JPS62122261A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

Info

Publication number
JPS62122261A
JPS62122261A JP26275485A JP26275485A JPS62122261A JP S62122261 A JPS62122261 A JP S62122261A JP 26275485 A JP26275485 A JP 26275485A JP 26275485 A JP26275485 A JP 26275485A JP S62122261 A JPS62122261 A JP S62122261A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
type
capacitor
resistor
base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP26275485A
Other languages
English (en)
Inventor
Hisao Otawa
太田和 久雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP26275485A priority Critical patent/JPS62122261A/ja
Publication of JPS62122261A publication Critical patent/JPS62122261A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、電源スィッチを°“オフ′”した時に電源
電圧の降下を検出して回路機能を制御する半導体集積回
路に関するものである。
〔従来の技術〕
第4図は従来の半導体集積回路の動作の一例を説明する
ための図である。第4図において、1はスイッチ、2は
電源端子、3は増幅器、4はミュート回路、DI、D2
は第1および第2のダイオード、Ql、Q2は駆動トラ
ンジスタとなるPNP トランジスタおよび制御トラン
ジスタとなるNPNトランジスタ、Cはコンデンサ、V
CCはその電圧がvecである電源である。スイッチ1
が“オン”の定常状態では、PNFトランジスタQ+ 
(7)ベース電位Veおよびエミッタ電位vEは等しく
vB=vE であり、ベース−エミッタ間は順方向にバイアスされな
いため、PNPトランジスタQ1はカットオフである。
ここで、スイッチ1をオフにすると、電源端子2の電圧
Vが降下するにつれてPNPトランジスタQ1のベース
電位v8が低下するが、エミッタ電位VEはコンデンサ
Cに電荷が蓄積されているため、その電位が保持される
。したかって、PNP)ランジスタQ1のベース電位V
aが所定の電圧まで降下した時、PNPトランジスタQ
1が“オン”となりNPN )ランジスタQ2が駆動さ
れる。そして、このNPN )ランジスタQ2のコレク
タ出力によって、ミュート回路4を動作させることによ
り、電源オフミュートを行うことができる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記のような従来の半導体集積回路では、第1および第
2のダイオードD1.D2  、PNP)ランジスタQ
+、NPNトランジスタQ2等の能動素子が4つ必要で
あり、チップ面積が増大するという問題点があった。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、チップ面積の減少が可能な半導体集積回路を得る
ことを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体集積回路は二手導体チップ上に構
成された制御トランジスタと;一方の電極が接地された
コンデンサと;半導体チップ上で他の領域と分離され電
源に接続されたn型のエピタキシャル層と、このn型の
エピタキシャル層内に形成されその一端がコンデンサの
接地されていない他方の電極に接続され他端が電源に接
続されたp型の第1の抵抗領域と、n型のエピタキシャ
ル層内に形成されその一端が制御トランジスタのベース
に接続されたp型の第2の抵抗領域とから構成される駆
動トランジスタと;を備えたものである。
〔作用〕
この発明においては、電源の電圧が所定の値以下に低下
した時駆動トランジスタが動作し、その出力によって制
御トランジスタが駆動される。
〔実施例〕
第1図(a)、(b)はこの発明の半導体集積回路の一
実施例を説明するための等価回路図で、第4図と同一符
号は同一部分を示し、5はp型の第1の抵抗領域による
抵抗器、6はp型の第2の抵抗領域による抵抗器、7は
n型のエピタキシャル層、Q3はスイッチ1が“オフ“
で電源端子2の電圧■が所定の値となった時に出現する
駆動トランジスタであるPNPトランジスタである。
また第2図は第1図に示した抵抗器5,6およびPNP
)ランジスタQ3の構成を説明するための図で、第1図
と同一符号は同一部分を示し、8はp型の第1の抵抗領
域であるp型層、9はp型の第2の抵抗領域であるp型
層である。
次に動作について説明する。
スイッチ1が“オン”の定常状態では、第1図(a)に
示す状態となっており、コンデンサCは抵抗器5を介し
て充電されている0次に、スイッチ1を゛オフ゛′にす
ると、電源端子2の電圧Vが降下し、PNP トランジ
スタQ3のベースt 位V eが所定の値以下になると
、コンデンサCに電荷が蓄積されているため、第2図に
示したp型層8とn型のエピタキシャル層7間が順方向
にバイアスされ第1図(b)に示す状態となる。すなわ
ち、PNPトランジスタQ3が出現して動作し、その出
力がNPNIランジスタQ2のベースに加わり、NPN
トランジスタQ2が駆動される。したがって、ミュート
回路4がNPN )ランジスタQ2のコレクタ出力によ
り動作し、電源オフミュートを行うことができる。
またスイッチ1が°゛オンの定常状態が第3図に示すよ
うに、第2図に示したn型のエピタキシャル層7内に形
成される抵抗領域による抵抗器5a、5bを2つ設けた
構成とすることにより、NPNトランジスタQ2を駆動
させる電源端子2の電圧Vを抵抗値R1,R2によって
設定することもできる。
〔発明の効果〕
この発明は以上説明したとおり、半導体チップ上に構成
された制御トランジスタと;一方の電極が接地されたコ
ンデンサと;半導体チップ上で他の領域と分離され電源
に接続されたn型のエピタキシャル層と、このn型のエ
ピタキシャル層内に形成されその一端がコンデンサの接
地されていない他方の電極に接続され他端が電源に接続
されたーP型の第1の抵抗領域と、n型のエピタキシャ
ル層内に形成されその一端が制御トランジスタのべ−ス
に接続されたp型の第2の抵抗領域とから構成される駆
動トランジスタと;を備えたので、電源の電圧が所定の
値以下に低下した時に駆動トランジスタによって制御ト
ランジスタを駆動する半導体集積回路を少ない能動素子
数で構成でき、チップ面積の減少が可能になるという効
果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)、(b)はこの発明の半導体集積回路の一
実施例を説明するための等価回路図、第2図は第1図に
示した抵抗器およびPNP)ランジスタの構成を説明す
るための図、第3図はこの発明の他の実施例を説明する
ための等価回路図、第4図は従来の半導体集積回路の一
例を説明するための図である。 図において、5.6は抵抗器、7はn型のエピタキシャ
ル層、8,9はp型の第1および第2の抵抗領域、vc
cは電源、Cはコンデンサ、Q3は駆動トランジスタ、
Q2は制御トランジスタである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄   (外2名)第1図 リフ。吸菖ηトランジうタ 第2図 第3図 第4図 手続補正書(自発)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体チップ上に構成された制御トランジスタと;一方
    の電極が接地されたコンデンサと;前記半導体チップ上
    で他の領域と分離され電源に接続されたn型のエピタキ
    シャル層と、このn型のエピタキシャル層内に形成され
    その一端が前記コンデンサの接地されていない他方の電
    極に接続され他端が前記電源に接続されたp型の第1の
    抵抗領域と、前記n型のエピタキシャル層内に形成され
    その一端が前記制御トランジスタのベースに接続された
    p型の第2の抵抗領域とから構成される駆動トランジス
    タと;を備えたことを特徴とする半導体集積回路。
JP26275485A 1985-11-22 1985-11-22 半導体集積回路 Pending JPS62122261A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26275485A JPS62122261A (ja) 1985-11-22 1985-11-22 半導体集積回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26275485A JPS62122261A (ja) 1985-11-22 1985-11-22 半導体集積回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS62122261A true JPS62122261A (ja) 1987-06-03

Family

ID=17380122

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP26275485A Pending JPS62122261A (ja) 1985-11-22 1985-11-22 半導体集積回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS62122261A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2998175B2 (ja) 制御回路
JPH0121703B2 (ja)
EP0091119B1 (en) Monolithic semiconductor integrated a.c. switch circuit
JPS62122261A (ja) 半導体集積回路
CA2371066A1 (en) Overvoltage protection
JPH1079472A (ja) 半導体集積回路
JP3262841B2 (ja) 第1回路接続点を第2あるいは第3の回路接続点に後者の電位に関連して接続し、特に基板の電位に関する集積回路の絶縁領域の電位を制御するための切換回路
JP3199857B2 (ja) 伝導度変調型mosfet
JP2829773B2 (ja) コンパレータ回路
JP2645403B2 (ja) ボルテージホロワ回路
JP2633831B2 (ja) バイポーラ型半導体集積回路
JP2674274B2 (ja) 基準電圧回路
JPS63196087A (ja) 光半導体素子駆動回路
JPH0733463Y2 (ja) データ伝送回路
JPS58166740A (ja) 半導体装置
JPS60245464A (ja) チヤ−ジポンプ形昇圧回路
JP2592990B2 (ja) 電圧制御回路
JPS6051273B2 (ja) 半導体出力回路
JP2966576B2 (ja) 直流電圧出力装置
JP3570338B2 (ja) 電源逆接続保護回路
JPH10511813A (ja) 非分離形集積回路の基板
JPH05268024A (ja) スイッチング回路
JPH06152360A (ja) クランプ機能付きスイッチ回路
JPS61255122A (ja) 誘導負荷駆動半導体集積回路装置
JPH0644206B2 (ja) 半導体集積回路の定電圧回路