JPS62130581A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
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- JPS62130581A JPS62130581A JP60270509A JP27050985A JPS62130581A JP S62130581 A JPS62130581 A JP S62130581A JP 60270509 A JP60270509 A JP 60270509A JP 27050985 A JP27050985 A JP 27050985A JP S62130581 A JPS62130581 A JP S62130581A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0421—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers
- H01S5/0422—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers with n- and p-contacts on the same side of the active layer
- H01S5/0424—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers with n- and p-contacts on the same side of the active layer lateral current injection
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- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
活性層に量子井戸構造を使用し、それを挾むクラッド層
に絶縁半導体層を用い、クラッド層を通して活性層にｐ
、ｎ電極を形成し電流を横方向に流す半導体レーザ構造
で集積化に適する。
に絶縁半導体層を用い、クラッド層を通して活性層にｐ
、ｎ電極を形成し電流を横方向に流す半導体レーザ構造
で集積化に適する。
本発明は量子井戸構造を使用した半導体レーザに係り、
特に集積化に通した構造に関する。
特に集積化に通した構造に関する。
半導体レーザ、特に、光・電子簗積回路（ＯＥＩＣ）へ
の応用を考えた場合、如何に完全にプレーナ化し、如何
に容易に電極が取出せるかが重要であり、さらに特性（
数ＧＨｚの変調ができる）をより向上させることが要請
されている。
の応用を考えた場合、如何に完全にプレーナ化し、如何
に容易に電極が取出せるかが重要であり、さらに特性（
数ＧＨｚの変調ができる）をより向上させることが要請
されている。
従来の半導体レーザの大半はレーザ・エピタキシャル面
に垂直に電流を流している。第５図に従来例の半導体レ
ーザの概要を示しており、例えば、基板上に順にクラッ
ド層５３、活性層５２、クラッド層５１をエピタキシャ
ル成長し、エツチングにより活性層５２の幅を狭窄し、
絶縁層５４．５５で埋め込んでいる。そして、基板側（
図示せず）とレーザ表面とに電極５６を形成している。
に垂直に電流を流している。第５図に従来例の半導体レ
ーザの概要を示しており、例えば、基板上に順にクラッ
ド層５３、活性層５２、クラッド層５１をエピタキシャ
ル成長し、エツチングにより活性層５２の幅を狭窄し、
絶縁層５４．５５で埋め込んでいる。そして、基板側（
図示せず）とレーザ表面とに電極５６を形成している。
このようなレーザ・エピタキシャル面に垂直に電流を流
す構造では同一面上で電極を取出すことが困難であり、
従って、集積化が難しい。
す構造では同一面上で電極を取出すことが困難であり、
従って、集積化が難しい。
又、最近になって、活性層に平行に電流を流す半導体レ
ーザが提案されている。
ーザが提案されている。
第６図にその構造の概要を表しである。第６図において
、半導体基板６１上に下側クラッド層となるｎ型Ａ ｌ
！ Ｇ ａ Ａ ｓ 層６２、活性層のｎ型Ｇａ△ｓ層
６３、上側クラッド屓となるｎ型Ａ ７！Ｇ ａΔ５ｊ
ｉ６４が順にエピタキシャル成長で形成され、ｐ型拡１
１受屓６５及びｎ型拡散層６６が設けられ、これら拡散
層に電極６８．６９が形成されている。
、半導体基板６１上に下側クラッド層となるｎ型Ａ ｌ
！ Ｇ ａ Ａ ｓ 層６２、活性層のｎ型Ｇａ△ｓ層
６３、上側クラッド屓となるｎ型Ａ ７！Ｇ ａΔ５ｊ
ｉ６４が順にエピタキシャル成長で形成され、ｐ型拡１
１受屓６５及びｎ型拡散層６６が設けられ、これら拡散
層に電極６８．６９が形成されている。
その構成では、電流はｎ型拡散層６５から活性層６３を
横方向に流れ、ｎ型拡散層６６に達する。
横方向に流れ、ｎ型拡散層６６に達する。
この構成で、発光は図示６７のｐ−ｎ接合近傍で生しる
。
。
この構造は、電流を横方向に流し、電極を同−而に取出
すことができるので集積化に適する。しかし、−ト下方
向ではクラッド層の６４．６２と活性層６３との屈折率
差をつけることができるので光の閉じ込めができるが、
横方向では拡散層の形成による１度勾配による微妙な屈
折率差を利用するので、光の閉し込めか弱い。また、ス
トライプ幅βは、拡散Ｊｉｆ６５．６６の横方開拡がり
のため、実際上微小化するのが困難である。
すことができるので集積化に適する。しかし、−ト下方
向ではクラッド層の６４．６２と活性層６３との屈折率
差をつけることができるので光の閉じ込めができるが、
横方向では拡散層の形成による１度勾配による微妙な屈
折率差を利用するので、光の閉し込めか弱い。また、ス
トライプ幅βは、拡散Ｊｉｆ６５．６６の横方開拡がり
のため、実際上微小化するのが困難である。
本発明は、半導体レーザの集積化に適した構造を提供す
るものであり、特に、活性層に横方向に電流を流すレー
ザ構造において、上記従来の半導体レーザが持つ特性上
の欠点及び製造上の困難性を解決しようとするものであ
る。
るものであり、特に、活性層に横方向に電流を流すレー
ザ構造において、上記従来の半導体レーザが持つ特性上
の欠点及び製造上の困難性を解決しようとするものであ
る。
本発明においては、活性層を量子井戸構造とし、該活性
層を挾むクラッド層に絶縁性半導体を使用し、注入電流
方向を活性層に対して平行に流すようにし、クラッド層
を通して活性層にｐ型及びｎ型電極を形成し、量子井戸
の無秩序化によって活性層の横方向に沿ってダブルヘテ
ロ構造を形成し横方向にも屈折率分布を持たせるように
する。
層を挾むクラッド層に絶縁性半導体を使用し、注入電流
方向を活性層に対して平行に流すようにし、クラッド層
を通して活性層にｐ型及びｎ型電極を形成し、量子井戸
の無秩序化によって活性層の横方向に沿ってダブルヘテ
ロ構造を形成し横方向にも屈折率分布を持たせるように
する。
上記構成によれば、活性層に平行に電流を流し、半導体
レーザ表面側から両極の電極を取出すことが出来ブレー
ナ構造が得られるので、集積化に通している。また、そ
の構造によれば、上下のみでなく、横方向にもはっきり
した屈折率分布をつけるこが出来るので、光のとじこめ
効果が向上し、レーザの発振しきい値を低下するこがで
きる。
レーザ表面側から両極の電極を取出すことが出来ブレー
ナ構造が得られるので、集積化に通している。また、そ
の構造によれば、上下のみでなく、横方向にもはっきり
した屈折率分布をつけるこが出来るので、光のとじこめ
効果が向上し、レーザの発振しきい値を低下するこがで
きる。
第１図に本発明の実施例の構造を示している。
第１図において、半絶縁性（Ｓｌ） −ＧａＡｓ基板１
０上にバッファ屓３、高抵抗（ＨＲ）−ＡＮＱａＡｓ層
（ＡＡ 、 Ｇａｐ−、ＡｓのＸイ直： 八ＩＡｓの
モル比ｘ＝０． ４５） ｌ’ 、ＭＱ’Ｗ （多重
量子井戸）活性層２、ＨＲ−Ａ＃ＧａＡｓＦｔ（＾ｆｆ
Ａｓのモル比ｘ＝０．４５）１、キャップ層のｎ−Ｇａ
Ａｓ４が順にエピタキシャル成長で形成されている。
０上にバッファ屓３、高抵抗（ＨＲ）−ＡＮＱａＡｓ層
（ＡＡ 、 Ｇａｐ−、ＡｓのＸイ直： 八ＩＡｓの
モル比ｘ＝０． ４５） ｌ’ 、ＭＱ’Ｗ （多重
量子井戸）活性層２、ＨＲ−Ａ＃ＧａＡｓＦｔ（＾ｆｆ
Ａｓのモル比ｘ＝０．４５）１、キャップ層のｎ−Ｇａ
Ａｓ４が順にエピタキシャル成長で形成されている。
さらに、表面側から適当なマスク（図示せず）を用いて
ｎ型不純物９例えば亜鉛（Ｚｎ）を拡散しｐ型拡散領域
５ｐを形成し、またｎ型不純物２例えば硫黄（Ｓ）等を
拡散しｎ型拡散領域５ｎを形成する。多重量子井戸ＭＱ
Ｗ２は、ＧａＡｓ層（厚味３０人）とＡｆｆＧａＡｓ層
（ｉＡｓモル比Ｘ＝０．４、厚味１２０人）を交互に積
層して形成しており、この例ではＧａＡｓを５層に形成
している。第１図の下方に各層のＡ７！Ａｓのモル比Ｘ
の分布に対応するエネルギバンド図を表している。
ｎ型不純物９例えば亜鉛（Ｚｎ）を拡散しｐ型拡散領域
５ｐを形成し、またｎ型不純物２例えば硫黄（Ｓ）等を
拡散しｎ型拡散領域５ｎを形成する。多重量子井戸ＭＱ
Ｗ２は、ＧａＡｓ層（厚味３０人）とＡｆｆＧａＡｓ層
（ｉＡｓモル比Ｘ＝０．４、厚味１２０人）を交互に積
層して形成しており、この例ではＧａＡｓを５層に形成
している。第１図の下方に各層のＡ７！Ａｓのモル比Ｘ
の分布に対応するエネルギバンド図を表している。
第１図の構成において、活性層を横方向に挾む多重量子
井戸ＭＱＷの拡散領域５ｐ、５ｎの部分は不純物拡散に
ともない無秩序化し、その半導体組成は平均化された組
成となっている。その結果、活性層の横方向（電流が流
れる方向）にダブルヘテロ構造が形成されることになる
。この無秩序化した多重量子井戸構造の屈折率は多重量
子井戸ＭＱＷの平均的屈折率よりも低下している。その
ため、拡散層５ｐ、５ｎとこれに挾まれた活性層ストラ
イプ８（幅りは１〜２μｍ）には（ａ）のような横方向
屈折率分布が生じ、一方、 ＨＲ−ＡｅＧａＡｓ層１．
１゛ とこれに挾まれた活性層には縦方向に（ｂ）のよ
うな屈折率分布が生じている。それにより、光は活性層
のストライプ８内に閉じ込められ、従来の先に第５図に
関して説明した横方向に電流を流す半導体レーザより光
の閉し込め効果が勝れている。また、本実施例では活性
層に多１Ｔｉｆｉ！子井戸ＭＱＷを用いているので、活
性層ストライプ８全体を発光領域とすることができる。
井戸ＭＱＷの拡散領域５ｐ、５ｎの部分は不純物拡散に
ともない無秩序化し、その半導体組成は平均化された組
成となっている。その結果、活性層の横方向（電流が流
れる方向）にダブルヘテロ構造が形成されることになる
。この無秩序化した多重量子井戸構造の屈折率は多重量
子井戸ＭＱＷの平均的屈折率よりも低下している。その
ため、拡散層５ｐ、５ｎとこれに挾まれた活性層ストラ
イプ８（幅りは１〜２μｍ）には（ａ）のような横方向
屈折率分布が生じ、一方、 ＨＲ−ＡｅＧａＡｓ層１．
１゛ とこれに挾まれた活性層には縦方向に（ｂ）のよ
うな屈折率分布が生じている。それにより、光は活性層
のストライプ８内に閉じ込められ、従来の先に第５図に
関して説明した横方向に電流を流す半導体レーザより光
の閉し込め効果が勝れている。また、本実施例では活性
層に多１Ｔｉｆｉ！子井戸ＭＱＷを用いているので、活
性層ストライプ８全体を発光領域とすることができる。
これに対して、従来の第５図のレーザでは前記のように
ｐ−ｎ接合の近くでしか発光が生じない。
ｐ−ｎ接合の近くでしか発光が生じない。
ここで、この半導体レーザの動作を考えてみる。
活性層の多重量子井戸ＭＱＷ２の全体の厚味、即ち活性
層ストライプの厚味ｄはエピタキシャル成長において極
めて薄く形成でき、例えば０．１μｍオーダーに容易に
形成可能である。そして、この多重量子井戸ＭＱＷの活
性層は高抵抗ＨＲ−Ａ７！ＧａＡｓ層１．１”で挾まれ
ているので、ｐ型拡散領域５ｐから注入される電流はこ
の極めて薄い活性層に閉じ込められる。これに対して、
先に示した第５図の縦に電流を流す通常の半導体レーザ
では、活性層の幅がエツチングで規定されるので３〜４
μｍ程度にしか狭窄できない。
層ストライプの厚味ｄはエピタキシャル成長において極
めて薄く形成でき、例えば０．１μｍオーダーに容易に
形成可能である。そして、この多重量子井戸ＭＱＷの活
性層は高抵抗ＨＲ−Ａ７！ＧａＡｓ層１．１”で挾まれ
ているので、ｐ型拡散領域５ｐから注入される電流はこ
の極めて薄い活性層に閉じ込められる。これに対して、
先に示した第５図の縦に電流を流す通常の半導体レーザ
では、活性層の幅がエツチングで規定されるので３〜４
μｍ程度にしか狭窄できない。
このように、本実施例では、従来の半導体レーザより電
流の狭窄を極めて狭く行なうことができるのが特長であ
る。そのため、活性層における電流密度が極めて高くな
り、多重量子井戸ＭＱＷを活性層に用いた効果と相俟っ
てレーザの発振しきい値を大幅に低下することができ、
また単一モード発振が容易に行なえる利点がある。
流の狭窄を極めて狭く行なうことができるのが特長であ
る。そのため、活性層における電流密度が極めて高くな
り、多重量子井戸ＭＱＷを活性層に用いた効果と相俟っ
てレーザの発振しきい値を大幅に低下することができ、
また単一モード発振が容易に行なえる利点がある。
ところで、第１図の構成において、上部のフラノｌ一層
のＨＲ−Ａ７！ＧａＡｓ層１は厚味を１μｍ関して説明
したのと同様に、拡散の横方開拡がりにより活性層のス
トライプ幅りを精度よく形成することに製造上の困難性
が伴う。この活性層のストライプ幅は、長過ぎると注入
されたキャリアが発光に関与する前に再結合するため１
〜２μｍに形成する必要がある。
のＨＲ−Ａ７！ＧａＡｓ層１は厚味を１μｍ関して説明
したのと同様に、拡散の横方開拡がりにより活性層のス
トライプ幅りを精度よく形成することに製造上の困難性
が伴う。この活性層のストライプ幅は、長過ぎると注入
されたキャリアが発光に関与する前に再結合するため１
〜２μｍに形成する必要がある。
そこで、第２図にこの問題をも解決する半導体レーザの
他の実施例を示す。
他の実施例を示す。
第２図（Ａ）に実施例の要部断面を示し、（Ｂ）に多重
量子井戸ＭＱＷを、また（Ｃ）にその縦方向のエネルギ
ハンド図を示している。図において、第１図と対応する
部分には同一符号で指示している。半絶縁性（ＳＩ）半
導体基板ｌｏ上にバッファ層３、ＨＲ−Ａｊ’ＧａＡｓ
層ビ、多重量子井戸ＭＱＷ２を成長し、その成長をＧａ
Ａｓ層で停止する。次に、イオン注入によって、Ｚｎ。
量子井戸ＭＱＷを、また（Ｃ）にその縦方向のエネルギ
ハンド図を示している。図において、第１図と対応する
部分には同一符号で指示している。半絶縁性（ＳＩ）半
導体基板ｌｏ上にバッファ層３、ＨＲ−Ａｊ’ＧａＡｓ
層ビ、多重量子井戸ＭＱＷ２を成長し、その成長をＧａ
Ａｓ層で停止する。次に、イオン注入によって、Ｚｎ。
Ｍｇ等のｎ型ドーパントとＳｉ、Ｓｎ等のｎ型ドーパン
ト等の注入を行ない、それぞれｐ、ｎイオン注入領域６
．７を形成する。その時、多重量子井戸ＭＱＷ層２の無
秩序化（周期構造が無くなる）によって、６，７のバン
ドギャップがわずかに増加すると共に、屈折率がイオン
が注入されていない活性層のストライプ８より低下する
。それにより、前記と同様に光の横方向閉じ込めができ
るようになる。この６．７のイオン注入の後、更に、高
抵抗（ＨＲ）−Ａ６ＧａＡｓ層１を成長し、更にキャッ
プ層のｎ−ＧａＡｓの成長を行なう。
ト等の注入を行ない、それぞれｐ、ｎイオン注入領域６
．７を形成する。その時、多重量子井戸ＭＱＷ層２の無
秩序化（周期構造が無くなる）によって、６，７のバン
ドギャップがわずかに増加すると共に、屈折率がイオン
が注入されていない活性層のストライプ８より低下する
。それにより、前記と同様に光の横方向閉じ込めができ
るようになる。この６．７のイオン注入の後、更に、高
抵抗（ＨＲ）−Ａ６ＧａＡｓ層１を成長し、更にキャッ
プ層のｎ−ＧａＡｓの成長を行なう。
その後マスク１１を用いて、ｐ、ｎの不純物拡散によっ
て電極取出し用の拡散領域５ｐ、５ｎを形成する。
て電極取出し用の拡散領域５ｐ、５ｎを形成する。
以下に上記各層を具体的に例示する。
１及び１° ：クラッド層、 ＨＲ−ＡＡ Ｘ Ｇａ
ｌ−８ＡｓのＸ値＝０．４５、厚さ約Ｉμｍ ２：多重量子井戸Ｍ Ｑ Ｗ Ｎ ＧａＡｓ層 Ａ Ｉ
！ ｘＧａｐ−ＸＡｓのＸイ直は０．４、厚味３０人／
１２０人、ＧａＡｓ ５層、キャリア濃度はＡｊ！ｘＧ
ａトｘＡＪのみｎ型としてキャリア濃度ｎ＝ｌＸ１０蔦
７ｃｍ−３程度、ＧａＡｓは非ドープ（アンドープ）と
する。
ｌ−８ＡｓのＸ値＝０．４５、厚さ約Ｉμｍ ２：多重量子井戸Ｍ Ｑ Ｗ Ｎ ＧａＡｓ層 Ａ Ｉ
！ ｘＧａｐ−ＸＡｓのＸイ直は０．４、厚味３０人／
１２０人、ＧａＡｓ ５層、キャリア濃度はＡｊ！ｘＧ
ａトｘＡＪのみｎ型としてキャリア濃度ｎ＝ｌＸ１０蔦
７ｃｍ−３程度、ＧａＡｓは非ドープ（アンドープ）と
する。
３：バッファ層、厚味１μｍ
４：ｎ拡散、不純物Ｚｎ等キャリア濃度２ Ｘ １０１
１０ｌ８以上 ５ｎ：ｎ拡散、不純物Ｓ等キャリア濃度２ Ｘ １０”
印−３以上 ５ｐ：注入イオンＺｎ （亜鉛）、又はｎｇ （マグネ
シウム）キャリア濃度１０” ｃｍ−３〜１０！！１ｃ
＋ｎ −３７：注入イオン、Ｓｉ（シリコン）キャリア
濃度ｌ Ｑ” ｃｔａ−３〜ｌ ＱＩ９ｃｔａ −３８
：活性層ストライプ：レーザ発振領域、幅Ｌ＝１〜２μ
ｍ 以上の実施例で、量子井戸構造は第１図に示した構造と
同じでもよいが、これに代えて第２図（Ｃ）のＧＲＩＮ
−ＭＱＷ構造（傾斜組成領域を有する多重量子井戸構造
）にすることもできる。図＜Ｃ＞において、例えば１の
クラッド層のＨＲ−Ａ７！ＧａＡｓ層１のＸ値は０．４
５としその幅を０．５μｍ、その（頃斜組成領域の幅７
１！２を１μｍとする。
１０ｌ８以上 ５ｎ：ｎ拡散、不純物Ｓ等キャリア濃度２ Ｘ １０”
印−３以上 ５ｐ：注入イオンＺｎ （亜鉛）、又はｎｇ （マグネ
シウム）キャリア濃度１０” ｃｍ−３〜１０！！１ｃ
＋ｎ −３７：注入イオン、Ｓｉ（シリコン）キャリア
濃度ｌ Ｑ” ｃｔａ−３〜ｌ ＱＩ９ｃｔａ −３８
：活性層ストライプ：レーザ発振領域、幅Ｌ＝１〜２μ
ｍ 以上の実施例で、量子井戸構造は第１図に示した構造と
同じでもよいが、これに代えて第２図（Ｃ）のＧＲＩＮ
−ＭＱＷ構造（傾斜組成領域を有する多重量子井戸構造
）にすることもできる。図＜Ｃ＞において、例えば１の
クラッド層のＨＲ−Ａ７！ＧａＡｓ層１のＸ値は０．４
５としその幅を０．５μｍ、その（頃斜組成領域の幅７
１！２を１μｍとする。
また、ＧＲＩＮ−ＭＱＷの傾斜組成領域β１は０゜２μ
ｍ程度となる。その他は前記と同様にＧａＡｓ／Ａ７！
Ｘ Ｇａ１−ｙＡｓのＸ値は０．４、厚味３０人／１２
０人、ＧａＡｓ ５Ｆｔとする。この幅／！２のＡＡの
Ｘ値を、例えばｘ２分布で変化させる利点は、第１図の
製作工程のような拡散によってｐ、ｎ電極をつくる時、
拡散フロントを垂直にたたせることかできるようになり
、幅りをより狭くできることにある。この拡散フロン１
−（ＤＦと指示）の様子を第７図（Ａ）に示してあり、
一方比較のために、第７図（Ｂ）に通常のＭＱＷの場合
の拡散フロンｌ−（ＤＦ）を示している。
ｍ程度となる。その他は前記と同様にＧａＡｓ／Ａ７！
Ｘ Ｇａ１−ｙＡｓのＸ値は０．４、厚味３０人／１２
０人、ＧａＡｓ ５Ｆｔとする。この幅／！２のＡＡの
Ｘ値を、例えばｘ２分布で変化させる利点は、第１図の
製作工程のような拡散によってｐ、ｎ電極をつくる時、
拡散フロントを垂直にたたせることかできるようになり
、幅りをより狭くできることにある。この拡散フロン１
−（ＤＦと指示）の様子を第７図（Ａ）に示してあり、
一方比較のために、第７図（Ｂ）に通常のＭＱＷの場合
の拡散フロンｌ−（ＤＦ）を示している。
次にこの第２図の構造を作製する場合の利点を説明する
ために第３図に工程図を示している。
ために第３図に工程図を示している。
第３図（Ａ）において、イオン注入はマスク１２を用い
行なう。この場合、マスク１２の間隔は正確に前記活性
層のストライプ幅のＬとする。それにより、イオン注入
の特性から８の活性層領域は１〜２μｍＴ：精度良く形
成される。次に、（Ｂ）図のように、ＨＲ−Ａ Ｉ Ｇ
ａ Ａ ｓ Ｎ １を成長し、拡散マスク１１を形成
する。この拡散マスク１１の開口の間隔ＬＤは第３図（
Ｂ）のように、前記８の活性層ストライプ領域８の幅り
より大きく形成することができ、マスク合せや電極形成
が容易である。
行なう。この場合、マスク１２の間隔は正確に前記活性
層のストライプ幅のＬとする。それにより、イオン注入
の特性から８の活性層領域は１〜２μｍＴ：精度良く形
成される。次に、（Ｂ）図のように、ＨＲ−Ａ Ｉ Ｇ
ａ Ａ ｓ Ｎ １を成長し、拡散マスク１１を形成
する。この拡散マスク１１の開口の間隔ＬＤは第３図（
Ｂ）のように、前記８の活性層ストライプ領域８の幅り
より大きく形成することができ、マスク合せや電極形成
が容易である。
第４図に更に他の実施例を示す。図において、各部の符
号は同一部分について前記と統一してあり、前記実施例
と異な部分を説明すると、（Ａ）のように各エピタキシ
ャル成長層を形成した後、エツチングで凹部１３．１４
を形成して活性層ストライプ８を形成する。次に、凹部
１３．１４よりそれぞれｎ型及びｎ型の不純物を拡散し
、拡散領域１５．１６を形成する。その後、凹部１３．
１４を１７及び１８の電極で埋め込んで平坦化を図る。
号は同一部分について前記と統一してあり、前記実施例
と異な部分を説明すると、（Ａ）のように各エピタキシ
ャル成長層を形成した後、エツチングで凹部１３．１４
を形成して活性層ストライプ８を形成する。次に、凹部
１３．１４よりそれぞれｎ型及びｎ型の不純物を拡散し
、拡散領域１５．１６を形成する。その後、凹部１３．
１４を１７及び１８の電極で埋め込んで平坦化を図る。
それにより、拡散層の深さを浅くすることが可能になり
、活性層のストライプ８の幅を精度良く形成するごとが
できる。
、活性層のストライプ８の幅を精度良く形成するごとが
できる。
以上本発明について、実施例を示したが、本発明はこれ
に限らす種々の変更が可能であり、例えば、実施例のＧ
ａＡｓ系に限ることなく多重量子井戸ＭＱＷ構造が形成
可能な他の半導体系、例えば、ＩｎＰ系等においても適
用可能である。
に限らす種々の変更が可能であり、例えば、実施例のＧ
ａＡｓ系に限ることなく多重量子井戸ＭＱＷ構造が形成
可能な他の半導体系、例えば、ＩｎＰ系等においても適
用可能である。
以上のように、本発明の半導体レーザによれば、活性層
に平行に電流を流し、半導体レーザ表面側から両極の電
極を取出すことが出来プレーナ構造が得られるので、集
積化に通したレーザ構造が提供される。また、その構造
によれば、上下のみでた、レーザの発振領域である活性
層のストライプ幅を精度良く形成できる利点もある。
に平行に電流を流し、半導体レーザ表面側から両極の電
極を取出すことが出来プレーナ構造が得られるので、集
積化に通したレーザ構造が提供される。また、その構造
によれば、上下のみでた、レーザの発振領域である活性
層のストライプ幅を精度良く形成できる利点もある。
第１図は本発明の実施例１の構成図、第２図（Ａ）〜（
Ｃ）は本発明の実施例２の構成図、第３図（Ａ）（Ｂ）
は実施例２の工程断面図、第４図）（Ｂ）はそれぞれＧ
ＲＩＮ−ＭＱＷと通常（７）ＭＱＷ（７）比較説明図で
ある。 １及び１゛ ：クラソト′層、 ＨＲ−八１２ ＧａＡ
ｓ２：多重量子井戸ＭＱＷＩｉ、ＧａＡｓ／ Ａｆｆ
ｘＧａｌ−８八Ｓ３：ハノファ層 ４：ｎ型拡散層 ５：ｎ型拡散層 ６：ｎ型イオン注入領域 ７：ｎ型イオン注入領域
Ｃ）は本発明の実施例２の構成図、第３図（Ａ）（Ｂ）
は実施例２の工程断面図、第４図）（Ｂ）はそれぞれＧ
ＲＩＮ−ＭＱＷと通常（７）ＭＱＷ（７）比較説明図で
ある。 １及び１゛ ：クラソト′層、 ＨＲ−八１２ ＧａＡ
ｓ２：多重量子井戸ＭＱＷＩｉ、ＧａＡｓ／ Ａｆｆ
ｘＧａｌ−８八Ｓ３：ハノファ層 ４：ｎ型拡散層 ５：ｎ型拡散層 ６：ｎ型イオン注入領域 ７：ｎ型イオン注入領域
Claims (1)
- 量子井戸構造の活性層と、該活性層を挟むクラッド層の
絶縁性又は半絶縁性半導体層と、該絶縁性又は半絶縁性
半導体層を通して該活性層に互いに間隔を隔てて形成さ
れたｐ型及びｎ型電極層とを有し、該ｐ型及びｎ型電極
層が形成された部分の量子井戸構造は無秩序化され、該
活性層に横方向にダブルヘテロ構造を持つことを特徴と
する半導体レーザ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60270509A JPS62130581A (ja) | 1985-11-30 | 1985-11-30 | 半導体レーザの製造方法 |
| US06/935,323 US4716125A (en) | 1985-11-30 | 1986-11-26 | Method of producing semiconductor laser |
| DE8686309317T DE3680190D1 (de) | 1985-11-30 | 1986-11-28 | Verfahren zur herstellung von halbleiterlasern. |
| EP86309317A EP0225772B1 (en) | 1985-11-30 | 1986-11-28 | Method of producing semiconductor laser |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60270509A JPS62130581A (ja) | 1985-11-30 | 1985-11-30 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62130581A true JPS62130581A (ja) | 1987-06-12 |
| JPH0243351B2 JPH0243351B2 (ja) | 1990-09-28 |
Family
ID=17487233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60270509A Granted JPS62130581A (ja) | 1985-11-30 | 1985-11-30 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP0225772B1 (ja) |
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-
1986
- 1986-11-26 US US06/935,323 patent/US4716125A/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-11-28 DE DE8686309317T patent/DE3680190D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1986-11-28 EP EP86309317A patent/EP0225772B1/en not_active Expired - Lifetime
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| US5027363A (en) * | 1988-12-09 | 1991-06-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0243351B2 (ja) | 1990-09-28 |
| DE3680190D1 (de) | 1991-08-14 |
| US4716125A (en) | 1987-12-29 |
| EP0225772A2 (en) | 1987-06-16 |
| EP0225772B1 (en) | 1991-07-10 |
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