JPS62112227A - 垂直磁気記録媒体の製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、基体を移動させながら該基体上にｃｏとＣｒ
を主成分とし膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する磁
性膜をスパッタリング法により形成して垂直磁気記録媒
体を製造する装置に関する。

〔発明の技術的背景とその問題点〕

近年、情報処理技術の発達に伴なってメモリ装置の担う
情報量は飛躍的に増大し、フロッピーディスクを始めと
する磁気記録媒体に対する大容量化の要求がますます高
まっている。特に、現在一般に使用されている塗布型面
内磁気記録媒体に対し、Ｃｏ−Ｃｒ１ｌのような膜面に
垂直な方向に磁化容易軸を有する磁性ｆｉ！　（垂直磁
化膜ともいう）をスパッタリング法等により形成した垂
直磁気記録媒体が、将来の高密度記録に適した媒体とし
て注目されている。

垂直磁気記録媒体を浸度化するためには、フロッピーデ
ィスクを例にとると樹脂フィルムのような可撓性基体を
例えばローうによって移動させながら、基体上に連続的
にｃｏ−Ｃｒ膜を形成する技術が要求され、リジッドデ
ィスクの場合もやはり基体を移動させながらＣｏ−０ｒ
暎を形成する技術が要求される。

このように移動する基体上に（：：ｏ−Ｃｒ膜をスパッ
タリング法により形成する場合における問題の一つとし
て、ターゲットから基体へ向かうスパッタ粒子のうち不
要なスパッタ粒子を遮蔽するために基体とターゲットと
の間に配設されるマスクの配置によって、形成される膜
の電磁変換特性が大きな影響を受けることが挙げられる
。

［発明の目的］ 本発明はこのような従来の問題点に鑑みてなされたもの
で、移動１６基体上にスパッタリング法によりＣｏとＣ
ｒを主成分とした垂直磁化膜を形成する際に使用するマ
スクの配置条件を最適化して、電磁変換特性の良好な垂
直磁気記録媒体を製造する装置を提供することを目的と
する。

〔発明の概要〕

本発明はこの目的を達成するため、ＣｏとＣｒを主成分
とするターゲットに対向させて垂直磁気記録媒体の基体
を移動させ、この基体に不要なスパッタ粒子を遮蔽ケる
ための７スクを介して、スパッタリング法により換向に
屯直な方向に磁化ａ尾輪を有するＣｏとＣｒを主成分と
した磁性膜を形成する装置において、磁性膜の形成開始
点における基体とマスクとの間隙をｄとし、磁性膜が形
成される領域での基体の移動方向におｔプる全長をａと
したとき、ｄ／、ｆ２≧１　、、’　１００というマス
ク配置条件を選定することにより、良好な電磁変換特性
を示す垂直磁気記録媒体を製造するようにしたものであ
る。

〔発明の効果〕

本発明によればｄ２／′ρ≧１／１００とすることによ
り、良好な電磁変換特性、特に再生出力の大きなｃｏ−
Ｏｒ垂直磁化唆からなる磁性膜を備えた垂直磁気記録媒
体を製造することができる。

すなわち、磁性膜の形成開始点における基体とマスクと
の間隙が存在すると、この間隙を通してスパッタ粒子の
回り込みが生じ、それによって基体上に初期層が形成さ
れる。この回り込みによる初期層は一般に結晶配向性が
悪く、垂直磁気異方性が小さいため、面内磁化膜となる
。このような面内磁化膜である初期層を有し、その上に
垂直磁化膜が形成された磁性膜は、いわゆう二層媒体と
同様のメカニズムによってＮ滋変換特性、特に再生出力
が向上する。また、初期層の厚さは磁性膜の形成開始点
における基体とマスクとの間隙に依存し、この間隙が大
きいほど厚くなる。

一方、磁性膜が形成される領域での基体の移動方向にお
ける全長りは、初期層の上に形成される垂直磁化膜の厚
さに影響を及ぼし、これが大きいほど垂直磁化膜の厚さ
が増大する。面内磁化膜である初期層による電磁変換特
性向上の効果は、初期層が厚いほど大きく、垂直磁化膜
が厚いほど小さくなるので、これら両方の厚さの相対的
な関係、換言すればｄ　、／　Ｑを考慮する必要がある
。このような知見に基づいて本発明者らが鋭意検討した
結果によれば、ｄ／Ｑを１　、／　１００以上にしたと
き再生出力が実用上要求される大きさを満足することが
確認された。

〔発明の実施例） 以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。第１図
は本発明の一実施例どしてフロッピーディスク形態の垂
直磁気記録媒体を製造する装置の要部構成を概略的に示
したものである。

第１図において、垂直磁気記録媒体の基体１は例えば樹
脂性のフィルム状基体であり、図示しない供給ロールか
らガイドローラを経て矢印の方向に回転する主ローラ２
に導かれた後、図示しないガイドローラを経て巻取りロ
ールに至る。このようなフィルム搬送系により基体１を
連続的に移動させながら、主ローラ２上でスパッタリン
グ法により基体１の上にＣｏ−Ｃｒ垂直磁化摸を含む磁
性膜を形成する。スパッタリング法としては例えば量産
性に侵れた直流マグネトロンスパッタ法が使用される。

すなわち、主ローラ２に対向してＣｏとＣｒを主成分と
するターゲット３が配置され、これらの間に直流高１斤
が印加されるとともに、スパッタ至（真空容器）内にマ
グネトロン放電か励起されることにより、スパッタリン
グガスであるへｒによって叩き出されたスパッタ粒子が
基体１上に到達し、Ｃｏ−Ｃｒｙ性膜が形成される。

基体１とターゲット３との間には、ターゲット３から基
体１へ向かうスパッタ粒子のうち余分のスパッタ粒子を
遮蔽するためのマスク４が配置されている。ここで、基
体１とマスク４の端部との間隙、特に磁性膜の形成開始
点における間隙ｄと、マスク４の開口部の大きさ、つま
り磁性膜が形成される領域での基体１の移動方向におけ
る全長りは、ｄ／ｆｆ≧１／１００の関係が満足する関
係に選定されている。

マスク４を設けると、基体１がマスク４の長ざＱの開口
部を通過する間に、基体１上に磁性膜が形成される。こ
の場合、間隙ｄがＯでないためにスパッタ粒子のうちＡ
ｒによって散乱されたものは、まずマスク４の端部から
マスク４の裏側に回り込んで基体１上に付着する。この
回り込みによるスパッタ粒子の付着は、マスク４の開口
部を回り込みによらず正面から通過したスパッタ粒子の
付着に先立つものであり、これによって初期層が形成さ
れる。この回り込みによる初期層は前述したように結晶
配向性が悪く、垂直磁気異方性が小さいために面内磁化
膜どなっていることが予想されるので、再生出力の向上
に奇与する。これは従来の二層媒体と同様の原理からく
るものであり、従ってその効果は初期層と、その上に形
成される垂直磁化膜の厚さの関係によって変化すると考
えられる。基体１の移動速度をある一定値にした場合、
初期層の厚さは間隙ｄに依存し、また垂直磁化膜の厚さ
は磁性膜が形成される領域での基体１の移動方向におけ
る全長りに依存するから、結局、再生出力向上効果はｄ
ｌｌの大きさに依存することになる。

次表１にｄｌｌを種々変えてｃｏ−Ｃｒ磁性膜を形成し
た垂直磁気記録媒体の電磁変換特性（ｆ−５０ｋＢＰＩ
における再生出力）を示す。

この特性は媒体を３．５インチフロッピーディスクの形
状に打抜いて、フロッピーディスク評価装置により測定
したものである。

表１ この表から、ｄｌｌが大きくなるほど再生出力が増加す
る。これはｄｌｌが大きくなるに従って、磁性膜全体の
厚さに占める面内磁化膜としての回り込みによる初期層
の厚さの割合が増加するためと考えられる。

一般的に、フロッピーディスク等として使用される垂直
磁気記録媒体では、エラー率の低減等の観点から再生出
力は７００μｖ　ｐ−ｐ以上必要であるとされている。

従って、表１の結果から本発明のこと＜ｄ、！２≧１／
１００とすることが望まれるのである。

表１よりｄｌｌと再生出力との関係をグラフ化したもの
を第２図に示す。この図からも、ｄｌｌ＜１／１００で
は再生出力が大きく減少するのに対して、ｄ／ｇ≧１／
１００にすると７００μｖ　ｐ−ｐ以上の高出力が得ら
れることが明らかである。

第３図は本発明の他の実施例としてリジッドディスク形
態の垂直磁気記録媒体の製造装置に適用した実施例を示
す。この実施例においては、基体１を矢印に示す方向に
直線的に移動させながらスパッタリング法によりｃｏ−
ＣｒＥｉ性躾を形成するが、この場合もｄｌｌ、≧１　
、／　１００とすることにより、先の実施例と同様に良
好な電磁変換特性を持つ垂１ｉＩｉｔ＆気記録媒体を１
ｑることかできる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に係る垂直磁気記録媒体の製
造装置の要部構成を概略的に示す図、第２図は同実施例
におけるｄ　、／りと再生出力との関係を示す図、第３
図は本発明の他の実、暢例に係る垂直…気記録媒体の製
造装置の要部構成を概略的に示す図である。 １・・・基体、２・・・主ローラ、３・・・ターグツ１
−１４・・・マスク。 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦 第１図 ０　０５　１　１・５２・０２・− 明 ￥ｊｒｊｚ図 第３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ＣｏとＣｒを主成分とするターゲットと、このターゲッ
   トに対向させて垂直磁気記録媒体の基体を移動させる手
   段と、この基体と前記ターゲットとの間に配置され、不
   要のスパッタ粒子を遮蔽するマスクとを備え、スパッタ
   リング法により膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する
   ＣｏとＣｒを主成分とした磁性膜を形成する垂直磁気記
   録媒体の製造装置において、前記磁性膜の形成開始点に
   おける前記基体とマスクとの間隙をｄ、前記磁性膜が形
   成される領域での前記基体の移動方向における全長をｌ
   としたとき、ｄ／ｌ≧１／１００に選定することを特徴
   とする垂直磁気記録媒体の製造装置。