KR20070046199A - 수동 부품 - Google Patents

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KR20070046199A
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via hole
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히로노부 기무라
다카미 히라이
야스히코 미즈타니
마사키 우라노
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소신 덴키 가부시키가이샤
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Abstract

유전체 기판(12) 내에, 필터부(20)와, 불평형-평형 변환부(22)와, 필터부(20)와 불평형-평형 변환부(22)를 전기적으로 접속하는 접속부(24)가 형성되어 있다. 제1 공진기(26)는 제4 유전체층(S4)의 주요면에 형성된 전극(36)과, 제1~제3 유전체층(S1~S3)을 관통하며 전극(36)과 어스 전극(18)을 접속하는 비어 홀(38)을 포함한다. 제2 공진기(28)는 제4 유전체층(S4)의 주요면에 형성된 전극(42)과, 제1~제3 유전체층(S1~S3)을 관통하며 전극(42)과 어스 전극(18)을 접속하는 비어 홀(44)을 포함한다.

Description

수동 부품 {PASSIVE PART}
본 발명은 수백 MHz 내지 수 GHz의 마이크로파대에 있어서 공진 회로를 구성하는 적층형 유전체 필터 등을 포함하는 수동 부품에 관한 것으로, 전기적 특성의 향상과 소형화를 함께 도모할 수 있는 수동 부품에 관한 것이다.
최근의 무선 통신 시스템에는 비평형 신호를 출력하는 집적 회로(IC)가 다수 이용되고 있다. 이 무선 통신 시스템에서는 IC로부터 출력된 불평형 신호를 필터에 통과시킨 후에, 통과한 불평형 신호를 불평형-평형 변환기(밸룬)에 의해 평형 신호로 변환함으로써, 무선 통신 시스템에 사용되는 수동 부품 개수의 삭감 및 소형화를 실현하여, 상기 무선 통신 시스템의 소형화·간략화를 도모하도록 하고 있다.
무선 통신 시스템의 소형화·간략화를 도모하는 방법으로서는, (1) 필터와 밸룬을 유전체 기판 내에 일체화하여 형성하는 방법이나, (2) 유전체 기판 내에 λ/4 공진기와 λ/2 공진기를 일체적으로 형성하는 방법이나, (3) 밸룬의 사용대역에 가까운 주파수를 감쇠극으로 함으로써 통과대역 이외의 신호를 효율적으로 감쇠시키는 방법 등이 지금까지 제안되어 있다(예컨대, 특허 문헌 1 참조).
또한, 무선 통신 시스템의 소형화·간략화를 도모하는 다른 방법으로는 복수의 유전체층을 적층하여 구성된 유전체 기판에 있어서, 각 유전체층의 적층 방향으 로 형성된 비어 홀로 공진기를 구성하는 방법도 있다(예컨대, 특허 문헌 2~6 참조).
[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 제2003-87008호 공보
[특허 문헌 2] 일본 특허 공개 평성 제7-142914호 공보
[특허 문헌 3] 일본 특허 공개 평성 제8-335803호 공보
[특허 문헌 4] 일본 특허 공개 평성 제9-35936호 공보
[특허 문헌 5] 일본 특허 공개 평성 제10-28006호 공보
[특허 문헌 6] 일본 특허 공개 제2000-165171호 공보
그러나, 이들의 방법에는 이하에 나타내는 과제가 있다.
우선, (1)의 방법에서는 필터와 밸룬을 유전체 기판 내에 일체화하여 형성하기 때문에, 상기 필터의 유전체 부분의 체적, 특히 상하 방향의 두께가 얇아진다. 이것에 의해, 유전체 기판의 내부에 형성된 전극에 의한 도체손실이 커지며, 필터를 구성하는 스트립 라인형 공진기의 Q값이 저하하여 수동 부품의 손실이 증대할 우려가 있다.
즉, 필터를 구성하는 공진기를 유전체 기판의 표면에 형성된 어스 전극과 평행하게 배치된 평판 형상의 공진 전극으로 구성한 경우, 필터와 밸룬을 일체화함에 따라, 공진 전극과 어스 전극과의 거리가 근접하고, 이것에 의해 큰 부유 용량이 발생함으로써 공진기의 Q값이 저하한다.
또한, 유전체 기판의 소형화에 따라 공진 전극의 길이도 짧아지지만, 일정한 길이를 확보하기 위해, 공진 전극을 절첩하는 구조를 채용하는 예도 있다. 이 경우, 도체손실이 더욱 증대되기 때문에, 공진기의 Q값이 보다 열화된다는 문제가 있다.
또한, (2)의 방법에서는 λ/2 공진기를 이용함으로써, 수동 부품이 대형화될 우려가 있다.
또한, (3)의 방법에서는 신호의 감쇠시키는 주파수 대역이 광범위하게 걸친 경우에는 많은 감쇠극을 형성해야 하기 때문에, 원하는 감쇠량의 확보가 어렵다.
또한, 비어 홀로 구성된 공진기를 포함하는 수동 부품에서는 복수의 유전체층의 적층 방향으로 공진기로서의 비어 홀이 형성되어 있기 때문에, 예컨대 상기 비어 홀로 λ/2 공진기를 구성하는 경우에 있어서, 수동 부품이 상기 유전체층의 적층 방향으로 대형화될 우려가 있다.
즉, (2) 및 (3)의 방법에서는 필터와 밸룬을 일체화하면 수동 부품의 사이즈가 더욱 대형화되기 때문에, 시장의 소형화 요청에 대응할 수 없다는 문제가 있다.
본 발명은 이러한 과제를 고려하여 이루어진 것으로, 소형화를 행하여도 전기적 특성의 향상, 특히 공진기의 Q값을 높일 수 있으며 손실이 적은 수동 부품을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따른 수동 부품은 어스 전극이 형성된 유전체 기판 내에, 필터부와, 불평형-평형 변환부와, 상기 필터부와 상기 불평형-평형 변환부를 전기적으로 접속하는 접속부가 형성된 수동 부품에 있어서, 상기 필터부는 하나 이상의 공진기를 포함하고, 상기 공진기는 일단이 상기 어스 전극에 접속된 비어 홀을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 비어 홀은 어스 전극에 접속되기 때문에, 상기 어스 전극과의 부유 용량은 발생하지 않는다. 또한, 비어 홀은 평판 형상의 전극에 비해 단면적을 크게 할 수 있기 때문에, 그만큼 도체손실이 작아지며, 공진기의 Q값도 향상하게 된다. 게다가, 필터부에 포함되는 유전체의 두께를 두껍게 할 필요도 없다. 따라서, 필터부와 불평형-평형 변환부가 일체화된 수동 부품의 소형화를 촉진시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 수동 부품은 유전체 기판 내에, 필터부와, 불평형-평형 변환부와, 상기 필터부와 상기 불평형-평형 변환부를 전기적으로 접속하는 접속부가 형성된 수동 부품에 있어서, 상기 유전체 기판의 상부에 상기 필터부, 하부에 상기 불평형-평형 변환부가 형성되거나, 또는 상기 유전체 기판의 하부에 상기 필터부, 상부에 상기 불평형-평형 변환부가 형성되고, 상기 유전체 기판의 상면 또는 하면 중 상기 필터부에 근접하는 면에 제1 어스 전극이 형성되며, 상기 불평형-평형 변환부에 근접하는 면에 제2 어스 전극이 형성되고, 상기 필터부와 상기 불평형-평형 변환부 사이에 내층 어스 전극이 형성되고, 상기 공진기는 일단이 상기 제1 어스 전극에 접속된 비어 홀과, 상기 비어 홀의 타단에 접속되며 상기 내층 어스 전극에 대하여 유전체를 사이에 두고 형성된 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
우선, 공진기는 상기 제1 어스 전극에 접속된 비어 홀을 포함하는 1/4 파장의 공진기이다. 그리고, 이 공진기는 제1 어스 전극과 제2 어스 전극 사이에 있어서 이들 어스 전극에 대하여 수직 방향으로 형성되어 있다. 제1 어스 전극과의 접속단이 단락단을 구성하고, 내층 어스 전극에 대향하여 형성된 제1 전극의 상기 내층 어스 전극에 대향하는 부분이 개방단을 구성한다. 즉, 공진기의 단락단을 구성하는 어스 전극과 공진기의 개방단과 대향하는 어스 전극이 각각 다른 어스 전극으로 되어 있다.
그리고, 본 발명에서는 공진기가 상기 제1 어스 전극에 접속된 비어 홀을 포함하기 때문에 도체손실이 작아지며, 그만큼 공진기의 Q값도 향상하게 된다. 따라서, 필터부와 불평형-평형 변환부가 일체화된 수동 부품의 소형화를 촉진시킬 수 있다. 또한, 본 발명에서는 공진기를 구성하는 전극과 내층 어스 전극이 유전체를 사이에 두고 대향한 형태로 되어 있기 때문에, GND(그라운드)와 공진기 사이에서 용량을 확보할 수 있다. 또한, 필터부를 구성하기 위한 어스 전극과 필터부와 변환부의 아이솔레이션을 목적으로 한 내층 어스 전극을 공통화할 수 있고, 유전체 기판 내에 형성되는 전극을 효율적으로 배치할 수 있다.
그리고, 상기 접속부는 상기 공진기의 상기 전극에 접속되며 상기 내층 어스 전극을 관통하고, 일단이 상기 불평형-평형 변환부에 접속된 비어 홀을 포함하도록 하여도 좋고, 혹은 상기 공진기의 상기 전극에 대하여 유전체를 사이에 두고 형성된 용량 전극과, 상기 용량 전극에 접속되며 상기 내층 어스 전극을 관통하고, 일단이 상기 불평형-평형 변환부에 접속된 비어 홀을 포함하도록 하여도 좋다.
또한, 본 발명에 따른 수동 부품은 유전체 기판 내에, 필터부와, 불평형-평형 변환부와, 상기 필터부와 상기 불평형-평형 변환부를 전기적으로 접속하는 접속부가 형성된 수동 부품에 있어서, 상기 유전체 기판의 상부에 상기 필터부, 하부에 상기 불평형-평형 변환부가 형성되거나, 또는 상기 유전체 기판의 하부에 상기 필터부, 상부에 상기 불평형-평형 변환부가 형성되고, 상기 유전체 기판의 상면 또는 하면 중 상기 필터부에 근접하는 면에 제1 어스 전극이 형성되며, 상기 불평형-평형 변환부에 근접하는 면에 제2 어스 전극이 형성되고, 상기 필터부와 상기 불평형-평형 변환부 사이에 내층 어스 전극이 형성되고, 상기 공진기는 제1 비어 홀과, 상기 제1 비어 홀의 일단에 접속되며 상기 내층 어스 전극에 대향하여 형성된 제1 전극과, 상기 제1 비어 홀의 타단에 접속되며 상기 제1 어스 전극에 대하여 유전체를 사이에 두고 형성된 제2 전극과, 일단이 상기 제2 전극에 접속되며 타단이 상기 내층 어스 전극에 접속된 제2 비어 홀을 포함하는 것을 특징으로 한다.
우선, 공진기는 상기 제1 및 제2 비어 홀을 포함하는 1/4 파장의 공진기이다. 그리고, 이 공진기는 제1 어스 전극과 제2 어스 전극 사이에 있어서 이들 어스 전극에 대하여 수직 방향으로 형성되며, 또한 절첩되는 구조로 되어 있다. 즉, 이 공진기는 내층 어스 전극과의 접속단이 단락단을 구성하고, 내층 어스 전극에 대향하여 형성된 제1 전극의 상기 내층 어스 전극에 대향하는 부분이 개방단을 구성한다. 즉, 공진기의 단락단을 구성하는 어스 전극과 공진기의 개방단과 대향하는 어스 전극이 동일한 어스 전극(내층 어스 전극)으로 되어 있다.
이 경우도 공진기가 제1 비어 홀과 제2 비어 홀을 포함하기 때문에 도체손실이 작아지며, 그만큼 공진기의 Q값도 향상하게 된다. 따라서, 필터부와 불평형-평형 변환부가 일체화된 수동 부품의 소형화를 촉진시킬 수 있다. 또한, 공진기를 구성하는 제1 전극과 내층 어스 전극이 유전체를 사이에 두고 대향한 형태로 되어 있기 때문에, GND(그라운드)와 공진기 사이에서 용량을 확보할 수 있다. 또한, 필터부를 구성하기 위한 어스 전극과 필터부와 변환부와의 아이솔레이션을 목적으로 한 내층 어스 전극을 공통화할 수 있고, 유전체 기판 내에 형성되는 각종 전극을 효율적으로 배치할 수 있다.
또한, 공진기가 제1 비어 홀과 제2 비어 홀로 절첩 구조를 형성하도록 하고 있기 때문에, 수동 부품이 소형화되어도 공진기 길이를 확보할 수 있고, 공진 주파수의 저주파화에도 충분히 대응시킬 수 있다.
그리고, 본 발명에 있어서, 상기 접속부는 상기 공진기의 상기 제1 전극에 접속되며 상기 내층 어스 전극을 관통하고, 일단이 상기 불평형-평형 변환부에 접속된 비어 홀을 포함하도록 하여도 좋고, 혹은 상기 공진기의 상기 제1 전극에 대하여 유전체를 사이에 두고 대향하여 형성된 용량 전극과, 상기 용량 전극에 접속되며 상기 내층 어스 전극을 관통하고, 일단이 상기 불평형-평형 변환부에 접속된 비어 홀을 포함하도록 하여도 좋다.
또한, 본 발명에 따른 수동 부품은 유전체 기판 내에, 필터부와, 불평형-평형 변환부와, 상기 필터부와 상기 불평형-평형 변환부를 전기적으로 접속하는 접속부가 형성된 수동 부품에 있어서, 상기 유전체 기판의 좌측부에 상기 필터부, 우측부에 상기 불평형-평형 변환부가 형성되거나, 또는 상기 유전체 기판의 우측부에 상기 필터부, 좌측부에 상기 불평형-평형 변환부가 형성되고, 상기 유전체 기판의 상면에 제1 어스 전극이 형성되며, 하면에 제2 어스 전극이 형성되고, 상기 공진기는 일단이 상기 제1 어스 전극에 접속된 비어 홀과, 상기 비어 홀의 타단에 접속되며 상기 제2 어스 전극에 대하여 유전체를 사이에 두고 형성된 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
공진기는 제1 어스 전극과 제2 어스 전극 사이에 있어서 이들 어스 전극에 대하여 수직 방향으로 형성되어 있다. 제1 어스 전극과의 접속단이 단락단을 구성하고, 제2 어스 전극에 대향하여 형성된 전극의 상기 내층 어스 전극에 대향하는 부분이 개방단을 구성한다. 즉, 공진기의 단락단을 구성하는 어스 전극과 공진기의 개방단에 대향하는 어스 전극이 각각 다른 어스 전극으로 되어 있다.
이 경우도 필터부와 불평형-평형 변환부가 일체화된 수동 부품의 소형화를 촉진시킬 수 있다.
특히, 본 발명에서는 필터부를 유전체 기판의 좌측부 또는 우측부에 배치하고, 불평형-평형 변환부를 유전체 기판의 우측부 또는 좌측부에 배치하도록 하였기 때문에, 필터부에 포함되는 유전체의 두께를 충분히 확보할 수 있으므로 공진기의 Q값을 더욱 향상시킬 수 있다.
그리고, 본 발명에 있어서, 상기 접속부는, 일단부가 상기 공진기의 상기 전극에 접속되며 타단부가 상기 불평형-평형 변환부에 접속된 접속 전극을 포함하고, 상기 접속 전극과 상기 불평형-평형 변환부 사이에 내층 어스 전극이 형성되어 있어도 좋고, 혹은 상기 공진기의 상기 전극에 대하여 유전체를 사이에 두고 형성된 용량 전극과, 일단부가 상기 용량 전극에 접속되며 타단부가 상기 불평형-평형 변환부에 접속된 접속 전극을 포함하고, 상기 접속 전극과 상기 불평형-평형 변환부 사이에 내층 어스 전극이 형성되어 있어도 좋다.
또한, 본 발명에 따른 수동 부품은 유전체 기판 내에, 필터부와, 불평형-평형 변환부와, 상기 필터부와 상기 불평형-평형 변환부를 전기적으로 접속하는 접속부가 형성된 수동 부품에 있어서, 상기 유전체 기판의 좌측부에 상기 필터부, 우측부에 상기 불평형-평형 변환부가 형성되거나, 또는 상기 유전체 기판의 우측부에 상기 필터부, 좌측부에 상기 불평형-평형 변환부가 형성되고, 상기 유전체 기판의 상면에 제1 어스 전극이 형성되며, 하면에 제2 어스 전극이 형성되고, 상기 공진기는 제1 비어 홀과, 상기 제1 비어 홀의 일단에 접속되며 상기 제2 어스 전극에 대향하여 형성된 제1 전극과, 상기 제1 비어 홀의 타단에 접속되며 상기 제1 어스 전극에 대하여 유전체를 사이에 두고 형성된 제2 전극과, 일단이 상기 제2 전극에 접속되며 타단이 상기 제2 어스 전극에 접속된 제2 비어 홀을 포함하는 것을 특징으로 한다.
공진기는 제1 어스 전극과 제2 어스 전극 사이에 있어서 이들 어스 전극에 대하여 수직 방향으로 형성되며, 또한 절첩하는 구조로 되어 있다. 즉, 이 공진기는 제2 어스 전극과의 접속단이 단락단을 구성하고, 제2 어스 전극에 대향하여 형성된 제1 전극의 상기 제2 어스 전극에 대향하는 부분이 개방단을 구성한다. 즉, 공진기의 단락단을 구성하는 어스 전극과 공진기의 개방단과 대향하는 어스 전극이 동일한 어스 전극(제2 어스 전극)으로 되어 있다.
이 경우도, 필터부와 불평형-평형 변환부가 일체화된 수동 부품의 소형화를 촉진시킬 수 있고, 게다가 유전체 기판 내에 형성되는 각종 전극을 효율적으로 배치할 수 있다. 또한, 필터부를 유전체 기판의 좌측부 또는 우측부에 배치하고, 불평형-평형 변환부를 유전체 기판의 우측부 또는 좌측부에 배치하도록 하였기 때문에, 필터부에 포함되는 유전체의 두께를 충분히 확보할 수 있고, 공진기의 Q값을 더욱 향상시킬 수 있다.
또한, 공진기가 제1 비어 홀과 제2 비어 홀로 절첩 구조를 형성하도록 하고 있기 때문에, 수동 부품이 소형화되어도 공진기 길이를 확보할 수 있고, 공진 주파수의 저주파화에도 충분히 대응시킬 수 있다.
그리고, 본 발명에 있어서, 상기 접속부는, 일단부가 상기 공진기의 상기 제1 전극에 접속되며 타단부가 상기 불평형-평형 변환부에 접속된 접속 전극을 포함하고, 상기 접속 전극과 상기 불평형-평형 변환부 사이에 내층 어스 전극이 형성되어 있어도 좋고, 혹은 상기 공진기의 상기 제1 전극에 대하여 유전체를 사이에 두고 형성된 용량 전극과, 일단부가 상기 용량 전극에 접속되며 타단부가 상기 불평형-평형 변환부에 접속된 접속 전극을 포함하고, 상기 접속 전극과 상기 불평형-평형 변환부 사이에 내층 어스 전극이 형성되어 있어도 좋다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 수동 부품에 의하면, 소형화를 행하여도 전기적 특성의 향상, 특히 공진기의 Q값을 높일 수 있고, 손실이 적은 수동 부품을 얻을 수 있다. 즉, 필터부와 불평형-평형 변환부가 일체화된 수동 부품의 소형화를 촉진시킬 수 있다.
도 1은 제1 실시 형태에 따른 수동 부품을 도시한 사시도.
도 2는 제1 실시 형태에 따른 수동 부품을 도시한 분해 사시도.
도 3은 제2 실시 형태에 따른 수동 부품을 도시한 분해 사시도.
도 4는 제3 실시 형태에 따른 수동 부품을 도시한 사시도.
도 5는 제3 실시 형태에 따른 수동 부품을 도시한 분해 사시도.
도 6은 제4 실시 형태에 따른 수동 부품을 도시한 분해 사시도.
이하, 본 발명에 따른 수동 부품의 몇 가지 실시 형태 예를 도 1 내지 도 6을 참조하면서 설명한다.
우선, 제1 실시 형태에 따른 수동 부품(10A)은 도 1 및 도 2에 도시하는 바와 같이, 복수의 유전체층(S1~S11)(도 2 참조)이 적층, 소성 일체화된 유전체 기판(12)을 포함한다. 유전체 기판(12)의 6개의 외주면[제1~제4 측면(14a~14d), 상면(14e), 하면(14f)] 중 제2 및 제3 측면(14b, 14c)과 상면(14e)의 거의 전면에는 유전체 기판(12)을 덮도록 하여 어스 전극(18)이 형성되어 있다. 또한, 이 제1 실시 형태에서는 후술하는 바와 같이, 최하층 유전체층(S11)의 주요면에 내층 어스 전극(18c)을 형성하도록 하고 있지만, 그 외에 유전체 기판(12)의 하면(14f)에 어스 전극(18)을 형성하도록 하여도 좋다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 제1 측면(14a)에는 NC 단자(내부의 전극과 접속되어 있지 않은 단자)(16a)와 불평형 입출력 단자(16b)와 직류 전압 입력 단자(DC 입력 단자)(16c)가 형성되고, 제2 측면(14b)[제1 측면(14a)과 대향하는 측면]에는 어스 단자(16d)와 제1 평형 입출력 단자(16e)와 제2 평형 입출력 단자(16f)가 형성되어 있다.
또한, 전술한 불평형 입출력 단자(16b)와 DC 입력 단자(16c)와 제1 및 제2 평형 입출력 단자(16e 및 16f)는 유전체 기판(12)이 노출된 절연 영역에 의해 어스 전극(18) 및 어스 단자(16d)로 전기적으로 절연되어 있다.
유전체 기판(12)은 도 2에 도시하는 바와 같이, 위에서 순서대로 제1~제11 유전체층(S1~S11)이 중첩되어 구성되어 있다. 이들 제1~제11 유전체층(S1~S11)은 1장 혹은 복수장의 층으로써 구성된다.
또한, 제1~제11 유전체층(S1~S11) 중 제6, 제9 및 제11 유전체층(S6, S9 및 S11)의 일주면에는 각각 내층 어스 전극(18a, 18b 및 18c)이 각각 형성되어 있다.
유전체 기판(12) 내에는 필터부(20)와, 불평형-평형 변환부(이하, 간단하게 변환부라고 기재함)(22)와, 필터부(20)와 변환부(22)를 전기적으로 접속하는 접속부(24)가 형성되어 있다. 필터부(20)는 2개의 1/4 파장의 공진기[제1 공진기(26) 및 제2 공진기(28)]를 포함한다. 변환부(22)는 제7 유전체층(S7)의 주요면에 형성된 제1 스트립 라인(30)과 제8 유전체층(S8)의 주요면에 형성된 제2 및 제3 스트립 라인(32 및 34)을 갖는다.
필터부(20)와 변환부(22)는, 유전체 기판(12) 중 제1~제11 유전체층(S1~S11)의 적층 방향의 상하로 분리된 영역에 각각 형성되어 있다. 예컨대, 상기 적층 방향 중 그 상부에는 필터부(20)가 형성되며 그 하부에는 변환부(22)가 형성되고, 양자 사이에 접속부(24)가 형성되어 있다.
또한, 필터부(20)가 형성되는 제1~제4 유전체층(S1~S4) 중 제1 측면(14a) 근처의 부분에는 제1 공진기(26)가 형성되고, 제2 측면(14b) 근처의 부분에는 제2 공진기(28)가 형성되어 있다.
제1 공진기(26)는 도 2에 도시하는 바와 같이, 제4 유전체층(S4)의 주요면에 형성된 전극(36)과 제1~제3 유전체층(S1~S3)을 관통하며 전극(36)과 어스 전극(18)을 접속하는 비어 홀(38)을 포함한다. 또한, 제4 유전체층(S4)의 주요면에는 전극(36)과 불평형 입출력 단자(16b)(도 1 참조)를 접속하는 리드 전극(40)이 형성되어 있다.
마찬가지로, 제2 공진기(28)는 제4 유전체층(S4)의 주요면에 형성된 전극(42)과 제1~제3 유전체층(S1~S3)을 관통하며 전극(42)과 어스 전극(18)을 접속하는 비어 홀(44)을 포함한다.
즉, 제1 공진기(26)는 어스 전극(18)에 접속된 비어 홀(38)을 포함하는 1/4 파장의 공진기이고, 제2 공진기(28)는 어스 전극(18)에 접속된 비어 홀(44)을 포함하는 1/4파장의 공진기이다. 제1 및 제2 공진기(26 및 28)는 어스 전극(18)과 내층 어스 전극(18a) 사이에 있어서, 이들 어스 전극(18) 및 내층 어스 전극(18a)에 대하여 수직 방향으로 형성되어 있다. 어스 전극(18)과의 접속단이 제1 및 제2 공진기(26 및 28)의 단락단을 구성하고, 내층 어스 전극(18a)에 대향하여 형성된 전극(36 및 42) 중 내층 어스 전극(18a)에 대향하는 부분이 제1 및 제2 공진기(26 및 28)의 개방단을 구성한다. 즉, 제1 및 제2 공진기(26 및 28)의 단락단을 구성하는 어스 전극과 제1 및 제2 공진기(26 및 28)의 개방단과 대향하는 어스 전극이 각각 다른 어스 전극[어스 전극(18) 및 내층 어스 전극(18a)]으로 되어 있다.
제3 유전체층(S3)의 일주면 중 그 중앙 부분에는 제1 공진기(26)와 제2 공진기(28)의 전자 결합을 조정하는 2개의 결합 조정 전극(46 및 48)이 형성되어 있다. 한쪽의 결합 조정 전극(46)은 제3 측면(14c) 근처에 있어서, 제1 및 제2 공진기(26 및 28)의 각 전극(36 및 42)과 대향하는 부분에 형성되고, 다른 한쪽의 결합 조정 전극(48)은 제4 측면(14d) 근처에 있어서, 제1 및 제2 공진기(26 및 28)의 각 전극(36 및 42)과 대향하는 부분에 형성되어 있다.
접속부(24)는 제5 유전체층(S5)의 주요면 중 제2 공진기(28)에 있어서의 전극(42)과 대응하는 위치에 형성된 용량 전극(50)과, 상기 용량 전극(50)의 일단부로부터 제5 및 제6 유전체층(S5 및 S6)을 관통하여 변환부(22)의 제1 스트립 라인(30)에 접속되는 비어 홀(52)을 포함한다.
변환부(22)의 제1 스트립 라인(30)은 시단(始端)(54)으로부터 소용돌이 형상으로 전개되고, 또한, 시단(54)과 선대칭의 위치[제1 및 제2 평형 입출력 단자(16e 및 16f)를 연결하는 선분의 2등분선(m)(대표적으로 제7 유전체층(S7) 상에 기재함)을 기준으로 한 선대칭의 위치]에 배치된 종단(終端)(56)을 향하여 소용돌이 형상으로 수속(收束)되는 형상으로 되어 있다. 이와 같이, 제1 스트립 라인(30)은 2등분선(m)에 대하여 선대칭 형상으로 되어 있기 때문에, 위상 및 진폭의 밸런스가 취해진 신호 특성을 얻을 수 있다.
접속부(24)의 비어 홀(52)은 제1 스트립 라인(30) 중 시단(54) 혹은 시단(54)의 근방 위치에 접속되어 있다. 이하의 설명에서는 제1 스트립 라인(30) 상에 있어서의 비어 홀(52)과의 접속 위치를 제1 접속 위치(58)라고 기재한다.
또한, 제6 유전체층(S6)의 주요면에 형성된 내층 어스 전극(18a) 중 제1 스트립 라인(30)에 있어서의 제1 접속 위치(58)에 대향하는 지점에는 내층 어스 전 극(18a)과 비어 홀(52)과의 절연을 확보하기 위한 하나의 절연 영역(60)(유전체가 노출되어 전극 부분이 형성되어 있지 않은 영역)이 형성되어 있다.
변환부(22)의 제2 스트립 라인(32)은 전술한 제1 스트립 라인(30)에 있어서의 시단(54)에 대응하는 시단(62)으로부터 제1 평형 입출력 단자(16e)(도 1 참조)를 향하여 소용돌이 형상으로 전개된 형상을 갖고, 그 종단(64)이 제1 평형 입출력 단자(16e)에 접속되어 있다.
한편, 제3 스트립 라인(34)은 전술한 제1 스트립 라인(30)에 있어서의 종단(56)에 대응하는 시단(66)으로부터 제2 평형 입출력 단자(16f)(도 1 참조)를 향하여 소용돌이 형상으로 전개된 형상을 갖고, 그 종단(68)이 제2 평형 입출력 단자(16f)에 접속되어 있다.
특히, 제2 및 제3 스트립 라인(32 및 34)은 그 소용돌이형의 형상이 서로 선대칭[상기 2등분선(m)을 기준으로 한 선대칭]을 이루고, 각 물리 길이가 거의 동일하게 되어 있다.
또한, 제10 유전체층(S10)의 주요면에는 DC 전극(70)이 형성되어 있다. DC 전극(70)은 리드 전극(72)을 통해 DC 입력 단자(16c)(도 1 참조)와 전기적으로 접속되어 있다.
이 경우, DC 전극(70)과 제2 스트립 라인(32)의 시단(62) 혹은 시단(62)의 근방 위치가 비어 홀(74)을 통해 접속되고, DC 전극(70)과 제3 스트립 라인(34)의 시단(66) 혹은 시단(66)의 근방 위치가 비어 홀(76)을 통해 접속되어 있다. 이하의 설명에서는 제2 스트립 라인(32) 상에 있어서의 비어 홀(74)과의 접속 위치를 제2 접속 위치(78)라고 기재하고, 제3 스트립 라인(34) 상에 있어서의 비어 홀(76)과의 접속 위치를 제3 접속 위치(80)라고 기재한다.
또한, 제9 유전체층(S9)의 주요면에 형성된 내층 어스 전극(18b) 중 제2 스트립 라인(32)에 있어서의 제2 접속 위치(78)에 대향하는 지점과 제3 스트립 라인(34)에 있어서의 제3 접속 위치(80)에 대향하는 지점에는, 내층 어스 전극(18b)과 비어 홀(74 및 76)과의 절연을 확보하기 위한 2개의 절연 영역(82 및 84)(유전체가 노출되어 전극 부분이 형성되어 있지 않은 영역)이 형성되어 있다.
이 내층 어스 전극(18c)은 제1~제3 스트립 라인(30, 32 및 34)과 DC 전극(70) 사이의 아이솔레이션용 실드 전극으로서도 기능한다.
이와 같이, 제1 실시 형태에 따른 수동 부품(10A)에 있어서는 제1 및 제2 공진기(26 및 28)가 각각 비어 홀(38 및 44)을 포함하여 구성되어 있다. 각 비어 홀(33 및 44)은 유전체 기판(12)의 상면에 형성된 어스 전극(18)에 접속되기 때문에, 상기 어스 전극(18)과의 부유 용량은 발생하지 않는다. 또한, 각 비어 홀(38 및 44)은 평판 형상의 전극에 비해 단면적을 크게 할 수 있기 때문에, 그만큼 도체손실이 작아지며, 공진기의 Q값도 향상하게 된다. 게다가, 필터부(20)에 포함되는 유전체의 두께를 두껍게 할 필요도 없다. 따라서, 필터부(20)와 변환부(22)가 일체화된 수동 부품(10A)의 소형화를 촉진시킬 수 있다.
특히, 이 제1 실시 형태에 따른 수동 부품(10A)에서는 제1 및 제2 공진기(26및 28)를 구성하는 전극(36 및 42)과 내층 어스 전극(18a)이 유전체[제4 및 제5 유전체층(S4 및 S5)]를 사이에 두고 대향한 형태로 되어 있기 때문에, GND(그라운드) 와 제1 및 제2 공진기(26 및 28) 사이에서 용량을 확보할 수 있다. 또한, 필터부(20)를 구성하기 위한 어스 전극(트리플레이트로서의 어스 전극)과, 필터부(20)와 변환부(22)와의 아이솔레이션을 목적으로 한 내층 어스 전극을 공통화할 수 있고, 유전체 기판(12) 내에 형성되는 각종 전극을 효율적으로 배치할 수 있다.
또한, 전술한 예에서는 접속부(24)에 용량 전극(50)을 형성하여, 제2 공진기(28)를 구성하는 전극(42)과 변환부(22)의 제1 스트립 라인(30)을 용량을 통해 비어 홀(52)에 접속하도록 하였지만, 그 외에 제2 공진기(28)를 구성하는 전극(42)과 변환부(22)의 제1 스트립 라인(30)을 직접 비어 홀(52)에 접속하도록 하여도 좋다.
다음으로, 제2 실시 형태에 따른 수동 부품(10B)에 대해서 도 3을 참조하면서 설명한다. 또한, 제1 실시 형태와 대응하는 것에 대해서는 동일 부호를 붙여 그 중복 설명을 생략한다.
제2 실시 형태에 따른 수동 부품(10B)은 전술한 제1 실시 형태에 따른 수동 부품(10A)과 대략 동일한 구성을 갖지만, 제1 및 제2 공진기(26 및 28)의 구성이 이하와 같이 다르다.
즉, 제1 공진기(26)는 도 3에 도시하는 바와 같이, 제4 유전체층(S4)의 주요면에 형성된 제1 전극(90)과, 제2 유전체층(S2)의 주요면에 형성된 제2 전극(92)과, 제2 및 제3 유전체층(S2 및 S3)을 관통하며 제1 전극(90)과 제2 전극(92)을 접속하는 제1 비어 홀(94)과, 제2~제5 유전체층(S2~S5)을 관통하며 제2 전극(92)과 내층 어스 전극(18a)을 접속하는 제2 비어 홀(96)을 포함한다. 또한, 제4 유전체 층(S4)의 주요면에는 제1 전극(90)과 불평형 입출력 단자(16b)(도 1 참조)를 접속하는 리드 전극(98)이 형성되어 있다.
마찬가지로, 제2 공진기(28)는 제4 유전체층(S4)의 주요면에 형성된 제1 전극(100)과, 제2 유전체층(S2)의 주요면에 형성된 제2 전극(102)과, 제2 및 제3 유전체층(S2 및 S3)을 관통하며 제1 전극(100)과 제2 전극(102)을 접속하는 제1 비어 홀(104)과, 제2~제5 유전체층(S2~S5)을 관통하며 제2 전극(102)과 내층 어스 전극(18a)을 접속하는 제2 비어 홀(106)을 포함한다.
즉, 제1 공진기(26)는 제1 및 제2 비어 홀(94 및 96)을 포함하는 1/4 파장의 공진기이고, 제2 공진기(28)는 제1 및 제2 비어 홀(104 및 106)을 포함하는 1/4 파장의 공진기이다. 제1 및 제2 공진기(26 및 28)는 어스 전극(18)과 내층 어스 전극(18a) 사이에 있어서 이들 어스 전극(18) 및 내층 어스 전극(18a)에 대하여 수직 방향으로 형성되며, 또한 절첩하는 구조로 되어 있다. 그리고, 내층 어스 전극(18a)과의 접속단이 제1 및 제2 공진기(26 및 28)의 단락단을 구성하고, 내층 어스 전극(18a)에 대향하여 형성된 전극(90 및 100) 중 내층 어스 전극(18a)에 대향하는 부분이 제1 및 제2 공진기(26 및 28)의 개방단을 구성한다. 즉, 제1 및 제2 공진기(26 및 28)의 단락단을 구성하는 어스 전극과 제1 및 제2 공진기(26 및 28)의 개방단과 대향하는 어스 전극이 동일한 어스 전극[내층 어스 전극(18a)]으로 되어 있다.
이 제2 실시 형태에 따른 수동 부품(10B)에 있어서는 제1 공진기(26)가 제1 및 제2 비어 홀(94 및 96)로 절첩 구조를 형성하고, 제2 공진기(28)가 제1 및 제2 비어 홀(104 및 106)로 절첩 구조를 형성하도록 하고 있기 때문에, 수동 부품(10B)이 소형화되어도 필요한 공진기 길이를 확보할 수 있고, 공진 주파수의 저주파화에도 충분히 대응시킬 수 있다.
다음으로, 제3 실시 형태에 따른 수동 부품(10C)에 대해서 도 4 및 도 5를 참조하면서 설명한다.
이 제3 실시 형태에 따른 수동 부품(10C)은 도 4 및 도 5에 도시하는 바와 같이, 복수의 유전체층(S1~S12)(도 5 참조)이 적층, 소성 일체화된 유전체 기판(12)을 포함한다. 유전체 기판(12)의 6개의 외주면[제1~제4 측면(14a~14d), 상면(14e), 하면(14f)] 중 제1 및 제2 측면(14a, 14b)과 상면(14e)의 거의 전면에는 유전체 기판(12)을 덮도록 하여 어스 전극(18)이 형성되어 있다. 또한, 이 제3 실시 형태에서는 후술하는 바와 같이, 최하층 유전체층(S12)의 주요면에 내층 어스 전극을 형성하도록 하고 있지만, 그 외에 유전체 기판(12)의 하면에 어스 전극을 형성하도록 하여도 좋다.
도 4에 도시하는 바와 같이, 제3 측면(14c)에는 불평형 입출력 단자(16b)와 DC 입력 단자(16c)가 형성되고, 제4 측면(14d)[제3 측면(14c)과 대향하는 측면]에는 제1 평형 입출력 단자(16e)와 제2 평형 입출력 단자(16f)가 형성되어 있다.
또한, 전술한 불평형 입출력 단자(16b)와 DC 입력 단자(16c)와 제1 및 제2 평형 입출력 단자(16e 및 16f)는 유전체 기판(12)이 노출된 절연 영역에 의해, 어스 전극(18)으로부터 전기적으로 절연되어 있다.
유전체 기판(12)은 도 5에 도시하는 바와 같이, 위에서 순서대로 제1~제12 유전체층(S1~S12)이 중첩되어 구성되어 있다. 이들 제1~제12 유전체층(S1~S12)은 1장 혹은 복수장의 층으로써 구성된다.
또한, 제1~제12 유전체층(S1~S12) 중 제2, 제5, 제7 및 제10 유전체층(S2, S5, S7 및 S10)의 각 주요면에 있어서의 제4 측면(14d) 근처의 부분에는 각각 내층 어스 전극(18a, 18b, 18c 및 18d)이 각각 형성되고, 제12 유전체층(S12) 주요면의 거의 전면에는 내층 어스 전극(18e)이 형성되어 있다.
이 제3 실시 형태에 있어서도 유전체 기판(12) 내에는 필터부(20)와 변환부(22)와 접속부(24)가 형성되어 있다. 필터부(20)는 제1 공진기(26) 및 제2 공진기(28)를 포함한다. 변환부(22)는 제9 유전체층(S9)의 주요면에 형성된 제1 스트립 라인(110)과, 제8 유전체층(S8)의 주요면에 형성된 제2 스트립 라인(112)과, 제4 유전체층(S4)의 주요면에 형성된 제3 스트립 라인(114)과, 제3 유전체층(S3)의 주요면에 형성된 제4 스트립 라인(116)을 갖는다.
필터부(20)는 유전체 기판(12)의 좌측부 혹은 우측부에 형성되고, 변환부(22)는 유전체 기판(12)의 우측부 혹은 좌측부에 형성되어 있다. 도 5의 예에서는 유전체 기판(12)의 좌측부에 필터부(20)가 형성되며 우측부에 변환부(22)가 형성되고, 유전체 기판(12)의 하부에 접속부(24)가 형성되어 있다.
제1 공진기(26)는 제9 유전체층(S9)의 주요면에 형성된 전극(118)과 제1~제8 유전체층(S1~S8)을 관통하며 전극(118)과 어스 전극(18)을 접속하는 비어 홀(120)을 포함한다. 또한, 제9 유전체층(S9)의 주요면에는 전극(118)과 불평형 입출력 단자(16b)(도 4 참조)를 접속하는 리드 전극(122)이 형성되어 있다.
마찬가지로, 제2 공진기(28)는 제9 유전체층(S9)의 주요면에 형성된 전극(124)과 제1~제8 유전체층(S1~S8)을 관통하며 전극(124)과 어스 전극(18)을 접속하는 비어 홀(126)을 포함한다.
즉, 제1 공진기(26)는 어스 전극(18)에 접속된 비어 홀(120)을 포함하는 1/4 파장의 공진기이고, 제2 공진기(28)는 어스 전극(18)에 접속된 비어 홀(126)을 포함하는 1/4 파장의 공진기이다. 제1 및 제2 공진기(26 및 28)는 어스 전극(18)과 내층 어스 전극(18e) 사이에 있어서, 이들 어스 전극(18) 및 내층 어스 전극(18e)에 대하여 수직 방향으로 형성되어 있다. 어스 전극(18)과의 접속단이 제1 및 제2 공진기(26 및 28)의 단락단을 구성하고, 내층 어스 전극(18e)에 대향하여 형성된 전극(118 및 124) 중 내층 어스 전극(18e)에 대향하는 부분이 제1 및 제2 공진기(26 및 28)의 개방단을 구성한다. 즉, 제1 및 제2 공진기(26 및 28)의 단락단을 구성하는 어스 전극과 제1 및 제2 공진기(26 및 28)의 개방단과 대향하는 어스 전극이 각각 다른 어스 전극[어스 전극(18) 및 내층 어스 전극(18e)]으로 되어 있다.
제8 유전체층(S8)의 주요면 중 제3 측면(14c) 근처에, 제1 공진기(26)와 제2 공진기(28)와의 전자 결합을 조정하는 결합도 조정 전극(128)이 형성되어 있다. 이 결합도 조정 전극(128)은 제1 공진기(26)의 전극(118)에 대향하는 부분과 제2 공진기(28)의 전극(124)에 대향하는 부분에 걸쳐서 연속하여 형성되어 있다.
접속부(24)는 용량 전극(130)과 접속 전극(132)과 2개의 비어 홀(134 및 136)을 포함한다. 용량 전극(130)은 제10 유전체층(S10)의 주요면 중 제2 공진기(28)의 전극(124)과 대응하는 위치에 형성되고, 접속 전극(132)은 제11 유전체 층(S11)의 주요면에 형성되어 있다. 그리고, 접속 전극(132)의 일단부와 용량 전극(130)이 제10 유전체층(S10)을 관통하는 상기 비어 홀(134)을 통해 접속되고, 접속 전극(132)과 변환부(22)의 제1 스트립 라인(110)이 제9 및 제10 유전체층(S9 및 S10)을 관통하는 상기 비어 홀(136)을 통해 접속된다. 또한, 내층 어스 전극(18d) 중 비어 홀(136)이 관통하는 부분에는 상기 비어 홀(136)과 절연을 취하기 위한 영역(138)(전극이 형성되어 있지 않은 영역)이 형성되어 있다.
변환부(22)의 제1 스트립 라인(110)은 제9 유전체층(S9)의 대략 중앙 부분에 위치하는 시단(140)으로부터 제9 유전체층(S9)의 제4 측면(14d) 근처에 위치하는 종단(142)에 걸쳐서 소용돌이 형상으로 형성되어 있다. 접속부(24)의 비어 홀(136)은 제1 스트립 라인(110) 중 시단(140) 혹은 시단(140)의 근방 위치에 접속되어 있다. 이하의 설명에서는 제1 스트립 라인(110) 상에 있어서의 상기 비어 홀(136)과의 접속 위치를 제1 접속 위치(144)라고 기재한다.
변환부(22)의 제2 스트립 라인(112)은 제8 유전체층(S8)의 주요면에 형성되고, 전술한 제1 스트립 라인(110)에 있어서의 시단(140)에 대응하는 시단(146)으로부터 제1 평형 입출력 단자(16e)(도 4 참조)를 향하여 소용돌이 형상으로 전개된 형상을 갖고, 그 종단(148)이 제1 평형 입출력 단자(16e)에 접속되어 있다.
한편, 제3 스트립 라인(114)은 제4 유전체층(S4)의 대략 중앙 부분에 위치하는 시단(150)으로부터 제2 평형 입출력 단자(16f)(도 4 참조)를 향하여 소용돌이 형상으로 전개된 형상을 갖고, 그 종단(152)이 제2 평형 입출력 단자(16f)에 접속되어 있다.
제4 스트립 라인(116)은 제3 유전체층(S3)의 주요면에 형성되고, 전술한 제3 스트립 라인(114)에 있어서의 시단(150)에 대응하는 시단(154)으로부터 제3 유전체층(S3)의 제4 측면(14d) 근처에 위치하는 종단(156)에 걸쳐서 소용돌이 형상으로 형성되어 있다. 제1 스트립 라인의 종단(142) 혹은 종단(142)의 근방 위치[접속 위치(158)]와, 제4 스트립 라인의 종단(156) 혹은 종단(156)의 근방 위치[접속 위치(160)]는 제3~제8 유전체층(S3~S8)을 관통하는 비어 홀(162)을 통해 접속되어 있다.
또한, 제6 유전체층(S6)의 주요면에는 DC 전극(164)이 형성되어 있다. DC 전극(164)은 리드 전극(166)을 통해 DC 입력 단자(16c)(도 4 참조)와 전기적으로 접속되어 있다.
이 경우, DC 전극(164)과 제2 스트립 라인(112)의 시단(146) 혹은 시단(146)의 근방 위치가 비어 홀(168)을 통해 접속되고, DC 전극(164)과 제3 스트립 라인(114)의 시단(150) 혹은 시단(150)의 근방 위치가 비어 홀(170)을 통해 접속되어 있다. 이하의 설명에서는, 제2 스트립 라인(112) 상에 있어서의 상기 비어 홀(168)과의 접속 위치를 제2 접속 위치(172)라고 기재하고, 제3 스트립 라인(114) 상에 있어서의 상기 비어 홀(170)과의 접속 위치를 제3 접속 위치(174)라고 기재한다.
또한, 제7 유전체층(S7)의 주요면에 형성된 내층 어스 전극(18c) 중 제2 스트립 라인(112)에 있어서의 제2 접속 위치(172)에 대향하는 지점에는 내층 어스 전극(18c)과 비어 홀(168)과의 절연을 확보하기 위한 하나의 절연 영역(176)(유전체가 노출되어 전극 부분이 형성되어 있지 않은 영역)이 형성되어 있다.
마찬가지로, 제5 유전체층(S5)의 주요면에 형성된 내층 어스 전극(18b) 중 제3 스트립 라인(114)에 있어서의 제3 접속 위치(174)에 대향하는 지점에는 내층 어스 전극(18b)과 상기 비어 홀(170)과의 절연을 확보하기 위한 하나의 절연 영역(178)(유전체가 노출되어 전극 부분이 형성되어 있지 않은 영역)이 형성되어 있다.
상기 내층 어스 전극(18c)은 제1 및 제2 스트립 라인(110 및 112)과 DC 전극(164) 사이의 아이솔레이션용 실드 전극으로서 기능하고, 상기 내층 어스 전극(18b)은 제3 및 제4 스트립 라인(114 및 116)과 DC 전극(164) 사이의 아이솔레이션용 실드 전극으로서 기능한다.
이와 같이, 제3 실시 형태에 따른 수동 부품(10C)에 있어서는 제1 실시 형태와 마찬가지로 필터부(20)와 변환부(22)가 일체화된 수동 부품(10C)의 소형화를 촉진시킬 수 있다.
특히, 이 제3 실시 형태에서는 필터부(20)를 유전체 기판(12)의 좌측부에 배치하고, 변환부(22)를 유전체 기판(12)의 우측부에 배치하도록 하였기 때문에, 필터부(20)에 포함되는 유전체의 두께를 충분히 확보할 수 있고, 공진기의 Q값을 더욱 향상시킬 수 있다.
또한, 전술한 예에서는 접속부(24)에 용량 전극(130)을 형성하여, 제2 공진기(28)를 구성하는 전극(124)과 변환부(22)의 제1 스트립 라인(110)을 용량을 통해 비어 홀(136), 접속 전극(132) 및 비어 홀(134)로 접속하도록 하였지만, 그 외에 상기 용량 전극(130)을 형성하지 않고서, 제2 공진기(28)를 구성하는 전극(124)과 변환부(22)의 제1 스트립 라인(110)을 비어 홀(136), 접속 전극(132) 및 비어 홀(134)을 통해 접속하도록 하여도 좋다.
다음으로, 제4 실시 형태에 따른 수동 부품(10D)에 대해서 도 6을 참조하면서 설명한다. 또한, 제3 실시 형태와 대응하는 것에 대해서는 동일 부호를 붙여 그 중복 설명을 생략한다.
제4 실시 형태에 따른 수동 부품(10D)은 전술한 제3 실시 형태에 따른 수동 부품(10C)과 대략 동일한 구성을 갖지만, 제1 및 제2 공진기(26 및 28)의 구성이 이하와 같이 다르다.
즉, 제1 공진기(26)는 도 6에 도시하는 바와 같이, 제9 유전체층(S9)의 주요면에 형성된 제1 전극(180)과 제2 유전체층(S2)의 주요면에 형성된 제2 전극(182)과 제2~제8 유전체층(S2~S8)을 관통하며 제1 전극(180)과 제2 전극(182)을 접속하는 제1 비어 홀(184)과 제2~제11 유전체층(S2~S11)을 관통하며 제2 전극(182)과 내층 어스 전극(18e)을 접속하는 제2 비어 홀(186)을 포함한다. 또한, 제9 유전체층(S9)의 주요면에는 제1 전극(180)과 불평형 입출력 단자(16b)(도 4 참조)를 접속하는 리드 전극(188)이 형성되어 있다.
마찬가지로, 제2 공진기(28)는 제9 유전체층(S9)의 주요면에 형성된 제1 전극(190)과 제2 유전체층(S2)의 주요면에 형성된 제2 전극(192)과 제2~제8 유전체층(S2~S8)을 관통하며 제1 전극(190)과 제2 전극(192)을 접속하는 제1 비어 홀(194)과 제2~제11 유전체층(S2~S11)을 관통하며 제2 전극(192)과 내층 어스 전극(18e)을 접속하는 제2 비어 홀(196)을 포함한다.
이 제4 실시 형태에 따른 수동 부품(10D)에 있어서는, 제1 공진기(26)가 제1 및 제2 비어 홀(184 및 186)로 절첩 구조를 형성하고, 제2 공진기(28)가 제1 및 제2 비어 홀(194 및 196)로 절첩 구조를 형성하도록 하고 있기 때문에, 수동 부품(10D)이 소형화되어도 필요한 공진기 길이를 확보할 수 있고, 공진 주파수의 저주파화에도 충분히 대응시킬 수 있다.
전술한 예에서는 필터부(20)가 2개의 공진기(26 및 28)를 포함하는 경우를 나타내었지만, 그 외에 필터부(20)가 하나의 공진기 혹은 3개 이상의 공진기를 포함하는 경우에도 적용시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 수동 부품은 전술한 실시 형태에 한정되지 않으며, 본 발명의 요지를 일탈하지 않고서 여러 가지의 구성을 채용하여 얻을 수 있음은 물론이다.

Claims (13)

  1. 어스 전극(18)이 형성된 유전체 기판(12) 내에, 필터부(20)와, 불평형-평형 변환부(22)와, 상기 필터부(20)와 상기 불평형-평형 변환부(22)를 전기적으로 접속하는 접속부(24)가 형성된 수동 부품에 있어서,
    상기 필터부(20)는 하나 이상의 공진기(28)를 포함하고,
    상기 공진기(28)는 일단이 상기 어스 전극(18)에 접속된 비어 홀(44)을 포함하는 것을 특징으로 하는 수동 부품.
  2. 유전체 기판(12) 내에, 필터부(20)와, 불평형-평형 변환부(22)와, 상기 필터부(20)와 상기 불평형-평형 변환부(22)를 전기적으로 접속하는 접속부(24)가 형성된 수동 부품에 있어서,
    상기 유전체 기판(12)의 상부에 상기 필터부(20), 하부에 상기 불평형-평형 변환부(22)가 형성되거나, 또는 상기 유전체 기판(12)의 하부에 상기 필터부(20), 상부에 상기 불평형-평형 변환부(22)가 형성되고,
    상기 유전체 기판(12) 중 상기 필터부(20)에 근접하는 면에 제1 어스 전극(18)이 형성되며, 상기 불평형-평형 변환부(22)에 근접하는 면에 제2 어스 전극(18c)이 형성되고,
    상기 필터부(20)와 상기 불평형-평형 변환부(22) 사이에 내층 어스 전극(18a)이 형성되고,
    상기 필터부(20)는 하나 이상의 공진기(28)를 포함하고,
    상기 공진기(28)는 일단이 상기 제1 어스 전극(18)에 접속된 비어 홀(44)과, 상기 비어 홀(44)의 타단에 접속되며 상기 내층 어스 전극(18a)에 대하여 유전체를 사이에 두고 형성된 전극(42)을 포함하는 것을 특징으로 하는 수동 부품.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 접속부(24)는,
    상기 공진기(28)의 상기 전극(42)에 전기적으로 접속되며 상기 내층 어스 전극(18a)을 관통하고, 일단이 상기 불평형-평형 변환부(22)에 접속된 비어 홀(52)을 포함하는 것인 수동 부품.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 접속부(24)는,
    상기 공진기(28)의 상기 전극(42)에 대하여 유전체를 사이에 두고 형성된 용량 전극(50)과,
    상기 용량 전극(50)에 접속되며 상기 내층 어스 전극(18a)을 관통하고, 일단이 상기 불평형-평형 변환부(22)에 접속된 비어 홀(52)을 포함하는 것인 수동 부품.
  5. 유전체 기판(12) 내에, 필터부(20)와, 불평형-평형 변환부(22)와, 상기 필터 부(20)와 상기 불평형-평형 변환부(22)를 전기적으로 접속하는 접속부(24)가 형성된 수동 부품에 있어서,
    상기 유전체 기판(12)의 상부에 상기 필터부(20), 하부에 상기 불평형-평형 변환부(22)가 형성되거나, 또는 상기 유전체 기판(12)의 하부에 상기 필터부(20), 상부에 상기 불평형-평형 변환부(22)가 형성되고,
    상기 유전체 기판(12) 중 상기 필터부(20)에 근접하는 면에 제1 어스 전극(18)이 형성되며, 상기 불평형-평형 변환부(22)에 근접하는 면에 제2 어스 전극(18c)이 형성되고,
    상기 필터부(20)와 상기 불평형-평형 변환부(22) 사이에 내층 어스 전극(18a)이 형성되고,
    상기 필터부(20)는 하나 이상의 공진기(28)를 포함하고,
    상기 공진기(28)는 제1 비어 홀(104)과, 상기 제1 비어 홀(104)의 일단에 접속되며 상기 내층 어스 전극(18a)에 대향하여 형성된 제1 전극(100)과, 상기 제1 비어 홀(104)의 타단에 접속되며 상기 제1 어스 전극(18)에 대하여 유전체를 사이에 두고 형성된 제2 전극(102)과, 일단이 상기 제2 전극(102)에 접속되며 타단이 상기 내층 어스 전극(18a)에 접속된 제2 비어 홀(106)을 포함하는 것을 특징으로 하는 수동 부품.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 접속부(24)는,
    상기 공진기(28)의 상기 제1 전극(100)에 전기적으로 접속되며 상기 내층 어스 전극(18a)을 관통하고, 일단이 상기 불평형-평형 변환부(22)에 접속된 비어 홀(52)을 포함하는 것인 수동 부품.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 접속부(24)는,
    상기 공진기(28)의 상기 제1 전극(100)에 대하여 유전체를 사이에 두고 대향하여 형성된 용량 전극(50)과,
    상기 용량 전극(50)에 접속되며 상기 내층 어스 전극(18a)을 관통하고, 일단이 상기 불평형-평형 변환부(22)에 접속된 비어 홀(52)을 포함하는 것인 수동 부품.
  8. 유전체 기판(12) 내에, 필터부(20)와, 불평형-평형 변환부(22)와, 상기 필터부(20)와 상기 불평형-평형 변환부(22)를 전기적으로 접속하는 접속부(24)가 형성된 수동 부품에 있어서,
    상기 유전체 기판(12)의 좌측부에 상기 필터부(20), 우측부에 상기 불평형-평형 변환부(22)가 형성되거나, 또는 상기 유전체 기판(12)의 우측부에 상기 필터부(20), 좌측부에 상기 불평형-평형 변환부(22)가 형성되고,
    상기 유전체 기판(12)의 상부에 제1 어스 전극(18)이 형성되며, 하부에 제2 어스 전극(18e)이 형성되고,
    상기 필터부(20)는 하나 이상의 공진기(28)를 포함하고,
    상기 공진기(28)는 일단이 상기 제1 어스 전극(18)에 접속된 비어 홀(126)과, 상기 비어 홀(126)의 타단에 접속되며 상기 제2 어스 전극(18e)에 대하여 유전체를 사이에 두고 형성된 전극(124)을 포함하는 것을 특징으로 하는 수동 부품.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 접속부(24)는,
    일단부가 상기 공진기(28)의 상기 전극(124)에 전기적으로 접속되며, 타단부가 상기 불평형-평형 변환부(22)에 접속된 접속 전극(132)을 포함하고,
    상기 접속 전극(132)과 상기 불평형-평형 변환부(22) 사이에 내층 어스 전극(18d)이 형성되어 있는 것인 수동 부품.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 접속부(24)는,
    상기 공진기(28)의 상기 전극(124)에 대하여 유전체를 사이에 두고 형성된 용량 전극(130)과,
    일단부가 상기 용량 전극(130)에 접속되며, 타단부가 상기 불평형-평형 변환부(22)에 접속된 접속 전극(132)을 포함하고,
    상기 접속 전극(132)과 상기 불평형-평형 변환부(22) 사이에 내층 어스 전극(18d)이 형성되어 있는 것인 수동 부품.
  11. 유전체 기판(12) 내에, 필터부(20)와, 불평형-평형 변환부(22)와, 상기 필터부(20)와 상기 불평형-평형 변환부(22)를 전기적으로 접속하는 접속부(24)가 형성된 수동 부품에 있어서,
    상기 유전체 기판(12)의 좌측부에 상기 필터부(20), 우측부에 상기 불평형-평형 변환부(22)가 형성되거나, 또는 상기 유전체 기판(12)의 우측부에 상기 필터부(20), 좌측부에 상기 불평형-평형 변환부(22)가 형성되고,
    상기 유전체 기판(12)의 상부에 제1 어스 전극(18)이 형성되며, 하부에 제2 어스 전극(18e)이 형성되고,
    상기 공진기(28)는 제1 비어 홀(194)과, 상기 제1 비어 홀(194)의 일단에 접속되며 상기 제2 어스 전극(18e)에 대향하여 형성된 제1 전극(190)과, 상기 제1 비어 홀(194)의 타단에 접속되며 상기 제1 어스 전극(18)에 대하여 유전체를 사이에 두고 형성된 제2 전극(192)과, 일단이 상기 제2 전극(192)에 접속되며 타단이 상기 제2 어스 전극(192)에 접속된 제2 비어 홀(196)을 포함하는 것을 특징으로 하는 수동 부품.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 접속부(24)는,
    일단부가 상기 공진기(28)의 상기 제1 전극(190)에 전기적으로 접속되며, 타단부가 상기 불평형-평형 변환부(22)에 접속된 접속 전극(132)을 포함하고,
    상기 접속 전극(132)과 상기 불평형-평형 변환부(22) 사이에 내층 어스 전극(18d)이 형성되어 있는 것인 수동 부품.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 접속부(24)는,
    상기 공진기(28)의 상기 제1 전극(190)에 대하여 유전체를 사이에 두고 형성된 용량 전극(130)과,
    일단부가 상기 용량 전극(130)에 접속되며, 타단부가 상기 불평형-평형 변환부(22)에 접속된 접속 전극(132)을 포함하고,
    상기 접속 전극(132)과 상기 불평형-평형 변환부(22) 사이에 내층 어스 전극(18d)이 형성되어 있는 것인 수동 부품.
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