JPS62113384A - 薄膜発光素子 - Google Patents
薄膜発光素子Info
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- JPS62113384A JPS62113384A JP60252757A JP25275785A JPS62113384A JP S62113384 A JPS62113384 A JP S62113384A JP 60252757 A JP60252757 A JP 60252757A JP 25275785 A JP25275785 A JP 25275785A JP S62113384 A JPS62113384 A JP S62113384A
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- Pending
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、薄膜EL素子に関するものである。
本発明の対象である薄膜EL素子の構造を第3図に示す
模式図によって説明する。ガラス基板1の上にI T
O(I ndium −Tin −0xide) 等
の透明!極2が形成されている。この上にY x Oa
。
模式図によって説明する。ガラス基板1の上にI T
O(I ndium −Tin −0xide) 等
の透明!極2が形成されている。この上にY x Oa
。
SiO2,5iaNa、AQzOa、TazOsあるい
は、これらの組み合せから成る第1絶縁層3が電子ビー
ム蒸着あるいは、RFスパッタリングにより形成されて
いる。この上には活性物質(Mn。
は、これらの組み合せから成る第1絶縁層3が電子ビー
ム蒸着あるいは、RFスパッタリングにより形成されて
いる。この上には活性物質(Mn。
T b、 Sm* Dy、 P r、Tm、E r
、Ho。
、Ho。
Ndまたは、これらの硫化物、酸化物、リン化物。
ハロゲン化物のうち少くとも1種類以上)を適量含有す
るZnSから成る発光層4が、電子ビーム蒸着あるいは
RFスパッタリングにより形成されている。さらにこの
上には、第1絶縁層と同様な第2絶縁層が形成されてお
り、その上にAQ。
るZnSから成る発光層4が、電子ビーム蒸着あるいは
RFスパッタリングにより形成されている。さらにこの
上には、第1絶縁層と同様な第2絶縁層が形成されてお
り、その上にAQ。
Au、ITO等の背面電極6が、ガラス基板1上の透明
電極2と90°をなす方向にストライプ状に形成されて
いる。xY方向に配設された透明電極2と背面電極6の
間に交流電圧を印加すると、交差した部分(画素と呼ぶ
)のみが発光するので、文字表示等のディスプレイ機能
が実現できる。発光層中の活性物質の種類によって1発
光色を変化させることができるため、マルチカラー表示
、さらにはフルカラー表示が期待されている。
電極2と90°をなす方向にストライプ状に形成されて
いる。xY方向に配設された透明電極2と背面電極6の
間に交流電圧を印加すると、交差した部分(画素と呼ぶ
)のみが発光するので、文字表示等のディスプレイ機能
が実現できる。発光層中の活性物質の種類によって1発
光色を変化させることができるため、マルチカラー表示
、さらにはフルカラー表示が期待されている。
しかし1問題点として発光層が水分に対して弱く、第2
絶縁層中のピンホールを通しての湿分の侵入のため発光
状態が劣化しやすい、このため、外気を遮断する目的で
、ガラス基板上の薄膜EL層全体を密閉することが一般
的に行なわれている。
絶縁層中のピンホールを通しての湿分の侵入のため発光
状態が劣化しやすい、このため、外気を遮断する目的で
、ガラス基板上の薄膜EL層全体を密閉することが一般
的に行なわれている。
具体的には、第3図に示すような樹脂コーティングがま
ず試みられた。ここで、図中の1〜6は第3図に示した
構成材料と同一である。背面電極6を覆って単層の樹脂
コーティングが施されいるのが特徴である。しかし、樹
脂材料としてエポキシ1、ポリイミド系、シリコン系等
、種々検討した1、究極的に湿分に対するバリアには成
り得なかった。すなわち、それほどわずかの大気中から
の湿分でも発光特性を劣化させるに十分であった。
ず試みられた。ここで、図中の1〜6は第3図に示した
構成材料と同一である。背面電極6を覆って単層の樹脂
コーティングが施されいるのが特徴である。しかし、樹
脂材料としてエポキシ1、ポリイミド系、シリコン系等
、種々検討した1、究極的に湿分に対するバリアには成
り得なかった。すなわち、それほどわずかの大気中から
の湿分でも発光特性を劣化させるに十分であった。
次に考案されたものが、第5図に示すような流体による
封止型である。ここで1〜6は第3図と同一の材料であ
る。素子全体をガラス板9で包囲してあり、内部にシリ
コンオイル等の水分を含まない流体8が封入しである。
封止型である。ここで1〜6は第3図と同一の材料であ
る。素子全体をガラス板9で包囲してあり、内部にシリ
コンオイル等の水分を含まない流体8が封入しである。
このような構造は、例えば特公昭57−45038.5
7−47559.58−55634等に記載されている
。実際に信頼性試験を試みてみると、かなり良好な特性
が示される。しかし、製造工程での湿分吸収を極力抑え
る必要があるとともに、ガラス板9を前面のガラス基板
1上へ注意深く接着させなければ効率が半減してしまう
。
7−47559.58−55634等に記載されている
。実際に信頼性試験を試みてみると、かなり良好な特性
が示される。しかし、製造工程での湿分吸収を極力抑え
る必要があるとともに、ガラス板9を前面のガラス基板
1上へ注意深く接着させなければ効率が半減してしまう
。
接着部が破損することも起こりやすい、さらに。
この方法の大きな欠点は、製造工程がガラス基板から成
る外囲器の作製、注入孔の形成、流体の注入、注入孔の
封止ど複雑で手間がかかることである。
る外囲器の作製、注入孔の形成、流体の注入、注入孔の
封止ど複雑で手間がかかることである。
本発明の目的は、前述したような従来型の保護構造のも
つ欠点を原理的に排除した新規な保護構造を有する薄膜
EL素子を提供することにある。
つ欠点を原理的に排除した新規な保護構造を有する薄膜
EL素子を提供することにある。
本発明の概要を第1図を用いて説明する。ガラス基板1
上に透明電極2が配設されており、その上に第1絶縁層
39発光層4.第2絶縁層5.背面電極6がこの順に積
層されている構造は第3図に示したものが同一である。
上に透明電極2が配設されており、その上に第1絶縁層
39発光層4.第2絶縁層5.背面電極6がこの順に積
層されている構造は第3図に示したものが同一である。
本発明の特徴は、ガラス基板1と背面ガラス板9が少な
くとも1種類の金属11〜16によって封着されている
ことである。この金属を用いたシール構造により2枚の
ガラス板1と9の間から水蒸気が侵入するのを防止する
。
くとも1種類の金属11〜16によって封着されている
ことである。この金属を用いたシール構造により2枚の
ガラス板1と9の間から水蒸気が侵入するのを防止する
。
従来シール材料として使われている樹脂系接着剤に比べ
金属は水蒸気の透過が著しく少ないので接着部分からの
水蒸気の侵入は、はとんどなくなる。
金属は水蒸気の透過が著しく少ないので接着部分からの
水蒸気の侵入は、はとんどなくなる。
第1図に示す構造を以下の工程により作製した。
コーニング7059ガラス1上に透明電極として、IT
Oをスパッタリングによって2,500人 の厚さに形
成し、フォトエツチングによりストライプ状電極2にバ
ターニングした。この上に電子ビーム蒸着によりY2O
3の絶縁層3を約3,000人形成し、さらにZnS中
にMnが少量添加された発光層4を7,000人形成し
た後、500℃にて真空中で熱処理を加えた。その後、
同様な方法によりY 20 aの絶縁層を5,000人
形成した。この上にストライプ状電極電極2と直角方向
にアルミニウムのストライプ状電極6を真空抵抗加熱蒸
着により形成した。ITO電極2の上には電極間の絶縁
のため、平面図に示すように幅5mmの5iOzの絶縁
層11をスパッタリングにより約5,000人形成した
。
Oをスパッタリングによって2,500人 の厚さに形
成し、フォトエツチングによりストライプ状電極2にバ
ターニングした。この上に電子ビーム蒸着によりY2O
3の絶縁層3を約3,000人形成し、さらにZnS中
にMnが少量添加された発光層4を7,000人形成し
た後、500℃にて真空中で熱処理を加えた。その後、
同様な方法によりY 20 aの絶縁層を5,000人
形成した。この上にストライプ状電極電極2と直角方向
にアルミニウムのストライプ状電極6を真空抵抗加熱蒸
着により形成した。ITO電極2の上には電極間の絶縁
のため、平面図に示すように幅5mmの5iOzの絶縁
層11をスパッタリングにより約5,000人形成した
。
この上には、はんだによる接着性を良くするためCr層
12とCu層13を合わせて1mn+程度真空抵抗加熱
蒸着により形成した。背面ガラス板9上にも一様な方法
によりCr層16とCu層15を形成した。この後Cu
層13と15の間に厚さ約20μmのはんだをはさみ、
素子全体をチッ素ガス中で約350℃に加熱することに
より、ガラス基板1と背面ガラス板9を封着する。
12とCu層13を合わせて1mn+程度真空抵抗加熱
蒸着により形成した。背面ガラス板9上にも一様な方法
によりCr層16とCu層15を形成した。この後Cu
層13と15の間に厚さ約20μmのはんだをはさみ、
素子全体をチッ素ガス中で約350℃に加熱することに
より、ガラス基板1と背面ガラス板9を封着する。
第2図は従来型の保護構造である樹脂コーティング及び
シリコンオイルによる封止を施したものと本発明の金属
による封止を施したEL素子の寿命試験の結果を表わす
、この図は素子の安定化のためエージング処理をした後
、室温で1 k Hz 。
シリコンオイルによる封止を施したものと本発明の金属
による封止を施したEL素子の寿命試験の結果を表わす
、この図は素子の安定化のためエージング処理をした後
、室温で1 k Hz 。
Vop= 240 Vの正弦波で連続駆動した場合の輝
度の時間変化を示す、縦軸はエージング終了後の輝度を
100として規格化している。第2図で曲線aは樹脂コ
ーティングの場合、bはシリコンオイル封止型の場合、
Cは本発明の金属による封止を施した場合である。従来
型のa、bに比べ、本発明のCでは保護機能が優れ長寿
命を達成してしることが確認された。
度の時間変化を示す、縦軸はエージング終了後の輝度を
100として規格化している。第2図で曲線aは樹脂コ
ーティングの場合、bはシリコンオイル封止型の場合、
Cは本発明の金属による封止を施した場合である。従来
型のa、bに比べ、本発明のCでは保護機能が優れ長寿
命を達成してしることが確認された。
以上説明したように、本発明の薄膜EL素子によれば長
寿命で信頼性を向上できる効果を有するものである。
寿命で信頼性を向上できる効果を有するものである。
第1図(イ)は本発明の薄膜発光素子の実施例の断面図
、(ロ)は(イ)の平面断面図、第2図は第1図の素子
の寿命試験結果説明図、第3図は従来の交流駆動型薄膜
発光素子の一部を断面で示した斜視図、第4図は従来の
樹脂コーティングを施こした素子断面図、第5図は同じ
く流体封入型の素子断面図である。 1・・・ガラス基板、2・・・透明電極、3・・−第1
絶縁層4・・・発光層、5・・・第2絶縁層、6・・・
背面電極。
、(ロ)は(イ)の平面断面図、第2図は第1図の素子
の寿命試験結果説明図、第3図は従来の交流駆動型薄膜
発光素子の一部を断面で示した斜視図、第4図は従来の
樹脂コーティングを施こした素子断面図、第5図は同じ
く流体封入型の素子断面図である。 1・・・ガラス基板、2・・・透明電極、3・・−第1
絶縁層4・・・発光層、5・・・第2絶縁層、6・・・
背面電極。
Claims (1)
- 1.絶縁層、発光層、絶縁層の3層構造を有する薄膜発
光素子において、透明前面基板と背面板とから成る外囲
器が、少なくとも1種類の金属層によつて固定密封され
ることを特徴とする薄膜発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60252757A JPS62113384A (ja) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | 薄膜発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60252757A JPS62113384A (ja) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | 薄膜発光素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62113384A true JPS62113384A (ja) | 1987-05-25 |
Family
ID=17241863
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60252757A Pending JPS62113384A (ja) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | 薄膜発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62113384A (ja) |
-
1985
- 1985-11-13 JP JP60252757A patent/JPS62113384A/ja active Pending
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