TW202347004A - 用於極紫外光靶材之回復之裝置 - Google Patents

Abstract

本發明揭示一種用於一EUV系統之導管結構，其中該導管之一非水平內部表面具備流動障礙物，該等流動障礙物阻礙熔融靶材跨該表面之流動使得該熔融靶材凍結在該內部表面上且由該內部表面捕獲。在該導管為靶材之液滴傳遞出一EUV腔室所通過之導管的情況下，該導管之側上之流動障礙物確保最初由該導管之一上部表面捕獲且流動至側壁的熔融靶材黏附至該側壁且遠離實際液滴路徑。此確保維持該導管中之一開口，從而允許預期流動。舉例而言，可將該導管結構置放於產生EUV輻射之該腔室之一內部與一靶材容器之間。

Description

用於極紫外光靶材之回復之裝置

本發明係關於一種用於自藉由改變靶材之狀態而產生之電漿產生極紫外光(「EUV」)輻射之設備。在此等應用中，光學元件用於例如收集及引導EUV輻射以供用於半導體光微影。

EUV輻射(例如，具有約50 nm或更小之波長(有時亦稱為軟x射線)且包括處於約13.5 nm之波長的輻射之電磁輻射)用於光微影程序中以在諸如矽晶圓之基板中產生極小特徵。在此處及本文中之其他處，術語「光」用於理解使用彼項所描述之輻射可能不在光譜之可見部分中。

用於產生EUV輻射之方法包括將靶材轉換成電漿狀態。靶材較佳地包括具有在電磁光譜之EUV部分中之一或多個發射譜線的至少一個元素，例如氙、鋰或錫。靶材可為固體、液體或氣體。在通常稱為雷射產生電漿(「LPP」)之一種此類方法中，所需之電漿可藉由使用雷射光束來輻照具有所需譜線發射元素之靶材而產生。

一種LPP技術涉及產生靶材液滴串流及用一或多個雷射輻射脈衝輻照該等液滴中之至少一些。液滴串流係由液滴產生器產生。

變換靶材之程序導致累積於各表面上的殘餘靶材之沈積，其中在輻照位點與表面之間存在不受阻路徑。其亦在暴露於夾帶殘餘靶材之氣流之表面上產生此類沈積。此等表面包括葉片、排氣埠及排放路徑。若靶材料為錫，則此可導致錫毛絨之生長，該錫毛絨可下落至收集器光學器件上且堵塞排氣及排放路徑。本文中錫用作特定靶材之實例，且理解可使用其他類型之靶材且可呈現相同或類似管理問題。

一種用於控制錫累積之技術涉及自加熱至高於錫熔點之收集表面上的蒸汽或粒子捕獲錫。在此等經加熱收集表面上，錫熔化(或保持熔態)且使其流動至捕獲容器。然而，液態錫在諸如在EUV腔室中發現之氫自由基存在的情況下傾向於噴出或「濺射」，且此射出錫可衝擊收集器。

此外，液態錫通常不按預期流動。舉例而言，腔室內之結構，諸如經提供以移除腔室中之一些或所有錫蒸汽的洗滌器之葉片及溝槽可將液態錫滴落至收集器上。液態錫亦可產生熱短路，亦即非預期導熱路徑。另外，液態錫為高度腐蝕性的且導致例如用於將收集表面維持在錫熔點以上之電加熱器的故障。

需要特別注意之一個腔室特徵為經定位以自未使用之錫液滴接收錫且儲存錫以供後續移除之錫捕獲器或容器。未使用的液滴出現於例如系統中，在該系統中，藉由中斷或再引導將以其他方式轉換液滴之雷射脈衝而非中斷液滴之產生來啟用或停用光之產生。必須採取措施以用於控制及含有未使用的錫，較佳地在不破壞腔室中之真空的情況下進行。液滴在射出腔室時穿過之結構易於呈錫毛絨或線形式之錫累積。此結構可實施為如下文所描述之集流環中之插入件中的導管結構。最終，此錫累積可阻礙未使用的錫液滴之排放路徑。

因此，存在管理殘餘靶材使得其並不阻礙源腔室中之孔口，包括錫捕獲器之入口的需求。在此上下文中，產生對本發明所揭示主題之需求。

以下呈現一或多個實施例之簡潔概述以便提供對所揭示之主題之基本理解。此概述並非所有所涵蓋實施例之廣泛綜述。其既不意欲將特定元件單一為對於任何實施例為關鍵或決定的，亦不設定對任何或所有實施例之實施範疇的限制。其唯一目的在於以流線型形式呈現一些概念以作為稍後呈現之更詳細描述的序言。

根據一個態樣，用於一EUV系統之一導管結構的一內部表面具備流動障礙物，該等流動障礙物阻礙熔融靶材跨該導管結構之一非水平表面之流動，使得該熔融靶材凍結在該內部表面上且由該內部表面捕獲。該導管結構可置放於例如產生EUV輻射之腔室之一內部與一靶材容器之間，在此情況下，該內部表面為該導管結構之一側表面。

根據一實施例之另一態樣，揭示一種導管結構，其經調適以置放為與用於一EUV輻射源之一腔室的一內部流體連通，一靶材在該腔室中經變換，該導管結構包含面向該導管結構之一內部的至少一個側壁，該側壁之至少一部分具備經配置以阻礙熔融靶材跨複數個流動障礙物之一流動之該複數個流動障礙物。

該導管結構可包含一板，該板經配置以覆蓋該側壁之該至少一部分，該複數個流動障礙物配置於該板上。該複數個流動障礙物可包含至少部分地經由該導管結構在一第一方向上延伸之複數個同向脊部。該等脊部中之一者可為非連續的。該等脊部可按一Z形圖案延伸，其中相對於該第一方向按一第一角度成角度的一第一筆直區段群組與相對於該第一方向按一第二角度成角度的一第二筆直區段群組交替。

根據一實施例之另一態樣，揭示一種EUV輻射源，其包括一EUV靶材經變換之一腔室，該腔室具有至少一個導管結構，該至少一個導管結構具有暴露於該EUV靶材之一表面，其中該表面之一第一部分配置於熔融靶材遇到該表面之該第一部分的一位置處，且重力將傾向於跨該表面之該第一部分在一第一方向上向下拉動該熔融靶材，且在該表面之該第一部分下方之一第二部分具備經配置以阻礙熔融靶材跨該第二部分在該第一方向上之一流動的複數個流動障礙物。

該表面可包含一板插入件，該板插入件包括該複數個流動障礙物。該板插入件可維持在低於該靶材之一熔融溫度的一溫度下。該靶材可為錫，且該板插入件可維持在不大於大約200℃之一溫度下。

該複數個流動障礙物可包含在實質上垂直於該第一方向之一第二方向上延伸之複數個同向脊部。該等脊部中之一最上者可為非連續的。該等脊部可按一Z形圖案延伸，其中相對於該第二方向按一第一角度成角度的一第一筆直區段群組與相對於該第二方向按一第二角度成角度的一第二筆直區段群組交替。該等脊部中之一最上者為非連續的，從而界定穿過該最上脊部之複數個間隙。

該EUV輻射源可進一步包含至少部分地圍繞定位於該腔室中之一收集器鏡面之一圓周配置之一冷卻流動環，該導管結構定位於該冷卻流動環中以提供該腔室之該內部與一靶材容器之間的一路徑。

該複數個流動障礙物可包含複數個實質上圓形壓痕。該複數個流動障礙物可包含複數個實質上矩形壓痕。該複數個實質上矩形壓痕可與該表面之該第二部分之一長度共同延伸。該複數個實質上矩形壓痕可以一陣列配置成列及行。

該複數個流動障礙物可包含位於該第二部分上之複數個成角度葉片。該複數個流動障礙物可包含垂直於該第一方向延伸之複數個細長縫隙，其中各縫隙具有一相關聯溝槽部分。該表面之至少一部分可經粗糙化。

該EUV輻射源可進一步包含一頂部表面元件，該頂部表面元件鄰近於該表面且相對於該表面成角度且經調適及配置以准許該頂部表面元件上收集之熔融靶材自該頂部表面元件流動出且流動至該表面上。

根據一實施例之另一態樣，揭示一種EUV輻射源，其包括一腔室及經由一導管與該腔室之一內部流體連通的一靶材容器，該導管包含經定位以至少部分地覆蓋該導管之一內部表面的一靶材收集板，該靶材收集板包括阻礙熔融靶材跨複數個結構之一流動之該複數個結構因此致使該熔融靶材固化在該靶材收集板上。

根據另一態樣，揭示一種EUV輻射源，其包括一腔室，該腔室包括在EUV輻射之產生期間暴露於殘餘靶材之一位置處的一表面，該源包含至少部分地覆蓋該表面之一靶材收集板，該靶材收集板維持在低於該靶材之一熔融溫度之一溫度下，該靶材收集板包括複數個流動障礙物，該靶材收集板經定向以使得重力跨該等流動障礙物拉動熔融靶材且該等流動障礙物經定向以阻滯熔融靶材之一流動。

根據一實施例之另一態樣，揭示一種導管結構，其經調適以置放為與用於一極紫外光(EUV)輻射源之一腔室之一內部流體連通，一靶材在該腔室中經變換，該導管結構包含：至少一個側壁，其面向該導管結構之一內部，該至少一個側壁具有在一第一方向上延伸的一第一側壁邊緣且該側壁之至少一部分具備實質上在該第一方向上延伸且經配置以阻礙熔融靶材跨該側壁之該部分在不同於該第一方向之一第二方向上的一流動之複數個流動障礙物。該導管結構亦包含一頂壁，其面向該導管結構之一內部，該頂壁經配置以具有在該第一方向上實質上平行於該第一側壁邊緣延伸的一頂壁邊緣，該頂壁邊緣具有經配置以抑制靶材沿著該頂壁邊緣在該第一方向上的一流動之複數個邊緣特徵。

該頂壁可與一熱源熱接觸以使得該頂壁達到大於該靶材之一熔融溫度的一溫度。該複數個邊緣特徵可包含複數個凹陷。該複數個凹陷可以一線性陣列配置。各凹陷可為實質上三角形的，其中該凹陷之一基底定位於該頂壁邊緣處。

各凹陷可具備一疏錫性材料層。該頂壁之除該等凹陷之該等表面外之一表面的至少部分具備一嗜錫性材料層。該頂壁之除該等凹陷之該等表面外之整個表面可覆蓋有一嗜錫性材料層。

該導管結構可進一步包含與該頂壁之至少部分熱接觸且經配置以將該頂壁之至少部分維持在一第一溫度下的一加熱元件。該加熱元件可經配置以將該頂壁之一第一部分維持在該第一溫度下且將該頂壁之一第二部分維持在不同於該第一溫度之一第二溫度下。

根據一實施例之另一態樣，揭示一種極紫外光(EUV)輻射源，其包括一EUV靶材經變換之一腔室，該腔室具有至少一個導管結構，該導管結構包含一橫向側表面，其暴露於該EUV靶材，其中該橫向側表面之一第一部分配置於熔融靶材遇到該橫向側表面之該第一部分的一位置處且配置有一定向使得重力將傾向於跨該橫向側表面之該第一部分在一第一方向上向下拉動該熔融靶材，及該橫向側表面之在該第一部分下方的具備複數個流動障礙物之一第二部分經配置以阻礙熔融靶材跨該第二部分在該第一方向上之一流動，該橫向側表面具有在一第二方向上延伸的一第一橫向側表面邊緣。該導管結構進一步包含面向該導管結構之一內部的一頂壁，該頂壁經配置以具有在該第二方向上實質上平行於第一橫向側表面邊緣延伸的一頂壁邊緣，該頂壁邊緣具有經配置以抑制靶材沿著該頂壁邊緣在該第二方向上之一流動的複數個邊緣特徵。

該複數個邊緣特徵可包含複數個凹陷。該複數個凹陷可以一線性陣列配置。各凹陷可以一線性陣列配置。各凹陷可為實質上三角形的，其中該凹陷之一基底定位於該頂壁邊緣處。各凹陷之一表面可具備一疏錫性材料層。該頂壁之除該等凹陷之該等表面外的一表面的至少部分可具備一嗜錫性材料層。

該導管結構可進一步包含與該頂壁之至少部分熱接觸且經配置以將該頂壁之至少部分維持在一第一溫度下的一加熱元件。該加熱元件可經配置以將該頂壁之一第一部分維持在該第一溫度下且將該頂壁之一第二部分維持在不同於該第一溫度之一第二溫度下。

在下文參考隨附圖式詳細地描述本發明所揭示主題之另外實施例、特徵及優點，以及各種實施例之結構及操作。

現參考圖式描述各種實施例，其中類似參考編號始終用於指代類似元件。在以下描述中，出於解釋之目的，闡述特定細節以促進對所有所描述實施例之透徹理解。然而，顯然在一些或所有情況下，可在不採用歸屬其下文之特定設計細節之情況下實踐下文所描述之任何實施例。在其他情況下，以示意圖或方塊圖之形式展示熟知結構及裝置以便促進對一或多個實施例之描述。

然而，在更詳細地描述此等實施例之前，有指導性的係描述可實施本發明所揭示主題之實施例的實例環境。在下文之描述中及在申請專利範圍中，可使用術語「向上」、「向下」、「頂部」、「底部」、「豎直」、「水平」及類似術語。除非另外指示或自上下文可知，否則此等術語僅意欲展示相對定向且不意欲展示相對於重力之任何定向。

初始參考圖1，展示根據本發明所揭示主題之實施例之一個態樣的例示性EUV輻射源(例如，雷射產生電漿EUV輻射源10)之示意圖。如所展示，EUV輻射源10可包括脈衝式或連續雷射源22，該脈衝式或連續雷射源可例如為產生處於10.6 µm或1 µm之輻射光束12的脈衝式氣體放電CO ₂雷射源。該脈衝式氣體放電CO ₂雷射源可具有在高功率下及高脈衝重複率下操作之DC或RF激發。

EUV輻射源10亦包括用於遞送呈液滴或連續液體串流形式之靶材的目標遞送系統24。在此實例中，靶材為液體，但其亦可為固體或氣體。錫用作描述中之靶材之非限制性實例，其遵循可使用其他材料之理解。此外，液滴用作錫形式之非限制性實例，且應理解可使用其他形式。

在所描繪之系統中，靶材遞送系統24將靶材之液滴14引入至具有腔室壁27之真空腔室26之內部中。真空腔室26包括可輻射靶材以產生電漿之輻照區28。應注意，如本文中所使用，輻照區為可發生或意欲發生靶材輻照之區，且為甚至在實際上不發生輻照時之輻照區。EUV光源亦可包括光束轉向系統32。

在所展示之系統中，組件經配置使得液滴14實質上水平地行進。可將自雷射源22朝向輻照區28之方向(亦即，光束12之標稱傳播方向)視為Z軸。可將液滴14自靶材遞送系統24至輻照區28所採取之路徑視為X軸。因此，圖1之視圖與XZ平面正交。使EUV輻射源10之定向相對於如所展示之重力而旋轉，其中箭頭G展示相對於重力地向下之定向。雖然描繪了液滴14實質上水平地行進之系統，但一般熟習此項技術者應理解，可使用其他配置，在該等配置中液滴豎直地行進或在90度(水平)與0度(豎直) (包括90度與0度)之間相對於重力成一定角度行進。

EUV輻射源10亦可包括EUV光源控制器系統60及雷射發射控制系統65。EUV輻射源10亦可包括偵測器(諸如，目標位置偵測系統70)，該偵測器產生指示目標液滴例如相對於輻照區28之絕對或相對位置之輸出且將此輸出提供至目標位置偵測回饋系統62。

如圖1中所展示，靶材遞送系統24可包括目標遞送控制系統90。目標遞送控制系統90調整目標液滴14通過輻照區28之路徑。此調整可例如藉由再定位液滴產生器92釋放目標液滴14之點來實現。可例如藉由使液滴產生器92傾斜或藉由使液滴產生器92平移來再定位液滴釋放點。液滴產生器92延伸至腔室26中且較佳地在外部供應有靶材。氣體源(未展示)在壓力下將靶材置放於液滴產生器92中。在不轉換的情況下穿過輻照區28之液滴14繼續到達靶材容器34，在本文中亦稱為錫捕獲器34。

繼續圖1，輻射源10亦可包括一或多個光學元件。在以下描述中，收集器30用作此類光學元件之實例，但描述亦適用於其他光學元件。收集器30可為正入射反射器，例如實施為多層鏡面。收集器30可呈長橢球之形式，其具有中心孔徑以允許雷射輻射12穿過且到達輻照區28。收集器30具有在輻照區28處之第一焦點及在所謂中間點40處之第二焦點(亦稱為中間焦點40)，其中EUV輻射可自EUV輻射源10輸出且輸入至例如積體電路微影掃描器50。掃描器50使用輻射例如以使用倍縮光罩或遮罩54以已知方式處理矽晶圓工件52。隨後以已知方式另外處理矽晶圓工件52以製造積體電路裝置。

如所提及，殘餘靶材之管理為關鍵技術挑戰。殘餘錫具有在稱為錫寫入之程序中收集在腔室26之表面上的趨勢。此錫可掉落且污染收集器30。錫亦可阻擋意欲准許緩衝氣體在腔室26內部流動或充當未使用液滴之出口的各種入口及導管。此殘餘錫必須經管理以延長源之使用期限。

圖2展示針對減少錫污染之若干模組。在所展示之定向中，液滴產生器直接定位於腔室26後方，使得液滴路徑在圖之平面外至包括錫捕獲器入口110之導管結構。在所展示之實施例中，將錫捕獲器入口110定位於圍繞收集器30之圓周周邊的集流環(「CFR」) 100中。提供CFR 100以建立收集器30附近之氣體流動。CFR 100可包括經組態以輸送經提供之流體以在EUV輻射產生期間移除來自CFR 100之至少一部分的熱量的冷卻流動通道。關於諸如CFR 100之CFR之建構及操作的其他細節可獲自名稱為「集流環」及2021年7月1日公開之國際公開案第WO 2021/130017號。

本文所引用之所有專利申請案、專利及印刷公開案均以全文引用之方式併入本文中，但其中放棄或否認的任何定義、主題除外且與本文所揭示之表述不一致之所併入材料除外，在此情況下以本發明中的語言為凖。

CFR 100引入傾向於攜載錫遠離收集器30之表面的緩衝氣體之流動。氣體亦經由配置於收集器30之中心孔徑處的集流錐120引入。雷射輻射12亦穿過此孔徑。進一步沿著收集器30之主焦點與中間焦點40之間的腔室26之光軸，存在具有一系列流動葉片之表面的區段130，該一系列流動葉片以意欲保持錫遠離臨界表面之模式引導氣流。此區段130亦可包括用於收集錫之葉片36。亦可使用高流動洗滌器140來控制錫。排氣埠125經提供以排氣來自腔室26之緩衝氣體，且亦必須保持殘餘靶材之清除。

圖3A為諸如圖2中所展示之自收集器30之中間焦點40的視角的配置之平面圖。如可看出，液滴產生器92產生液滴14串流。亦展示圍繞收集器30之周邊或圓周的CFR 100。液滴14可在收集器30之主焦點處輻照於輻照區28中或其可在不變換的情況下穿過主焦點至錫捕獲器入口110且隨後經由導管112至錫捕獲器34。錫捕獲器34收集熔融錫且將其傳遞至錫桶(未展示)。可提供凍結閥(未展示)以在不中斷源操作之情況下准許錫捕獲器34之排放。

習知地，導管112之超出錫捕獲器入口110之壁為光滑平坦表面。此不當地允許雜散殘餘錫累積於呈例如錫鬚或線形式之壁上。經累積錫可最終部分地或完全地阻擋導管112使得錫液滴14可不再無阻礙地穿過。

為了解決此問題，根據實施例之態樣，導管112之至少一個側壁具備具有障礙物之經工程改造之表面，該等障礙物藉由阻滯錫跨經工程改造之表面之流動且將其凍結在適當位置來捕獲殘餘錫。經工程改造之表面可以鄰近於導管112之側壁而定位的薄板形插入件的形式提供，或可與導管112的側壁成一體。在以下描述中，板形插入件將用作實施之實例。板形插入件可建構為襯裡，該襯裡可在其已累積其錫容量之後在維護期間易於調換。雜散錫可為夾帶於通過錫捕獲器入口110及導管112之氣流中的錫，或可為自導管112之上部表面向下流動至導管112之側壁的錫，如下文所描述。

側壁上之流動障礙物確保最初由導管112之上部表面捕獲且流動至側壁之熔融靶材凍結在側壁上且保持預期液滴路徑之清潔。此確保維持導管112中之開口，從而允許預期流動。

根據實施例之一個態樣，如圖3B中所展示，捕獲進入錫捕獲器入口110之雜散錫且將其儲存於維持在低於錫熔點之溫度下的板200上。根據實施例之另一態樣，將板200加熱至例如在大約70℃至大約200℃之範圍內，例如大約100℃ (在此處及別處大約+/-10%)的溫度。在包含表面之材料包括鋁的實例中，大於70℃之溫度意外地增加錫及鋁的表面張力，因此減小跨板200之向下流動速度。

將板200維持在大約80℃至大約200℃範圍內之溫度下使得錫凍結在板200之表面上。板200可藉由主動手段(亦即，提供溫度控制板215 (圖6A及圖15))或被動手段(亦即，藉由來自足夠接近之經加熱元件熱傳遞)維持在所要溫度。

圖4提供具有板200之導管112相對於收集器30、CFR 100、錫捕獲器34及如由箭頭A所指示之液滴流動之更近透視圖。圖4亦展示經配置以覆蓋導管112之頂蓋元件210。圖5展示相對於頂蓋元件210之板200，且特定言之在與液滴出口流動路徑相同之方向上且平行於液滴出口流動路徑的板200之側向範圍。

圖6A為根據實施例之態樣之板200的平面圖。在圖6A之實施例中，板200塑形為梯形。然而，應理解，此形狀為任意的且可經選擇以至少部分地覆蓋導管112之側壁。虛點線300指示在板200位於鄰近於導管112之側壁的適當位置時熔融錫會與板200接觸之錫著陸區之下部邊緣。在熔融錫衝擊於板200上之後，錫通常向下流動(在圖式中且重力地)且遇到抵抗錫流動之一系列錫阻滯結構或流動障礙物310，最終減緩錫流動足夠長的時間以使錫凍結且在板200上捕獲為固化錫。

在所展示之實施例中，障礙物310呈在其之間建立波谷或凹槽的豎直系列之Z字形壁或脊部320、330及340形式。雖然在圖6A之實例中，存在三個此類凹槽，但應瞭解，可使用更少或更多凹槽。Z形壁或脊部320、330及340之區段之間的角度經選擇以藉由例如在不過度超過脊部320、330及340的情況下允許熔融錫流動來增強熔融錫之停止。

根據實施例之另一態樣，頂部脊部320 (亦即，在衝擊於著陸區300上且在著陸區300上流動之後熔融錫首次遇到的脊部)以其區段中之至少一些之間的間隙350破裂。此等間隙350亦用以防止熔融錫超過頂部脊部320且替代地引導熔融錫流穿過脊部320、330及340之間的凹槽。此設計允許錫流獲取動量之可能性，此係因為凹槽壁中之間隙提供至下一凹槽之低阻力路徑，同時歸因於熔融錫之黏度而耗散錫流之動量中之一些。

根據實施例之態樣，板200上之障礙物之幾何形狀經判定以使得錫在重力向下方向上在板200之範圍內，例如約30 mm凍結在板200上。因此經組態之表面可將大量錫保持於低輪廓中，亦即並不阻礙液滴穿過導管112之路徑的輪廓。對於一些應用較佳地為組態障礙物使得錫並不累積於單一點中使板200熱短接至接近熱表面。根據實施例之另一態樣，該表面經組態以防止錫沿著避免，亦即圍繞意欲捕獲錫之表面特徵「四處走動」或蜿蜒的路徑流動。

圖6B為沿著圖6A之線BB截取之板200的側剖視圖。板200具有板主體205，脊部320、330及340自該板主體突出。板之代表性尺寸為大約1 mm之板主體厚度C、大約0.5 mm之脊部厚度D及約3 mm之脊部突出長度E。應理解，此等尺寸僅為代表性的，且將根據彼實施之技術要求選擇在任何給定實施中使用之尺寸。在一些實施例中，凹槽間距可為8 mm。在脊部壁區段之間具有一或多個間隙之實施例中，間隙之寬度可為例如3 mm。

該等脊部可組態為階梯。該等階梯可相對於重力水平成角度。此可藉由使階梯相對於板200成角度或藉由階梯與成角度板正交地突出，或藉由引入在此等配置之某一組合中的角度來達成。舉例而言，除了在圖6C中板主體205相對於豎直成角度θ，圖6C為與6B中之配置相同之側剖視圖。對於一些實施，此增強脊部320、330及340阻滯熔融靶材跨板主體200之面流動的能力。角度θ可例如在大約5°至大約45°範圍內，且更特定言之在大約10°至大約30°範圍內。

圖7展示其中板200相對於豎直成角度且脊部360及365相對於板200成角度的配置之實例。此形成如圖7中所展示之鉤狀配置。在板200的脊部上流動的熔融錫將固化成塊狀物370，且傾向於形成機械地鎖存至板200的互補鉤狀結構，因此額外固定塊狀物370。

剛剛所描述之實施例之Z字形脊部為用以捕捉錫的表面結構之一個實例。圖8A展示圓形壓痕400之配置，其經配置以捕獲在板200之表面上流動的錫。圓形壓痕400可具有比圖8A之實例中所展示之圓形壓痕的半徑更大或更小的半徑。如圖8A中所展示之圓形壓痕400以週期性陣列配置，但亦可使用隨機配置。此對於本文中所揭示之所有週期性配置成立。圖8B展示長橢圓形壓痕420之配置。此外，長橢圓形壓痕420可具有比圖8B之實例中所展示之高度及/或寬度更大或更小的高度及/或寬度。

圖9A展示經配置以捕獲在板200之表面上流動之錫的線性壓痕430之配置的實例。壓痕430可具有各種寬度及深度。壓痕430可跨板200之長度完全延伸。替代地，壓痕430可劃分成由如圖9B中所展示之間隙445分離的區段440。ga[s可如所展示對準或可未對準，亦即相對於彼此交錯。圖10A展示脊部460自豎直向後傾斜角度θ'之配置。該等脊部可如圖10A中所展示向後傾斜或如在圖10B中之脊部465所展示向前傾斜。角度θ'可例如在大約5°至大約45°範圍內，且更特定言之在大約10°至大約30°範圍內。

阻滯結構可具有數個橫截面形狀中之任一者。舉例而言，如圖11B中所展示，其為沿著圖11A之線C-C截取的橫截面，波谷470中的各者可具有方形橫截面輪廓。如圖11C中所展示，波谷480中的各者可具有開放(底部向上)梯形橫截面。如圖11D中所展示，波谷490中的各者可具有藉由平穩段或平坦部分分離的三角形橫截面。如圖11E中所展示，波谷495中的各者可具有不具有介入平坦部分的三角形橫截面。將顯而易見，許多其他組態係可能的，且可根據給定應用之設計考慮因素來組合此等組態。

此等經工程改造之表面紋理或構形可使用例如鑽孔、銑削或壓痕技術產生。工程改造此等表面構形之整體效應為故意引入將減緩及阻滯熔融錫跨表面流動的結構。

其他配置係可能的。圖12為具備圓柱形結構510陣列之板200之一部分的透視圖。圓柱形結構510之間隔或間距可例如在大約5 mm至大約7 mm範圍內。

圖13A展示具有豎直系列之縫隙520的配置，各縫隙520下方之溝槽區段530在「奶酪刨絲器」配置中自表面升高，其中錫可流動穿過縫隙520且向下至板200之背面。圖13B為沿著圖13A配置的線FF的剖面側視圖，箭頭指示遇到著陸在板200上之虛線上方的錫之錫之可能流動方向。圖13C展示類似於圖13A之配置，除了圖13C之縫隙540不為連續的，替代地水平地分開從而在縫隙540之間產生用於錫之流動的通道。應注意，在圖13A及圖13C之配置中的主體200可類似於圖6C中之板主體205之定向傾斜。

除了在錫跨其流動之板200之表面上提供脊部及/或壓痕之此等結構之外，表面亦可經粗糙化以增強表面減緩錫之流動的能力。粗糙化可藉由填充或蝕刻進行，且可為隨機的或呈圖案。圖14A至圖14F展示可產生之各種圖案。因此，圖14A展示板200之表面的對角線圖案。圖14B展示交叉影線圖案。此外，此等圖案中之任一者可為週期性且如所展示均勻隔開，或若例如其藉由填充或刮擦板200之表面而形成，則可更隨機地分佈。圖14C展示平行於板200之長度延行的圖案。圖14D展示橫向於板200之表面的長度延行的圖案。圖14E展示平行於板200之表面之長度延行的軌跡之密集圖案。圖14F展示板200上之密集菱形圖案。

板200可由與錫迅速形成金屬間接合以促進將錫散佈於表面上之材料製成或塗佈有該材料。此等材料包括鋁、鉬、鎳、銀及基於沃斯田鎳-鉻之超合金，諸如Inconel®合金。

板200在上文主要描述為組態為導管中之插入件。板200及導管112可經組態以准許在源之操作期間易於移除插入件且用清潔插入件替換。然而，如所提及，障礙物可替代地與導管112之側壁成一體。

板200亦在上文主要描述為用於靶材容器導管中。然而，一般熟習此項技術者將顯而易見，插入件之益處亦可藉由將板(諸如，板200)置放於其他埠、導管、孔徑及類似者中來獲得，在其他埠、導管、孔徑及類似者中，錫在內表面上之不可控累積會導致堵塞或其他不合需要之形式的錫累積。對於一般熟習此項技術者亦將顯而易見的係，插入件之益處亦可藉由將插入件置放於其他表面上來獲得，在其他表面中錫在內表面上之不可控累積可導致錫噴射或錫脫離表面且撞擊收集器。

圖15展示實施例之另一態樣。如可看出，導管112可相對於重力(箭頭G)傾斜。根據實施例之態樣，此角度可在大約20°至大約40°範圍內，例如28°。圖15中亦展示經配置以將板200維持在低於靶材之熔點的溫度下之溫度控制板215。此准許靶材沿著箭頭T之方向流動，但靶材將在板200上固化且經捕獲。

將導管頂蓋元件225維持在高於靶材熔融溫度(對於錫，232℃)，此防止錫在經暴露頂部表面上固化以維持液態錫層。衝擊頂蓋元件210之底部表面的錫碎屑將加入液態錫層。在液態錫層已累積錫流動之臨界重量之後，錫開始在箭頭R方向上朝向頂蓋板210之邊緣流動。在一個位置處的邊緣上累積足夠的錫之後，液態錫滴落至板200上捕獲錫之著陸區上。

因此，亦如圖15中所展示，將導管頂部元件225定位於頂蓋元件210下方。根據實施例之態樣，頂部元件225可具有相對於頂蓋元件210成一角度安置之底部表面，該角度在導管112具有傾斜定向的情況下增加相對於已存在之重力之角度。最終角度θ''可相對於水平在大約20°至大約40°範圍內，例如32.5°。該角度准許收集於頂部元件225之經暴露表面上的熔融靶材流出頂部元件225且流動至板200上。頂部元件225可用其自身加熱器主動地加熱，或如所展示，頂部元件可藉由與另一經加熱表面(亦即，藉由溫度控制板215加熱之表面)熱接觸而被動地加熱。出於以下論述之目的，具有板200之側壁稱為左側壁217，且相對側壁稱為右側壁219，「右」及「左」自導管112之收集器側上之入口的視角檢視。因此，錫經由導管自容器流動至錫捕獲器在圖之平面中。僅出於促進以下描述中的清楚之目的提供此等參考。一般熟習此項技術者應瞭解，指定為任意的。舉例而言，在一些實施例中，板200可設置於右側壁上。

如上文所提及，頂部元件225可藉由指定加熱器主動地加熱，或頂部元件225可藉由與另一經加熱表面(例如，藉由溫度控制板215加熱之表面)熱接觸而被動地加熱。圖16展示界定具有經加熱頂板230之導管112之錫控制插入件之實例。左側壁217在圖16中不可見，但自圖16之視角來看，其定位於板200下方。右側壁219自圖16之視角來看在頂部處。頂部元件225在圖16中不可見，但自圖16之視角來看定位於經加熱頂板230後方。根據實施例之態樣，頂板230具備意欲控制錫沿著頂板邊緣231之運動的滴液特徵250，該頂板邊緣231經安置以平行且鄰近於板200之邊緣202延伸至選定區段以控制滴落至側板200上。滴液特徵250亦引導錫之流動使得錫累積為下降得更快。圖16之視圖通常向上，使得經加熱頂板230之底部表面可見。在圖16之實例中，經加熱頂板230藉由以虛線展示之加熱絲236主動地加熱，該加熱絲定位在經加熱頂板230內部以與經加熱頂板230之底部表面熱接觸。累積於經加熱頂板230之底部表面上的錫如上文所描述側向地流動(在圖中在箭頭之方向上通常向下流動)至側板200上。

大體上平行於側板200之縱向邊緣202延行的經加熱頂板230之底部表面之邊緣231具備控制錫沿著邊緣231及離開邊緣231且至板200上之流動的滴液特徵250。根據一個態樣，滴液特徵250經配置以阻礙平行於側板200之邊緣的錫之流動且因此可能朝向收集器退出。根據另一態樣，下降特徵250界定錫可聚結且隨後下落至側板200上之位點。

如圖16中所展示，滴液特徵250組態為三角形元件之線性陣列。三角形元件可形成為例如藉由銑削製造之凹陷或凹口。各三角形元件之基底經配置以與頂板230之底部表面233之邊緣231重合。雖然此等三角形元件在以下描述中用作實例，但一般熟習此項技術者將瞭解，可使用其他形狀。三角形元件可具有任何合適的尺寸，諸如約6 mm之基底長度及約3 mm的深度。

圖17A為經加熱頂板230之底部表面233的平面圖。此外，在圖17A之實例中，大體上平行於側板200之縱向邊緣延行的經加熱頂板230之底部表面233之邊緣231具備控制錫之流動的滴液特徵250。錫之流動通常在箭頭T之方向上。如在圖16中，滴液特徵250組態為三角形元件之線性陣列。根據另一態樣，圖17A之經加熱頂板230具有更接近插入件之前部(導管之收集器側)之開口定位的第一區段232及朝向插入件之後部(導管之錫捕獲器側)定位的第二區段234。通常將具有至收集器之視線的此第一區段232延伸約例如50 mm。

如自圖17B更顯而易見，圖17B為自導管112之左手側之視角截取的經加熱頂板230之側視圖。第一區段232成角度，其中第一區段232之前部部分在處於適當的位置時比第一區段232之後部部分更高，使得撞擊及累積錫流動表面235於第一區段232上之熔融錫將傾向於遠離導管之入口流動且因此遠離諸如收集器光學器件之脆弱元件。

圖18A為圖17A中之區域18A的放大。根據態樣，滴液特徵250在連接區域256處會合。連接區域256可為頂點，或可為具有約0.5 mm之曲率半徑及約90°之角度θ的弧形。錫之流動通常在箭頭T之方向上。滴液特徵250之表面可具有材料層252，其傾向於排斥錫，亦即具疏錫性，諸如氮化鈦(TiN)。嗜錫性表面促進錫與表面之黏附及錫跨成角度突出邊緣之流動。頂板230之除滴液特徵250以外之表面可具有材料層254，其傾向於不排斥錫，亦即嗜錫性的，諸如錫自身。此促成滴液特徵250在三角形特徵之頂點258中聚結錫的效應，因此使得頂點258有效地為錫在掉落至側板200上之前收集於此的錫聚結位點。嗜錫性表面之邊界及自嗜錫性表面塗層至疏錫性表面塗層之轉變促進錫之聚結。

圖18B為圖17B之區域18B的放大。根據態樣，滴液特徵250可具有約0.5 mm的深度。圖18B中亦可見疏錫性材料層252及嗜錫性材料層254。

圖19為自板邊緣202 (未展示)之視角在頂板邊緣231處向上觀察且說明滴液特徵250之配置之一部分的透視圖。錫之流動通常在箭頭T之方向上。類似於圖16中所展示內容，滴液特徵250組態為形成為例如藉由銑削製造之凹陷的三角形元件之線性陣列。滴液特徵250傾向於在滴液特徵250之頂點258中聚結錫，因此使得頂點258有效地為錫(諸如，錫塊狀物260)在掉落至側板200上之前收集於此的錫聚結位點。圖18B中亦可見疏錫性材料層252及嗜錫性材料層254以及連接區域256。

根據另一態樣，經加熱頂板230之溫度具有梯度，亦即致使具有收集器之視線的第一區段232 (圖17A)具有比第二區段234更低的溫度。此係因為錫噴射速率依據溫度而變化，且因此第一區段232之溫度保持較低以減少可能具有至收集器之不受阻路徑的錫之噴射。第一區段232因此可具有在約235℃至約260℃範圍內之溫度，且第二區段234可具有高於第一區段之溫度的在約250℃至約330℃範圍內之溫度，但其他溫度及相對溫度可用於其他配置中。此外，如所提及，第一區段232具有輕微重力向上角度。此確保熔融錫累積傾向於流動遠離收集器之視線，再次使收集器上之噴射最小化。根據實施例之態樣，第一區段232並不具備滴液特徵250以避免錫在第一區段232中累積，而非腔室26之內部較遠的第二區段234中之較佳累積。

此外，根據態樣，且如圖20中所展示，頂板230與側板200間隔開以建立例如至少5 mm之間隙G。錫之流動通常在箭頭T之方向上。間隙G防止熔融錫橋接於頂板230與側壁200之間，且因此導致熱短接。

以上描述包括一或多個實施例之實例。當然，不可能出於描述此等實施例之目的而描述組件或方法之每一可想到的組合，但一般熟習此項技術者將認識到，各種實施例之許多另外組合及排列係可能的。因此，所描述之實施例意欲包涵屬於隨附申請專利範圍之精神及範疇的所有此等變更、修改及變化。此外，就術語「包括」用於實施方式或申請專利範圍中而言，此術語意欲以相似於術語「包含」在「包含」作為過渡詞用於請求項中時所解釋之方式而為包括性的。此外，儘管所描述之態樣及/或實施例的元件可以單數形式來描述或主張，但除非明確陳述單數限制，否則亦涵蓋複數。另外，除非另有陳述，否則任何態樣及/或實施例之全部或一部分均可與任何其他態樣及/或實施例之全部或一部分一起加以利用。

可使用以下條項進一步描述實施。 1.一種導管結構，其經調適以置放為與用於一極紫外光(EUV)輻射源之一腔室之一內部流體連通，一靶材在該腔室中經變換，該導管結構包含面向該導管結構之一內部的至少一個側壁，該側壁之至少一部分具備經配置以阻礙熔融靶材跨該側壁之該部分的一流動之複數個流動障礙物。 2.如條項1之導管結構，其進一步包含經配置以覆蓋該側壁之該至少一部分的一板，該複數個流動障礙物配置於該板上。 3.如條項1之導管結構，其中該複數個流動障礙物包含至少部分地經由該導管結構在一第一方向上延伸之複數個同向脊部。 4.如條項3之導管結構，其中該等脊部中之一者為非連續的。 5.如條項3之導管結構，其中該等脊部按一Z形圖案延伸，其中相對於該第一方向按一第一角度成角度的一第一筆直區段群組與相對於該第一方向按一第二角度成角度的一第二筆直區段群組交替。 6.如條項5之導管結構，其中該等脊部中之一者為非連續的。 7.如條項1之導管結構，其中該至少一個側壁具有在一第一縱向方向上延伸的一第一側壁邊緣且進一步包含面向該導管結構之一內部的一頂壁，該頂壁經配置以具有在該第一縱向方向上大體上平行於該第一側壁邊緣延伸的一頂壁邊緣，該頂壁邊緣具有經配置以在該第一方向上抑制沿著該頂壁邊緣之靶材之一流動的複數個邊緣特徵。 8.一種極紫外光(EUV)輻射源，其包括一EUV靶材經變換之一腔室，該腔室具有至少一個導管結構，該至少一個導管結構具有暴露於該EUV靶材之一表面，其中該表面之一第一部分配置於熔融靶材遇到該表面之該第一部分的一位置處且配置有一定向，使得重力將傾向於跨該表面之該第一部分在一第一方向上向下拉動該熔融靶材，且在該表面之該第一部分下方之一第二部分具備經配置以阻礙熔融靶材跨該第二部分在該第一方向上之一流動的複數個流動障礙物。 9.如條項8之EUV輻射源，其中該表面包含一板插入件，該板插入件包括該複數個流動障礙物。 10.如條項9之EUV輻射源，其中該板插入件維持在低於該靶材之一熔融溫度的一溫度下。 11.如條項9之EUV輻射源，其中該靶材為錫，且該板插入件維持在不大於大約200℃之一溫度下。 12.如條項8之EUV輻射源，其中該複數個流動障礙物包含在實質上垂直於該第一方向之一第二方向上延伸的複數個同向脊部。 13.如條項12之EUV輻射源，其中該等脊部中之一最上者為非連續的。 14.如條項8之EUV輻射源，其中該等脊部按一Z形圖案延伸，其中相對於該第二方向按一第一角度成角度的一第一筆直區段群組與相對於該第二方向按一第二角度成角度的一第二筆直區段群組交替。 15.如條項14之EUV輻射源，其中該等脊部中之一最上者為非連續的，從而界定穿過該最上脊部之複數個間隙。 16.如條項8之EUV輻射源，其進一步包含至少部分地圍繞定位於該腔室中之一收集器鏡面之一圓周配置的一冷卻流動環，該導管結構定位於該冷卻流動環中以提供該腔室之該內部與一靶材容器之間的一路徑。 17.如條項8之EUV輻射源，其中該複數個流動障礙物包含複數個實質上圓形壓痕。 18.如條項8之EUV輻射源，其中該複數個流動障礙物包含複數個實質上矩形壓痕。 19.如條項18之EUV輻射源，其中該複數個實質上矩形壓痕與該表面之該第二部分之一長度共同延伸。 20.如條項19之EUV輻射源，其中該複數個實質上矩形壓痕以一陣列中之列及行配置。 21.如條項8之EUV輻射源，其中該複數個流動障礙物包含位於該第二部分上之複數個成角度葉片。 22.如條項8之EUV輻射源，其中該複數個流動障礙物包含垂直於該第一方向延伸之複數個細長縫隙，其中各縫隙具有一相關聯溝槽部分。 23.如條項8之EUV輻射源，其中該表面之至少一部分經粗糙化。 24.如條項8之EUV輻射源，其進一步包含一頂部表面元件，該頂部表面元件鄰近於該表面且相對於該表面成角度且經調適及配置以准許在該頂部表面元件上收集之熔融靶材自該頂部表面元件流動出且流動至該表面上。 25.一種極紫外光(EUV)輻射源，其包括一腔室及經由一導管與該腔室之一內部流體連通的一靶材容器，該導管包含經定位以至少部分地覆蓋該導管之一內部表面的一靶材收集板，該靶材收集板包括經組態以阻礙熔融靶材跨複數個結構之一流動之該複數個結構且因此准許該熔融靶材固化在該靶材收集板上。 26.如條項25之EUV輻射源，其中該靶材收集板具有在一第一縱向方向上延伸之一第一靶材收集板邊緣且進一步包含面向該導管結構之一內部的一頂壁，該頂壁經配置以具有在該第一縱向方向上實質上平行於該第一靶材收集板邊緣延伸的一頂壁邊緣，該頂壁邊緣具有經配置以在該第一方向上抑制靶材沿著該頂壁邊緣之一流動的複數個邊緣特徵。 27.一種極紫外光(EUV)輻射源，其包括一腔室，該腔室包括在EUV輻射之產生期間暴露於殘餘靶材之一位置處的一表面，該源包含至少部分地覆蓋該表面之一靶材收集板、經組態以將該靶材收集板維持在低於該靶材之一熔融溫度之一溫度下的一溫度控制器，該靶材收集板包括複數個流動障礙物，該靶材收集板經定向以使得重力將跨該等流動障礙物拉動熔融靶材且該等流動障礙物經定向以阻滯熔融靶材之一流動。 28.一種導管結構，其經調適以置放為與用於一極紫外光(EUV)輻射源之一腔室之一內部流體連通，一靶材在該腔室中經變換，該導管結構包含： 至少一個側壁，其面向該導管結構之一內部，該至少一個側壁具有在一第一縱向方向上延伸的一第一側壁邊緣且該側壁之至少一部分具備實質上在該第一縱向方向上延伸且經配置以阻礙熔融靶材跨該側壁之該部分在不同於該第一方向之一第二方向上的一流動之複數個流動障礙物；及 一頂壁，其面向該導管結構之一內部，該頂壁經配置以具有在該第一縱向方向上實質上平行於該第一側壁邊緣延伸的一頂壁邊緣，該頂壁邊緣具有經配置以抑制靶材沿著該頂壁邊緣在該第一縱向方向上的一流動之複數個邊緣特徵。 29.如條項28之導管結構，其中該頂壁與一熱源熱接觸以使得該頂壁達到大於該靶材之一熔融溫度的一溫度。 30.如條項28之導管結構，其中該複數個邊緣特徵包含複數個凹陷。 31.如條項30之導管結構，其中該複數個凹陷以一線性陣列配置。 32.如條項31之導管結構，其中各凹陷為實質上三角形的，其中該凹陷之一基底定位於該頂壁邊緣處。 33.如條項30之導管結構，其中各凹陷之一表面具備一疏錫性材料層。 34.如條項33之導管結構，其中該頂壁之除該等凹陷之該等表面外之一表面的至少部分具備一嗜錫性材料層。 35.如條項33之導管結構，其中該頂壁之除該等凹陷之該等表面外之一表面覆蓋有一嗜錫性材料層。 36.如條項28之導管結構，其進一步包含與該頂壁之至少部分熱接觸且經配置以將該頂壁之至少部分維持在一第一溫度下的一加熱元件。 37.如條項36之導管結構，其中該加熱元件經配置以將該頂壁之一第一部分維持在該第一溫度下且將該頂壁之一第二部分維持在不同於該第一溫度之一第二溫度下。 38.一種極紫外光(EUV)輻射源，其包括一EUV靶材經變換之一腔室，該腔室具有至少一個導管結構，該導管結構包含 一橫向側表面，其暴露於該EUV靶材，其中該橫向側表面之一第一部分配置於自該導管之一頂部表面流動之熔融靶材向下滴落至該橫向側表面之該第一部分上的一位置處且配置有一定向使得重力將傾向於跨該橫向側表面之該第一部分在一第一方向上向下拉動該熔融靶材，及該橫向側表面之在該第一部分下方的具備複數個流動障礙物之一第二部分經配置以阻礙熔融靶材跨該第二部分在該第一方向上之一流動，該橫向側表面具有在一第二方向上延伸的一第一橫向側表面邊緣；及 該頂部表面，其經配置以具有在該第二方向上實質上平行於第一橫向側表面邊緣延伸的一頂部表面邊緣，該頂部壁表面具有經配置以抑制靶材沿著該頂部表面邊緣在該第二方向上之一流動的複數個邊緣特徵。 39.如條項38之EUV輻射源，其中該複數個邊緣特徵包含複數個凹陷。 40.如條項39之EUV輻射源，其中該複數個凹陷以一線性陣列配置。 41.如條項39之EUV輻射源，其中各凹陷為實質上三角形的，其中該凹陷之一基底定位於該頂壁邊緣處。 42.如條項39之EUV輻射源，其中各凹陷之一表面具備一疏錫性材料層。 43.如條項42之EUV輻射源，其中該頂壁之除該等凹陷之該等表面外的一表面的至少部分具備一嗜錫性材料層。 44.如條項38之導管結構，其進一步包含與該頂壁之至少部分熱接觸且經配置以將該頂壁之至少部分維持在一第一溫度下的一加熱元件。 45.如條項44之EUV輻射源，其中該加熱元件經配置以將該頂壁之一第一部分維持在該第一溫度下且將該頂壁之一第二部分維持在不同於該第一溫度之一第二溫度下。

上述實施及其他實施在以下申請專利範圍之範疇內。

10:EUV輻射源 12:輻射光束/雷射輻射 14:液滴 18A:區域 18B:區域 22:雷射源 24:靶材遞送系統 26:真空腔室 27:腔室壁 28:輻照區 30:收集器 32:光束轉向系統 34:靶材容器/錫捕獲器 36:葉片 40:中間焦點 50:掃描器 52:矽晶圓工件 54:遮罩 60:EUV光源控制器系統 62:目標位置偵測回饋系統 65:雷射發射控制系統 70:目標位置偵測系統 90:目標遞送控制系統 92:液滴產生器 100:集流環 110:錫捕獲器入口 112:導管 120:集流錐 125:排氣埠 130:區段 140:高流動洗滌器 200:板/側板 202:邊緣 205:板主體 210:頂蓋元件 215:溫度控制板 217:左側壁 219:右側壁 225:導管頂蓋元件 230:經加熱頂板 231:頂板邊緣 232:第一區段 233:底部表面 234:第二區段 235:錫流動表面 236:加熱絲 250:滴液特徵 252:材料層 254:材料層 256:連接區域 258:頂點 260:錫塊狀物 300:虛點線/著陸區 310:障礙物 320:脊部 330:脊部 340:脊部 350:間隙 360:脊部 365:脊部 370:塊狀物 400:圓形壓痕 420:長橢圓形壓痕 430:線性壓痕 440:區段 445:間隙 460:脊部 465:脊部 470:波谷 480:波谷 490:波谷 495:波谷 510:圓柱形結構 520:縫隙 530:溝槽區段 540:縫隙 A:箭頭 BB:線 C:板主體厚度 C-C:線 D:脊部厚度 E:脊部突出長度 FF:線 G:箭頭/間隙 R:箭頭 T:箭頭 X:軸 Z:軸 θ:角度 θ':角度 θ'':最終角度

圖1為用於雷射產生電漿EUV輻射源系統之總體廣泛概念的示意性未按比例繪製視圖。

圖2為展示用於雷射產生電漿EUV輻射源系統中之腔室及氣流系統之可能配置的未按比例繪製圖。

圖3A為雷射產生電漿EUV輻射源系統之可能配置之一部分的示意性未按比例繪製平面圖。

圖3B為根據本發明所揭示主題之實施例之態樣的雷射產生電漿EUV輻射源系統之可能配置之一部分的示意性未按比例繪製平面圖。

圖4為展示根據本發明所揭示主題之實施例之態樣的用於靶材容器之入口的靶材控制系統之可能配置的未按比例繪製透視圖。

圖5為展示根據本發明所揭示主題之實施例之態樣的用於靶材容器之入口的靶材控制系統之可能結構的未按比例繪製透視圖。

圖6A為展示根據本發明所揭示主題之實施例之態樣的用於靶材容器之入口的靶材控制系統之插入件板上的流動障礙物之可能配置的未按比例繪製平面圖。

圖6B為展示根據本發明所揭示主題之實施例之態樣的用於靶材容器之入口之靶材控制系統的插入件板之可能配置的沿著圖6A之線BB截取之未按比例繪製剖面側視圖。

圖6C為展示根據本發明所揭示主題之實施例之態樣的用於靶材容器之入口的靶材控制系統之插入件板的另一可能配置之未按比例繪製剖面側視圖。

圖7為展示根據本發明所揭示主題之實施例之態樣的用於靶材容器之入口的靶材控制系統之靶材捕獲及保持的剖面側視圖。

圖8A及圖8B為展示根據本發明所揭示主題之實施例之態樣的用於靶材容器之入口的靶材控制系統之插入件板上的流動障礙物之其他可能配置的未按比例繪製平面圖。

圖9A及圖9B為展示根據本發明所揭示主題之實施例之態樣的用於靶材容器之入口的靶材控制系統之插入件板上的流動障礙物之其他可能配置的未按比例繪製平面圖。

圖10A及圖10B為展示根據本發明所揭示主題之實施例之態樣的用於靶材容器之入口的靶材控制系統之插入件板上的流動障礙物之其他可能配置的未按比例繪製平面圖。

圖11A為根據本發明所揭示主題之實施例之態樣的用於靶材控制系統之插入件板的未按比例繪製圖。

圖11B至圖11E為根據本發明所揭示主題之實施例之態樣的沿著圖11之線C-C截取的圖11之插入件板上的錫阻滯結構之實施例的橫截面。

圖12為展示根據本發明所揭示主題之實施例之態樣的用於靶材容器之入口的靶材控制系統之插入件板上的流動障礙物之另一可能配置的未按比例繪製透視圖。

圖13A為展示根據本發明所揭示主題之實施例之態樣的用於靶材容器之入口的靶材控制系統之插入件板上的流動障礙物之可能配置的未按比例繪製透視圖。

圖13B為根據本發明所揭示主題之實施例之態樣的用於靶材容器之入口之靶材控制系統的插入件板之可能配置的沿著圖13A之線FF截取之未按比例繪製剖面側視圖。

圖13C為展示根據本發明所揭示主題之實施例之態樣的用於靶材容器之入口的靶材控制系統之插入件板上的流動障礙物之另一可能配置的未按比例繪製透視圖。

圖14A至圖14F為根據本發明所揭示主題之實施例之態樣的可用於用於靶材容器之入口的靶材控制系統之插入件板上的表面粗糙化之平面圖。

圖15為根據本發明所揭示主題之實施例之態樣的用於靶材容器之入口的靶材控制系統之平面示意圖。

圖16為根據本發明所揭示主題之實施例之態樣的用於靶材容器之入口的靶材控制系統之底部透視圖。

圖17A為根據本發明所揭示主題之實施例之態樣的用於靶材容器之入口的靶材控制系統之頂板之底部的平面圖。

圖17B為根據本發明所揭示主題之實施例之態樣的用於靶材容器之入口的靶材控制系統之頂板的邊緣視圖。

圖18A為圖17A之一部分的放大。

圖18B為圖17B之一部分的放大。

圖19為根據本發明所揭示主題之實施例之態樣的用於靶材容器之入口的靶材控制系統之頂板的邊緣的一部分之透視圖。

圖20為根據本發明所揭示主題之實施例之態樣的用於靶材容器之入口的靶材控制系統之正視圖。

下文參考隨附圖式詳細地描述本發明之另外特徵及優勢，以及本發明之各種實施例之結構及操作。本文中僅出於說明性目的而呈現實施例。基於本文中所含之教示，額外實施例對於熟習相關技術者而言將為顯而易見的。

30:收集器

34:靶材容器/錫捕獲器

100:集流環

112:導管

200:板/側板

210:頂蓋元件

A:箭頭

Claims (45)

1. 一種導管結構，其經調適以置放為與用於一極紫外光(EUV)輻射源之一腔室之一內部流體連通，一靶材在該腔室中經變換，該導管結構包含面向該導管結構之一內部的至少一個側壁，該側壁之至少一部分具備經配置以阻礙熔融靶材跨該側壁之該部分的一流動之複數個流動障礙物。
2. 如請求項1之導管結構，其進一步包含經配置以覆蓋該側壁之該至少一部分的一板，該複數個流動障礙物配置於該板上。
3. 如請求項1之導管結構，其中該複數個流動障礙物包含至少部分地經由該導管結構在一第一方向上延伸之複數個同向脊部。
4. 如請求項3之導管結構，其中該等脊部中之一者為非連續的。
5. 如請求項3之導管結構，其中該等脊部按一Z形圖案延伸，其中相對於該第一方向按一第一角度成角度的一第一筆直區段群組與相對於該第一方向按一第二角度成角度的一第二筆直區段群組交替。
6. 如請求項5之導管結構，其中該等脊部中之一者為非連續的。
7. 如請求項1之導管結構，其中該至少一個側壁具有在一第一縱向方向上延伸的一第一側壁邊緣且進一步包含面向該導管結構之一內部的一頂壁，該頂壁經配置以具有在該第一縱向方向上實質上平行於該第一側壁邊緣延伸的一頂壁邊緣，該頂壁邊緣具有經配置以抑制靶材沿著該頂壁邊緣在該第一方向上之一流動的複數個邊緣特徵。
8. 一種極紫外光(EUV)輻射源，其包括一EUV靶材經變換之一腔室，該腔室具有至少一個導管結構，該至少一個導管結構具有暴露於該EUV靶材之一表面，其中該表面之一第一部分配置於熔融靶材遇到該表面之該第一部分的一位置處且配置有一定向，使得重力將傾向於跨該表面之該第一部分在一第一方向上向下拉動該熔融靶材，且在該表面之該第一部分下方之一第二部分具備經配置以阻礙熔融靶材跨該第二部分在該第一方向上之一流動的複數個流動障礙物。
9. 如請求項8之EUV輻射源，其中該表面包含一板插入件，該板插入件包括該複數個流動障礙物。
10. 如請求項9之EUV輻射源，其中該板插入件維持在低於該靶材之一熔融溫度的一溫度下。
11. 如請求項9之EUV輻射源，其中該靶材為錫，且該板插入件維持在不大於大約200℃之一溫度下。
12. 如請求項8之EUV輻射源，其中該複數個流動障礙物包含在實質上垂直於該第一方向之一第二方向上延伸的複數個同向脊部。
13. 如請求項12之EUV輻射源，其中該等脊部中之一最上者為非連續的。
14. 如請求項8之EUV輻射源，其中該等脊部按一Z形圖案延伸，其中相對於該第二方向按一第一角度成角度的一第一筆直區段群組與相對於該第二方向按一第二角度成角度的一第二筆直區段群組交替。
15. 如請求項14之EUV輻射源，其中該等脊部中之一最上者為非連續的，從而界定穿過該最上脊部之複數個間隙。
16. 如請求項8之EUV輻射源，其進一步包含至少部分地圍繞定位於該腔室中之一收集器鏡面之一圓周配置的一冷卻流動環，該導管結構定位於該冷卻流動環中以提供該腔室之該內部與一靶材容器之間的一路徑。
17. 如請求項8之EUV輻射源，其中該複數個流動障礙物包含複數個實質上圓形壓痕。
18. 如請求項8之EUV輻射源，其中該複數個流動障礙物包含複數個實質上矩形壓痕。
19. 如請求項18之EUV輻射源，其中該複數個實質上矩形壓痕與該表面之該第二部分之一長度共同延伸。
20. 如請求項19之EUV輻射源，其中該複數個實質上矩形壓痕以一陣列中之列及行配置。
21. 如請求項8之EUV輻射源，其中該複數個流動障礙物包含位於該第二部分上之複數個成角度葉片。
22. 如請求項8之EUV輻射源，其中該複數個流動障礙物包含垂直於該第一方向延伸之複數個細長縫隙，其中各縫隙具有一相關聯溝槽部分。
23. 如請求項8之EUV輻射源，其中該表面之至少一部分經粗糙化。
24. 如請求項8之EUV輻射源，其進一步包含一頂部表面元件，該頂部表面元件鄰近於該表面且相對於該表面成角度且經調適及配置以准許在該頂部表面元件上收集之熔融靶材自該頂部表面元件流動出且流動至該表面上。
25. 一種極紫外光(EUV)輻射源，其包括一腔室及經由一導管與該腔室之一內部流體連通的一靶材容器，該導管包含經定位以至少部分地覆蓋該導管之一內部表面的一靶材收集板，該靶材收集板包括經組態以阻礙熔融靶材跨複數個結構之一流動之該複數個結構且因此准許該熔融靶材固化在該靶材收集板上。
26. 如請求項25之EUV輻射源，其中該靶材收集板具有在一第一縱向方向上延伸之一第一靶材收集板邊緣且進一步包含面向該導管結構之一內部的一頂壁，該頂壁經配置以具有在該第一縱向方向上實質上平行於該第一靶材收集板邊緣延伸的一頂壁邊緣，該頂壁邊緣具有經配置以抑制靶材沿著該頂壁邊緣在該第一方向上之一流動的複數個邊緣特徵。
27. 一種極紫外光(EUV)輻射源，其包括一腔室，該腔室包括在EUV輻射之產生期間暴露於殘餘靶材之一位置處的一表面，該源包含至少部分地覆蓋該表面之一靶材收集板、經組態以將該靶材收集板維持在低於該靶材之一熔融溫度之一溫度下的一溫度控制器，該靶材收集板包括複數個流動障礙物，該靶材收集板經定向以使得重力將跨該等流動障礙物拉動熔融靶材且該等流動障礙物經定向以阻滯熔融靶材之一流動。
28. 一種導管結構，其經調適以置放為與用於一極紫外光(EUV)輻射源之一腔室之一內部流體連通，一靶材在該腔室中經變換，該導管結構包含： 至少一個側壁，其面向該導管結構之一內部，該至少一個側壁具有在一第一縱向方向上延伸的一第一側壁邊緣且該側壁之至少一部分具備實質上在該第一縱向方向上延伸且經配置以阻礙熔融靶材跨該側壁之該部分在不同於該第一方向之一第二方向上的一流動之複數個流動障礙物；及 一頂壁，其面向該導管結構之一內部，該頂壁經配置以具有在該第一縱向方向上實質上平行於該第一側壁邊緣延伸的一頂壁邊緣，該頂壁邊緣具有經配置以抑制靶材沿著該頂壁邊緣在該第一縱向方向上的一流動之複數個邊緣特徵。
29. 如請求項28之導管結構，其中該頂壁與一熱源熱接觸以使得該頂壁達到大於該靶材之一熔融溫度的一溫度。
30. 如請求項28之導管結構，其中該複數個邊緣特徵包含複數個凹陷。
31. 如請求項30之導管結構，其中該複數個凹陷以一線性陣列配置。
32. 如請求項31之導管結構，其中各凹陷為實質上三角形的，其中該凹陷之一基底定位於該頂壁邊緣處。
33. 如請求項30之導管結構，其中各凹陷之一表面具備一疏錫性材料層。
34. 如請求項33之導管結構，其中該頂壁之除該等凹陷之該等表面外之一表面的至少部分具備一嗜錫性材料層。
35. 如請求項33之導管結構，其中該頂壁之除該等凹陷之該等表面外之一表面覆蓋有一嗜錫性材料層。
36. 如請求項28之導管結構，其進一步包含與該頂壁之至少部分熱接觸且經配置以將該頂壁之至少部分維持在一第一溫度下的一加熱元件。
37. 如請求項36之導管結構，其中該加熱元件經配置以將該頂壁之一第一部分維持在該第一溫度下且將該頂壁之一第二部分維持在不同於該第一溫度之一第二溫度下。
38. 一種極紫外光(EUV)輻射源，其包括一EUV靶材經變換之一腔室，該腔室具有至少一個導管結構，該導管結構包含 一橫向側表面，其暴露於該EUV靶材，其中該橫向側表面之一第一部分配置於自該導管之一頂部表面流動之熔融靶材向下滴落至該橫向側表面之該第一部分上的一位置處且配置有一定向使得重力將傾向於跨該橫向側表面之該第一部分在一第一方向上向下拉動該熔融靶材，及該橫向側表面之在該第一部分下方的具備複數個流動障礙物之一第二部分經配置以阻礙熔融靶材跨該第二部分在該第一方向上之一流動，該橫向側表面具有在一第二方向上延伸的一第一橫向側表面邊緣；及 該頂部表面，其經配置以具有在該第二方向上實質上平行於第一橫向側表面邊緣延伸的一頂部表面邊緣，該頂部壁表面具有經配置以抑制靶材沿著該頂部表面邊緣在該第二方向上之一流動的複數個邊緣特徵。
39. 如請求項38之EUV輻射源，其中該複數個邊緣特徵包含複數個凹陷。
40. 如請求項39之EUV輻射源，其中該複數個凹陷以一線性陣列配置。
41. 如請求項39之EUV輻射源，其中各凹陷為實質上三角形的，其中該凹陷之一基底定位於該頂壁邊緣處。
42. 如請求項39之EUV輻射源，其中各凹陷之一表面具備一疏錫性材料層。
43. 如請求項42之EUV輻射源，其中該頂壁之除該等凹陷之該等表面外的一表面的至少部分具備一嗜錫性材料層。
44. 如請求項38之導管結構，其進一步包含與該頂壁之至少部分熱接觸且經配置以將該頂壁之至少部分維持在一第一溫度下的一加熱元件。
45. 如請求項44之EUV輻射源，其中該加熱元件經配置以將該頂壁之一第一部分維持在該第一溫度下且將該頂壁之一第二部分維持在不同於該第一溫度之一第二溫度下。