JPS62122862U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS62122862U JPS62122862U JP991586U JP991586U JPS62122862U JP S62122862 U JPS62122862 U JP S62122862U JP 991586 U JP991586 U JP 991586U JP 991586 U JP991586 U JP 991586U JP S62122862 U JPS62122862 U JP S62122862U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film forming
- ion
- disk
- vacuum
- unloading
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
第１図は、この考案の一実施例に係るイオン蒸
着薄膜形成装置を示す縦断面図である。第２図は
、第１図の線―に沿う横断面図である。第３
図は、第１図の線―に沿う横断面図である。
第４図は、従来のイオン蒸着薄膜形成装置の一例
を示す縦断面図である。第５図は、第４図の線
―に沿う横断面図である。 ４……デイスク、６……ウエハ、８……デイス
ク回転・並進機構、１０……イオン源、１４……
蒸発源、１８……ウエハロード・アンロード機構
、３６……真空排気口、３７……ガス注入口、４
０……真空容器、４２……ウエハ着脱室、４４…
…膜形成室、４６……遮蔽板、４８……隙間。
着薄膜形成装置を示す縦断面図である。第２図は
、第１図の線―に沿う横断面図である。第３
図は、第１図の線―に沿う横断面図である。
第４図は、従来のイオン蒸着薄膜形成装置の一例
を示す縦断面図である。第５図は、第４図の線
―に沿う横断面図である。 ４……デイスク、６……ウエハ、８……デイス
ク回転・並進機構、１０……イオン源、１４……
蒸発源、１８……ウエハロード・アンロード機構
、３６……真空排気口、３７……ガス注入口、４
０……真空容器、４２……ウエハ着脱室、４４…
…膜形成室、４６……遮蔽板、４８……隙間。
Claims (1)
- イオン源と蒸発源とを有していて、真空容器内
で回転および並進させられるデイスクに装着され
た複数枚のウエハのそれぞれにイオン照射と蒸着
とを行うイオン蒸着薄膜形成装置において、前記
真空容器内を少なくとも、デイスクにウエハを着
脱するためのウエハ着脱室と、デイスクに装着さ
れたウエハにイオン照射および蒸着を行うための
膜形成室とに分け、両室間を、ウエハを装着した
デイスクが並進できる隙間を設けて遮蔽板で分離
し、かつ真空容器内を少なくとも大気圧状態から
初期排気するための真空排気口を膜形成室側に設
け、真空容器内を大気圧状態に戻すためのガス注
入口をウエハ着脱室側に設けたことを特徴とする
イオン蒸着薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP991586U JPS62122862U (ja) | 1986-01-27 | 1986-01-27 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP991586U JPS62122862U (ja) | 1986-01-27 | 1986-01-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62122862U true JPS62122862U (ja) | 1987-08-04 |
Family
ID=30795682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP991586U Pending JPS62122862U (ja) | 1986-01-27 | 1986-01-27 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62122862U (ja) |
-
1986
- 1986-01-27 JP JP991586U patent/JPS62122862U/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4676884A (en) | Wafer processing machine with evacuated wafer transporting and storage system | |
| KR920005623B1 (ko) | 음극 스퍼터링 장치 | |
| JPS62122862U (ja) | ||
| JPS62122861U (ja) | ||
| JPS63128710A (ja) | 反応炉 | |
| JPS63127125U (ja) | ||
| JPH0377274B2 (ja) | ||
| JPH0184428U (ja) | ||
| JP2776514B2 (ja) | 真空容器 | |
| JPS6251171U (ja) | ||
| JPS61120756U (ja) | ||
| JPH01119052U (ja) | ||
| JP3182496B2 (ja) | 真空ロード・アンロード方法および真空ゲートバルブならびに真空搬送容器 | |
| JPH02132657U (ja) | ||
| KR100724284B1 (ko) | 플라즈마 처리장치 | |
| JPS61120755U (ja) | ||
| JPS6384866U (ja) | ||
| JPH0170863U (ja) | ||
| JPS6243674Y2 (ja) | ||
| JPS61176258U (ja) | ||
| JPH0226030U (ja) | ||
| JPS62106961U (ja) | ||
| JPH044062U (ja) | ||
| JP2602954Y2 (ja) | 基板真空処理装置 | |
| JPS5825474A (ja) | スパツタ・酸化・蒸着装置 |