JPS6215819A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6215819A JPS6215819A JP15468485A JP15468485A JPS6215819A JP S6215819 A JPS6215819 A JP S6215819A JP 15468485 A JP15468485 A JP 15468485A JP 15468485 A JP15468485 A JP 15468485A JP S6215819 A JPS6215819 A JP S6215819A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- thin film
- film layer
- metal
- layer
- Prior art date
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- Pending
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は良好な配線を行なうことのできる半導体装置に
関するものである。
関するものである。
従来の技術
半導体装置の金属配線の断面構造は第２図に示すように
、単結晶半導体１１の上に、配線材料１２を付着させた
ものである。現在、最も一般的なものとしては、単結晶
半導体１１としてシリコンが用いられ、配線材料１２と
してｋｌ−５ｉまたは純ムｌが用いられている。なおア
ルミニウム中のシリコンは、シンタ一時に、単結晶シリ
コンが、アルミニウム中へ拡散することを防止するため
のものである。
、単結晶半導体１１の上に、配線材料１２を付着させた
ものである。現在、最も一般的なものとしては、単結晶
半導体１１としてシリコンが用いられ、配線材料１２と
してｋｌ−５ｉまたは純ムｌが用いられている。なおア
ルミニウム中のシリコンは、シンタ一時に、単結晶シリ
コンが、アルミニウム中へ拡散することを防止するため
のものである。
発明が解決しようとする問題点
半導体素子の高集積化にともない、配線ルールも３μｍ
から２μｍ、１μｍとだんだん厳しくなっている。現在
、従来の構造では、アルミニウム中のシリコンがシンタ
ーにより偏析し、コンタクト窓をふさいだり、配線にお
ける断線が発生したり、抵抗が高くなるという問題があ
る。本発明は、このような問題点を解決するもので、一
様な抵抗を持った配線を得ることを目的としたものであ
る。
から２μｍ、１μｍとだんだん厳しくなっている。現在
、従来の構造では、アルミニウム中のシリコンがシンタ
ーにより偏析し、コンタクト窓をふさいだり、配線にお
ける断線が発生したり、抵抗が高くなるという問題があ
る。本発明は、このような問題点を解決するもので、一
様な抵抗を持った配線を得ることを目的としたものであ
る。
問題点を解決するための手段
上記の問題点を解決するために、本発明は、単結晶半導
体基板上に、順次非晶質半導体薄膜層と金属薄膜層とを
有する事を特徴とする半導体装置を提供するものである
。
体基板上に、順次非晶質半導体薄膜層と金属薄膜層とを
有する事を特徴とする半導体装置を提供するものである
。
作用
アモルファスシリコン層から金属層へのシリコンの拡散
は、単結晶層からの拡散に比して少いので、シリコンの
拡散を防ぐために金属中に含有させるシリコン量は少な
くて良く、且つアモルファスシリコンを中介させる事に
よって、シリコンの拡散が一様になる。この結果シンタ
一時の金属層中のシリコンの偏析が生じ難くなり、微細
配線に於ける断線、高抵抗化の問題を克服できる。
は、単結晶層からの拡散に比して少いので、シリコンの
拡散を防ぐために金属中に含有させるシリコン量は少な
くて良く、且つアモルファスシリコンを中介させる事に
よって、シリコンの拡散が一様になる。この結果シンタ
一時の金属層中のシリコンの偏析が生じ難くなり、微細
配線に於ける断線、高抵抗化の問題を克服できる。
実施例
本発明の半導体装置の実施例を第１図を用いて説明する
。単結晶シリコン１上にＣｖＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖ
ａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）法により、アモル
ファスシリコン２を２ｏ○０人程度成長させ、その上に
、高純度のアルミニウム３を蒸着により８００人程変成
長させた。その後、４５０″Ｃで３０分間シンターを行
った。其の結果、単結晶シリコン１の基板上に、順次、
アモルファスシリコン２の薄膜層とアルミニウム３の薄
膜層とを有する三層構造の半導体装置が構成される。尚
この場合のアモルファスシリコン層はＰ伝導型又はＮ伝
導型の不純物を含有していても問題は無い。
。単結晶シリコン１上にＣｖＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖ
ａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）法により、アモル
ファスシリコン２を２ｏ○０人程度成長させ、その上に
、高純度のアルミニウム３を蒸着により８００人程変成
長させた。その後、４５０″Ｃで３０分間シンターを行
った。其の結果、単結晶シリコン１の基板上に、順次、
アモルファスシリコン２の薄膜層とアルミニウム３の薄
膜層とを有する三層構造の半導体装置が構成される。尚
この場合のアモルファスシリコン層はＰ伝導型又はＮ伝
導型の不純物を含有していても問題は無い。
発明の効果
上記実施例より明らかなように本発明によれば、金属配
線材料中に、単結晶半導体材料、非晶質半導体材料のシ
ンター中の偏析は殆んど生じないために、微細金属配線
の偏析による抵抗の不均一性とそれにともなう部分的高
抵抗化及び断線を防止できる効果がある。従って、半導
体素子の高集積化に顕著な効果がある。また非晶質半導
体材料にＰ伝導型又はＮ伝導型の不純物を含有させる事
によって、非晶質半導体層を配線の伝導層の一部として
利用し得る効果もある。
線材料中に、単結晶半導体材料、非晶質半導体材料のシ
ンター中の偏析は殆んど生じないために、微細金属配線
の偏析による抵抗の不均一性とそれにともなう部分的高
抵抗化及び断線を防止できる効果がある。従って、半導
体素子の高集積化に顕著な効果がある。また非晶質半導
体材料にＰ伝導型又はＮ伝導型の不純物を含有させる事
によって、非晶質半導体層を配線の伝導層の一部として
利用し得る効果もある。
第１図は、本発明の一実施例による半導体装置の断面図
、第２図は従来の半導体装置の断面図である。 １ ・・・・・単結晶シリコン、２・・・・・アモルフ
ァスシリコン、３・・・・・・アルミニウム。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ／−一一単緒晶シリコン
、第２図は従来の半導体装置の断面図である。 １ ・・・・・単結晶シリコン、２・・・・・アモルフ
ァスシリコン、３・・・・・・アルミニウム。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ／−一一単緒晶シリコン
Claims (2)
- （１）単結晶半導体基板上に、順次非晶質半導体薄膜層
と金属薄膜層とを有する事を特徴とする半導体装置。 - （２）非晶質半導体薄膜層がＰ伝導型又はＮ伝導型の不
純物を含有することを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15468485A JPS6215819A (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15468485A JPS6215819A (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6215819A true JPS6215819A (ja) | 1987-01-24 |
Family
ID=15589657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15468485A Pending JPS6215819A (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6215819A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5373192A (en) * | 1990-06-26 | 1994-12-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Electromigration resistance metal interconnect |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4924171B1 (ja) * | 1968-12-20 | 1974-06-20 |
-
1985
- 1985-07-12 JP JP15468485A patent/JPS6215819A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4924171B1 (ja) * | 1968-12-20 | 1974-06-20 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5373192A (en) * | 1990-06-26 | 1994-12-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Electromigration resistance metal interconnect |
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