JPS59104801A - 誘電体フイルタ - Google Patents
誘電体フイルタInfo
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- JPS59104801A JPS59104801A JP21340382A JP21340382A JPS59104801A JP S59104801 A JPS59104801 A JP S59104801A JP 21340382 A JP21340382 A JP 21340382A JP 21340382 A JP21340382 A JP 21340382A JP S59104801 A JPS59104801 A JP S59104801A
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- Japan
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- filter
- dielectric
- band
- holes
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/205—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
- H01P1/2056—Comb filters or interdigital filters with metallised resonator holes in a dielectric block
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明はＶＴ（Ｆ帯及びＵＨＦ帯の無線装置に用いられ
る誘電体フィルタに関するものである。
る誘電体フィルタに関するものである。
（２）技術の背景
一般に、移動無線と呼ばれる携帯無線や車載無線装置に
用いられるフィルタは小型、軽量かつ温度変化に対する
影響の少いものが要求される。このため、最近、これら
の装置には、ヘリカルフィルタ等に比べて小型、軽量か
つ温度変化の少い誘電体フィルタが多用されている。
用いられるフィルタは小型、軽量かつ温度変化に対する
影響の少いものが要求される。このため、最近、これら
の装置には、ヘリカルフィルタ等に比べて小型、軽量か
つ温度変化の少い誘電体フィルタが多用されている。
この種の誘電体フィルタは、一般に、底面及び側面をメ
タライズして外部導体膜を設けた直方体状の誘電体ブロ
ックに、上下方向に軸線を有し内面をメタライズして内
部導体膜を有する複数個の共振用穴を設け、両端に位置
する共振用穴に外部回路と接続するための励振体を設け
て、バンド・・９ス・フィルタ（以下、ＢＰＦと呼ぶ）
として構成されている。また、この種の誘電体フィルタ
は、共振用穴の個数を増加、すなわちフィルタの段数を
増加すれば減衰帯域の減衰量を増大することができるが
、その反面誘電体ブロックが大形化される。また、一般
にフィルタに要求される減衰量は非対称な場合が多い。
タライズして外部導体膜を設けた直方体状の誘電体ブロ
ックに、上下方向に軸線を有し内面をメタライズして内
部導体膜を有する複数個の共振用穴を設け、両端に位置
する共振用穴に外部回路と接続するための励振体を設け
て、バンド・・９ス・フィルタ（以下、ＢＰＦと呼ぶ）
として構成されている。また、この種の誘電体フィルタ
は、共振用穴の個数を増加、すなわちフィルタの段数を
増加すれば減衰帯域の減衰量を増大することができるが
、その反面誘電体ブロックが大形化される。また、一般
にフィルタに要求される減衰量は非対称な場合が多い。
すなわち通過帯域に対し高帯域又は低帯域のいずれか一
方、例えば高帯域における特定の限定帯域を所定減衰量
以上に減衰する必要があり、低帯域はそれほど減衰する
必要がない場合がある。勿論、この逆の場合もある。こ
のような場合、単に共振用穴を増加するのみで上記の必
要条件を満たすのでなく、共振用穴の個数を必要最小限
にとどめ、しかも上記のような要求を満たすことができ
得る誘電体フィルタが望まれる。
方、例えば高帯域における特定の限定帯域を所定減衰量
以上に減衰する必要があり、低帯域はそれほど減衰する
必要がない場合がある。勿論、この逆の場合もある。こ
のような場合、単に共振用穴を増加するのみで上記の必
要条件を満たすのでなく、共振用穴の個数を必要最小限
にとどめ、しかも上記のような要求を満たすことができ
得る誘電体フィルタが望まれる。
（３）従来技術と問題点
第１図と第２図は従来の誘電体フィルタを説明するだめ
の図であり、第１図は一部切欠き斜視図、第２図は第１
図のＡ −Ａ’線における断面図を示す。
の図であり、第１図は一部切欠き斜視図、第２図は第１
図のＡ −Ａ’線における断面図を示す。
両図において、符号１０は誘電体フィルタ全体を示し、
１１は誘電体ブロック、１２は筐体をそれぞれ示す。誘
電体ブロック１１は、複数個の穴１３が設けられ、これ
らの穴１３の内面に厚膜焼成等の手法によりメタライズ
して内部導体膜１３ａ（図中、クロスハツチングで示す
）が形成され、また、ブロック１１の底面及び側面の５
面全てに同様にメタライズして外部導体１１ｍが形成さ
れている。この誘電体ブロック１１が、入出力コネクタ
１４．１５及び周波数調整ねじ１６を有する筐体１２に
、収容されて誘電体フィルタ１０が構成されている。ま
た、この場合は、穴１３が４個設けられているので４段
構成のフィルタが形成されている。そして、誘電体１１
に設けられた穴１３は、一端（この場合、上端）が開放
され、他端が外部導体膜１１ｍに短絡されているので、
穴の深さく又は、穴の桑さ）を１／４波長（λ／４）と
する周波数で共振する共振素子として形成される。これ
に適当な励振体１７を介して外部回路と接続すると、Ｂ
ＰＦ型の誘電体フィルムとして動作する。図中、励振体
１７はブロック１１の両端部に設けられメタライズされ
ていない穴１８に嵌入された金属棒で形成され、該金属
棒（１７）と導体膜１３ｍを有する穴１３との間の静電
容量により外部回路と共振素子とが結合される。
１１は誘電体ブロック、１２は筐体をそれぞれ示す。誘
電体ブロック１１は、複数個の穴１３が設けられ、これ
らの穴１３の内面に厚膜焼成等の手法によりメタライズ
して内部導体膜１３ａ（図中、クロスハツチングで示す
）が形成され、また、ブロック１１の底面及び側面の５
面全てに同様にメタライズして外部導体１１ｍが形成さ
れている。この誘電体ブロック１１が、入出力コネクタ
１４．１５及び周波数調整ねじ１６を有する筐体１２に
、収容されて誘電体フィルタ１０が構成されている。ま
た、この場合は、穴１３が４個設けられているので４段
構成のフィルタが形成されている。そして、誘電体１１
に設けられた穴１３は、一端（この場合、上端）が開放
され、他端が外部導体膜１１ｍに短絡されているので、
穴の深さく又は、穴の桑さ）を１／４波長（λ／４）と
する周波数で共振する共振素子として形成される。これ
に適当な励振体１７を介して外部回路と接続すると、Ｂ
ＰＦ型の誘電体フィルムとして動作する。図中、励振体
１７はブロック１１の両端部に設けられメタライズされ
ていない穴１８に嵌入された金属棒で形成され、該金属
棒（１７）と導体膜１３ｍを有する穴１３との間の静電
容量により外部回路と共振素子とが結合される。
このような誘電体フィルタの通過帯域外減衰特性（減衰
帯域の減衰特性）は、減衰帯域における特定の複数の周
波数帯域に対して必要とする減衰量によ（３） って決定される。すなわち、この特定周波数帯域の必要
減衰量が得られる減衰特性によってフィルタの段数が決
定されてしまう。しかし、この特定周波数帯域の必要減
衰量を除けばフィルタの段数が少なくてすむ場合が多い
。このことを第３図を参照して、さらに説明する。
帯域の減衰特性）は、減衰帯域における特定の複数の周
波数帯域に対して必要とする減衰量によ（３） って決定される。すなわち、この特定周波数帯域の必要
減衰量が得られる減衰特性によってフィルタの段数が決
定されてしまう。しかし、この特定周波数帯域の必要減
衰量を除けばフィルタの段数が少なくてすむ場合が多い
。このことを第３図を参照して、さらに説明する。
第３図は従来の誘電体フィルタの減衰特性曲線を一例と
して示す図である。同図において、縦軸は減衰量（ｄＢ
）、横軸は周波数ｆ（ＭＨｚ）を示し、実線で示す曲線
りは５段構成のフィルタ、そして点線で示す曲線Ｅは６
段構成のフィルタの減衰特性曲線を示す。例えば、フィ
ルタの３ ｄＢ帯域が２５■ｈで中心周波数ｆｏから高
帯域側へ３５〜４５ ＭＨｚ離れた特定帯域１９の減衰
量が５０ ｄＢ以上必要であるフィルタを設計する場合
、５段構成のフィルタでは、曲線りが示すように、ｆｏ
から３８．１■ｈ以上離れかいと、５０ｄＢ以上の減衰
量はとれない。そして、６段構成のフィルタの場合は、
曲線Ｅが示すように、ｆｏから３５ ＭＨｚ離れた所で
５６ ｄＢ以上の減衰量が得られる。従ｒ へ ）
０（
４） って、低帯域側の減衰量が曲線Ｄ（５段構成）又はそれ
以下で充分である場合でも、この場合のフィルタは曲線
Ｅに基づいて６段構成に形成する必要がある。また、こ
の場合、フィルタの無負荷Ｑｏ＝１０００（ｆ＝８００
■ｈ）とすると、中心周波数ｆｏにおける通過損失は、
６段構成の場合で約１．１ｄＢ であり、５段構成の場
合には０．９ｄＢ となり、ｏ−２ｄＢ の差が生ずる
。すなわち、段数が少いほど通過特性は良好となる。こ
のように、この従来の誘電体フィルタは、例えば上記の
ような条件の場合でも６段構成に形成する必要があり、
この結果、フィルタが大型化され、通過帯域内の通過損
失が増大されるという好ましくない問題を含んでいる。
して示す図である。同図において、縦軸は減衰量（ｄＢ
）、横軸は周波数ｆ（ＭＨｚ）を示し、実線で示す曲線
りは５段構成のフィルタ、そして点線で示す曲線Ｅは６
段構成のフィルタの減衰特性曲線を示す。例えば、フィ
ルタの３ ｄＢ帯域が２５■ｈで中心周波数ｆｏから高
帯域側へ３５〜４５ ＭＨｚ離れた特定帯域１９の減衰
量が５０ ｄＢ以上必要であるフィルタを設計する場合
、５段構成のフィルタでは、曲線りが示すように、ｆｏ
から３８．１■ｈ以上離れかいと、５０ｄＢ以上の減衰
量はとれない。そして、６段構成のフィルタの場合は、
曲線Ｅが示すように、ｆｏから３５ ＭＨｚ離れた所で
５６ ｄＢ以上の減衰量が得られる。従ｒ へ ）
０（
４） って、低帯域側の減衰量が曲線Ｄ（５段構成）又はそれ
以下で充分である場合でも、この場合のフィルタは曲線
Ｅに基づいて６段構成に形成する必要がある。また、こ
の場合、フィルタの無負荷Ｑｏ＝１０００（ｆ＝８００
■ｈ）とすると、中心周波数ｆｏにおける通過損失は、
６段構成の場合で約１．１ｄＢ であり、５段構成の場
合には０．９ｄＢ となり、ｏ−２ｄＢ の差が生ずる
。すなわち、段数が少いほど通過特性は良好となる。こ
のように、この従来の誘電体フィルタは、例えば上記の
ような条件の場合でも６段構成に形成する必要があり、
この結果、フィルタが大型化され、通過帯域内の通過損
失が増大されるという好ましくない問題を含んでいる。
（４）発明の目的
する必要がある場合、フィルタの段数を実質的に最小限
に抑えてフィルタの小型、軽量化を図り、通過帯域内の
通過特性も良好に維持し得る誘電体（６） フィルタを提供することを目的とするものである。
に抑えてフィルタの小型、軽量化を図り、通過帯域内の
通過特性も良好に維持し得る誘電体（６） フィルタを提供することを目的とするものである。
（５）発明の構成
そして、この目的を達成するために、本発明に依れば、
−個の誘電体ブロックに′ＭＩ数個の穴を所定間隔をも
って形成し、紋穴のうち共振子を形成する穴の内面と、
紋穴の開口を含む一表面を除く前記誘電体ブロックの他
の全ての表面とをメタライズし、該誘電体ブロックの両
端部に、前記大群の両端穴とそれぞれ電磁界的結合し、
かつ外部回路と接続するための励振体を設けて成る１／
４波長共振形同軸誘電体フィルタにおいて、前記励振体
の少くとも一方の外側部に内面をメタライズした穴をさ
らに設け、紋穴に当該フィルタの通過帯域外に減衰極を
有する特定阻止用フィルタを構成したことを特徴とする
誘電体フィルタが提供される。
−個の誘電体ブロックに′ＭＩ数個の穴を所定間隔をも
って形成し、紋穴のうち共振子を形成する穴の内面と、
紋穴の開口を含む一表面を除く前記誘電体ブロックの他
の全ての表面とをメタライズし、該誘電体ブロックの両
端部に、前記大群の両端穴とそれぞれ電磁界的結合し、
かつ外部回路と接続するための励振体を設けて成る１／
４波長共振形同軸誘電体フィルタにおいて、前記励振体
の少くとも一方の外側部に内面をメタライズした穴をさ
らに設け、紋穴に当該フィルタの通過帯域外に減衰極を
有する特定阻止用フィルタを構成したことを特徴とする
誘電体フィルタが提供される。
（６）発明の実施例
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。
。
第４図から第８図は本発明の詳細な説明するための図で
ある。
ある。
第４図は本発明による誘電体フィルタの第１実施例の要
部を示す図である。同図において、符号２１は誘電体ブ
ロック、２１ａはブロック２１の底面と側面にメタライ
ズされた外部導体膜、２２゜２３．２４は共振用穴、２
２ｇ、２３ｍ＋２４ｍは共振用穴それぞれの内面にメタ
ライズされた内部導体膜、２５．２６は励振体をそれぞ
れ示し、これらは第２図に、示した従来例と同様に形成
されている。さらに、符号２７．２８は通過帯域外の特
定帯域阻止用フィルタを構成するだめの共振穴をそれぞ
れ示す。
部を示す図である。同図において、符号２１は誘電体ブ
ロック、２１ａはブロック２１の底面と側面にメタライ
ズされた外部導体膜、２２゜２３．２４は共振用穴、２
２ｇ、２３ｍ＋２４ｍは共振用穴それぞれの内面にメタ
ライズされた内部導体膜、２５．２６は励振体をそれぞ
れ示し、これらは第２図に、示した従来例と同様に形成
されている。さらに、符号２７．２８は通過帯域外の特
定帯域阻止用フィルタを構成するだめの共振穴をそれぞ
れ示す。
本実施例は、このように、励振体２５．２６の外側部に
隣接して共振穴２７．２８を設けて、これらを特定帯域
＃ｉ正用フィルタすなわちバンド・リジェクション・フ
ィルタ（以下、ＲＲＴと呼ぶ）に構成し、共振用人２２
．２３．２４が構成する 〕ＢＰＦと組合せ
て、同一誘電体プ四ツク２１内に３段構成のＢＰＦと２
段構成のＢＲＦとを互に結合して設けたものである。共
振穴２７．２８は、その内面にメタライズされ内部導体
膜２７ ｍ ＋ ２８ ａが形成されているが、これら
の導体膜が１／４波長より若干短めに設定された共振素
子に形成されている。これらの共振素子（共振穴２７．
２８）は誘導性素子として動作し、入出力の励振体（金
属棒）２５．２６との間を静電容量結合して直列共振し
、ＢＲＦとして動作する。尚、これら導体膜２７ａ、２
８ｍの深さく又は高さ）は阻止すべき周波数の１／４波
長より若干短かめに設定される。
隣接して共振穴２７．２８を設けて、これらを特定帯域
＃ｉ正用フィルタすなわちバンド・リジェクション・フ
ィルタ（以下、ＲＲＴと呼ぶ）に構成し、共振用人２２
．２３．２４が構成する 〕ＢＰＦと組合せ
て、同一誘電体プ四ツク２１内に３段構成のＢＰＦと２
段構成のＢＲＦとを互に結合して設けたものである。共
振穴２７．２８は、その内面にメタライズされ内部導体
膜２７ ｍ ＋ ２８ ａが形成されているが、これら
の導体膜が１／４波長より若干短めに設定された共振素
子に形成されている。これらの共振素子（共振穴２７．
２８）は誘導性素子として動作し、入出力の励振体（金
属棒）２５．２６との間を静電容量結合して直列共振し
、ＢＲＦとして動作する。尚、これら導体膜２７ａ、２
８ｍの深さく又は高さ）は阻止すべき周波数の１／４波
長より若干短かめに設定される。
このように形成された誘電体ブロックは、第２図に示し
た従来例と同様に、筐体に収容し誘電体フィルタとして
組立てられる。一体形の誘電体フィルタにおいて、この
様な方法によりＢＲＦを構成することによシ、構成が簡
単でＱの高いＢＲＦが付加できる。尚、第４図において
、共振素子２７と２８は必要に応じていずれか１個だけ
設けてもよく、この場合は減衰惜が半減するだけである
。
た従来例と同様に、筐体に収容し誘電体フィルタとして
組立てられる。一体形の誘電体フィルタにおいて、この
様な方法によりＢＲＦを構成することによシ、構成が簡
単でＱの高いＢＲＦが付加できる。尚、第４図において
、共振素子２７と２８は必要に応じていずれか１個だけ
設けてもよく、この場合は減衰惜が半減するだけである
。
第５図は、第４図に示したフィルタの等価回路を概略的
に示す図である。同図において、符号２２’、 ２４’
、 ２５’、 ２６’はそれぞれ第４図の符号２２．２
４．２５．２６の部分に対応するもので前出の８Ｑ２図
に示した従来例の場合と同様に動作するものであるため
説明は省略する。符号２７′は第４図の共振索子２７に
相当する＃４導リアクタンスを示し、コンデンサ２９が
構成されて端子３１゜３２間に直列接続された共振器を
形成していることになる。この直列共振器は共振すると
このｉａ列回＊２７’ 、 ２９）のインピーダンスが
最少になって０状態になる。従って、端子３１．３２間
がこの共振周波数の電波に対してショート（短絡）され
た状態となり、このためフィルタ回路を通るこの共振周
波数の電波は減衰（阻止）されることになる。尚、符号
２Ｆ！は共振素子２８に相当する誘導リアクタンスを示
しコンデンサ３０と共に前述の符号２７’の場合と全く
同じ構成で同じ動作をするものである。次に第７図を参
照して、第４図に示した第１実施例の減衰特性について
説明する。
に示す図である。同図において、符号２２’、 ２４’
、 ２５’、 ２６’はそれぞれ第４図の符号２２．２
４．２５．２６の部分に対応するもので前出の８Ｑ２図
に示した従来例の場合と同様に動作するものであるため
説明は省略する。符号２７′は第４図の共振索子２７に
相当する＃４導リアクタンスを示し、コンデンサ２９が
構成されて端子３１゜３２間に直列接続された共振器を
形成していることになる。この直列共振器は共振すると
このｉａ列回＊２７’ 、 ２９）のインピーダンスが
最少になって０状態になる。従って、端子３１．３２間
がこの共振周波数の電波に対してショート（短絡）され
た状態となり、このためフィルタ回路を通るこの共振周
波数の電波は減衰（阻止）されることになる。尚、符号
２Ｆ！は共振素子２８に相当する誘導リアクタンスを示
しコンデンサ３０と共に前述の符号２７’の場合と全く
同じ構成で同じ動作をするものである。次に第７図を参
照して、第４図に示した第１実施例の減衰特性について
説明する。
第７図は、本発明の第１実施例の減衰特性曲線を示す図
で前述の従来例の減衰特性曲線（第３図）と対比して示
しだＭである。従って、曲線りとＥはそれぞれ５段構成
と６段構成の従来フィルタにおける減衰特性曲線を示す
。そして、符号１９は前出の第３図と同様に中心周波数
ｆｏから高帯域側へ３５〜４５ Ｍ）ｔｚ離れた特定帯
域を示し減衰量が５０ ｄＢの位置を示す。さて、第１
実施例（第４図）の場合は、ＢＲＦが３段構成であるた
めこれのみの減衰特性は１点鎖線で示す曲線Ｆの如くな
る。しかし共振素子２７．２８が特定帯域１９の周波数
と共振するように構成されているため、特定帯域１９部
分の減衰特性は２点鎖線で示す曲線Ｇの如くになり５０
ｄＢ以上の減衰量が得られる。従って、この第１実施
例の減衰特性曲線の高帯域側は、曲線ＦのＦ′部分が曲
線Ｇに変化された曲線で示され、そして低帯域側は曲線
Ｆで示されることになる。このように、低帯域側は曲線
Ｆが示す減衰特性で充分であシ、高帯域側の特定帯域１
９のみ５０ ｄＢ以上減衰させる必要がある場合、従来
例では前述の如く６段構成のフィルタが必要であったが
、この第１実施例では、第４図から明らかなように、Ｂ
ＰＦが３段構成でＢＲＦが２段構成の実質的に５段構成
のフィルタで所望の減衰特性が得られることになる。す
なわち、本発明に依れば、従来例に比べて少くとも１段
歩いフィルタを構成することが可能となシ、この結果、
小型、軽量で通過帯域の通過特性を良好に維持し得る誘
電体フィルタを実現することができる。
で前述の従来例の減衰特性曲線（第３図）と対比して示
しだＭである。従って、曲線りとＥはそれぞれ５段構成
と６段構成の従来フィルタにおける減衰特性曲線を示す
。そして、符号１９は前出の第３図と同様に中心周波数
ｆｏから高帯域側へ３５〜４５ Ｍ）ｔｚ離れた特定帯
域を示し減衰量が５０ ｄＢの位置を示す。さて、第１
実施例（第４図）の場合は、ＢＲＦが３段構成であるた
めこれのみの減衰特性は１点鎖線で示す曲線Ｆの如くな
る。しかし共振素子２７．２８が特定帯域１９の周波数
と共振するように構成されているため、特定帯域１９部
分の減衰特性は２点鎖線で示す曲線Ｇの如くになり５０
ｄＢ以上の減衰量が得られる。従って、この第１実施
例の減衰特性曲線の高帯域側は、曲線ＦのＦ′部分が曲
線Ｇに変化された曲線で示され、そして低帯域側は曲線
Ｆで示されることになる。このように、低帯域側は曲線
Ｆが示す減衰特性で充分であシ、高帯域側の特定帯域１
９のみ５０ ｄＢ以上減衰させる必要がある場合、従来
例では前述の如く６段構成のフィルタが必要であったが
、この第１実施例では、第４図から明らかなように、Ｂ
ＰＦが３段構成でＢＲＦが２段構成の実質的に５段構成
のフィルタで所望の減衰特性が得られることになる。す
なわち、本発明に依れば、従来例に比べて少くとも１段
歩いフィルタを構成することが可能となシ、この結果、
小型、軽量で通過帯域の通過特性を良好に維持し得る誘
電体フィルタを実現することができる。
第６図は本発明による第２実施例の要部を示す図であり
、基本構成は前述の第１実施例（第４図）と同じである
。第１実施例と異なる主な点はＢＲＦの共振用穴（共振
素子）３７．３８がその内面の導体膜３７ｍ 、３８ａ
と共に通過帯域の１／４波長より若干長く形成されてい
る点である。従って、誘電体ブロック３１は外部導体膜
３１ｍと共に第１実施例のブロック２１よりも若干高さ
が高く形成されている。このため内面に高さが通過帯域
の１／４波長の導体膜３２ｍ、３３ｍ、３４ａをそれぞ
れ有するＢＰＦの共振用穴（共振素子）３２゜３３．３
４は上部にメタライズされていない部分３２ｂ、３３ｂ
、３４ｂを有している。そして共振用穴３２．３４にそ
れぞれ励振体３５．３６としてコンデンサが直接接続さ
れている。しかし、このコンデンサは第１実施例の励振
体２５ 、２６としての金属棒と機能的には同じ役目を
果すものである。従って、第２実施例においても、コン
デンサに代えて金属棒を励振体として使用してもよい。
、基本構成は前述の第１実施例（第４図）と同じである
。第１実施例と異なる主な点はＢＲＦの共振用穴（共振
素子）３７．３８がその内面の導体膜３７ｍ 、３８ａ
と共に通過帯域の１／４波長より若干長く形成されてい
る点である。従って、誘電体ブロック３１は外部導体膜
３１ｍと共に第１実施例のブロック２１よりも若干高さ
が高く形成されている。このため内面に高さが通過帯域
の１／４波長の導体膜３２ｍ、３３ｍ、３４ａをそれぞ
れ有するＢＰＦの共振用穴（共振素子）３２゜３３．３
４は上部にメタライズされていない部分３２ｂ、３３ｂ
、３４ｂを有している。そして共振用穴３２．３４にそ
れぞれ励振体３５．３６としてコンデンサが直接接続さ
れている。しかし、このコンデンサは第１実施例の励振
体２５ 、２６としての金属棒と機能的には同じ役目を
果すものである。従って、第２実施例においても、コン
デンサに代えて金属棒を励振体として使用してもよい。
このように第２実施例の場合は、ＢＲＦの共振素子３７
．３８がＢＰＦの共振素子３２，３３゜３４よりも長く
形成されているので、第１実施例の場合と逆に共振素子
３７．３８は低帯域側の特定帯域の周波数に共振してこ
の周波数を阻止（減衰げることができる。従って、この
第２実施例の減衰特性曲線は第８図に示す如くになる。
．３８がＢＰＦの共振素子３２，３３゜３４よりも長く
形成されているので、第１実施例の場合と逆に共振素子
３７．３８は低帯域側の特定帯域の周波数に共振してこ
の周波数を阻止（減衰げることができる。従って、この
第２実施例の減衰特性曲線は第８図に示す如くになる。
すなわち、この場合は、中心周波数ｆｏから低帯域側へ
３５〜４５ ＭＨｚ離れた特定帯域３５に共振しかつ、
該帯域の減衰量を５０ ｄＢ以上に減衰できるようにＢ
ＲＦの共振素子３７．３８が構成されている。
３５〜４５ ＭＨｚ離れた特定帯域３５に共振しかつ、
該帯域の減衰量を５０ ｄＢ以上に減衰できるようにＢ
ＲＦの共振素子３７．３８が構成されている。
従って、この減衰特性曲線の低帯域側は曲線ＦのＦ“部
分が曲ＭＨに変化された曲線で示され、そして高帯域側
は曲線Ｆで示されることになる。
分が曲ＭＨに変化された曲線で示され、そして高帯域側
は曲線Ｆで示されることになる。
（７）発明の効果
以上、詳細に説明したように、本発明の誘電体フィルタ
は、通過帯域外に減衰極を有する特定帯域阻止用フィル
タ（ＢＲＦ ）を設けることにより、簡易構成で小型、
軽量化が可能で、かつ通過帯域内の通過特性をも良好に
維持し得るといった効果大なるものつ＼′ある。
は、通過帯域外に減衰極を有する特定帯域阻止用フィル
タ（ＢＲＦ ）を設けることにより、簡易構成で小型、
軽量化が可能で、かつ通過帯域内の通過特性をも良好に
維持し得るといった効果大なるものつ＼′ある。
第３図は従来の誘電体フィルタの減衰特性曲線を示す図
、第４図は本発明による誘電体フィルタの第１実施例の
要部を示す図、第５図は第４図に示した誘電体フィルタ
の等価回路、第６図は本発明の第２実施例の要部を示す
図、第７図は第４図に示した第１実施例の減衰特性曲線
を示す図、第８図は第６図に示した第２実施例の減衰特
性曲線を示す図である。 ２１．３１・・・誘電体ブロック、２１ａ＋３１ａ・・
・外部導体膜、２２，２３，２４．３２，３３゜３４・
・・ＢＰＦの共振用穴（共振素子）、２２ａ＋２３ ａ
＃ ２４ ａ ａ ３２ ａ 、３３
ａ ＊ ３４ ａ ・・・ＢＰＦの内部導体膜、
２５，２６，３５，３６・・・励振体、２７．２８．３
７．３８・・・ＢＲＦの共振用穴（共振素子）、２７ｍ
＋２８ａｓ３７ａ、３８ａ−ＢＲＦの内部導体膜。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士西舘和之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口 昭 之 （１５） 第１図 ２ 第２図
、第４図は本発明による誘電体フィルタの第１実施例の
要部を示す図、第５図は第４図に示した誘電体フィルタ
の等価回路、第６図は本発明の第２実施例の要部を示す
図、第７図は第４図に示した第１実施例の減衰特性曲線
を示す図、第８図は第６図に示した第２実施例の減衰特
性曲線を示す図である。 ２１．３１・・・誘電体ブロック、２１ａ＋３１ａ・・
・外部導体膜、２２，２３，２４．３２，３３゜３４・
・・ＢＰＦの共振用穴（共振素子）、２２ａ＋２３ ａ
＃ ２４ ａ ａ ３２ ａ 、３３
ａ ＊ ３４ ａ ・・・ＢＰＦの内部導体膜、
２５，２６，３５，３６・・・励振体、２７．２８．３
７．３８・・・ＢＲＦの共振用穴（共振素子）、２７ｍ
＋２８ａｓ３７ａ、３８ａ−ＢＲＦの内部導体膜。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士西舘和之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口 昭 之 （１５） 第１図 ２ 第２図
Claims (1)
- １．一個の誘電体ブロックに複数個の穴を所定間隔をも
って形成し、紋穴のうち共振子を形成する穴の内面と、
紋穴の開口を含む一表面を除く前記誘電体ブロックの他
の全ての表面とをメタライズし、該誘電体ブロックの両
端部に、前記大群の両端穴とそれぞれ電磁界的結合し、
かつ外部回路と接続するための励振体を設けて成る１／
４波長共振形同軸誘電体フィルタにおいて、前記励振体
の少くとも一方の外側部に内面をメタライズした穴をさ
らに設け、紋穴に当該フィルタの通過帯域外に減衰極を
有する特定帯域阻止用フィルタを構成したことを特徴と
する誘電体フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21340382A JPS59104801A (ja) | 1982-12-07 | 1982-12-07 | 誘電体フイルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21340382A JPS59104801A (ja) | 1982-12-07 | 1982-12-07 | 誘電体フイルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59104801A true JPS59104801A (ja) | 1984-06-16 |
| JPH0478041B2 JPH0478041B2 (ja) | 1992-12-10 |
Family
ID=16638638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21340382A Granted JPS59104801A (ja) | 1982-12-07 | 1982-12-07 | 誘電体フイルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59104801A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6271901U (ja) * | 1985-10-22 | 1987-05-08 | ||
| JPS62120701A (ja) * | 1985-11-20 | 1987-06-02 | Tdk Corp | 誘電体フイルタ |
| JPS6364404A (ja) * | 1986-09-04 | 1988-03-22 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体フイルタ |
| US5952897A (en) * | 1996-09-19 | 1999-09-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric filter unit comprising internal conductors and a slit with an electrode for input/output coupling structure |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5420638A (en) * | 1977-07-16 | 1979-02-16 | Nec Corp | Polarized filter |
| JPS57133101U (ja) * | 1981-02-16 | 1982-08-19 | ||
| JPS57146403U (ja) * | 1981-03-09 | 1982-09-14 |
-
1982
- 1982-12-07 JP JP21340382A patent/JPS59104801A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5420638A (en) * | 1977-07-16 | 1979-02-16 | Nec Corp | Polarized filter |
| JPS57133101U (ja) * | 1981-02-16 | 1982-08-19 | ||
| JPS57146403U (ja) * | 1981-03-09 | 1982-09-14 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6271901U (ja) * | 1985-10-22 | 1987-05-08 | ||
| JPS62120701A (ja) * | 1985-11-20 | 1987-06-02 | Tdk Corp | 誘電体フイルタ |
| JPS6364404A (ja) * | 1986-09-04 | 1988-03-22 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体フイルタ |
| JPH0563042B2 (ja) * | 1986-09-04 | 1993-09-09 | Murata Manufacturing Co | |
| US5952897A (en) * | 1996-09-19 | 1999-09-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric filter unit comprising internal conductors and a slit with an electrode for input/output coupling structure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0478041B2 (ja) | 1992-12-10 |
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