JPS62171131A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS62171131A
JPS62171131A JP61013103A JP1310386A JPS62171131A JP S62171131 A JPS62171131 A JP S62171131A JP 61013103 A JP61013103 A JP 61013103A JP 1310386 A JP1310386 A JP 1310386A JP S62171131 A JPS62171131 A JP S62171131A
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JP
Japan
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island portion
island
semiconductor element
bonding
bonded
Prior art date
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Pending
Application number
JP61013103A
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English (en)
Inventor
Takeshi Miyano
宮野　毅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS62171131A publication Critical patent/JPS62171131A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に関し、特にトラン７アーモールド
技術によって樹脂封止された半導体装置のリードフレー
ムのアイランド部の形状に関する。
〔従来の技術〕
従来、トランスファーモールド技術によって樹脂封止さ
れた半導体装置においては、半導体素子のダイポンディ
ング方法として、半導体素子をリードフレームのアイラ
ンド上にペースト材を用いてマウントし、その後ペース
トを加熱し熱硬化させ、半導体素子をアイランド上に接
着する方法が広く用いられている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来のグイボンディング方法では、第６図に示
すようにペースト材４からガスが発生し、半導体素子３
とリードフレームアイランド部１との接着面で発泡現象
が起こり、発泡８のため第５図に示すように半導体素子
３が初期のマウント位置から移動してしまうという欠点
がある。
本発明は、上記欠点を除去し、半導体装置の製造におけ
る歩留を向上させることを目的とする。
〔問題点を解決するだめの手段〕
本発明の半導体装置は、半導体素子を接着するリードフ
レームのアイランド部にアイランド中心から放射状に延
びた溝を有することを特徴とする。
〔実施例〕
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
第１図、第２図は本発明の一実施例のリード７レームア
イランド部ｌの概略平面図と断面図である。第１図に示
すようにアイランド部１には放射状の溝２がある。第３
図、第４図に示すようにアイランド部１に半導体素子３
をペースト材４を用いてダイボンディングを行ない、半
導体素子３のボンディングパット５とリード部先端６と
がボンディングワイヤー７、Ｋよってワイヤーボンディ
ングされている。これらボンディング部を含むアイラン
ド部の周囲が樹脂によって封止され半導体装置が完成す
る。
ダイボンディング工程のペーストの熱硬化によって発生
したガスはアイランド部溝を通り速やかに外部に排出さ
れるため半導体装置とアイランド部の接着面には発泡現
象は起らなくなる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、リードフレームのアイラ
ンド部にアイランド中心から放射状に延びた溝を有する
ことにより、ペーストの熱硬化中の発泡に起因する半導
体素子の初期マウント位置からの移動をなくシ、トラン
スンファーモールド技術によって樹脂封止された半導体
装置の製造における歩留を向上できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例によるリードフレームアイラ
ンド部概略平面図、第２図は第１図のアイランド溝部の
断面図、第３図は本発明の一実施例による半導体装置の
概略平面図、第４図は第３図のアイランド溝部の断面図
、第５図は従来の半導体装置の概略平面図、第６図は第
５図のアイランド部の断面図。 １・・・・・・アイランド部、２・・・・・・溝、３・
・−・・・半導体素子、４・・・・・・ペースト材、５
・・・・・・ボンディングパ、ト、６・・・・・・リー
ド部、７・・・・・・ボンディングワイヤー、８・・・
・・・発泡。 彩３図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体素子を接着するリードフレームのアイランド部に
    アイランド中心から放射状に延びた溝を有することを特
    徴とする半導体装置。
JP61013103A 1986-01-23 1986-01-23 半導体装置 Pending JPS62171131A (ja)

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JP61013103A JPS62171131A (ja) 1986-01-23 1986-01-23 半導体装置

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JP61013103A JPS62171131A (ja) 1986-01-23 1986-01-23 半導体装置

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Publication Number Publication Date
JPS62171131A true JPS62171131A (ja) 1987-07-28

Family

ID=11823815

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61013103A Pending JPS62171131A (ja) 1986-01-23 1986-01-23 半導体装置

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JP (1) JPS62171131A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01297828A (ja) * 1988-05-25 1989-11-30 Matsushita Electron Corp 半導体装置
US5059558A (en) * 1988-06-22 1991-10-22 North American Philips Corp., Signetics Division Use of venting slots to improve hermetic seal for semiconductor dice housed in ceramic packages
JPH0737768A (ja) * 1992-11-26 1995-02-07 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体ウェハの補強方法及び補強された半導体ウェハ
KR100273113B1 (ko) * 1998-03-11 2001-01-15 김충환 반도체용리드프레임
KR100499606B1 (ko) * 2000-06-13 2005-07-07 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지 제조용 부재

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