JPS62133735A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS62133735A JPS62133735A JP27451785A JP27451785A JPS62133735A JP S62133735 A JPS62133735 A JP S62133735A JP 27451785 A JP27451785 A JP 27451785A JP 27451785 A JP27451785 A JP 27451785A JP S62133735 A JPS62133735 A JP S62133735A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- wiring
- semiconductor device
- oxide film
- electromigration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関する。
従来、半導体装置に形成されるＡｌ配線あるいはＡ７１
．合金配線は、真空蒸着法やスパッタ法などによシ、所
望の膜厚を有するＡｌ膜又はＡｌ合金膜が一度に連続的
に形成きれたのち、パターニングされて形成されていた
。
．合金配線は、真空蒸着法やスパッタ法などによシ、所
望の膜厚を有するＡｌ膜又はＡｌ合金膜が一度に連続的
に形成きれたのち、パターニングされて形成されていた
。
半導体装置の高集積化が進むにつれ、素子の微細化とと
もに配線の微細化、多層化が必要となってきている。配
線を微細化した場合、配線中を流れる電流密度が増加す
るため、エレクトロマイグレーションによる断線が起と
シやすくなシ、上述した従来のＡｌ膜あるいはＡ／、合
金膜の形成方法では、配線の微細化に伴ない、エレクト
ロマイグレーションによる断線のために信頼性が低下す
るという問題点を有する。
もに配線の微細化、多層化が必要となってきている。配
線を微細化した場合、配線中を流れる電流密度が増加す
るため、エレクトロマイグレーションによる断線が起と
シやすくなシ、上述した従来のＡｌ膜あるいはＡ／、合
金膜の形成方法では、配線の微細化に伴ない、エレクト
ロマイグレーションによる断線のために信頼性が低下す
るという問題点を有する。
、本発明の目的は、エレクトロマイグレーションによる
配線の断線がなく信頼性の向上した半導体装置の製造方
法を提供することにある。
配線の断線がなく信頼性の向上した半導体装置の製造方
法を提供することにある。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に設け
られた酸化膜上に、薄い酸化膜を介してＡｌ膜又はＡｌ
合金膜からなる多層膜を形成する工程と、前記多層膜を
パターニングして金属配線を形成する工程とを含んで構
成される。
られた酸化膜上に、薄い酸化膜を介してＡｌ膜又はＡｌ
合金膜からなる多層膜を形成する工程と、前記多層膜を
パターニングして金属配線を形成する工程とを含んで構
成される。
次に本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜ＴＣ）は本発明の一実施例を説明する為
の工程順に示した半導体チップの断面図である。
の工程順に示した半導体チップの断面図である。
まず第１図（ａ）に示すように、半導体素子が形成され
、表面がシリコン酸化膜２で覆われた半導体基板１上に
第１のＡｌ膜３をスパッタ法によ、９ｏ、ｓμｍの膜厚
に形成する。
、表面がシリコン酸化膜２で覆われた半導体基板１上に
第１のＡｌ膜３をスパッタ法によ、９ｏ、ｓμｍの膜厚
に形成する。
次に第１図（ｂ）に示すように、第１のＡｌ膜３が形成
された所で１０−７〜１０”Ｔｏｒｒの真空容器内で半
導体基板１を冷却する。半導体基板１が冷却された後、
酸素ガスを真空Ｍｆ内に１〜１００ ｍ１１分の流量で
導入し、真空容器内の圧力をｌＸｌ０ ’〜ｌＸｌ０
”Ｔｏｒｒの圧力に保ち、１〜３０分間放置する。この
ときＡｌ膜の表面に数Ａの極く薄い酸化アルミニウム膜
４が形成される。
された所で１０−７〜１０”Ｔｏｒｒの真空容器内で半
導体基板１を冷却する。半導体基板１が冷却された後、
酸素ガスを真空Ｍｆ内に１〜１００ ｍ１１分の流量で
導入し、真空容器内の圧力をｌＸｌ０ ’〜ｌＸｌ０
”Ｔｏｒｒの圧力に保ち、１〜３０分間放置する。この
ときＡｌ膜の表面に数Ａの極く薄い酸化アルミニウム膜
４が形成される。
また酸素ガスの導入の際、アルゴンなどの不活性ガスで
希釈された酸素ガスを使用するとガス流量を制御するこ
とが容易と力）酸化アルミニウム膜４の膜厚も制御しや
すくなる。
希釈された酸素ガスを使用するとガス流量を制御するこ
とが容易と力）酸化アルミニウム膜４の膜厚も制御しや
すくなる。
次に第１図（Ｃ）に示すように、第１のＡ４４層表面に
数Ａの酸化アルミニウム膜４を形成した後、真空容器内
を再び１０−７〜１０ ” Ｔｏｒｒの真空度にし、通
常のスパッタリング条件にて、第２のＡｌ膜５を０５μ
ｍの膜厚に形成し、厚さ１０μｍの２層のＡｌ膜を形成
する。続いてこの２層のＡｌ膜をバターニングしてＡｌ
配線６を形成する。
数Ａの酸化アルミニウム膜４を形成した後、真空容器内
を再び１０−７〜１０ ” Ｔｏｒｒの真空度にし、通
常のスパッタリング条件にて、第２のＡｌ膜５を０５μ
ｍの膜厚に形成し、厚さ１０μｍの２層のＡｌ膜を形成
する。続いてこの２層のＡｌ膜をバターニングしてＡｌ
配線６を形成する。
このようにして形成されたＡ４配線６は薄い２層のＡ／
、膜から形成されたことになる。
、膜から形成されたことになる。
Ａｌ配線の耐エレクトロマイグレーション性ハ同じ電流
密度では、Ａｌ膜の膜厚が薄いはと強いという傾向があ
る。従って、本実施例によ多形成されたＡｌ膜は独立し
た薄い２層のＡｌ膜構造となっているので、耐エレクト
ロマイグレーション性は、薄い１層のＡｌ線の耐エレク
トロマイグレーション性と同等となり半導体装置の信頼
性が向上する。
密度では、Ａｌ膜の膜厚が薄いはと強いという傾向があ
る。従って、本実施例によ多形成されたＡｌ膜は独立し
た薄い２層のＡｌ膜構造となっているので、耐エレクト
ロマイグレーション性は、薄い１層のＡｌ線の耐エレク
トロマイグレーション性と同等となり半導体装置の信頼
性が向上する。
Ａｌ配線中の酸化アルミニウム膜は極薄いため、稜工程
における５００〜６００℃の熱処理により破壊され第１
のＡ４膜と第２０Ａｌ膜は導通する。
における５００〜６００℃の熱処理により破壊され第１
のＡ４膜と第２０Ａｌ膜は導通する。
更に多層配線を形成した場合半導体装置で通常使用され
る電圧によシ酸化アルミニウムの絶縁は容易に破壊され
配線抵抗は増加することはない。またＡｌ膜のエツチン
グの際にも酸化アルミニウムの厚さは問題とならない程
度であシ、加工性は低下することはない。
る電圧によシ酸化アルミニウムの絶縁は容易に破壊され
配線抵抗は増加することはない。またＡｌ膜のエツチン
グの際にも酸化アルミニウムの厚さは問題とならない程
度であシ、加工性は低下することはない。
尚、上記実施例においては、２層のＡｌ膜から力るＡｌ
配線を形成する場合について説明したが３層以上であっ
てもよい。また、金属配線としてＡ４を用いた場合につ
いて説明したが、ＳλやＣｕを含むＡｌ合金を用いても
同様の耐エレクトロマイグレーション性を有する金属配
線を形成できる。
配線を形成する場合について説明したが３層以上であっ
てもよい。また、金属配線としてＡ４を用いた場合につ
いて説明したが、ＳλやＣｕを含むＡｌ合金を用いても
同様の耐エレクトロマイグレーション性を有する金属配
線を形成できる。
以上詳細に説明したように本発明は、薄い酸化膜を層間
膜として、Ａ４膜又はＡｌ合金膜よシなる多層膜を用い
て金属配線を形成することにより、エレクトロマイグレ
ーションによる配線の断線がなく、信頼性の向上した半
導体装置が得られる効果がある。
膜として、Ａ４膜又はＡｌ合金膜よシなる多層膜を用い
て金属配線を形成することにより、エレクトロマイグレ
ーションによる配線の断線がなく、信頼性の向上した半
導体装置が得られる効果がある。
第１図ｆ８）〜［Ｃ）は本発明の一実施例を説明する為
の製造工程順に示した半導体チップの断面図である０ １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・シリコン酸
化膜、３・・・・・・第１のＡｌ膜、４・・・・・・酸
化アルミニウム膜、５・・・・・・第２のＡ４膜、６・
・・・・・Ａｌ配線。
の製造工程順に示した半導体チップの断面図である０ １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・シリコン酸
化膜、３・・・・・・第１のＡｌ膜、４・・・・・・酸
化アルミニウム膜、５・・・・・・第２のＡ４膜、６・
・・・・・Ａｌ配線。
Claims (1)
- 半導体基板上に設けられた酸化膜上に、薄い酸化膜を層
間膜としてＡｌ膜又はＡｌ合金膜からなる多層膜を形成
する工程と、前記多層膜をパターニングして金属配線を
形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27451785A JPS62133735A (ja) | 1985-12-05 | 1985-12-05 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27451785A JPS62133735A (ja) | 1985-12-05 | 1985-12-05 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62133735A true JPS62133735A (ja) | 1987-06-16 |
Family
ID=17542799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27451785A Pending JPS62133735A (ja) | 1985-12-05 | 1985-12-05 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62133735A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016178214A (ja) * | 2015-03-20 | 2016-10-06 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5771131A (en) * | 1980-10-22 | 1982-05-01 | Mitsubishi Electric Corp | Formation of conductor for aluminum electrode |
-
1985
- 1985-12-05 JP JP27451785A patent/JPS62133735A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5771131A (en) * | 1980-10-22 | 1982-05-01 | Mitsubishi Electric Corp | Formation of conductor for aluminum electrode |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016178214A (ja) * | 2015-03-20 | 2016-10-06 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
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