JPS62165349A - 半導体装置用リ−ドフレ−ム - Google Patents

半導体装置用リ−ドフレ−ム

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JPS62165349A
JPS62165349A JP61006933A JP693386A JPS62165349A JP S62165349 A JPS62165349 A JP S62165349A JP 61006933 A JP61006933 A JP 61006933A JP 693386 A JP693386 A JP 693386A JP S62165349 A JPS62165349 A JP S62165349A
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lead frame
island
metal
semiconductor element
lead
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Seisaku Yamanaka
山中　正策
Kazuo Kanehiro
金廣　一雄
Tadashi Igarashi
五十嵐　廉
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Sumitomo Electric Industries Ltd
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    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野〕 本発明は集積回路（以下ＩＣと略称する）等の半導体装
置に用いられるリードフレームに関する。
〔従来の技術〕
工Ｃの高集積化及び多機能化に伴ないリード端子が数多
くとれるパンケージの要求が益々高くなってきている。
この要求に対して安価で使い易い樹脂封止型またはガラ
ス−セラミック封止型のパッケージで対応しようとすれ
ば、必然的にリードピン数が極めて多い多ピンリードフ
レームが必要になる。
他方、リードフレームはＦｅ−Ｎｉ合金等の金属シート
からプレス加工やエツチングにより製造されるが、これ
らの製法では金属シートの板厚以下のリード間隔を得る
ことは不可能である。従って、従来以上の多ピンリード
フレームを製造しようとすれば、リード間隔を変えずに
全体サイズを大さくするか、若しくは金属シートの板厚
を薄くしてリード間隔を小さくする必要がある。しかし
金属シートの板厚は、例えば４２Ｎｉ−Ｆθ合金や銅合
金等の優れた特性を有し多用されている金属シートにお
いては、機械的強度の点から０．１關以下にすることは
実用上の問題があり、リード間隔を現在より小さくする
ことは不可能である。
上記の理由によりリード間隔を小さくできない現状では
、多ピンリードフレームのサイズは大きくなる傾向にあ
り、半導体装置を小型化できないばかりか半導体素子自
体も小型化できず、コスト的にも大きな圧迫となってい
た。
この点を第２図により詳細に説明する。通常、リードフ
レーム１はアイランド部２及びアイランド部２と所定距
離だけ離隔したインナーリード先端部３に夫々Ａ４また
は貴金属からなる金属被膜４を有し、アイランド部２の
金属被膜上に半導体素子５をマウントし、半導体素子５
の各端子と各インナーリード先端部３とをＡｕ等のボン
ティングワイヤ６で接続し、これらを第２図のごとく樹
脂７で封止して半導体装置を構成している。しがし、前
記のごとくピン間隔をもはや小さくできないので、ピン
数の増加と共に半導体素子５とインナーリード先端部３
との距離が長くなり、樹脂７による封止時にボンディン
グワイヤ６が短絡したり断線し安定したループ族状を保
持できなくなる。
そこで、やむなくボンディングワイヤ６の結線距離を短
かくするために、アイランド部２を大きくしまた半導体
素子５自体を大きくせざるを得ないのである。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明は、多ピンを必要とする半導体素子をそのまくの
サイズで装着し且つ安定した内部結線と封止が可能な多
ピンリードフレームを提供することを目的とする。
〔問題点を解決するだめの手段〕
本発明の半導体装置用リードフレームは、半導体素子を
装着するアイランド部のほぼ中央部に形成した半導体素
子をマウントするだめの第１金属被膜と、第１金属被膜
と分離してアイランド部の周縁部に相互に絶縁され且つ
インナーリード先端部と相対して形成したボンディング
ワイヤを中継するための複数の第２金属被膜とを有する
。
本発明のリードフレームの材質としては、通常の４２重
量％Ｎｉ−Ｆｅ合金等の導電物質の他アルミナ、窒化ケ
イ素等の絶縁物質も使用できる。材質が絶縁物質の場合
及び少なくとも表面が絶縁物質で被覆されている場合に
は、第２金属被膜相互の絶縁を容易に確保できるが、材
質が導電物質の場合及び少なくとも表面が導電物質で被
覆されている場合には、絶縁被膜を介して各第２金属被
膜を形成する等の手段により第２金属被膜の絶縁を確保
する必要がある。
第１金属被膜及び第２金属被膜としては、安定して半導
体素子のマウント及びワイヤーボンディングができる導
電体であれば良いが、従来がら使用されているＡｕ等の
貴金属やＡＩを用いることが好ましく、第１及び第２金
属被膜を別の金属で形成することもできる。また、上記
の絶縁被膜としては、ＩＣ実装工程での熱サイクルによ
り下地との剥離及び絶縁劣化を生じない材質であればよ
く、例えばＡ４０　、　ＳｉＯ、Ｓｉ　Ｎ　　等を使用
できる。
これらの金属被膜及び絶縁被膜は真空蒸着、イオンブレ
ーティング、スパッタリング等の物理的蒸着法若しくは
ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ等の化学的蒸着法により形成で
きる。
更に、内部結線用のボンディングワイヤとしては、実装
工程での熱サイクルにより下地からの剥離、溶解、劣化
等を生じない導電体であれば何でも良いが、Ａｌ５Ａｕ
及びＡｇであればボンディングが容易であり好ましい。
〔作用〕
アイランド部の周縁部に形成された第２金属被膜は半導
体素子とインナーリード先端部とを接続するボンディン
グワイヤを中継する。ボンディングワイヤは半導体素子
またはインナーリード先端部から第２金属被膜に圧着さ
れた後、切断されずにインナーリー・ド先端部または半
導体素子に接続されても良いし、第２金属被膜に圧着後
に切断され、第２金属被膜の他端からインナーリード先
端部または半導体素子に接続されてもよい。
〔実施例〕
第１図を参照して本発明の詳細な説明する。
この半導体装置用リードフレーム１は、アイランド部２
のほぼ中央部に半導体素子５をマウントスルための第１
金属被膜４ａと、アイランド部２の周縁部に絶縁被膜８
により相互に絶縁された複数の第２金属被膜４ｂとを有
している。この第２金属被膜４ｂはインナーリード先端
部３と相対して形成され、半導体素子５とインナーリー
ド先端部３上の第３金属被膜４ｃとを接続するボンディ
ングワイヤ６ａ及び６ｂを中継する。
このリードフレーム１の製造及びこれを用いた半導体素
子の実装について以下具体的に説明する。
０．５ｔの４２Ｎｉ−１ｉｅ合金シートをプレスで打ち
抜き１２０ピンの多ピンリードフレーム状に形成した。
このリードフレームのアイランド部２の中央部にシリコ
ンチップ塔載用の第１金属被膜４ａとして及びインナー
リード先端部３に第３金属被膜４ｃとして夫々電気メツ
キ法により部分的に２μｍの膜厚のＡｕ層を形成した。
次に、アイランド部２の周縁部にイオンブレーティング
法により２μｍの膜厚のＡｔ　Ｏ層をリング状に形成し
て絶縁被膜８とした。このＡｔ　Ｏ層上で半導体素子の
各電極部及び各インナーリード先端部３に相対する位置
に夫々イオンブレーティング法により第２金属被膜４ｂ
として３μｍの膜厚のＡ１層を部分的に形成して本発明
のリードフレームを得り。
ボンディングワイヤ６としてＡｕ線を使用し、半導体素
子５から第２金属被膜４ｂであるＡ１層の一端にボンデ
ィングワイヤ６ａを結線し、次にＡ４層の他端からイン
ナーリード先端部３のＡｕ層にボンディングワイヤ６ｂ
を結線した。その後、通常の方法に従って樹脂７で封止
して１２０ピンの樹脂封市型工Ｃを得た。得られた１２
０ピンの樹脂封止型工Ｃは従来の６０ビンクラスの樹脂
封止型ＩＣと同一サイズであり、サイズを大型化するこ
となく多ピン化を達成できた。
尚、上記実施例は樹脂封止型半導体装置について説明し
たが、本発明のリードフレームはガラス−セラミック封
止型及び積層セラミック型半導体装置にも適用すること
ができる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、ボンディングワイヤの中継個所として
アイランド部の周縁部に相互に絶縁された複数の金属被
膜を形成しているので、リードフレームの多ピン化によ
り半導体素子とインナーリード先端部との間隔が大きく
なっても、上記金属被膜でボンディングワイヤを中継し
且つ金属被膜の犬ささを変えることにより内部結線距離
を短くでき、封止後も安定したループ形状を保持して短
絡や断線等のないワイヤボンディングを達成でき　　□
る。従って、本発明のリードフレームにより多ピンを必
要とする半導体素子をそのま＼のサイズで装着し且つ安
定した内部結線と封止が可能となった。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明のリードフレームを使用して構成した半
導体装置の断面図であり、第２図は従来のリードフレー
ムを使用して構成した半導体装置の断面図である。 １・・リードフレーム　２・・アイランド部３・・イン
ナーリード先端部 ４ａ・・第１金属被膜　４ｂ・・第２金属被膜４ｃ・・
第３金属被膜　５・・半導体素子６）６ａｓ、６ｂ・・
ボンディングワイヤ７・・樹脂　８・・絶縁被膜 宅１図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）半導体素子を装着するアイランド部のほぼ中央部
    に形成した第１金属被膜と、第１金属被膜と分離してア
    イランド部の周縁部に相互に絶縁され且つインナーリー
    ド部先端と相対して形成した複数の第２金属被膜とを有
    することを特徴とする、半導体装置用リードフレーム。
JP61006933A 1986-01-14 1986-01-14 半導体装置用リ−ドフレ−ム Pending JPS62165349A (ja)

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Cited By (6)

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