JPS62122147A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPS62122147A JPS62122147A JP26281885A JP26281885A JPS62122147A JP S62122147 A JPS62122147 A JP S62122147A JP 26281885 A JP26281885 A JP 26281885A JP 26281885 A JP26281885 A JP 26281885A JP S62122147 A JPS62122147 A JP S62122147A
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- JP
- Japan
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- wirings
- grooves
- wiring
- shaped grooves
- integrated circuit
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- Pending
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- Element Separation (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路に関し、特に、その配線に関す
る。
る。
素子間の絶縁分離法として、近年、Ｕ溝分離法が用いら
ｎている。この方式は素子間に狭い溝（Ｕ溝）を堀シ、
この内側に絶縁物や他の充填物を詰め素子間′ｊｋ逸縁
分離する。従来性なわｔてきた、選択酸化技術を用いた
酸化物分離法（いわゆるアイソプレーナ法）に比べ、素
子間が狭くでき、溝全深くする事で素子間の干渉を小さ
くできる等の特長金持つ。
ｎている。この方式は素子間に狭い溝（Ｕ溝）を堀シ、
この内側に絶縁物や他の充填物を詰め素子間′ｊｋ逸縁
分離する。従来性なわｔてきた、選択酸化技術を用いた
酸化物分離法（いわゆるアイソプレーナ法）に比べ、素
子間が狭くでき、溝全深くする事で素子間の干渉を小さ
くできる等の特長金持つ。
しかし、Ｕ＊分離法では、加工技術上、溝の幅を広くす
る事が困難なため、素子以外の領域（フィールド領域）
をアイソプレーナ法のように厚い絶縁膜で覆う事はでき
ない。従って、フィールド領域上の配線と基板の間の寄
生容量が大きく、信号の伝達時間が遅くなるという問題
がある。第２図にはアイソプレーナ法を適用し、通常の
バイポーラ技術で形成さまたものの断面図？、第３図に
はＵ溝分離法を適用した場合の断面図を示す。第２図中
の分離用酸化物２１は、素子分離と共にフィールド領域
も覆い、そこ全通る配線２９と基板２との間の寄生容量
は、この酸化物２１が厚いため、比較的小さい。−万、
第３図では素子分離はＵ溝ｌで行なわれているが、フィ
ールド部はトランジスタ上面會覆う酸化膜３と同等の酸
化膜４で覆わｎているだけなので、この上を通る配線３
９と半導体部５との間の寄生容量は第２図の場合に比べ
太きい。
る事が困難なため、素子以外の領域（フィールド領域）
をアイソプレーナ法のように厚い絶縁膜で覆う事はでき
ない。従って、フィールド領域上の配線と基板の間の寄
生容量が大きく、信号の伝達時間が遅くなるという問題
がある。第２図にはアイソプレーナ法を適用し、通常の
バイポーラ技術で形成さまたものの断面図？、第３図に
はＵ溝分離法を適用した場合の断面図を示す。第２図中
の分離用酸化物２１は、素子分離と共にフィールド領域
も覆い、そこ全通る配線２９と基板２との間の寄生容量
は、この酸化物２１が厚いため、比較的小さい。−万、
第３図では素子分離はＵ溝ｌで行なわれているが、フィ
ールド部はトランジスタ上面會覆う酸化膜３と同等の酸
化膜４で覆わｎているだけなので、この上を通る配線３
９と半導体部５との間の寄生容量は第２図の場合に比べ
太きい。
フィールド領域をどうしても厚い酸化膜で覆いたけｎば
、Ｕ溝分離工程の前又は後にアイソプレーナ工程を付は
加えればよいが、製造工程が複雑になり、良品の収率も
減少して価格が高くなるという問題が生じる。
、Ｕ溝分離工程の前又は後にアイソプレーナ工程を付は
加えればよいが、製造工程が複雑になり、良品の収率も
減少して価格が高くなるという問題が生じる。
本発明の目的は、素子の分離ｉＵ溝で行いながら、新た
な工程音訓えずに、配線に付く寄生容量ケ小さくできる
半導体集積回路装置を提供する事である。
な工程音訓えずに、配線に付く寄生容量ケ小さくできる
半導体集積回路装置を提供する事である。
本発明の半導体集積回路装置は、素子分離のためにＵ溝
を持ち、少なくとも一部の配線には、その配線の直下又
は直下とななめ下に、その配線に沿って１本又は複数本
のＵ溝が形成さルている。
を持ち、少なくとも一部の配線には、その配線の直下又
は直下とななめ下に、その配線に沿って１本又は複数本
のＵ溝が形成さルている。
次に本発明について図面全参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例で、（ａ）は平面図、（ｂ）
は（ａｌＯ中でＡ 、 Ａ’で示す線に沿っての断面図
を示す。
は（ａｌＯ中でＡ 、 Ａ’で示す線に沿っての断面図
を示す。
本実施列は、Ｐ型硅累基板２に％Ｎ 形埋込層７を設け
てから、１μのエピタキシャル＃５ｔ−成長させた後、
幅１．５μ、深さ約５μのＵ＃１１１Ｃ内壁ｆｆ１０．
３μの酸化膜で覆い、絶縁性の多結晶硅素６ｔ−充填し
た後、全表面に約０．３μの酸化膜４をつける。以後、
通常のバイポーラ技術により、コレクタ電極用拡散、ペ
ース領域、エミッタ、各コンタクト及び配＃（ｓ、９，
１９）ｖ形成する。
てから、１μのエピタキシャル＃５ｔ−成長させた後、
幅１．５μ、深さ約５μのＵ＃１１１Ｃ内壁ｆｆ１０．
３μの酸化膜で覆い、絶縁性の多結晶硅素６ｔ−充填し
た後、全表面に約０．３μの酸化膜４をつける。以後、
通常のバイポーラ技術により、コレクタ電極用拡散、ペ
ース領域、エミッタ、各コンタクト及び配＃（ｓ、９，
１９）ｖ形成する。
本発明の特徴は、配線９及び１９の直下又は近辺にＵ溝
部がそ１ぞれ１本と３本設けらｎている事である。こｎ
にＬカ、配線９及び１９が半導体部５と面する面積が％
Ｕ溝が無い時（第３図の従来例参照）に比べ大幅に減少
する。この例ではＵ溝のでき上シ幅１−１．．約２μ、
Ｕ溝どうしの最短間（半導体部）はでき上り約１μとな
ったので、配ｍ９の場合（線幅は４μ）は半分、配線１
９の場合（線幅は０μ）は３分の１に減少する。Ｕ溝間
をもっと狭くすｎば更に減少する。Ｕ溝部は実質的に絶
縁体と考えられ、厚さが約５μもあるので、Ｕ溝部直上
で形成される寄生容量は無視できる。
部がそ１ぞれ１本と３本設けらｎている事である。こｎ
にＬカ、配線９及び１９が半導体部５と面する面積が％
Ｕ溝が無い時（第３図の従来例参照）に比べ大幅に減少
する。この例ではＵ溝のでき上シ幅１−１．．約２μ、
Ｕ溝どうしの最短間（半導体部）はでき上り約１μとな
ったので、配ｍ９の場合（線幅は４μ）は半分、配線１
９の場合（線幅は０μ）は３分の１に減少する。Ｕ溝間
をもっと狭くすｎば更に減少する。Ｕ溝部は実質的に絶
縁体と考えられ、厚さが約５μもあるので、Ｕ溝部直上
で形成される寄生容量は無視できる。
従って、配線の寄生容量は大幅に軽減さｎる。
尚、本実施例では、各配線下にＵ溝が設けらｎているが
、必ずしも全部の配線下にＵ溝が設けらｎる必要はなく
、必要に応じて設けｎばよい。
、必ずしも全部の配線下にＵ溝が設けらｎる必要はなく
、必要に応じて設けｎばよい。
以上説明し友ように本発明によｎば、素子間の分離にＵ
溝を用い友場合でも、工程の追加無しに配線に付く寄生
容量全大幅に減少できるので、価格が安く、信号伝達の
速い半導体集積回路が得らｎるという効果がある。
溝を用い友場合でも、工程の追加無しに配線に付く寄生
容量全大幅に減少できるので、価格が安く、信号伝達の
速い半導体集積回路が得らｎるという効果がある。
第１図は本発明の実施例を示す図で、同図（ａ）はその
平面図、（ｂ）は断面図、第２図は従来例の問題点全説
明するための図、第３図は従来例會示す図である。 １・・・・・・Ｕ溝、２・・・・・・半導体基板、３，
４・・・・・・酸化膜、５・・・・・・エピタキシャル
層、６・・・・・・Ｕ溝内の多結晶硅素、７・・・・・
・埋込層、８・・・・・・素子コンタクト上の配線％９
，１９，２９．３９・・・・・・フィールド領域上の配
ａ％２１・・・・・・絶縁分離用酸化物。
平面図、（ｂ）は断面図、第２図は従来例の問題点全説
明するための図、第３図は従来例會示す図である。 １・・・・・・Ｕ溝、２・・・・・・半導体基板、３，
４・・・・・・酸化膜、５・・・・・・エピタキシャル
層、６・・・・・・Ｕ溝内の多結晶硅素、７・・・・・
・埋込層、８・・・・・・素子コンタクト上の配線％９
，１９，２９．３９・・・・・・フィールド領域上の配
ａ％２１・・・・・・絶縁分離用酸化物。
Claims (1)
- 素子間を溝で絶縁分離した集積回路に於て、少なくとも
一部の配線には、その配線の直下又は直下とななめ下に
、その配線に沿って溝が形成されていることを特徴とす
る半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26281885A JPS62122147A (ja) | 1985-11-21 | 1985-11-21 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26281885A JPS62122147A (ja) | 1985-11-21 | 1985-11-21 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62122147A true JPS62122147A (ja) | 1987-06-03 |
Family
ID=17381040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26281885A Pending JPS62122147A (ja) | 1985-11-21 | 1985-11-21 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62122147A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63248147A (ja) * | 1987-04-03 | 1988-10-14 | Sony Corp | 半導体装置 |
-
1985
- 1985-11-21 JP JP26281885A patent/JPS62122147A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63248147A (ja) * | 1987-04-03 | 1988-10-14 | Sony Corp | 半導体装置 |
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