JPS60235491A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
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- JPS60235491A JPS60235491A JP9350584A JP9350584A JPS60235491A JP S60235491 A JPS60235491 A JP S60235491A JP 9350584 A JP9350584 A JP 9350584A JP 9350584 A JP9350584 A JP 9350584A JP S60235491 A JPS60235491 A JP S60235491A
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- Japan
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- active layer
- type
- layer
- injection region
- semiconductor laser
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0421—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers
- H01S5/0422—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers with n- and p-contacts on the same side of the active layer
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体レーザ、とくに活性層とクラッド層の
境界面に平行な方向から電流を注入する半導体レーザの
構造に関するものである。
境界面に平行な方向から電流を注入する半導体レーザの
構造に関するものである。
従来この種の装置として第１図に示すものがあった。
第１図は従来の半導体レーザを示す断面図、第２図は従
来の半導体レーザを示す部分断面図であり、図において
、（１）はｎ側電極、（２）はｎ型基板、（３）はｎ型
クラッド層、（４）は活性層、ｔｓｌはｐ型クラッド層
、（７）はｐ＋型キャップ層、（７）と（８）は絶縁層
、（９）はｐ側電極である。ここで、活性層（４）は第
２図に示す多重量子井戸型ポテンシャル構造となってイ
ル。第２図ニオイテ、（１，０＋ 、 （１１１、１２
１、＋１３１ ハポテンシャル井戸層で、０４） 、
＋１５） 、 ｆ１６＋は障壁層である。各部の材料と
しては例えば、ｎ型基板（２）としてＧａＡｓ、クラッ
ド層＋３１ 、 ＋５１として、Ａ／ｘＧａ＋ −ｘＡ
ｓ （０＜Ｘ＜１）、ポテンシャル井戸層（１（１）
、 ｆｉｌ） 、 （１２） ’ｔ １１３）として、
ＧａＡｓ、障壁層ｆ１４１ 、 ＋１５１ 、 （１６
１として、Ａ／ｙＧａ ＋ −ｙＡｓ （０＜ｙ＜１
ｔ ｙ＜ｘ）が用いられる。
来の半導体レーザを示す部分断面図であり、図において
、（１）はｎ側電極、（２）はｎ型基板、（３）はｎ型
クラッド層、（４）は活性層、ｔｓｌはｐ型クラッド層
、（７）はｐ＋型キャップ層、（７）と（８）は絶縁層
、（９）はｐ側電極である。ここで、活性層（４）は第
２図に示す多重量子井戸型ポテンシャル構造となってイ
ル。第２図ニオイテ、（１，０＋ 、 （１１１、１２
１、＋１３１ ハポテンシャル井戸層で、０４） 、
＋１５） 、 ｆ１６＋は障壁層である。各部の材料と
しては例えば、ｎ型基板（２）としてＧａＡｓ、クラッ
ド層＋３１ 、 ＋５１として、Ａ／ｘＧａ＋ −ｘＡ
ｓ （０＜Ｘ＜１）、ポテンシャル井戸層（１（１）
、 ｆｉｌ） 、 （１２） ’ｔ １１３）として、
ＧａＡｓ、障壁層ｆ１４１ 、 ＋１５１ 、 （１６
１として、Ａ／ｙＧａ ＋ −ｙＡｓ （０＜ｙ＜１
ｔ ｙ＜ｘ）が用いられる。
次に動作について説明する。電流注入によって、ｎ型ク
ラッド層（３］から電子が、ｐ型クラッド層（５）から
正孔が、活性層（４）に注入される。これらのキャリア
は、ドリフト又は拡散によって、各ポテンシャル井戸層
Ｕαｍ ”１） ｐ ０Ｚ ｔ Ｃ種に達し、障壁層０
Φ。
ラッド層（３］から電子が、ｐ型クラッド層（５）から
正孔が、活性層（４）に注入される。これらのキャリア
は、ドリフト又は拡散によって、各ポテンシャル井戸層
Ｕαｍ ”１） ｐ ０Ｚ ｔ Ｃ種に達し、障壁層０
Φ。
１１５） 、 ＋１６）のため、各井戸層内にその一部
が閉じ込められ、ポテンシャル井戸内で緩和し、発光再
結合をする。この時、各井戸層厚が電子のド・ブロイ波
長より薄く、かつ、電子が各井戸層内に有効に閉じ込め
られれば、量子効果により井戸層内の電子は二次元素電
子として振舞う。
が閉じ込められ、ポテンシャル井戸内で緩和し、発光再
結合をする。この時、各井戸層厚が電子のド・ブロイ波
長より薄く、かつ、電子が各井戸層内に有効に閉じ込め
られれば、量子効果により井戸層内の電子は二次元素電
子として振舞う。
この様に、活性層（４）のキャリアが、二次元系の状態
である半導体レーザ（量子井戸半導体レーザと称する。
である半導体レーザ（量子井戸半導体レーザと称する。
）は、しきい値電流密度（レーザ発振が起こるために必
要な注入電流密度）の低減、しきい値電流密度の温度依
存性の低下等が期待される。この時、ポテンシャル井戸
層内へのキャリアの収率を高めるために、ポテンシャル
井戸層を２個以上設けた半導体レーザ（第２図の構造で
ある）を多重量子井戸（ＭＱＷと略記する。）半導体レ
ーザと称する。従来の多重量子井戸半導体レーザは以上
のように構成されているので、各井戸層にキャリアを有
効に注入し、かつ素子抵抗を上げないために、障壁層と
ポテンシャル井戸層とのポテンシャル差を余り大きくす
る事ができない。その結果、キャリアは各井戸層内に有
効に閉じ込められず、二次元系としての性質が弱まり、
上記の期待される現象り量子効果）が起こりにくくなる
欠点があった。
要な注入電流密度）の低減、しきい値電流密度の温度依
存性の低下等が期待される。この時、ポテンシャル井戸
層内へのキャリアの収率を高めるために、ポテンシャル
井戸層を２個以上設けた半導体レーザ（第２図の構造で
ある）を多重量子井戸（ＭＱＷと略記する。）半導体レ
ーザと称する。従来の多重量子井戸半導体レーザは以上
のように構成されているので、各井戸層にキャリアを有
効に注入し、かつ素子抵抗を上げないために、障壁層と
ポテンシャル井戸層とのポテンシャル差を余り大きくす
る事ができない。その結果、キャリアは各井戸層内に有
効に閉じ込められず、二次元系としての性質が弱まり、
上記の期待される現象り量子効果）が起こりにくくなる
欠点があった。
また、活性層（４）を第２図のように量子井戸型ポテン
シャル構造としない場合においても、従来の半導体レー
ザは電流を線方向（活性層とクラッド層との境界面に垂
直方向）に流すため、抵抗が高く、活性層への電子・正
孔の注入効率が上がらなかった。
シャル構造としない場合においても、従来の半導体レー
ザは電流を線方向（活性層とクラッド層との境界面に垂
直方向）に流すため、抵抗が高く、活性層への電子・正
孔の注入効率が上がらなかった。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、クラッド層ではさんだ活性層に上
記クラッド層と上記活性層との境界面に平行な方向から
電子及び正孔を注入するように、活性層の一側端部にｎ
型電子注入領域を、上記活性層の他側端部にｐ型正孔注
入領域を形成することにより、素子の抵抗を下げ、活性
層にキャリアを効率よく注入しようとするものであり、
さらに活性層を量子井戸型ポテンシャル構造にすれば、
キャリアの注入効率を下げることなく、又素子抵抗を上
げることなく、量子効果が有効に利用できる半導体レー
ザを提供しようとするものである。
めになされたもので、クラッド層ではさんだ活性層に上
記クラッド層と上記活性層との境界面に平行な方向から
電子及び正孔を注入するように、活性層の一側端部にｎ
型電子注入領域を、上記活性層の他側端部にｐ型正孔注
入領域を形成することにより、素子の抵抗を下げ、活性
層にキャリアを効率よく注入しようとするものであり、
さらに活性層を量子井戸型ポテンシャル構造にすれば、
キャリアの注入効率を下げることなく、又素子抵抗を上
げることなく、量子効果が有効に利用できる半導体レー
ザを提供しようとするものである。
以下、この発明の一実′施例を図について説明する。
第３図はこの発明の一実施例による半導体レーザを示す
断面図であり、図において、Ｕηは半絶縁性の基板、（
１８１はこの半絶縁性基板Ｕηの上にエピタキシャル成
長させた高抵抗（不純物濃度が１０′６１−８以下又は
実質的に真性半導体のもの）の第１クラッド層、＋４１
はこの低抵抗の第１クラッド層止の上にエピタキシャル
成長させた多重量子井戸型ポテンシャル構造をもつ活性
層で第２図と同様の構成である。＋１９１は活性層（４
）の上にエピタキシャル成長させた高抵抗の第２クラッ
ド層で、（淘と同一である。（２０）は上記クラッド層
Ｇ団朋ではさんだ活性Ｍ（４）の−側端部に形成したｎ
型電子注入領域、２１）は活性層（４）の他側端部に形
成したｐ型正孔注入領域、■は計型キャップ層であり、
上記活性層１４１内へ、活性層（４）とクラッド肩囲［
１９）との境界面に平行な方向から電子及び正孔を注入
している。
断面図であり、図において、Ｕηは半絶縁性の基板、（
１８１はこの半絶縁性基板Ｕηの上にエピタキシャル成
長させた高抵抗（不純物濃度が１０′６１−８以下又は
実質的に真性半導体のもの）の第１クラッド層、＋４１
はこの低抵抗の第１クラッド層止の上にエピタキシャル
成長させた多重量子井戸型ポテンシャル構造をもつ活性
層で第２図と同様の構成である。＋１９１は活性層（４
）の上にエピタキシャル成長させた高抵抗の第２クラッ
ド層で、（淘と同一である。（２０）は上記クラッド層
Ｇ団朋ではさんだ活性Ｍ（４）の−側端部に形成したｎ
型電子注入領域、２１）は活性層（４）の他側端部に形
成したｐ型正孔注入領域、■は計型キャップ層であり、
上記活性層１４１内へ、活性層（４）とクラッド肩囲［
１９）との境界面に平行な方向から電子及び正孔を注入
している。
なお、上記ｐ型正孔注入領域（２）は例えば＋１８）
、 ＋４＋ 。
、 ＋４＋ 。
１１ｇ）と形成した後に拡散かイオン注入で形成する。
またｎ副電子注入領域■は、ｐ型正孔注入領域（２）と
同じく拡散かイオン注入によって形成する。イオン注入
で形成すればイオン注入領域が限定でき、活性層（４）
の領域を所望の位置に設定できる。またｎ型寞子注入領
域■相当部分をエツチングによりエッチオフし、その後
ｎ型材料を再成長させてｎ型電子注入領域（支））を形
成してもよい。このようにすれば、希望の特性を有する
活性層（４）が得られる。
同じく拡散かイオン注入によって形成する。イオン注入
で形成すればイオン注入領域が限定でき、活性層（４）
の領域を所望の位置に設定できる。またｎ型寞子注入領
域■相当部分をエツチングによりエッチオフし、その後
ｎ型材料を再成長させてｎ型電子注入領域（支））を形
成してもよい。このようにすれば、希望の特性を有する
活性層（４）が得られる。
即ち、この発明の半導体レーザは、上記のような構成の
ため活性層（４）自体に、不純物を拡散、ドーピングあ
るいはイオン注入しないで構成できるので、不純物の拡
散やイオン注入による活性層（４）の構造の変化、とく
に量子井戸型ポテンシャル構造の消滅を避けることがで
きる。次に動作について説明する。電流の流れは、ｐＯ
Ｉ電極（９）からｐ十型キャップ層（６）、ｐ型正孔注
入領域（２）を経て活性層（４）に至り、更にｎ型電子
注入領域（２０）を通り計則キャップ層□□□からｎ型
電極（１）となっている。このように、電流が活性層（
４）を横切る形で注入されるので、活性層（４）内の障
壁層−，卵、 ０６）のポテンシャルの大きさにかかわ
りなく、キャリアは全てポテンシャル井戸層（１０）
＊ （１１１、（１２） 、 １３） ニ注入される。
ため活性層（４）自体に、不純物を拡散、ドーピングあ
るいはイオン注入しないで構成できるので、不純物の拡
散やイオン注入による活性層（４）の構造の変化、とく
に量子井戸型ポテンシャル構造の消滅を避けることがで
きる。次に動作について説明する。電流の流れは、ｐＯ
Ｉ電極（９）からｐ十型キャップ層（６）、ｐ型正孔注
入領域（２）を経て活性層（４）に至り、更にｎ型電子
注入領域（２０）を通り計則キャップ層□□□からｎ型
電極（１）となっている。このように、電流が活性層（
４）を横切る形で注入されるので、活性層（４）内の障
壁層−，卵、 ０６）のポテンシャルの大きさにかかわ
りなく、キャリアは全てポテンシャル井戸層（１０）
＊ （１１１、（１２） 、 １３） ニ注入される。
この時、活性層（４）の幅が電子の拡散長に比べ短かけ
れば、電子と正孔とは、ポテンシャル井戸層内で発光再
結合する。従って、障壁層を例えば、ＡｌＡｓ 、ポテ
ンシャル井戸層をＧａＡｓとして、そのポテンシャル差
を充分に設けて、キャリアを有効に閉じ込め二次元系と
し、かつ効率良くキャリアを注入し、素子抵抗を上げな
いことが可能である。
れば、電子と正孔とは、ポテンシャル井戸層内で発光再
結合する。従って、障壁層を例えば、ＡｌＡｓ 、ポテ
ンシャル井戸層をＧａＡｓとして、そのポテンシャル差
を充分に設けて、キャリアを有効に閉じ込め二次元系と
し、かつ効率良くキャリアを注入し、素子抵抗を上げな
いことが可能である。
なお、ポテンシャル井戸層は、クラッド層０秒。
（Ｉ９１よりビルト・イン電圧が低いためと、クラッド
層（１Ｂ１ ｅ ｌＩ９＋自体が高抵抗であるために、
クラッド層［８１、（１９＋を流れる電流は極めて小さ
い。また、例えば活性層（４）として井戸層にＧａＡｓ
、障壁層にＡ／ｘＧａ ＋ −ｘＡｓ （ｏ＜ｘ＜１）
第１及び第２クラッド層囮。
層（１Ｂ１ ｅ ｌＩ９＋自体が高抵抗であるために、
クラッド層［８１、（１９＋を流れる電流は極めて小さ
い。また、例えば活性層（４）として井戸層にＧａＡｓ
、障壁層にＡ／ｘＧａ ＋ −ｘＡｓ （ｏ＜ｘ＜１）
第１及び第２クラッド層囮。
ｔ１９） ニＡ／ｙＧａ＋ −ｙＡｓ （０＜ｙ＜１
ｙ＞ｘ） 、ｎ梨型子注入領域■にＳｉをドナーとする
Ａ／ｙ’ Ｇａ １−ｙ’ Ａｓの＜ｙ’ ＜１ ｙ’
＞ｘ）、ｐ型正孔注入領域シυにＺｎ をアクセプタ
ーとするＡＮＹ’ Ｇａ ＋ −ｙ’ Ａｓ （０＜ｙ
’ ＜１ ｐ ｙ’ ＞ｘ）を用いてＰ−Ｉ−Ｎ型のも
のを形成することによりｎ梨型子注入領域■とｐ型正孔
注入領域シυとで横モード制御を行い品質の高い半導体
レーザが得られる。
ｙ＞ｘ） 、ｎ梨型子注入領域■にＳｉをドナーとする
Ａ／ｙ’ Ｇａ １−ｙ’ Ａｓの＜ｙ’ ＜１ ｙ’
＞ｘ）、ｐ型正孔注入領域シυにＺｎ をアクセプタ
ーとするＡＮＹ’ Ｇａ ＋ −ｙ’ Ａｓ （０＜ｙ
’ ＜１ ｐ ｙ’ ＞ｘ）を用いてＰ−Ｉ−Ｎ型のも
のを形成することによりｎ梨型子注入領域■とｐ型正孔
注入領域シυとで横モード制御を行い品質の高い半導体
レーザが得られる。
なお、上記実施例では、活性層（４）を多重量子井戸構
造としたが、単一量子井戸構造でもよく、或いは、量子
井戸構造を設けなくてもよい。
造としたが、単一量子井戸構造でもよく、或いは、量子
井戸構造を設けなくてもよい。
以上のように、この発明によれば、クラッド層ではさん
だ活性層に上記クラッド層と上記活性層との境界面に平
行な方向から電子及び正孔を注入するように、活性層の
一側端部にｎ型電子注入領域を、上記活性層の他側端部
にｐ型正孔注入領域を形成したので、素子の抵抗を下げ
、活性層に電子・正孔を効率よく注入できる。
だ活性層に上記クラッド層と上記活性層との境界面に平
行な方向から電子及び正孔を注入するように、活性層の
一側端部にｎ型電子注入領域を、上記活性層の他側端部
にｐ型正孔注入領域を形成したので、素子の抵抗を下げ
、活性層に電子・正孔を効率よく注入できる。
さらに、活性層を量子井戸型ポテンシャル構造にして上
記構成すれば、量子効果が有効に利用でき、しきい値電
流密度の低減等に効果がある。
記構成すれば、量子効果が有効に利用でき、しきい値電
流密度の低減等に効果がある。
図は従来の半導体レーザを示す部分断面図、第３図はこ
の発明の一実施例による半導体レーザを示す断面図であ
る。
の発明の一実施例による半導体レーザを示す断面図であ
る。
（１）・・・ｎ側電極、（４）・・・活性層、（９）・
・・ｐ側電極、Ｕη・・・基板、叫・・・第１クラッド
層、Ｕω・・・第２クラッド層、■・・・ｎ型電子注入
領域、（２１１・・・ｐ型電子注入領域 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。・ 代理人 大岩増雄
・・ｐ側電極、Ｕη・・・基板、叫・・・第１クラッド
層、Ｕω・・・第２クラッド層、■・・・ｎ型電子注入
領域、（２１１・・・ｐ型電子注入領域 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。・ 代理人 大岩増雄
Claims (6)
- （１）クラッド層ではさんだ活性層に、上記クラッド層
と上記活性層との境界面に平行な方向から電子及び正孔
を注入するように、上記活性層の廿側端部にｎ型電子注
入領域を、上記活性層の他側端部にｐ型正孔注入領域を
形成した半導体レーザ。 - （２）活性層は量子井戸型ポテンシャル構造である特許
請求の範囲第１項記載の半導体レーザ。 - （３）基板、この基板上に形成した第１クラッド層、こ
のクラッド層上に形成した活性層の一側端部に形成した
ｎ型電子注入領域、上記活性層の他側端部に形成したｐ
型正孔注入領域、及び上記周領域にそれぞれ形成した電
極を備えた特許請求の範囲第１項又は第２項記載の半導
体レーザ。 - （４）クラッド層は実質的に真性半導体である特許請求
の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の半導体レ
ーザ。 - （５）クラッド層は不純物濃度が１０１６ｃｍ ”以下
である特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに
記載の半導体レーザ。 - （６）ｎ型電子注入領域とｐ型正孔注入領域とで横モー
ド制御を行なう特許請求の範囲第１項ないし第５項のい
ずれかに記載の半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9350584A JPS60235491A (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9350584A JPS60235491A (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60235491A true JPS60235491A (ja) | 1985-11-22 |
Family
ID=14084206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9350584A Pending JPS60235491A (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60235491A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62130581A (ja) * | 1985-11-30 | 1987-06-12 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザの製造方法 |
| EP0342018A2 (en) * | 1988-05-11 | 1989-11-15 | Mitsubishi Kasei Corporation | Semiconductor laser devices and process for making them |
| EP0370831A2 (en) * | 1988-11-25 | 1990-05-30 | Director-General of the Agency of Industrial Science and Technology | Divided electrode type semiconductor laser device |
| US5145807A (en) * | 1988-05-11 | 1992-09-08 | Mitsubishi Kasei Corporation | Method of making semiconductor laser devices |
| JP2013165152A (ja) * | 2012-02-10 | 2013-08-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | プラズモン薄膜レーザ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58225680A (ja) * | 1982-06-23 | 1983-12-27 | Nec Corp | 半導体レ−ザ |
-
1984
- 1984-05-08 JP JP9350584A patent/JPS60235491A/ja active Pending
Patent Citations (1)
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|---|---|---|---|---|
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| JPH0243351B2 (ja) * | 1985-11-30 | 1990-09-28 | ||
| EP0342018A2 (en) * | 1988-05-11 | 1989-11-15 | Mitsubishi Kasei Corporation | Semiconductor laser devices and process for making them |
| US4969151A (en) * | 1988-05-11 | 1990-11-06 | Mitsubishi Kasei Corporation | Semiconductor laser devices |
| US5145807A (en) * | 1988-05-11 | 1992-09-08 | Mitsubishi Kasei Corporation | Method of making semiconductor laser devices |
| EP0342018B1 (en) * | 1988-05-11 | 1993-12-22 | Mitsubishi Kasei Corporation | Semiconductor laser devices and process for making them |
| EP0370831A2 (en) * | 1988-11-25 | 1990-05-30 | Director-General of the Agency of Industrial Science and Technology | Divided electrode type semiconductor laser device |
| US5018159A (en) * | 1988-11-25 | 1991-05-21 | Director-General, Agency Of Industrial Science And Technology | Divided electrode type semiconductor laser device |
| JP2013165152A (ja) * | 2012-02-10 | 2013-08-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | プラズモン薄膜レーザ |
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