JPH0317442Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本考案は高周波回路装置内に設けられた同軸ケ
ーブルによるトラツプ構造に関する。

（従来技術） 従来、誘電体同軸共振器を複数個使用したバン
ドパスフイルタとしては、例えば第４図に示すよ
うに、入力側同軸コネクタ１および出力側同軸コ
ネクタ２を有する金属のケース３内に、複数個の
誘電体同軸共振器４，４，…，４を収容するとと
もに、上記入力側同軸コネクタ１と出力側同軸コ
ネクタ２との間の間隔よりもやゝ短く、ほゞ一定
巾を有する誘電体板５のたとえば同一の主表面に
所定の間隔をおいて電極６，６，…，６を形成し
てなる結合基板７と、トラツプ８とを収容し、結
合基板７の電極６，６，…，６に夫々上記誘電体
同軸共振器４，４，…，４の結合棒４ａ，４ａ，
…，４ａを半田付けする一方、上記誘電体板５の
一端に形成された電極６ａを入力側同軸コネクタ
１の中心導体１ａに接続し、また、上記誘電体板
５の他端に形成された電極６ｂを出力側同軸コネ
クタ２の中心導体２ａに接続してなるものが一般
に知られている。上記のトラツプ８は、誘電体同
軸共振器４，４，…，４および結合基板７が構成
するバンドパスフイルタの中心周波数f₀の３倍の
周波数3f₀を有するスプリアスを抑圧するために
設けられたものであつて、誘電体同軸共振器４，
４，…，４と同様の構成を有する誘電体同軸共振
器９の結合棒９ａを、上記電極６ｂに隣接して誘
電体板５に形成された電極１０に半田付けすると
ともに、誘電体同軸共振器９の外導体をアースに
接続してなるものである。

このトラツプ８は、誘電体同軸共振器９が呈す
るインダクタンスと、上記電極６ｂと電極１０と
の間に形成される静電容量とで抑圧すべきスプリ
アス周波数で直列共振を行なう。

ところで、誘電体同軸共振器４，４，…，４を
使用したバンドパスフイルタにおいて、上記のよ
うなトラツプ８を使用すると、ケース３に誘電体
同軸共振器９を収容するためのスペースを必要と
するうえ、誘電体板５も大きくなり、バンドパス
フイルタの形状が大きくなる欠点があつた。

（考案の目的） 本考案は上記欠点を解消すべくなされたもので
あつて、高周波回路装置の同軸コネクタのピンに
同軸ケーブルの心線および外被導体を接続して同
軸ケーブルをスプリアスを抑圧するトラツプとし
て機能させるとともに、同軸コネクタ背後のケー
スの透孔からの同軸ケーブルの突出量を変化させ
て同軸ケーブルの長さを調整することにより、ト
ラツプ周波数が調整できるようにした、トラツプ
周波数の調整が容易で、形状が小さくコストの低
いトラツプ構造を提供することを目的としてい
る。

（実施例） 以下、添付図面を参照して本考案の実施例を説
明する。

第１図において、高周波回路装置の金属製のケ
ース側壁１１には、上記高周波回路装置の入力用
もしくは出力用の同軸コネクタ１２が取着されて
いる。この同軸コネクタ１２の背後のケース側壁
１１には透孔１３が形成されている。

ケース側壁１１の上記透孔１３内には、外被導
体１５ａおよびこの外被導体１５ａと心線１５ｂ
との間の誘導体１５ｃの長さが除去すべき信号波
長λの1/4の長さ（＝λ／４）であるセミリツ
ジツドタイプの同軸ケーブル１５が挿通され、こ
の同軸ケーブル１５の外被導体１５ａの一端１５
a₁および心線１５ｂの一端１５b₁はいずれも同軸
コネクタ１２のピン１４に半田付けされている。
上記同軸ケーブル１５の心線１５ｂの他端１５b₂
は図示しない高周波回路装置本体の入力端子もし
くは出力端子に接続される。

上記同軸ケーブル１５の外被導体１５ａとケー
ス側壁１１とは、同軸ケーブル１５の外被導体１
５ａに外嵌した絶縁体１６により相互に絶縁され
ている。

上記のようにすれば、同軸ケーブル１５が外被
導体１５ａの一端１５a₁側を短絡端，他端１５a₂
側を開放端とする誘電体同軸共振器を構成し、メ
イン電流は第２図において点線で示すように流
れ、この誘電体同軸共振器の等価回路は第３図に
示すようになる。すなわち、同軸ケーブル１５が
構成する誘電体同軸共振器による並列共振回路１
７がホツトライン１８に挿入され、この並列共振
回路１７によりスプリアスがトラツプされる。

上記トラツプについてより詳しく説明すると、
トラツプされる周波数f_tは、同軸ケーブル１５の
誘電体１５ｃの誘電率ε_rとこの誘電体１５ｃの長
さ（軸長）により決定され、次式で表わされ
る。

たゞし、ｃは光速である。

一方、上記トラツプの減衰量は次のようにして
求めることができる。

いま、上記並列共振回路１７の特性インピーダ
ンスZaとすれば、 である。

ただし、Ｄは同軸ケーブル１５の外被導体１５
ａの外径、ｄは心線１５ｂの径である。

上記並列共振回路１７のインピーダンスＺは、 となる。

このインピーダンスが特性インピーダンスZo
の高周波回路に直列に入るので、減衰量Attは、 となる。

たとえば、Ｄ＝５mm，ｄ＝２mm，ε_r＝21とし、
通過中心周波数f₀＝800MHzのバンドパスフイル
タの３倍波を20MHzの帯域でトラツプする場合、
第４式より、2390MHzにてAtt＝25.7dB，
2410MHzにてAtt＝24.8dBとなり、24dB以上の
スプリアス抑圧ができる。また、通過帯域におい
て、上記並列共振回路１７が呈する特性インピー
ダンスZaは6.9オームとなり、高周波回路装置の
特性インピーダンスZo＝50オームに対し、反射
係数が0.065，すなわち、反射減衰量で23.8dBと
なり、トラツプの高周波回路装置の反射係数に対
してはほとんど影響ない。

なお、上記実施例において、同軸ケーブル１５
の誘電体１５ｃおよび外被導体１５ａは、第１図
に示すように、同軸コネクタ１２とは反対側のケ
ース側壁１１から突出させておき、この突出部分
を削つて突出量ａを変化させることにより、トラ
ツプ周波数を簡単に調節することができる。

本考案の実施対象は、誘電体同軸共振器を用い
たバンドパスフイルタに限定されず、高周波回路
のバンドパスフイルタ全般に広く使用することが
できる。

（考案の効果） 以上、詳述したことからも明らかなように、本
考案は、同軸コネクタが取着されるケースの透孔
に同軸ケーブルを使用したトラツプが収容される
ようにしたので、トラツプを必要とする高周波回
路装置が小形化され、しかも、同軸ケーブルを使
用することによりトラツプのコストも大巾に引き
下げることができる。また、同軸ケーブルの長さ
を調節することにより、トラツプ周波数の調整も
容易に行なえる利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案に係るトラツプ構造の一実施例
の断面説明図、第２図は第１図のトラツプのメイ
ン電流通路の説明図、第３図は第１図のトラツプ
の等価回路図、第４図は従来のトラツプを有する
バンドパスフイルタの断面説明図である。 １１……ケース側壁、１２……同軸コネクタ、
１３……透孔、１４……ピン、１５……同軸ケー
ブル、１５ａ……外被導体、１５ｂ……心線、１
５ｃ……誘電体。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. ケースに取着された同軸コネクタのピンに同軸
   ケーブルの心線および外被導体が接続されるとと
   もに、上記同軸ケーブルはその外被導体が絶縁さ
   れて同軸コネクタの背後に位置するケースの透孔
   内に収容され、かつ、上記同軸ケーブルが上記透
   孔よりケース内側に突出し、この突出部分の突出
   量を変化させてトラツプ周波数の調整を行なうよ
   うにしたことを特徴とするトラツプ構造。