旋轉載體的軸承。
現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應參考符號指示對應部分。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。裝置包含：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或EUV輻射)；支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA且連接至第一定位器PM，第一定位器PM經組態以根據某些參數來精確地定位圖案化器件；基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，塗覆抗蝕劑之晶圓)W且連接至第二定位器PW，第二定位器PW經組態以根據某些參數來精確地定位基板；及投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、成形或控制輻射之各種類型的光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構支撐(亦即，承載)圖案化器件。支撐結構以視圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否固持於真空環境中)而定的方式來固持圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。支撐結構可確保圖案 化器件(例如)相對於投影系統而處於所要位置。可認為本文對術語"主光罩"或"光罩"之任何使用均與更通用之術語"圖案化器件"同義。
本文所使用之術語"圖案化器件"應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中形成圖案的任何器件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則該圖案可能不會精確地對應於基板之目標部分中的所要圖案。一般而言，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所形成之器件(諸如，積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件可為透射或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影術中為熟知的，且包括諸如二元交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便往不同方向反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於由鏡面矩陣所反射之輻射光束中。
本文所使用之術語"投影系統"應被廣泛地解釋為涵蓋任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文對術語"投影透鏡"之任何使用均與更通用之術語"投影系統"同義。
如此處所描繪，裝置為反射類型(例如，使用反射光罩)。或者，裝置可為透射類型(例如，使用透射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙平台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)的類型。在該等"多平台"機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO收納輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射器時，輻射源與微影裝置可為獨立實體。在該等狀況下，不認為輻射源形成微影裝置之一部分，且輻射光束借助於包含(例如)適當引導鏡面及/或光束放大器之光束傳送系統而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，例如，當輻射源為汞燈時，輻射源可為微影裝置之整合部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統(需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分布的調整器。通常，可調整照明器之瞳孔平面中之強度分布的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，積光器及聚光器。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台MT)上之圖案化器件(例如，光罩MA)上，且藉由圖案化器件來圖案化。在橫穿光罩MA後，輻射光束B穿過投影系統PS，投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。借助於 第二定位器PW及位置感測器IF2(例如，干涉量測器件、線性編碼器，或電容性感測器)，基板台WT可精確地移動，例如，以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器IF1可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來精確地定位光罩MA。一般而言，可借助於形成第一定位器PM之一部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現光罩台MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之一部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(與掃描器相對)之狀況下，光罩台MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準光罩MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(此等被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於光罩MA上之情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使光罩台MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大尺寸限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的尺寸。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描光罩台MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於光罩台MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大尺寸限制單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使光罩台MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列)的無光罩微影術。
亦可使用對以上所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
圖2以示意性方式來描繪根據本發明之一實施例的污染防止系統。如圖1所示，污染防止系統20經組態以定位於源SO與微影裝置之照明系統IL之間。污染防止系統在真空環境中操作，且經配置以吸收或偏轉自源發出之材料，以防止材料沿軸線27隨輻射而傳播及進入照明系統中。
污染防止系統包含可旋轉載體，可旋轉載體包括可旋轉外殼25，其經配置有相對於外殼而在向外方向上大體上徑 向地延伸之一系列葉片22。外殼25經配置以收納靜止機械軸24之一部分，其經配置有用於承載外殼25且導致外殼25圍繞機械軸24而旋轉之適當軸承21a、21b及驅動機(諸如，渦輪機)23。軸承21a、21b及驅動機23可為整體單元之一部分，或可為獨立的。藉由在經提供至可旋轉載體之空間中提供靜止機械軸之至少一部分及軸承，可接近於可旋轉外殼及葉片之質心來提供軸承。可藉由使軸承接近於質心來最小化不平衡及振動之影響，藉此提供穩定之污染防止系統。
在一實施例中，外殼25為圓錐形。此可允許外殼25以使得可達成最佳氣隙(即使可能遭遇輪軸及軟管之不同溫度且因此遭遇不同膨脹)之方式來調整其軸向位置。軸承21a、21b可為流體軸承。驅動機及軸承之適當實例包含氣動軸承及驅動機，其可使用諸如氣體及液體之流體來操作。靜止機械軸24可具備用於為了驅動及承載目的而朝向外殼25之內部表面25a噴射流體(氣體或液體)流的適當噴嘴23a。噴嘴23a可為流體軸承21a、21b之一部分或可獨立於流體軸承。流體軸承可提供污染防止系統之溫度控制。
在起動期間，流體可用以加熱污染防止系統，而在源加熱污染防止系統之情況下的正常使用期間，流體可用以冷卻污染防止系統。液體之實例可為水，而氣體可為蒸汽，或可使用兩者之組合。在起動期間，蒸汽可用以致使污染防止系統達到攝氏232度，其可有助於減少錫污染，因為錫污染將在該溫度下停留於液相下，且藉由旋轉葉片，錫 將在起動期間滑離葉片。在軸承21a、21b經配置以供應氣體流之狀況下，污染防止系統20包含用於將氣體大體上密封於機械軸之鄰近區域內的適當密封件。密封件可經配置有用於控制至污染防止系統之真空氣壓中之氣體洩漏之化學組合物的氣縫。此外，污染防止系統20進一步包含用於朝向區域28a處之中度真空逐漸地降低區域28b處之大氣壓力的泵。
驅動機可包含用於導致外殼25圍繞機械軸24而旋轉之電驅動機。可提供經組態以在靜止機械軸24處使可旋轉載體及葉片接地之接地電極26，使得可旋轉載體及葉片可自可對可旋轉載體及葉片充電之源收納電子。污染防止系統20可包含經配置用於緊固外殼25在機械軸24上之位置的至少一磁體29。磁體29在機械軸24上之位置可為可調整的，以致能外殼25上之磁性負載的適當動態控制。靜止機械軸24可具備用於在使用中冷卻可旋轉外殼25之適當流體冷卻器。具有循環液體或氣體之已知冷卻配置可適用於此目的。在一實施例中，污染防止系統可包含經配置用於防止來自接地總成之粒子到達驅動機的氣流產生器。氣流產生器可定位於靜止機械軸上。
污染防止系統20可具備制動系統或制動器，其用於致能可旋轉外殼25之緊急制動。舉例而言，制動器可經配置以反轉外殼25之旋轉。此可藉由適當地調整驅動機來實施，使得反轉力可適用於外殼25。制動系統可經配置以導致外殼之材料中的渦流，藉此誘發外殼25中之制動力以用於降 低外殼之回轉速度。制動系統可包括機械中斷，其藉由致使靜止機械軸之一部分與外殼進行接觸而操作。
圖3以示意性方式來描繪包含載體及葉片之總成。在此圖中，展示用於將葉片緊固於載體30a之容積中的不同組態。在一實施例中，如組態A所示，自載體30a徑向地延伸之葉片31可具有引入於載體30a之容積中的彎曲部分32。彎曲部分32可藉由焊接而附著至載體30a之材料。在一實施例中，如組態B所示，葉片33具有不同形狀之末端部分34，其具有蛇形尾部。此幾何形狀可適用於將葉片33緊固於載體30a之容積中。在一實施例中，如組態C所示，葉片35具有末端部分36之加厚物，其具有在相對於葉片35之平面之角度下延伸的邊緣。藉由提供尾部部分之該加厚物，葉片35可緊固地附著至載體30a。在一實施例中，如組態D所示，葉片37具有球形或碟形末端部分38，其引入至載體30a之容積中。此可致能葉片37於載體30a之容積中的緊固附著。
圖4以示意性方式來說明微影裝置之一實施例。微影裝置40包含輻射源模組41，其具有輻射源42及如參看圖2所論述之污染防止系統。輻射源42經配置以沿軸線43發射輻射。自源42發出且沿軸線43傳播之材料由旋轉葉片47截取。污染防止系統包含一組安裝於可旋轉外殼45上之葉片47，可旋轉外殼45由適當驅動機46a、46b驅動以用於導致其圍繞靜止機械軸44而旋轉。葉片47相對於外殼45而徑向地配置且其間具有通道，輻射可傳播穿過通道而無朝向微 影裝置40之另外模組的衰減。源42及污染防止系統在源模組41中之真空中操作。根據一實施例，感測器49經提供用於判定外殼45之回轉速度。感測器可包含振動感測器(如麥克風或壓力偵測器)，其用於在使用中分析自葉片47發出之振動波。感測器49可經配置成與經配置以控制驅動機46a、46b之控制單元49a進行電子通信，以用於調整外殼45之回轉速度。以此方式，可提供回饋用於控制污染防止系統之操作。自污染防止系統傳播之輻射光束可接著施加至微影裝置之另外模組50，諸如，照明器模組51、投影模組53及晶圓模組55。以上參看圖1而整體論述此等模組。
儘管在此本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造積體光學系統、用於磁域記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在該等替代應用之情境中，可認為本文對術語"晶圓"或"晶粒"之任何使用分別與更通用之術語"基板"或"目標部分"同義。可在曝光之前或之後在(例如)軌道(通常將抗蝕劑層塗敷至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示應用於該等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便形成多層IC，使得本文所使用之術語基板亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
本文所使用之術語"輻射"及"光束"涵蓋所有類型之電磁 輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365 nm、355 nm、248 nm、193 nm、157 nm或126 nm之波長)及遠紫外線(EUV)輻射(例如，具有在約5 nm至20 nm之範圍內的波長)；以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。
術語"透鏡"在情境允許時可指代各種類型之光學組件中之任一者或組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者而言將顯而易見的為，可在不脫離以下所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。
20‧‧‧污染防止系統
21a‧‧‧軸承
21b‧‧‧軸承
22‧‧‧葉片
23‧‧‧驅動機
24‧‧‧靜止機械軸
25‧‧‧可旋轉外殼
26‧‧‧接地電極
27‧‧‧軸線
28a‧‧‧區域
28b‧‧‧區域
29‧‧‧磁體
30a‧‧‧載體
31‧‧‧葉片
32‧‧‧彎曲部分
33‧‧‧葉片
34‧‧‧末端部分
35‧‧‧葉片
36‧‧‧末端部分
37‧‧‧葉片
38‧‧‧球形或碟形末端部分
40‧‧‧微影裝置
41‧‧‧輻射源模組
42‧‧‧輻射源
43‧‧‧軸線
44‧‧‧靜止機械軸
45‧‧‧可旋轉外殼
46a‧‧‧驅動機
46b‧‧‧驅動機
47‧‧‧葉片
49‧‧‧感測器
49a‧‧‧控制單元
50‧‧‧模組
51‧‧‧照明器模組
53‧‧‧投影模組
55‧‧‧晶圓模組
A‧‧‧組態
B‧‧‧輻射光束/組態
C‧‧‧目標部分/組態
D‧‧‧組態
IF1‧‧‧位置感測器
IF2‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MT‧‧‧支撐結構
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二定位器
SO‧‧‧輻射源
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
圖1以示意性方式來描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；圖2以示意性方式來描繪圖1之微影裝置的污染防止系統；圖3以示意性方式來描繪包括載體及葉片之總成；及圖4以示意性方式來呈現微影裝置之一實施例。
20‧‧‧污染防止系統
21a‧‧‧軸承
21b‧‧‧軸承
22‧‧‧葉片
23‧‧‧驅動機
24‧‧‧靜止機械軸
25‧‧‧可旋轉外殼
26‧‧‧接地電極
27‧‧‧軸線
28a‧‧‧區域
28b‧‧‧區域
29‧‧‧磁體

Claims (28)

  1. 一種經建構及配置以防止材料隨輻射而傳播至一微影裝置中之污染防止系統，該污染防止系統包含：一可旋轉載體，該可旋轉載體具備複數個整體徑向向外延伸之葉片，該等葉片經建構及配置以吸收或偏轉該材料；一靜止機械軸；及一軸承，該軸承經建構及配置以圍繞該機械軸而旋轉該可旋轉載體及該等葉片，該可旋轉載體具備一空間用於至少部分地收納該機械軸之一部分，其中該軸承為一可提供該污染防止系統之溫度控制之流體軸承。
  2. 如請求項1之污染防止系統，其中該空間由該可旋轉載體中之一外殼界定。
  3. 如請求項2之污染防止系統，其中該污染防止系統具備一驅動機，該驅動機包含一經建構及配置以朝向該外殼之一內部表面噴射一流體且導致該可旋轉載體之一旋轉的噴嘴。
  4. 如請求項3之污染防止系統，其中該流體為一液體。
  5. 如請求項3之污染防止系統，其中該流體為一氣體，且該驅動機包含一風扇用於朝向該外殼之該內部表面供應該氣體之一流。
  6. 如請求項2之污染防止系統，其中該機械軸包含一磁體經建構及配置以將該外殼緊固於該機械軸上。
  7. 如請求項1之污染防止系統，其中該機械軸包含一冷卻單元經建構及配置以冷卻該可旋轉載體。
  8. 如請求項3之污染防止系統，其中該污染防止系統經建構及配置以在一真空中操作，且其中該流體為一氣體，該污染防止系統進一步包含一差動密封件用於密封該驅動機以隔絕該真空。
  9. 如請求項8之污染防止系統，其中該差動密封件包含一氣縫用於控制一氣體之一化學組合物洩漏至該真空中。
  10. 如請求項1之污染防止系統，其進一步包含一總成經建構及配置以使該可旋轉載體及該等葉片接地。
  11. 如請求項4之污染防止系統，其中該液體為水。
  12. 如請求項3之污染防止系統，其中該流體為蒸汽。
  13. 如請求項4之污染防止系統，其進一步包含一壓力控制器經組態以控制該液體之壓力。
  14. 如請求項1之污染防止系統，其進一步包含一制動器。
  15. 如請求項14之污染防止系統，其中該制動器經配置以反轉該載體之該旋轉的一方向。
  16. 如請求項15之污染防止系統，其中該制動器經配置以在該載體之該材料中誘發一渦流以降低該載體之一回轉速度。
  17. 如請求項15之污染防止系統，其中該制動器經配置以致使該機械軸與該載體進行機械接觸。
  18. 如請求項1之污染防止系統，其中該外殼為大體上圓錐形。
  19. 如請求項1之污染防止系統，其中各別葉片之末端部分經在該載體之一容積中彎曲以將該等葉片緊固於該載體上。
  20. 如請求項1之污染防止系統，其進一步包含一感測器經組態以判定該載體之一回轉速度。
  21. 如請求項20之污染防止系統，其中該感測器經配置以分析自該污染防止系統發出之各振動波。
  22. 一種輻射源模組，其包含：一輻射源，該輻射源經建構及配置以產生輻射；及一污染防止系統，該污染防止系統經建構及配置以防止材料隨該輻射而傳播至一微影裝置中，該污染防止系統包含：一可旋轉載體，該可旋轉載體具備複數個整體徑向向外延伸之葉片，該等葉片經建構及配置以吸收或偏轉該材料，一靜止機械軸，及一軸承，該軸承經建構及配置以圍繞該機械軸而旋轉該可旋轉載體及該等葉片，該可旋轉載體具備一空間用於至少部分地收納該機械軸之一部分，其中該軸承為一可提供該污染防止系統之溫度控制之流體軸承。
  23. 如請求項22之輻射源模組，其中該輻射具有一為約5nm至20nm之波長。
  24. 一種微影裝置，其包含： 一輻射源，該輻射源經建構及配置以產生輻射；及一污染防止系統，該污染防止系統經建構及配置以防止材料隨該輻射而傳播，該污染防止系統包含：一可旋轉載體，該可旋轉載體具備複數個整體徑向向外延伸之葉片，該等葉片經建構及配置以吸收或偏轉該材料，一靜止機械軸，及一軸承，該軸承經建構及配置以圍繞該機械軸而旋轉該可旋轉載體及該等葉片，該可旋轉載體具備一空間用於至少部分地收納該機械軸之一部分；一照明系統，該照明系統經建構及配置以調節該輻射；一圖案化器件，該圖案化器件經建構及配置以圖案化該輻射；及一投影系統，該投影系統經建構及配置以將一經圖案化輻射光束投影至一基板上。
  25. 如請求項24之微影裝置，其中該輻射具有一為約5nm至20nm之波長。
  26. 一種藉由一微影製程來製造一積體結構之方法，該方法包含：提供一經組態以自由一輻射源所發射之輻射形成一輻射光束的輻射系統；圖案化該輻射光束；將該經圖案化投影光束投影至由一輻射敏感材料至少 部分地覆蓋之一基板的一目標部分上；藉由利用一污染防止系統而截取或偏轉材料來防止該材料隨該輻射光束而傳播，該污染防止系統包含：一具備複數個整體徑向向外延伸之葉片之可旋轉載體，該載體至少部分地收納一靜止機械軸之一部分；及一經組態以在該可旋轉載體內之一空間中圍繞該機械軸而旋轉該載體的軸承，其中該軸承為一可提供該污染防止系統之溫度控制之流體軸承。
  27. 如請求項26之方法，其中該軸承經配置以在形成該空間之外殼之一內部表面上噴射一流體以用於向該可旋轉載體提供一軸承。
  28. 如請求項26之方法，其進一步包含藉由一經建構及配置以分析自該污染防止系統發出之各振動波的感測器來判定該載體之一回轉速度。
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