JPS62119155A - 低温焼成セラミツクス基板の焼成方法 - Google Patents
低温焼成セラミツクス基板の焼成方法Info
- Publication number
- JPS62119155A JPS62119155A JP60258674A JP25867485A JPS62119155A JP S62119155 A JPS62119155 A JP S62119155A JP 60258674 A JP60258674 A JP 60258674A JP 25867485 A JP25867485 A JP 25867485A JP S62119155 A JPS62119155 A JP S62119155A
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- JP
- Japan
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- firing
- fired
- burning
- setter
- temperature
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- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Furnace Charging Or Discharging (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、集積回路等に実装するため使用する低温焼成
基板の焼成方法に関するものである。
基板の焼成方法に関するものである。
[従来の技術]
無機化合物粉体と有機結合剤からなるグリーン成型物は
セッター上で焼成されている。例えばアルミナセラミッ
クス材料の焼成にはセッターとしてジルコニアセラミッ
クスを用いている。
セッター上で焼成されている。例えばアルミナセラミッ
クス材料の焼成にはセッターとしてジルコニアセラミッ
クスを用いている。
セッターとして要求される性能は被焼成物と反応したり
接着したりしないこと、焼成雰囲気で安定であること、
平坦でかつ撓み等を起こさないことが要求される。
接着したりしないこと、焼成雰囲気で安定であること、
平坦でかつ撓み等を起こさないことが要求される。
このような観点から、従来1400’C以上で焼成され
る場合、セッターは■高温で安定でおること、■平滑で
おること、■熱伝導性がよいことの観点から選定されて
いる。
る場合、セッターは■高温で安定でおること、■平滑で
おること、■熱伝導性がよいことの観点から選定されて
いる。
ところでアルミナ/ガラスを主体とする低温焼成基板は
、ガラスとアルミナの低温における接着を利用するため
、相対的に急速な焼結が可能である。
、ガラスとアルミナの低温における接着を利用するため
、相対的に急速な焼結が可能である。
[発明が解決しようとする問題点]
しかし、急速焼成を実施するためには、有殿結合剤の除
去を円滑に行なうことが必要でおり、また均熱加熱が必
要でおる。このため、従来アルミナセラミックス等で使
用できる平滑で熱伝導性のよいジルコニアセラミックス
板等を使用することが困難で、結合剤除去中における歪
み、温度むら等によってそりが生じやすい欠点があった
。
去を円滑に行なうことが必要でおり、また均熱加熱が必
要でおる。このため、従来アルミナセラミックス等で使
用できる平滑で熱伝導性のよいジルコニアセラミックス
板等を使用することが困難で、結合剤除去中における歪
み、温度むら等によってそりが生じやすい欠点があった
。
[問題点を解決するための手段]
本発明者らは、表面に適度の凹凸があり、被焼成物と接
触面積を少なくしたときそりが少なくなること、又、被
焼成物中にあけるガラスの影響による被焼成物とセッタ
ーとの接着が少なくなることを見出し、本発明に到運し
たのである。
触面積を少なくしたときそりが少なくなること、又、被
焼成物中にあけるガラスの影響による被焼成物とセッタ
ーとの接着が少なくなることを見出し、本発明に到運し
たのである。
すなわち、本発明はアルミナとガラスを主体とする低温
焼成セラミックス材料を焼成して基板を作製するに際し
て、セッターとして表面あらざが1.0〜20.0μm
Raの基板を使用することを特徴とする低温焼成セラミ
ックス基板の焼成方法である。
焼成セラミックス材料を焼成して基板を作製するに際し
て、セッターとして表面あらざが1.0〜20.0μm
Raの基板を使用することを特徴とする低温焼成セラミ
ックス基板の焼成方法である。
本発明に使用するセッターの表面あらさが1.0μm以
下ではそりが発生しやすく、20.0μm以上では被焼
成物に基板の凹凸がそのまま発生し、被焼成物の基板の
表面あらざが悪化するからでおる。なお、表面あらさは
J lS−8−0601(、1970)によって測定さ
れる。
下ではそりが発生しやすく、20.0μm以上では被焼
成物に基板の凹凸がそのまま発生し、被焼成物の基板の
表面あらざが悪化するからでおる。なお、表面あらさは
J lS−8−0601(、1970)によって測定さ
れる。
セッターの材質としては、マグネシア、アルミナ、アル
ミナ/シリカ等の焼成物、結晶化ガラス等が用いられる
。
ミナ/シリカ等の焼成物、結晶化ガラス等が用いられる
。
表面に凹凸を設ける方法として、イ)プレス成型に際し
、プレス圧を低下させ、顆粒を充分押しつぶさない状態
として焼成する、口)化学的あるいは機械的方法を用い
る、ハ)セラミックファイバーの集合体を用いる、二)
焼成に際して発泡せしめ凹凸を設ける、等の方法が挙げ
られる。
、プレス圧を低下させ、顆粒を充分押しつぶさない状態
として焼成する、口)化学的あるいは機械的方法を用い
る、ハ)セラミックファイバーの集合体を用いる、二)
焼成に際して発泡せしめ凹凸を設ける、等の方法が挙げ
られる。
本発明で用いる低温焼成セラミック材料は、重量基準で
10%までの不純物を含むことのあるMO(ただし、M
: Ca、Mg>10〜55%、SiO245〜70%
、Al2O30〜30%、82O30%で必るガラスを
用い、ガラス/アルミナ比として40〜65/60〜3
5に混合した無芸粉体を原料とする低温焼成セラミック
材料が挙げられる。低温焼成基板はそのまま焼成するこ
ともあるが、電気回路基板として用いるため、ACt、
Au、Pt、Cu、N i等の導体金属からなる導体ペ
ースト、RuO2/ガラスからなる抵抗ペーストを塗布
焼成することもある。
10%までの不純物を含むことのあるMO(ただし、M
: Ca、Mg>10〜55%、SiO245〜70%
、Al2O30〜30%、82O30%で必るガラスを
用い、ガラス/アルミナ比として40〜65/60〜3
5に混合した無芸粉体を原料とする低温焼成セラミック
材料が挙げられる。低温焼成基板はそのまま焼成するこ
ともあるが、電気回路基板として用いるため、ACt、
Au、Pt、Cu、N i等の導体金属からなる導体ペ
ースト、RuO2/ガラスからなる抵抗ペーストを塗布
焼成することもある。
[作 用]
本発明では、焼成により急速に脱バインダーを行なう際
セッター表面に凹凸かめると、セッターと被焼成物との
間に隙間がおり、結合剤が熱分解する際発生するガスの
除去を円滑に行ない、この時発生する歪みを少なくする
。
セッター表面に凹凸かめると、セッターと被焼成物との
間に隙間がおり、結合剤が熱分解する際発生するガスの
除去を円滑に行ない、この時発生する歪みを少なくする
。
又、そりは一般に焼成収縮が開始する際発生し、焼結が
完了に近づくと減少する方向におる。
完了に近づくと減少する方向におる。
被焼成物とセッターとの接触する面積が大きいと、雰囲
気からの伝熱に加えて、セッター/被焼成物間の熱の移
動が起りやすく、焼成収縮開始時期において、温度むら
を生じやすくそりが発生する。本発明にあけるセッター
表面の凹凸は前述の熱の移動を少なくする。
気からの伝熱に加えて、セッター/被焼成物間の熱の移
動が起りやすく、焼成収縮開始時期において、温度むら
を生じやすくそりが発生する。本発明にあけるセッター
表面の凹凸は前述の熱の移動を少なくする。
[実施例]
重量比で酸化カルシウム13,0%、3 i Q 25
6.5%、A120317.4%、820313.1%
であるガラス粉末45部、アルミナ55部を混合し、有
機結合剤としてポリメチルメタクリレートを用い、常法
によってセラミックグリーンテープを作成した。
6.5%、A120317.4%、820313.1%
であるガラス粉末45部、アルミナ55部を混合し、有
機結合剤としてポリメチルメタクリレートを用い、常法
によってセラミックグリーンテープを作成した。
重量比で5i0269%、A I 20319%、L
! 2 Q 3%、MgO4%、TiO25%からなる
セッターで、表面あらざ2.0μmRaのものを実施例
1.5.0μmRaのものを実施例2とし、0.2μm
Raのものを比較例とした。
! 2 Q 3%、MgO4%、TiO25%からなる
セッターで、表面あらざ2.0μmRaのものを実施例
1.5.0μmRaのものを実施例2とし、0.2μm
Raのものを比較例とした。
これらのセッターに上記グリーンテープの50mmx
50mmx 0.8mmのものを載せ、昇温速度として
50°C/min 、最高温度900°CX20分保持
の条件で焼成した。その結果を第1表に示す。
50mmx 0.8mmのものを載せ、昇温速度として
50°C/min 、最高温度900°CX20分保持
の条件で焼成した。その結果を第1表に示す。
第1表
Xそりは焼成後の基板を水平面におき、上部から水平面
を重ね、上下水平面間の艮ざの測定値から基板厚さを差
し引く方法で測定した。
を重ね、上下水平面間の艮ざの測定値から基板厚さを差
し引く方法で測定した。
第1表の結果から、本発明方法によれば製品のそりが少
ないことが明らかでおる。
ないことが明らかでおる。
つぎに、A120355%、SiO245%、表面あら
さ2.0μmRaの多孔質セッターを実施例3に用い、
表面あらざ4.0μlllRaのマグネシアセッターを
実施例4に用いて、上記実施例1.2と同様に実施した
。その結果を第2表に示す。
さ2.0μmRaの多孔質セッターを実施例3に用い、
表面あらざ4.0μlllRaのマグネシアセッターを
実施例4に用いて、上記実施例1.2と同様に実施した
。その結果を第2表に示す。
第2表
第2表から明らかなとあり、実施例3.4いずれの製品
もそりがないことが分る。
もそりがないことが分る。
[発明の効果]
本発明ではそりの少ない低温焼成セラミックスが得られ
る。このものはコンピュータ、ロボット等の産業分野、
テレビ、テレビカメラ等の電子回路基板としてすぐれた
ものでおる。
る。このものはコンピュータ、ロボット等の産業分野、
テレビ、テレビカメラ等の電子回路基板としてすぐれた
ものでおる。
Claims (2)
- (1)アルミナとガラスを主体とする低温焼成セラミッ
クス材料を焼成して基板を作製するに際して、セッター
として表面あらさが1.0〜20.0μmRaの基板を
使用することを特徴とする低温焼成セラミックス基板の
焼成方法。 - (2)低温焼成セラミック材料として、重量基準で10
%までの不純物を含むことのあるMO(ただしM:Ca
、Mg)10〜55%、 SiO_245〜70%、Al_2O_30〜30%、
B_2O_30〜30%であるガラスを用い、しかもガ
ラス/アルミナ比にして40〜65/60〜35である
特許請求の範囲(1)記載の低温焼成セラミックス基板
の焼成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60258674A JPS62119155A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 低温焼成セラミツクス基板の焼成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60258674A JPS62119155A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 低温焼成セラミツクス基板の焼成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62119155A true JPS62119155A (ja) | 1987-05-30 |
Family
ID=17323525
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60258674A Pending JPS62119155A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 低温焼成セラミツクス基板の焼成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62119155A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0193763U (ja) * | 1987-12-16 | 1989-06-20 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5433245A (en) * | 1977-08-20 | 1979-03-10 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | Large current mig welding method of aluminum alloy |
-
1985
- 1985-11-20 JP JP60258674A patent/JPS62119155A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5433245A (en) * | 1977-08-20 | 1979-03-10 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | Large current mig welding method of aluminum alloy |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0193763U (ja) * | 1987-12-16 | 1989-06-20 | ||
JPH0429588Y2 (ja) * | 1987-12-16 | 1992-07-17 |
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