CN114976561B - 三模介质谐振器及其滤波器 - Google Patents
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- CN114976561B CN114976561B CN202210460097.9A CN202210460097A CN114976561B CN 114976561 B CN114976561 B CN 114976561B CN 202210460097 A CN202210460097 A CN 202210460097A CN 114976561 B CN114976561 B CN 114976561B
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Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 117
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 117
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 56
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 58
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 58
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 56
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 abstract description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- 230000004044 response Effects 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 2
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P7/00—Resonators of the waveguide type
- H01P7/10—Dielectric resonators
- H01P7/105—Multimode resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/207—Hollow waveguide filters
- H01P1/208—Cascaded cavities; Cascaded resonators inside a hollow waveguide structure
- H01P1/2082—Cascaded cavities; Cascaded resonators inside a hollow waveguide structure with multimode resonators
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Abstract
本发明涉及无线通信技术领域，尤其涉及一种三模介质谐振器及其滤波器，三模介质谐振器包括：第一金属外壳，在所述第一金属外壳内形成第一谐振空腔；陶瓷介质块，呈圆柱状，所述陶瓷介质块通过支撑座固定于所述第一谐振空腔的中部，所述陶瓷介质块的顶部和/或底部设置有圆形的金属化镀层；所述三模介质谐振器具有TE01模式、HE11+模式以及HE11‑模式，所述陶瓷介质块的圆柱的直径、高度以及所述金属化镀层的圆形的直径为预设值，使所述TE01模式、HE11+模式以及HE11‑模式的谐振频率处于同一频段。借此，本发明提供给的三模介质谐振器结构简单，易于加工成型，且三个模式Q值均较高，功率容量大，高次模分离等优点。
Description
技术领域
本发明涉及无线通信技术领域，尤其涉及一种三模介质谐振器及其滤波器。
背景技术
在滤波器技术的发展过程中，高性能介质材料和多模技术的应用一直都是滤波器实现高性能和小体积的热门方向。新型的陶瓷介质因其高介电常数、低损耗角和高温度稳定性等材料特性在小型化高性能滤波器中的应用越来越广泛；而多模技术利用了单谐振器中的多个谐振模式，在保持性能的前提下显著缩小滤波器的体积。因此将两条技术路线相结合的多模介质滤波器是未来高性能滤波器的重要类型。
现有的三模介质滤波器大概可以分为两类：一类是完全由陶瓷接介质块组合而成，该类滤波器的优点是体积小而相对性能较高，而缺点是可调手段较少，所以对介质块的加工和组装精度要求高，生产难度大，且高次模谐波较近。另一类是介质谐振块与金属空腔结合组成三模谐振器，相比前者可以通过在金属腔体上设置螺杆等方式进行一定程度的调节来降低制作难度，性能相对前者更高，缺点是体积相对前者更大，并且需要利用探针或金属环等来实现三模相互间或与外部的耦合，结构复杂且生产难度大。
综上可知，现有技术在实际使用上显然存在不便与缺陷，所以有必要加以改进。
发明内容
针对上述的缺陷，本发明的目的在于提供一种三模介质谐振器及其滤波器，以使三模介质谐振器结构简单，易于加工成型，且三个模式Q值均较高，功率容量大。
为了实现上述目的，本发明提供一种三模介质谐振器，包括：
第一金属外壳，在所述第一金属外壳内形成第一谐振空腔；
陶瓷介质块，呈圆柱状，所述陶瓷介质块通过支撑座固定于所述第一谐振空腔的中部，所述陶瓷介质块的顶部和/或底部设置有圆形的金属化镀层；
所述三模介质谐振器具有TE01模式、HE11+模式以及HE11-模式，所述陶瓷介质块的圆柱的直径、高度以及所述金属化镀层的圆形的直径为预设值，使所述TE01模式、HE11+模式以及HE11-模式的谐振频率处于同一频段。
根据所述的三模介质谐振器，所述支撑座均呈圆柱状，且所述陶瓷介质块和所述支撑座的圆心对齐，所述陶瓷介质块通过粘接或者螺接的方式固定于所述支撑座上；所述支撑座通过粘接或者螺接的方式固定于所述第一谐振空腔的中心位置上；所述第一谐振空腔为圆柱形的空腔结构或者为方形的空腔结构。
根据所述的三模介质谐振器，所述第一金属外壳的顶部设置有第一金属屏蔽盖板；
所述金属化镀层设置于所述陶瓷介质块的顶部和/或底部的中心处。
根据所述的三模介质谐振器，所述第一金属屏蔽盖板的中心和四周设置有多个第一调谐螺杆；
所述第一金属外壳的内部和所述第一金属屏蔽盖板镀银或者镀铜。
为了实现本发明的另一发明目的，本发明还提供了一种滤波器，包括上述任意一项所述的三模介质谐振器。
根据所述的滤波器，至少一个所述三模介质谐振器的左右两边分别设置一个金属同轴谐振器，两个所述金属同轴谐振器与所述三模介质谐振器的连线呈90 度夹角。
根据所述的滤波器，所述滤波器具有第二金属外壳和盖设在所述第二金属外壳上的第二金属屏蔽盖板，以及开设在所述第二金属外壳底部的两个输入输出端口；所述第二金属外壳设有三个第二谐振空腔，在所述第二金属外壳中心位置的第二谐振空腔为所述三模介质谐振器的第一谐振空腔；在所述第二金属外壳左右两侧设置的第二谐振空腔为所述金属同轴谐振器的单模金属同轴谐振腔；
在每个所述单模金属同轴谐振腔的中心设置有金属同轴谐振杆；并且在所述第二金属屏蔽盖板上对应设置有第二调谐螺杆；每个所述金属同轴谐振杆旁均设置有金属端口线；每个所述金属端口线分别在每个所述输入输出端口和所述金属同轴谐振杆间生成端口外耦合。
根据所述的滤波器，三个所述第二谐振空腔之间均开设"Γ"型耦合窗口；和/ 或
在所述"Γ"型耦合窗口朝向所述金属同轴谐振器的一侧增设耦合脊。
根据所述的滤波器，所述滤波器为五阶滤波器或者十阶滤波器。
根据所述的滤波器，所述滤波器为五阶滤波器时，所述三模介质谐振器的第一谐振空腔的尺寸为Ф28mm*H24mm，所述陶瓷介质块的尺寸为Ф17.8mm*H14.2mm，介电常数为44，所述金属化镀层的直径为6mm，所述三模介质谐振器的中心频率为2600MHz，高次模为3200MHz；并且在TE01模式、 HE11+模式或者HE11-模式时的Q值约为5500，所述金属同轴谐振器的Q值约为3600。
本发明通过将三模介质谐振器设置为包括：第一金属外壳和陶瓷介质块，其中，在所述第一金属外壳内形成第一谐振空腔；陶瓷介质块呈圆柱状，所述陶瓷介质块通过支撑座固定于所述第一谐振空腔的中部，所述陶瓷介质块的顶部和/或底部设置有圆形的金属化镀层；所述三模介质谐振器具有TE01模式、 HE11+模式以及HE11-模式，所述陶瓷介质块的圆柱的直径、高度以及所述金属化镀层的圆形的直径为预设值，使所述TE01模式、HE11+模式以及HE11-模式的谐振频率处于同一频段。由此，可见通过合理的设置陶瓷介质块的圆柱直径和高度，以及金属化圆形的直径，可以使该谐振器的TE01模式和HE11的两个简并模式(HE11+和HE11-)的谐振频率处于同一频段，从而构成新型三模介质谐振器。相比现有空腔类三模介质谐振器，本发明提供的的三模介质谐振器具有结构简单，易于加工成型，三个模式Q值均较高，功率容量大，高次模分离等技术优点。此外，本发明提供的三模介质谐振器易于与传统金属同轴谐振器结合组成带有传输零点的高性能滤波器或双工器。三模介质谐振器与金属同轴谐振器间的耦合无需探针或金属环等额外零件，直接利用"Γ"型耦合开窗来实现，具有结构简单且易于调节的优点。
附图说明
图1A是本发明实施例提供的三模介质谐振器的立体图；
图1B是本发明实施例提供的三模介质谐振器的剖视图；
图2A是本发明实施例提供的三模介质谐振器在TE01模式的最大电场分布示意图；
图2B是本发明实施例提供的三模介质谐振器在HE11+模式的最大电场分布示意图；
图2C是本发明实施例提供的三模介质谐振器在HE11-模式的最大电场分布示意图；
图3A是本发明实施例提供的滤波器的立体图；
图3B是本发明实施例提供的滤波器的正视图；
图3C是本发明实施例提供的滤波器的俯视图；
图4是本发明实施例提供的滤波器的耦合拓扑图；
图5A是本发明实施例提供的滤波器中的一种"Γ"型耦合窗口的截面示意图；
图5B是本发明实施例提供的滤波器中的另一种"Γ"型耦合窗口的截面示意图；
图5C是本发明实施例提供的滤波器中的又一种"Γ"型耦合窗口的截面示意图；
图6是本发明实施例提供的滤波器的频率响应曲线图；
图7A是本发明实施例提供的滤波器的立体图；
图7B是本发明实施例提供的滤波器的正视图；
图8本发明实施例提供的十阶滤波器的俯视图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
需要说明的，本说明书中针对“一个实施例”、“实施例”、“示例实施例”等的引用，指的是描述的该实施例可包括特定的特征、结构或特性，但是不是每个实施例必须包含这些特定特征、结构或特性。此外，这样的表述并非指的是同一个实施例。进一步，在结合实施例描述特定的特征、结构或特性时，不管有没有明确的描述，已经表明将这样的特征、结构或特性结合到其它实施例中是在本领域技术人员的知识范围内的。
此外，在说明书及后续的权利要求当中使用了某些词汇来指称特定组件或部件，所属领域中具有通常知识者应可理解，制造商可以用不同的名词或术语来称呼同一个组件或部件。本说明书及后续的权利要求并不以名称的差异来作为区分组件或部件的方式，而是以组件或部件在功能上的差异来作为区分的准则。在通篇说明书及后续的权利要求书中所提及的“包括”和“包含”为一开放式的用语，故应解释成“包含但不限定于”。以外，“连接”一词在此系包含任何直接及间接的电性连接手段。间接的电性连接手段包括通过其它装置进行连接。
参见图1A和图1B，本发明的一个实施例中提供一种三模介质谐振器10，包括：
第一金属外壳1，在第一金属外壳1内形成第一谐振空腔2；
陶瓷介质块3，呈圆柱状，陶瓷介质块3通过支撑座4固定于第一谐振空腔 2的中部，陶瓷介质块3的顶部和/或底部设置有圆形的金属化镀层6；
三模介质谐振器10具有TE01模式、HE11+模式以及HE11-模式，陶瓷介质块3的圆柱的直径、高度以及金属化镀层6的圆形的直径为预设值，使TE01 模式、HE11+模式以及HE11-模式的谐振频率处于同一预设频段。
在该实施例中，三模介质谐振器10包含一个具有第一谐振空腔2的第一金属外壳1，一个圆柱状的陶瓷介质块3和陶瓷介质块3下方的支撑块4，以及第一谐振空腔2。陶瓷介质块3通过支撑块4固定在第一谐振空腔2的中部，陶瓷介质块3的顶面中心区域设置有圆形的金属化镀层6覆盖。通过合理设置陶瓷介质块3的圆柱直径和高度，以及金属化圆形的直径，可以使该三模介质谐振器10的TE01模式和HE11的两个简并模式(HE11+和HE11-)的谐振频率处于同一频段，从而构成新型三模介质谐振器10。即通过将陶瓷介质块3的圆柱的直径、高度以及金属化镀层6的圆形的直径为预设值，使TE01模式、HE11+模式以及HE11-模式的谐振频率处于同一预设频段。例如，三模介质谐振器10的第一谐振空腔2的尺寸为Ф28mm*H24mm，陶瓷介质块3的尺寸为Ф17.8mm*H14.2mm，介电常数为44，金属化镀层6的直径为6mm，三模介质谐振器10的中心频率为2600MHz，高次模为3200MHz；并且在TE01模式、HE11+模式或者HE11-模式时的Q值约为5500。相比现有空腔类三模介质谐振器10，本实施例提供的三模介质谐振器10具有结构简单，易于加工成型，三个模式Q值均较高，功率容量大，高次模分离等技术优点。
参见图1A和图1B，本发明的一个实施例中，支撑座4均呈圆柱状，且陶瓷介质块3和支撑座4的圆心对齐，陶瓷介质块3通过粘接或者螺接的方式固定于支撑座4上；支撑座4通过粘接或者螺接的方式固定于第一谐振空腔2的中心位置上；第一谐振空腔2为圆柱形的空腔结构或者为方形的空腔结构。
此外，第一金属外壳1的顶部设置有第一金属屏蔽盖板5；金属化镀层6设置于陶瓷介质块3的顶部和/或底部的中心处。第一金属屏蔽盖板5的中心和四周设置有多个第一调谐螺杆；第一金属外壳1的内部和第一金属屏蔽盖板5镀银或者镀铜。
在该实施例中，三模介质谐振器10包含：一个第一金属外壳11内部形成第一谐振空腔2，在第一谐振空腔2中设有一个圆柱状的陶瓷介质块33，该陶瓷介质块3通常采用高介电常数低损耗角的陶瓷粉料来满足性能需求。陶瓷介质块3下方有一个柱状支撑块44，该支撑块4通常采用AL2Q3等低介电常数的材料来降低对谐振模式的影响。陶瓷介质块33与支撑块4同心对齐并通过胶粘等方式组合，支撑块4通过螺钉或胶粘等方式固定在第一谐振空腔2的中心位置。第一金属外壳11顶部设有一个第一金属屏蔽盖板5，通过螺钉或焊接等方式与第一金属外壳11组合固定。陶瓷介质块32的顶面中心区域设置有圆形的金属化镀层6覆盖。利用该圆形金属化镀层6加载，可大幅降低HE11两个简并模式的谐振频率，而对基模TE01模式影响较小。三个模式的电场分布如图2A～图2C所示，由图中可见TE01模式的最大电场11分布在介质块中部，远离金属化镀层6，所以6的尺寸对TE01模式影响很小而对HE11的最大电场12，13 两模式影响较大。其中图2B为HE11+模式的最大电场12分布示意，其中图2B 为HE11-模式的最大电场13分布示意。通过合理设置陶瓷介质块3的圆柱直径和高度，以及金属化圆形的直径，可以使该谐振器的TE01模式和HE11的两个简并模式(HE11+和HE11-)的谐振频率处于同一频段，从而构成一个三模介质谐振器10。由于这三个模式的电磁场相互正交互不影响，且三个模式的Q值均较高，比相同尺寸的金属同轴腔Q值提升约50％,，可用于组建高性能的三模介质滤波器。相比现有空腔类三模介质谐振器，本实施例提供的三模介质谐振器 10具有结构简单，易于加工成型，三个模式Q值高，功率容量大，高次模分离且便于与传统金属同轴谐振器结合等技术优点。
此外，第一金属外壳11的空腔内部和屏蔽盖板5通常采用镀银或镀铜等工艺来提升谐振器的Q值性能。为了便于说明，第一谐振空腔2采用圆柱状的圆腔结构，实际也可以采用矩形的方腔结构或其他异形空腔结构。通常需在第一金属屏蔽盖板5的中心和四周设置多个调谐螺杆，用于微调各模式的谐振频率。金属化镀层6也可以根据需要设置在陶瓷介质块33的底部中心处，以增大盖板调谐螺杆的调谐范围。
参见图3A～图3C，在本发明的一个实施例中，提供了一种滤波器100，包括上述任意一个实施例所述的三模介质谐振器10。采用上述多个实施例中提供的三模介质谐振器10与传统金属同轴谐振器20结合，可组成带有传输零点的高性能滤波器100或双工器。
参见图3A～图3C，在本发明的一个实施例中，至少一个所述三模介质谐振器10的左右两边分别设置一个金属同轴谐振器20，两个金属同轴谐振器20与三模介质谐振器10的连线呈90度夹角。
在三模介质谐振器10的两边各设置一个金属同轴谐振器20，与该三模介质谐振器10的连线呈90度夹角分布，可组成五阶包含两个传输零点的三模滤波器100。
具体的，滤波器100具有第二金属外壳101和盖设在第二金属外壳101上的第二金属屏蔽盖板102，以及开设在第二金属外壳101底部的两个输入输出端口8；第二金属外壳101设有三个第二谐振空腔21,22,23，在第二金属外壳101 中心位置的第二谐振空腔22为三模介质谐振器10的第一谐振空腔2；在第二金属外壳101左右两侧设置的第二谐振空腔22,23为金属同轴谐振器20的单模金属同轴谐振腔；
在每个单模金属同轴谐振腔的中心设置有金属同轴谐振杆7；并且在第二金属屏蔽盖板102上对应设置有第二调谐螺杆71；每个金属同轴谐振杆7旁均设置有金属端口线8；每个金属端口线8分别在每个输入输出端口8和金属同轴谐振杆7间生成端口外耦合。
优选的，三个第二谐振空腔21,22,23之间均开设"Γ"型耦合窗口91,92；和/ 或在"Γ"型耦合窗口91,92朝向金属同轴谐振器20的一侧增设耦合脊。调整"Γ" 型耦合窗口91,92的宽度、高度和/或调整所述耦合脊长度、高度，调整三模介质谐振器10与左右两侧的金属同轴谐振器20间的耦合
在该实施例中，三模介质谐振器10与金属同轴谐振器20间的耦合无需探针或金属环等额外零件，直接利用"Γ"型耦合窗口91,92实现，具有结构简单且易于调节的优点。可选的，滤波器100为五阶滤波器或者十阶滤波器。在本发明的一个实施例中，滤波器100为五阶滤波器100时，三模介质谐振器10的第一谐振空腔2的尺寸为Ф28mm*H24mm，陶瓷介质块3的尺寸为Ф17.8mm*H14.2mm，介电常数为44，金属化镀层6的直径为6mm，三模介质谐振器10的中心频率为2600MHz，高次模为3200MHz；并且在TE01模式、 HE11+模式或者HE11-模式时的Q值约为5500，金属同轴谐振器20的Q值约为3600。在此仅为举例说明，还可以有其他的预设值组合。
参见图3A～图3C，在本发明的一个实施例中，通过在上述三模介质谐振器 10的两边各设置一个金属同轴谐振器20，与该三模介质谐振器10的连线呈90 度夹角分布，组成了一个五阶包含两个传输零点的三模滤波器100。该滤波器 100的金属外壳1共设有三个谐振空腔21，22和23，其中22中心设置有上述三模介质谐振器10，其中谐振空腔22的尺寸为Ф28mm*H24mm，陶瓷介质块 33的尺寸为Ф17.8mm*H14.2mm，介电常数为44，介质顶部的金属化镀层6直径为6mm，此时三模谐振器的中心频率为2600MHz，高次模为3200MHz，各模式的Q值约5500，同尺寸的金属同轴谐振器20Q值约3600左右，提升约50％。而21与23为单模金属同轴谐振腔，中心各设置有一个金属同轴谐振杆77，以及其对应盖板上方设置有调谐螺杆71用于各自频率的调节。谐振杆7旁边设置有金属端口线81在输入输出端口8和谐振杆7间生成端口外耦合。图4为该滤波器100的耦合拓扑图。三模介质谐振器10中的一对HE11简并模式分别对应图4中的谐振器2和谐振器4，而TE01模式对应谐振器3，两边的金属同轴谐振器20分别对应谐振器1和5。谐振空腔21和22，23之间分别开设"Γ"型耦合窗口91,9291和92，来实现三模谐振器与前后金属同轴谐振器20间的耦合，其中窗口91对应谐振器12间以及谐振器13间的耦合C12和C13，同时该窗口的非对称性也会对三模谐振器原本的电磁场分布产生扰动，使原本正交的TE11和 HE11模式产生耦合，对应为谐振器23间的耦合C23；窗口92对应谐振器35 和谐振器45间的耦合C35和C45，同时生成谐振器34间的耦合C34。通过优化调整"Γ"型耦合窗口91,92的形状和尺寸，可实现对各耦合量的分配和调节，同时也可在开窗对应的盖板上设置调谐螺杆，来实现对耦合量的微调。
具体的调整"Γ"型耦合窗口91,92方法，以耦合窗口91为例，参照图5A～图 5C进行说明，H1和W1为"Γ"型耦合窗口91,92的整体高度和宽度，减小H1和 W1时耦合C12,C13和C23都会减小，反之亦然；W2的宽度主要影响耦合C13，而H2主要影响耦合C12。图5B～图5C中的耦合窗口是图5A的中的耦合窗口变形，增加W3和H3能增大C12和C23同时减小C13；另外还可以在"Γ"型耦合窗口91,92朝向金属同轴谐振器20侧增设耦合脊，通过调整耦合脊的长度和高度可增大C12和C13同时减小C23。由于三个耦合相互关联，需综合调整来找出同时满足各耦合需求的设计形状和尺寸组合。
由于通过窗口扰动生成的耦合C23和C34始终与C13和C35同相，且主耦合C12和C45为磁耦合，所以该滤波器100频率响应曲线在通带右边产生两个传输零点，改善通带右边的带外抑制性能，其频率响应曲线如图7所示。由于两端金属同轴谐振器20的高次模谐波频率距离工作频率更远，进一步改善了整个滤波器100的远端抑制性能，寄生谐波在7.5GHz以上才会出现，无需额外低通就有优秀的谐波抑制性能。
需要补充说明的是，由于"Γ"型耦合窗口91,92引入的扰动不仅会生成所需的耦合C23和C34，还会在HE11的两个简并模间产生一定的寄生耦合C24进而影响滤波器100的频率响应特性。此时可以通过优化陶瓷介质块3顶部的金属化镀层6的形状抵消。如图7A和图7B所示，在圆形镀层的斜对角方向对称增加两个平面的突起93，该突起93即为所述的耦合脊，可以抵消"Γ"型耦合窗口91,92带来的寄生耦合，改善滤波器100的频率响应特性。
此外，在本发明的其他实施例中，也可根据需要级联更多的三模介质谐振器10或金属同轴谐振器20来组成更高阶的滤波器100或双工器等。本发明实施例提出的三模介质谐振器10还可根据需要级联更多的三模介质谐振器10或金属同轴谐振器20来组成更高阶的滤波器100或双工器等，以实现复杂的滤波特性。图8为包含了两个所述三模介质谐振器10的十阶滤波器100实例二的俯视示意图，在耦合拓扑上相当于两个实例一串联而成，可以在通带右边生成四个传输零点。
本发明通过将三模介质谐振器设置为包括：第一金属外壳和陶瓷介质块，其中，在所述第一金属外壳内形成第一谐振空腔；陶瓷介质块呈圆柱状，所述陶瓷介质块通过支撑座固定于所述第一谐振空腔的中部，所述陶瓷介质块的顶部和/或底部设置有圆形的金属化镀层；所述三模介质谐振器具有TE01模式、 HE11+模式以及HE11-模式，所述陶瓷介质块的圆柱的直径、高度以及所述金属化镀层的圆形的直径为预设值，使所述TE01模式、HE11+模式以及HE11-模式的谐振频率处于同一频段。由此，可见通过合理的设置陶瓷介质块的圆柱直径和高度，以及金属化圆形的直径，可以使该谐振器的TE01模式和HE11的两个简并模式(HE11+和HE11-)的谐振频率处于同一频段，从而构成新型三模介质谐振器。相比现有空腔类三模介质谐振器，本发明提供的的三模介质谐振器具有结构简单，易于加工成型，三个模式Q值均较高，功率容量大，高次模分离等技术优点。此外，本发明提供的三模介质谐振器易于与传统金属同轴谐振器结合组成带有传输零点的高性能滤波器或双工器。三模介质谐振器与金属同轴谐振器间的耦合无需探针或金属环等额外零件，直接利用"Γ"型耦合开窗来实现，具有结构简单且易于调节的优点。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
Claims (8)
1.一种滤波器，其特征在于，包括至少一个三模介质谐振器，所述三模介质谐振器包括：
第一金属外壳，在所述第一金属外壳内形成第一谐振空腔；陶瓷介质块，呈圆柱状，所述陶瓷介质块通过支撑座固定于所述第一谐振空腔的中部，所述陶瓷介质块的顶部和/或底部设置有圆形的金属化镀层；
所述三模介质谐振器具有TE01模式、HE11+模式以及HE11-模式，所述陶瓷介质块的圆柱的直径、高度以及所述金属化镀层的圆形的直径为预设值，使所述TE01模式、HE11+模式以及HE11-模式的谐振频率处于同一频段；
至少一个所述三模介质谐振器的左右两边分别设置一个金属同轴谐振器，两个所述金属同轴谐振器与所述三模介质谐振器的连线呈90度夹角。
2.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述滤波器具有第二金属外壳和盖设在所述第二金属外壳上的第二金属屏蔽盖板，以及开设在所述第二金属外壳底部的两个输入输出端口；所述第二金属外壳设有三个第二谐振空腔，在所述第二金属外壳中心位置的第二谐振空腔为所述三模介质谐振器的第一谐振空腔；在所述第二金属外壳左右两侧设置的第二谐振空腔为所述金属同轴谐振器的单模金属同轴谐振腔；
在每个所述单模金属同轴谐振腔的中心设置有金属同轴谐振杆；并且在所述第二金属屏蔽盖板上对应设置有第二调谐螺杆；每个所述金属同轴谐振杆旁均设置有金属端口线；每个所述金属端口线分别在每个所述输入输出端口和所述金属同轴谐振杆间生成端口外耦合。
3.根据权利要求2所述的滤波器，其特征在于，三个所述第二谐振空腔之间均开设"Γ"型耦合窗口；和/或
在所述"Γ"型耦合窗口朝向所述金属同轴谐振器的一侧增设耦合脊。
4.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述滤波器为五阶滤波器或者十阶滤波器。
5.根据权利要求4所述的滤波器，其特征在于，所述滤波器为五阶滤波器时，所述三模介质谐振器的第一谐振空腔的尺寸为Ф28mm*H24mm，所述陶瓷介质块的尺寸为Ф17.8mm*H14.2mm，介电常数为44，所述金属化镀层的直径为6mm，所述三模介质谐振器的中心频率为2600MHz，高次模为3200MHz；并且在TE01模式、HE11+模式或者HE11-模式时的Q值为5500，所述金属同轴谐振器的Q值为3600。
6.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述支撑座均呈圆柱状，且所述陶瓷介质块和所述支撑座的圆心对齐，所述陶瓷介质块通过粘接或者螺接的方式固定于所述支撑座上；所述支撑座通过粘接或者螺接的方式固定于所述第一谐振空腔的中心位置上；所述第一谐振空腔为圆柱形的空腔结构或者为方形的空腔结构。
7.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述第一金属外壳的顶部设置有第一金属屏蔽盖板；
所述金属化镀层设置于所述陶瓷介质块的顶部和/或底部的中心处。
8.根据权利要求7所述的滤波器，其特征在于，所述第一金属屏蔽盖板的中心和四周设置有多个第一调谐螺杆；
所述第一金属外壳的内部和所述第一金属屏蔽盖板镀银或者镀铜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114976561A CN114976561A (zh) | 2022-08-30 |
| CN114976561B true CN114976561B (zh) | 2024-05-03 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210460097.9A Active CN114976561B (zh) | 2022-04-24 | 2022-04-24 | 三模介质谐振器及其滤波器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114976561B (zh) |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN114976561A (zh) | 2022-08-30 |
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| PB01 | Publication | ||
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