JPS6216002Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 この考案は減衰特性改善用の付加共振器を有す
る帯域通過波器の改良に関する。

従来のこの種の帯域通過波器は第１図又は第
２図に示される如く、入出力部の結合が共に同じ
もの、すなわち第１図に示す如く入力部及び出力
部が共に磁界結合をなす構成、又は第２図に示す
如く、入力部及び出力部が共に電界結合をなす構
成によるものであつた。第１図及び第２図におい
て、１，…は帯域の中心周波数_０の1/4波長の
長さを有する丸棒状の共振素子、２ａ，２ｂは減
衰特性の立上りを改善するための_０の略1/4波
長の長さを有する丸棒状の共振素子である。又、
３ａ，３ｂは結合素子であり、インピーダンスの
整合を考慮して寸法が決められるが、一般に共振
素子よりも太い。４は波器の外導体であるケー
スであり、５は入出力接栓、６はその中心導体で
ある。しかるに第１図の波器は、３本の共振子
１，…と２本の結合素子３ａ，３ｂ、及び入出力
接栓５、そしてケース４の一部で構成される３段
形の帯域通過波器７に、共振素子２ａ及び２ｂ
とケース４の一部により構成される減衰特性改善
用付加共振器８ａ，８ｂを両側に結合して成る帯
域通過波器である。この第１図に示す帯域通過
波器は、入出力部の結合が結合素子３ａの一端
をケース４に固定し、他端を入出力接栓５の中心
導体６に直接接続した、入出力共に磁界結合した
波器である。それ故、この波器は第３図に示
す如く通過域の高域側の減衰特性が優れたものと
なる。

また第２図の波器は３本の共振素子１，…、
２本の結合素子３ａ，３ｂ、入出力接栓５及びケ
ース４の一部で構成される３段形の帯域通過波
器９に、共振素子２ａ及び２ｂとケース４の一部
で構成される減衰特性改善用付加共振器８ａ，８
ｂを両側に結合して成る帯域通過波器である。
この第２図に示す帯域通過波器の入出力部の結
合は、結合素子３ｂの一端を入出力接栓５の中心
導体６に接続固定し、他端を開放とした電界結合
となつている。このような電界結合による帯域通
過波器の特性は第４図に示す如く通過域の低域
側の減衰特性が優れたものとなる。

しかしながら、上記し第１図に示す電界結合形
の帯域通過波器、上記第２図に示す磁界結合形
の帯域通過波器のいずれにおいても通過域の片
側の減衰特性が良好でなく、通過特性が非対称に
なる等の欠点を有している。

この考案は上記実情に鑑みなされたもので、そ
の目的とするところは、上述した従来の欠点を除
き、通過域の両側、すなわち低域側、高域側共に
減衰特性の優れた減衰特性改善用付加共振器を有
する帯域通過波器を提供することにある。

この考案は上述した従来の電界結合形帯域通過
波器および磁界結合形帯域通過波器の欠点で
ある減衰特性の非対称性を逆に利用する形をとる
もので、帯域通過波器の入出力回路の結合方式
を互に変えることにより、減衰特性の改善を行な
う。例えば帯域通過波器の入力側を磁界結合と
し、出力側を電界結合とする。以下図面を参照し
て本考案の一実施例を説明する。第５図はこの考
案の一実施例における構成を示すもので、図中、
１１は周波数_０の1/4波長の長さの丸棒状の第
１の共振素子、１２ａ，１２ｂはそれぞれ周波数
_０の1/4波長の長さの丸棒状の第２の共振素子
でありケース１４の一部とで減衰特性改善用の付
加共振器２２ａ，２２ｂを構成する。１３ａ，１
３ｂはそれぞれ結合素子であり、結合素子１３ａ
はその一端がケース１４に固定され、他端は入力
接栓１５ａの中心導体１６ａと直結されており、
結合素子１３ｂはその一端が開放され、他端は出
力接栓１５ｂの中心導体１６ｂに直結されてい
る。又、３本の第１の共振素子１１，…、結合素
子１３Ａ、結合素子１３ｂ、入力接栓１５ａ、出
力接栓１５ｂ及びケース１４で帯域通過波器部
２１を構成する。しかるにこの帯域通過波器部
２１の入出力部の結合は前述のような構成となつ
ているので、入力側は磁界結合、出力側は電界結
合である。この帯域通過波器部２１に付加共振
器２２ａ，２２ｂを結合させ、減衰特性の優れた
帯域通過波器を得る。この第５図に示す帯域通
過波器は入力側が磁界結合であるため、これに
よる効果は前述の第１図に示した磁界結合形帯域
通過波器と同様で、高域側の減衰特性（立上
り）が改善された構成となり、又、出力側は電界
結合であるためこれによる効果は前述の第２図に
示した電界結合形帯域通過波器と同様で、低域
側の減衰特性（立上り）が改善された構成とな
る。従つてこの波器の総合の帯域通過特性（減
衰特性）は通過器の低域側、高域側共に優れたも
のになる。第６図に従来の波器とこの考案の
波器の特性の比較を示す。同図において、Ａは従
来の波器すなわち第１図に示す磁界結合による
帯域通過波器の減衰特性であり、これは高域側
の特性は良いが低域側は良くない。すなわち立上
りが緩やかであり、波器の特性として好ましく
ない。これに対して上記第５図に示す一実施例の
帯域通過波器における減衰特性は第６図Ｂに示
すように通過域の低域側、高域側共に立上りの良
い優れた減衰特性を有する。すなわち、帯域通過
特性の通過域である減衰極P₁，P₂の内側だけでな
く、外側においても減衰量がより多くとれ改善さ
れる。又、第６図のＡに示す特性は第１図に示す
帯域通過波器の特性であるが、第２図に示す帯
域通過波器の特性は第４図に示すように、周波
数_０の高域側の立上り特性及び減衰量がより少
ないので、これを第６図に比較のため描けば周波
数_０に対してＡの特性と略対称になる。

尚、上記実施例においては帯域通過波器の段
数を３段としたが、それ以外の段数であつてもよ
く、減衰特性改善付加共振器を両側に設けたが、
これは目的により片側でもよく、その段数も１段
に限ることはない。又、波器の入出力の結合は
上記実施例のような丸棒状の結合素子に限ること
はなく、磁界結合としてはループまたは結合窓で
あつてもよく、電界結合としては一端開放の結合
線又は結合板、結合窓であつてもよく、要するに
入出力部において一方が電界結合であり、他方が
磁界結合であれば良い。更に、波器の構成とし
ては同軸に限らず、ストリツプライン形、ヘリカ
ル形、及び誘電体形等、いずれでも良い。

以上詳細したようにこの考案によれば、減衰特
性改善用付加共振器を有する帯域通過波器にお
いて、この波器の入出力部の結合を、一方を磁
界結合とし、他方を磁界結合としたので、通過域
の低域側、高域側共に立上り特性の良い略対称な
減衰特性が得られ、減衰極が通過域の近傍へ来る
ように調整しても通過域内の挿入損失が増加する
ようなことがない。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図はそれぞれ従来の帯域通過
波器を示す断面図、第３図は上記第１図に示す
波器の特性を示す図、第４図は上記第２図に示す
波器の特性を示す図、第５図はこの考案の一実
施例を示す断面図、第６図は第１図に示す従来の
波器と第３図に示すこの考案の一実施例におけ
る波器の特性とを対比して示す図である。 １１……第１の共振素子、１２ａ，１２ｂ……
第２の共振素子、１３ａ，１３ｂ……結合素子、
１４……ケース、１５ａ……入力接栓、１５ｂ…
…出力接栓、１６ａ，１６ｂ……中心導体、２１
……帯域通過波器部、２２ａ，２２ｂ……付加
共振器。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 減衰特性改善用付加共振器を有する帯域通過
   波器において、前記帯域通過波器の入力部及び
   出力部のうち、一方を電界結合とし、他方を磁界
   結合としたことを特徴とする帯域通過波器。