JP2013165152A - プラズモン薄膜レーザ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】薄膜半導体レーザにおいて、微細金属共振器アレイ7をSiO21内に設け、微細金属共振器アレイ7によるメタマテリアル構造8の、誘電率と透磁率を変化させることで、表面プラズモンによるTEモード光の閉じ込めを可能とし、この強光閉じ込めにより、低しきい値化と小型化を実現する。
【選択図】図1
Description
横方向電流注入構造の薄膜半導体レーザにおいて、
光導波路の上部に誘電率と透磁率をそれぞれ独立に制御するメタマテリアル構造を備え、
前記光導波路において回折限界を超えたナノスケール領域への光の閉じ込めを可能とすることを特徴とする。
第1の発明に係るプラズモン薄膜レーザにおいて、
前記メタマテリアル構造が、当該構造内部に微細金属共振器アレイを備えるものであることを特徴とする。
2 n‐InP n型電極
3 p‐InP p型電極
4 SCH 半導体層
5 MQW 半導体活性層
6 TEモード光分布
7 微細金属共振器アレイ
8 メタマテリアル構造
Claims (2)
- 横方向電流注入構造の薄膜半導体レーザにおいて、
光導波路の上部に誘電率と透磁率をそれぞれ独立に制御するメタマテリアル構造を備え、
前記光導波路において回折限界を超えたナノスケール領域への光の閉じ込めを可能とすることを特徴とするプラズモン薄膜レーザ。 - 前記メタマテリアル構造が、当該構造内部に微細金属共振器アレイを備えるものであることを特徴とする請求項1に記載のプラズモン薄膜レーザ。
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